JPH11219847A - セラミックコンデンサ - Google Patents
セラミックコンデンサInfo
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- JPH11219847A JPH11219847A JP10017565A JP1756598A JPH11219847A JP H11219847 A JPH11219847 A JP H11219847A JP 10017565 A JP10017565 A JP 10017565A JP 1756598 A JP1756598 A JP 1756598A JP H11219847 A JPH11219847 A JP H11219847A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱応力および基板の撓みによる機械的応力を
吸収する。 【解決手段】 セラミックコンデンサ素子１は、相対す
る両側端面に端子電極１１、１２を有する。金属端子
２、３のそれぞれは、一端が端子電極１１、１２の一つ
に接続され、中間部に折り返し部２２、３２を有し、折
り返し部２２、３２の先に外部と接続される端子部２
３、３３を有する。金属端子２、３のそれぞれは−５５
℃から１２５℃迄の平均線膨張率αが１３×１０-6以下
である
吸収する。 【解決手段】 セラミックコンデンサ素子１は、相対す
る両側端面に端子電極１１、１２を有する。金属端子
２、３のそれぞれは、一端が端子電極１１、１２の一つ
に接続され、中間部に折り返し部２２、３２を有し、折
り返し部２２、３２の先に外部と接続される端子部２
３、３３を有する。金属端子２、３のそれぞれは−５５
℃から１２５℃迄の平均線膨張率αが１３×１０-6以下
である
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックコンデ
ンサに関する。本発明は、主に、スイッチング電源用の
平滑用コンデンサとして用いるのに適した積層チップ型
のセラミックコンデンサに関する。
ンサに関する。本発明は、主に、スイッチング電源用の
平滑用コンデンサとして用いるのに適した積層チップ型
のセラミックコンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】これまで、スイッチング電源用の平滑用
コンデンサとしては、アルミ電解コンデンサが主流であ
った。しかしながら、小型化、信頼性向上等の市場要求
が強まり、これに対応すべく、小型で高信頼性のセラミ
ックコンデンサの要求が高まっている。
コンデンサとしては、アルミ電解コンデンサが主流であ
った。しかしながら、小型化、信頼性向上等の市場要求
が強まり、これに対応すべく、小型で高信頼性のセラミ
ックコンデンサの要求が高まっている。
【０００３】一般に、電源周辺は高熱を発するため、基
板は放熱性の良いアルミニウム基板が用いられる。しか
しながら、電源周辺では、電源のオン／オフによる温度
変化が大きく、熱膨張率の大きなアルミニウム基板上に
実装したセラミックコンデンサには大きな熱応力が発生
する。この熱応力は、セラミックコンデンサにクラック
を発生させ、ショート不良や、発火等のトラブルを発生
させる原因となる。
板は放熱性の良いアルミニウム基板が用いられる。しか
しながら、電源周辺では、電源のオン／オフによる温度
変化が大きく、熱膨張率の大きなアルミニウム基板上に
実装したセラミックコンデンサには大きな熱応力が発生
する。この熱応力は、セラミックコンデンサにクラック
を発生させ、ショート不良や、発火等のトラブルを発生
させる原因となる。
【０００４】発火等のトラブルを無くするためには、セ
ラミックコンデンサに発生する熱応力を緩和することが
重要である。熱応力を緩和する手段として、実公平5-46
258号公報、特開平4-171911号公報および特開平4-25920
5号公報等は、セラミックコンデンサの端子電極に金属
板をはんだ付けし、金属板をアルミニウム基板上に実装
することにより、セラミックコンデンサがアルミニウム
基板に直接はんだ付されるのを防ぐ構造を開示してい
る。
ラミックコンデンサに発生する熱応力を緩和することが
重要である。熱応力を緩和する手段として、実公平5-46
258号公報、特開平4-171911号公報および特開平4-25920
5号公報等は、セラミックコンデンサの端子電極に金属
板をはんだ付けし、金属板をアルミニウム基板上に実装
することにより、セラミックコンデンサがアルミニウム
基板に直接はんだ付されるのを防ぐ構造を開示してい
る。
【０００５】通常、アルミニウム基板の膨張、収縮によ
る熱応力を充分に吸収するためには、アルミニウム基板
にはんだ付される端子部から、セラミックコンデンサと
の接続部分に至る金属板の脚部分を、できるだけ長くす
る必要がある。しかしながら、従来品では、金属板の脚
を長くすると、必然的にセラミックコンデンサの高さが
高くなる構造であるため、金属板の脚の長さを、基板に
おいて許容される許容高さ内の寸法となるように制限す
る必要がある。
る熱応力を充分に吸収するためには、アルミニウム基板
にはんだ付される端子部から、セラミックコンデンサと
の接続部分に至る金属板の脚部分を、できるだけ長くす
る必要がある。しかしながら、従来品では、金属板の脚
を長くすると、必然的にセラミックコンデンサの高さが
高くなる構造であるため、金属板の脚の長さを、基板に
おいて許容される許容高さ内の寸法となるように制限す
る必要がある。
【０００６】このため、従来品では、金属板の脚の長さ
を大きくすることができず、電源周辺のような温度変化
の激しい環境下（−５５〜１２５℃）で長期間使用し続
けると、セラミックコンデンサの端部付近にクラックが
発生し、発火する危険性が高く、信頼性に関する重大な
問題があるため十分普及するに至っていない。
を大きくすることができず、電源周辺のような温度変化
の激しい環境下（−５５〜１２５℃）で長期間使用し続
けると、セラミックコンデンサの端部付近にクラックが
発生し、発火する危険性が高く、信頼性に関する重大な
問題があるため十分普及するに至っていない。
【０００７】特に前記金属板の使用温度範囲における新
規な提案と良好な物性が特定されるか、あるいは、好ま
しい材料が待たれているものである。
規な提案と良好な物性が特定されるか、あるいは、好ま
しい材料が待たれているものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、セラ
ミックコンデンサ素子にクラック、破損等が発生するの
を確実に阻止できるセラミックコンデンサを提供するこ
とである。
ミックコンデンサ素子にクラック、破損等が発生するの
を確実に阻止できるセラミックコンデンサを提供するこ
とである。
【０００９】本発明のもう一つの課題は、セラミックコ
ンデンサ素子における熱応力および機械的応力を低減で
きるセラミックコンデンサを提供することである。
ンデンサ素子における熱応力および機械的応力を低減で
きるセラミックコンデンサを提供することである。
【００１０】本発明の更にもう一つの課題は、金属端子
について、高さを増大させずに、基板側端子部からセラ
ミックコンデンサ素子取り付け部までの長さを増大させ
たセラミックコンデンサを提供することである。
について、高さを増大させずに、基板側端子部からセラ
ミックコンデンサ素子取り付け部までの長さを増大させ
たセラミックコンデンサを提供することである。
【００１１】本発明の更にもう一つの課題は、−５５〜
１２５℃の範囲における温度変化の激しい環境下で長期
間使用し続けても、クラックを発生せず、発火する危険
性のないセラミックコンデンサを提供することである。
１２５℃の範囲における温度変化の激しい環境下で長期
間使用し続けても、クラックを発生せず、発火する危険
性のないセラミックコンデンサを提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係るセラミックコンデンサは、少なくと
も１つのセラミックコンデンサ素子と、少なくとも一対
の金属端子とを含む。前記セラミックコンデンサ素子
は、相対する両側端面に端子電極を有する。
ため、本発明に係るセラミックコンデンサは、少なくと
も１つのセラミックコンデンサ素子と、少なくとも一対
の金属端子とを含む。前記セラミックコンデンサ素子
は、相対する両側端面に端子電極を有する。
【００１３】前記金属端子のそれぞれは、一端が前記端
子電極の一つに接続され、中間部に折り返し部を有し、
折り返し部の先に外部と接続される端子部を有する。前
記金属端子のそれぞれは、−５５℃から１２５℃迄の平
均線膨張率αが１３×１０-6以下の金属材料でなる。
子電極の一つに接続され、中間部に折り返し部を有し、
折り返し部の先に外部と接続される端子部を有する。前
記金属端子のそれぞれは、−５５℃から１２５℃迄の平
均線膨張率αが１３×１０-6以下の金属材料でなる。
【００１４】本発明に係るセラミックコンデンサにおい
て、少なくとも一対備えられる金属端子のそれぞれは、
一端が、コンデンサ素子の端子電極の一つに接続され、
中間部に折り返し部を有し、折り返し部の先に外部と接
続される端子部を有する。かかる構造の金属端子は、中
間部に設けられた折り返し部により、基板等の外部導体
と接続される端子部からセラミックコンデンサ素子の端
子電極に接続された一端までの長さが、中間部に設けら
れた折り返し部により拡大される。しかも、折り返し部
が一種のスプリング作用を奏する。このため、基板の撓
みおよび熱膨張を、確実に吸収し、セラミックコンデン
サ素子に生じる機械的応力および熱応力を低減し、セラ
ミックコンデンサ素子にクラックが発生するのを阻止す
ることができる。従って、アルミニウム基板に実装され
ることの多いスイッチング電源用平滑コンデンサとして
用いた場合でも、クラックの発生、それに起因する発火
の危険を回避することがで端子について、高さを増大さ
せずに、基板側端子部からセラミックコンデンサ素子取
り付け部までの長さを増大させ、基板の撓みおよび熱膨
張に対する吸収作用を改善し、セラミックコンデンサ素
子に発生する機械的応力、及び、熱応力を低減すること
ができる。
て、少なくとも一対備えられる金属端子のそれぞれは、
一端が、コンデンサ素子の端子電極の一つに接続され、
中間部に折り返し部を有し、折り返し部の先に外部と接
続される端子部を有する。かかる構造の金属端子は、中
間部に設けられた折り返し部により、基板等の外部導体
と接続される端子部からセラミックコンデンサ素子の端
子電極に接続された一端までの長さが、中間部に設けら
れた折り返し部により拡大される。しかも、折り返し部
が一種のスプリング作用を奏する。このため、基板の撓
みおよび熱膨張を、確実に吸収し、セラミックコンデン
サ素子に生じる機械的応力および熱応力を低減し、セラ
ミックコンデンサ素子にクラックが発生するのを阻止す
ることができる。従って、アルミニウム基板に実装され
ることの多いスイッチング電源用平滑コンデンサとして
用いた場合でも、クラックの発生、それに起因する発火
の危険を回避することがで端子について、高さを増大さ
せずに、基板側端子部からセラミックコンデンサ素子取
り付け部までの長さを増大させ、基板の撓みおよび熱膨
張に対する吸収作用を改善し、セラミックコンデンサ素
子に発生する機械的応力、及び、熱応力を低減すること
ができる。
【００１５】更に、金属端子のそれぞれは、−５５℃か
ら１２５℃迄の平均線膨張率αが１３×１０-6以下の金
属材料でなる。このような平均線膨張係数αを有する金
属材料を用いて、金属端子を構成すると、−５５〜１２
５℃の範囲における温度変化の激しい環境下で長期間使
用し続けても、クラックを発生せず、発火の危険性もな
くなることが解った。従って、頻繁にＯＮ／ＯＦＦさ
れ、−５５〜１２５℃の範囲で温度変動を生じることの
あるスイッチング電源において、平滑用コンデンサとし
て使用された場合にも、充分な信頼性を確保することが
できる。本発明において、平均線膨張係数αとは、複数
の異なる温度で測定された線膨張係数の平均値をいう。
ら１２５℃迄の平均線膨張率αが１３×１０-6以下の金
属材料でなる。このような平均線膨張係数αを有する金
属材料を用いて、金属端子を構成すると、−５５〜１２
５℃の範囲における温度変化の激しい環境下で長期間使
用し続けても、クラックを発生せず、発火の危険性もな
くなることが解った。従って、頻繁にＯＮ／ＯＦＦさ
れ、−５５〜１２５℃の範囲で温度変動を生じることの
あるスイッチング電源において、平滑用コンデンサとし
て使用された場合にも、充分な信頼性を確保することが
できる。本発明において、平均線膨張係数αとは、複数
の異なる温度で測定された線膨張係数の平均値をいう。
【００１６】本発明の他の目的、構成及び利点について
は、添付図面を参照し、更に具体的に説明する。添付図
面は単に例を示すに過ぎない。
は、添付図面を参照し、更に具体的に説明する。添付図
面は単に例を示すに過ぎない。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係るセラミックコ
ンデンサの正面図、図２は図１に示したセラミックコン
デンサの正面断面図である。図示されたセラミックコン
デンサは、１つのセラミックコンデンサ素子１と、一対
の金属端子２、３とを含む。セラミックコンデンサ素子
１は、長さＬの方向において相対する両側端面に端子電
極１１、１２を有する。
ンデンサの正面図、図２は図１に示したセラミックコン
デンサの正面断面図である。図示されたセラミックコン
デンサは、１つのセラミックコンデンサ素子１と、一対
の金属端子２、３とを含む。セラミックコンデンサ素子
１は、長さＬの方向において相対する両側端面に端子電
極１１、１２を有する。
【００１８】図２を参照すると、セラミックコンデンサ
素子１は、セラミック誘電体基体１００の内部に多数
（例えば１００層）の内部電極１０１、１０２を有す
る。内部電極１０１は一端が端子電極１１に接続され、
他端が開放端になっており、内部電極１０２は一端が端
子電極１２に接続され、他端が開放端になっている。端
子電極１１、１２、内部電極１０１、１０２およびセラ
ミック誘電体基体１００の構成材料およびその製造方法
等は周知である。例えば、セラミック誘電体基体１００
を構成する誘電体材料としては、チタン酸バリウム系磁
器誘電体の他、リラクサ系磁器誘電体材料等を用いるこ
とができる。本発明において用い得るリラクサ系磁器誘
電体材料の具体例としては組成式Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−Pb
(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3で表されるものがある。この組
成式は、一般に、ＰＭＮ−ＰＭＷ−ＰＴと表現される。
この他、ＰＭＮ−ＰＮＮ−ＰＴ、ＰＭＮ−ＰＺＴ−Ｐ
Ｔ、ＰＭＮ−ＰＮＮ−ＰＭＷ−ＰＴ等の一般式によって
表現されるものも使用可能である。
素子１は、セラミック誘電体基体１００の内部に多数
（例えば１００層）の内部電極１０１、１０２を有す
る。内部電極１０１は一端が端子電極１１に接続され、
他端が開放端になっており、内部電極１０２は一端が端
子電極１２に接続され、他端が開放端になっている。端
子電極１１、１２、内部電極１０１、１０２およびセラ
ミック誘電体基体１００の構成材料およびその製造方法
等は周知である。例えば、セラミック誘電体基体１００
を構成する誘電体材料としては、チタン酸バリウム系磁
器誘電体の他、リラクサ系磁器誘電体材料等を用いるこ
とができる。本発明において用い得るリラクサ系磁器誘
電体材料の具体例としては組成式Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−Pb
(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3で表されるものがある。この組
成式は、一般に、ＰＭＮ−ＰＭＷ−ＰＴと表現される。
この他、ＰＭＮ−ＰＮＮ−ＰＴ、ＰＭＮ−ＰＺＴ−Ｐ
Ｔ、ＰＭＮ−ＰＮＮ−ＰＭＷ−ＰＴ等の一般式によって
表現されるものも使用可能である。
【００１９】金属端子２、３のそれぞれは、−５５℃か
ら１２５℃迄の平均線膨張率αが１３×１０-6以下の金
属材料でなる。このような金属材料の具体例としては、
Ｆｅが５５〜７０ｗｔ％で、Ｎｉが３５〜４５ｗｔ％の
合金を挙げることができる。更に、次に述べる金属材料
も、本発明に係るセラミックコンデンサの金属端子２、
３の構成材料として使用できる。
ら１２５℃迄の平均線膨張率αが１３×１０-6以下の金
属材料でなる。このような金属材料の具体例としては、
Ｆｅが５５〜７０ｗｔ％で、Ｎｉが３５〜４５ｗｔ％の
合金を挙げることができる。更に、次に述べる金属材料
も、本発明に係るセラミックコンデンサの金属端子２、
３の構成材料として使用できる。
【００２０】アンバー（Ｆｅ−Ｎｉ合金） 線膨張係数α＝１〜２×１０-6 ４２アロイ（登録商標）（Fe58wt%、Ni42wt%） 線膨張係数α＝４〜５×１０-6 Ｒｕ 線膨張係数α＝６．８×１０-6 ニモニック８０（登録商標） 線膨張係数α＝１１．７×１０-6 Ｐｔ 線膨張係数α＝９×１０-6 Ｐｄ 線膨張係数α＝１０．６×１０-6 チタン 線膨張係数α＝９×１０-6 炭素銅：線膨張係数α＝１０〜１３×１０-6 次に、内部電極１０１は、好ましくは、その開放端と端
子電極１２との間に、間隔△Ｌ１が生じるように形成す
る。内部電極１０２は、その開放端と端子電極１１との
間に、間隔△Ｌ２が生じるように形成する。間隔△Ｌ１
および△Ｌ２は、開放端と端子電極１１、１２との間の
最短距離で与えられる。具体的には、間隔△Ｌ１は、端
子電極１２の内、セラミック誘電体基体１００の表面お
よび裏面に付着されている垂れ部分１２１の先端からセ
ラミック誘電体基体１００の厚み方向に引かれた線分Ｓ
１１と、開放端の先端からセラミック誘電体基体１００
の厚み方向に引かれた線分Ｓ１２との間の間隔として与
えられる。間隔△Ｌ２は、端子電極１１の内、セラミッ
ク誘電体基体１００の表面および裏面に付着されている
垂れ部分１１１の先端からセラミック誘電体基体１００
の厚み方向に引かれた線分Ｓ２１と、開放端の先端から
セラミック誘電体基体１００の厚み方向に引かれた線分
Ｓ２２との間の間隔として与えられる。
子電極１２との間に、間隔△Ｌ１が生じるように形成す
る。内部電極１０２は、その開放端と端子電極１１との
間に、間隔△Ｌ２が生じるように形成する。間隔△Ｌ１
および△Ｌ２は、開放端と端子電極１１、１２との間の
最短距離で与えられる。具体的には、間隔△Ｌ１は、端
子電極１２の内、セラミック誘電体基体１００の表面お
よび裏面に付着されている垂れ部分１２１の先端からセ
ラミック誘電体基体１００の厚み方向に引かれた線分Ｓ
１１と、開放端の先端からセラミック誘電体基体１００
の厚み方向に引かれた線分Ｓ１２との間の間隔として与
えられる。間隔△Ｌ２は、端子電極１１の内、セラミッ
ク誘電体基体１００の表面および裏面に付着されている
垂れ部分１１１の先端からセラミック誘電体基体１００
の厚み方向に引かれた線分Ｓ２１と、開放端の先端から
セラミック誘電体基体１００の厚み方向に引かれた線分
Ｓ２２との間の間隔として与えられる。
【００２１】図２において、セラミックコンデンサ素子
１は、内部電極１０１、１０２の電極面が水平面と平行
となる横配置となっているが、図２の位置からセラミッ
クコンデンサ素子１を約９０度回転させて、内部電極１
０１、１０２の電極面が水平面に対して垂直となる縦配
置としてもよい。
１は、内部電極１０１、１０２の電極面が水平面と平行
となる横配置となっているが、図２の位置からセラミッ
クコンデンサ素子１を約９０度回転させて、内部電極１
０１、１０２の電極面が水平面に対して垂直となる縦配
置としてもよい。
【００２２】金属端子２は、一端２１が端子電極１１に
接続され、中間部に折り返し部２２を有し、折り返し部
２２の先に、外部と接続される端子部２３を有する。金
属端子３も、一端３１が端子電極１２に接続され、中間
部に折り返し部３２を有し、折り返し部３２の先に外部
と接続される端子部３３を有する。金属端子２、３は電
気抵抗が低く、しかもバネ性に優れた材料によって構成
する。代表例としては燐青銅の板材がある。板厚は、限
定するものではないが、代表的には０．１mm程度であ
る。
接続され、中間部に折り返し部２２を有し、折り返し部
２２の先に、外部と接続される端子部２３を有する。金
属端子３も、一端３１が端子電極１２に接続され、中間
部に折り返し部３２を有し、折り返し部３２の先に外部
と接続される端子部３３を有する。金属端子２、３は電
気抵抗が低く、しかもバネ性に優れた材料によって構成
する。代表例としては燐青銅の板材がある。板厚は、限
定するものではないが、代表的には０．１mm程度であ
る。
【００２３】金属端子２、３の一端２１、３１は、接合
材４、５によって端子電極１１、１２に接続されてい
る。
材４、５によって端子電極１１、１２に接続されてい
る。
【００２４】図３は図１及び図２に示したセラミックコ
ンデンサを回路基板上に実装した時の状態を示す部分断
面図である。セラミックコンデンサは、回路基板７０の
上に搭載されている。回路基板７０の表面にには導体パ
ターン７１、７２が設けられている。セラミックコンデ
ンサに備えられた金属端子２の端子部２３がはんだ８１
によって導体パターン７１にはんだ付けされ、金属端子
３の端子部３３がはんだ８２によって導体パターン７２
にはんだ付けされされている。
ンデンサを回路基板上に実装した時の状態を示す部分断
面図である。セラミックコンデンサは、回路基板７０の
上に搭載されている。回路基板７０の表面にには導体パ
ターン７１、７２が設けられている。セラミックコンデ
ンサに備えられた金属端子２の端子部２３がはんだ８１
によって導体パターン７１にはんだ付けされ、金属端子
３の端子部３３がはんだ８２によって導体パターン７２
にはんだ付けされされている。
【００２５】ここで、本発明に係るセラミックコンデン
サにおいて、少なくとも一対備えられる金属端子２、３
のそれぞれは、一端２１、３１が、セラミックコンデン
サ素子１の端子電極１１、１２に接続され、中間部に折
り返し部２２、３２を有し、折り返し部２２、３２の先
に外部と接続される端子部２３、３３を有する。かかる
構造の金属端子２、３は、中間部に設けられた折り返し
部２２、３２により、基板等の外部導体と接続される端
子部からセラミックコンデンサ素子１の端子電極１１、
１２に接続された一端までの長さ（高さ）が、中間部に
設けられた折り返し部２２、３２により拡大される。
サにおいて、少なくとも一対備えられる金属端子２、３
のそれぞれは、一端２１、３１が、セラミックコンデン
サ素子１の端子電極１１、１２に接続され、中間部に折
り返し部２２、３２を有し、折り返し部２２、３２の先
に外部と接続される端子部２３、３３を有する。かかる
構造の金属端子２、３は、中間部に設けられた折り返し
部２２、３２により、基板等の外部導体と接続される端
子部からセラミックコンデンサ素子１の端子電極１１、
１２に接続された一端までの長さ（高さ）が、中間部に
設けられた折り返し部２２、３２により拡大される。
【００２６】例えば、端子部２３、３３を基準として、
接合材４、５による金属端子２、３の接続位置までの高
さは、折り返し部２２、３２を持たない従来の場合、部
品高さＨとなるが、本発明においては、折り返し部２
２、３２の頂部までの経路長ｈとなり、高さ寸法が大幅
に大きくなる。経路長ｈは、折り返し部２２、３２の頂
部の位置を調整することにより、全長Ｌのセラミックコ
ンデンサに許容される部品高さＨよりも、低く抑えるこ
とができる。
接合材４、５による金属端子２、３の接続位置までの高
さは、折り返し部２２、３２を持たない従来の場合、部
品高さＨとなるが、本発明においては、折り返し部２
２、３２の頂部までの経路長ｈとなり、高さ寸法が大幅
に大きくなる。経路長ｈは、折り返し部２２、３２の頂
部の位置を調整することにより、全長Ｌのセラミックコ
ンデンサに許容される部品高さＨよりも、低く抑えるこ
とができる。
【００２７】しかも、折り返し部２２、３２が一種のス
プリング作用を奏する。このため、回路基板７０の撓み
および熱膨張を、折り返し部２２、３２のスプリング作
用によって吸収し、セラミックコンデンサ素子１に発生
する機械的応力、及び、熱応力を低減することができ
る。折り返し部２２、３２の構造、形状の選択により、
回路基板７０に取り付けられる端子部２３、３３からセ
ラミックコンデンサ素子１の端子電極１１、１２との取
り付け部までの距離を、従来の２〜５倍も長くして、セ
ラミックコンデンサ素子１にクラックが発生するのを阻
止することができる。このため、アルミニウム回路基板
７０に実装されることの多いスイッチング電源用平滑コ
ンデンサとして用いた場合でも、クラックの発生、それ
に起因する発火の危険を回避することができる。
プリング作用を奏する。このため、回路基板７０の撓み
および熱膨張を、折り返し部２２、３２のスプリング作
用によって吸収し、セラミックコンデンサ素子１に発生
する機械的応力、及び、熱応力を低減することができ
る。折り返し部２２、３２の構造、形状の選択により、
回路基板７０に取り付けられる端子部２３、３３からセ
ラミックコンデンサ素子１の端子電極１１、１２との取
り付け部までの距離を、従来の２〜５倍も長くして、セ
ラミックコンデンサ素子１にクラックが発生するのを阻
止することができる。このため、アルミニウム回路基板
７０に実装されることの多いスイッチング電源用平滑コ
ンデンサとして用いた場合でも、クラックの発生、それ
に起因する発火の危険を回避することができる。
【００２８】また、回路基板７０の撓みおよび熱膨張
を、金属端子２、３に設けた折り返し部２２、３２によ
って吸収するものであり、折り返し部２２、３２によっ
て、高さ増大を回避することができる。実施例の場合、
スプリング作用を奏する経路長ｈは、折り返し部２２、
３２の頂部の位置を調整することにより、全長Ｌの当該
セラミックコンデンサの部品高さＨよりも、低く抑える
ことができる。このため、金属端子２、３について、部
品高さＨを増大させずに、回路基板７０側端子部２３、
３３からセラミックコンデンサ素子取り付け部までの経
路長ｈを増大させ、金属端子２、３による回路基板７０
の撓みおよび熱膨張の吸収作用を改善し、セラミックコ
ンデンサ素子１に発生する機械的応力、及び、熱応力を
低減することができる。
を、金属端子２、３に設けた折り返し部２２、３２によ
って吸収するものであり、折り返し部２２、３２によっ
て、高さ増大を回避することができる。実施例の場合、
スプリング作用を奏する経路長ｈは、折り返し部２２、
３２の頂部の位置を調整することにより、全長Ｌの当該
セラミックコンデンサの部品高さＨよりも、低く抑える
ことができる。このため、金属端子２、３について、部
品高さＨを増大させずに、回路基板７０側端子部２３、
３３からセラミックコンデンサ素子取り付け部までの経
路長ｈを増大させ、金属端子２、３による回路基板７０
の撓みおよび熱膨張の吸収作用を改善し、セラミックコ
ンデンサ素子１に発生する機械的応力、及び、熱応力を
低減することができる。
【００２９】更に、金属端子２、３のそれぞれは、−５
５℃から１２５℃迄の平均線膨張率αが１３×１０-6以
下の金属材料でなる。このような平均線膨張係数αを有
する金属材料を用いて、金属端子を構成すると、−５５
〜１２５℃の範囲における温度変化の激しい環境下で長
期間使用し続けても、クラックを発生せず、発火の危険
性もなくなることが解った。従って、頻繁にＯＮ／ＯＦ
Ｆされ、−５５〜１２５℃の範囲で温度変動を生じるこ
とのあるスイッチング電源において、平滑用コンデンサ
として使用された場合にも、充分な信頼性を確保するこ
とができる。
５℃から１２５℃迄の平均線膨張率αが１３×１０-6以
下の金属材料でなる。このような平均線膨張係数αを有
する金属材料を用いて、金属端子を構成すると、−５５
〜１２５℃の範囲における温度変化の激しい環境下で長
期間使用し続けても、クラックを発生せず、発火の危険
性もなくなることが解った。従って、頻繁にＯＮ／ＯＦ
Ｆされ、−５５〜１２５℃の範囲で温度変動を生じるこ
とのあるスイッチング電源において、平滑用コンデンサ
として使用された場合にも、充分な信頼性を確保するこ
とができる。
【００３０】折り返し部２２、３３は、頂部がセラミッ
クコンデンサ素子１の頂部よりも低い位置にある。即
ち、ｈ＜Ｈである。このような構造であると、部品高さ
Ｈを低く抑えることができる。
クコンデンサ素子１の頂部よりも低い位置にある。即
ち、ｈ＜Ｈである。このような構造であると、部品高さ
Ｈを低く抑えることができる。
【００３１】金属端子２、３および端子電極１１、１２
を接合する接合材４、５としては、樹脂含有する導電性
接着剤またははんだを用いることができる。金属端子
２、３および端子電極１１、１２を、樹脂を含有する導
電性接着剤でなる接合材４、５によって接続する接続構
造によれば、熱衝撃をほとんど与えないため、使用前に
セラミックコンデンサ素子１に、クラックが入っている
危険が無い。このため、信頼性が高くなる。
を接合する接合材４、５としては、樹脂含有する導電性
接着剤またははんだを用いることができる。金属端子
２、３および端子電極１１、１２を、樹脂を含有する導
電性接着剤でなる接合材４、５によって接続する接続構
造によれば、熱衝撃をほとんど与えないため、使用前に
セラミックコンデンサ素子１に、クラックが入っている
危険が無い。このため、信頼性が高くなる。
【００３２】導電性接着剤は、導電成分として、銀粒子
を含むことが望ましい。銀粒子であると、導電性を向上
させることができる。特に、粒径３μｍ以上の扁平状の
銀粒子が好ましい。かかる粒径及び形状の銀粒子である
と、樹脂に対する銀粒子の充填量を高め、良好な導電性
を確保することができる。但し、銀粒子の粒径が大きく
なり過ぎると樹脂に対する分散性が悪くなり、接着強度
が低下するので、接着強度を考慮して、用いるべき銀粒
子の最大粒径を定める必要がある。
を含むことが望ましい。銀粒子であると、導電性を向上
させることができる。特に、粒径３μｍ以上の扁平状の
銀粒子が好ましい。かかる粒径及び形状の銀粒子である
と、樹脂に対する銀粒子の充填量を高め、良好な導電性
を確保することができる。但し、銀粒子の粒径が大きく
なり過ぎると樹脂に対する分散性が悪くなり、接着強度
が低下するので、接着強度を考慮して、用いるべき銀粒
子の最大粒径を定める必要がある。
【００３３】本発明に係るセラミックコンデンサは、−
５５〜１２５℃の広範囲の温度領域で使用されるもので
あるため、導電性接着剤を構成する樹脂としては、この
ような温度範囲に対して安定な耐温度特性を有する熱硬
化性樹脂が適している。具体的には、エポキシ樹脂系、
ウレタン樹脂系、ポリイミド樹脂系またはアクリル樹脂
系熱硬化性樹脂をあげることができる。
５５〜１２５℃の広範囲の温度領域で使用されるもので
あるため、導電性接着剤を構成する樹脂としては、この
ような温度範囲に対して安定な耐温度特性を有する熱硬
化性樹脂が適している。具体的には、エポキシ樹脂系、
ウレタン樹脂系、ポリイミド樹脂系またはアクリル樹脂
系熱硬化性樹脂をあげることができる。
【００３４】金属端子２、３および端子電極１１、１２
を接続する接合材４、５としては、上述した導電性接着
材の他、はんだを用いることもできる。融点２００℃以
上４００℃以下のはんだが特に適している。
を接続する接合材４、５としては、上述した導電性接着
材の他、はんだを用いることもできる。融点２００℃以
上４００℃以下のはんだが特に適している。
【００３５】図３に示したように、当該セラミックコン
デンサを回路基板７０にはんだ付けする際、２００℃前
後の温度ではんだ付け処理が行なわれる。このはんだ付
処理において、金属端子２、３及び端子電極１１、１２
を接続している接合材４、５が溶融してはならない。従
って、接合材４、５として、２５０℃以上の融点を有す
るはんだを用いることが必要である。
デンサを回路基板７０にはんだ付けする際、２００℃前
後の温度ではんだ付け処理が行なわれる。このはんだ付
処理において、金属端子２、３及び端子電極１１、１２
を接続している接合材４、５が溶融してはならない。従
って、接合材４、５として、２５０℃以上の融点を有す
るはんだを用いることが必要である。
【００３６】但し、接合材４、５として、４００℃以上
の融点を有するはんだを用いた場合、金属端子２、３を
端子電極１１、１２にはんだ付けする際、セラミックコ
ンデンサ素子１に４００℃以上の熱が加わり、セラミッ
クコンデンサ素子１にサーマルクラックが入る。従っ
て、４００℃以下の融点を有するはんだを用いる。
の融点を有するはんだを用いた場合、金属端子２、３を
端子電極１１、１２にはんだ付けする際、セラミックコ
ンデンサ素子１に４００℃以上の熱が加わり、セラミッ
クコンデンサ素子１にサーマルクラックが入る。従っ
て、４００℃以下の融点を有するはんだを用いる。
【００３７】接合材４、５として、はんだを用いた場
合、金属端子２、３は、少なくとも端子部２３、３３の
外部接続面とは反対側の面に、はんだに対して非付着性
を示す被覆膜を有することが好ましい。この点につい
て、図４を参照して説明する。
合、金属端子２、３は、少なくとも端子部２３、３３の
外部接続面とは反対側の面に、はんだに対して非付着性
を示す被覆膜を有することが好ましい。この点につい
て、図４を参照して説明する。
【００３８】図４に示された実施例では、基体２００を
燐青銅または鉄ーニッケル合金等でなる板材で構成する
と共に、外部に対してはんだ接続される外部接続面側
（外側とする）は、はんだ付性の良好な金属膜２０１を
し、反対側の内側ははんだが付着しないか、または、付
着しにくい被覆膜２０２を付着させてある。このような
金属端子２、３を用いると、図３にも図示されているよ
うに、端子部２３、３３の表面にはんだが付着しないの
で、端子部２３、３３と端子部２３、３３との間が、は
んだによって満たされることがない。このため、金属端
子２、３のスプリング性が損なわれることがない。
燐青銅または鉄ーニッケル合金等でなる板材で構成する
と共に、外部に対してはんだ接続される外部接続面側
（外側とする）は、はんだ付性の良好な金属膜２０１を
し、反対側の内側ははんだが付着しないか、または、付
着しにくい被覆膜２０２を付着させてある。このような
金属端子２、３を用いると、図３にも図示されているよ
うに、端子部２３、３３の表面にはんだが付着しないの
で、端子部２３、３３と端子部２３、３３との間が、は
んだによって満たされることがない。このため、金属端
子２、３のスプリング性が損なわれることがない。
【００３９】はんだが付着しないか、または、付着しに
くい被覆膜２０２は、金属端子２、３の全長にわたって
付着させてもよいし、端子部２３、３３を含んで部分的
に付着させてもよい。被覆膜２０２は金属酸化膜または
ワックス、樹脂もしくはシリコンオイルから選択された
一種で構成され得る。金属酸化膜を形成する手段として
は、基体２００の表面に酸化し易い金属膜、例えばＮｉ
またはＣｕ等をメッキによって付着させ、自然放置等に
よって酸化させる手法を採用できる。金属膜２０１は、
ＳｎまたはＰｂ−Ｓｎのメッキ膜として構成することが
できる。
くい被覆膜２０２は、金属端子２、３の全長にわたって
付着させてもよいし、端子部２３、３３を含んで部分的
に付着させてもよい。被覆膜２０２は金属酸化膜または
ワックス、樹脂もしくはシリコンオイルから選択された
一種で構成され得る。金属酸化膜を形成する手段として
は、基体２００の表面に酸化し易い金属膜、例えばＮｉ
またはＣｕ等をメッキによって付着させ、自然放置等に
よって酸化させる手法を採用できる。金属膜２０１は、
ＳｎまたはＰｂ−Ｓｎのメッキ膜として構成することが
できる。
【００４０】再び、図１及び図２を参照して説明する。
端子部２３、３３はセラミックコンデンサ素子１の下側
に間隔をおいて配置されている。このような構造である
と、端子部２３、３３による基板占有面積の増大を抑
え、実装面積を最小にしたコンデンサを得ることができ
る。
端子部２３、３３はセラミックコンデンサ素子１の下側
に間隔をおいて配置されている。このような構造である
と、端子部２３、３３による基板占有面積の増大を抑
え、実装面積を最小にしたコンデンサを得ることができ
る。
【００４１】図１および図２に示したセラミックコンデ
ンサにおいて、金属端子２の折り返し部２２は、第１の
曲げ部２２１と、第２の曲げ部２２２とを含んでいる。
第１の曲げ部２２１では、端子電極１１から遠ざかる方
向に折り曲げられ、第２の曲げ部２２２では、第１の曲
げ部２２１から間隔を隔て、端面と平行する方向に折り
曲げられている。金属端子２は、先端部から第１の曲げ
部２２１に至る部分が、端子電極１１に接続されてい
る。
ンサにおいて、金属端子２の折り返し部２２は、第１の
曲げ部２２１と、第２の曲げ部２２２とを含んでいる。
第１の曲げ部２２１では、端子電極１１から遠ざかる方
向に折り曲げられ、第２の曲げ部２２２では、第１の曲
げ部２２１から間隔を隔て、端面と平行する方向に折り
曲げられている。金属端子２は、先端部から第１の曲げ
部２２１に至る部分が、端子電極１１に接続されてい
る。
【００４２】同様に、金属端子３の折り返し部３２は、
第１の曲げ部３２１と、第２の曲げ部３２２とを含んで
いる。第１の曲げ部３２１では、端子電極１２から遠ざ
かる方向に折り曲げられ、第２の曲げ部３２２では、第
１の曲げ部３２１から間隔を隔て、端面と平行する方向
に折り曲げられている。金属端子３は、先端部から第１
の曲げ部３２１に至る部分が、端子電極１２に接続され
ている。
第１の曲げ部３２１と、第２の曲げ部３２２とを含んで
いる。第１の曲げ部３２１では、端子電極１２から遠ざ
かる方向に折り曲げられ、第２の曲げ部３２２では、第
１の曲げ部３２１から間隔を隔て、端面と平行する方向
に折り曲げられている。金属端子３は、先端部から第１
の曲げ部３２１に至る部分が、端子電極１２に接続され
ている。
【００４３】上記構造によれば、第１の曲げ部２２１、
３２１、第２の曲げ部２２２、３２２から端子部２３、
３３に至る部分が、スプリング作用を持つようになり、
そのスプリング作用によって、基板の撓みおよび熱膨張
を吸収することができる。
３２１、第２の曲げ部２２２、３２２から端子部２３、
３３に至る部分が、スプリング作用を持つようになり、
そのスプリング作用によって、基板の撓みおよび熱膨張
を吸収することができる。
【００４４】金属端子２は、第３の曲げ部２２３を有す
る。第３の曲げ部２２３は折り返し部２２と端子部２３
とを区画する。また、金属端子３は、第３の曲げ部３２
３を有する。第３の曲げ部３２３は折り返し部３２と端
子部３３とを区画する。従って、第１の曲げ部２２１、
３２１から第３の曲げ部２２３、３２３に至る部分が、
スプリング作用を持つようになり、そのスプリング作用
によって、基板の撓みおよび熱膨張を吸収することがで
きる。
る。第３の曲げ部２２３は折り返し部２２と端子部２３
とを区画する。また、金属端子３は、第３の曲げ部３２
３を有する。第３の曲げ部３２３は折り返し部３２と端
子部３３とを区画する。従って、第１の曲げ部２２１、
３２１から第３の曲げ部２２３、３２３に至る部分が、
スプリング作用を持つようになり、そのスプリング作用
によって、基板の撓みおよび熱膨張を吸収することがで
きる。
【００４５】金属端子２、３のそれぞれは、第３の曲げ
部２２３、３２３において、端子部２３、３３がセラミ
ックコンデンサ素子１に近付づく方向に折り曲げられて
いる。金属端子２、３の端子部２３、３３は、セラミッ
クコンデンサ素子１の下側に間隔Ｇ０１、Ｇ０２をおい
て配置されており、これにより、端子部２３、３３によ
る基板占有面積の増大を抑え、実装面積を最小にしてあ
る。
部２２３、３２３において、端子部２３、３３がセラミ
ックコンデンサ素子１に近付づく方向に折り曲げられて
いる。金属端子２、３の端子部２３、３３は、セラミッ
クコンデンサ素子１の下側に間隔Ｇ０１、Ｇ０２をおい
て配置されており、これにより、端子部２３、３３によ
る基板占有面積の増大を抑え、実装面積を最小にしてあ
る。
【００４６】更に、内部電極１０１の開放端と端子電極
１２との間に、間隔△Ｌ１が生じさせ、内部電極１０２
の開放端と端子電極１１との間に、間隔△Ｌ２が生じさ
せている構造の場合、クラックや、破壊等を生じ易い金
属端子と導電性接着剤との界面、および、導電性接着剤
の塗布領域付近に、内部電極１０１と内部電極１０２の
重なりが存在しない。このため、クラックによるショー
ト、および、それに起因する発火等を生じる危険性が激
減する。
１２との間に、間隔△Ｌ１が生じさせ、内部電極１０２
の開放端と端子電極１１との間に、間隔△Ｌ２が生じさ
せている構造の場合、クラックや、破壊等を生じ易い金
属端子と導電性接着剤との界面、および、導電性接着剤
の塗布領域付近に、内部電極１０１と内部電極１０２の
重なりが存在しない。このため、クラックによるショー
ト、および、それに起因する発火等を生じる危険性が激
減する。
【００４７】図１および図２において、第１の曲げ部２
２１、３２１および第２の曲げ部２２２、３２２は、ほ
ぼ９０度の角度で曲げられているが、９０度以外の角度
であってもよい。更に、第１の曲げ部２２１、３２１お
よび第２の曲げ部２２２、３２２において、明確な角度
を持たない形状、例えば、円弧状に曲げてもよい。
２１、３２１および第２の曲げ部２２２、３２２は、ほ
ぼ９０度の角度で曲げられているが、９０度以外の角度
であってもよい。更に、第１の曲げ部２２１、３２１お
よび第２の曲げ部２２２、３２２において、明確な角度
を持たない形状、例えば、円弧状に曲げてもよい。
【００４８】図５は本発明に係るセラミックコンデンサ
の別の実施例を示す正面図である。図において、図１お
よび図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。この実施例では、樹脂を含有する
接合材４、５は、端子電極１１、１２に部分的に付着さ
れている。このような構造であると、スプリング作用を
生じる経路長ｈは、端子部２３、３３から第２の曲げ部
２２２、３２２までの経路長ｈ１と、第１の曲げ部２２
１、３２１から取り付け部までの経路長ｈ２を加算した
値（ｈ＝ｈ１＋ｈ２）となる。この経路長ｈは、部品高
さＨの寸法よりも大きくなる。従って、金属端子２、３
について、部品高さＨを増大させずに、基板側端子部２
３、３３からセラミックコンデンサ素子取り付け部まで
の経路長ｈを増大させ、基板の撓みおよび熱膨張に対す
る吸収作用を改善できる。
の別の実施例を示す正面図である。図において、図１お
よび図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。この実施例では、樹脂を含有する
接合材４、５は、端子電極１１、１２に部分的に付着さ
れている。このような構造であると、スプリング作用を
生じる経路長ｈは、端子部２３、３３から第２の曲げ部
２２２、３２２までの経路長ｈ１と、第１の曲げ部２２
１、３２１から取り付け部までの経路長ｈ２を加算した
値（ｈ＝ｈ１＋ｈ２）となる。この経路長ｈは、部品高
さＨの寸法よりも大きくなる。従って、金属端子２、３
について、部品高さＨを増大させずに、基板側端子部２
３、３３からセラミックコンデンサ素子取り付け部まで
の経路長ｈを増大させ、基板の撓みおよび熱膨張に対す
る吸収作用を改善できる。
【００４９】図６は本発明に係るセラミックコンデンサ
の別の実施例を示す正面図である。図において、図１お
よび図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。
の別の実施例を示す正面図である。図において、図１お
よび図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。
【００５０】金属端子２は、先端部から第１の曲げ部２
２１に至る部分に、別の曲げ部２２４を有し、別の曲げ
部２２４から第１の曲げ部２２１に至る部分が、セラミ
ックコンデンサ素子１の側端面と間隔Ｇ１を隔てて対向
し、先端部と別の曲げ部２２４との間が端子電極１１に
接続されている。金属端子３は、先端部から第１の曲げ
部３２１に至る部分に、別の曲げ部３２４を有し、別の
曲げ部３２４から第１の曲げ部２２１に至る部分が側端
面と間隔Ｇ２を隔てて対向し、先端部と別の曲げ部３２
４との間が端子電極１２に接続されている。
２１に至る部分に、別の曲げ部２２４を有し、別の曲げ
部２２４から第１の曲げ部２２１に至る部分が、セラミ
ックコンデンサ素子１の側端面と間隔Ｇ１を隔てて対向
し、先端部と別の曲げ部２２４との間が端子電極１１に
接続されている。金属端子３は、先端部から第１の曲げ
部３２１に至る部分に、別の曲げ部３２４を有し、別の
曲げ部３２４から第１の曲げ部２２１に至る部分が側端
面と間隔Ｇ２を隔てて対向し、先端部と別の曲げ部３２
４との間が端子電極１２に接続されている。
【００５１】この構造によれば、別の曲げ部２２４、３
２４から第３の曲げ部２２３、３２３に至る部分が、ス
プリング作用を持つようになり、そのスプリング作用を
生じる長さが拡大されるので、基板の撓みおよび熱膨張
を吸収する作用が更に増す。実施例の場合、スプリング
作用を生じる経路長ｈは、端子部２３、３３から第２の
曲げ部２２２、３２２までの経路長ｈ１≦Ｈと、第１の
曲げ部２２１、３２１から取り付け部までの経路長ｈ２
を加算した値（ｈ＝ｈ１＋ｈ２）となる。この経路長ｈ
は、部品高さＨの寸法よりも大きくなる。従って、金属
端子２、３について、部品高さＨを増大させずに、基板
側端子部２３、３３からセラミックコンデンサ素子取り
付け部までの経路長ｈを増大させ、基板の撓みおよび熱
膨張の吸収作用を改善できる。
２４から第３の曲げ部２２３、３２３に至る部分が、ス
プリング作用を持つようになり、そのスプリング作用を
生じる長さが拡大されるので、基板の撓みおよび熱膨張
を吸収する作用が更に増す。実施例の場合、スプリング
作用を生じる経路長ｈは、端子部２３、３３から第２の
曲げ部２２２、３２２までの経路長ｈ１≦Ｈと、第１の
曲げ部２２１、３２１から取り付け部までの経路長ｈ２
を加算した値（ｈ＝ｈ１＋ｈ２）となる。この経路長ｈ
は、部品高さＨの寸法よりも大きくなる。従って、金属
端子２、３について、部品高さＨを増大させずに、基板
側端子部２３、３３からセラミックコンデンサ素子取り
付け部までの経路長ｈを増大させ、基板の撓みおよび熱
膨張の吸収作用を改善できる。
【００５２】図７は本発明に係るセラミックコンデンサ
の更に別の実施例を示す斜視図、図８は図７に示したセ
ラミックコンデンサの正面図である。この実施例に示さ
れたセラミックコンデンサでは、２個のセラミックコン
デンサ素子１１０、１２０を備える。セラミックコンデ
ンサ素子１１０、１２０は順次に積層され、端子電極１
１、１２が、接合材４、５によって、並列に接続されて
いる。金属端子２、３の端子部２３、３３は、セラミッ
クコンデンサ素子１１０、１２０の内、最下層に位置す
るセラミックコンデンサ素子１２０の下側に間隔Ｇ０
１、Ｇ０２をおいて配置されており、これにより、端子
部２３、３３による基板占有面積の増大を抑え、実装面
積を最小にしてある。
の更に別の実施例を示す斜視図、図８は図７に示したセ
ラミックコンデンサの正面図である。この実施例に示さ
れたセラミックコンデンサでは、２個のセラミックコン
デンサ素子１１０、１２０を備える。セラミックコンデ
ンサ素子１１０、１２０は順次に積層され、端子電極１
１、１２が、接合材４、５によって、並列に接続されて
いる。金属端子２、３の端子部２３、３３は、セラミッ
クコンデンサ素子１１０、１２０の内、最下層に位置す
るセラミックコンデンサ素子１２０の下側に間隔Ｇ０
１、Ｇ０２をおいて配置されており、これにより、端子
部２３、３３による基板占有面積の増大を抑え、実装面
積を最小にしてある。
【００５３】金属端子２、３の折り返し部２２、３２
は、第１の曲げ部２２１、３２１と、第２の曲げ部２２
２、３２２とを含む。第１の曲げ部２２１、３２１で
は、端子電極１１、１２から遠ざかる方向に折り曲げら
れ、第２の曲げ部２２２、３２２では、第１の曲げ部２
２１、３２１から間隔を隔て、セラミックコンデンサ素
子１１０、１２０の側端面と平行する方向に折り曲げら
れている。
は、第１の曲げ部２２１、３２１と、第２の曲げ部２２
２、３２２とを含む。第１の曲げ部２２１、３２１で
は、端子電極１１、１２から遠ざかる方向に折り曲げら
れ、第２の曲げ部２２２、３２２では、第１の曲げ部２
２１、３２１から間隔を隔て、セラミックコンデンサ素
子１１０、１２０の側端面と平行する方向に折り曲げら
れている。
【００５４】金属端子２、３のそれぞれは、先端部から
第１の曲げ部２２１、３２１に至る部分が、セラミック
コンデンサ素子１１０、１２０の側端面に形成された端
子電極１１、１２に接続されている。金属端子２、３と
端子電極１１、１２との接続、および、セラミックコン
デンサ素子１１０、１２０の相互接続には、はんだまた
は樹脂を含有する導電性接着剤でなる接合材４、５を用
いる。
第１の曲げ部２２１、３２１に至る部分が、セラミック
コンデンサ素子１１０、１２０の側端面に形成された端
子電極１１、１２に接続されている。金属端子２、３と
端子電極１１、１２との接続、および、セラミックコン
デンサ素子１１０、１２０の相互接続には、はんだまた
は樹脂を含有する導電性接着剤でなる接合材４、５を用
いる。
【００５５】図７および図８に示した実施例によれば、
図１および図２を参照して説明した作用効果のほか、２
つのセラミックコンデンサ素子１１０、１２０のそれぞ
れの静電容量値を加算した大きな静電容量が取得でき
る。
図１および図２を参照して説明した作用効果のほか、２
つのセラミックコンデンサ素子１１０、１２０のそれぞ
れの静電容量値を加算した大きな静電容量が取得でき
る。
【００５６】図９は本発明に係るセラミックコンデンサ
の更に別の実施例を示す斜視図、図１０は図９に示した
セラミックコンデンサの正面図である。図において、図
７および図８と同一の構成部分には、同一の参照符号を
付してある。この実施例では、金属端子２、３のそれぞ
れは、先端部から第１の曲げ部２２１、３２１に至る部
分が、セラミックコンデンサ素子１１０の側端面に形成
された端子電極１１、１２にのみ接続されている。この
実施例によれば、図７および図８に示した実施例と同様
の作用効果が得られる。
の更に別の実施例を示す斜視図、図１０は図９に示した
セラミックコンデンサの正面図である。図において、図
７および図８と同一の構成部分には、同一の参照符号を
付してある。この実施例では、金属端子２、３のそれぞ
れは、先端部から第１の曲げ部２２１、３２１に至る部
分が、セラミックコンデンサ素子１１０の側端面に形成
された端子電極１１、１２にのみ接続されている。この
実施例によれば、図７および図８に示した実施例と同様
の作用効果が得られる。
【００５７】図１１は本発明に係るセラミックコンデン
サの更に別の実施例を示す正面図である。図において、
図７〜図１０と同一の構成部分には、同一の参照符号を
付してある。この実施例では、金属端子２、３のそれぞ
れは、先端部から第１の曲げ部２２１、３２１に至る部
分が、セラミックコンデンサ素子１２０の側端面に形成
された端子電極１１、１２にのみ接続されている。
サの更に別の実施例を示す正面図である。図において、
図７〜図１０と同一の構成部分には、同一の参照符号を
付してある。この実施例では、金属端子２、３のそれぞ
れは、先端部から第１の曲げ部２２１、３２１に至る部
分が、セラミックコンデンサ素子１２０の側端面に形成
された端子電極１１、１２にのみ接続されている。
【００５８】この実施例において、スプリング作用を生
じる経路長ｈは、端子部２３、３３から第２の曲げ部２
２２、３２２までの経路長ｈ１と、第１の曲げ部２２
１、３２１から取り付け部までの経路長ｈ２を加算した
値（ｈ＝ｈ１＋ｈ２）となる。従って、金属端子２、３
について、基板側端子部２３、３３からセラミックコン
デンサ素子取り付け部までの経路長ｈを増大させ、基板
の撓みおよび熱膨張の吸収作用を改善し、セラミックコ
ンデンサ素子１１０、１２０に発生する機械的応力、及
び、熱応力を低減することができる。
じる経路長ｈは、端子部２３、３３から第２の曲げ部２
２２、３２２までの経路長ｈ１と、第１の曲げ部２２
１、３２１から取り付け部までの経路長ｈ２を加算した
値（ｈ＝ｈ１＋ｈ２）となる。従って、金属端子２、３
について、基板側端子部２３、３３からセラミックコン
デンサ素子取り付け部までの経路長ｈを増大させ、基板
の撓みおよび熱膨張の吸収作用を改善し、セラミックコ
ンデンサ素子１１０、１２０に発生する機械的応力、及
び、熱応力を低減することができる。
【００５９】図１２は本発明に係るセラミックコンデン
サの更に別の実施例を示す斜視図である。図において、
図８〜図１１と同一の構成部分には、同一の参照符号を
付してある。この実施例では、金属端子２、３は、折り
返し部２２、３２の幅方向の中間部に、切り抜き部２２
５、３２５を有する。このような切り抜き部２２５、３
２５があると、金属端子２、３からセラミックコンデン
サ素子１１０、１２０への熱伝導が低下するので、セラ
ミックコンデンサ素子１１０、１２０における熱応力を
緩和できる。また、金属端子２、３の剛性が低下するの
で、基板の撓みおよび熱膨張を吸収するのに適したスプ
リング作用を得ることができる。
サの更に別の実施例を示す斜視図である。図において、
図８〜図１１と同一の構成部分には、同一の参照符号を
付してある。この実施例では、金属端子２、３は、折り
返し部２２、３２の幅方向の中間部に、切り抜き部２２
５、３２５を有する。このような切り抜き部２２５、３
２５があると、金属端子２、３からセラミックコンデン
サ素子１１０、１２０への熱伝導が低下するので、セラ
ミックコンデンサ素子１１０、１２０における熱応力を
緩和できる。また、金属端子２、３の剛性が低下するの
で、基板の撓みおよび熱膨張を吸収するのに適したスプ
リング作用を得ることができる。
【００６０】図１３は本発明に係るセラミックコンデン
サの更に別の実施例を示す正面図である。図において、
図８〜図１２と同一の構成部分には、同一の参照符号を
付してある。この実施例では、金属端子２、３のそれぞ
れは、先端部から第１の曲げ部２２１、３２１に至る部
分が、セラミックコンデンサ素子１１０の側端面に形成
された端子電極１１、１２にのみ接続されている。スプ
リング作用を生じる経路長ｈは、端子部２３、３３から
第２の曲げ部２２２、３２２までの長さとなる。従っ
て、端子部２３、３３を基準としたとき、接合材４、５
による金属端子２、３の接続位置までの長さは、折り返
し部２２、３２を持たない従来の高さｈ０（図１等参
照）よりも大きな経路長ｈとなる。このため、基板の撓
みおよび熱膨張の吸収作用を改善し、セラミックコンデ
ンサ素子１１０〜１４０に発生する機械的応力、及び、
熱応力を低減することができる。
サの更に別の実施例を示す正面図である。図において、
図８〜図１２と同一の構成部分には、同一の参照符号を
付してある。この実施例では、金属端子２、３のそれぞ
れは、先端部から第１の曲げ部２２１、３２１に至る部
分が、セラミックコンデンサ素子１１０の側端面に形成
された端子電極１１、１２にのみ接続されている。スプ
リング作用を生じる経路長ｈは、端子部２３、３３から
第２の曲げ部２２２、３２２までの長さとなる。従っ
て、端子部２３、３３を基準としたとき、接合材４、５
による金属端子２、３の接続位置までの長さは、折り返
し部２２、３２を持たない従来の高さｈ０（図１等参
照）よりも大きな経路長ｈとなる。このため、基板の撓
みおよび熱膨張の吸収作用を改善し、セラミックコンデ
ンサ素子１１０〜１４０に発生する機械的応力、及び、
熱応力を低減することができる。
【００６１】図１４は本発明に係るセラミックコンデン
サの別の実施例を示す正面図である。金属端子２、３の
それぞれは、先端部から第１の曲げ部２２１に至る部分
に、別の曲げ部２２４、３２４を有し、別の曲げ部２２
４、３２４から第１の曲げ部２２１に至る部分が、セラ
ミックコンデンサ素子１１０、１２０の側端面と間隔Ｇ
１、Ｇ２を隔てて対向し、先端部と別の曲げ部２２４、
３２４との間が端子電極１１、１２に接続されている。
更に詳しくは、金属端子２において、先端部と別の曲げ
部２２４との間が、セラミックコンデンサ素子１１０の
端子電極１１と、セラミックコンデンサ素子１２０の端
子電極１１との間に配置され、はんだまたは樹脂を含有
する導電性接着剤でなる接合材４によって、端子電極１
１、１１に接続固定されている。金属端子３において、
先端部と別の曲げ部３２４との間が、セラミックコンデ
ンサ素子１１０の端子電極１２と、セラミックコンデン
サ素子１２０の端子電極１２との間に配置され、はんだ
または樹脂を含有する導電性接着剤でなる接合材５によ
って、端子電極１２、１２に接続固定されている。
サの別の実施例を示す正面図である。金属端子２、３の
それぞれは、先端部から第１の曲げ部２２１に至る部分
に、別の曲げ部２２４、３２４を有し、別の曲げ部２２
４、３２４から第１の曲げ部２２１に至る部分が、セラ
ミックコンデンサ素子１１０、１２０の側端面と間隔Ｇ
１、Ｇ２を隔てて対向し、先端部と別の曲げ部２２４、
３２４との間が端子電極１１、１２に接続されている。
更に詳しくは、金属端子２において、先端部と別の曲げ
部２２４との間が、セラミックコンデンサ素子１１０の
端子電極１１と、セラミックコンデンサ素子１２０の端
子電極１１との間に配置され、はんだまたは樹脂を含有
する導電性接着剤でなる接合材４によって、端子電極１
１、１１に接続固定されている。金属端子３において、
先端部と別の曲げ部３２４との間が、セラミックコンデ
ンサ素子１１０の端子電極１２と、セラミックコンデン
サ素子１２０の端子電極１２との間に配置され、はんだ
または樹脂を含有する導電性接着剤でなる接合材５によ
って、端子電極１２、１２に接続固定されている。
【００６２】スプリング作用を生じる経路長ｈは、端子
部２３、３３から第２の曲げ部２２２、３２２までの経
路長ｈ１と、第１の曲げ部２２１、３２１から別の曲げ
部２２４、３２４までの経路長ｈ２を加算した値（ｈ＝
ｈ１＋ｈ２）となる。従って、金属端子２、３につい
て、基板側端子部２３、３３からセラミックコンデンサ
素子取り付け部までの経路長ｈを増大させ、基板の撓み
および熱膨張の吸収作用を改善し、セラミックコンデン
サ素子１１０、１２０に発生する機械的応力、及び、熱
応力を低減することができる。
部２３、３３から第２の曲げ部２２２、３２２までの経
路長ｈ１と、第１の曲げ部２２１、３２１から別の曲げ
部２２４、３２４までの経路長ｈ２を加算した値（ｈ＝
ｈ１＋ｈ２）となる。従って、金属端子２、３につい
て、基板側端子部２３、３３からセラミックコンデンサ
素子取り付け部までの経路長ｈを増大させ、基板の撓み
および熱膨張の吸収作用を改善し、セラミックコンデン
サ素子１１０、１２０に発生する機械的応力、及び、熱
応力を低減することができる。
【００６３】図１５は本発明に係るセラミックコンデン
サの別の実施例を示す正面図である。この実施例では、
金属端子２において、先端部と別の曲げ部２２４との間
が、最下層のセラミックコンデンサ素子１１０の端子電
極１１を受けるように配置され、はんだまたは樹脂を含
有する導電性接着剤でなる接合材４によって、端子電極
１１に接続固定されている。金属端子３において、先端
部と別の曲げ部３２４との間が、セラミックコンデンサ
素子１１０の端子電極１２を受けるようにに配置され、
んだまたは樹脂を含有する導電性接着剤でなる接合材５
によって、端子電極１２に接続固定されている。
サの別の実施例を示す正面図である。この実施例では、
金属端子２において、先端部と別の曲げ部２２４との間
が、最下層のセラミックコンデンサ素子１１０の端子電
極１１を受けるように配置され、はんだまたは樹脂を含
有する導電性接着剤でなる接合材４によって、端子電極
１１に接続固定されている。金属端子３において、先端
部と別の曲げ部３２４との間が、セラミックコンデンサ
素子１１０の端子電極１２を受けるようにに配置され、
んだまたは樹脂を含有する導電性接着剤でなる接合材５
によって、端子電極１２に接続固定されている。
【００６４】スプリング作用を生じる経路長ｈは、端子
部２３、３３から第２の曲げ部２２２、３２２までの経
路長ｈ１と、第１の曲げ部２２１、３２１から別の曲げ
部２２４、３２４までの経路長ｈ２を加算した値（ｈ＝
ｈ１＋ｈ２）となる。従って、金属端子２、３につい
て、基板側端子部２３、３３からセラミックコンデンサ
素子取り付け部までの経路長ｈを増大させ、基板の撓み
および熱膨張の吸収作用を改善し、セラミックコンデン
サ素子１１０、１２０に発生する機械的応力、及び、熱
応力を低減することができる。
部２３、３３から第２の曲げ部２２２、３２２までの経
路長ｈ１と、第１の曲げ部２２１、３２１から別の曲げ
部２２４、３２４までの経路長ｈ２を加算した値（ｈ＝
ｈ１＋ｈ２）となる。従って、金属端子２、３につい
て、基板側端子部２３、３３からセラミックコンデンサ
素子取り付け部までの経路長ｈを増大させ、基板の撓み
および熱膨張の吸収作用を改善し、セラミックコンデン
サ素子１１０、１２０に発生する機械的応力、及び、熱
応力を低減することができる。
【００６５】図１６は本発明に係るセラミックコンデン
サの別の実施例を示す正面図である。この実施例では、
４個のセラミックコンデンサ素子１１０〜１４０を順次
に積層し、端子電極１１ー１１、１２ー１２間を、はん
だまたは樹脂を含有する導電性接着剤でなる接合材４、
５によって接着する。また、金属端子２において、先端
部と第１の曲げ部２２１との間を、はんだまたは樹脂を
含有する導電性接着剤でなる接合材４によって、端子電
極１１に接続固定する。金属端子３において、先端部と
第１の曲げ部３２１との間を、はんだまたは樹脂を含有
する導電性接着剤でなる接合材５によって、端子電極１
２に接続固定する。
サの別の実施例を示す正面図である。この実施例では、
４個のセラミックコンデンサ素子１１０〜１４０を順次
に積層し、端子電極１１ー１１、１２ー１２間を、はん
だまたは樹脂を含有する導電性接着剤でなる接合材４、
５によって接着する。また、金属端子２において、先端
部と第１の曲げ部２２１との間を、はんだまたは樹脂を
含有する導電性接着剤でなる接合材４によって、端子電
極１１に接続固定する。金属端子３において、先端部と
第１の曲げ部３２１との間を、はんだまたは樹脂を含有
する導電性接着剤でなる接合材５によって、端子電極１
２に接続固定する。
【００６６】図１６に示された実施例によれば、図１〜
図１５に示した実施例よりも、更に大きな静電容量を取
得できる。セラミックコンデンサ素子１１０〜１４０の
個数は、要求される静電容量に応じて更に増加できる。
図１５に示した実施例よりも、更に大きな静電容量を取
得できる。セラミックコンデンサ素子１１０〜１４０の
個数は、要求される静電容量に応じて更に増加できる。
【００６７】スプリング作用を生じる経路長ｈは、端子
部２３、３３から第２の曲げ部２２２、３２２までの経
路長ｈ１と、第１の曲げ部２２１、３２１から別の曲げ
部２２４、３２４までの経路長ｈ２を加算した値（ｈ＝
ｈ１＋ｈ２）となる。従って、金属端子２、３につい
て、基板側端子部２３、３３からセラミックコンデンサ
素子取り付け部までの経路長ｈを増大させ、基板の撓み
および熱膨張の吸収作用を改善し、セラミックコンデン
サ素子１１０〜１４０に発生する機械的応力、及び、熱
応力を低減することができる。
部２３、３３から第２の曲げ部２２２、３２２までの経
路長ｈ１と、第１の曲げ部２２１、３２１から別の曲げ
部２２４、３２４までの経路長ｈ２を加算した値（ｈ＝
ｈ１＋ｈ２）となる。従って、金属端子２、３につい
て、基板側端子部２３、３３からセラミックコンデンサ
素子取り付け部までの経路長ｈを増大させ、基板の撓み
および熱膨張の吸収作用を改善し、セラミックコンデン
サ素子１１０〜１４０に発生する機械的応力、及び、熱
応力を低減することができる。
【００６８】図１７は本発明に係るセラミックコンデン
サの別の実施例を示す正面断面図である。図において、
図１および図２と同一の構成部分には、同一の参照符号
を付し、説明は省略する。この実施例では、端子電極１
１、１２は、側端面のみに形成されている。このような
構造であると、内部電極１０１と端子電極１２との間隔
△Ｌ１及び内部電極１０２と端子電極１１との間の間隔
△Ｌ２を、セラミック誘電体基体１００の側端面を基準
にして設定すればよいので、内部電極１０１と内部電極
１０２との重なり面積を増大させ、より大きな取得容量
を確保できる。
サの別の実施例を示す正面断面図である。図において、
図１および図２と同一の構成部分には、同一の参照符号
を付し、説明は省略する。この実施例では、端子電極１
１、１２は、側端面のみに形成されている。このような
構造であると、内部電極１０１と端子電極１２との間隔
△Ｌ１及び内部電極１０２と端子電極１１との間の間隔
△Ｌ２を、セラミック誘電体基体１００の側端面を基準
にして設定すればよいので、内部電極１０１と内部電極
１０２との重なり面積を増大させ、より大きな取得容量
を確保できる。
【００６９】図１８は本発明に係るセラミックコンデン
サの別の実施例を示す正面断面図である。図において、
図１７と同一の構成部分には、同一の参照符号を付し、
説明は省略する。図１８に示す実施例では、２個のセラ
ミックコンデンサ素子１１０、１２０を備える。セラミ
ックコンデンサ素子１１０、１２０は順次に積層され、
端子電極１１、１２が、接合材４、５によって、並列に
接続されている。端子電極１１、１２は、セラミック誘
電体基体１００の側端面のみに形成されている。この実
施例よれば、図１７との比較において、より大きな静電
容量を取得できる。
サの別の実施例を示す正面断面図である。図において、
図１７と同一の構成部分には、同一の参照符号を付し、
説明は省略する。図１８に示す実施例では、２個のセラ
ミックコンデンサ素子１１０、１２０を備える。セラミ
ックコンデンサ素子１１０、１２０は順次に積層され、
端子電極１１、１２が、接合材４、５によって、並列に
接続されている。端子電極１１、１２は、セラミック誘
電体基体１００の側端面のみに形成されている。この実
施例よれば、図１７との比較において、より大きな静電
容量を取得できる。
【００７０】図１９は本発明に係るセラミックコンデン
サの別の実施例を示す斜視図である。図において、図１
および図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。この実施例では、金属端子２は、
抜き部２４を有する。抜き部は、端子電極１１を取り付
けた取り付け部に向き合う。図示されていないが、金属
端子３も、同様に、抜き部３４を有する。抜き部３４
は、端子電極１２を取り付けた取り付け部に向き合う。
サの別の実施例を示す斜視図である。図において、図１
および図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。この実施例では、金属端子２は、
抜き部２４を有する。抜き部は、端子電極１１を取り付
けた取り付け部に向き合う。図示されていないが、金属
端子３も、同様に、抜き部３４を有する。抜き部３４
は、端子電極１２を取り付けた取り付け部に向き合う。
【００７１】上記構造であると、金属端子２、３を端子
電極１１、１２に接続する作業において、金属端子２、
３の抜き部２４、３４を通して、金属端子２、３の取り
付け部を押さえ、端子電極１１、１２に接触させ、接続
作業を容易に行なうことができる。また、抜き部２４、
３４を通して、均一な力で取り付け部を端子電極１１、
１２に接着することができる。
電極１１、１２に接続する作業において、金属端子２、
３の抜き部２４、３４を通して、金属端子２、３の取り
付け部を押さえ、端子電極１１、１２に接触させ、接続
作業を容易に行なうことができる。また、抜き部２４、
３４を通して、均一な力で取り付け部を端子電極１１、
１２に接着することができる。
【００７２】図２０は本発明に係るセラミックコンデン
サの別の実施例を示す底面図である。図において、図１
および図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。この実施例では、金属端子２の端
子部２３は、２つの穴２３１、２３２を有する。同様
に、金属端子３の端子部３３は、２つの穴３３１、３３
２を有する。穴数は任意である。
サの別の実施例を示す底面図である。図において、図１
および図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。この実施例では、金属端子２の端
子部２３は、２つの穴２３１、２３２を有する。同様
に、金属端子３の端子部３３は、２つの穴３３１、３３
２を有する。穴数は任意である。
【００７３】図２１は図２０に示したセラミックコンデ
ンサを回路基板７０に実装した状態を示す部分断面図で
ある。図２１に示すように、図２０に図示されたセラミ
ックコンデンサを、回路基板７０に設けられた導体パタ
ーン７１、７２にはんだ付けする際、端子部２３、３３
の穴２３１、２３２、３３１、３３２に、はんだ８２
１、８１１を充填し、セラミックコンデンサを回路基板
７０に確実にはんだ付けすることができる。
ンサを回路基板７０に実装した状態を示す部分断面図で
ある。図２１に示すように、図２０に図示されたセラミ
ックコンデンサを、回路基板７０に設けられた導体パタ
ーン７１、７２にはんだ付けする際、端子部２３、３３
の穴２３１、２３２、３３１、３３２に、はんだ８２
１、８１１を充填し、セラミックコンデンサを回路基板
７０に確実にはんだ付けすることができる。
【００７４】図２２は、本発明に係るセラミックコンデ
ンサの別の実施例を示す正面図である。図において、図
１及び図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。この実施例では、金属端子２の折
り返し部２２は、鋭角曲げ部２２１を含み、鋭角曲げ部
２２１では、セラミックコンデンサ素子１の端面とほぼ
対向する方向に鋭角に折り曲げられている。同様に、金
属端子３の折り返し部３２も、鋭角曲げ部３２１を含
み、鋭角曲げ部３２１では、セラミックコンデンサ素子
１の端面とほぼ対向する方向に鋭角に折り曲げられてい
る。
ンサの別の実施例を示す正面図である。図において、図
１及び図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。この実施例では、金属端子２の折
り返し部２２は、鋭角曲げ部２２１を含み、鋭角曲げ部
２２１では、セラミックコンデンサ素子１の端面とほぼ
対向する方向に鋭角に折り曲げられている。同様に、金
属端子３の折り返し部３２も、鋭角曲げ部３２１を含
み、鋭角曲げ部３２１では、セラミックコンデンサ素子
１の端面とほぼ対向する方向に鋭角に折り曲げられてい
る。
【００７５】上記構造によれば、図１及び図２に示した
セラミックコンデンサと同様に、曲げ位置２２１、３２
１から端子部２３、３３に至る部分が、スプリング作用
を持つようになり、そのスプリング作用によって、基板
の撓みおよび熱膨張を吸収することができる。
セラミックコンデンサと同様に、曲げ位置２２１、３２
１から端子部２３、３３に至る部分が、スプリング作用
を持つようになり、そのスプリング作用によって、基板
の撓みおよび熱膨張を吸収することができる。
【００７６】金属端子２、３は、折り曲げにより生じる
２つの対向部分間の最大の隙間ｄが３００μｍ以下とす
ることが好ましい。隙間ｄが小さいほど、金属端子２、
３の共振点が高周波数側に移動する。通常の電源では、
２０〜２００Ｈｚの振動が発生する可能性があるため、
共振点が２００Ｈｚ以上になるように、隙間ｄを小さく
することが望ましい。隙間ｄが３００μｍ以下であれ
ば、このような条件を満たすことができる。表１は図２
２に図示された構造のセラミックコンデンサにおいて、
間隔ｄを変え、１０〜５００Ｈｚの周波数で２時間加振
したときのクラック発生率（％）を示す試験データであ
る。試験に供されたセラミックコンデンサは、各間隔ｄ
毎に１００個である。 表１に示されるように、間隔ｄが３００μｍを越える３
７０μｍにおいて、クラック発生率は８５〜１００％に
達する。これに対して、間隔ｄ（μｍ）が３００μｍ以
下である７０μｍ、９０μｍの場合は、クラックを発生
しない。
２つの対向部分間の最大の隙間ｄが３００μｍ以下とす
ることが好ましい。隙間ｄが小さいほど、金属端子２、
３の共振点が高周波数側に移動する。通常の電源では、
２０〜２００Ｈｚの振動が発生する可能性があるため、
共振点が２００Ｈｚ以上になるように、隙間ｄを小さく
することが望ましい。隙間ｄが３００μｍ以下であれ
ば、このような条件を満たすことができる。表１は図２
２に図示された構造のセラミックコンデンサにおいて、
間隔ｄを変え、１０〜５００Ｈｚの周波数で２時間加振
したときのクラック発生率（％）を示す試験データであ
る。試験に供されたセラミックコンデンサは、各間隔ｄ
毎に１００個である。 表１に示されるように、間隔ｄが３００μｍを越える３
７０μｍにおいて、クラック発生率は８５〜１００％に
達する。これに対して、間隔ｄ（μｍ）が３００μｍ以
下である７０μｍ、９０μｍの場合は、クラックを発生
しない。
【００７７】図２３は、本発明に係るセラミックコンデ
ンサの別の実施例を示す正面図である。図において、図
１及び図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。金属端子２、３の折り返し部２
２、３２は、弧状に折り曲げられている。この実施例に
おいても、図１及び図２の実施例と同様の作用効果を奏
する。
ンサの別の実施例を示す正面図である。図において、図
１及び図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。金属端子２、３の折り返し部２
２、３２は、弧状に折り曲げられている。この実施例に
おいても、図１及び図２の実施例と同様の作用効果を奏
する。
【００７８】重複説明を回避するため、図示は省略する
けれども、図２２及び図２３に示した金属端子２、３を
用いた場合にも、図３〜図２１に図示された使用態様及
び実施例を採用し得ることは自明である。また、図示は
されていないが、実施例の組み合わせが多数存在するこ
とはいうまでもない。
けれども、図２２及び図２３に示した金属端子２、３を
用いた場合にも、図３〜図２１に図示された使用態様及
び実施例を採用し得ることは自明である。また、図示は
されていないが、実施例の組み合わせが多数存在するこ
とはいうまでもない。
【００７９】次に具体的な実施例および比較例のクラッ
ク発生率試験データを示す。
ク発生率試験データを示す。
【００８０】実施例１ 定格電圧２５Ｖで静電容量２２μＦ、温度特性Ｅを有す
る５．６×５．０×２．３mmのセラミックコンデンサ素
子を２個用意した。
る５．６×５．０×２．３mmのセラミックコンデンサ素
子を２個用意した。
【００８１】上記セラミックコンデンサ素子は、鉛系複
合ペロブスカイトのセラミック誘電体の内部にＡｇーＰ
ｄよりなる内部電極を有し、セラミック誘電体の相対す
る両側端部にガラスブリットを含んだＡｇペーストの焼
き付け電極でなる端子電極を有する。
合ペロブスカイトのセラミック誘電体の内部にＡｇーＰ
ｄよりなる内部電極を有し、セラミック誘電体の相対す
る両側端部にガラスブリットを含んだＡｇペーストの焼
き付け電極でなる端子電極を有する。
【００８２】上記セラミックコンデンサ素子の２個を、
端子電極を揃えて重ね合わせ、かつ、端子電極に銀粉を
分散させた導電性接着剤を塗布して固定した。次に、銀
めっき処理（中間層はニッケル、ＮｉーＡｇ）した厚さ
０．１mmの金属板（リン青銅製）の内側に折り曲げられ
た部分のみを二段積みされたセラミックコンデンサの下
方部の端部電極側面に、所定の圧力で押し付けた。この
状態で、１５０℃で１時間加熱して導電性接着剤を熱硬
化させて、２個のセラミックコンデンサ素子と金属端子
が端部で固着した複合セラミックコンデンサを作製し
た。金属端子の形状、および、セラミックコンデンサ素
子に対する金属端子の取り付け構造を、図１５に図示し
た態様とした。
端子電極を揃えて重ね合わせ、かつ、端子電極に銀粉を
分散させた導電性接着剤を塗布して固定した。次に、銀
めっき処理（中間層はニッケル、ＮｉーＡｇ）した厚さ
０．１mmの金属板（リン青銅製）の内側に折り曲げられ
た部分のみを二段積みされたセラミックコンデンサの下
方部の端部電極側面に、所定の圧力で押し付けた。この
状態で、１５０℃で１時間加熱して導電性接着剤を熱硬
化させて、２個のセラミックコンデンサ素子と金属端子
が端部で固着した複合セラミックコンデンサを作製し
た。金属端子の形状、および、セラミックコンデンサ素
子に対する金属端子の取り付け構造を、図１５に図示し
た態様とした。
【００８３】実施例２ 金属端子の形状、および、セラミックコンデンサ素子に
対する金属端子の取り付け構造を、図７および図８に図
示した態様とした。他は実施例１と同様にして、セラミ
ックコンデンサを作成した。
対する金属端子の取り付け構造を、図７および図８に図
示した態様とした。他は実施例１と同様にして、セラミ
ックコンデンサを作成した。
【００８４】実施例３ 金属端子の形状、および、セラミックコンデンサ素子に
対する金属端子の取り付け構造を、図１１に図示した態
様とした。他は実施例１と同様にして、セラミックコン
デンサを作成した。
対する金属端子の取り付け構造を、図１１に図示した態
様とした。他は実施例１と同様にして、セラミックコン
デンサを作成した。
【００８５】実施例４ 金属端子の形状、および、セラミックコンデンサ素子に
対する金属端子の取り付け構造を、図１２および図１３
に図示した態様とした。他は実施例１と同様にして、セ
ラミックコンデンサを作成した。
対する金属端子の取り付け構造を、図１２および図１３
に図示した態様とした。他は実施例１と同様にして、セ
ラミックコンデンサを作成した。
【００８６】比較例１ 金属端子の形状、および、セラミックコンデンサ素子に
対する金属端子の取り付け構造は、図２４に図示した従
来技術の態様とした。他は実施例１と同様にして、セラ
ミックコンデンサを作成した。図２４において、図１と
同一の構成部分には、同一の参照符号を付してある。
対する金属端子の取り付け構造は、図２４に図示した従
来技術の態様とした。他は実施例１と同様にして、セラ
ミックコンデンサを作成した。図２４において、図１と
同一の構成部分には、同一の参照符号を付してある。
【００８７】比較例２ 金属端子を用いずに、実施例１〜４に述べた手段に従っ
て、セラミックコンデンサを作成した。
て、セラミックコンデンサを作成した。
【００８８】実施例１〜４および比較例１、２につい
て、ヒートサイクル試験後のクラック発生状況を表２に
示す。 表２に示すように、本発明に係る実施例１〜４では、ク
ラックの発生は認められなかった。比較例１では、４０
サイクル後に３０％、１００サイクル後に１００％のク
ラック発生率であった。金属端子を持たない比較例２で
は、４０サイクル後および１００サイクル後の何れにお
いても、１００％のクラック発生率であった。
て、ヒートサイクル試験後のクラック発生状況を表２に
示す。 表２に示すように、本発明に係る実施例１〜４では、ク
ラックの発生は認められなかった。比較例１では、４０
サイクル後に３０％、１００サイクル後に１００％のク
ラック発生率であった。金属端子を持たない比較例２で
は、４０サイクル後および１００サイクル後の何れにお
いても、１００％のクラック発生率であった。
【００８９】実施例５〜７ 定格電圧１６Ｖで静電容量６．８μＦ、温度特性Ｅを有
する３．２×２．５×１．０mmのセラミックコンデンサ
４個を用意した。
する３．２×２．５×１．０mmのセラミックコンデンサ
４個を用意した。
【００９０】セラミックコンデンサ素子は、鉛系複合ペ
ロブスカイトのセラミック誘電体にＡｇーＰｄ内部電極
を埋設し、相対する両側端面にガラスブリットを含んだ
Ａｇペーストの焼き付け電極でなる端子電極を有する。
ロブスカイトのセラミック誘電体にＡｇーＰｄ内部電極
を埋設し、相対する両側端面にガラスブリットを含んだ
Ａｇペーストの焼き付け電極でなる端子電極を有する。
【００９１】上述した４個のセラミックコンデンサ素子
を、端子電極を揃えて積層し、かつ、端子電極に、銀粉
を分散させた導電性接着剤を塗布し、セラミックコンデ
ンサ素子を固定した。次に、図１６に図示された構造お
よび配置で、金属端子を取り付けた。金属端子は、銀め
っき処理（中間層はニッケル、ＮｉーＡｇ）した厚さ
０．１mmの金属板（リン青銅製）を用いた。金属端子の
先端部に位置する端子部を、四段積みされたセラミック
コンデンサ素子の内、最下層に位置するセラミックコン
デンサ素子の端子電極の側面に、所定の圧力で押し付け
た。この状態で、１５０℃で１時間加熱して導電性接着
剤を熱硬化させて、４個のセラミックコンデンサ素子と
金属端子とを、端子電極の部分で固着した複合セラミッ
クコンデンサを作製した。
を、端子電極を揃えて積層し、かつ、端子電極に、銀粉
を分散させた導電性接着剤を塗布し、セラミックコンデ
ンサ素子を固定した。次に、図１６に図示された構造お
よび配置で、金属端子を取り付けた。金属端子は、銀め
っき処理（中間層はニッケル、ＮｉーＡｇ）した厚さ
０．１mmの金属板（リン青銅製）を用いた。金属端子の
先端部に位置する端子部を、四段積みされたセラミック
コンデンサ素子の内、最下層に位置するセラミックコン
デンサ素子の端子電極の側面に、所定の圧力で押し付け
た。この状態で、１５０℃で１時間加熱して導電性接着
剤を熱硬化させて、４個のセラミックコンデンサ素子と
金属端子とを、端子電極の部分で固着した複合セラミッ
クコンデンサを作製した。
【００９２】上述のようにして得られた試料について、
スプリング作用を生じる経路長ｈを変えた。こうして得
られた試料を、実施例５〜７とする。
スプリング作用を生じる経路長ｈを変えた。こうして得
られた試料を、実施例５〜７とする。
【００９３】比較例３ 金属端子の形状、および、セラミックコンデンサ素子に
対する金属端子の取り付け構造は、図２４に図示した従
来技術の態様とした。他は、実施例５〜７と同様とし
た。
対する金属端子の取り付け構造は、図２４に図示した従
来技術の態様とした。他は、実施例５〜７と同様とし
た。
【００９４】比較例４ 金属端子を用いずに、実施例５〜７に述べた手段に従っ
てセラミックコンデンサを作成した。実施例５〜７およ
び比較例３、４について、ヒートサイクル試験後のクラ
ック発生状況を表３に示す。
てセラミックコンデンサを作成した。実施例５〜７およ
び比較例３、４について、ヒートサイクル試験後のクラ
ック発生状況を表３に示す。
【００９５】表３に示すように、本発明に係る実施例５
〜７では、クラックの発生は認められなかった。比較例
３では、４０サイクル後に１５％、１００サイクル後に
１００％のクラック発生率であった。金属端子を持たな
い比較例２では、４０サイクル後および１００サイクル
後の何れにおいても、１００％のクラック発生率であっ
た。
〜７では、クラックの発生は認められなかった。比較例
３では、４０サイクル後に１５％、１００サイクル後に
１００％のクラック発生率であった。金属端子を持たな
い比較例２では、４０サイクル後および１００サイクル
後の何れにおいても、１００％のクラック発生率であっ
た。
【００９６】実施例８ 定格電圧２５Ｖで静電容量２２μＦ、温度特性Ｅを有す
る5.6×5.0×2.3mmのセラミックコンデンサ素子を４個
用意した。セラミックコンデンサ素子を４個用意した。
セラミックコンデンサ素子は、鉛系複合ペロブスカイト
のセラミック誘電体にＡｇーＰｄ内部電極を埋設し、相
対する両側端面にガラスブリットを含んだＡｇペースト
の焼き付け電極でなる端子電極を有する。
る5.6×5.0×2.3mmのセラミックコンデンサ素子を４個
用意した。セラミックコンデンサ素子を４個用意した。
セラミックコンデンサ素子は、鉛系複合ペロブスカイト
のセラミック誘電体にＡｇーＰｄ内部電極を埋設し、相
対する両側端面にガラスブリットを含んだＡｇペースト
の焼き付け電極でなる端子電極を有する。
【００９７】上述した４個のセラミックコンデンサ素子
を、端子電極を揃えて積層し、かつ、端子電極に、銀粉
を分散させた導電性接着剤を塗布し、セラミックコンデ
ンサ素子を固定した。次に、図１６に図示された構造お
よび配置で、金属端子を取り付けた。金属端子は、銀め
っき処理（中間層はニッケル、ＮｉーＡｇ）した厚さ
０．１mmの金属板（リン青銅製）を用いた。金属端子の
先端部に位置する端子部を、四段積みされたセラミック
コンデンサ素子の内、最下層に位置するセラミックコン
デンサ素子の端子電極の側面に、所定の圧力で押し付け
た。この状態で、１５０℃で１時間加熱して導電性接着
剤を熱硬化させて、４個のセラミックコンデンサ素子と
金属端子とを、端子電極の部分で固着した複合セラミッ
クコンデンサを作製した。
を、端子電極を揃えて積層し、かつ、端子電極に、銀粉
を分散させた導電性接着剤を塗布し、セラミックコンデ
ンサ素子を固定した。次に、図１６に図示された構造お
よび配置で、金属端子を取り付けた。金属端子は、銀め
っき処理（中間層はニッケル、ＮｉーＡｇ）した厚さ
０．１mmの金属板（リン青銅製）を用いた。金属端子の
先端部に位置する端子部を、四段積みされたセラミック
コンデンサ素子の内、最下層に位置するセラミックコン
デンサ素子の端子電極の側面に、所定の圧力で押し付け
た。この状態で、１５０℃で１時間加熱して導電性接着
剤を熱硬化させて、４個のセラミックコンデンサ素子と
金属端子とを、端子電極の部分で固着した複合セラミッ
クコンデンサを作製した。
【００９８】比較例５ 定格電圧２５Ｖで静電容量２２μＦ、温度特性Ｅを有す
る5.6×5.0×2.3mmの２個のセラミックコンデンサ素子
を用意した。セラミックコンデンサ素子は、鉛系複合ペ
ロブスカイトのセラミック誘電体に、ＡｇーＰｄでなる
内部電極を有し、セラミック誘電体の相対する両側端面
にガラスブリットを含んだＡｇペーストの焼き付け電極
でなる端子電極を有する。
る5.6×5.0×2.3mmの２個のセラミックコンデンサ素子
を用意した。セラミックコンデンサ素子は、鉛系複合ペ
ロブスカイトのセラミック誘電体に、ＡｇーＰｄでなる
内部電極を有し、セラミック誘電体の相対する両側端面
にガラスブリットを含んだＡｇペーストの焼き付け電極
でなる端子電極を有する。
【００９９】上記した２個のセラミックコンデンサ素子
を、端子電極を揃えて重ね合わせ、かつ、端子電極に、
銀粉を分散させた導電性接着剤を塗布し、めっき処理し
た厚さ０．１mmの金属板（リン青銅製）を、図２４に図
示する従来構造において、所定の圧力で押し付けた。こ
の状態で、１５０℃で１時間加熱して、導電性接着剤を
熱硬化させて、２個のセラミックコンデンサ素子と、金
属端子とを、端子電極で固着した複合セラミックコンデ
ンサを作製した。
を、端子電極を揃えて重ね合わせ、かつ、端子電極に、
銀粉を分散させた導電性接着剤を塗布し、めっき処理し
た厚さ０．１mmの金属板（リン青銅製）を、図２４に図
示する従来構造において、所定の圧力で押し付けた。こ
の状態で、１５０℃で１時間加熱して、導電性接着剤を
熱硬化させて、２個のセラミックコンデンサ素子と、金
属端子とを、端子電極で固着した複合セラミックコンデ
ンサを作製した。
【０１００】比較例６ 定格電圧１６Ｖで静電容量６．８μＦ、温度特性Ｅを有
する３．２×２．５×１．０mmの４個のセラミックコン
デンサ素子を用意した。セラミックコンデンサ素子は、
鉛系複合ペロブスカイトのセラミック誘電体の内部にＡ
ｇーＰｄでなる内部電極を有し、ガラスフリットを含ん
だＡｇペーストの焼き付け電極でなる端子電極を有す
る。
する３．２×２．５×１．０mmの４個のセラミックコン
デンサ素子を用意した。セラミックコンデンサ素子は、
鉛系複合ペロブスカイトのセラミック誘電体の内部にＡ
ｇーＰｄでなる内部電極を有し、ガラスフリットを含ん
だＡｇペーストの焼き付け電極でなる端子電極を有す
る。
【０１０１】上述した４個のセラミックコンデンサ素子
を、端子電極を揃えて重ね合わせ、かつ、銀粉を分散さ
せた導電性接着剤を端子電極に塗布し、その上に、金属
端子を、図２４の従来例に示す態様で配置し、所定の圧
力で押し付けた。金属端子は、めっき処理した厚さ０．
１mmの金属板（リン青銅製）である。
を、端子電極を揃えて重ね合わせ、かつ、銀粉を分散さ
せた導電性接着剤を端子電極に塗布し、その上に、金属
端子を、図２４の従来例に示す態様で配置し、所定の圧
力で押し付けた。金属端子は、めっき処理した厚さ０．
１mmの金属板（リン青銅製）である。
【０１０２】この状態で、１５０℃で１時間加熱して導
電性接着剤を熱硬化させて、４個のセラミックコンデン
サ素子と、金属端子とを、端子電極の部分で固着した複
合セラミックコンデンサを作製した。
電性接着剤を熱硬化させて、４個のセラミックコンデン
サ素子と、金属端子とを、端子電極の部分で固着した複
合セラミックコンデンサを作製した。
【０１０３】実施例８および比較例５、６に従って得ら
れた試料を用いて、その金属端子の端子部を、アルミニ
ウム基板にはんだ付けし、冷熱衝撃試験槽に投入し、冷
熱衝撃試験を行なった。冷熱衝撃試験は、１２５℃〜
（−５５℃）〜１２５℃を一サイクルとして、４０サイ
クルおよび１００サイクルの各サイクルで行なった。そ
して、試験前および試験後において、セラミックコンデ
ンサ素子の内部に存在するクラックの有無を調べた。
れた試料を用いて、その金属端子の端子部を、アルミニ
ウム基板にはんだ付けし、冷熱衝撃試験槽に投入し、冷
熱衝撃試験を行なった。冷熱衝撃試験は、１２５℃〜
（−５５℃）〜１２５℃を一サイクルとして、４０サイ
クルおよび１００サイクルの各サイクルで行なった。そ
して、試験前および試験後において、セラミックコンデ
ンサ素子の内部に存在するクラックの有無を調べた。
【０１０４】本発明に係る実施例８では、クラックの発
生は認められなかったが、比較例５、６ではクラックに
よる破壊が認められた。破壊位置は、全て、金属端子と
導電性接着剤との界面、および、導電性接着剤の塗布領
域付近であった。
生は認められなかったが、比較例５、６ではクラックに
よる破壊が認められた。破壊位置は、全て、金属端子と
導電性接着剤との界面、および、導電性接着剤の塗布領
域付近であった。
【０１０５】既に述べたように、本発明において、金属
端子２、３のそれぞれは、−５５℃から１２５℃迄の平
均線膨張率αが１３×１０-6以下であり、それによっ
て、−５５〜１２５℃の範囲における温度変化の激しい
環境下で長期間使用し続けても、クラックを発生せず、
発火の危険性のないセラミックコンデンサが得られる。
次に、この点について、具体的な実施例および比較例の
クラック発生率試験データを挙げて説明する。
端子２、３のそれぞれは、−５５℃から１２５℃迄の平
均線膨張率αが１３×１０-6以下であり、それによっ
て、−５５〜１２５℃の範囲における温度変化の激しい
環境下で長期間使用し続けても、クラックを発生せず、
発火の危険性のないセラミックコンデンサが得られる。
次に、この点について、具体的な実施例および比較例の
クラック発生率試験データを挙げて説明する。
【０１０６】実施例１１〜２１ 定格電圧２５Ｖで静電容量２２μＦ、温度特性Ｅを有す
る５．６×５．０×２．３mmのセラミックコンデンサ素
子を２個用意した。上記セラミックコンデンサ素子は、
鉛系複合ペロブスカイトのセラミック誘電体の内部にＡ
ｇーＰｄよりなる内部電極を有し、セラミック誘電体の
相対する両側端部にガラスブリットを含んだＡｇペース
トの焼き付け電極でなる端子電極を有する。
る５．６×５．０×２．３mmのセラミックコンデンサ素
子を２個用意した。上記セラミックコンデンサ素子は、
鉛系複合ペロブスカイトのセラミック誘電体の内部にＡ
ｇーＰｄよりなる内部電極を有し、セラミック誘電体の
相対する両側端部にガラスブリットを含んだＡｇペース
トの焼き付け電極でなる端子電極を有する。
【０１０７】上記セラミックコンデンサ素子の２個を、
端子電極を揃えて重ね合わせ、かつ、端子電極に銀粉を
分散させた導電性接着剤を塗布して固定した。次に、銀
めっき処理（中間層はニッケル、ＮｉーＡｇ）した厚さ
０．１mmの金属端子を、二段積みされた２つのセラミッ
クコンデンサ素子の端部電極側面に、所定の圧力で押し
付けた。この状態で、１５０℃で１時間加熱して導電性
接着剤を熱硬化させ、２個のセラミックコンデンサ素子
と金属端子が端部で固着したセラミックコンデンサを作
製した。図２４は上述のようにして得られたセラミック
コンデンサの斜視図、図２５は図２４に図示したセラミ
ックコンデンサの正面図である。
端子電極を揃えて重ね合わせ、かつ、端子電極に銀粉を
分散させた導電性接着剤を塗布して固定した。次に、銀
めっき処理（中間層はニッケル、ＮｉーＡｇ）した厚さ
０．１mmの金属端子を、二段積みされた２つのセラミッ
クコンデンサ素子の端部電極側面に、所定の圧力で押し
付けた。この状態で、１５０℃で１時間加熱して導電性
接着剤を熱硬化させ、２個のセラミックコンデンサ素子
と金属端子が端部で固着したセラミックコンデンサを作
製した。図２４は上述のようにして得られたセラミック
コンデンサの斜視図、図２５は図２４に図示したセラミ
ックコンデンサの正面図である。
【０１０８】実施例１１〜２１において、金属端子２、
３（図２４、２５参照）としては、平均線膨張係数が１
３×１０-6以下の異なる金属材料を用いた。金属端子
２、３は、実施例１１ではインコネルＸ−７５０（実施
例１１）、実施例１２ではニモニック９０、実施例１３
では炭素光、実施例１４ではステンレス４３０、実施例
１５ではハステロイＢ、実施例１６ではステンレス４０
３、実施例１７では純チタン、実施例１８では工業用チ
タン、実施例１９ではクロム、実施例２０では４２アロ
イ、実施例２１ではアンバーを用いて構成した。
３（図２４、２５参照）としては、平均線膨張係数が１
３×１０-6以下の異なる金属材料を用いた。金属端子
２、３は、実施例１１ではインコネルＸ−７５０（実施
例１１）、実施例１２ではニモニック９０、実施例１３
では炭素光、実施例１４ではステンレス４３０、実施例
１５ではハステロイＢ、実施例１６ではステンレス４０
３、実施例１７では純チタン、実施例１８では工業用チ
タン、実施例１９ではクロム、実施例２０では４２アロ
イ、実施例２１ではアンバーを用いて構成した。
【０１０９】実施例１１〜２１のセラミックコンデンサ
のそれぞれを、アルミニュウム基板にはんだ付けして固
定し、熱衝撃を与えクラックの発生状況を評価した。熱
衝撃条件は次の通りである。
のそれぞれを、アルミニュウム基板にはんだ付けして固
定し、熱衝撃を与えクラックの発生状況を評価した。熱
衝撃条件は次の通りである。
【０１１０】熱衝撃条件 （１）実施例１１〜２１のそれぞれについて、１００個
のセラミックコンデンサを用意し、これをアルミニュウ
ム基板にはんだ付けし、温度試験槽にて熱衝撃を与え
た。 （２）ヒートサイクルは、室温（２５℃）から−５５℃
まで急冷し、次に１２５℃まで急上昇させ、その後に室
温（２５℃）に戻る温度サイクルを１サイクルとした。 （３）温度サイクルは、実施例１１〜２１のそれぞれに
つき４００回づつ行った。 （４）アルミニューム基板から製品を外し、外観試験を
し、電気特性を調べた後、さらに製品を研磨して内部の
クラックを検査する方法で評価した。
のセラミックコンデンサを用意し、これをアルミニュウ
ム基板にはんだ付けし、温度試験槽にて熱衝撃を与え
た。 （２）ヒートサイクルは、室温（２５℃）から−５５℃
まで急冷し、次に１２５℃まで急上昇させ、その後に室
温（２５℃）に戻る温度サイクルを１サイクルとした。 （３）温度サイクルは、実施例１１〜２１のそれぞれに
つき４００回づつ行った。 （４）アルミニューム基板から製品を外し、外観試験を
し、電気特性を調べた後、さらに製品を研磨して内部の
クラックを検査する方法で評価した。
【０１１１】比較例１１〜１９ 次に、比較のため、金属端子２、３として、平均線膨張
係数が１３×１０-6を越える金属材料を用いて、図２４
及び図２５に図したセラミックコンデンサを製造した。
金属端子２、３は、比較例１１ではアルミニュウム、比
較例１２では鉄、比較例１３では銀、比較例１４では燐
青銅、比較例１５ではステンレス３０４、比較例１６で
は銅、比較例１７では洋白、比較例１８ではステンレス
３１７、比較例１９ではニッケルを用いで構成した。
係数が１３×１０-6を越える金属材料を用いて、図２４
及び図２５に図したセラミックコンデンサを製造した。
金属端子２、３は、比較例１１ではアルミニュウム、比
較例１２では鉄、比較例１３では銀、比較例１４では燐
青銅、比較例１５ではステンレス３０４、比較例１６で
は銅、比較例１７では洋白、比較例１８ではステンレス
３１７、比較例１９ではニッケルを用いで構成した。
【０１１２】比較例１１〜１９のセラミックコンデンサ
を、アルミニュウム基板にはんだ付けして固定し、熱衝
撃を与えクラックの発生状況を評価した。熱衝撃条件は
実施例１１〜２１と同じである。実施例１１〜２１およ
び比較例１１〜１９についてヒートサイクル後のクラッ
ク発生状況を表４に示す。 表４に示すように、本発明に係る実施例１１〜２１で
は、クラックの発生は認められなかった。比較例１１〜
１９の全てで不良品となっている。特に、アルミニュー
ムおよび鉄の金属端子を使ったものでは１００％の不良
品となった。
を、アルミニュウム基板にはんだ付けして固定し、熱衝
撃を与えクラックの発生状況を評価した。熱衝撃条件は
実施例１１〜２１と同じである。実施例１１〜２１およ
び比較例１１〜１９についてヒートサイクル後のクラッ
ク発生状況を表４に示す。 表４に示すように、本発明に係る実施例１１〜２１で
は、クラックの発生は認められなかった。比較例１１〜
１９の全てで不良品となっている。特に、アルミニュー
ムおよび鉄の金属端子を使ったものでは１００％の不良
品となった。
【０１１３】実施例２２〜２５ 定格電圧２５Ｖで静電容量２２μＦ、温度特性Ｅを有す
る5.6×5.0×2.3mmのセラミックコンデンサ素子を２個
用意した。
る5.6×5.0×2.3mmのセラミックコンデンサ素子を２個
用意した。
【０１１４】上記セラミックコンデンサ素子は、鉛系複
合ペロブスカイトのセラミック誘電体の内部にＡｇーＰ
ｄよりなる内部電極を有し、セラミック誘電体の相対す
る両側端部にガラスブリットを含んだＡｇペーストの焼
き付け電極でなる端子電極を有する。
合ペロブスカイトのセラミック誘電体の内部にＡｇーＰ
ｄよりなる内部電極を有し、セラミック誘電体の相対す
る両側端部にガラスブリットを含んだＡｇペーストの焼
き付け電極でなる端子電極を有する。
【０１１５】上記セラミックコンデンサ素子の２個を、
端子電極を揃えて重ね合わせ、かつ、端子電極に銀粉を
分散させた導電性接着剤を塗布して固定した。次に、図
２４、２５に図示するように、金属端子２、３を固定し
た。
端子電極を揃えて重ね合わせ、かつ、端子電極に銀粉を
分散させた導電性接着剤を塗布して固定した。次に、図
２４、２５に図示するように、金属端子２、３を固定し
た。
【０１１６】金属端子２、３は、実施例２２〜２５のそ
れぞれにおいて、Ｆｅ−Ｎｉ合金の材料組成を変えたも
のを用意した。金属端子２、３の組成は、実施例２２で
はＦｅ５５％−Ｎｉ４５％、実施例２３ではＦｅ６０％
−Ｎｉ４０％、実施例２４ではＦｅ６５％−Ｎｉ３５
％、実施例２５ではＦｅ７０％−Ｎｉ３０％とした。
れぞれにおいて、Ｆｅ−Ｎｉ合金の材料組成を変えたも
のを用意した。金属端子２、３の組成は、実施例２２で
はＦｅ５５％−Ｎｉ４５％、実施例２３ではＦｅ６０％
−Ｎｉ４０％、実施例２４ではＦｅ６５％−Ｎｉ３５
％、実施例２５ではＦｅ７０％−Ｎｉ３０％とした。
【０１１７】実施例２２〜２５のセラミックコンデンサ
のそれぞれを、アルミニュウム基板にはんだ付けして固
定し、熱衝撃を与えクラックの発生状況を評価した。熱
衝撃条件は、実施例１１〜２１において既に説明した通
りである。
のそれぞれを、アルミニュウム基板にはんだ付けして固
定し、熱衝撃を与えクラックの発生状況を評価した。熱
衝撃条件は、実施例１１〜２１において既に説明した通
りである。
【０１１８】比較例２０、２１ 比較のため、金属端子２、３において、Ｆｅ−Ｎｉ合金
の材料組成を異ならせた比較例２０、２１のセラミック
を用意した。金属端子２、３は比較例２０ではＦｅ５０
％−Ｎｉ５０％、比較例２１ではＦｅ７５％−Ｎｉ２５
％の組成とした。他は実施例２２〜２５と同様にして、
セラミックコンデンサを作成した。
の材料組成を異ならせた比較例２０、２１のセラミック
を用意した。金属端子２、３は比較例２０ではＦｅ５０
％−Ｎｉ５０％、比較例２１ではＦｅ７５％−Ｎｉ２５
％の組成とした。他は実施例２２〜２５と同様にして、
セラミックコンデンサを作成した。
【０１１９】比較例２０、２１のセラミックコンデンサ
のそれぞれを、アルミニュウム基板にはんだ付けして固
定し、熱衝撃を与えクラックの発生状況を評価した。熱
衝撃条件は実施例１１〜２１において既に説明した通り
である。
のそれぞれを、アルミニュウム基板にはんだ付けして固
定し、熱衝撃を与えクラックの発生状況を評価した。熱
衝撃条件は実施例１１〜２１において既に説明した通り
である。
【０１２０】実施例２２〜２５および比較例２０、２１
についてヒートサイクル後のクラック発生状況を表５に
示す。 表５に示すように、本発明に係る実施例２２〜２５で
は、クラックの発生は認められなかった。比較例２０及
び２１は、双方とも不良品となっている。
についてヒートサイクル後のクラック発生状況を表５に
示す。 表５に示すように、本発明に係る実施例２２〜２５で
は、クラックの発生は認められなかった。比較例２０及
び２１は、双方とも不良品となっている。
【０１２１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）セラミックコンデンサ素子にクラック、破損等が
発生するのを確実に阻止できるセラミックコンデンサを
提供することができる。 （ｂ）セラミックコンデンサ素子における熱応力および
機械的応力を低減できるセラミックコンデンサを提供す
ることができる。 （ｃ）−５５〜１２５℃の範囲における温度変化の激し
い環境下で長期間使用し続けても、クラックを発生せ
ず、発火する危険性のないセラミックコンデンサを提供
することができる。
のような効果が得られる。 （ａ）セラミックコンデンサ素子にクラック、破損等が
発生するのを確実に阻止できるセラミックコンデンサを
提供することができる。 （ｂ）セラミックコンデンサ素子における熱応力および
機械的応力を低減できるセラミックコンデンサを提供す
ることができる。 （ｃ）−５５〜１２５℃の範囲における温度変化の激し
い環境下で長期間使用し続けても、クラックを発生せ
ず、発火する危険性のないセラミックコンデンサを提供
することができる。
【図１】本発明に係るセラミックコンデンサの正面図で
ある。
ある。
【図２】図１に示したセラミックコンデンサの正面断面
図である。
図である。
【図３】図１及び図２に示したセラミックコンデンサを
回路基板上に実装した時の状態を示す部分断面図であ
る。
回路基板上に実装した時の状態を示す部分断面図であ
る。
【図４】本発明に係るセラミックコンデンサに用いられ
る金属端子の一例を示す拡大断面図である。
る金属端子の一例を示す拡大断面図である。
【図５】本発明に係るセラミックコンデンサの別の実施
例を示す正面図である。
例を示す正面図である。
【図６】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の
実施例を示す正面図である。
実施例を示す正面図である。
【図７】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の
実施例を示す斜視図である。
実施例を示す斜視図である。
【図８】図７に示したセラミックコンデンサの更に別の
実施例を示す正面図である。
実施例を示す正面図である。
【図９】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の
実施例を示す斜視図である。
実施例を示す斜視図である。
【図１０】図９に示したセラミックコンデンサの正面図
である。
である。
【図１１】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す正面図である。
の実施例を示す正面図である。
【図１２】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す斜視図である。
の実施例を示す斜視図である。
【図１３】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す正面図である。
の実施例を示す正面図である。
【図１４】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す正面図である。
の実施例を示す正面図である。
【図１５】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す正面図である。
の実施例を示す正面図である。
【図１６】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す正面図である。
の実施例を示す正面図である。
【図１７】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す正面断面図である。
の実施例を示す正面断面図である。
【図１８】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す正面断面図である。
の実施例を示す正面断面図である。
【図１９】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す斜視図である。
の実施例を示す斜視図である。
【図２０】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す底面図である。
の実施例を示す底面図である。
【図２１】図２０に示したセラミックコンデンサの実装
例を示す部分断面図である。
例を示す部分断面図である。
【図２２】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す正面図である。
の実施例を示す正面図である。
【図２３】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す正面図である。
の実施例を示す正面図である。
【図２４】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す斜視図である。
の実施例を示す斜視図である。
【図２５】図７に示したセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す正面図である。
の実施例を示す正面図である。
【図２６】従来のセラミックコンデンサを示す正面図で
ある。
ある。
１、１１０〜１４０ セラミックコンデンサ素
子 ２、３ 金属端子 ２１、３１ 一端 ２２、３２ 折り返し部 ２３、３３ 端子部
子 ２、３ 金属端子 ２１、３１ 一端 ２２、３２ 折り返し部 ２３、３３ 端子部
Claims (30)
- 【請求項１】 少なくとも１つのセラミックコンデンサ
素子と、少なくとも一対の金属端子とを含むセラミック
コンデンサであって、 前記セラミックコンデンサ素子は、相対する両側端面に
端子電極を有しており、 前記金属端子のそれぞれは、先端部が前記端子電極の一
つに接続され、中間部に折り返し部を有し、前記折り返
し部の後方に外部と接続される端子部を有し、−５５℃
から１２５℃迄の平均線膨張率αが１３×１０-6以下で
あるセラミックコンデンサ。 - 【請求項２】 請求項１に記載されたセラミックコンデ
ンサであって、 前記金属端子は、Ｆｅが５５〜７０ｗｔ％で、Ｎｉが３
０〜４５ｗｔ％の合金からなるセラミックコンデンサ。 - 【請求項３】 請求項１ないし２に記載されたセラミッ
クコンデンサであって、 前記金属端子および前記端子電極は、樹脂を含有する導
電性接着剤によって接続されているセラミックコンデン
サ。 - 【請求項４】 請求項３に記載されたセラミックコンデ
ンサであって、 前記導電性接着剤は、導電成分として、粒径３μｍ以上
の銀粒子を含むセラミックコンデンサ。 - 【請求項５】 請求項３または４の何れかに記載された
セラミックコンデンサであって、 前記導電性接着剤の前記樹脂は、エポキシ樹脂系、ウレ
タン樹脂系、ポリイミド樹脂系またはアクリル樹脂系熱
硬化性樹脂から選択された少なくとも一種を主成分とす
るセラミックコンデンサ。 - 【請求項６】 請求項１または２の何れかに記載された
セラミックコンデンサであって、 前記金属端子および前記端子電極は、はんだによって接
続されているセラミックコンデンサ。 - 【請求項７】 請求項６に記載されたセラミックコンデ
ンサであって、 前記はんだは、融点が２００℃以上４００℃以下の範囲
にあるセラミックコンデンサ。 - 【請求項８】 請求項６または７の何れかに記載された
セラミックコンデンサであって、 前記金属端子は、少なくとも前記端子部の外部接続面
は、はんだ濡れ性を良好にする処理を施し、反対側の面
に、はんだに対して非付着性を示す被覆膜を有するセラ
ミックコンデンサ。 - 【請求項９】 請求項８に記載されたセラミックコンデ
ンサであって、 前記被覆膜は、金属酸化膜で構成されているセラミック
コンデンサ。 - 【請求項１０】 請求項８に記載されたセラミックコン
デンサであって、 前記被覆膜は、ワックス、樹脂またはシリコンオイルか
ら選択された一種でなるセラミックコンデンサ。 - 【請求項１１】 請求項１乃至１０の何れかに記載され
たセラミックコンデンサであって、 前記金属端子の前記折り返し部は、少なくとも一の曲げ
部を含み、 前記金属端子のそれぞれは、前記折り返し部の最初の曲
げ部と、前記先端部とのの間の部分が、前記端子電極に
接続されているセラミックコンデンサ。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載されたセラミックコ
ンデンサであって、 前記金属端子の前記折り返し部は、２つの曲げ部を有す
るセラミックコンデンサ。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載されたセラミックコ
ンデンサであって、 前記金属端子の前記折り返し部は、第１の曲げ部と、第
２の曲げ部とを含み、 前記第１の曲げ部では、前記端子電極から遠ざかる方向
に折り曲げられ、第２の曲げ部では、前記第１の曲げ部
から間隔を隔て、前記端面と対向する方向に折り曲げら
れているセラミックコンデンサ。 - 【請求項１４】 請求項１１に記載されたセラミックコ
ンデンサであって、 前記金属端子の前記折り返し部は、一つの曲げ部で構成
され、鋭角に折り曲げられているセラミックコンデン
サ。 - 【請求項１５】 請求項１４に記載されたセラミックコ
ンデンサであって、 前記金属端子は、前記折り曲げにより生じる２つの対向
部分間の最大隙間が３００μｍ以下であるセラミックコ
ンデンサ。 - 【請求項１６】 請求項１１に記載されたセラミックコ
ンデンサであって、 前記金属端子の前記折り返し部は、弧状に折り曲げられ
ているセラミックコンデンサ。 - 【請求項１７】 請求項１乃至１６の何れかに記載され
たセラミックコンデンサであって、 前記端子部は、前記セラミックコンデンサ素子の内、最
下層に位置するセラミックコンデンサ素子の下側に間隔
をおいて配置されているセラミックコンデンサ。 - 【請求項１８】 請求項１乃至１６の何れかに記載され
たセラミックコンデンサであって、 前記金属端子は、前記端子部から、前記端子電極を取り
付けた取り付け部までの経路長が、前記端子部を基準に
した部品高さ寸法よりも大きいセラミックコンデンサ。 - 【請求項１９】 請求項１乃至１６の何れかに記載され
たセラミックコンデンサであって、 前記折り返し部は、頂部が前記セラミックコンデンサ素
子の頂部よりも低い位置にあるセラミックコンデンサ。 - 【請求項２０】 請求項１乃至１９の何れかに記載され
たセラミックコンデンサであって、 前記金属端子のそれぞれは、前記折り返し部と前記端子
部との間に曲げ部を有するセラミックコンデンサ。 - 【請求項２１】 請求項２０に記載されたセラミックコ
ンデンサであって、前記金属端子のそれぞれは、前記折
り返し部と前記端子部との間の前記曲げ部において、前
記端子部が前記セラミックコンデンサ素子に近付づく方
向に折り曲げられているセラミックコンデンサ。 - 【請求項２２】 請求項１乃至２１の何れかに記載され
たセラミックコンデンサであって、 前記金属端子のそれぞれは、先端部から前記折り返し部
の最初の曲げ部に至る部分に、別の曲げ部を有し、前記
別の曲げ部から前記最初の曲げ部に至る部分が前記側端
面と間隔を隔てて対向し、前記先端部と前記別の曲げ部
との間が前記端子電極に接続されているセラミックコン
デンサ。 - 【請求項２３】 請求項１乃至２２の何れかに記載され
たセラミックコンデンサであって、 前記セラミックコンデンサ素子は、複数個であり、順次
に積層され、前記端子電極が並列に接続されているセラ
ミックコンデンサ。 - 【請求項２４】 請求項２３に記載されたセラミックコ
ンデンサであって、 前記金属端子のそれぞれは、前記複数のセラミックコン
デンサ素子の少なくとも１つの前記端子電極に接続され
ているセラミックコンデンサ。 - 【請求項２５】 請求項２４に記載されたセラミックコ
ンデンサであって、 前記先端部と前記別の曲げ部との間が、２つのセラミッ
クコンデンサ素子の端子電極間に配置され、かつ、両端
子電極に接続されているセラミックコンデンサ。 - 【請求項２６】 請求項２４に記載されたセラミックコ
ンデンサであって、 前記先端部と前記別の曲げ部との間が、前記複数のセラ
ミックコンデンサ素子の内の最下層のセラミックコンデ
ンサ素子の端子電極を支えるように配置され、かつ、そ
の端子電極に接続されているセラミックコンデンサ。 - 【請求項２７】 請求項１乃至２６の何れかに記載され
たセラミックコンデンサであって、 前記セラミックコンデンサは、セラミック誘電体基体の
内部に複数の内部電極を有しており、前記内部電極は、
一端が前記端子電極の一方に接続され、他端が前記端子
電極の他方との間に間隔を有し、前記間隔は前記他端か
ら前記セラミック誘電体基体の厚み方向に引かれた垂線
が前記端子電極に交わらない寸法に設定されているセラ
ミックコンデンサ。 - 【請求項２８】 請求項１乃至２７の何れかに記載され
たセラミックコンデンサであって、前記端子電極は、前
記側端面のみに形成されるセラミックコンデンサ。 - 【請求項２９】 請求項１乃至２８の何れかに記載され
たセラミックコンデンサであって、 前記金属端子は、少なくとも１つの抜き部を有し、前記
抜き部は、前記端子電極を取り付けた取り付け部に向き
合うセラミックコンデンサ。 - 【請求項３０】 請求項１乃至２９の何れかに記載され
たセラミックコンデンサであって、前記端子部は、少な
くとも１つの穴を有するセラミックコンデンサ。
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