JP2007220751A - セラミックコンデンサの実装構造及びセラミックコンデンサ - Google Patents

セラミックコンデンサの実装構造及びセラミックコンデンサ Download PDF

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Abstract

【課題】 コンデンサを実装する基板を設計する際に新たに制限を加えることなく、基板から発せられる音鳴りを低減することが可能なセラミックコンデンサの実装構造及びセラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】セラミックコンデンサＣ１は、セラミック焼結体１０と、セラミック焼結体１０の外表面に形成された端子電極２、３とを備える。端子電極２、３は金属端子３０、４０を介して基板Ｓ上に形成されたランドＡ１、Ｂ１と電気的に接続される。金属端子３０、４０はぞれぞれ、端子電極２、３に機械的に接続されるコンデンサ接続部３１、４１と、ランドに機械的に接続される端子部３２、４２と、コンデンサ接続部３１、４１及び端子部３２、４２を電気的に接続する中間部３３、４３とを有する。金属端子３０、４０のコンデンサ接続部３１、４１は、基板Ｓと平行である。
【選択図】 図１

Description

本発明は、セラミックコンデンサの実装構造及びセラミックコンデンサに関するものである。
セラミックコンデンサに電圧を印加すると、セラミックの電歪効果によりセラミック焼結体に印加電圧に応じた大きさの機械的歪みが生じる。したがって、交流電圧を印加した場合、セラミックコンデンサにおいて振動が発生してしまう。こうした振動は、当該セラミックコンデンサが実装されている基板に伝播するため、基板において音鳴りの問題が発生してしまう。
そこで、基板の音鳴りを低減するために、基板の表面及び裏面それぞれに、基板を挟んで対称となるように一対のセラミックコンデンサを実装する構造が検討されている（特許文献１参照）。特許文献１に記載のセラミックコンデンサの実装構造では、基板を挟んで対称となるように一対のセラミックコンデンサを基板の表面及び裏面それぞれに実装することにより、各コンデンサで発生した振動を基板において打ち消し合い音鳴りを抑制している。
特開２０００−２３２０３０号公報
しかし、特許文献１に記載されたセラミックコンデンサの実装構造によって音鳴りを低減するためには、基板の表裏両面にセラミックコンデンサを対称となるように実装しなければならない。そのため、コンデンサを実装する基板を設計する自由度が制限されてしまう。
本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであり、コンデンサを実装する基板に対する設計の自由度を低減することなく、基板から発せられる音鳴りを低減することが可能なセラミックコンデンサの実装構造及びセラミックコンデンサを提供することを目的とする。
本発明者は、コンデンサを実装する基板に対する設計の自由度を低減することなく、基板から発せられる音鳴りを低減することが可能なセラミックコンデンサの実装構造及びセラミックコンデンサについて鋭意検討を行った結果、基板に対して平行な方向の振動が音鳴りに対して支配的であるという事実を新たに見出した。
そこで、本発明者は、セラミックコンデンサの振動のうち、基板に対して平行な方向の振動が基板に伝わることを抑制し、且つ基板に伝わる振動を主に基板に対して垂直な方向の振動となるようにすることで、基板から発せられる音鳴りを低減することができるセラミックコンデンサ及びその実装構造に思い至った。
こうした事実に対し、特許文献１では、基板に伝える振動の方向を考慮することについて何の検討もなされていない。
このような検討結果を踏まえ、本発明によるセラミックコンデンサの実装構造は、セラミック焼結体と、セラミック焼結体内においてセラミックを介して対向するように配置された第１及び第２の内部電極と、第１の内部電極と電気的に接続され且つセラミック焼結体の外表面に形成された第１の端子電極と、第２の内部電極と電気的に接続され且つセラミック焼結体の外表面に形成された第２の端子電極と、を備えたセラミックコンデンサを第１及び第２のランド電極が形成された基板に実装する実装構造であって、第１の端子電極は、第１の金属端子を介して基板上に形成された第１のランド電極と電気的に接続されており、第２の端子電極は、基板上に形成された第２のランド電極と電気的に接続されており、第１の金属端子は、第１の端子電極に機械的に接続される第１のコンデンサ接続部と、第１のランド電極に機械的に接続される第１の端子部と、第１のコンデンサ接続部及び第１の端子部を接続する第１の中間部とを有し、第１の金属端子の第１のコンデンサ接続部が基板と平行であることを特徴とする。
上記のセラミックコンデンサの実装構造によれば、セラミックコンデンサの第１の端子電極に機械的に接続されるのは第１の金属端子の第１のコンデンサ接続部であり、当該第１のコンデンサ接続部は基板と平行である。したがって、第１の金属端子を伝って基板に伝わるセラミックコンデンサの振動は主に基板に対して垂直な方向の振動であり、基板に対して平行な方向の振動が基板に伝わることは抑制される。その結果、基板から発せられる音鳴りを低減することが可能となる。また、セラミックコンデンサは、金属端子を介して基板に実装されるだけであり、コンデンサを実装する基板を設計するに際し新たな制限を設ける必要はない。
第２の端子電極は、第２の金属端子を介して基板上に形成された第２のランド電極と電気的に接続されており、第２の金属端子は、第２の端子電極に機械的に接続される第２のコンデンサ接続部と、第２のランド電極に機械的に接続される第２の端子部と、第２のコンデンサ接続部及び第２の端子部を接続する第２の中間部とを有し、第２の金属端子の第２のコンデンサ接続部が基板と平行であってもよい。セラミックコンデンサの第２の端子電極が第２の金属端子を介して基板上の第２のランド電極と上記のような構造で接続されている場合、音鳴りを低減することができる。
第１の金属端子の第１の端子部は基板に平行であり、且つ、基板に直交する方向で見て第１のコンデンサ接続部と対向する部分を有することが好ましい。第１のコンデンサ接続部と第１の端子部とが対向することにより、第１の金属端子は弾性力を有し、セラミックコンデンサの振動を吸収することが可能となる。その結果、基板から発せられる音鳴りをより一層低減することが可能となる。
あるいは、第１の金属端子の第１の端子部は基板に平行であり、且つ、基板に直交する方向で見て第１のコンデンサ接続部と対向する部分を有し、第２の金属端子の第２の端子部は基板に平行であり、且つ、基板に直交する方向で見て第２のコンデンサ接続部と対向する部分を有することが好ましい。コンデンサ接続部と端子部とが対向することにより、第１及び第２の金属端子は弾性力を有し、セラミックコンデンサの振動を吸収することが可能となる。その結果、基板から発せられる音鳴りをより一層低減することが可能となる。
セラミックコンデンサは複数であって、各セラミックコンデンサの第１の端子電極が、第１の金属端子を介して基板上に形成された第１のランド電極と電気的に接続されており、各セラミックコンデンサの第２の端子電極は、基板上に形成された第２のランド電極と電気的に接続されることによって、基板に実装されていてもよい。セラミックコンデンサを複数実装することで、高容量化が可能となる。また、セラミックコンデンサが複数であっても、各セラミックコンデンサは音鳴りを低減することが可能である。
第１及び第２の内部電極の対向方向が基板と平行であるようにセラミックコンデンサが基板に実装されていてもよい。このように実装されている場合、第１及び第２の内部電極の対向方向の振動は、金属端子のコンデンサ接続部に対して平行となるため、金属端子を伝わりにくい。
本発明によるセラミックコンデンサは、セラミック焼結体と、セラミック焼結体内においてセラミックを介して対向するように配置された第１及び第２の内部電極と、第１の内部電極と電気的に接続され且つセラミック焼結体の外表面に形成された第１の端子電極と、第２の内部電極と電気的に接続され且つセラミック焼結体の外表面に形成された第２の端子電極と、を備えたセラミックコンデンサであって、第１の端子電極には、金属端子が機械的に接続されており、金属端子は、第１の端子電極に機械的に接続されるコンデンサ接続部と、コンデンサ接続部と平行な端子部と、コンデンサ接続部及び端子部を電気的に接続する中間部とを有し、金属端子のコンデンサ接続部が基板と平行であるように、基板に実装可能であることを特徴とする。
上記のセラミックコンデンサは、金属端子のコンデンサ接続部が基板と平行であるように、基板に実装可能である。この場合、金属端子を伝って基板に伝わるセラミックコンデンサの振動は主に基板に対して垂直な方向の振動となるため、基板から発せられる音鳴りを低減することが可能となる。また、上記のセラミックコンデンサは金属端子を介して基板に実装することができ、コンデンサを実装する基板を設計するに際し新たな制限を設ける必要はない。
本発明によれば、コンデンサを実装する基板に対する設計の自由度を低減することなく、基板から発せられる音鳴りを低減することが可能なセラミックコンデンサの実装構造及びセラミックコンデンサを提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。本実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造は、本発明に係るセラミックコンデンサを含んで記載されている。
（第１実施形態）
図１を参照して、第１実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造について説明する。図１は、第１実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造を示す断面斜視図である。図１において、セラミック焼結体１０内のセラミックに相当する領域のハッチングは省略している。
第１実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造では、セラミックコンデンサＣ１を基板Ｓに実装する。基板Ｓ上には正極ランドパターンＡ１及び負極ランドパターンＢ１が形成されている。正極ランドパターン（第１のランド電極）Ａ１からは配線Ａ２が、負極ランドパターン（第２のランド電極）Ｂ１からは配線Ｂ２がそれぞれ伸びている。
セラミックコンデンサＣ１は、セラミック焼結体１０と、セラミック焼結体１０の外表面に形成された第１及び第２の端子電極２、３とを備える。
セラミック焼結体１０には、図１に示されるように、複数（本実施形態では、各４つ）の第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４が含まれている。第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４は、セラミックの層１０ａ〜１０ｇを介して対向するように配置されている。
第１の端子電極２が形成されたセラミック焼結体１０の外表面、及び第２の端子電極３が形成されたセラミック焼結体１０の外表面はいずれも、第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４の対向方向に平行である。また、図１に示すように、セラミックコンデンサＣ１は、第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４の対向方向が基板Ｓと平行であるように基板Ｓに実装されている。
第１及び第２の端子電極２、３はそれぞれ、セラミック焼結体１０の異なる外表面上であって、互いに対向する外表面上に形成されている。第１の端子電極２は、第１の金属端子３０を介して基板Ｓ上に形成された正極ランドパターンＡ１と電気的に接続されている。第２の端子電極３は、第２の金属端子４０を介して基板Ｓ上に形成された負極ランドパターンＢ１と電気的に接続されている。
第１の金属端子３０は、第１のコンデンサ接続部３１と、第１の端子部３２と、第１の中間部３３とを有する。第１のコンデンサ接続部３１は、第１の端子電極２（より具体的には、第１の端子電極２のうち、セラミック焼結体１０の第１の端子電極２が形成されている外表面に平行な面）に機械的に接続される。第１のコンデンサ接続部３１は、基板Ｓと平行な板状を呈する。
第１の端子部３２は、基板Ｓ上に形成されている正極ランドパターンＡ１に機械的に接続される。第１の端子部３２は、基板Ｓと平行な板状を呈し、基板Ｓに直交する方向で見て第１のコンデンサ接続部３１と対向する。また、第１の端子部３２は、第１のコンデンサ接続部３１及び基板Ｓの双方と平行の関係にあり、第１の端子部３２を基板Ｓのランドと接続させるようにコンデンサを実装した場合、第１のコンデンサ接続部３１は基板Ｓと平行である。
第１の中間部３３は、第１のコンデンサ接続部３１と第１の端子部３２とを接続する。これにより、第１のコンデンサ接続部３１と第１の端子部３２とは、電気的にも接続される。第１の中間部３３は、基板Ｓに対して垂直な方向に伸びる板状を呈し、第１のコンデンサ接続部３１の一端部及び第１の端子部３２の一端部を接続する。
第２の金属端子４０は、第２のコンデンサ接続部４１と、第２の端子部４２と、第２の中間部４３とを有する。第２のコンデンサ接続部４１は、第２の端子電極３（より具体的には、第２の端子電極３のうち、セラミック焼結体１０の第２の端子電極３が形成されている外表面に平行な面）に機械的に接続される。第２のコンデンサ接続部４１は、基板Ｓと平行な板状を呈する。
第２の端子部４２は、基板Ｓ上に形成されている負極ランドパターンＢ１に機械的に接続される。第２の端子部４２は、基板Ｓと平行な板状を呈し、基板Ｓに直交する方向で見て第２のコンデンサ接続部４１と対向する。また、第２の端子部４２は、第２のコンデンサ接続部４１及び基板Ｓの双方と平行の関係にあり、第２の端子部４２を基板Ｓのランドと接続させるようにコンデンサを実装した場合、第２のコンデンサ接続部４１は基板Ｓと平行である。
第２の中間部４３は、第２のコンデンサ接続部４１と第２の端子部４２とを接続する。これにより、第２のコンデンサ接続部４１と第２の端子部４２とは、電気的にも接続される。第２の中間部４３は、基板Ｓに対して垂直な方向に伸びる板状を呈し、第２のコンデンサ接続部４１の一端部及び第２の端子部４２の一端部を接続する。
第１実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造によれば、セラミックコンデンサＣ１の第１の端子電極２に機械的に接続されるのは第１の金属端子３０の第１のコンデンサ接続部３１である。第１の金属端子３０の第１のコンデンサ接続部３１と基板Ｓとは、平行の関係にある。したがって、セラミックコンデンサＣ１が印加電圧によって振動した場合であっても、第１の端子電極２から第１の金属端子３０を伝って基板Ｓに伝わる振動は、主に基板Ｓに対して垂直な方向の振動である。また、第１の金属端子３０の第１のコンデンサ接続部３１は基板Ｓに対して平行であるため、基板Ｓに対して平行な方向の振動が第１の金属端子３０を伝って基板Ｓに伝わることは抑制される。基板の音鳴りに対して支配的な振動は、基板に対して平行な方向の振動であるので、第１実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造では、基板Ｓから発せられる音鳴りを低減することが可能となる。
また、第１実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造によれば、セラミックコンデンサＣ１の第２の端子電極３に機械的に接続されるのは第２の金属端子４０の第２のコンデンサ接続部４１である。第２の金属端子４０の第２のコンデンサ接続部４１は基板Ｓと平行であるので、セラミックコンデンサＣ１の振動のうち第２の金属端子４０を伝って基板Ｓに伝わる振動は、主に基板Ｓに対して垂直な方向の振動である。また、第２の金属端子４０の第２のコンデンサ接続部４１は基板Ｓに対して平行であるため、基板Ｓに対して平行な方向の振動が第２の金属端子４０を伝って基板Ｓに伝わることは抑制される。そのため、第２の端子電極３から金属端子４０を介して伝わる振動も基板Ｓに対して垂直な方向の振動である。したがって、第２の端子電極３と基板Ｓとの接続に関しても、基板Ｓから発せられる音鳴りを低減することが可能となる。
また、このように金属端子を介し、その接続の仕方を工夫することで音鳴りを低減しているため、軟らかい基板（例えば、フレキ基板、ガラエポ基板など）にコンデンサを実装するのに、本実施形態に係る実装構造は有効である。
また、セラミックコンデンサＣ１は、金属端子３０、４０を介して基板Ｓに実装されるだけであり、基板Ｓを設計するに際し新たな制限を設ける必要はない。したがって、第１実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造では、設計の自由度を低減することなく音鳴りを低減することが可能である。
第１の金属端子３０の第１の端子部３２は基板Ｓに平行であり、且つ、基板Ｓに直交する方向で見て第１のコンデンサ接続部３１と対向する。また、第２の金属端子４０の第２の端子部４２は基板Ｓに平行であり、且つ、基板Ｓに直交する方向で見て第２のコンデンサ接続部４１と対向する。コンデンサ接続部３１、４１と端子部３２、４２とが対向することにより、第１及び第２の金属端子３０、４０は弾性力を有する。係る弾性力によって、セラミックコンデンサＣ１の振動が吸収される。その結果、基板Ｓから発せられる音鳴りをより一層低減することが可能となる。
セラミックコンデンサＣ１は、第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４の対向方向が基板Ｓと平行であるように、基板Ｓに実装されている。このように実装されている場合、第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４の対向方向の振動は、第１及び第２の金属端子３０、４０のコンデンサ接続部３１、４１に対して平行となる。そのため、第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４の対向方向の振動は、金属端子を伝わりにくい。
なお、第１実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造の第１変形例の断面斜視図を図２に、第２変形例の断面斜視図を図３に示す。第１変形例に係るセラミックコンデンサの実装構造及び第２変形例に係るセラミックコンデンサの実装構造では、セラミックコンデンサＣ１は、第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４の対向方向が基板Ｓと直交するように実装されている点で第１実施形態に係る実装構造とは異なる。第１及び第２変形例では、第１及び第２の端子電極のうち、第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４の対向方向の端に位置する面がそれぞれ、金属端子３０、４０のコンデンサ接続部と機械的に接続されている。また、第１及び第２変形例で示すように、金属端子３０、４０のコンデンサ接続部は、第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４の対向方向の両端に位置する第１及び第２の端子電極の２つの面のうちの何れの面と接続されてもよい。第１及び第２変形例においても、セラミックコンデンサの端子電極と接続される金属端子のコンデンサ接続部は基板Ｓと平行であるため、基板の音鳴りを低減することは可能である。
なお、図２、３において、セラミック焼結体１０内のセラミックに相当する領域のハッチングは省略している。
（第２実施形態）
図４を参照して、第２実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造について説明する。第２実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造は、基板Ｓに実装されるセラミックコンデンサの数の点で第１実施形態に係るセラミックコンデンサＣ１の実装構造と相違する。図４は、第２実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造を示す断面斜視図である。図４において、セラミック焼結体１０、２０内のセラミックに相当する領域のハッチングは省略している。
第２実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造では、複数（本実施形態では、２つ）のセラミックコンデンサＣ１、Ｃ２を基板Ｓに実装する。セラミックコンデンサＣ２は、セラミック焼結体２０と、セラミック焼結体２０の異なる２つの外表面に形成された複数（本実施形態では、２つ）の端子電極４、５とを備える。
セラミック焼結体２０には、図４に示されるように、複数（本実施形態では、各４つ）の第１及び第２の内部電極１５〜１８、２５〜２８が含まれている。第１及び第２の内部電極１５〜１８、２５〜２８は、セラミックの層２０ａ〜２０ｇを介して対向するように配置されている。
第１の端子電極４が形成されたセラミック焼結体２０の外表面、及び第２の端子電極５が形成されたセラミック焼結体２０の外表面はいずれも、第１及び第２の内部電極１５〜１８、２５〜２８の対向方向に平行である。また、図４に示すように、セラミックコンデンサＣ１、Ｃ２はいずれも、第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４、１５〜１８、２５〜２８の対向方向が基板Ｓと平行であるように基板Ｓに実装されている。
第１及び第２の端子電極４、５はそれぞれ、セラミック焼結体２０の異なる外表面上であって、互いに対向する外表面上に形成されている。
各セラミックコンデンサの第１の端子電極が、第１の金属端子を介して基板上に形成された第１のランド電極と電気的に接続されており、
各セラミックコンデンサＣ１、Ｃ２の第１の端子電極２、４が、第１の金属端子３０を介して基板Ｓ上に形成された正極ランドパターンＡ１と電気的に接続されている。各セラミックコンデンサＣ１、Ｃ２の第２の端子電極３、５が、第２の金属端子４０を介して基板Ｓ上に形成された負極ランドパターンＢ１と電気的に接続されている。
すなわち、第１の金属端子３０の第１のコンデンサ接続部３１は、セラミックコンデンサＣ１の第１の端子電極２及びセラミックコンデンサＣ２の第１の端子電極４の双方に機械的に接続される。一方、第２の金属端子４０の第２のコンデンサ接続部４１は、セラミックコンデンサＣ１の第２の端子電極３及びセラミックコンデンサＣ２の第２の端子電極５の双方に機械的に接続される。
第１の金属端子３０は、第１のコンデンサ接続部３１と、第１の端子部３２と、第１の中間部３３とを有する。第１のコンデンサ接続部３１は、第１の端子電極２、４に機械的に接続される。第１のコンデンサ接続部３１は、基板Ｓと平行な板状を呈する。第１の端子部３２は、基板Ｓ上に形成されている正極ランドパターンＡ１に機械的に接続される。第１の端子部３２は、基板Ｓと平行な板状を呈し、基板Ｓに直交する方向で見て第１のコンデンサ接続部３１と対向する。第１の中間部３３は、第１のコンデンサ接続部３１の一端部及び第１の端子部３２の一端部とそれぞれ機械的に接続されることにより、第１のコンデンサ接続部３１と第１の端子部３２とを機械的かつ電気的に接続する。
第２の金属端子４０は、第２のコンデンサ接続部４１と、第２の端子部４２と、第２の中間部４３とを有する。第２のコンデンサ接続部４１は、第２の端子電極３、５に機械的に接続される。第２のコンデンサ接続部４１は、基板Ｓと平行な板状を呈する。第２の端子部４２は、基板Ｓ上に形成されている負極ランドパターンＢ１に機械的に接続される。第２の端子部４２は、基板Ｓと平行な板状を呈し、基板Ｓに直交する方向で見て第２のコンデンサ接続部４１と対向する。第２の中間部４３は、第２のコンデンサ接続部４１の一端部及び第２の端子部４２の一端部とそれぞれ機械的に接続されることにより、第２のコンデンサ接続部４１と第２の端子部４２とを機械的かつ電気的に接続する。
第２実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造によれば、セラミックコンデンサＣ１、Ｃ２の第１の端子電極２、４に機械的に接続されるのは第１の金属端子３０の第１の第１のコンデンサ接続部３１である。第１の金属端子３０の第１のコンデンサ接続部３１と基板Ｓとは平行なので、第１の端子電極２、４から第１の金属端子３０を伝って基板Ｓに伝わるセラミックコンデンサＣ１、Ｃ２の振動は、主に基板Ｓに対して垂直な方向の振動であり、基板Ｓに対して平行な方向の振動が第１の金属端子３０を伝って基板Ｓに伝わることは抑制される。基板Ｓの音鳴りに対して支配的な振動は、基板Ｓに対して平行な方向の振動であるので、第２実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造では、基板Ｓから発せられる音鳴りを低減することが可能となる。
また、第２実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造によれば、セラミックコンデンサＣ１、Ｃ２の第２の端子電極３、５に機械的に接続される第２の金属端子４０の第２のコンデンサ接続部４１は基板Ｓと平行である。したがって、第２の金属端子４０を伝って基板Ｓに伝わるセラミックコンデンサＣ１、Ｃ２の振動は、主に基板Ｓに対して垂直な方向の振動である。したがって、第２の端子電極３、５に関しても、基板Ｓから発せられる音鳴りを低減することが可能となる。
また、セラミックコンデンサＣ１、Ｃ２は、金属端子３０、４０を介して基板Ｓに実装されるだけであり、基板Ｓを設計するに際し新たな制限を設ける必要はない。したがって、第２実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造では、設計の自由度を低減することなく音鳴りを低減することが可能である。
第１の金属端子３０の第１のコンデンサ接続部３１と第１の端子部３２とは、基板Ｓに直交する方向で見て対向する。また、第２の金属端子４０の第２のコンデンサ接続部４１と第２の端子部４２とは、基板Ｓに直交する方向で見て対向する。したがって、第１及び第２の金属端子３０、４０は弾性力を有し、セラミックコンデンサＣ１、Ｃ２の振動を吸収する。その結果、基板Ｓから発せられる音鳴りをより一層低減することが可能となる。
セラミックコンデンサＣ１、Ｃ２は、第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４、１５〜１８、２５〜２８の対向方向が基板Ｓと平行であるように、基板Ｓに実装されている。このように実装されている場合、第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４、１５〜１８、２５〜２８の対向方向の振動は、第１及び第２の金属端子３０、４０のコンデンサ接続部３１、４１に対して平行となるため、金属端子を伝わりにくい。
第２実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造によれば、セラミックコンデンサＣ１、Ｃ２が複数実装されており、高容量化が可能となる。
（第３実施形態）
図５を参照して、第３実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造について説明する。第３実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造は、金属端子を介して基板に接続される端子電極の数の点で第１実施形態に係るセラミックコンデンサＣ１の実装構造と相違する。図５は、第３実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造を示す断面斜視図である。図５において、セラミック焼結体１０内のセラミックに相当する領域のハッチングは省略している。
第３実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造では、セラミックコンデンサＣ１を基板Ｓに実装する。
セラミックコンデンサＣ１の第１の端子電極２は、基板Ｓ上に接続された第１の金属端子３０を介して基板Ｓ上の正極ランドパターンＡ１と電気的に接続されている。セラミックコンデンサＣ１の第２の端子電極３は、基板Ｓ上の負極ランドパターンＢ１と機械的に接続されることにより、電気的に接続されている。
第１の金属端子３０は、第１のコンデンサ接続部３１と、第１の端子部３２と、第１の中間部３３とを有する。第１のコンデンサ接続部３１は、第１の端子電極２に機械的に接続される。第１のコンデンサ接続部３１は、基板Ｓと平行な板状を呈する。第１の端子部３２は、基板Ｓ上に形成されている正極ランドパターンＡ１に機械的に接続される。第１の端子部３２は、基板Ｓと平行な板状を呈し、基板Ｓに直交する方向で見て第１のコンデンサ接続部３１と対向する。第１の中間部３３は、第１のコンデンサ接続部３１の一端部及び第１の端子部３２の一端部とそれぞれ機械的に接続されることにより、第１のコンデンサ接続部３１と第１の端子部３２とを接続する。これにより、第１のコンデンサ接続部３１と第１の端子部３２とは電気的に接続される。
第３実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造によれば、セラミックコンデンサＣ１の第１の端子電極２に機械的に接続されるのは第１の金属端子３０の第１のコンデンサ接続部３１である。第１の金属端子３０の第１のコンデンサ接続部３１と基板Ｓとは平行なので、第１の端子電極２から第１の金属端子３０を伝って基板Ｓに伝わるセラミックコンデンサＣ１の振動は、主に基板Ｓに対して垂直な方向の振動であり、基板Ｓに対して平行な方向の振動が第１の金属端子３０を伝って基板Ｓに伝わることは抑制される。基板Ｓの音鳴りに対して支配的な振動は、基板Ｓに対して平行な方向の振動であるので、第３実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造では、基板Ｓから発せられる音鳴りを低減することが可能となる。
また、セラミックコンデンサＣ１は、金属端子３０を介して基板Ｓに実装されるだけであり、基板Ｓを設計するに際し新たな制限を設ける必要はない。したがって、第３実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造では、設計の自由度を低減することなく音鳴りを低減することが可能である。
第１の金属端子３０の第１のコンデンサ接続部３１と第１の第１の端子部３２とは、基板Ｓに直交する方向で見て対向する。したがって、第１の金属端子３０は弾性力を有し、セラミックコンデンサＣ１の振動を吸収する。その結果、基板Ｓから発せられる音鳴りをより一層低減することが可能となる。
セラミックコンデンサＣ１は、第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４の対向方向が基板Ｓと平行であるように、基板Ｓに実装されている。このように実装されている場合、第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４の対向方向の振動は、第１の金属端子３０の第１のコンデンサ接続部３１に対して平行となるため、金属端子を伝わりにくい。
（第４実施形態）
図６を参照して、第４実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造について説明する。第４実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造は、基板Ｓに実装されるセラミックコンデンサの数の点で第３実施形態に係るセラミックコンデンサＣ１の実装構造と相違する。図６は、第４実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造を示す断面斜視図である。図６において、セラミック焼結体１０、２０内のセラミックに相当する領域のハッチングは省略している。
第４実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造では、複数（本実施形態では、２つ）のセラミックコンデンサＣ１、Ｃ２を基板Ｓに実装する。各セラミックコンデンサＣ１、Ｃ２の第１の端子電極２、４が、第１の金属端子３０を介して基板Ｓ上に形成された正極ランドパターンＡ１と電気的に接続されている。第１の金属端子３０の第１のコンデンサ接続部３１は、セラミックコンデンサＣ１の第１の端子電極２及びセラミックコンデンサＣ２の第１の端子電極４の双方に機械的に接続される。
各セラミックコンデンサＣ１、Ｃ２の第２の端子電極３、５が、基板Ｓ上に形成された負極ランドパターンＢ１と機械的に接続されることで、負極ランドパターンＢ１と電気的に接続されている。
第１の金属端子３０は、第１のコンデンサ接続部３１と、第１の端子部３２と、第１の中間部３３とを有する。第１のコンデンサ接続部３１は、第１の端子電極２、４に機械的に接続される。第１のコンデンサ接続部３１は、基板Ｓと平行な板状を呈する。第１の端子部３２は、基板Ｓ上に形成されている正極ランドパターンＡ１に機械的に接続される。第１の端子部３２は、基板Ｓと平行な板状を呈し、基板Ｓに直交する方向で見て第１のコンデンサ接続部３１と対向する。第１の中間部３３は、第１のコンデンサ接続部３１の一端部及び第１の端子部３２の一端部とそれぞれ機械的に接続されることにより、第１のコンデンサ接続部３１と第１の端子部３２とを機械的且つ電気的に接続する。
第４実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造によれば、セラミックコンデンサＣ１、Ｃ２の第１の端子電極２、４に機械的に接続されるのは第１の金属端子３０の第１のコンデンサ接続部３１である。第１の金属端子３０の第１のコンデンサ接続部３１と基板Ｓとは平行なので、第１の端子電極２、４から第１の金属端子３０を伝って基板Ｓに伝わるセラミックコンデンサＣ１、Ｃ２の振動は、主に基板Ｓに対して垂直な方向の振動であり、基板Ｓに対して平行な方向の振動が第１の金属端子３０を伝って基板Ｓに伝わることは抑制される。基板Ｓの音鳴りに対して支配的な振動は、基板Ｓに対して平行な方向の振動であるので、第４実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造では、基板Ｓから発せられる音鳴りを低減することが可能となる。
また、セラミックコンデンサＣ１、Ｃ２は、金属端子３０を介して基板Ｓに実装されるだけであり、基板Ｓを設計するに際し新たな制限を設ける必要はない。したがって、第４実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造では、設計の自由度を低減することなく音鳴りを低減することが可能である。
第１の金属端子３０の第１のコンデンサ接続部３１と第１の端子部３２とは、基板Ｓに直交する方向で見て対向する。したがって、第１の金属端子３０は弾性力を有し、セラミックコンデンサＣ１、Ｃ２の振動を吸収する。その結果、基板Ｓから発せられる音鳴りをより一層低減することが可能となる。
セラミックコンデンサＣ１、Ｃ２は、第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４、１５〜１８、２５〜２８の対向方向が基板Ｓと平行であるように、基板Ｓに実装されている。このように実装されている場合、第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４、１５〜１８、２５〜２８の対向方向の振動は、第１の金属端子３０の第１のコンデンサ接続部３１に対して平行となるため、金属端子を伝わりにくい。
第４実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造によれば、セラミックコンデンサＣ１、Ｃ２が複数実装されており、高容量化が可能となる。
（第５実施形態）
図７を参照して、第５実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造について説明する。図７は、第５実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造を示す断面斜視図である。図７において、セラミック焼結体１０内のセラミックに相当する領域のハッチングは省略している。
第５実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造では、セラミックコンデンサＣ１を基板Ｓに実装する。基板Ｓ上には正極ランドパターンＡ１１、Ａ１２及び負極ランドパターンＢ１が形成されている。正極ランドパターンＡ１１、Ａ１２は、負極ランドパターンＢ１を間に挟むように位置している。正極ランドパターン（第１のランド）Ａ１１からは配線Ａ２１が、正極ランドパターン（第１のランド）Ａ１２からは配線Ａ２２が、負極ランドパターン（第２のランド）Ｂ１からは配線Ｂ２がそれぞれ伸びている。
セラミックコンデンサＣ１の第１の端子電極２は、第１の金属端子５０を介して基板Ｓ上に形成された正極ランドパターンＡ１１、Ａ１２と電気的に接続されている。セラミックコンデンサＣ１の第２の端子電極３は、第２の金属端子６０を介して基板Ｓ上に形成された負極ランドパターンＢ１と電気的に接続されている。
第１の金属端子５０は、第１のコンデンサ接続部５１と、第１の端子部５２ａ、５２ｂと、第１の中間部５３ａ、５３ｂとを有する。第１のコンデンサ接続部５１は、第１の端子電極２に機械的に接続される。第１のコンデンサ接続部５１は、基板Ｓと平行な板状を呈する。
第１の端子部５２ａは基板Ｓ上に形成されている正極ランドパターンＡ１１に、第１の端子部５２ｂは基板Ｓ上に形成されている正極ランドパターンＡ１２にそれぞれ機械的に接続される。第１の端子部５２ａ、５２ｂはいずれも、基板Ｓと平行な板状を呈し、基板Ｓに直交する方向で見て第１のコンデンサ接続部５１と対向する。また、第１の端子部５２ａ、５２ｂは、第１のコンデンサ接続部５１及び基板Ｓの双方と平行の関係にあり、第１の端子部５２ａ、５２ｂを基板Ｓのランドと接続させるようにコンデンサを実装した場合、第１のコンデンサ接続部５１は基板Ｓと平行である。
第１の中間部５３ａは第１のコンデンサ接続部５１と第１の端子部５２ａとを、第１の中間部５３ｂは第１のコンデンサ接続部５１と第１の端子部５２ｂとをそれぞれ接続する。これにより、第１のコンデンサ接続部５１と第１の端子部５２ａ、５２ｂとが電気的に接続される。第１の中間部５３ａ、５３ｂはいずれも、基板Ｓに対して垂直な方向に伸びる板状を呈する。第１の中間部５３ａは、第１のコンデンサ接続部５１の一端部及び第１の端子部５２ａの一端部を接続する。第１の中間部５３ｂは、第１のコンデンサ接続部５１の他端部及び第１の端子部５２ｂの一端部を接続する。
第２の金属端子６０は、第２のコンデンサ接続部６１と、第２の端子部６２ａ、６２ｂと、第２の中間部６３ａ、６３ｂとを有する。第２のコンデンサ接続部６１は、第２の端子電極３に機械的に接続される。第２のコンデンサ接続部６１は、基板Ｓと平行な板状を呈する。
第２の端子部６２ａ、６２ｂは、基板Ｓ上に形成されている負極ランドパターンＢ１に機械的に接続される。第２の端子部６２ａ、６２ｂはいずれも、基板Ｓと平行な板状を呈し、基板Ｓに直交する方向で見て第２のコンデンサ接続部６１と対向する。また、第２の端子部６２ａ、６２ｂはいずれも、第２のコンデンサ接続部６１及び基板Ｓの双方と平行の関係にあり、第２の端子部６２ａ、６２ｂを基板Ｓのランドと接続させるようにコンデンサを実装した場合、第２のコンデンサ接続部６１は基板Ｓと平行である。
第２の中間部６３ａは第２のコンデンサ接続部６１と第２の端子部６２ａとを、第２の中間部６３ｂは第２のコンデンサ接続部６１と第２の端子部６２ｂとをそれぞれ電気的に接続する。第２の中間部６３ａ、６３ｂはいずれも、基板Ｓに対して垂直な方向に伸びる板状を呈する。第２の中間部６３ａは、第２のコンデンサ接続部６１の一端部及び第２の端子部６２ａの一端部を接続する。第２の中間部６３ｂは、第２のコンデンサ接続部６１の他端部及び第２の端子部６２ｂの一端部を接続する。
第５実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造によれば、セラミックコンデンサＣ１の第１の端子電極２に機械的に接続されるのは第１の金属端子５０の第１のコンデンサ接続部５１である。第１の金属端子５０の第１のコンデンサ接続部５１と基板Ｓとは平行なので、第１の端子電極２から第１の金属端子５０を伝って基板Ｓに伝わるセラミックコンデンサＣ１の振動は、主に基板Ｓに対して垂直な方向の振動であり、基板Ｓに対して平行な方向の振動が第１の金属端子５０を伝って基板Ｓに伝わることは抑制される。基板Ｓの音鳴りに対して支配的な振動は、基板Ｓに対して平行な方向の振動であるので、第５実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造では、基板Ｓから発せられる音鳴りを低減することが可能となる。
また、第５実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造によれば、セラミックコンデンサＣ１の第２の端子電極３に機械的に接続される第２の金属端子６０の第２のコンデンサ接続部６１は基板Ｓと平行である。したがって、第２の金属端子６０を伝って基板Ｓに伝わるセラミックコンデンサＣ１の振動は、主に基板Ｓに対して垂直な方向の振動である。したがって、第２の端子電極３に関しても、基板Ｓから発せられる音鳴りを低減することが可能となる。
また、セラミックコンデンサＣ１は、金属端子５０、６０を介して基板Ｓに実装されるだけであり、基板Ｓを設計するに際し新たな制限を設ける必要はない。したがって、第５実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造では、設計の自由度を低減することなく音鳴りを低減することが可能である。
第１の金属端子５０の第１のコンデンサ接続部５１と第１の端子部５２ａ、５２ｂとは、基板Ｓに直交する方向で見て対向する。また、第２の金属端子６０の第２のコンデンサ接続部６１と第２の端子部６２ａ、６２ｂとは、基板Ｓに直交する方向で見て対向する。したがって、第１及び第２の金属端子５０、６０は弾性力を有し、セラミックコンデンサＣ１の振動を吸収する。その結果、基板Ｓから発せられる音鳴りをより一層低減することが可能となる。
セラミックコンデンサＣ１は、第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４の対向方向が基板Ｓと平行であるように、基板Ｓに実装されている。このように実装されている場合、第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４の対向方向の振動は、第１及び第２の金属端子５０、６０のコンデンサ接続部５１、６１に対して平行となるため、金属端子を伝わりにくい。
（第６実施形態）
図８を参照して、第６実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造について説明する。第６実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造は、金属端子を介して基板に接続される端子電極の数の点で第５実施形態に係るセラミックコンデンサＣ１の実装構造と相違する。図８は、第６実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造を示す断面斜視図である。図８において、セラミック焼結体１０内のセラミックに相当する領域のハッチングは省略している。
第６実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造では、セラミックコンデンサＣ１を基板Ｓに実装する。基板Ｓ上には正極ランドパターンＡ１１、Ａ１２及び負極ランドパターンＢ１が形成されている。
セラミックコンデンサＣ１の第１の端子電極２は、基板Ｓ上に接続された第１の金属端子５０を介して基板上の正極ランドパターンＡ１１、Ａ１２と電気的に接続されている。セラミックコンデンサＣ１の第２の端子電極３は、基板Ｓ上の負極ランドパターンＢ１と機械的に接続されることにより、電気的に接続されている。
第１の金属端子５０は、第１のコンデンサ接続部５１と、第１の端子部５２ａ、５２ｂと、第１の中間部５３ａ、５３ｂとを有する。第１のコンデンサ接続部５１は、第１の端子電極２に機械的に接続される。第１のコンデンサ接続部５１は、基板Ｓと平行な板状を呈する。
第１の端子部５２ａは基板Ｓ上に形成されている正極ランドパターンＡ１１に、第１の端子部５２ｂは基板Ｓ上に形成されている正極ランドパターンＡ１２にそれぞれ機械的に接続される。第１の端子部５２ａ、５２ｂはいずれも、基板Ｓと平行な板状を呈し、基板Ｓに直交する方向で見て第１のコンデンサ接続部５１と対向する。
第１の中間部５３ａは第１のコンデンサ接続部５１と第１の端子部５２ａとを、第１の中間部５３ｂは第１のコンデンサ接続部５１と第１の端子部５２ｂとをそれぞれ電気的に接続する。第１の中間部５３ａは、第１のコンデンサ接続部５１の一端部及び第１の端子部５２ａの一端部を接続する。第１の中間部５３ｂは、第１のコンデンサ接続部５１の他端部及び第１の端子部５２ｂの一端部を接続する。
第６実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造によれば、セラミックコンデンサＣ１の第１の端子電極２に機械的に接続されるのは第１の金属端子５０の第１のコンデンサ接続部５１である。第１の金属端子５０の第１のコンデンサ接続部５１と基板Ｓとは平行なので、第１の端子電極２から第１の金属端子５０を伝って基板Ｓに伝わるセラミックコンデンサＣ１の振動は、主に基板Ｓに対して垂直な方向の振動であり、基板Ｓに対して平行な方向の振動が第１の金属端子５０を伝って基板Ｓに伝わることは抑制される。基板Ｓの音鳴りに対して支配的な振動は、基板Ｓに対して平行な方向の振動であるので、第６実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造では、基板Ｓから発せられる音鳴りを低減することが可能となる。
また、セラミックコンデンサＣ１は、金属端子５０を介して基板Ｓに実装されるだけであり、基板Ｓを設計するに際し新たな制限を設ける必要はない。したがって、第６実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造では、設計の自由度を低減することなく音鳴りを低減することが可能である。
第１の金属端子５０の第１のコンデンサ接続部５１と第１の端子部５２ａ、５２ｂとは、基板Ｓに直交する方向で見て対向する。したがって、第１の金属端子５０は弾性力を有し、セラミックコンデンサＣ１の振動を吸収する。その結果、基板Ｓから発せられる音鳴りをより一層低減することが可能となる。
セラミックコンデンサＣ１は、第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４の対向方向が基板Ｓと平行であるように、基板Ｓに実装されている。このように実装されている場合、第１及び第２の内部電極１１〜１４、２１〜２４の対向方向の振動は、第１及び第２の金属端子５０、６０のコンデンサ接続部５１、６１に対して平行となるため、金属端子を伝わりにくい。
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態及び変形例に限定されるものではない。例えば、第１及び第２の内部電極の数は上記した数に限られない。また、第１及び第２の端子電極の数は上記した数に限られない。また、セラミックコンデンサの数は上記した数に限られない。
また、第１及び第２の金属端子の形状は上記した形状に限らず、例えば端子部及び中間部が一体となった形状（例えば１枚の板状）であってもよい。あるいは、例えばコンデンサ接続部と端子部とが対向する部分を有することなく平行となっていてもよい。
第１実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造を示す断面斜視図である。 第１実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造の第１変形例を示す断面斜視図である。 第１実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造の第２変形例を示す断面斜視図である。 第２実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造を示す断面斜視図である。 第３実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造を示す断面斜視図である。 第４実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造を示す断面斜視図である。 第５実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造を示す断面斜視図である。 第６実施形態に係るセラミックコンデンサの実装構造を示す断面斜視図である。
符号の説明
Ｃ１、Ｃ２…セラミックコンデンサ、２、４…第１の端子電極、３、５…第２の端子電極、１０、２０…セラミック焼結体、１１〜１８…第１の内部電極、２１〜２８…第２の内部電極、３０、５０…第１の金属端子、３１、５１…第１のコンデンサ接続部、３２、５２ａ、５２ｂ…第１の端子部、３３、５３ａ、５３ｂ…第１の中間部、４０、６０…第２の金属端子、４１、６１…第２のコンデンサ接続部、４２、６２ａ、６２ｂ…第２の端子部、４３、６３ａ、６３ｂ…第２の中間部、Ｓ…基板

Claims (7)

  1. セラミック焼結体と、
    前記セラミック焼結体内においてセラミックを介して対向するように配置された第１及び第２の内部電極と、
    前記第１の内部電極と電気的に接続され且つ前記セラミック焼結体の外表面に形成された第１の端子電極と、
    前記第２の内部電極と電気的に接続され且つ前記セラミック焼結体の外表面に形成された第２の端子電極と、を備えたセラミックコンデンサを第１及び第２のランド電極が形成された基板に実装する実装構造であって、
    前記第１の端子電極は、第１の金属端子を介して前記基板上に形成された前記第１のランド電極と電気的に接続されており、
    前記第２の端子電極は、前記基板上に形成された前記第２のランド電極と電気的に接続されており、
    前記第１の金属端子は、前記第１の端子電極に機械的に接続される第１のコンデンサ接続部と、前記第１のランド電極に機械的に接続される第１の端子部と、前記第１のコンデンサ接続部及び前記第１の端子部を接続する第１の中間部とを有し、
    前記第１の金属端子の前記第１のコンデンサ接続部が前記基板と平行であることを特徴とするセラミックコンデンサの実装構造。
  2. 前記第２の端子電極は、第２の金属端子を介して前記基板上に形成された前記第２のランド電極と電気的に接続されており、
    前記第２の金属端子は、前記第２の端子電極に機械的に接続される第２のコンデンサ接続部と、前記第２のランド電極に機械的に接続される第２の端子部と、前記第２のコンデンサ接続部及び前記第２の端子部を接続する第２の中間部とを有し、
    前記第２の金属端子の前記第２のコンデンサ接続部が前記基板と平行であることを特徴とする請求項１記載のセラミックコンデンサの実装構造。
  3. 前記第１の金属端子の前記第１の端子部は前記基板に平行であり、且つ、前記基板に直交する方向で見て前記第１のコンデンサ接続部と対向する部分を有することを特徴とする請求項１又は２記載のセラミックコンデンサの実装構造。
  4. 前記第１の金属端子の前記第１の端子部は前記基板に平行であり、且つ、前記基板に直交する方向で見て前記第１のコンデンサ接続部と対向する部分を有し、
    前記第２の金属端子の前記第２の端子部は前記基板に平行であり、且つ、前記基板に直交する方向で見て前記第２のコンデンサ接続部と対向する部分を有することを特徴とする請求項２記載のセラミックコンデンサの実装構造。
  5. 前記セラミックコンデンサは複数であって、
    前記各セラミックコンデンサの前記第１の端子電極が、前記第１の金属端子を介して前記基板上に形成された前記第１のランド電極と電気的に接続されており、
    前記各セラミックコンデンサの前記第２の端子電極は、前記基板上に形成された前記第２のランド電極と電気的に接続されることによって、前記基板に実装されることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項記載のセラミックコンデンサの実装構造。
  6. 前記第１及び第２の内部電極の対向方向が前記基板と平行であるように前記セラミックコンデンサが前記基板に実装されていることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項記載のセラミックコンデンサの実装構造。
  7. セラミック焼結体と、
    前記セラミック焼結体内においてセラミックを介して対向するように配置された第１及び第２の内部電極と、
    前記第１の内部電極と電気的に接続され且つ前記セラミック焼結体の外表面に形成された第１の端子電極と、
    前記第２の内部電極と電気的に接続され且つ前記セラミック焼結体の外表面に形成された第２の端子電極と、を備えたセラミックコンデンサであって、
    前記第１の端子電極には、金属端子が機械的に接続されており、
    前記金属端子は、前記第１の端子電極に機械的に接続されるコンデンサ接続部と、前記コンデンサ接続部と平行な端子部と、前記コンデンサ接続部及び前記端子部を電気的に接続する中間部とを有し、
    前記金属端子の前記コンデンサ接続部が基板と平行であるように、前記基板に実装可能であることを特徴とするセラミックコンデンサ。


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