JP2017135275A - 電子部品モジュール、回路モジュール、電子部品モジュールの製造方法及び回路モジュールの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】セラミック電子部品のセラミック素体にクラックが生じることを抑制し得るとともに、簡素な構造を有する電子部品モジュールを提供する。【解決手段】電子部品モジュール１は、セラミック電子部品１０と可撓性接続部材２０とを備える。セラミック電子部品１０は、第１の外部電極１３と、第２の外部電極１４とを含む。可撓性接続部材２０は、可撓性導電部分（２０）を含む。可撓性導電部分（２０）は、第１の外部電極１３及び第２の外部電極１４のうち第２の外部電極１４にのみ第１の接合部材３１によって接合される。【選択図】図１

Description

本発明は、電子部品モジュール、回路モジュール、電子部品モジュールの製造方法及び回路モジュールの製造方法に関する。

積層セラミックコンデンサのようなセラミック電子部品、及び、このセラミック電子部品が回路基板に実装された回路モジュールが知られている（特許文献１、特許文献２を参照）。

特許文献１には、積層セラミックコンデンサの一対の外部電極が、はんだによって、回路基板上の電極に接合された回路モジュールが記載されている。積層セラミックコンデンサの一対の外部電極を、はんだによって、回路基板上の電極に接合する時に、積層セラミックコンデンサを構成するセラミック素体及び回路基板に熱が加わる。また、回路モジュールの動作時にも、積層セラミックコンデンサを構成するセラミック素体及び回路基板に熱が加わる。積層セラミックコンデンサを構成するセラミック素体は、回路基板と異なる熱膨張係数を有する。回路基板への積層セラミックコンデンサのはんだ接合時及び回路モジュールの動作時の熱による応力が、セラミック素体に加わる。また、回路基板を切断する工程のような回路モジュールの製造工程において、回路基板が機械的応力を有することがある。この回路基板の機械的応力も、セラミック素体に加わり得る。これらの応力のために、セラミック素体にクラックが発生し得る。このクラックは、積層セラミックコンデンサの機能を喪失させ得る。

特許文献２には、積層セラミックコンデンサの一対の外部電極の各々に金属端子が接合されたセラミック電子部品が記載されている。そのため、特許文献２に記載されたセラミック電子部品は複雑な構造を有する。特許文献２に記載されたセラミック電子部品モジュールの製造コスト及び製造工程が増加する。

特開平８−１６２３５７号公報 特開平１１−４０４６０号公報

本発明の目的は、セラミック電子部品のセラミック素体にクラックが生じることを抑制し得るとともに簡素な構造を有する電子部品モジュール及び回路モジュールを提供することである。

本発明の別の目的は、セラミック電子部品のセラミック素体にクラックが生じることを抑制し得るとともに簡素な構造を有する電子部品モジュール及び回路モジュールを、低減された製造コスト及び低減された製造工程数で製造する方法を提供することである。

本発明の電子部品モジュールは、セラミック電子部品と、可撓性接続部材とを備える。セラミック電子部品は、セラミック素体と、第１の外部電極と、第２の外部電極とを含む。セラミック素体は、第１の面と、第１の面と異なる第２の面とを有する。第１の外部電極は、第１の面上に配置される。第２の外部電極は、第２の面上に配置される。可撓性接続部材は、可撓性導電部分を含む。可撓性導電部分は、第１の外部電極及び第２の外部電極のうち第２の外部電極にのみ第１の接合部材によって接合される。可撓性導電部分は、第２の外部電極に接合される第１の部分と、第１の部分から延在する第２の部分とを有する。

本発明の回路モジュールは、上記の電子部品モジュールと、回路基板とを備える。回路基板は、第１の端子と、第２の端子とを有する。第１の外部電極は、第２の接合部材によって、第１の端子に接合される。可撓性導電部分の第２の部分は、第３の接合部材によって、第２の端子に接合される。

本発明の電子部品モジュールの製造方法は、セラミック素体と、第１の外部電極と、第２の外部電極とを含むセラミック電子部品を準備することを備える。セラミック素体は、第１の面と、第１の面と異なる第２の面とを有する。第１の外部電極は、第１の面上に配置される。第２の外部電極は、第２の面上に配置される。本発明の電子部品モジュールの製造方法は、第１の外部電極及び第２の外部電極のうち第２の外部電極にのみ、可撓性導電部分を含む可撓性接続部材を第１の接合部材によって接合することをさらに備える。可撓性導電部分は、第２の外部電極に接合される第１の部分と、第１の部分から延在する第２の部分とを有する。

本発明の回路モジュールの製造方法は、セラミック素体と、第１の外部電極と、第２の外部電極とを含むセラミック電子部品を準備することを備える。セラミック素体は、第１の面と、第１のと異なる第２の面とを有する。第１の外部電極は、第１の面上に配置される。第２の外部電極は、第２の面上に配置される。本発明の回路モジュールの製造方法は、第１の外部電極及び第２の外部電極のうち第２の外部電極にのみ、可撓性導電部分を含む可撓性接続部材を第１の接合部材によって接合することをさらに備える。可撓性導電部分は、第２の外部電極に接合される第１の部分と、第１の部分から延在する第２の部分とを有する。本発明の回路モジュールの製造方法は、第２の接合部材によって第１の外部電極を回路基板の第１の端子に接合することと、第３の接合部材によって可撓性導電部分の第２の部分を回路基板の第２の端子に接合することとを備える。

本発明の電子部品モジュールでは、セラミック電子部品の第２の外部電極に接合される可撓性接続部材は可撓性を有する。そのため、可撓性接続部材は、セラミック電子部品のセラミック素体に加わる応力を緩和することができる。本発明の電子部品モジュールによれば、セラミック電子部品のセラミック素体にクラックが生じることが抑制され得る。また、可撓性導電部分を含む可撓性接続部材は、第１の外部電極及び第２の外部電極のうち第２の外部電極にのみ接合される。可撓性接続部材は、セラミック電子部品の第１の外部電極上に存在しない。電子部品モジュールにおける可撓性接続部材の数を減少させることができる。そのため、本発明の電子部品モジュールは、簡素な構造を有する。

本発明の回路モジュールでは、セラミック電子部品の第２の外部電極及び回路基板の第２の端子に接合される可撓性接続部材は可撓性を有する。そのため、可撓性接続部材は、セラミック電子部品のセラミック素体に加わる応力を緩和することができる。本発明の回路モジュールによれば、セラミック電子部品のセラミック素体にクラックが生じることが抑制され得る。また、可撓性接続部材は、第１の外部電極と回路基板の第１の端子との間に存在しない。回路モジュールにおける可撓性接続部材の数を減少させることができる。そのため、本発明の回路モジュールは、簡素な構造を有する。

本発明の電子部品モジュールの製造方法において、セラミック電子部品の第２の外部電極に接合される可撓性接続部材は、可撓性を有する。そのため、可撓性接続部材は、セラミック電子部品のセラミック素体に加わる応力を緩和することができる。本発明の電子部品モジュールの製造方法によれば、セラミック電子部品のセラミック素体にクラックが生じることが抑制され得る。また、本発明の電子部品モジュールの製造方法は、第１の外部電極及び第２の外部電極のうち第２の外部電極にのみ、可撓性導電部分を含む可撓性接続部材を第１の接合部材によって接合することを備える。可撓性接続部材は、第１の外部電極上に存在しない。電子部品モジュールにおける可撓性接続部材の数を減少させることができる。第１の外部電極に可撓性接続部材を接合する工程が省かれ得る。本発明の電子部品モジュールの製造方法によれば、簡素な構造を有する電子部品モジュールを、低減された製造コスト及び低減された製造工程数で製造することができる。

本発明の回路モジュールの製造方法において、セラミック電子部品の第２の外部電極に接合される可撓性接続部材は、可撓性を有する。そのため、可撓性接続部材は、セラミック電子部品のセラミック素体に加わる応力を緩和することができる。本発明の回路モジュールの製造方法によれば、セラミック電子部品のセラミック素体にクラックが生じることが抑制され得る。また、可撓性接続部材は、第１の外部電極と回路基板の第１の端子との間に存在しない。回路モジュールにおける可撓性接続部材の数を減少させることができる。第１の外部電極に可撓性接続部材を接合する工程が省かれ得る。本発明の回路モジュールの製造方法によれば、簡素な構造を有する回路モジュールを、低減された製造コスト及び低減された製造工程数で製造することができる。

本発明の実施の形態１に係る電子部品モジュールの概略断面図である。 本発明の実施の形態１に係る回路モジュールの概略断面図である。 本発明の実施の形態１に係る電子部品モジュールの製造方法のフローチャートを示す図である。 本発明の実施の形態１に係る回路モジュールの製造方法の第１の例のフローチャートを示す図である。 本発明の実施の形態１に係る回路モジュールの製造方法の第２の例のフローチャートを示す図である。 本発明の実施の形態１に係る回路モジュールの製造方法の第４の例のフローチャートを示す図である。 本発明の実施の形態１に係る回路モジュールの製造方法の第５の例のフローチャートを示す図である。 本発明の実施の形態２に係る電子部品モジュールの概略断面図である。 本発明の実施の形態２に係る回路モジュールの概略断面図である。 本発明の実施の形態３に係る電子部品モジュールの概略断面図である。 本発明の実施の形態３に係る回路モジュールの概略断面図である。 本発明の実施の形態４に係る電子部品モジュールの概略断面図である。 本発明の実施の形態４に係る回路モジュールの概略断面図である。 本発明の実施の形態５に係る電子部品モジュールの概略断面図である。 本発明の実施の形態５に係る回路モジュールの概略断面図である。 本発明の実施の形態６に係る電子部品モジュールの概略断面図である。 本発明の実施の形態６に係る回路モジュールの概略断面図である。 本発明の実施の形態７に係る回路モジュールの概略断面図である。 本発明の実施の形態８に係る回路モジュールの概略断面図である。

以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、同一の構成には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。

（実施の形態１）
図１を参照して、本実施の形態の電子部品モジュール１は、セラミック電子部品１０と、可撓性接続部材２０とを備える。

セラミック電子部品１０は、セラミック素体１１と、第１の外部電極１３と、第２の外部電極１４とを含む。セラミック電子部品１０は、セラミック素体１１内に、内部電極１２をさらに含んでもよい。セラミック電子部品１０は、積層コンデンサ、積層インダクタ、積層バリスタ、積層圧電素子、積層アクチュエータ、積層サーミスタ、積層コイル及び積層ＬＣフィルタのいずれかであってもよい。本実施の形態では、セラミック電子部品１０は、積層コンデンサである。

セラミック素体１１は、第１の面１１ａと、第１の面１１ａと異なる第２の面１１ｂとを有する。第２の面１１ｂは、第１の面１１ａに対向する面であってもよい。セラミック素体１１は、第３の面１１ｃと、第３の面１１ｃに対向する第４の面１１ｄとをさらに有してもよい。第３の面１１ｃ及び第４の面１１ｄの各々は、第１の面１１ａと第２の面１１ｂとを接続してもよい。第３の面１１ｃ及び第４の面１１ｄは、第１の内部電極層１２ａ及び第２の内部電極層１２ｂが延在する方向に実質的に平行であってもよい。第３の面１１ｃ及び第４の面１１ｄは、第１の面１１ａ及び第２の面１１ｂよりも大きな面積を有してもよい。第１の面１１ａと第２の面１１ｂとの間の距離は、第３の面１１ｃと第４の面１１ｄとの間の距離よりも大きくてもよい。セラミック素体１１は、チタン酸バリウムなどから形成されてもよい。

第１の外部電極１３は、セラミック素体１１の第１の面１１ａ上に配置される。第１の外部電極１３は、３層構造を有してもよい。特定的には、第１の外部電極１３は、第１の外部電極層１３ａと、第２の外部電極層１３ｂと、第３の外部電極層１３ｃとを含んでもよい。第１の外部電極層１３ａは、セラミック素体１１の第１の面１１ａに直接接する。第１の外部電極層１３ａは、第２の外部電極層１３ｂよりも、セラミック素体１１に強固に密着する層であってもよい。第１の外部電極層１３ａは、内部電極１２のうち第１の内部電極層１２ａとの電気的接続の信頼性を向上させてもよい。第１の外部電極層１３ａは、ＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ合金から構成されてもよい。ＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ合金などからなる金属粉末を含む導電性ペーストをセラミック素体１１の第１の面１１ａ上に塗布し、この導電性ペーストを焼結することによって、第１の外部電極層１３ａが形成されてもよい。第２の外部電極層１３ｂは、第１の外部電極層１３ａ上に配置される。はんだ等のような第２の接合部材３２（図２を参照）に第１の外部電極層１３ａを構成する材料が食われることを、第２の外部電極層１３ｂは防止してもよい。第２の外部電極層１３ｂは、例えば、ニッケル（Ｎｉ）から構成されてもよい。第２の外部電極層１３ｂは、めっき法により形成されてもよい。第３の外部電極層１３ｃは、第２の外部電極層１３ｂ上に配置される。第３の外部電極層１３ｃは、第２の外部電極層１３ｂよりも良好なはんだ付け性を有してもよい。第３の外部電極層１３ｃは、Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ合金、またはＳｎ−３質量％Ａｇ−０．５質量％Ｃｕ合金のようなＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金から構成されてもよい。第３の外部電極層１３ｃは、めっき法により形成されてもよい。

第２の外部電極１４は、セラミック素体１１の第２の面１１ｂ上に配置される。第２の外部電極１４は、３層構造を有してもよい。特定的には、第２の外部電極１４は、第４の外部電極層１４ａと、第５の外部電極層１４ｂと、第６の外部電極層１４ｃとを含んでもよい。第４の外部電極層１４ａは、セラミック素体１１の第２の面１１ｂに直接接する。第４の外部電極層１４ａは、第５の外部電極層１４ｂよりも、セラミック素体１１に強固に密着する層であってもよい。第４の外部電極層１４ａは、内部電極１２のうち第２の内部電極層１２ｂとの電気的接続の信頼性を向上させてもよい。第４の外部電極層１４ａは、ＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ合金から構成されてもよい。ＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ合金などからなる金属粉末を含む導電性ペーストをセラミック素体１１の第２の面１１ｂ上に塗布し、この導電性ペーストを焼結することによって、第４の外部電極層１４ａが形成されてもよい。第５の外部電極層１４ｂは、第４の外部電極層１４ａ上に配置される。はんだ等のような第１の接合部材３１に第４の外部電極層１４ａを構成する材料が食われることを、第５の外部電極層１４ｂは防止してもよい。第５の外部電極層１４ｂは、ニッケル（Ｎｉ）から構成されてもよい。第５の外部電極層１４ｂは、めっき法により形成されてもよい。第６の外部電極層１４ｃは、第５の外部電極層１４ｂ上に配置される。第６の外部電極層１４ｃは、第５の外部電極層１４ｂよりも良好なはんだ付け性を有してもよい。第６の外部電極層１４ｃは、Ｓｎ、またはＳｎ−Ｐｂ合金から構成されてもよい。第６の外部電極層１４ｃは、めっき法により形成されてもよい。

内部電極１２は、第１の内部電極層１２ａと、第２の内部電極層１２ｂとを含んでもよい。第１の内部電極層１２ａは、第１の外部電極１３に電気的に接続されるが、第２の外部電極１４に電気的に接続されない。第２の内部電極層１２ｂは、第２の外部電極１４に電気的に接続されるが、第１の外部電極１３に電気的に接続されない。第１の内部電極層１２ａは複数の層から構成されてもよい。第２の内部電極層１２ｂは複数の層から構成されてもよい。第１の内部電極層１２ａ及び第２の内部電極層１２ｂは、セラミック素体１１を挟んで交互に積層されてもよい。内部電極１２は、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ｎｉなどの金属材料から形成されてもよい。

可撓性接続部材２０は、可撓性導電部分（２０）を含む。可撓性接続部材２０は、可撓性導電部分（２０）から構成されてもよい。可撓性接続部材２０は、第１の接合部材３１によって、第２の外部電極１４に電気的及び機械的に接続される。可撓性導電部分（２０）は、第１の接合部材３１によって第２の外部電極１４に接合される第１の主面２０ａと、第１の主面２０ａと反対側の第２の主面２０ｂとを有する。可撓性導電部分（２０）は、第１の接合部材３１によって第２の外部電極１４に接合される第１の部分２１と、第１の部分２１から延在する第２の部分２２とを有する。可撓性導電部分（２０）は、第１の外部電極１３及び第２の外部電極１４のうち第２の外部電極１４にのみ、第１の接合部材３１によって接合される。特定的には、可撓性導電部分（２０）の第１の部分２１における第１の主面２０ａは、第１の接合部材３１によって、第２の外部電極１４の第６の外部電極層１４ｃに接合される。可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２には、第１の接合部材３１は存在しない。可撓性接続部材２０は、第１の外部電極１３上に存在しない。第１の外部電極１３の表面、すなわち第３の外部電極層１３ｃの表面は露出している。

可撓性導電部分（２０）は、金属材料で構成されてもよい。可撓性導電部分（２０）は、銅、アルミニウム、ニッケル、すず、亜鉛、銀、金からなる群より選ばれる元素を５０質量％以上含んでもよい。可撓性導電部分（２０）は、Ｃｕ、Ｃｕ−Ｚｎ合金もしくはＣｕ−Ｓｎ合金などのＣｕ合金、または、ＳｎもしくはＮｉによって表面処理されたアルミニウムもしくは鉄から構成されてもよい。可撓性導電部分（２０）と第１の接合部材３１との電気的接続の安定性を向上させるために、可撓性導電部分（２０）の表面に、金、銀及びパラジウムなどで形成される貴金属層が施されてもよい。

第１の接合部材３１は、鉛含有はんだ、鉛フリーはんだ、導電性接着剤、金、銀、銅及びニッケルのいずれかであってもよい。鉛含有はんだは、９５質量％Ｐｂ−５質量％ＳｎはんだのようなＰｂ−Ｓｎ系はんだ、またはＰｂ−Ｉｎ系はんだであってもよい。鉛フリーはんだは、Ｓｎ−３質量％Ａｇ−０．５質量％ＣｕはんだのようなＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｂ系はんだ、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｉｎ系はんだ、またはＳｎ−５８質量％ＢｉはんだのようなＳｎ−Ｂｉ系はんだであってもよい。導電性接着剤は、銀もしくは銀合金からなる金属微粒子を含むエポキシ樹脂、または銅または銅合金からなる金属微粒子を含むフェノール樹脂であってもよい。金、銀、銅またはニッケルからなる第１の接合部材３１は、金、銀、銅またはニッケルからなる金属ナノ粒子を含むペーストを例えば３００℃以下の低温で焼結することによって形成されてもよい。

可撓性接続部材２０は、屈曲部２３をさらに有してもよい。可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２における第１の主面２０ａの少なくとも一部がセラミック電子部品１０から離れる方向に延在するように、可撓性接続部材２０は屈曲部２３において屈曲されてもよい。可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２における第１の主面２０ａの少なくとも一部が第２の端子４３の第５の主面４３ｂに面するように、可撓性接続部材２０は屈曲部２３において屈曲されてもよい。可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２における第１の主面２０ａの少なくとも一部は、セラミック素体１１の第２の面１１ｂと交差する方向に延在してもよい。可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２における第１の主面２０ａの少なくとも一部は、セラミック素体１１の第３の面１１ｃ、セラミック素体１１の第４の面１１ｄ、第１の内部電極層１２ａ及び第２の内部電極層１２ｂの少なくとも１つと実質的に平行に延在してもよい。屈曲部２３は、可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２のうち、第１の部分２１側の領域に位置してもよい。可撓性接続部材２０は屈曲部２３を有さず、第２の部分２２は、第１の部分２１から真っ直ぐ延在してもよい。

図２を参照して、本実施の形態の回路モジュール１ａは、電子部品モジュール１と、回路基板４０とを備える。回路基板４０は、基材４１と、第１の端子４２と、第２の端子４３と配線（図示せず）とを有する。回路基板４０はプリント配線板であってもよい。

基材４１は、第３の主面４１ａを有する。第３の主面４１ａは、回路基板４０の主面でもある。基材４１は、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、紙繊維強化フェノール樹脂、ガラス不織布強化エポキシ樹脂、ＢＴレジンもしくはポリイミド樹脂などの樹脂、アルミニウム、アルミニウム合金、銅もしくは銅合金などの金属、または、アルミナ、窒化アルミニウムもしくは窒化シリコンなどのセラミックスから構成されてもよい。基材４１は、リードフレームであってもよい。第１の端子４２は、第３の主面４１ａ上に配置されてもよい。第２の端子４３は、第３の主面４１ａ上に配置されてもよい。第１の端子４２は、基材４１と反対側に第４の主面４２ｂを有する。第２の端子４３は、基材４１と反対側に第５の主面４３ｂを有する。第１の端子４２及び第２の端子４３は、Ｃｕで形成されてもよい。

第１の外部電極１３は、第２の接合部材３２によって、第１の端子４２に接合される。特定的には、第１の外部電極１３の第３の外部電極層１３ｃは、第２の接合部材３２によって、第１の端子４２の第４の主面４２ｂに電気的及び機械的に接続される。可撓性接続部材２０は、第３の接合部材３３によって、第２の端子４３に接合される。特定的には、可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２における第１の主面２０ａは、第３の接合部材３３によって、第２の端子４３の第５の主面４３ｂに電気的及び機械的に接続される。第２の外部電極１４は、可撓性導電部分（２０）を介して、第２の端子４３に電気的に接続される。可撓性導電部分（２０）は、可撓性導電部分（２０）の第１の主面２０ａの一方の端部において、第１の接合部材３１によって第２の外部電極１４に接合されてもよい。可撓性導電部分（２０）は、可撓性導電部分（２０）の第１の主面２０ａの他方の端部において、第３の接合部材３３によって第２の端子４３の第５の主面４３ｂに接合されてもよい。

第２の接合部材３２及び第３の接合部材３３は、鉛含有はんだ、鉛フリーはんだ、導電性接着剤、金、銀、銅及びニッケルのいずれかであってもよい。鉛含有はんだは、９５質量％Ｐｂ−５質量％ＳｎはんだのようなＰｂ−Ｓｎ系はんだ、または、Ｐｂ−Ｉｎ系はんだであってもよい。鉛フリーはんだは、Ｓｎ−３質量％Ａｇ−０．５質量％ＣｕはんだのようなＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｂ系はんだ、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｉｎ系はんだ、またはＳｎ−５８質量％ＢｉはんだのようなＳｎ−Ｂｉ系はんだであってもよい。導電性接着剤は、銀もしくは銀合金からなる金属微粒子を含むエポキシ樹脂、または銅または銅合金からなる金属微粒子を含むフェノール樹脂であってもよい。金、銀、銅またはニッケルからなる第２の接合部材３２及び第３の接合部材３３は、金、銀、銅またはニッケルからなる金属ナノ粒子を含むペーストを例えば３００℃以下の低温で焼結することによって形成されてもよい。第２の接合部材３２及び第３の接合部材３３は、第１の接合部材３１と異なる材料から構成されてもよい。第３の接合部材３３は、第２の接合部材３２と同じ材料で構成されてもよい。第１の接合部材３１は、第３の接合部材３３よりも高い融点を有してもよい。第１の接合部材３１は、第３の接合部材３３よりも低い融点を有してもよい。第１の接合部材３１は、第３の接合部材３３から離れてもよい。

図３を参照して、本実施の形態の電子部品モジュール１の製造方法を説明する。本実施の形態の電子部品モジュール１の製造方法は、セラミック素体１１と、第１の外部電極１３と、第２の外部電極１４とを含むセラミック電子部品１０を準備する工程（Ｓ１０）を備える。セラミック素体１１は、第１の面１１ａと、第１の面１１ａと異なる第２の面１１ｂとを有する。第１の外部電極１３は、第１の面１１ａ上に配置されている。第２の外部電極１４は、第２の面１１ｂ上に配置されている。本実施の形態の電子部品モジュール１の製造方法は、第１の外部電極１３及び第２の外部電極１４のうち第２の外部電極１４にのみ、可撓性導電部分（２０）を含む可撓性接続部材２０を第１の接合部材３１によって接合する工程（Ｓ１１）をさらに備える。可撓性導電部分（２０）は、第２の外部電極１４に接合される第１の部分２１と、第１の部分２１から延在する第２の部分２２とを有する。可撓性接続部材２０は、屈曲部２３をさらに有してもよい。

本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法を説明する。本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法では、第１の接合部材３１、第２の接合部材３２及び第３の接合部材３３の中でより高い融点を有する接合部材が、より早く固まってもよい。そのため、セラミック電子部品１０、可撓性接続部材２０、第１の端子４２及び第２の端子４３の相対的な位置がずれることを防止することができる。セラミック電子部品１０、可撓性接続部材２０、第１の端子４２及び第２の端子４３の機械的及び電気的接続を確保することができる。

図４を参照して、本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法の第１の例は、図３と同様の製造方法によって製造された電子部品モジュール１を準備する工程（Ｓ１０及びＳ１１）を備える。具体的には、本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法の第１の例は、セラミック素体１１と、第１の外部電極１３と、第２の外部電極１４とを含むセラミック電子部品１０を準備する工程（Ｓ１０）を備える。セラミック素体１１は、第１の面１１ａと、第１の面１１ａと異なる第２の面１１ｂとを有する。第１の外部電極１３は、第１の面１１ａ上に配置されている。第２の外部電極１４は、第２の面１１ｂ上に配置されている。

本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法の第１の例は、第１の外部電極１３及び第２の外部電極１４のうち第２の外部電極１４にのみ、可撓性導電部分（２０）を含む可撓性接続部材２０を第１の接合部材３１によって接合する工程（Ｓ１１）をさらに備える。可撓性導電部分（２０）は、第２の外部電極１４に接合される第１の部分２１と、第１の部分２１から延在する第２の部分２２とを有する。第２の外部電極１４及び可撓性導電部分（２０）の第１の部分２１の少なくとも１つに、はんだ鏝の鏝先の溶融はんだを接触させて、第２の外部電極１４及び可撓性導電部分（２０）の第１の部分２１の少なくとも１つに、第１の接合部材３１が供給されてもよい。

本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法の第１の例は、第３の接合部材３３によって可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２を回路基板４０の第２の端子４３に接合する工程（Ｓ１２）をさらに備える。可撓性接続部材２０は、屈曲部２３をさらに有してもよい。第２の端子４３及び可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２の少なくとも１つに、はんだ鏝の鏝先の溶融はんだを接触させて、第２の端子４３及び可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２の少なくとも１つに、第３の接合部材３３が供給されてもよい。

本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法の第１の例は、第２の接合部材３２によって第１の外部電極１３を回路基板４０の第１の端子４２に接合する工程（Ｓ１３）をさらに備える。第１の端子４２及び第１の外部電極１３の少なくとも１つに、はんだ鏝の鏝先の溶融はんだを接触させて、第１の端子４２及び第１の外部電極１３の少なくとも１つに、第２の接合部材３２が設けられてもよい。第３の接合部材３３は、第２の接合部材３２よりも高い融点を有してもよい。第２の接合部材３２によって第１の外部電極１３を回路基板４０の第１の端子４２に接合する工程（Ｓ１３）において、可撓性接続部材２０と回路基板４０の第２の端子４３との相対的な位置がずれることを防止することができる。その結果、可撓性接続部材２０の可撓性導電部分（２０）と回路基板４０の第２の端子４３との機械的及び電気的接続を確保することができる。

図５を参照して、本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法の第２の例では、第２の接合部材３２によって第１の外部電極１３を回路基板４０の第１の端子４２に接合する工程（Ｓ１３）は、第３の接合部材３３によって可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２を回路基板４０の第２の端子４３に接合する工程（Ｓ１２）の前に行われてもよい。第２の接合部材３２は、第３の接合部材３３よりも高い融点を有してもよい。第３の接合部材３３によって可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２を回路基板４０の第２の端子４３に接合する工程（Ｓ１２）において、セラミック電子部品１０の第１の外部電極１３と回路基板４０の第１の端子４２との相対的な位置がずれることを防止することができる。その結果、セラミック電子部品１０の第１の外部電極１３と回路基板４０の第１の端子４２との機械的及び電気的接続を確保することができる。

本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法の第３の例では、第２の接合部材３２によって第１の外部電極１３を回路基板４０の第１の端子４２に接合する工程（Ｓ１３）は、第３の接合部材３３によって可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２を回路基板４０の第２の端子４３に接合する工程（Ｓ１２）と一緒に行われてもよい。

本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法の第１の例から第３の例では、第１の接合部材３１が第２の接合部材３２及び第３の接合部材３３よりも高い融点を有することが好ましい。第１の接合部材３１は、第２の接合部材３２及び第３の接合部材３３よりも高い融点を有するため、第３の接合部材３３によって可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２を回路基板４０の第２の端子４３に接合する工程（Ｓ１２）と第３の接合部材３３によって第１の外部電極１３を回路基板４０の第１の端子４２に接合する工程（Ｓ１３）とにおいて、セラミック電子部品１０の第２の外部電極１４と可撓性接続部材２０との相対的な位置がずれることを防止することができる。その結果、セラミック電子部品１０の第２の外部電極１４と可撓性接続部材２０との機械的及び電気的接続を確保することができる。

図６及び図７を参照して、本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法の第４の例から第６の例では、第３の接合部材３３によって可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２を回路基板４０の第２の端子４３に接合する工程（Ｓ１２）が、第１の外部電極１３及び第２の外部電極１４のうち第２の外部電極１４にのみ、可撓性導電部分（２０）を含む可撓性接続部材２０を第１の接合部材３１によって接合する工程（Ｓ１１）及び第２の接合部材３２によって第１の外部電極１３を回路基板４０の第１の端子４２に接合する工程（Ｓ１３）の前に行われてもよい。

図６を参照して、本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法の第４の例を説明する。本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法の第４の例は、セラミック素体１１と、第１の外部電極１３と、第２の外部電極１４とを含むセラミック電子部品１０を準備する工程（Ｓ１０）を備える。本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法の第４の例は、第３の接合部材３３によって可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２を回路基板４０の第２の端子４３に接合する工程（Ｓ１２）をさらに備える。可撓性接続部材２０は、屈曲部２３をさらに有してもよい。本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法の第４の例は、第１の外部電極１３及び第２の外部電極１４のうち第２の外部電極１４にのみ、可撓性導電部分（２０）を含む可撓性接続部材２０を第１の接合部材３１によって接合する工程（Ｓ１１）をさらに備える。可撓性導電部分（２０）は、第２の外部電極１４に接合される第１の部分２１と、第１の部分２１から延在する第２の部分２２とを有する。本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法の第４の例は、第２の接合部材３２によって第１の外部電極１３を回路基板４０の第１の端子４２に接合する工程（Ｓ１３）をさらに備える。

第１の接合部材３１は、第２の接合部材３２よりも高い融点を有してもよい。第２の接合部材３２によって第１の外部電極１３を回路基板４０の第１の端子４２に接合する工程（Ｓ１３）において、セラミック電子部品１０の第２の外部電極１４と可撓性接続部材２０との相対的な位置がずれることを防止することができる。その結果、セラミック電子部品１０の第２の外部電極１４と可撓性接続部材２０との機械的及び電気的接続を確保することができる。

図７を参照して、本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法の第５の例では、第２の接合部材３２によって第１の外部電極１３を回路基板４０の第１の端子４２に接合する工程（Ｓ１３）は、第２の外部電極１４に可撓性接続部材２０の可撓性導電部分（２０）の第１の部分２１を第１の接合部材３１によって接合する工程（Ｓ１１）の前に行われてもよい。第２の接合部材３２は、第１の接合部材３１よりも高い融点を有してもよい。第２の外部電極１４に可撓性接続部材２０の可撓性導電部分（２０）の第１の部分２１を第１の接合部材３１によって接合する工程（Ｓ１１）において、セラミック電子部品１０の第１の外部電極１３と回路基板４０の第１の端子４２との相対的な位置がずれることを防止することができる。その結果、セラミック電子部品１０の第１の外部電極１３と回路基板４０の第１の端子４２との機械的及び電気的接続を確保することができる。

本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法の第６の例では、第２の接合部材３２によって第１の外部電極１３を回路基板４０の第１の端子４２に接合する工程（Ｓ１３）は、第２の外部電極１４に可撓性接続部材２０の可撓性導電部分（２０）の第１の部分２１を第１の接合部材３１によって接合する工程（Ｓ１１）と一緒に行われてもよい。

本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法の第４の例から第６の例では、第３の接合部材３３が第１の接合部材３１及び第２の接合部材３２よりも高い融点を有することが好ましい。第３の接合部材３３は、第１の接合部材３１及び第２の接合部材３２よりも高い融点を有するため、第２の外部電極１４に可撓性接続部材２０の可撓性導電部分（２０）の第１の部分２１を第１の接合部材３１によって接合する工程（Ｓ１１）と第２の接合部材３２によって第１の外部電極１３を回路基板４０の第１の端子４２に接合する工程（Ｓ１３）とにおいて、可撓性接続部材２０と回路基板４０の第２の端子４３との相対的な位置がずれることを防止することができる。その結果、可撓性接続部材２０と回路基板４０の第２の端子４３との機械的及び電気的接続を確保することができる。

本実施の形態の電子部品モジュール１、回路モジュール１ａ、電子部品モジュール１の製造方法及び回路モジュール１ａの製造方法の効果を説明する。

本実施の形態の電子部品モジュール１は、セラミック電子部品１０と、可撓性接続部材２０とを備える。セラミック電子部品１０は、セラミック素体１１と、第１の外部電極１３と、第２の外部電極１４とを含む。セラミック素体１１は、第１の面１１ａと、第１の面１１ａと異なる第２の面１１ｂとを有する。第１の外部電極１３は、第１の面１１ａ上に配置される。第２の外部電極１４は、第２の面１１ｂ上に配置される。可撓性接続部材２０は、可撓性導電部分（２０）を含む。可撓性導電部分（２０）は、第１の外部電極１３及び第２の外部電極１４のうち第２の外部電極１４にのみ第１の接合部材３１によって接合される。可撓性導電部分（２０）は、第２の外部電極１４に接合される第１の部分２１と、第１の部分２１から延在する第２の部分２２とを有する。

本実施の形態の電子部品モジュール１では、セラミック電子部品１０の第２の外部電極１４に接合される可撓性接続部材２０は、可撓性を有する。そのため、可撓性接続部材２０は、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１に加わる応力を緩和することができる。可撓性接続部材２０によって緩和される応力として、回路基板４０へのセラミック電子部品１０のはんだ接合時にセラミック素体１１に加わる熱応力と、セラミック電子部品１０の動作時にセラミック素体１１に加わる熱応力と、回路基板が有する機械的応力に起因してセラミック素体１１に加わる機械的応力とが例示され得る。本実施の形態の電子部品モジュール１によれば、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１にクラックが生じることが抑制され得る。また、可撓性導電部分（２０）を含む可撓性接続部材２０は、第１の外部電極１３及び第２の外部電極１４のうち第２の外部電極１４にのみ第１の接合部材３１によって接合される。可撓性接続部材２０は、セラミック電子部品１０の第１の外部電極１３上に存在しない。電子部品モジュール１における可撓性接続部材２０の数を減少させることができる。そのため、本実施の形態の電子部品モジュール１は、簡素な構造を有する。

本実施の形態の電子部品モジュール１では、可撓性接続部材２０は屈曲部２３を有してもよい。可撓性導電部分（２０）を含む可撓性接続部材２０が屈曲部２３において屈曲されているため、屈曲部２３における可撓性接続部材２０の剛性が低下する。そのため、屈曲された可撓性接続部材２０は、セラミック素体１１に加わる応力を一層緩和することができる。屈曲された可撓性接続部材２０は、セラミック素体１１にクラックが生じることを一層抑制し得る。また、可撓性接続部材２０は屈曲部２３を有するため、可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２における第１の主面２０ａの少なくとも一部が、回路基板４０の第２の端子４３の第５の主面４３ｂに面し得る。そのため、可撓性導電部分（２０）は、回路基板４０の第２の端子４３と大きな面積で強固に接合され得る。

本実施の形態の回路モジュール１ａは、電子部品モジュール１と、回路基板４０とを備える。回路基板４０は、第１の端子４２と、第２の端子４３とを有する。第１の外部電極１３は、第２の接合部材３２によって、第１の端子４２に接合される。可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２は、第３の接合部材３３によって、第２の端子４３に接合される。

本実施の形態の回路モジュール１ａでは、セラミック電子部品１０の第２の外部電極１４及び回路基板４０の第２の端子４３に接合される可撓性接続部材２０は、可撓性を有する。そのため、可撓性接続部材２０は、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１に加わる応力を緩和することができる。可撓性接続部材２０によって緩和される応力として、回路基板４０へのセラミック電子部品１０のはんだ接合時にセラミック素体１１に加わる熱応力と、セラミック電子部品１０の動作時にセラミック素体１１に加わる熱応力と、回路基板が有する機械的応力に起因してセラミック素体１１に加わる機械的応力とが例示され得る。本実施の形態の回路モジュール１ａによれば、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１にクラックが生じることが抑制され得る。また、可撓性導電部分（２０）を含む可撓性接続部材２０は、第１の外部電極１３と回路基板４０の第１の端子４２との間に存在しない。回路モジュール１ａにおける可撓性接続部材２０の数を減少させることができる。そのため、本実施の形態の回路モジュール１ａは、簡素な構造を有する。

本実施の形態の回路モジュール１ａでは、可撓性接続部材２０は屈曲部２３を有してもよい。可撓性導電部分（２０）を含む可撓性接続部材２０が屈曲部２３において屈曲されているため、屈曲部２３における可撓性接続部材２０の剛性が低下する。そのため、屈曲された可撓性接続部材２０は、セラミック素体１１に加わる応力を一層緩和することができる。屈曲された可撓性接続部材２０は、セラミック素体１１にクラックが生じることを一層抑制し得る。また、可撓性導電部分（２０）を含む可撓性接続部材２０が屈曲部２３において屈曲されているため、可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２における第１の主面２０ａの少なくとも一部は、第２の端子４３の第５の主面４３ｂに面し得る。そのため、可撓性導電部分（２０）は、回路基板４０の第２の端子４３と大きな面積で強固に接合され得る。

本実施の形態の回路モジュール１ａでは、第１の接合部材３１は、第３の接合部材３３から離れてもよい。第１の接合部材３１は第３の接合部材３３から離れているため、第１の接合部材３１は第３の接合部材３３と混ざり合わない。そのため、第１の接合部材３１が第３の接合部材３３と混ざり合うことによって第１の接合部材３１及び第３の接合部材３３の熱的及び機械的特性が変化することを、本実施の形態の回路モジュール１ａは防止することができる。また、第１の接合部材３１は第３の接合部材３３から離れているため、可撓性導電部分（２０）の第１の主面２０ａの全てが第１の接合部材３１及び第３の接合部材３３によって覆われることはない。可撓性導電部分（２０）の第１の主面２０ａの全てが第１の接合部材３１及び第３の接合部材３３によって覆われることにより可撓性接続部材２０の可撓性が失われることを、本実施の形態の回路モジュール１ａは防ぐことができる。そのため、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１にクラックが生じることがさらに抑制され得る。

本実施の形態の回路モジュール１ａでは、第１の接合部材３１、第２の接合部材３２及び第３の接合部材３３は、鉛含有はんだ、鉛フリーはんだ、導電性接着剤、金、銀、銅及びニッケルのいずれかであってもよい。Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｂ系はんだまたはＳｎ−Ｓｂ系はんだのような鉛フリーはんだは、Ｐｂ−Ｓｎ系はんだまたはＰｂ−Ｉｎ系はんだのような鉛含有はんだよりも、クリープ変形しにくい。第２の接合部材３２及び第３の接合部材３３として、クリープ変形しにくい鉛フリーはんだが用いられる場合には、第２の接合部材３２及び第３の接合部材３３によってセラミック素体１１に加わる応力を緩和することは難しい。これに対し、本実施の形態の回路モジュール１ａでは、可撓性接続部材２０は可撓性を有する。そのため、たとえ、第２の接合部材３２及び第３の接合部材３３としてクリープ変形しにくい鉛フリーはんだが用いられても、可撓性接続部材２０は、セラミック素体１１に加わる応力を緩和して、セラミック素体１１にクラックが生じることが抑制され得る。

本実施の形態の電子部品モジュール１の製造方法は、セラミック素体１１と、第１の外部電極１３と、第２の外部電極１４とを含むセラミック電子部品１０を準備することを備える。セラミック素体１１は、第１の面１１ａと、第１の面１１ａと異なる第２の面１１ｂとを有する。第１の外部電極１３は、第１の面１１ａ上に配置される。第２の外部電極１４は、第２の面１１ｂ上に配置される。本実施の形態の電子部品モジュール１の製造方法は、第１の外部電極１３及び第２の外部電極１４のうち第２の外部電極１４にのみ、可撓性導電部分（２０）を含む可撓性接続部材２０を第１の接合部材３１によって接合することをさらに備える。可撓性導電部分（２０）は、第２の外部電極１４に接合される第１の部分２１と、第１の部分２１から延在する第２の部分２２とを有する。

本実施の形態の電子部品モジュール１の製造方法において、セラミック電子部品１０の第２の外部電極１４に接合される可撓性接続部材２０は、可撓性を有する。そのため、可撓性接続部材２０は、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１に加わる応力を緩和することができる。本実施の形態の電子部品モジュール１の製造方法によれば、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１にクラックが生じることが抑制され得る。また、本実施の形態の電子部品モジュール１の製造方法は、第１の外部電極１３及び第２の外部電極１４のうち第２の外部電極１４にのみ、可撓性導電部分（２０）を含む可撓性接続部材２０を第１の接合部材３１によって接合することを備える。可撓性接続部材２０は、第１の外部電極１３上に存在しない。電子部品モジュール１における可撓性接続部材２０の数を減少させることができる。第１の外部電極１３に可撓性接続部材２０を接合する工程が省かれ得る。本実施の形態の電子部品モジュール１の製造方法によれば、簡素な構造を有する電子部品モジュール１を、低減された製造コスト及び低減された製造工程数で製造することができる。

本実施の形態の電子部品モジュール１の製造方法において、可撓性接続部材２０は屈曲部２３を有してもよい。可撓性導電部分（２０）を含む可撓性接続部材２０が屈曲部２３において屈曲されているため、屈曲部２３における可撓性接続部材２０の剛性が低下する。そのため、屈曲された可撓性接続部材２０は、セラミック素体１１に加わる応力を一層緩和することができる。屈曲された可撓性接続部材２０は、セラミック素体１１にクラックが生じることを一層抑制し得る。また、可撓性接続部材２０は屈曲部２３を有するため、可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２における第１の主面２０ａの少なくとも一部が、回路基板４０の第２の端子４３の第５の主面４３ｂに面し得る。そのため、可撓性導電部分（２０）は、回路基板４０の第２の端子４３と大きな面積で強固に接合され得る。

本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法は、セラミック素体１１と、第１の外部電極１３と、第２の外部電極１４とを含むセラミック電子部品１０を準備することを備える。セラミック素体１１は、第１の面１１ａと、第１の面１１ａと異なる第２の面１１ｂとを有する。第１の外部電極１３は、第１の面１１ａ上に配置される。第２の外部電極１４は、第２の面１１ｂ上に配置される。本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法は、第１の外部電極１３及び第２の外部電極１４のうち第２の外部電極１４にのみ、可撓性導電部分（２０）を含む可撓性接続部材２０を第１の接合部材３１によって接合することをさらに備える。可撓性導電部分（２０）は、第２の外部電極１４に接合される第１の部分２１と、第１の部分２１から延在する第２の部分２２とを有する。本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法は、第２の接合部材３２によって第１の外部電極１３を回路基板４０の第１の端子４２に接合することと、第３の接合部材３３によって可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２を回路基板４０の第２の端子４３に接合することとを備える。

本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法において、セラミック電子部品１０の第２の外部電極１４及び回路基板４０の第２の端子４３に接合される可撓性接続部材２０は、可撓性を有する。そのため、可撓性接続部材２０は、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１に加わる応力を緩和することができる。本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法によれば、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１にクラックが生じることが抑制され得る。また、可撓性接続部材２０は、第１の外部電極１３と回路基板４０の第１の端子４２との間に存在しない。回路モジュール１ａにおける可撓性接続部材２０の数を減少させることができる。第１の外部電極１３に可撓性接続部材２０を接合する工程が省かれ得る。本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法によれば、簡素な構造を有する回路モジュール１ａを、低減された製造コスト及び低減された製造工程数で製造することができる。

本実施の形態の回路モジュール１ａの製造方法において、可撓性接続部材２０は屈曲部２３を有してもよい。可撓性導電部分（２０）を含む可撓性接続部材２０が屈曲部２３において屈曲されているため、屈曲部２３における可撓性接続部材２０の剛性が低下する。そのため、屈曲された可撓性接続部材２０は、セラミック素体１１に加わる応力を一層緩和することができる。屈曲された可撓性接続部材２０は、セラミック素体１１にクラックが生じることを一層抑制し得る。また、可撓性接続部材２０は屈曲部２３を有するため、可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２における第１の主面２０ａの少なくとも一部が、回路基板４０の第２の端子４３の第５の主面４３ｂに面し得る。そのため、可撓性導電部分（２０）は、回路基板４０の第２の端子４３と大きな面積で強固に接合され得る。

（実施の形態２）
図８を参照して、実施の形態２に係る電子部品モジュール２を説明する。図９を参照して、実施の形態２に係る回路モジュール２ａを説明する。本実施の形態の電子部品モジュール２及び回路モジュール２ａは、基本的には、実施の形態１の電子部品モジュール１及び回路モジュール１ａと同様の構成を備えるが、主に以下の点で異なる。

本実施の形態の電子部品モジュール２及び回路モジュール２ａにおいて、可撓性接続部材２０は、可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２における第１の主面２０ａ上に、セラミック電子部品１０側に突出する凸部２４をさらに含んでもよい。第１の接合部材３１は、凸部２４によって、第３の接合部材３３から分離されてもよい。凸部２４は、第１の接合部材３１を堰き止めて、第１の接合部材３１が第３の接合部材３３と混ざり合うことを防止することができる。凸部２４は、導電性を有してもよいし、絶縁性を有してもよい。凸部２４は、エポキシ樹脂またはソルダーレジストのような樹脂から構成されてもよい。凸部２４は可撓性を有してもよい。

本実施の形態の電子部品モジュール２及び回路モジュール２ａの効果を説明する。本実施の形態の電子部品モジュール２及び回路モジュール２ａは、実施の形態１の電子部品モジュール１及び回路モジュール１ａの効果に加えて、以下の効果を有する。

本実施の形態の電子部品モジュール２及び回路モジュール２ａにおいて、凸部２４は第１の接合部材３１から第３の接合部材３３を分離する。そのため、凸部２４は、第１の接合部材３１が第３の接合部材３３と混ざり合って第１の接合部材３１及び第３の接合部材３３の熱的及び機械的特性が変化することを、凸部２４は確実に防止することができる。また、可撓性導電部分（２０）の第１の主面２０ａの全てが第１の接合部材３１及び第３の接合部材３３によって覆われることにより可撓性接続部材２０の可撓性が失われることを、凸部２４は防止することができる。そのため、凸部２４は、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１にクラックが生じることを確実に抑制することができる。

（実施の形態３）
図１０を参照して、実施の形態３に係る電子部品モジュール３を説明する。図１１を参照して、実施の形態３に係る回路モジュール３ａを説明する。本実施の形態の電子部品モジュール３及び回路モジュール３ａは、基本的には、実施の形態１の電子部品モジュール１及び回路モジュール１ａと同様の構成を備えるが、主に以下の点で異なる。

本実施の形態では、可撓性接続部材５０は、可撓性導電部分５１と、可撓性導電部分５１に積層された可撓性樹脂部分５２とを含む。そのため、本実施の形態における可撓性接続部材５０は、実施の形態１における可撓性接続部材２０と同様の機械的強度を有しつつ、実施の形態１における可撓性接続部材２０よりもさらに大きな可撓性を有する。本実施の形態における可撓性導電部分５１は、実施の形態１における可撓性導電部分（２０）よりも薄くてもよい。可撓性樹脂部分５２は、可撓性導電部分５１よりも大きな可撓性を有してもよい。可撓性樹脂部分５２は、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂及びシリコンゴムのいずれかで構成されてもよい。

可撓性導電部分５１は、第１の接合部材３１によって第２の外部電極１４に接合される第１の主面５１ａと、第１の主面５１ａと反対側の第２の主面５２ｂとを有する。本実施の形態の可撓性導電部分５１は、第１の接合部材３１によって第２の外部電極１４に接合される第１の部分５３と、第１の部分５３から延在する第２の部分５４とを有する。可撓性導電部分５１の第１の部分５３における第１の主面５１ａは、第１の接合部材３１によって、第２の外部電極１４の第６の外部電極層１４ｃに接合される。本実施の形態における第１の部分５３は、実施の形態１の第１の部分２１と同様の構成を備え、同様の機能を有する。本実施の形態における第２の部分５４は、実施の形態１の第２の部分２２と同様の構成を備え、同様の機能を有する。可撓性接続部材５０は、屈曲部５５をさらに有してもよい。本実施の形態における屈曲部５５は、実施の形態１の屈曲部２３と同様の構成を備え、同様の機能を有する。

本実施の形態の電子部品モジュール３及び回路モジュール３ａの効果を説明する。本実施の形態の電子部品モジュール３及び回路モジュール３ａは、実施の形態１の電子部品モジュール１及び回路モジュール１ａの効果に加えて、以下の効果を有する。

可撓性接続部材５０は、可撓性導電部分５１に積層された可撓性樹脂部分５２を含む。本実施の形態における可撓性接続部材５０は、実施の形態１における可撓性接続部材２０よりもさらに大きな可撓性を有する。そのため、屈曲された可撓性接続部材５０は、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１に加わる応力を一層緩和することができる。可撓性接続部材５０は、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１にクラックが生じることを一層抑制し得る。

（実施の形態４）
図１２を参照して、実施の形態４に係る電子部品モジュール４を説明する。図１３を参照して、実施の形態４に係る回路モジュール４ａを説明する。本実施の形態の電子部品モジュール４及び回路モジュール４ａは、基本的には、実施の形態３の電子部品モジュール３及び回路モジュール３ａと同様の構成を備えるが、主に以下の点で異なる。

本実施の形態の電子部品モジュール４及び回路モジュール４ａは、実施の形態３の電子部品モジュール３及び回路モジュール３ａにおいて、実施の形態２の凸部２４をさらに備える。具体的には、本実施の形態の電子部品モジュール４及び回路モジュール４ａにおいて、可撓性接続部材５０は、可撓性導電部分５１の第２の部分５４における第１の主面５１ａ上に、セラミック電子部品１０側に突出する凸部２４をさらに含んでもよい。本実施の形態の電子部品モジュール４及び回路モジュール４ａは、実施の形態２の電子部品モジュール２及び回路モジュール２ａの効果と、実施の形態３の電子部品モジュール３及び回路モジュール３ａの効果とを有する。

（実施の形態５）
図１４を参照して、実施の形態５に係る電子部品モジュール５を説明する。図１５を参照して、実施の形態５に係る回路モジュール５ａを説明する。本実施の形態の電子部品モジュール５及び回路モジュール５ａは、基本的には、実施の形態１の電子部品モジュール１及び回路モジュール１ａと同様の構成を備えるが、主に以下の点で異なる。

本実施の形態の電子部品モジュール５及び回路モジュール５ａでは、第１の主面２０ａが第２の主面２０ｂよりも外側に配置されるように、可撓性接続部材２０は折り返されている。可撓性接続部材２０は、複数の屈曲部２３を有する。可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２は、セラミック電子部品１０から離れる方向に延在する部分と、第１の部分２１からセラミック電子部品１０と反対側に離れてセラミック素体１１の第２の面１１ｂに沿って延在する部分と、セラミック電子部品１０に向かう方向に延在する部分とを含んでもよい。セラミック電子部品１０から離れる方向に延在する部分と、第１の部分２１との間に、屈曲部２３が配置されてもよい。セラミック電子部品１０から離れる方向に延在する部分と、第１の部分２１からセラミック電子部品１０と反対側に離れてセラミック素体１１の第２の面１１ｂに沿って延在する部分との間に、屈曲部２３が配置されてもよい。第１の部分２１からセラミック電子部品１０と反対側に離れてセラミック素体１１の第２の面１１ｂに沿って延在する部分と、セラミック電子部品１０に向かう方向に延在する部分との間に、屈曲部２３が配置されてもよい。第１の部分２１は、第２の部分２２におけるセラミック電子部品１０に向かう方向に延在する部分から離れている。

本実施の形態の回路モジュール５ａでは、可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２における第１の主面２０ａの少なくとも一部が第２の端子４３の第５の主面４３ｂに面してもよい。特定的には、セラミック電子部品１０に向かう方向に延在する部分における可撓性導電部分（２０）の第１の主面２０ａが第２の端子４３の第５の主面４３ｂに面してもよい。可撓性導電部分（２０）の第２の部分２２における第１の主面２０ａは、第３の接合部材３３によって、第２の端子４３の第５の主面４３ｂに接合される。可撓性導電部分（２０）は、可撓性導電部分（２０）の第１の主面２０ａの一方の端部において、第１の接合部材３１によって第２の外部電極１４に接合されている。可撓性導電部分（２０）は、可撓性導電部分（２０）の第１の主面２０ａの他方の端部において、第３の接合部材３３によって第２の端子４３に接合されてもよい。セラミック電子部品１０に向かう方向に延在する部分は、第２の端子４３に接合される可撓性導電部分（２０）の第１の主面２０ａの他方の端部を含んでもよい。可撓性導電部分（２０）の第１の主面２０ａの一方の端部は、可撓性導電部分（２０）の第１の主面２０ａの他方の端部から離れている。

本実施の形態の電子部品モジュール５及び回路モジュール５ａの効果を説明する。本実施の形態の電子部品モジュール５及び回路モジュール５ａは、実施の形態１の電子部品モジュール１及び回路モジュール１ａの効果に加えて、以下の効果を有する。

本実施の形態の電子部品モジュール５及び回路モジュール５ａでは、可撓性接続部材２０は、第１の主面２０ａが第２の主面２０ｂよりも外側に配置されるように折り返されている。本実施の形態の可撓性接続部材２０は、実施の形態１における可撓性接続部材２０よりも長い。可撓性接続部材２０が長いほど、可撓性接続部材２０はより大きく撓み得る。そのため、本実施の形態の可撓性接続部材２０は、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１に加わる応力を一層緩和することができる。本実施の形態の電子部品モジュール５及び回路モジュール５ａは、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１にクラックが生じることを一層抑制することができる。

本実施の形態の電子部品モジュール５及び回路モジュール５ａでは、可撓性接続部材２０は、第１の主面２０ａが第２の主面２０ｂよりも外側に配置されるように折り返されている。そのため、第１の接合部材３１が第３の接合部材３３と混ざり合って第１の接合部材３１及び第３の接合部材３３の熱的及び機械的特性が変化することが、確実に防止され得る。

（実施の形態６）
図１６を参照して、実施の形態６に係る電子部品モジュール６を説明する。図１７を参照して、実施の形態６に係る回路モジュール６ａを説明する。本実施の形態の電子部品モジュール６及び回路モジュール６ａは、基本的には、実施の形態５の電子部品モジュール５及び回路モジュール５ａと同様の構成を備えるが、主に以下の点で異なる。本実施の形態の可撓性接続部材５０は、実施の形態３の可撓性接続部材５０と同様に、可撓性導電部分５１と、可撓性導電部分５１に積層された可撓性樹脂部分５２とを含む。

本実施の形態の電子部品モジュール６及び回路モジュール６ａは、実施の形態５の電子部品モジュール５及び回路モジュール５ａの効果と、実施の形態３の電子部品モジュール３及び回路モジュール３ａの効果とを有する。例えば、本実施の形態の可撓性接続部材５０は、第１の主面２０ａが第２の主面２０ｂよりも外側に配置されるように折り返されている。本実施の形態の可撓性接続部材５０は、実施の形態１における可撓性接続部材２０よりも長い。さらに、本実施の形態における可撓性接続部材５０は、可撓性導電部分５１に積層された可撓性樹脂部分５２を含む。そのため、本実施の形態における可撓性接続部材５０は、実施の形態１における可撓性接続部材２０よりもさらに大きな可撓性を有する。本実施の形態における可撓性接続部材５０は、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１に加わる応力を一層緩和することができる。本実施の形態の電子部品モジュール６及び回路モジュール６ａは、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１にクラックが生じることを一層抑制し得る。

（実施の形態７）
図１８を参照して、実施の形態７に係る回路モジュール７ａを説明する。本実施の形態の回路モジュール７ａは、基本的には、実施の形態１の回路モジュール１ａと同様の構成を備えるが、主に以下の点で異なる。

本実施の形態の回路モジュール７ａでは、第１の外部電極１３と第２の外部電極１４と第１の端子４２とは、第１の端子４２が配置される回路基板４０の第３の主面４１ａに交差する方向に沿って配置されている。特定的には、第１の外部電極１３と第２の外部電極１４と第１の端子４２とは、第１の端子４２が配置される回路基板４０の第３の主面４１ａに垂直な方向に沿って配置されてもよい。

本実施の形態の回路モジュール７ａの効果を説明する。本実施の形態の回路モジュール７ａは、実施の形態１の回路モジュール１ａの効果に加えて、以下の効果を有する。本実施の形態の回路モジュール７ａでは、第１の外部電極１３と第２の外部電極１４と第１の端子４２とは、第１の端子４２が配置される回路基板４０の第３の主面４１ａに交差する方向に沿って配置されている。セラミック素体１１の第１の面１１ａと第２の面１１ｂとの間の距離は、セラミック素体１１の第３の面１１ｃと第４の面１１ｄとの間の距離よりも大きい。第１の外部電極１３と第２の外部電極１４と第１の端子４２とがそれぞれ回路基板４０の第３の主面４１ａに平行に配置される回路モジュールに比べて、本実施の形態の回路モジュール７ａは、より長い可撓性接続部材２０を備える。可撓性接続部材２０が長いほど、可撓性接続部材２０はより大きく撓み得る。そのため、本実施の形態の可撓性接続部材２０は、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１に加わる応力を一層緩和することができる。本実施の形態の回路モジュール７ａは、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１にクラックが生じることを一層抑制することができる。

（実施の形態８）
図１９を参照して、実施の形態８に係る回路モジュール８ａを説明する。本実施の形態の回路モジュール８ａは、基本的には、実施の形態７の回路モジュール７ａと同様の構成を備えるが、主に以下の点で異なる。本実施の形態の可撓性接続部材５０は、実施の形態３の可撓性接続部材５０と同様に、可撓性導電部分５１と、可撓性導電部分５１に積層された可撓性樹脂部分５２とを含む。

本実施の形態の回路モジュール８ａは、実施の形態７の回路モジュール７ａの効果と、実施の形態３の回路モジュール３ａの効果とを有する。例えば、本実施の形態の回路モジュール８ａでは、第１の外部電極１３と第２の外部電極１４と第１の端子４２とは、第１の端子４２が配置される回路基板４０の第３の主面４１ａに交差する方向に沿って配置されている。第１の外部電極１３と第２の外部電極１４と第１の端子４２とがそれぞれ回路基板４０の第３の主面４１ａに平行に配置される回路モジュールに比べて、本実施の形態の回路モジュール８ａは、より長い可撓性接続部材５０を備える。さらに、本実施の形態における可撓性接続部材５０は、可撓性導電部分５１に積層された可撓性樹脂部分５２とを含む。そのため、本実施の形態における可撓性接続部材５０は、実施の形態１における可撓性接続部材２０よりもさらに大きな可撓性を有する。本実施の形態における可撓性接続部材５０が長いことと大きな可撓性を有することとにより、可撓性接続部材５０は、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１に加わる応力を一層緩和することができる。本実施の形態の回路モジュール８ａは、セラミック電子部品１０のセラミック素体１１にクラックが生じることを一層抑制し得る。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。矛盾のない限り、今回開示された実施の形態１から実施の形態８の少なくとも２つを組み合わせてもよい。例えば、実施の形態７の可撓性接続部材２０に、実施の形態２の凸部２４を配置してもよい。実施の形態８の可撓性接続部材５０に、実施の形態４の凸部２４を配置してもよい。本発明の範囲は、上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。

１，２，３，４，５，６ 電子部品モジュール、１ａ，２ａ，３ａ，４ａ，５ａ，６ａ，７ａ，８ａ 回路モジュール、１０ セラミック電子部品、１１ セラミック素体、１１ａ 第１の面、１１ｂ 第２の面、１１ｃ 第３の面、１１ｄ 第４の面、１２ 内部電極、１２ａ 第１の内部電極層、１２ｂ 第２の内部電極層、１３ 第１の外部電極、１３ａ 第１の外部電極層、１３ｂ 第２の外部電極層、１３ｃ 第３の外部電極層、１４ 第２の外部電極、１４ａ 第４の外部電極層、１４ｂ 第５の外部電極層、１４ｃ 第６の外部電極層、２０，５０ 可撓性接続部材、２０ａ，５１ａ 第１の主面、２０ｂ，５１ｂ 第２の主面、２１，５３ 第１の部分、２２，５４ 第２の部分、２３，５５ 屈曲部、２４ 凸部、３１ 第１の接合部材、３２ 第２の接合部材、３３ 第３の接合部材、４０ 回路基板、４１ 基材、 ４１ａ 第３の主面、４２ 第１の端子、４２ｂ 第４の主面、４３ 第２の端子、４３ｂ 第５の主面、５１ 可撓性導電部分、５２ 可撓性樹脂部分。

Claims (17)

1. 第１の面と、前記第１の面と異なる第２の面とを有するセラミック素体と、前記第１の面上の第１の外部電極と、前記第２の面上の第２の外部電極とを含むセラミック電子部品と、
   可撓性導電部分を含む可撓性接続部材とを備え、
   前記可撓性導電部分は、前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極のうち前記第２の外部電極にのみ第１の接合部材によって接合され、
   前記可撓性導電部分は、前記第２の外部電極に接合される第１の部分と、前記第１の部分から延在する第２の部分とを有する、電子部品モジュール。
2. 前記可撓性接続部材は屈曲部を有する、請求項１に記載の電子部品モジュール。
3. 前記可撓性導電部分は、前記第１の接合部材によって前記第２の外部電極に接合される第１の主面と、前記第１の主面と反対側の第２の主面とを有し、
   前記可撓性接続部材は、前記第１の主面が前記第２の主面よりも外側に配置されるように折り返されている、請求項１または請求項２に記載の電子部品モジュール。
4. 前記可撓性導電部分は、金属材料で構成される、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電子部品モジュール。
5. 前記可撓性導電部分は、銅、アルミニウム、ニッケル、すず、亜鉛、銀、金からなる群より選ばれる元素を５０質量％以上含む、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電子部品モジュール。
6. 前記可撓性接続部材は、前記可撓性導電部分に積層された可撓性樹脂部分をさらに含む、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の電子部品モジュール。
7. 前記可撓性樹脂部分は、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、シリコンゴムのいずれかで構成される、請求項６に記載の電子部品モジュール。
8. 前記可撓性接続部材は、前記第２の部分上に、前記セラミック電子部品側に突出する凸部をさらに含む、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の電子部品モジュール。
9. 請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の電子部品モジュールと、
   第１の端子と第２の端子とを有する回路基板とを備え、
   前記第１の外部電極は、第２の接合部材によって、前記第１の端子に接合され、
   前記可撓性導電部分の前記第２の部分は、第３の接合部材によって、前記第２の端子に接合される、回路モジュール。
10. 前記第１の接合部材は、前記第３の接合部材から離れている、請求項９に記載の回路モジュール。
11. 前記可撓性接続部材は、前記第２の部分上に、凸部をさらに含み、
    前記第１の接合部材は、前記凸部によって、前記第３の接合部材から分離されている、請求項１０に記載の回路モジュール。
12. 前記第１の接合部材、前記第２の接合部材及び前記第３の接合部材は、鉛含有はんだ、鉛フリーはんだ、導電性接着剤、金、銀、銅、ニッケルのいずれかである、請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載の回路モジュール。
13. 前記第１の外部電極と前記第２の外部電極と前記第１の端子とは、前記第１の端子が配置される前記回路基板の主面に交差する方向に沿って配置される、請求項９から請求項１２のいずれか１項に記載の回路モジュール。
14. 第１の面と、前記第１の面と異なる第２の面とを有するセラミック素体と、前記第１の面上の第１の外部電極と、前記第２の面上の第２の外部電極とを含むセラミック電子部品を準備することと、
    前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極のうち前記第２の外部電極にのみ、可撓性導電部分を含む可撓性接続部材を第１の接合部材によって接合することとを備え、
    前記可撓性導電部分は、前記第２の外部電極に接合される第１の部分と、前記第１の部分から延在する第２の部分とを有する、電子部品モジュールの製造方法。
15. 前記可撓性接続部材は屈曲部を有する、請求項１４に記載の電子部品モジュールの製造方法。
16. 第１の面と、前記第１の面と異なる第２の面とを有するセラミック素体と、前記第１の面上の第１の外部電極と、前記第２の面上の第２の外部電極とを含むセラミック電子部品を準備することと、
    前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極のうち前記第２の外部電極にのみ、可撓性導電部分を含む可撓性接続部材を第１の接合部材によって接合することとを備え、前記可撓性導電部分は、前記第２の外部電極に接合される第１の部分と、前記第１の部分から延在する第２の部分とを有し、さらに、
    第２の接合部材によって前記第１の外部電極を回路基板の第１の端子に接合することと、
    第３の接合部材によって前記可撓性導電部分の前記第２の部分を前記回路基板の第２の端子に接合することとを備える、回路モジュールの製造方法。
17. 前記可撓性接続部材は屈曲部を有する、請求項１６に記載の回路モジュールの製造方法。
    

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