TW463191B - Monolithic capacitor - Google Patents

Monolithic capacitor Download PDF

Info

Publication number
TW463191B
TW463191B TW089125564A TW89125564A TW463191B TW 463191 B TW463191 B TW 463191B TW 089125564 A TW089125564 A TW 089125564A TW 89125564 A TW89125564 A TW 89125564A TW 463191 B TW463191 B TW 463191B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
monolithic
scope
patent application
item
ceramic capacitor
Prior art date
Application number
TW089125564A
Other languages
English (en)
Inventor
Takuji Nakagawa
Yoshikazu Takagi
Yasunobu Yoneda
Original Assignee
Murata Manufacturing Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co filed Critical Murata Manufacturing Co
Application granted granted Critical
Publication of TW463191B publication Critical patent/TW463191B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3421Leaded components
    • H05K3/3426Leaded components characterised by the leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/38Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H01F27/292Surface mounted devices
    • H01F2027/295Surface mounted devices with flexible terminals
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)

Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(\ ) 發明背長 1. 發明領域 本發明係相關於單片式電容器,更特別地,本發明係 相關於一種具有高電容的單片式電容器,包括多個單片陶 瓷電容元件和金屬接線端,用作譬如鉬電解電容器的代用 品,用以平穩DC-DC變換器中的電源電路,或其他適宜的 用途。 2. 相關技術說明 爲了以保證彎曲強度及減輕熱應力改善熱衝擊電 阻,使用帶金屬接線端的單片式電容器。在這種單片式電 容器中,用金屬接線端支撐各單片陶瓷電容元件,以便不 與基板接觸。另外,如日本未審實用新型公開平-1-Π2032 中所述,使多個金屬接線端被彎曲。採用上述技術,還可 以減小高熱脹係數的基板,如鋁基板與各單片陶瓷電容元 件之間熱膨賬的差異。 在這種單片式電容器中,在形成多個單片陶瓷電容元 件時,利用導電樹脂或焊接劑,使各單片陶瓷電容元件的 外部電極彼此部分相連。 然而,有關這種單片陶瓷電容器,其中利用導電樹脂 或焊接劑,使各個單片陶瓷電容元件的外部電極,各接點 處的熱應力集中,而且各接點及單片陶瓷電容元件中可能 發生斷裂,造成靜電電容減小。 3 I T ^^1 n ^^1 I— -^1 ^^1 1 ^^1 I n 1^1 I l· * ] «^1 ^1» n ^^1 n 1 ^^1 ^^1 I 口 ^ (請先閱讀背面之注咅〕事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 463 1Γ A7 B7 五、發明說明(y) 發明摘要 爲了克服上述問題,本發明的較佳實施例提出一®^ 衝擊阻力高的單片式電容器,同時避免現有減少的所有^ 題。 按照本發明的各較佳實施例,一種單片式電容器包^舌 多個單片陶瓷電容元件,它們的兩端裝有外部電極’每個 單片陶瓷電容元件的外部電極的整個表面上佈置焊接層’ 與各單片陶瓷電容元件的外部電極電連接的金屬接線端° 各單片陶瓷電容元件互相疊置,並以焊接層互相連接’而 且單片陶瓷電容元件的外部電極以焊接層彼此電連接。 本發明之不同較佳實施例的單片式電容器中,最好金 屬接線端以焊焊層與至少一個單片陶瓷電容元件直接連 接。在這種情況下,各金屬接線端不能與其他的至少一個 單片陶瓷電容元件直接連接。 本發明不同較佳實施例的單片式電容器中,最好每個 金屬接線端包括中間部分,位於所述中間部分的一個邊緣 上的端部,它面向所述中間部分,其間有間隔,還包括位 於所述中間部分另一邊緣上的端部,其中所述端部將所述 金屬接線端賦予彈性,並以所述的焊接層與所述單片陶瓷 電容元件的外部電極相連。在這種情況下,可在金屬接線 端的內表面上形成阻礙焊接的膜層。 此外,本發明之不同較佳實施例的單片式電容器中, 在金屬接線端上有切口,用以調節電抗分量。 本發明之不同較佳實施例的單片式電容器中,由於各 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 x 297公爱) -------------rv--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 63 191 A_ Λι _B7__ 五、發明說明(今) 單片陶瓷電容的外部電極的整個表面上佈置有所述焊層, 所以熱應力被所述焊層分散,並且防止各單片陶瓷電容元 件的接點中和各單片陶瓷電容元件發生熱裂。因此,本發 明較佳實施例的單片式電容器中的熱衝擊阻力大大得到改
Trinr 〇 從以下參照附圖詳細描述實施例,將使本發明的其他 特徵、元件、特點和優點更顯淸晰。 簡里圖示說明 圖1是本發明第一較佳實施例單片式電容器的透視 圖; 圖2是表示一個單片陶瓷電容元件的示意圖; 圖3是本發明第二較佳實施例單片式電容器的透視 圖; 圖4是第一比較例單片式電容器的透視圖; 圖5是表示圖4所示單片式電容器主要部分的裝配示 意圖; 圖6是第二比較例單片式電容器的透視圖: 圖7是本發明第三較佳實施例單片式電容器的透視 圖; 圖8是本發明第四較佳實施例單片式電容器的透視 圖; 圖9是本發明第五較佳實施例單片式電容器的透視 圖, 5 本纸張I度適用中國國ϋ準(CNS)A4規格(2]0 X 297公釐) _____________^ ________丁_________缘一I--' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 63 1 9 A7 37 五、發明說明(斗*) 圖, 圖10是本發明第六較佳實施例單片式電容器的透視 圖u是第三比較例單片式電容器的透視圖; 圖12是本發明第七較佳實施例單片式電容器的透視 圖 眭濟部智慧財產局員工消費合作社印製 元件符號說明 單片式電容器 單片式電容器 單片陶瓷電容元件 疊層片 介電層 內部電極 20a Cu 層 20b Cu 層 22a Ni 層 22b Ni 層 24a Sn 層 24b Sn 層 30a金屬接線_ 3〇b金屬接線端 32a中間部分 32b中間部分 34a端部 34b端部 10 11 12 14 16 18 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----- 線丨 本紙張尺度適用中國1家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 463 1 五、發明說明) 36a端部 36b端部 38a膜層 38b膜層 40a 切口 40b 切口 銥住眚施例詳細說明 圖1是本發明第一較佳實施例單片式電容器的透視 圖。圖1中所示的單片式電容器10最好包括三個單片陶瓷 電容元件12。 如圖2所示,單片陶瓷電容元件12包括疊層片14。 疊層片14包括多個譬如由鈦酸鋇基之介電材料或其他適宜 的材料製成的介電層16,以及多個由諸如Ni等電極材料 或其他適宜的材料製成的內部電極18。多個介電層16和 多個內部電極18被交替地疊置。在這種情況下,使內部電 極18每隔一個排列成,延伸到疊層14的一側,同時保持 其他內部電極18排列成,使延伸至疊層14的另一側。在 疊層14 一側包含的一個端部上,依次安排Cu層20a、Ni 層22a和Sn層24a,構成外部電極。在這種情況下,在疊 層I4的一端加給厚度爲ΙΟΟμιη的Cu的糊劑,並在約150 °C條件下實行乾燥約10分鐘,隨之在8〇〇t條件下烘乾約 5分鐘,形成Cu層2〇a 〇繼而,利用濕法電鍍形成厚度約 Ιμηι的Ni層22a,並形成厚度約5μιη的Sn層24a。類似 7 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公髮) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
» n i n-i-r-OJ» I n .^1 n .^1 I n n n —I I I .I n n n n I - - n t— n LI It n. I 463 1 91 at B7 五、發明說明(6) 地,在包含疊層14另一側的另一端上,依次形成Cu層20b、 Ni層22b和Sn層24b ’構成外部電極。 如圖1所示,利用流動的焊接劑,將三個單片陶瓷電 容元件12與兩個最好由比如Fe-Cr合金製成的金屬接線端 30a和30b連在一起。 這就是說,金屬接線端30a包含平板狀中間部分^ 在中間部分32a的上邊緣佈置平板狀的端部34a,其面對 中間部分32a。端部34a與中間部分32a之間可開有間隙。 將端部3心的豎直長度最好約2.5mm ’這略長於單片陶瓷 電容元件12的高度。平板狀端部36a係置放在中間部分32a 的下邊緣,使其沿著基本上垂直於中間部分的方向延 伸。因此,端部3如將彈性傳遞給金屬接線端30a。金屬 接線端30a的外表面(即中間部分和端部34a的表面’ 除去彼此面對的表面之外,以及與之相連的端部36a的下 表面)受到焊料鍍層。另外,當容易被焊接的金屬接線端材 料採用比如黃銅時,金屬接線端30a的內表面(中間部分32a 和端部34a互相面對的表面,以及與之相連的端部36a的 上表面)上,形成阻礙焊接的膜層38a。膜層38a最好由比 如金屬氧化物、石蠟、樹脂或矽油或者其他適宜的材料製 成。類似地,另一個金屬接線端30b包含中間部分32b、 端部34b和端部36b,外表面受到焊料鍍層,而內表面上 形成阻礙焊接的膜層38b。 焊層26a和26b最好由高溫焊料,如由Pb:Sn=85:15 製得,它通過流動的焊劑分別佈置于三個單片陶瓷電容元 件12的外部電極(Sn層24a和24b)的整個表面上。三個單 8 (請先閒讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 訂---------線L-------------------- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 63 1 9 ? a? _ B7 五、發明說明(9) 片陶瓷電容元件12互相重疊並利用焊層24a和24b彼此連 接,而且各外部電極彼此電連接,而且,金屬接線端30a 和30b的端部34a和端部34b連到下部單片陶瓷電容元件 12的外部電極。 圖3是根據本發明第二較佳實施例單片式電容器的立 體圖。圖3所示單片式電容器10不同於圖!所示的單片式 電容器10,金屬接線端30a和30b的端部34a和34b的縱 向長度最好約7.0mm,這實質上等於連在一起的三個單片 陶瓷電容元件I2的高度。因此,金屬接線端30a和30b的 中間部分32a和32b的縱向長度比較長。利用焊層26a和 26b,使金屬接線端30a和30b的端部34a和34b與三個單 片陶瓷電容元件12的外部電極相連。 圖4是第一比較例單片式電容器的透視圖,而圖5是 表示圖4所示單片式電容器主要部分的裝配示意圖。在圖 4所示的單片式電容器π中,與圖1所示的單片式電容器 10比較,只將焊劑25a和25b(參見圖5)加到三個單片陶瓷 電容元件12的外部電極互相面對的部分,而且再使用Fe-Cr合金製成的金屬接線端30a和30b與單片陶瓷電容元件 12相連。因此,焊層26a和26b只佈置于三個單片陶瓷電 容元件12的外部電極互相面對的部分和各外部電極與金屬 接線端彼此面對的部分上。 圖6是根據第二比較例單片式電容器的立體圖。圖6 中所示的單片式電容器U與圖3所示的單片式電容器10 相比,只將焊劑加于三個單片陶瓷電容元件U的外部電極 互相面對的部分,然後再使由Fe-Cr合金製成的金屬接線 9 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格 (210 X 297公楚) 11 ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 iflv I ^ ^^1 n ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 τι'I ^^1 ^flv ϋ li in n» I I if ? \-^=°女,'·7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本貝) 4 63 1 91 五、發明說明(j ) (請先閱讀背面之;i意事項再填寫本頁) 端30a和30b與各單片陶瓷電容元件12相連。因此,焊層 26a和20b佈置于三個單片陶瓷電容元件12的外部電極互 相面對的部分以及底部單片陶瓷電容元件12的外部電極與 金屬接線端互相面對的部分。 按照本發明第一與第二較佳實施例以及第一與第二比 較例所示例結構的單片式電容器,最好每一個都裝在鋁基 板上,觀察熱衝擊的迴圈特性,結果示於表1中。其中, 硏究有關於在使用250次迴圈周期的熱衝擊和使用500次 迴圈周期的熱衝擊情況下的熱衝擊迴圈特性中之故障率(故 障次數/總次數),這當中從-55°C至125°C的熱變化是一次 熱衝擊迴圏周期。大於或等於10%的靜電容變化(減小)即 被認爲是故障。 表 1 g屬接線端端 部長度(mm) 金屬接線 端的材料 熱衝擊迴圈特性(故障次數/總次 數) 250次迴圈 500次迴圈 實例1(圖1) 2.5 Fe-Cr 0/36 0/36 實例2(圖3) 7.0 Fe-Cr 0/36 0/36 比較例1(圖 4) 2.5 Fe-Cr 2/36 16/36 比較例2(圖 6) 7.0 Fe-Cr 2/36 10/36 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 有如從表1所能看到的,按照本發明第一與第二較佳 實施例構成的實例1和實例2中的焊層係佈置於各單片陶 10 本紙張&度適用中國國家標準(CNSM4規格(210 X 297公釐) 463 1 Λ7 B7 五、發明說明(^) 瓷電容元件的外部電極的整個表面上,由熱衝擊引起的故 障次數爲0。相反的,比較例1和比較2中的焊層部分地 形成于各單片陶瓷電容元件的外部電極的表面上,會發生 因熱衝擊引起的故障。 所得到的結果原因在於,當各單片陶瓷電容元件的外 部電極彼此通過焊層局部連接時,在熱衝擊試驗中,有熱 應力集中在接點處,在接點和各單片陶瓷電容元件內會發 生斷裂,同時引起靜電容減小。相反,當各單片陶瓷電容 元件的外部電極的整個表面上佈置焊層時,會通過焊層而 分散熱應力,防止在各單片陶瓷電容元件與單片陶瓷電容 元件的接點處發生熱裂,從而改善熱衝擊阻力。 另如上面的實例1和2所述,當在各單片陶瓷電容元 件的外部電極的整個表面上佈置焊層時,由於各單片陶瓷 電容元件的連接強度大大提高,所以無需形成金屬接線端 在相應於被連在一起的單片陶瓷電容元件的外部電極。 此外,有如上面的實例1和2所述,由於金屬接線端 的端部將彈性傳遞給金屬接線端,就能減小其上安裝所述 單片式電容器的基板與各單片陶瓷電容元件之間熱膨脹的 差異。並且,由於在金屬接線端的內表面上形成阻礙焊接 的膜層,所以不會因焊劑附於金屬接線端的內表面削弱金 屬接線端的弾性° 圖7是根據本發明第三較佳實施例單片式電容器的立 體圖。圖7中所示的單片式電容器的結構與圖1所示單 片式電容器10的結構本質上相同° (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 n it n n h°J n n I I n I n ^ I I i I I I n tl· t i— n 本紙張尺度適用中囤囷家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 4 63 1 Γ ; Λ7 Β7 五、發明說明(/0) 圖8是根據本發明第四較佳實施例單片式電容器的立 體圖。圖8中所示的單片式電容器10不同於圖7中所示的 單片式電容器10,最好由Fe-Cr合金製成的金屬接線端30a 和30b的端部34a和34b的縱向長度約 5.1mm,這實質 上等於連在一起的兩個單片陶瓷電容元件12的高度。因 此,金屬接線端30a和30b的中間部分32a和32b的縱向 長度比較長。 圖9是本發明第五較佳實施例單片式電容器的立體 圖。圖9中所示的單片式電容器10的結構最好本質上與圖 3所示單片式電容器10的結構相同。 圖10是本發明第六較佳實施例單片式電容器的立體 圖。圖10中所示的單片式電容器10不同於圖9中所示的 單片式電容器10,金屬接線端30a和30b的端部34a和34b 的縱向長度約 10.1mm,這長於連在一起的三個單片陶瓷 電容元件12的高度。因此,中間部分32a和32b的縱向長 度比較長。 圖11是第三比較例單片式電容器的透視圖。在圖11 所示的單片式電容器11中,相比圖7至10中所示的單片 式電容器10,沒有金屬接線端30a和30b。 對於本發明較佳實施例3、4、5和6以及比較例3中 所示例結構的單片式電容器,測量等效串聯電阻(ESR)和等 效串聯電感(ESL),當把每個單片式電容器裝於環氧玻璃基 板上時,測量偏差,而且在把每個單片式電容器裝於鋁基 板上時,測量熱衝擊迴圈特性。它們的結果被示於表2中。 12 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注t事項再填寫本頁) --------訂·--------) '' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 4 63 1 λ 五、發明說明(/'/) 在100kHz和400kHz下測量ESR,而在10MHz下測量ESL。 對於熱衝擊迴圏特性’硏究了在使用250次熱衝擊迴圈周 期情況下的故障率(故障次數/試驗總次數),其中從—^^至 125°C的熱變化是一次熱衝擊迴圈周期。大於或等於1〇%的 靜電容變化(減小)即被認爲是故障。 表 2 金屬接線 端端部的 m fmm) 金屬接 線端的 材料 100kHz 下的 ESR (ιηΩ) 400kHz 下的 ESR (ιηΩ) 10MH z下的 ESL (nH) 偏差 (mm) 熱衝擊迴圈特 性(故障次數/ 總次數) 實例 3(11 7) 2.5 Fe-Cr 5.9 6.4 1.3 4.2 0/36 實例 4(圖 8) 5.1 Fe-Cr 7.2 7.6 1.6 7或更大 0/36 實例 5(圖 9) 7.0 Fe-Cr 9.0 9.8 2.0 7或更大 0/36 實例 6(Hl〇) 10.1 Fe-Cr 15.0 15.9 3.2 7或更大 0/36 比較例 3_11) 3.0 0.1 0.8 1.5 36/36 有如從表2所能看到的,當使用由Fe-Cr合金製成的 金屬接線端時’通過將金屬接線卿的陆部長度設定爲 5,1娜,使ESR和ESL·的增大減至ij最小’並可使故障及熱 衝擊迴圈特性大大改善。 對於實例3、4、5和6以及比較例3中的單片式電容 13 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) 丁 _ I 111 — — — — i t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 463 191 A7 ____________________ B7 ___..... - — _ _ 五、發明說明(/>) 器,其中的金屬接線端由黃銅製成,測量ESR和ESL,當 把每個單片式電容器裝於環氧玻璃基板上時,_量偏差, 並在把每個單片式電容器裝於鋁基板上時,測摄熱衝擊迴 圈特性。它們的結果被示於表3中。 金屬接線 端端部的 m (mm) 金屬接 線端的 材料 100kHz 下的 ESR (ιηΩ) 400kHz 下的 ESR (ιηΩ) 10ΜΗ z下的 ESL (nH) 偏差 (mm) 熱衝擊迴圈特 性(故障次數/ 總次數) 實例 3(圖 7) 2.5 黃銅 3.3 3.1 1.0 4.2 2/36 實例 4(圖 8) 5.1 黃銅 3.6 3.1 1.2 7或更大 0/36 實例 5(圖 9) 7.0 黃銅 3.7 3.1 1.5 7或更大 0/36 實例 6(ffll〇) 10.1 黃銅 4.8 3.1 2.2 7或更大 0/36 比較例 3圖11) 3.0 0.1 0.8 1.5 36/36 有如從表3所能看到的,當使用由黃銅製成的金屬接 線端時,雖然熱衝擊迴圈特性略爲下降,但可使ESR進一 步減小。 在上述各單片式電容器中’如果加大金屬接線端的長 度,則ESR和ESL增大,這是有害的。因此,最好將金屬 14 本紙張尺度適用中囤國家標準(CNS)A4規格(2〗0 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •jwi i I I f I n n ϋ n n n It n It >1 _
五、發明說明(/+3) 接線端的長度設定得盡可能短。另一方面,對於DC-DC轉 換器的反饋控制電路,在所要調解的頻帶內,ESR最好是 恒定的’大致在幾毫歐姆到10毫歐姆。如果採用本發明各 較佳實施例的單片式電容器及其製作方法,可以大大減小 金屬接線端的長度,並可通過調節金屬接線端的長度進行 精確地調解和控制,以滿足上述條件。 這就是說,按照本發明各較佳實施例,可將金屬接線 端的長度設定成熱衝擊迴圏特性和彎曲強度所需的最小 値,並可使ESR和ESL大大減小。本發明各較佳實施例通 過調整金屬接線端的電阻及長度,可以較爲容易且準確地 製成具有所需ESR的單片式電容器。 圖12是本發明第七較佳實施例單片式電容器的立體 圖。圖12中所示的單片式電容器1〇不同於圖1中所示的 單片式電容器10,沿金屬接線端30a和30b的中間部分32a 和32b寬度方向,在靠近中心處分別設置切口 40a和40b。 通過在金屬接線端30a和30b中設置切口 40a和4〇b,可 使金屬接線端30a和30b的電抗分量得到調節。此外,如 圖12所示,在金屬接線端30a內,由切口 40a分開的端部 36a的第一部分,以及第二部分分別與圖樣電極P1和P2 相連,而在金屬接線端30b內,由切口 40b分開的端部36b 的第一部分,以及第二部分分別與圖樣電極P3和P4相連。 由於在被金屬接線端30b(30a)的切口 40b(4〇a)分開的中間 部分32b(32a)的第一部分與第二部分中的電流沿相反方流 動,使磁通量互相抵消,從而可使ESL大大減小。另外, (請先閱讀背面之注意事項再填寫未頁) -n n n n 一nJ n n n n ill I n < 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A‘l規格(210 X 297公釐) A7 46^ 01 五、發明說明(ί午) 所述切口 40a和40b並非一定要形成於金屬接線端30a和 30b的中間部分32a與32b的靠近中心處,而是可以彤成 於金屬接線端30a和30b的其他區域。並且,可以形成多 個切口。 雖然上述各較佳實施例的示例中均採用三個單片陶瓷 電容元件,但本發明中也可採用兩個或者四個以上單片陶 瓷電容元件。 雖然上述各較佳實施例所示例的單片陶瓷電容元件的 外部電極均有包含Cu層、Ni層和Sn層的三層結構,不過 所述外部電極也可有其他結構,只要它是可以焊接的即可。 此外,本發明的各較佳實施例中,爲了提高多個單片 陶瓷電容元件之間的結合強度,可將結合用的樹脂嵌入各 單片陶瓷電容元件之間的靠近中心處。 金屬接線端的材料不限於Fe-Cr合金或黃銅,也可採 用Ag、Ni、Cu、Fe和Cr,或它們的合金,或者其他適宜 的材料。 按照本發明各較佳實施例,可以得到具有高熱衝擊阻 力的單片式電容器。另外,本發明各較佳實施例還可避免 增大ESR和ESL。 雖然本發明已經由參照較佳實施例說明之,但按照上 述示範,本發明的很多修改和變化都是可能的。因此,將 能理解,在所附申請專利範圍內,除了有如所特別敘述的, 本發明還可以其他方式實現。 16 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
-^^1 ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 丨 MHb ΜΑΙΑ Μ·· _ ^ 1^1 i n ^1· ^^1 ^^1 ^^1 n n n ^^1 m ^^1 I 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A.:1規格(210 X 297公复)

Claims (1)

  1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 63 19丨 頜 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種單片式電容器,其係包括: 多個單片陶瓷電容元件,其在兩端具有外部電極; 各單片陶瓷電容元件的外部電極佈置覆蓋整個表面的焊層; 與各單片陶瓷電容元件的外部電極電連接的金屬接線 端;其特徵在於: 各單片陶瓷電容元件互相疊置並通過焊層彼此連接; 所述單片陶瓷電容元件的外部電極通過所述焊層彼此電連 接。 2. 如申請專利範圍第1項所述的單片式電容器,其中, 該各金屬接線端通過所述焊層與至少一個單片陶瓷電容元 件直接連接。 3. 如申請專利範圍第2項所述的單片式電容器,其中, 該各金屬接線端不能與至少一個其他的單片陶瓷電容元件 直接連接。 4. 如申請專利範圍第1項所述的單片式電容器,其中, 該每個金屬接線端包括中間部分,位於所述中間部分的一 個邊緣上的端部,它面向所述中間部分,其間有間隔,以 及位於所述中間部分另一邊緣上的端部,而所述端部被佈 置成給所述金屬接線端以彈性,並通過該焊層其中之一與 所述單片陶瓷電容元件的外部電極相連。 5. 如申請專利範圍第4項所述的單片式電容器,其中, 在所述金屬接線端的內表面上佈置阻礙焊接的膜層。 6. 如申請專利範圍第1項所述的單片式電容器,其中, 金屬接線端上包括至少一個切口,其被佈置成用以調節金 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂------- ·!線 L----------------------- A8 B8 C8 D8 63 1 91 六、申請專利範圍 屬接線端的電抗分量。 7·如申請專利範圍第1項所述的單片式電容器,其中, 所述多個單片陶瓷電容元件中的每一個都包括具有多個介 電層的疊層,以及多個內部電極,其被交替地佈置在所述 多個介電層上。 8. 如申請專利範圍第1項所述的單片式電容器,其中, 至少一個所述外部電極包括Cu層、Ni層和Sn層。 9. 如申請專利範圍第1項所述的單片式電容器,其中, 所述多個單片陶瓷電容元件至少包括三個單片陶瓷電容元 件’而且所述至少三個單片陶瓷電容元件被連接在一起。 10. 如申請專利範圍1所述的單片式電容器,其中,所 述金屬接線端由Fe-Cr合金製成。 U.如申請專利範圍第1項所述的單片式電容器,其中, 所述焊層由含Sn的高溫焊劑制得。 Π_如申請專利範圍第1項所述的單片式電容器,其中, 所述金屬接線端包括端部,其與多個單片陶瓷電容元件之 一的外部電極連接。 13.如申請專利範圍第12項所述的單片式電容器,其 中,所述金屬接線端的端部的縱向長度實質上等於連在一 起的多個單片電容元件的高度。 Μ.如申請專利範圍第13項所述的單片式電容器,其 中,所述連在一起的單片電容元件的數目爲3。 I5.如申請專利範圍第13項所述的單片式電容器,其 中,所述連在一起的單片電容元件的數目爲2。 2 《請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I ^--- 訂---------線! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 16 3 191 六、申請專利範圍 16. 如申請專利範圍第12項所述的單片式電容器’其 中,所述金屬接線端的端部的縱向長度長於多個單片電容 元件連在一起的高度。 17. 如申請專利範圍第1項所述的單片式電容器,其中’ 每個所述金屬接線端上至少形成一個切口。 18. 如申請專利範圍第Π項所述的單片式電容器,其 中,所述至少一個切口位於每個金屬接線端的中間部分的 靠近中心處。 19. 如申請專利範圍第1項所述的單片式電容器,其中, 每個所述金屬接線端上形成多個切口。 20. 如申請專利範圍第19項所述的單片式電容器,其 中,所述多個切口位於所述金屬接線端的中間部分的靠近 中心處。 -------------| -------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
TW089125564A 1999-12-28 2000-12-01 Monolithic capacitor TW463191B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37302199A JP2001189233A (ja) 1999-12-28 1999-12-28 積層コンデンサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW463191B true TW463191B (en) 2001-11-11

Family

ID=18501443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089125564A TW463191B (en) 1999-12-28 2000-12-01 Monolithic capacitor

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6433992B2 (zh)
JP (1) JP2001189233A (zh)
CN (1) CN1308346A (zh)
TW (1) TW463191B (zh)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7576968B2 (en) * 2002-04-15 2009-08-18 Avx Corporation Plated terminations and method of forming using electrolytic plating
US7463474B2 (en) * 2002-04-15 2008-12-09 Avx Corporation System and method of plating ball grid array and isolation features for electronic components
US7152291B2 (en) 2002-04-15 2006-12-26 Avx Corporation Method for forming plated terminations
EP1890302B1 (en) * 2005-05-23 2018-06-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic electronic component and method for manufacturing same
WO2009051853A1 (en) 2007-10-15 2009-04-23 And, Llc Systems for highly efficient solar power
US7633739B2 (en) * 2007-05-24 2009-12-15 Daniel Devoe Stacked multilayer capacitor
US20080291602A1 (en) * 2007-05-24 2008-11-27 Daniel Devoe Stacked multilayer capacitor
US8289675B2 (en) * 2007-05-24 2012-10-16 Daniel Devoe Stacked multilayer capacitor
US7919953B2 (en) * 2007-10-23 2011-04-05 Ampt, Llc Solar power capacitor alternative switch circuitry system for enhanced capacitor life
WO2010042124A1 (en) * 2008-10-10 2010-04-15 Ampt, Llc Novel solar power circuits and powering methods
JP4862900B2 (ja) * 2009-01-28 2012-01-25 Tdk株式会社 積層コンデンサ及び積層コンデンサの製造方法
JP4952728B2 (ja) * 2009-02-12 2012-06-13 Tdk株式会社 積層コンデンサ及び積層コンデンサの製造方法
WO2010120315A1 (en) 2009-04-17 2010-10-21 Ampt, Llc Methods and apparatus for adaptive operation of solar power systems
US9466737B2 (en) 2009-10-19 2016-10-11 Ampt, Llc Solar panel string converter topology
DE102009059873A1 (de) 2009-12-21 2011-06-22 Epcos Ag, 81669 Varaktor und Verfahren zur Herstellung eines Varaktors
JP5941064B2 (ja) * 2011-12-15 2016-06-29 株式会社日立製作所 コンデンサ装置及びコンデンサ装置を収納する電気機器
JP5637170B2 (ja) * 2012-04-19 2014-12-10 株式会社村田製作所 積層型セラミック電子部品およびその実装構造体
JP5700721B2 (ja) * 2012-08-30 2015-04-15 太陽誘電株式会社 端子板付き電子部品
KR101792280B1 (ko) * 2012-12-10 2017-11-01 삼성전기주식회사 스택형 적층 세라믹 전자 부품, 스택형 적층 세라믹 전자 부품 모듈 및 그 제조 방법
US9397497B2 (en) 2013-03-15 2016-07-19 Ampt, Llc High efficiency interleaved solar power supply system
CN103680951B (zh) * 2013-12-13 2016-09-28 大连天壹电子有限公司 干式积层陶瓷电容器的外部电极制造方法
KR20150118386A (ko) * 2014-04-14 2015-10-22 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판
KR102037264B1 (ko) * 2014-12-15 2019-10-29 삼성전기주식회사 기판 내장용 소자, 그 제조 방법 및 소자 내장 인쇄회로기판
KR102183424B1 (ko) * 2015-07-06 2020-11-26 삼성전기주식회사 적층 전자부품 및 적층 전자부품의 실장 기판
JP2017098445A (ja) * 2015-11-26 2017-06-01 太陽誘電株式会社 セラミック電子部品及びセラミック電子部品の製造方法
JP6780394B2 (ja) * 2016-09-12 2020-11-04 Tdk株式会社 電子部品
JP6939188B2 (ja) * 2016-10-19 2021-09-22 株式会社リコー 原子発振器及びその製造方法
JP7039955B2 (ja) 2017-11-21 2022-03-23 Tdk株式会社 電子部品
JP6878851B2 (ja) * 2016-11-22 2021-06-02 Tdk株式会社 セラミック電子部品
CN108091488B (zh) * 2016-11-22 2020-12-29 Tdk株式会社 电子部件
JP6862789B2 (ja) * 2016-11-22 2021-04-21 Tdk株式会社 セラミック電子部品
US10381158B2 (en) 2016-11-22 2019-08-13 Tdk Corporation Electronic device
US10178770B1 (en) * 2017-12-22 2019-01-08 Kemet Electronics Corporation Higher density multi-component and serial packages
KR102211743B1 (ko) * 2018-08-29 2021-02-03 삼성전기주식회사 전자 부품
KR102150550B1 (ko) * 2018-10-10 2020-09-01 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 집합체
US11621129B2 (en) * 2019-04-25 2023-04-04 KYOCERA AVX Components Corporation Low inductance component
KR20220033178A (ko) * 2020-09-09 2022-03-16 삼성전기주식회사 전자 부품 및 그 실장 기판

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01112032A (ja) 1987-10-24 1989-04-28 Nippon Denso Co Ltd クラッチ機構
GB9814317D0 (en) * 1997-07-23 1998-09-02 Murata Manufacturing Co Ceramic electronic part and method for producing the same
EP0929087B1 (en) * 1998-01-07 2007-05-09 TDK Corporation Ceramic capacitor
JPH11340079A (ja) * 1998-05-29 1999-12-10 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品およびその実装構造
JP3758408B2 (ja) * 1998-06-24 2006-03-22 株式会社村田製作所 セラミック電子部品
JP2000235932A (ja) * 1999-02-16 2000-08-29 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001189233A (ja) 2001-07-10
CN1308346A (zh) 2001-08-15
US6433992B2 (en) 2002-08-13
US20010007522A1 (en) 2001-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW463191B (en) Monolithic capacitor
US9024202B2 (en) Electronic chip component and board having the same mounted thereon
KR101630037B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터, 어레이형 적층 세라믹 커패시터, 그 제조 방법 및 그 실장 기판
US6661640B2 (en) Multilayer ceramic electronic device
JP5570069B2 (ja) 積層型チップキャパシタ
US20140116766A1 (en) Multilayered chip electronic component and board for mounting the same
KR20160092251A (ko) 표면 실장 전자부품 및 전자부품의 실장 기판
JP2015050452A (ja) 基板内蔵用積層セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板
WO2005076298A1 (ja) 固体電解コンデンサ
US10748707B2 (en) Electronic component
US9887040B2 (en) Multilayer electronic component and board having the same
JP6970118B2 (ja) コンデンサアレンジメント
CN112397307B (zh) 多层陶瓷电容器
CN109427478B (zh) 电子部件
JP4924698B2 (ja) 電子部品実装構造
JP4736225B2 (ja) コンデンサ
US11581135B2 (en) Electronic component and board having the same mounted thereon
CN112349516B (zh) 多层陶瓷电容器以及包括其的基板
JP4953989B2 (ja) 積層コンデンサおよびコンデンサ実装基板
US11728095B2 (en) Electronic component
US11594376B2 (en) Electronic component and board having the same mounted thereon
JP7239241B2 (ja) 積層セラミック電子部品
KR102426212B1 (ko) 전자 부품 및 그 실장 기판
JP2587851Y2 (ja) 積層コンデンサ
KR20220063556A (ko) 적층형 커패시터 및 그 실장 기판

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent