JP2001189233A - 積層コンデンサ - Google Patents
積層コンデンサInfo
- Publication number
- JP2001189233A JP2001189233A JP37302199A JP37302199A JP2001189233A JP 2001189233 A JP2001189233 A JP 2001189233A JP 37302199 A JP37302199 A JP 37302199A JP 37302199 A JP37302199 A JP 37302199A JP 2001189233 A JP2001189233 A JP 2001189233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multilayer
- ceramic capacitor
- multilayer ceramic
- metal terminal
- external electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims abstract description 60
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 229910017060 Fe Cr Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910002544 Fe-Cr Inorganic materials 0.000 description 5
- UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N chromium iron Chemical compound [Cr].[Fe] UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 5
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
- H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/38—Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
- H01F27/292—Surface mounted devices
- H01F2027/295—Surface mounted devices with flexible terminals
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱衝撃に対する信頼性のよい積層コンデンサ
を提供する。 【解決手段】 積層コンデンサ１０は、３個の積層セラ
ミックコンデンサ素子１２を含む。積層セラミックコン
デンサ素子１２は、両端に外部電極を有する。３個の積
層セラミックコンデンサ素子１２の両端の外部電極の全
表面には、はんだ層２６ａおよび２６ｂが形成される。
これらのはんだ層２６ａおよび２６ｂによって、３個の
積層セラミックコンデンサ素子１２は、積み重ねられた
状態で接合されるとともに外部電極が電気的に接続さ
れ、さらに、下方の積層セラミックコンデンサ素子１２
の外部電極に金属端子３０ａおよび３０ｂが接続され
る。
を提供する。 【解決手段】 積層コンデンサ１０は、３個の積層セラ
ミックコンデンサ素子１２を含む。積層セラミックコン
デンサ素子１２は、両端に外部電極を有する。３個の積
層セラミックコンデンサ素子１２の両端の外部電極の全
表面には、はんだ層２６ａおよび２６ｂが形成される。
これらのはんだ層２６ａおよび２６ｂによって、３個の
積層セラミックコンデンサ素子１２は、積み重ねられた
状態で接合されるとともに外部電極が電気的に接続さ
れ、さらに、下方の積層セラミックコンデンサ素子１２
の外部電極に金属端子３０ａおよび３０ｂが接続され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は積層コンデンサに
関し、特に、複数の積層セラミックコンデンサ素子およ
び金属端子を有し、たとえばＤＣ−ＤＣコンバータなど
の電源回路の平滑用のタンタル電解コンデンサなどの置
き換えに用いられる高容量の積層コンデンサに関する。
関し、特に、複数の積層セラミックコンデンサ素子およ
び金属端子を有し、たとえばＤＣ−ＤＣコンバータなど
の電源回路の平滑用のタンタル電解コンデンサなどの置
き換えに用いられる高容量の積層コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】金属端子付きの積層コンデンサは、耐た
わみ強度の確保や熱応力を緩和して耐熱衝撃性を向上す
るために用いられる。そのような積層コンデンサでは、
一般に、金属端子で積層セラミックコンデンサ素子を基
板から浮かすことが行われる。さらに、実開平１−１１
２０３２号に開示されているように、金属端子を折り曲
げることが行われる。これらの技術を用いると、アルミ
ニウム基板などの熱膨張の大きい基板と積層セラミック
コンデンサ素子との熱膨張の差を緩和することもでき
る。このような積層コンデンサにおいて、複数の積層セ
ラミックコンデンサ素子を有するものを形成する場合に
は、複数の積層セラミックコンデンサ素子の外部電極が
部分的に導電性樹脂やはんだペーストで接続される。
わみ強度の確保や熱応力を緩和して耐熱衝撃性を向上す
るために用いられる。そのような積層コンデンサでは、
一般に、金属端子で積層セラミックコンデンサ素子を基
板から浮かすことが行われる。さらに、実開平１−１１
２０３２号に開示されているように、金属端子を折り曲
げることが行われる。これらの技術を用いると、アルミ
ニウム基板などの熱膨張の大きい基板と積層セラミック
コンデンサ素子との熱膨張の差を緩和することもでき
る。このような積層コンデンサにおいて、複数の積層セ
ラミックコンデンサ素子を有するものを形成する場合に
は、複数の積層セラミックコンデンサ素子の外部電極が
部分的に導電性樹脂やはんだペーストで接続される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、複数の
積層セラミックコンデンサ素子の外部電極を導電性樹脂
やはんだペーストで部分的に接続した積層コンデンサで
は、その接続部分に熱応力が集中し、その接続部分や積
層セラミックコンデンサ素子にひびが発生して、静電容
量が低下してしまう場合がある。
積層セラミックコンデンサ素子の外部電極を導電性樹脂
やはんだペーストで部分的に接続した積層コンデンサで
は、その接続部分に熱応力が集中し、その接続部分や積
層セラミックコンデンサ素子にひびが発生して、静電容
量が低下してしまう場合がある。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、熱
衝撃に対する信頼性のよい積層コンデンサを提供するこ
とである。
衝撃に対する信頼性のよい積層コンデンサを提供するこ
とである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる積層コ
ンデンサは、両端に外部電極が形成される複数の積層セ
ラミックコンデンサ素子と、複数の積層セラミックコン
デンサ素子の外部電極の全表面に形成されるはんだ層
と、複数の積層セラミックコンデンサ素子の外部電極に
電気的に接続される金属端子とを含み、複数の積層セラ
ミックコンデンサ素子は、積み重ねられた状態ではんだ
層によって接合され、複数の積層セラミックコンデンサ
素子の外部電極は、はんだ層によって電気的に接続され
る、積層コンデンサである。この発明にかかる積層コン
デンサでは、金属端子は、複数の積層セラミックコンデ
ンサ素子の少なくとも１つにはんだ層によって直接接続
される。この場合、金属端子は、複数の積層セラミック
コンデンサ素子の少なくとも他の１つに直接接合されな
くてもよい。また、この発明にかかる積層コンデンサで
は、金属端子は、中間部と、中間部の一端に中間部に間
隔を隔てて対向するように形成され先端部と、中間部の
他端に形成される末端部とを含み、先端部は、中間部お
よび末端部に対してばね性を有し、積層セラミックコン
デンサ素子の外部電極にはんだ層で接続されてもよい。
この場合、金属端子の内面には、はんだがつきにくい皮
膜が形成されてもよい。さらに、この発明にかかる積層
コンデンサでは、金属端子にリアクタンス成分を調整す
るための切欠部が形成されてもよい。
ンデンサは、両端に外部電極が形成される複数の積層セ
ラミックコンデンサ素子と、複数の積層セラミックコン
デンサ素子の外部電極の全表面に形成されるはんだ層
と、複数の積層セラミックコンデンサ素子の外部電極に
電気的に接続される金属端子とを含み、複数の積層セラ
ミックコンデンサ素子は、積み重ねられた状態ではんだ
層によって接合され、複数の積層セラミックコンデンサ
素子の外部電極は、はんだ層によって電気的に接続され
る、積層コンデンサである。この発明にかかる積層コン
デンサでは、金属端子は、複数の積層セラミックコンデ
ンサ素子の少なくとも１つにはんだ層によって直接接続
される。この場合、金属端子は、複数の積層セラミック
コンデンサ素子の少なくとも他の１つに直接接合されな
くてもよい。また、この発明にかかる積層コンデンサで
は、金属端子は、中間部と、中間部の一端に中間部に間
隔を隔てて対向するように形成され先端部と、中間部の
他端に形成される末端部とを含み、先端部は、中間部お
よび末端部に対してばね性を有し、積層セラミックコン
デンサ素子の外部電極にはんだ層で接続されてもよい。
この場合、金属端子の内面には、はんだがつきにくい皮
膜が形成されてもよい。さらに、この発明にかかる積層
コンデンサでは、金属端子にリアクタンス成分を調整す
るための切欠部が形成されてもよい。
【０００６】この発明にかかる積層コンデンサでは、複
数の積層セラミックコンデンサ素子の外部電極の全表面
にはんだ層が形成されているので、はんだ層によって、
熱応力が分散され、積層セラミックコンデンサ素子の接
続部分や積層セラミックコンデンサ素子にひびが発生し
にくくなる。そのため、この発明にかかる積層コンデン
サでは、熱衝撃に対する信頼性がよくなる。
数の積層セラミックコンデンサ素子の外部電極の全表面
にはんだ層が形成されているので、はんだ層によって、
熱応力が分散され、積層セラミックコンデンサ素子の接
続部分や積層セラミックコンデンサ素子にひびが発生し
にくくなる。そのため、この発明にかかる積層コンデン
サでは、熱衝撃に対する信頼性がよくなる。
【０００７】この発明の上述の目的、その他の目的、特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１はこの発明にかかる第１実施
例の積層コンデンサを示す斜視図である。図１に示す積
層コンデンサ１０は、３つの積層セラミックコンデンサ
素子１２、１２、１２を含む。
例の積層コンデンサを示す斜視図である。図１に示す積
層コンデンサ１０は、３つの積層セラミックコンデンサ
素子１２、１２、１２を含む。
【０００９】積層セラミックコンデンサ素子１２は、図
２に示すように、積層体１４を含む。積層体１４は、た
とえばチタン酸バリウム系の誘電体からなる複数の誘電
体層１６とたとえばＮｉなどの電極材料からなる複数の
内部電極１８とを含む。複数の誘電体層１６と複数の内
部電極１８とは、交互に積層される。この場合、１つお
きの内部電極１８は、積層体１４の一方の端面にまで形
成され、残りの１つおきの内部電極１８は、積層体１４
の一方の端面に対向する他方の端面にまで形成される。
また、積層体１４の一方の端面を含む一端部には、外部
電極として、Ｃｕ層２０ａ、Ｎｉ層２２ａおよびＳｎ層
２４ａがこの順に形成される。この場合、積層体１４の
一端部には、Ｃｕペーストを厚さ１００μｍに塗布し、
１５０℃で１０分乾燥後、８００℃で５分保持して焼き
付けることによって、Ｃｕ層２０ａが形成される。ま
た、湿式めっきによって、Ｎｉ層２２ａが厚さ１μｍ
に、Ｓｎ層２４ａが厚さ５μｍに、それぞれ形成され
る。同様に、積層体１４の他方の端面を含む他端部に
は、外部電極として、Ｃｕ層２０ｂ、Ｎｉ層２２ｂおよ
びＳｎ層２４ｂがこの順に形成される。
２に示すように、積層体１４を含む。積層体１４は、た
とえばチタン酸バリウム系の誘電体からなる複数の誘電
体層１６とたとえばＮｉなどの電極材料からなる複数の
内部電極１８とを含む。複数の誘電体層１６と複数の内
部電極１８とは、交互に積層される。この場合、１つお
きの内部電極１８は、積層体１４の一方の端面にまで形
成され、残りの１つおきの内部電極１８は、積層体１４
の一方の端面に対向する他方の端面にまで形成される。
また、積層体１４の一方の端面を含む一端部には、外部
電極として、Ｃｕ層２０ａ、Ｎｉ層２２ａおよびＳｎ層
２４ａがこの順に形成される。この場合、積層体１４の
一端部には、Ｃｕペーストを厚さ１００μｍに塗布し、
１５０℃で１０分乾燥後、８００℃で５分保持して焼き
付けることによって、Ｃｕ層２０ａが形成される。ま
た、湿式めっきによって、Ｎｉ層２２ａが厚さ１μｍ
に、Ｓｎ層２４ａが厚さ５μｍに、それぞれ形成され
る。同様に、積層体１４の他方の端面を含む他端部に
は、外部電極として、Ｃｕ層２０ｂ、Ｎｉ層２２ｂおよ
びＳｎ層２４ｂがこの順に形成される。
【００１０】３個の積層セラミックコンデンサ素子１
２、１２、１２は、図１に示すように、たとえばＦｅ−
Ｃｒ製の２つの金属端子３０ａおよび３０ｂに、フロー
はんだ付けされる。
２、１２、１２は、図１に示すように、たとえばＦｅ−
Ｃｒ製の２つの金属端子３０ａおよび３０ｂに、フロー
はんだ付けされる。
【００１１】すなわち、一方の金属端子３０ａは、板状
の中間部３２ａを含む。中間部３２ａの上端には、板状
の先端部３４ａが中間部３２ａに対向するように形成さ
れる。先端部３４ａと中間部３２ａの間には、すき間が
形成されていてもよい。この先端部３４ａの上下方向に
おける長さは、積層セラミックコンデンサ素子１２の高
さより少し長い２．５ｍｍに形成される。また、中間部
３２ａの下端には、板状の末端部３６ａが中間部３２ａ
とほほ直角方向にのびて形成される。したがって、先端
部３４ａは、中間部３２ａおよび末端部３６ａに対して
ばね性を有する。さらに、金属端子３０ａの外面（中間
部３２ａおよび先端部３４ａの対向しない面とそれにつ
ながる末端部３６ａの下面）には、はんだめっきが施さ
れる。また、はんだが付きやすい金属端子材料、たとえ
ば黄銅を用いるときは金属端子３０ａの内面（中間部３
２ａおよび先端部３４ａとの対向する面とそれにつなが
る末端部３６ａの上面）には、はんだがつきにくい皮膜
３８ａが形成される。この皮膜３８ａは、たとえば酸化
金属、ワックス、樹脂またはシリコンオイルから形成さ
れる。同様に、他方の金属端子３０ｂは、中間部３２
ｂ、先端部３４ｂおよび末端部３６ｂを含み、外面には
んだめっきが施され、内面にはんだがつきにくい皮膜３
８ｂが形成される。
の中間部３２ａを含む。中間部３２ａの上端には、板状
の先端部３４ａが中間部３２ａに対向するように形成さ
れる。先端部３４ａと中間部３２ａの間には、すき間が
形成されていてもよい。この先端部３４ａの上下方向に
おける長さは、積層セラミックコンデンサ素子１２の高
さより少し長い２．５ｍｍに形成される。また、中間部
３２ａの下端には、板状の末端部３６ａが中間部３２ａ
とほほ直角方向にのびて形成される。したがって、先端
部３４ａは、中間部３２ａおよび末端部３６ａに対して
ばね性を有する。さらに、金属端子３０ａの外面（中間
部３２ａおよび先端部３４ａの対向しない面とそれにつ
ながる末端部３６ａの下面）には、はんだめっきが施さ
れる。また、はんだが付きやすい金属端子材料、たとえ
ば黄銅を用いるときは金属端子３０ａの内面（中間部３
２ａおよび先端部３４ａとの対向する面とそれにつなが
る末端部３６ａの上面）には、はんだがつきにくい皮膜
３８ａが形成される。この皮膜３８ａは、たとえば酸化
金属、ワックス、樹脂またはシリコンオイルから形成さ
れる。同様に、他方の金属端子３０ｂは、中間部３２
ｂ、先端部３４ｂおよび末端部３６ｂを含み、外面には
んだめっきが施され、内面にはんだがつきにくい皮膜３
８ｂが形成される。
【００１２】そして、フローはんだ付けによって、３個
の積層セラミックコンデンサ素子１２、１２、１２の外
部電極（Ｓｎ層２４ａおよび２４ｂ）の全表面には、高
温はんだ（Ｐｂ：Ｓｎ＝８５、１５）からなるはんだ層
２６ａおよび２６ｂが、それぞれ形成される。これらの
はんだ層２６ａおよび２６ｂによって、３個の積層セラ
ミックコンデンサ１２、１２、１２は、積み重ねられた
状態で接合されるとともに外部電極が電気的に接続さ
れ、さらに、下方の積層セラミックコンデンサ素子１２
の外部電極に金属端子３０ａおよび３０ｂの先端部３４
ａおよび３４ｂが接続される。
の積層セラミックコンデンサ素子１２、１２、１２の外
部電極（Ｓｎ層２４ａおよび２４ｂ）の全表面には、高
温はんだ（Ｐｂ：Ｓｎ＝８５、１５）からなるはんだ層
２６ａおよび２６ｂが、それぞれ形成される。これらの
はんだ層２６ａおよび２６ｂによって、３個の積層セラ
ミックコンデンサ１２、１２、１２は、積み重ねられた
状態で接合されるとともに外部電極が電気的に接続さ
れ、さらに、下方の積層セラミックコンデンサ素子１２
の外部電極に金属端子３０ａおよび３０ｂの先端部３４
ａおよび３４ｂが接続される。
【００１３】図３はこの発明にかかる第２実施例の積層
コンデンサを示す斜視図である。図３に示す積層コンデ
ンサ１０では、図１に示す積層コンデンサ１０と比べ
て、Ｆｅ−Ｃｒ製の金属端子３０ａおよび３０ｂの先端
部３４ａおよび３４ｂの上下方向における長さが３個分
の積層セラミックコンデンサ素子１２の高さにほぼ等し
い７．０ｍｍに形成される。また、その分だけ、金属端
子３０ａおよび３０ｂの中間部３２ａおよび３２ｂの上
下方向における長さも長く形成される。また、はんだ層
２６ａおよび２６ｂによって、３個の積層セラミックコ
ンデンサ素子１２、１２、１２の外部電極に金属端子３
０ａおよび３０ｂの先端部３４ａおよび３４ｂが接続さ
れる。
コンデンサを示す斜視図である。図３に示す積層コンデ
ンサ１０では、図１に示す積層コンデンサ１０と比べ
て、Ｆｅ−Ｃｒ製の金属端子３０ａおよび３０ｂの先端
部３４ａおよび３４ｂの上下方向における長さが３個分
の積層セラミックコンデンサ素子１２の高さにほぼ等し
い７．０ｍｍに形成される。また、その分だけ、金属端
子３０ａおよび３０ｂの中間部３２ａおよび３２ｂの上
下方向における長さも長く形成される。また、はんだ層
２６ａおよび２６ｂによって、３個の積層セラミックコ
ンデンサ素子１２、１２、１２の外部電極に金属端子３
０ａおよび３０ｂの先端部３４ａおよび３４ｂが接続さ
れる。
【００１４】図４は第１比較例の積層コンデンサを示す
斜視図であり、図５はその要部を示す分解斜視図であ
る。図４に示す積層コンデンサ１１は、図１に示す積層
コンデンサ１０と比べて、３個の積層セラミックコンデ
ンサ素子１２、１２、１２の外部電極の対向する部分の
みにはんだペースト２５ａおよび２５ｂ（図５参照）が
塗布され、その後にＦｅ−Ｃｒ製の金属端子３０ａおよ
び３０ｂが積層セラミックコンデンサ１２に接続され
る。そのため、はんだ層２６ａおよび２６ｂは、３個の
積層セラミックコンデンサ１２、１２、１２の外部電極
の対向する部分と、外部電極および金属端子の対向する
部分とだけに形成される。
斜視図であり、図５はその要部を示す分解斜視図であ
る。図４に示す積層コンデンサ１１は、図１に示す積層
コンデンサ１０と比べて、３個の積層セラミックコンデ
ンサ素子１２、１２、１２の外部電極の対向する部分の
みにはんだペースト２５ａおよび２５ｂ（図５参照）が
塗布され、その後にＦｅ−Ｃｒ製の金属端子３０ａおよ
び３０ｂが積層セラミックコンデンサ１２に接続され
る。そのため、はんだ層２６ａおよび２６ｂは、３個の
積層セラミックコンデンサ１２、１２、１２の外部電極
の対向する部分と、外部電極および金属端子の対向する
部分とだけに形成される。
【００１５】図６は第２比較例の積層コンデンサを示す
斜視図である。図６に示す積層コンデンサ１１は、図３
に示す積層コンデンサ１０と比べて、３個の積層セラミ
ックコンデンサ素子１２、１２、１２の外部電極の対向
する部分のみにはんだペーストが塗布され、その後にＦ
ｅ−Ｃｒ製の金属端子３０ａおよび３０ｂが積層セラミ
ックコンデンサ１２に接続される。そのため、はんだ層
２６ａおよび２６ｂは、３個の積層セラミックコンデン
サ１２、１２、１２の外部電極の対向する部分と、一番
下の積層セラミックコンデンサ素子１２の外部電極およ
び金属端子の対向する部分とだけに形成される。
斜視図である。図６に示す積層コンデンサ１１は、図３
に示す積層コンデンサ１０と比べて、３個の積層セラミ
ックコンデンサ素子１２、１２、１２の外部電極の対向
する部分のみにはんだペーストが塗布され、その後にＦ
ｅ−Ｃｒ製の金属端子３０ａおよび３０ｂが積層セラミ
ックコンデンサ１２に接続される。そのため、はんだ層
２６ａおよび２６ｂは、３個の積層セラミックコンデン
サ１２、１２、１２の外部電極の対向する部分と、一番
下の積層セラミックコンデンサ素子１２の外部電極およ
び金属端子の対向する部分とだけに形成される。
【００１６】そして、実施例１、実施例２、比較例１お
よび比較例２の積層コンデンサをアルミニウム基板に実
装したときの熱衝撃サイクル特性を調べ、その結果を表
１に示した。なお、この場合、熱衝撃サイクル特性は、
−５５℃〜１２５℃の熱変化を１サイクルの熱衝撃とし
て、２５０サイクルの熱衝撃を印加したときと、５００
サイクルの熱衝撃を印加したときとにおいて、静電容量
の変化（減少）が１０％以上の不良発生率（不良発生数
／全体数）を調べた。
よび比較例２の積層コンデンサをアルミニウム基板に実
装したときの熱衝撃サイクル特性を調べ、その結果を表
１に示した。なお、この場合、熱衝撃サイクル特性は、
−５５℃〜１２５℃の熱変化を１サイクルの熱衝撃とし
て、２５０サイクルの熱衝撃を印加したときと、５００
サイクルの熱衝撃を印加したときとにおいて、静電容量
の変化（減少）が１０％以上の不良発生率（不良発生数
／全体数）を調べた。
【００１７】
【表１】
【００１８】表１の結果より、積層セラミックコンデン
サ素子の外部電極の全表面にはんだ層を形成した実施例
１および実施例２では、熱衝撃による不良発生数が０で
あるに対して、積層セラミックコンデンサ素子の外部電
極の表面にはんだ層を部分的に形成した比較例１および
比較例２では、熱衝撃により不良が発生していることが
わかる。これは、積層セラミックコンデンサ素子の外部
電極を部分的にはんだ層で接続した場合、熱衝撃サイク
ル試験を行うと、その接続部分に熱応力が集中し、その
接続部分や積層セラミックコンデンサ素子にひびが発生
して静電容量が落ちてしまうからである。それに対し
て、積層セラミックコンデンサ素子の外部電極の全表面
にはんだ層を形成した場合、はんだ層によって、熱応力
が分散され、積層セラミックコンデンサ素子の接続部分
や積層セラミックコンデンサ素子にひびが発生しにくく
なり、熱衝撃に対する信頼性がよくなるからである。
サ素子の外部電極の全表面にはんだ層を形成した実施例
１および実施例２では、熱衝撃による不良発生数が０で
あるに対して、積層セラミックコンデンサ素子の外部電
極の表面にはんだ層を部分的に形成した比較例１および
比較例２では、熱衝撃により不良が発生していることが
わかる。これは、積層セラミックコンデンサ素子の外部
電極を部分的にはんだ層で接続した場合、熱衝撃サイク
ル試験を行うと、その接続部分に熱応力が集中し、その
接続部分や積層セラミックコンデンサ素子にひびが発生
して静電容量が落ちてしまうからである。それに対し
て、積層セラミックコンデンサ素子の外部電極の全表面
にはんだ層を形成した場合、はんだ層によって、熱応力
が分散され、積層セラミックコンデンサ素子の接続部分
や積層セラミックコンデンサ素子にひびが発生しにくく
なり、熱衝撃に対する信頼性がよくなるからである。
【００１９】また、上述の実施例１および実施例２のよ
うに、複数の積層セラミックコンデンサ素子の外部電極
の全表面にはんだ層を形成した場合、複数の積層セラミ
ックコンデンサ素子の接合強度が向上するので、接合さ
れる複数の積層セラミックコンデンサ素子の全部の外部
電極に対応して金属端子を形成する必要がない。
うに、複数の積層セラミックコンデンサ素子の外部電極
の全表面にはんだ層を形成した場合、複数の積層セラミ
ックコンデンサ素子の接合強度が向上するので、接合さ
れる複数の積層セラミックコンデンサ素子の全部の外部
電極に対応して金属端子を形成する必要がない。
【００２０】さらに、上述の実施例１および実施例２の
ように、金属端子の先端部が中間部および末端部に対し
てばね性を有するので、積層セラミックコンデンサ素子
と積層コンデンサを取り付ける基板との熱膨張の差を緩
和することができる。また、金属端子の内面にはんだが
つきにくい皮膜が形成されているので、金属端子の内面
にはんだがついて金属端子のばね性が損なわれるという
こともない。
ように、金属端子の先端部が中間部および末端部に対し
てばね性を有するので、積層セラミックコンデンサ素子
と積層コンデンサを取り付ける基板との熱膨張の差を緩
和することができる。また、金属端子の内面にはんだが
つきにくい皮膜が形成されているので、金属端子の内面
にはんだがついて金属端子のばね性が損なわれるという
こともない。
【００２１】図７はこの発明にかかる第３実施例の積層
コンデンサを示す斜視図である。図７に示す積層コンデ
ンサ１０は、図１に示す積層コンデンサ１０と同じ構造
である。
コンデンサを示す斜視図である。図７に示す積層コンデ
ンサ１０は、図１に示す積層コンデンサ１０と同じ構造
である。
【００２２】図８はこの発明にかかる第４実施例の積層
コンデンサを示す斜視図である。図８に示す積層コンデ
ンサ１０では、図７に示す積層コンデンサ１０と比べ
て、Ｆｅ−Ｃｒ製の金属端子３０ａおよび３０ｂの先端
部３４ａおよび３４ｂの上下方向における長さが２個分
の積層セラミックコンデンサ素子１２の高さにほぼ等し
い５．１ｍｍに形成される。また、その分だけ、金属端
子３０ａおよび３０ｂの中間部３２ａおよび３２ｂの上
下方向における長さも長く形成される。
コンデンサを示す斜視図である。図８に示す積層コンデ
ンサ１０では、図７に示す積層コンデンサ１０と比べ
て、Ｆｅ−Ｃｒ製の金属端子３０ａおよび３０ｂの先端
部３４ａおよび３４ｂの上下方向における長さが２個分
の積層セラミックコンデンサ素子１２の高さにほぼ等し
い５．１ｍｍに形成される。また、その分だけ、金属端
子３０ａおよび３０ｂの中間部３２ａおよび３２ｂの上
下方向における長さも長く形成される。
【００２３】図９はこの発明にかかる第５実施例の積層
コンデンサを示す斜視図である。図９に示す積層コンデ
ンサ１０は、図３に示す積層コンデンサ１０と同じ構造
である。
コンデンサを示す斜視図である。図９に示す積層コンデ
ンサ１０は、図３に示す積層コンデンサ１０と同じ構造
である。
【００２４】図１０はこの発明にかかる第６実施例の積
層コンデンサを示す斜視図である。図１０に示す積層コ
ンデンサ１０では、図９に示す積層コンデンサ１０と比
べて、Ｆｅ−Ｃｒ製の金属端子３０ａおよび３０ｂの先
端部３４ａおよび３４ｂの上下方向における長さが３個
分の積層セラミックコンデンサ素子１２の高さより長い
１０．１ｍｍに形成される。また、その分だけ、金属端
子３０ａおよび３０ｂの中間部３２ａおよび３２ｂの上
下方向における長さも長く形成される。
層コンデンサを示す斜視図である。図１０に示す積層コ
ンデンサ１０では、図９に示す積層コンデンサ１０と比
べて、Ｆｅ−Ｃｒ製の金属端子３０ａおよび３０ｂの先
端部３４ａおよび３４ｂの上下方向における長さが３個
分の積層セラミックコンデンサ素子１２の高さより長い
１０．１ｍｍに形成される。また、その分だけ、金属端
子３０ａおよび３０ｂの中間部３２ａおよび３２ｂの上
下方向における長さも長く形成される。
【００２５】図１１は第３比較例の積層コンデンサを示
す斜視図である。図１１に示す積層コンデンサ１１は、
図７〜図１０に示す積層コンデンサ１０と比べて、金属
端子３０ａおよび３０ｂが形成されていない。
す斜視図である。図１１に示す積層コンデンサ１１は、
図７〜図１０に示す積層コンデンサ１０と比べて、金属
端子３０ａおよび３０ｂが形成されていない。
【００２６】そして、実施例３、実施例４、実施例５、
実施例６および比較例３の積層コンデンサのＥＳＲおよ
びＥＳＬを測定し、それらの積層コンデンサをガラスエ
ポキシ基板に実装したときのたわみを測定し、それらの
積層コンデンサをアルミニウム基板に実装したときの熱
衝撃サイクル特性を調べ、その結果を表２に示した。な
お、ＥＳＲは１００ｋＨｚおよび４００ｋＨｚにおける
それぞれのＥＳＲを測定し、ＥＳＬは１０ＭＨｚにおけ
るＥＳＬを測定した。また、熱衝撃サイクル特性は、−
５５℃〜１２５℃の熱変化を１サイクルの熱衝撃とし
て、２５０サイクルの熱衝撃を印加したときにおける静
電容量の変化（減少）が１０％以上の不良発生率（不良
発生数／試験全体数）を調べた。
実施例６および比較例３の積層コンデンサのＥＳＲおよ
びＥＳＬを測定し、それらの積層コンデンサをガラスエ
ポキシ基板に実装したときのたわみを測定し、それらの
積層コンデンサをアルミニウム基板に実装したときの熱
衝撃サイクル特性を調べ、その結果を表２に示した。な
お、ＥＳＲは１００ｋＨｚおよび４００ｋＨｚにおける
それぞれのＥＳＲを測定し、ＥＳＬは１０ＭＨｚにおけ
るＥＳＬを測定した。また、熱衝撃サイクル特性は、−
５５℃〜１２５℃の熱変化を１サイクルの熱衝撃とし
て、２５０サイクルの熱衝撃を印加したときにおける静
電容量の変化（減少）が１０％以上の不良発生率（不良
発生数／試験全体数）を調べた。
【００２７】
【表２】
【００２８】本例では、表２の結果より、Ｆｅ−Ｃｒ製
の金属端子を用いた場合、金属端子の先端部の上下方向
における長さを５．１ｍｍにすることにより、ＥＳＲお
よびＥＳＬの増加を最小限にして、たわみおよび熱衝撃
サイクル特性をも向上させることができることがわか
る。
の金属端子を用いた場合、金属端子の先端部の上下方向
における長さを５．１ｍｍにすることにより、ＥＳＲお
よびＥＳＬの増加を最小限にして、たわみおよび熱衝撃
サイクル特性をも向上させることができることがわか
る。
【００２９】また、上述の実施例３、実施例４、実施例
５、実施例６および比較例３の積層コンデンサにおいて
金属端子を黄銅で形成した積層コンデンサについて、Ｅ
ＳＲおよびＥＳＬを測定し、ガラスエポキシ基板に実装
したときのたわみを測定し、アルミニウム基板に実装し
たときの熱衝撃サイクル特性を調べ、その結果を表３に
示した。
５、実施例６および比較例３の積層コンデンサにおいて
金属端子を黄銅で形成した積層コンデンサについて、Ｅ
ＳＲおよびＥＳＬを測定し、ガラスエポキシ基板に実装
したときのたわみを測定し、アルミニウム基板に実装し
たときの熱衝撃サイクル特性を調べ、その結果を表３に
示した。
【００３０】
【表３】
【００３１】表３の結果より、金属端子を黄銅で形成し
た場合、熱衝撃サイクル特性が少し劣化してしまうが、
ＥＳＲをさらに下げることができることがわかる。
た場合、熱衝撃サイクル特性が少し劣化してしまうが、
ＥＳＲをさらに下げることができることがわかる。
【００３２】上述のような積層コンデンサでは、金属端
子の長さが長くなるとＥＳＲやＥＳＬが大きくなり問題
になる場合がある。そのため、金属端子の長さは、でき
る限り短いほうがよい。一方、ＤＣ−ＤＣコンバータの
フィードバック制御回路のためには、調整する周波数帯
域でＥＳＲが一定であり、数ｍΩから１０ｍΩ程度であ
ることが最適である。そこで、この発明にかかる積層コ
ンデンサやその製造方法を用いると、金属端子の長さを
小さくすることが可能であり、これらの条件を満たすよ
うに金属端子の長さを調整して制御することができる。
すなわち、この発明によれば、金属端子の大きさを熱衝
撃サイクルやたわみ強度で求められる最低限の金属端子
の長さにすることが可能となり、低ＥＳＲ化、低ＥＳＬ
化が可能となる。また、この発明によれば、金属端子の
抵抗値、長さを調整することにより必要とするＥＳＲの
積層コンデンサを作ることが可能となる。
子の長さが長くなるとＥＳＲやＥＳＬが大きくなり問題
になる場合がある。そのため、金属端子の長さは、でき
る限り短いほうがよい。一方、ＤＣ−ＤＣコンバータの
フィードバック制御回路のためには、調整する周波数帯
域でＥＳＲが一定であり、数ｍΩから１０ｍΩ程度であ
ることが最適である。そこで、この発明にかかる積層コ
ンデンサやその製造方法を用いると、金属端子の長さを
小さくすることが可能であり、これらの条件を満たすよ
うに金属端子の長さを調整して制御することができる。
すなわち、この発明によれば、金属端子の大きさを熱衝
撃サイクルやたわみ強度で求められる最低限の金属端子
の長さにすることが可能となり、低ＥＳＲ化、低ＥＳＬ
化が可能となる。また、この発明によれば、金属端子の
抵抗値、長さを調整することにより必要とするＥＳＲの
積層コンデンサを作ることが可能となる。
【００３３】図１２はこの発明にかかる第７実施例の積
層コンデンサを示す斜視図である。図１２に示す積層コ
ンデンサ１０では、図１に示す積層コンデンサ１０と比
べて、特に、金属端子３０ａおよび３０ｂの中間部３２
ａおよび３２ｂの幅方向に中央に切欠部４０ａおよび４
０ｂが形成される。このように金属端子３０ａおよび３
０ｂに切欠部４０ａおよび４０ｂを形成すると、金属端
子３０ａおよび３０ｂのリアクタンス成分を調整するこ
とができる。さらに、図１２に示すように、金属端子３
０ａにおいて、切欠部４０ａで分割した末端部３６ａの
一方部分および他方部分をパターン電極Ｐ１およびＰ２
にそれぞれ接続し、金属端子３０ｂにおいて、切欠部４
０ｂで分割した末端部３６ｂの一方部分および他方部分
をパターン電極Ｐ３およびＰ４にそれぞれ接続して、図
示した矢印に示すように、金属端子３０ｂ（３０ａ）の
切欠部４０ｂ（４０ａ）で分割した中間部３２ｂ（３２
ａ）の一方部分および他方部分に逆向きの電流が流れ、
磁束が相殺されるようにすることによって、低ＥＳＬ化
が可能となる。なお、これらの切欠部４０ａおよび４０
ｂは、金属端子３０ａおよび３０ｂの中間部３２ａおよ
び３２ｂの幅方向における中央に限らず、金属端子３０
ａおよび３０ｂの他の部分に形成されても、複数個形成
されてもよい。
層コンデンサを示す斜視図である。図１２に示す積層コ
ンデンサ１０では、図１に示す積層コンデンサ１０と比
べて、特に、金属端子３０ａおよび３０ｂの中間部３２
ａおよび３２ｂの幅方向に中央に切欠部４０ａおよび４
０ｂが形成される。このように金属端子３０ａおよび３
０ｂに切欠部４０ａおよび４０ｂを形成すると、金属端
子３０ａおよび３０ｂのリアクタンス成分を調整するこ
とができる。さらに、図１２に示すように、金属端子３
０ａにおいて、切欠部４０ａで分割した末端部３６ａの
一方部分および他方部分をパターン電極Ｐ１およびＰ２
にそれぞれ接続し、金属端子３０ｂにおいて、切欠部４
０ｂで分割した末端部３６ｂの一方部分および他方部分
をパターン電極Ｐ３およびＰ４にそれぞれ接続して、図
示した矢印に示すように、金属端子３０ｂ（３０ａ）の
切欠部４０ｂ（４０ａ）で分割した中間部３２ｂ（３２
ａ）の一方部分および他方部分に逆向きの電流が流れ、
磁束が相殺されるようにすることによって、低ＥＳＬ化
が可能となる。なお、これらの切欠部４０ａおよび４０
ｂは、金属端子３０ａおよび３０ｂの中間部３２ａおよ
び３２ｂの幅方向における中央に限らず、金属端子３０
ａおよび３０ｂの他の部分に形成されても、複数個形成
されてもよい。
【００３４】なお、上述の各実施例では３個の積層セラ
ミックコンデンサ素子が用いられているが、この発明で
は２個または４個以上の積層セラミックコンデンサ素子
が用いられてもよい。
ミックコンデンサ素子が用いられているが、この発明で
は２個または４個以上の積層セラミックコンデンサ素子
が用いられてもよい。
【００３５】また、上述の各実施例では積層セラミック
コンデンサ素子の外部電極がＣｕ層、Ｎｉ層およびＳｎ
層の３層構造に形成されているが、外部電極ははんだが
つくなら他の構造に形成されてもよい。
コンデンサ素子の外部電極がＣｕ層、Ｎｉ層およびＳｎ
層の３層構造に形成されているが、外部電極ははんだが
つくなら他の構造に形成されてもよい。
【００３６】さらに、この発明では、複数の積層セラミ
ックコンデンサ素子間の強度を向上するために、それら
の間の中央部に接合用の樹脂が入れられてもよい。
ックコンデンサ素子間の強度を向上するために、それら
の間の中央部に接合用の樹脂が入れられてもよい。
【００３７】また、金属端子の材質は、Ｆｅ−Ｃｒ，黄
銅に限らず、Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｒあるいはこ
れらの合金などで構成してもよい。
銅に限らず、Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｒあるいはこ
れらの合金などで構成してもよい。
【００３８】
【発明の効果】この発明によれば、熱衝撃に対する信頼
性のよい積層コンデンサが得られる。また、この発明に
よれば、金属端子によるＥＳＲやＥＳＬの増加を防止す
ることができる。
性のよい積層コンデンサが得られる。また、この発明に
よれば、金属端子によるＥＳＲやＥＳＬの増加を防止す
ることができる。
【図１】この発明にかかる第１実施例の積層コンデンサ
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２】積層セラミックコンデンサ素子の一例を示す図
解図である。
解図である。
【図３】この発明にかかる第２実施例の積層コンデンサ
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図４】第１比較例の積層コンデンサを示す斜視図であ
る。
る。
【図５】図４に示す積層コンデンサの要部を示す分解斜
視図である。
視図である。
【図６】第２比較例の積層コンデンサを示す斜視図であ
る。
る。
【図７】この発明にかかる第３実施例の積層コンデンサ
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図８】この発明にかかる第４実施例の積層コンデンサ
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図９】この発明にかかる第５実施例の積層コンデンサ
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図１０】この発明にかかる第６実施例の積層コンデン
サを示す斜視図である。
サを示す斜視図である。
【図１１】第３比較例の積層コンデンサを示す斜視図で
ある。
ある。
【図１２】この発明にかかる第７実施例の積層コンデン
サを示す斜視図である。
サを示す斜視図である。
１０ 積層コンデンサ １２ 積層セラミックコンデンサ素子 １４ 積層体 １６ 誘電体層 １８ 内部電極 ２０ａ、２０ｂ Ｃｕ層 ２２ａ、２２ｂ Ｎｉ層 ２４ａ、２４ｂ Ｓｎ層 ２６ａ、２６ｂ はんだ層 ２８ａ、２８ｂ 切欠部 ３０ａ、３０ｂ 金属端子 ３２ａ、３２ｂ 中間部 ３４ａ、３４ｂ 先端部 ３６ａ、３６ｂ 末端部 ３８ａ、３８ｂ 皮膜 ４０ａ、４０ｂ 切欠部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米田 康信 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AC09 AE02 AE03 AF01 AF02 AF06 AH05 AH07 AJ03 5E082 AA02 AB03 BB10 BC33 CC05 EE23 FG06 FG26 FG27 GG08 GG11 GG21 GG26 JJ12 JJ21 JJ23 JJ27 LL02
Claims (6)
- 【請求項１】 両端に外部電極が形成される複数の積層
セラミックコンデンサ素子、 前記複数の積層セラミックコンデンサ素子の前記外部電
極の全表面に形成されるはんだ層、および前記複数の積
層セラミックコンデンサ素子の前記外部電極に電気的に
接続される金属端子を含み、 前記複数の積層セラミックコンデンサ素子は、積み重ね
られた状態で前記はんだ層によって接合され、 前記複数の積層セラミックコンデンサ素子の前記外部電
極は、前記はんだ層によって電気的に接続される、積層
コンデンサ。 - 【請求項２】 前記金属端子は、前記複数の積層セラミ
ックコンデンサ素子の少なくとも１つに前記はんだ層に
よって直接接続される、請求項１に記載の積層コンデン
サ。 - 【請求項３】 前記金属端子は、前記複数の積層セラミ
ックコンデンサ素子の少なくとも他の１つに直接接合さ
れない、請求項２に記載の積層コンデンサ。 - 【請求項４】 前記金属端子は、 中間部、 前記中間部の一端に前記中間部に間隔を隔てて対向する
ように形成され先端部、および前記中間部の他端に形成
される末端部を含み、 前記先端部は、前記中間部および前記末端部に対してば
ね性を有し、前記積層セラミックコンデンサ素子の前記
外部電極に前記はんだ層で接続される、請求項１ないし
請求項３のいずれかに記載の積層コンデンサ。 - 【請求項５】 前記金属端子の内面には、はんだがつき
にくい皮膜が形成される、請求項４に記載の積層コンデ
ンサ。 - 【請求項６】 前記金属端子にリアクタンス成分を調整
するための切欠部が形成される、請求項１ないし請求項
５のいずれかに記載の積層コンデンサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37302199A JP2001189233A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 積層コンデンサ |
| CN00133648A CN1308346A (zh) | 1999-12-28 | 2000-11-30 | 单片电容器 |
| TW089125564A TW463191B (en) | 1999-12-28 | 2000-12-01 | Monolithic capacitor |
| US09/749,974 US6433992B2 (en) | 1999-12-28 | 2000-12-28 | Monolithic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37302199A JP2001189233A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 積層コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001189233A true JP2001189233A (ja) | 2001-07-10 |
Family
ID=18501443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37302199A Pending JP2001189233A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 積層コンデンサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6433992B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001189233A (ja) |
| CN (1) | CN1308346A (ja) |
| TW (1) | TW463191B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010186884A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Tdk Corp | 積層コンデンサ及び積層コンデンサの製造方法 |
| WO2013088546A1 (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | 株式会社日立製作所 | コンデンサ装置及びコンデンサ装置を収納する電気機器 |
| CN104979097A (zh) * | 2014-04-14 | 2015-10-14 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电容器及用来安装该多层陶瓷电容器的板 |
| JP2018067906A (ja) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 株式会社リコー | 原子発振器及びその製造方法 |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7152291B2 (en) | 2002-04-15 | 2006-12-26 | Avx Corporation | Method for forming plated terminations |
| US7463474B2 (en) * | 2002-04-15 | 2008-12-09 | Avx Corporation | System and method of plating ball grid array and isolation features for electronic components |
| US7576968B2 (en) * | 2002-04-15 | 2009-08-18 | Avx Corporation | Plated terminations and method of forming using electrolytic plating |
| KR100908985B1 (ko) * | 2005-05-23 | 2009-07-22 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
| US20080291602A1 (en) * | 2007-05-24 | 2008-11-27 | Daniel Devoe | Stacked multilayer capacitor |
| US7633739B2 (en) * | 2007-05-24 | 2009-12-15 | Daniel Devoe | Stacked multilayer capacitor |
| US8289675B2 (en) * | 2007-05-24 | 2012-10-16 | Daniel Devoe | Stacked multilayer capacitor |
| EP2212983B1 (en) | 2007-10-15 | 2021-04-07 | Ampt, Llc | Systems for highly efficient solar power |
| WO2009055474A1 (en) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | And, Llc | High reliability power systems and solar power converters |
| US20110210611A1 (en) * | 2008-10-10 | 2011-09-01 | Ampt, Llc | Novel Solar Power Circuits |
| JP4862900B2 (ja) * | 2009-01-28 | 2012-01-25 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層コンデンサ及び積層コンデンサの製造方法 |
| WO2010120315A1 (en) | 2009-04-17 | 2010-10-21 | Ampt, Llc | Methods and apparatus for adaptive operation of solar power systems |
| WO2011049985A1 (en) | 2009-10-19 | 2011-04-28 | Ampt, Llc | Novel solar panel string converter topology |
| DE102009059873A1 (de) | 2009-12-21 | 2011-06-22 | Epcos Ag, 81669 | Varaktor und Verfahren zur Herstellung eines Varaktors |
| JP5637170B2 (ja) * | 2012-04-19 | 2014-12-10 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品およびその実装構造体 |
| JP5700721B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2015-04-15 | 太陽誘電株式会社 | 端子板付き電子部品 |
| KR101792280B1 (ko) * | 2012-12-10 | 2017-11-01 | 삼성전기주식회사 | 스택형 적층 세라믹 전자 부품, 스택형 적층 세라믹 전자 부품 모듈 및 그 제조 방법 |
| US9397497B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-07-19 | Ampt, Llc | High efficiency interleaved solar power supply system |
| CN103680951B (zh) * | 2013-12-13 | 2016-09-28 | 大连天壹电子有限公司 | 干式积层陶瓷电容器的外部电极制造方法 |
| KR102037264B1 (ko) * | 2014-12-15 | 2019-10-29 | 삼성전기주식회사 | 기판 내장용 소자, 그 제조 방법 및 소자 내장 인쇄회로기판 |
| KR102183424B1 (ko) * | 2015-07-06 | 2020-11-26 | 삼성전기주식회사 | 적층 전자부품 및 적층 전자부품의 실장 기판 |
| JP2017098445A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品及びセラミック電子部品の製造方法 |
| JP6780394B2 (ja) * | 2016-09-12 | 2020-11-04 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| JP6878851B2 (ja) * | 2016-11-22 | 2021-06-02 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
| CN108091488B (zh) * | 2016-11-22 | 2020-12-29 | Tdk株式会社 | 电子部件 |
| JP6862789B2 (ja) * | 2016-11-22 | 2021-04-21 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
| JP7039955B2 (ja) | 2017-11-21 | 2022-03-23 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| US10381158B2 (en) | 2016-11-22 | 2019-08-13 | Tdk Corporation | Electronic device |
| US10178770B1 (en) * | 2017-12-22 | 2019-01-08 | Kemet Electronics Corporation | Higher density multi-component and serial packages |
| KR102211743B1 (ko) * | 2018-08-29 | 2021-02-03 | 삼성전기주식회사 | 전자 부품 |
| KR102150550B1 (ko) * | 2018-10-10 | 2020-09-01 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 집합체 |
| US11621129B2 (en) * | 2019-04-25 | 2023-04-04 | KYOCERA AVX Components Corporation | Low inductance component |
| KR20220033178A (ko) * | 2020-09-09 | 2022-03-16 | 삼성전기주식회사 | 전자 부품 및 그 실장 기판 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01112032A (ja) | 1987-10-24 | 1989-04-28 | Nippon Denso Co Ltd | クラッチ機構 |
| GB9814317D0 (en) * | 1997-07-23 | 1998-09-02 | Murata Manufacturing Co | Ceramic electronic part and method for producing the same |
| DE69936008T2 (de) * | 1998-01-07 | 2008-01-10 | Tdk Corp. | Keramischer Kondensator |
| JPH11340079A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-10 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品およびその実装構造 |
| JP3758408B2 (ja) * | 1998-06-24 | 2006-03-22 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品 |
| JP2000235932A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
-
1999
- 1999-12-28 JP JP37302199A patent/JP2001189233A/ja active Pending
-
2000
- 2000-11-30 CN CN00133648A patent/CN1308346A/zh active Pending
- 2000-12-01 TW TW089125564A patent/TW463191B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-12-28 US US09/749,974 patent/US6433992B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010186884A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Tdk Corp | 積層コンデンサ及び積層コンデンサの製造方法 |
| WO2013088546A1 (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | 株式会社日立製作所 | コンデンサ装置及びコンデンサ装置を収納する電気機器 |
| CN104979097A (zh) * | 2014-04-14 | 2015-10-14 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电容器及用来安装该多层陶瓷电容器的板 |
| JP2018067906A (ja) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 株式会社リコー | 原子発振器及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1308346A (zh) | 2001-08-15 |
| US20010007522A1 (en) | 2001-07-12 |
| US6433992B2 (en) | 2002-08-13 |
| TW463191B (en) | 2001-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001189233A (ja) | 積層コンデンサ | |
| JP3376970B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| US7605683B2 (en) | Monolithic electronic component | |
| US8405954B2 (en) | Monolithic ceramic electronic component and mounting structure thereof | |
| JP3883528B2 (ja) | 電子部品 | |
| JP4187184B2 (ja) | 電子部品 | |
| JP3376971B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| US6518632B1 (en) | Ceramic electronic part | |
| JP6939762B2 (ja) | 積層セラミック電子部品およびその実装構造 | |
| JPH1174147A (ja) | セラミックコンデンサ | |
| US10115523B2 (en) | Ceramic electronic component and mounting structure of the same | |
| JP3760770B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JP2002057063A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP4083971B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JPH04188810A (ja) | 複合セラミックコンデンサ | |
| JP3358499B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| US20200328029A1 (en) | Multilayer ceramic capacitor, mount structure of multilayer ceramic capacitor, and series of electronic components | |
| US11276528B2 (en) | Electronic component | |
| JP4736225B2 (ja) | コンデンサ | |
| JPWO2017002495A1 (ja) | チップ型セラミック電子部品 | |
| JP2002164257A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP2002057064A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP3206736B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JP2002043166A (ja) | 電子部品 | |
| JP2002043170A (ja) | 積層セラミックコンデンサモジュール |