JP3206736B2 - セラミックコンデンサ - Google Patents
セラミックコンデンサInfo
- Publication number
- JP3206736B2 JP3206736B2 JP2762998A JP2762998A JP3206736B2 JP 3206736 B2 JP3206736 B2 JP 3206736B2 JP 2762998 A JP2762998 A JP 2762998A JP 2762998 A JP2762998 A JP 2762998A JP 3206736 B2 JP3206736 B2 JP 3206736B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic capacitor
- terminal
- ceramic
- capacitor according
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 151
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 87
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 17
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 8
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 230000009471 action Effects 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010956 nickel silver Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/236—Terminals leading through the housing, i.e. lead-through
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/38—Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックコンデ
ンサに関する。本発明は、主に、スイッチング電源用の
平滑用コンデンサとして用いるのに適した積層チップ型
のセラミックコンデンサに関する。
ンサに関する。本発明は、主に、スイッチング電源用の
平滑用コンデンサとして用いるのに適した積層チップ型
のセラミックコンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】これまで、スイッチング電源用の平滑用
コンデンサとしては、アルミ電解コンデンサが主流であ
った。しかしながら、小型化、信頼性向上等の市場要求
が強まり、これに対応すべく、小型で高信頼性のセラミ
ックコンデンサの要求が高まっている。
コンデンサとしては、アルミ電解コンデンサが主流であ
った。しかしながら、小型化、信頼性向上等の市場要求
が強まり、これに対応すべく、小型で高信頼性のセラミ
ックコンデンサの要求が高まっている。
【０００３】一般に、電源周辺は高熱を発するため、基
板は放熱性の良いアルミニウム基板が用いられる。しか
しながら、電源周辺では、電源のオン／オフによる温度
変化が大きく、熱膨張率の大きなアルミニウム基板上に
実装したセラミックコンデンサには大きな熱応力が発生
する。この熱応力は、セラミックコンデンサにクラック
を発生させ、ショート不良や、発火等のトラブルを発生
させる原因となる。
板は放熱性の良いアルミニウム基板が用いられる。しか
しながら、電源周辺では、電源のオン／オフによる温度
変化が大きく、熱膨張率の大きなアルミニウム基板上に
実装したセラミックコンデンサには大きな熱応力が発生
する。この熱応力は、セラミックコンデンサにクラック
を発生させ、ショート不良や、発火等のトラブルを発生
させる原因となる。
【０００４】発火等のトラブルを無くするためには、セ
ラミックコンデンサに発生する熱応力を緩和することが
重要である。熱応力を緩和する手段として、実公平５−
４６２５８号公報、特開平４−１７１９１１号公報及び
特開平４−２５９２０５号公報等は、セラミックコンデ
ンサの端子電極に金属板をはんだ付けし、金属板をアル
ミニウム基板上に実装することにより、セラミックコン
デンサがアルミニウム基板に直接はんだ付されるのを防
ぐ構造を開示している。
ラミックコンデンサに発生する熱応力を緩和することが
重要である。熱応力を緩和する手段として、実公平５−
４６２５８号公報、特開平４−１７１９１１号公報及び
特開平４−２５９２０５号公報等は、セラミックコンデ
ンサの端子電極に金属板をはんだ付けし、金属板をアル
ミニウム基板上に実装することにより、セラミックコン
デンサがアルミニウム基板に直接はんだ付されるのを防
ぐ構造を開示している。
【０００５】通常、アルミニウム基板の膨張、収縮によ
る熱応力を充分に吸収するためには、アルミニウム基板
にはんだ付される端子部から、セラミックコンデンサと
の接続部分に至る金属板の脚部分を、できるだけ長くす
る必要がある。しかしながら、従来品では、金属板の脚
を長くすると、必然的にセラミックコンデンサの高さが
高くなる構造であるため、金属板の脚の長さを、基板に
おいて許容される許容高さ内の寸法となるように制限す
る必要がある。
る熱応力を充分に吸収するためには、アルミニウム基板
にはんだ付される端子部から、セラミックコンデンサと
の接続部分に至る金属板の脚部分を、できるだけ長くす
る必要がある。しかしながら、従来品では、金属板の脚
を長くすると、必然的にセラミックコンデンサの高さが
高くなる構造であるため、金属板の脚の長さを、基板に
おいて許容される許容高さ内の寸法となるように制限す
る必要がある。
【０００６】このため、従来品では、金属板の脚の長さ
を大きくすることができず、電源周辺のような温度変化
の激しい環境下（−５５〜１２５℃）で長期間使用し続
けると、セラミックコンデンサの端部付近にクラックが
発生し、発火する危険性が高く、信頼性に関する重大な
問題があるため十分普及するに至っていない。
を大きくすることができず、電源周辺のような温度変化
の激しい環境下（−５５〜１２５℃）で長期間使用し続
けると、セラミックコンデンサの端部付近にクラックが
発生し、発火する危険性が高く、信頼性に関する重大な
問題があるため十分普及するに至っていない。
【０００７】また、従来、金属板は燐青銅、銀、銅、ス
テンレス、アルミニウム、洋白等によって構成してあっ
た。ところが、これらの金属材料は、セラミックコンデ
ンサを構成するセラミック誘電体材料の平均線膨張係数
より著しく大きな平均線膨張係数を持つ。このため、温
度変化の大きな電源周辺部品として用いた場合、セラミ
ックコンデンサ素子と、金属板との間の平均線膨張係数
の相違から、特に、金属板接続部分に大きな応力が加わ
り、セラミックコンデンサの端部付近にクラックが発生
し、導通不良や発火等のトラブルを発生することがあっ
た。
テンレス、アルミニウム、洋白等によって構成してあっ
た。ところが、これらの金属材料は、セラミックコンデ
ンサを構成するセラミック誘電体材料の平均線膨張係数
より著しく大きな平均線膨張係数を持つ。このため、温
度変化の大きな電源周辺部品として用いた場合、セラミ
ックコンデンサ素子と、金属板との間の平均線膨張係数
の相違から、特に、金属板接続部分に大きな応力が加わ
り、セラミックコンデンサの端部付近にクラックが発生
し、導通不良や発火等のトラブルを発生することがあっ
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、−５
５℃から１２５℃までの温度範囲において、セラミック
コンデンサ素子にクラック、破損等が発生するのを確実
に阻止できるセラミックコンデンサを提供することであ
る。
５℃から１２５℃までの温度範囲において、セラミック
コンデンサ素子にクラック、破損等が発生するのを確実
に阻止できるセラミックコンデンサを提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係るセラミックコンデンサは、少なくと
も１つのセラミックコンデンサ素子と、少なくとも一対
の金属端子とを含む。前記セラミックコンデンサ素子
は、相対する両側端面に端子電極を有しており、前記金
属端子のそれぞれは、前記端子電極の一つに接続されて
いる。
ため、本発明に係るセラミックコンデンサは、少なくと
も１つのセラミックコンデンサ素子と、少なくとも一対
の金属端子とを含む。前記セラミックコンデンサ素子
は、相対する両側端面に端子電極を有しており、前記金
属端子のそれぞれは、前記端子電極の一つに接続されて
いる。
【００１０】前記セラミックコンデンサ素子は、２５℃
から−５５℃までの平均線膨張係数をα1とし、２５℃
から１２５℃までの平均線膨張係数をα2としたとき、
α1＜α2を満たす。前記金属端子は、−５５℃から１２
５℃までの平均線膨張係数をβ としたとき、β ＜１．３
α2を満たし、かつ、β ＞０．７α1を満たす。
から−５５℃までの平均線膨張係数をα1とし、２５℃
から１２５℃までの平均線膨張係数をα2としたとき、
α1＜α2を満たす。前記金属端子は、−５５℃から１２
５℃までの平均線膨張係数をβ としたとき、β ＜１．３
α2を満たし、かつ、β ＞０．７α1を満たす。
【００１１】平均線膨張係数α1、α2及びβ が、上述の
条件を満たす場合、−５５℃から１２５℃までの温度範
囲において、セラミックコンデンサ素子にクラック、破
損等が発生するのを確実に阻止できることが確認され
た。
条件を満たす場合、−５５℃から１２５℃までの温度範
囲において、セラミックコンデンサ素子にクラック、破
損等が発生するのを確実に阻止できることが確認され
た。
【００１２】誘電体の主成分がチタン酸バリウムからな
るときは、セラミック誘電体の平均線膨張係数はα1≦
７×１０-6であり、α2≧９×１０-6である。セラミッ
ク誘電体の主成分が鉛系複合ペロプスカイトからなる場
合は、α1≦２×１０-6であり、α2≧３×１０-6であ
る。
るときは、セラミック誘電体の平均線膨張係数はα1≦
７×１０-6であり、α2≧９×１０-6である。セラミッ
ク誘電体の主成分が鉛系複合ペロプスカイトからなる場
合は、α1≦２×１０-6であり、α2≧３×１０-6であ
る。
【００１３】したがって、金属端子の平均線膨張係数β
は、誘電体の主成分がチタン酸バリウムからなる場合
と、鉛系複合ペロプスカイトからなる場合とでは、それ
ぞれの平均線膨張係数α１、α２を考慮し、前述した条
件を満たすように定める必要がある。
は、誘電体の主成分がチタン酸バリウムからなる場合
と、鉛系複合ペロプスカイトからなる場合とでは、それ
ぞれの平均線膨張係数α１、α２を考慮し、前述した条
件を満たすように定める必要がある。
【００１４】本発明の他の目的、構成及び利点について
は、添付図面を参照し、更に具体的に説明する。添付図
面は単に例を示すに過ぎない。
は、添付図面を参照し、更に具体的に説明する。添付図
面は単に例を示すに過ぎない。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係るセラミックコ
ンデンサの正面図、図２は図１に示したセラミックコン
デンサの正面断面図である。図示されたセラミックコン
デンサは、１つのセラミックコンデンサ素子１と、一対
の金属端子２、３とを含む。セラミックコンデンサ素子
１は、長さＬの方向において相対する両側端面に端子電
極１１、１２を有する。
ンデンサの正面図、図２は図１に示したセラミックコン
デンサの正面断面図である。図示されたセラミックコン
デンサは、１つのセラミックコンデンサ素子１と、一対
の金属端子２、３とを含む。セラミックコンデンサ素子
１は、長さＬの方向において相対する両側端面に端子電
極１１、１２を有する。
【００１６】図２を参照すると、セラミックコンデンサ
素子１は、セラミック誘電体基体１００の内部に多数
（例えば１００層）の内部電極１０１、１０２を有す
る。内部電極１０１は一端が端子電極１１に接続され、
他端が開放端になっており、内部電極１０２は一端が端
子電極１２に接続され、他端が開放端になっている。
素子１は、セラミック誘電体基体１００の内部に多数
（例えば１００層）の内部電極１０１、１０２を有す
る。内部電極１０１は一端が端子電極１１に接続され、
他端が開放端になっており、内部電極１０２は一端が端
子電極１２に接続され、他端が開放端になっている。
【００１７】セラミックコンデンサ素子１は、２５℃か
ら−５５℃までの平均線膨張係数α1とし、２５℃から
１２５℃までの平均線膨張係数をα2としたとき、α1＜
α2を満たす。
ら−５５℃までの平均線膨張係数α1とし、２５℃から
１２５℃までの平均線膨張係数をα2としたとき、α1＜
α2を満たす。
【００１８】金属端子２、３のうち、金属端子２は端子
電極１１に接続され。金属端子３は端子電極１２に接続
されている。金属端子２、３は、−５５℃から１２５℃
までの平均線膨張係数をβ としたとき、β ＜１．３α2
を満たし、かつ、β ＞０．７α1を満たす。次に、これ
らの条件について述べる。
電極１１に接続され。金属端子３は端子電極１２に接続
されている。金属端子２、３は、−５５℃から１２５℃
までの平均線膨張係数をβ としたとき、β ＜１．３α2
を満たし、かつ、β ＞０．７α1を満たす。次に、これ
らの条件について述べる。
【００１９】（Ａ）β ＜１．３α2について β ≦α2及びα2＜β ＜１．３α2のように場合分けして
説明する。
説明する。
【００２０】（Ａ１）β ≦α2の場合 β ≦α2である場合、２５℃から１２５℃までの温度範
囲では、セラミックコンデンサ素子１の方が、金属端子
２、３よりも伸びが大きくなるので、セラミックコンデ
ンサ素子１には圧縮応力が発生する。したがって、β ≦
α2を満たすように設定すると、２５〜１２５℃の温度
範囲において、セラミックコンデンサ素子１にクラック
を発生することがない。
囲では、セラミックコンデンサ素子１の方が、金属端子
２、３よりも伸びが大きくなるので、セラミックコンデ
ンサ素子１には圧縮応力が発生する。したがって、β ≦
α2を満たすように設定すると、２５〜１２５℃の温度
範囲において、セラミックコンデンサ素子１にクラック
を発生することがない。
【００２１】（Ａ２）α2＜β ＜１．３α2の場合 β ＞α2の場合、２５℃から１２５℃までの温度範囲
で、セラミックコンデンサ素子１の方が、金属端子２、
３よりも伸びが小さくなるので、セラミックコンデンサ
素子１には引っ張り応力が発生する。ここで、β ＜１．
３α2の範囲であれば、セラミックコンデンサ素子１に
引っ張り応力が発生しても、その応力は小さいので、ク
ラックを発生することがない。
で、セラミックコンデンサ素子１の方が、金属端子２、
３よりも伸びが小さくなるので、セラミックコンデンサ
素子１には引っ張り応力が発生する。ここで、β ＜１．
３α2の範囲であれば、セラミックコンデンサ素子１に
引っ張り応力が発生しても、その応力は小さいので、ク
ラックを発生することがない。
【００２２】（Ｂ）０．７α1＜βについて β≧α1及び０．７α1＜β＜α1の範囲に場合分けして
説明する。
説明する。
【００２３】（Ｂ１）β≧α1の場合 −５５〜２５℃の温度範囲において、２５℃を基準にす
れば、セラミックコンデンサ素子１及び金属端子２、３
が温度とともに収縮する方向となる。β ≧α1である場
合、金属端子２、３の収縮よりも、セラミックコンデン
サ素子１の収縮が小さくなるので、セラミックコンデン
サ素子１には圧縮応力が発生する。従って、セラミック
コンデンサ素子１にクラックを発生することがない。
れば、セラミックコンデンサ素子１及び金属端子２、３
が温度とともに収縮する方向となる。β ≧α1である場
合、金属端子２、３の収縮よりも、セラミックコンデン
サ素子１の収縮が小さくなるので、セラミックコンデン
サ素子１には圧縮応力が発生する。従って、セラミック
コンデンサ素子１にクラックを発生することがない。
【００２４】（Ｂ２）０．７α1＜β＜α1の場合 α1＞β の場合、−５５℃から２５℃までの温度範囲で
は、セラミックコンデンサ素子１の方が、金属端子２、
３よりも収縮するので、セラミックコンデンサ素子１に
は引っ張り応力が発生する。ここで、０．７α1＜βの
範囲であれば、セラミックコンデンサ素子１に引っ張り
応力が発生しても、その応力は小さいので、クラックを
発生することがない。
は、セラミックコンデンサ素子１の方が、金属端子２、
３よりも収縮するので、セラミックコンデンサ素子１に
は引っ張り応力が発生する。ここで、０．７α1＜βの
範囲であれば、セラミックコンデンサ素子１に引っ張り
応力が発生しても、その応力は小さいので、クラックを
発生することがない。
【００２５】セラミックコンデンサ素子１は、誘電体の
主成分がチタン酸バリウムからなる場合は、α1≦７×
１０-6であり、α2≧９×１０-6である。誘電体基体１
００の主成分が鉛系複合ペロプスカイトからなる場合
は、α1≦２×１０-6であり、α2≧３×１０-6である。
したがって、金属端子２、３の平均線膨張係数βは、誘
電体基体１００の主成分がチタン酸バリウムからなる場
合と、鉛系複合ペロプスカイトからなる場合とでは、そ
れぞれの平均線膨張係数α１、α２を考慮し、前述した
条件を満たすように定める必要がある。
主成分がチタン酸バリウムからなる場合は、α1≦７×
１０-6であり、α2≧９×１０-6である。誘電体基体１
００の主成分が鉛系複合ペロプスカイトからなる場合
は、α1≦２×１０-6であり、α2≧３×１０-6である。
したがって、金属端子２、３の平均線膨張係数βは、誘
電体基体１００の主成分がチタン酸バリウムからなる場
合と、鉛系複合ペロプスカイトからなる場合とでは、そ
れぞれの平均線膨張係数α１、α２を考慮し、前述した
条件を満たすように定める必要がある。
【００２６】本発明において用い得る鉛系複合ペロプス
カイト（リラクサ）系磁器誘電体材料の具体例としては
組成式Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−Pb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3で
表されるものがある。この組成式は、一般に、ＰＭＮ−
ＰＭＷ−ＰＴと表現される。この他、ＰＭＮ−ＰＮＮ−
ＰＴ、ＰＭＮ−ＰＺＴ−ＰＴ、ＰＭＮ−ＰＮＮ−ＰＭＷ
−ＰＴ等の一般式によって表現されるものも使用可能で
ある。
カイト（リラクサ）系磁器誘電体材料の具体例としては
組成式Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−Pb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3で
表されるものがある。この組成式は、一般に、ＰＭＮ−
ＰＭＷ−ＰＴと表現される。この他、ＰＭＮ−ＰＮＮ−
ＰＴ、ＰＭＮ−ＰＺＴ−ＰＴ、ＰＭＮ−ＰＮＮ−ＰＭＷ
−ＰＴ等の一般式によって表現されるものも使用可能で
ある。
【００２７】好ましくは、内部電極１０１は、その開放
端と端子電極１２との間に、間隔△Ｌ１が生じるように
形成する。内部電極１０２は、その開放端と端子電極１
１との間に、間隔△Ｌ２が生じるように形成する。間隔
△Ｌ１及び△Ｌ２は、開放端と端子電極１１、１２との
間の最短距離で与えられる。具体的には、間隔△Ｌ１
は、端子電極１２の内、セラミック誘電体基体１００の
表面及び裏面に付着されている垂れ部分１２１の先端か
らセラミック誘電体基体１００の厚み方向に引かれた線
分Ｓ１１と、開放端の先端からセラミック誘電体基体１
００の厚み方向に引かれた線分Ｓ１２との間の間隔とし
て与えられる。間隔△Ｌ２は、端子電極１１の内、セラ
ミック誘電体基体１００の表面及び裏面に付着されてい
る垂れ部分１１１の先端からセラミック誘電体基体１０
０の厚み方向に引かれた線分Ｓ２１と、開放端の先端か
らセラミック誘電体基体１００の厚み方向に引かれた線
分Ｓ２２との間の間隔として与えられる。
端と端子電極１２との間に、間隔△Ｌ１が生じるように
形成する。内部電極１０２は、その開放端と端子電極１
１との間に、間隔△Ｌ２が生じるように形成する。間隔
△Ｌ１及び△Ｌ２は、開放端と端子電極１１、１２との
間の最短距離で与えられる。具体的には、間隔△Ｌ１
は、端子電極１２の内、セラミック誘電体基体１００の
表面及び裏面に付着されている垂れ部分１２１の先端か
らセラミック誘電体基体１００の厚み方向に引かれた線
分Ｓ１１と、開放端の先端からセラミック誘電体基体１
００の厚み方向に引かれた線分Ｓ１２との間の間隔とし
て与えられる。間隔△Ｌ２は、端子電極１１の内、セラ
ミック誘電体基体１００の表面及び裏面に付着されてい
る垂れ部分１１１の先端からセラミック誘電体基体１０
０の厚み方向に引かれた線分Ｓ２１と、開放端の先端か
らセラミック誘電体基体１００の厚み方向に引かれた線
分Ｓ２２との間の間隔として与えられる。
【００２８】図２において、セラミックコンデンサ素子
１は、内部電極１０１、１０２の電極面が水平面と平行
となる横配置となっているが、図２の位置からセラミッ
クコンデンサ素子１を約９０度回転させて、内部電極１
０１、１０２の電極面が水平面に対して垂直となる縦配
置としてもよい。
１は、内部電極１０１、１０２の電極面が水平面と平行
となる横配置となっているが、図２の位置からセラミッ
クコンデンサ素子１を約９０度回転させて、内部電極１
０１、１０２の電極面が水平面に対して垂直となる縦配
置としてもよい。
【００２９】金属端子２は、一端２１が端子電極１１に
接続され、中間部に折り返し部２２を有し、折り返し部
２２の先に、外部と接続される端子部２３を有する。金
属端子３も、一端３１が端子電極１２に接続され、中間
部に折り返し部３２を有し、折り返し部３２の先に外部
と接続される端子部３３を有する。金属端子２、３は電
気抵抗が低く、しかもバネ性に優れた材料によって構成
する。板厚は、限定するものではないが、代表的には
０．１ｍｍ程度である。金属端子２、３の一端２１、３
１は、接合材４、５によって端子電極１１、１２に接続
されている。
接続され、中間部に折り返し部２２を有し、折り返し部
２２の先に、外部と接続される端子部２３を有する。金
属端子３も、一端３１が端子電極１２に接続され、中間
部に折り返し部３２を有し、折り返し部３２の先に外部
と接続される端子部３３を有する。金属端子２、３は電
気抵抗が低く、しかもバネ性に優れた材料によって構成
する。板厚は、限定するものではないが、代表的には
０．１ｍｍ程度である。金属端子２、３の一端２１、３
１は、接合材４、５によって端子電極１１、１２に接続
されている。
【００３０】図３は図１及び図２に示したセラミックコ
ンデンサを回路基板上に実装した時の状態を示す部分断
面図である。セラミックコンデンサは、回路基板７０の
上に搭載されている。回路基板７０の表面にには導体パ
ターン７１、７２が設けられている。セラミックコンデ
ンサに備えられた金属端子２の端子部２３がはんだ８１
によって導体パターン７１にはんだ付けされ、金属端子
３の端子部３３がはんだ８２によって導体パターン７２
にはんだ付けされされている。
ンデンサを回路基板上に実装した時の状態を示す部分断
面図である。セラミックコンデンサは、回路基板７０の
上に搭載されている。回路基板７０の表面にには導体パ
ターン７１、７２が設けられている。セラミックコンデ
ンサに備えられた金属端子２の端子部２３がはんだ８１
によって導体パターン７１にはんだ付けされ、金属端子
３の端子部３３がはんだ８２によって導体パターン７２
にはんだ付けされされている。
【００３１】ここで、実施例に係るセラミックコンデン
サにおいて、少なくとも一対備えられる金属端子２、３
のそれぞれは、一端２１、３１が、セラミックコンデン
サ素子１の端子電極１１、１２に接続され、中間部に折
り返し部２２、３２を有し、折り返し部２２、３２の先
に外部と接続される端子部２３、３３を有する。かかる
構造の金属端子２、３は、中間部に設けられた折り返し
部２２、３２により、基板等の外部導体と接続される端
子部からセラミックコンデンサ素子１の端子電極１１、
１２に接続された一端までの長さ（高さ）が、中間部に
設けられた折り返し部２２、３２により拡大される。
サにおいて、少なくとも一対備えられる金属端子２、３
のそれぞれは、一端２１、３１が、セラミックコンデン
サ素子１の端子電極１１、１２に接続され、中間部に折
り返し部２２、３２を有し、折り返し部２２、３２の先
に外部と接続される端子部２３、３３を有する。かかる
構造の金属端子２、３は、中間部に設けられた折り返し
部２２、３２により、基板等の外部導体と接続される端
子部からセラミックコンデンサ素子１の端子電極１１、
１２に接続された一端までの長さ（高さ）が、中間部に
設けられた折り返し部２２、３２により拡大される。
【００３２】例えば、端子部２３、３３を基準として、
接合材４、５による金属端子２、３の接続位置までの高
さは、折り返し部２２、３２を持たない従来の場合、部
品高さＨとなるが、本発明においては、折り返し部２
２、３２の頂部までの経路長ｈとなり、高さ寸法が大幅
に大きくなる。経路長ｈは、折り返し部２２、３２の頂
部の位置を調整することにより、全長Ｌのセラミックコ
ンデンサに許容される部品高さＨよりも、低く抑えるこ
とができる。
接合材４、５による金属端子２、３の接続位置までの高
さは、折り返し部２２、３２を持たない従来の場合、部
品高さＨとなるが、本発明においては、折り返し部２
２、３２の頂部までの経路長ｈとなり、高さ寸法が大幅
に大きくなる。経路長ｈは、折り返し部２２、３２の頂
部の位置を調整することにより、全長Ｌのセラミックコ
ンデンサに許容される部品高さＨよりも、低く抑えるこ
とができる。
【００３３】しかも、折り返し部２２、３２が一種のス
プリング作用を奏する。このため、回路基板７０の撓み
及び熱膨張を、折り返し部２２、３２のスプリング作用
によって吸収し、セラミックコンデンサ素子１に発生す
る機械的応力、及び、熱応力を低減することができる。
折り返し部２２、３２の構造、形状の選択により、回路
基板７０に取り付けられる端子部２３、３３からセラミ
ックコンデンサ素子１の端子電極１１、１２との取り付
け部までの距離を、従来の２〜５倍も長くして、セラミ
ックコンデンサ素子１にクラックが発生するのを阻止す
ることができる。このため、アルミニウム回路基板７０
に実装されることの多いスイッチング電源用平滑コンデ
ンサとして用いた場合でも、クラックの発生、それに起
因する発火の危険を回避することができる。
プリング作用を奏する。このため、回路基板７０の撓み
及び熱膨張を、折り返し部２２、３２のスプリング作用
によって吸収し、セラミックコンデンサ素子１に発生す
る機械的応力、及び、熱応力を低減することができる。
折り返し部２２、３２の構造、形状の選択により、回路
基板７０に取り付けられる端子部２３、３３からセラミ
ックコンデンサ素子１の端子電極１１、１２との取り付
け部までの距離を、従来の２〜５倍も長くして、セラミ
ックコンデンサ素子１にクラックが発生するのを阻止す
ることができる。このため、アルミニウム回路基板７０
に実装されることの多いスイッチング電源用平滑コンデ
ンサとして用いた場合でも、クラックの発生、それに起
因する発火の危険を回避することができる。
【００３４】また、回路基板７０の撓み及び熱膨張を、
金属端子２、３に設けた折り返し部２２、３２によって
吸収するものであり、折り返し部２２、３２によって、
高さ増大を回避することができる。実施例の場合、スプ
リング作用を奏する経路長ｈは、折り返し部２２、３２
の頂部の位置を調整することにより、全長Ｌの当該セラ
ミックコンデンサの部品高さＨよりも、低く抑えること
ができる。このため、金属端子２、３について、部品高
さＨを増大させずに、回路基板７０側端子部２３、３３
からセラミックコンデンサ素子取り付け部までの経路長
ｈを増大させ、金属端子２、３による回路基板７０の撓
み及び熱膨張の吸収作用を改善し、セラミックコンデン
サ素子１に発生する機械的応力、及び、熱応力を低減す
ることができる。
金属端子２、３に設けた折り返し部２２、３２によって
吸収するものであり、折り返し部２２、３２によって、
高さ増大を回避することができる。実施例の場合、スプ
リング作用を奏する経路長ｈは、折り返し部２２、３２
の頂部の位置を調整することにより、全長Ｌの当該セラ
ミックコンデンサの部品高さＨよりも、低く抑えること
ができる。このため、金属端子２、３について、部品高
さＨを増大させずに、回路基板７０側端子部２３、３３
からセラミックコンデンサ素子取り付け部までの経路長
ｈを増大させ、金属端子２、３による回路基板７０の撓
み及び熱膨張の吸収作用を改善し、セラミックコンデン
サ素子１に発生する機械的応力、及び、熱応力を低減す
ることができる。
【００３５】折り返し部２２、３３は、頂部がセラミッ
クコンデンサ素子１の頂部よりも低い位置にある。即
ち、ｈ＜Ｈである。このような構造であると、部品高さ
Ｈを低く抑えることができる。
クコンデンサ素子１の頂部よりも低い位置にある。即
ち、ｈ＜Ｈである。このような構造であると、部品高さ
Ｈを低く抑えることができる。
【００３６】金属端子２、３及び端子電極１１、１２を
接合する接合材４、５としては、樹脂含有する導電性接
着剤またははんだを用いることができる。金属端子２、
３及び端子電極１１、１２を、樹脂を含有する導電性接
着剤でなる接合材４、５によって接続する接続構造によ
れば、熱衝撃をほとんど与えないため、使用前にセラミ
ックコンデンサ素子１に、クラックが入っている危険が
無い。このため、信頼性が高くなる。
接合する接合材４、５としては、樹脂含有する導電性接
着剤またははんだを用いることができる。金属端子２、
３及び端子電極１１、１２を、樹脂を含有する導電性接
着剤でなる接合材４、５によって接続する接続構造によ
れば、熱衝撃をほとんど与えないため、使用前にセラミ
ックコンデンサ素子１に、クラックが入っている危険が
無い。このため、信頼性が高くなる。
【００３７】導電性接着剤は、導電成分として、銀粒子
を含むことが望ましい。銀粒子であると、導電性を向上
させることができる。特に、粒径３μｍ以上の扁平状の
銀粒子が好ましい。かかる粒径及び形状の銀粒子である
と、樹脂に対する銀粒子の充填量を高め、良好な導電性
を確保することができる。但し、銀粒子の粒径が大きく
なり過ぎると樹脂に対する分散性が悪くなり、接着強度
が低下するので、接着強度を考慮して、用いるべき銀粒
子の最大粒径を定める必要がある。
を含むことが望ましい。銀粒子であると、導電性を向上
させることができる。特に、粒径３μｍ以上の扁平状の
銀粒子が好ましい。かかる粒径及び形状の銀粒子である
と、樹脂に対する銀粒子の充填量を高め、良好な導電性
を確保することができる。但し、銀粒子の粒径が大きく
なり過ぎると樹脂に対する分散性が悪くなり、接着強度
が低下するので、接着強度を考慮して、用いるべき銀粒
子の最大粒径を定める必要がある。
【００３８】本発明に係るセラミックコンデンサは、−
５５〜１２５℃の広範囲の温度領域で使用されるもので
あるため、導電性接着剤を構成する樹脂としては、この
ような温度範囲に対して安定な耐温度特性を有する熱硬
化性樹脂が適している。具体的には、エポキシ樹脂系、
ウレタン樹脂系、ポリイミド樹脂系またはアクリル樹脂
系熱硬化性樹脂をあげることができる。
５５〜１２５℃の広範囲の温度領域で使用されるもので
あるため、導電性接着剤を構成する樹脂としては、この
ような温度範囲に対して安定な耐温度特性を有する熱硬
化性樹脂が適している。具体的には、エポキシ樹脂系、
ウレタン樹脂系、ポリイミド樹脂系またはアクリル樹脂
系熱硬化性樹脂をあげることができる。
【００３９】金属端子２、３及び端子電極１１、１２を
接続する接合材４、５としては、上述した導電性接着材
の他、はんだを用いることもできる。融点２５０℃以上
４００℃以下のはんだが特に適している。
接続する接合材４、５としては、上述した導電性接着材
の他、はんだを用いることもできる。融点２５０℃以上
４００℃以下のはんだが特に適している。
【００４０】図３に示したように、当該セラミックコン
デンサを回路基板７０にはんだ付けする際、２５０℃前
後の温度ではんだ付け処理が行なわれる。このはんだ付
処理において、金属端子２、３及び端子電極１１、１２
を接続している接合材４、５が溶融してはならない。従
って、接合材４、５として、２５０℃以上の融点を有す
るはんだを用いることが必要である。
デンサを回路基板７０にはんだ付けする際、２５０℃前
後の温度ではんだ付け処理が行なわれる。このはんだ付
処理において、金属端子２、３及び端子電極１１、１２
を接続している接合材４、５が溶融してはならない。従
って、接合材４、５として、２５０℃以上の融点を有す
るはんだを用いることが必要である。
【００４１】但し、接合材４、５として、４００℃を越
える融点を有するはんだを用いた場合、金属端子２、３
を端子電極１１、１２にはんだ付けする際、セラミック
コンデンサ素子１に４００℃を越える熱が加わり、セラ
ミックコンデンサ素子１にサーマルクラックが入る。従
って、４００℃以下の融点を有するはんだを用いる。
える融点を有するはんだを用いた場合、金属端子２、３
を端子電極１１、１２にはんだ付けする際、セラミック
コンデンサ素子１に４００℃を越える熱が加わり、セラ
ミックコンデンサ素子１にサーマルクラックが入る。従
って、４００℃以下の融点を有するはんだを用いる。
【００４２】接合材４、５として、はんだを用いた場
合、金属端子２、３は、少なくとも端子部２３、３３の
外部接続面とは反対側の面に、はんだに対して非付着性
を示す被覆膜を有することが好ましい。この点につい
て、図４を参照して説明する。
合、金属端子２、３は、少なくとも端子部２３、３３の
外部接続面とは反対側の面に、はんだに対して非付着性
を示す被覆膜を有することが好ましい。この点につい
て、図４を参照して説明する。
【００４３】図４に示された実施例では、基体２００の
両面の内、外部に対してはんだ接続される外部接続面側
（外側とする）は、はんだ付性の良好な金属膜２０１を
し、反対側の内側ははんだが付着しないか、または、付
着しにくい被覆膜２０２を付着させてある。このような
金属端子２、３を用いると、図３にも図示されているよ
うに、端子部２３、３３の表面にはんだが付着しないの
で、端子部２３、３３と端子部２３、３３との間が、は
んだによって満たされることがない。このため、金属端
子２、３のスプリング性が損なわれることがない。
両面の内、外部に対してはんだ接続される外部接続面側
（外側とする）は、はんだ付性の良好な金属膜２０１を
し、反対側の内側ははんだが付着しないか、または、付
着しにくい被覆膜２０２を付着させてある。このような
金属端子２、３を用いると、図３にも図示されているよ
うに、端子部２３、３３の表面にはんだが付着しないの
で、端子部２３、３３と端子部２３、３３との間が、は
んだによって満たされることがない。このため、金属端
子２、３のスプリング性が損なわれることがない。
【００４４】はんだが付着しないか、または、付着しに
くい被覆膜２０２は、金属端子２、３の全長にわたって
付着させてもよいし、端子部２３、３３を含んで部分的
に付着させてもよい。被覆膜２０２は金属酸化膜または
ワックス、樹脂もしくはシリコンオイルから選択された
一種で構成され得る。金属酸化膜を形成する手段として
は、基体２００の表面に酸化し易い金属膜、例えばＮｉ
またはＣｕ等をメッキによって付着させ、自然放置等に
よって酸化させる手法を採用できる。金属膜２０１は、
ＳｎまたはＰｂ−Ｓｎのメッキ膜として構成することが
できる。
くい被覆膜２０２は、金属端子２、３の全長にわたって
付着させてもよいし、端子部２３、３３を含んで部分的
に付着させてもよい。被覆膜２０２は金属酸化膜または
ワックス、樹脂もしくはシリコンオイルから選択された
一種で構成され得る。金属酸化膜を形成する手段として
は、基体２００の表面に酸化し易い金属膜、例えばＮｉ
またはＣｕ等をメッキによって付着させ、自然放置等に
よって酸化させる手法を採用できる。金属膜２０１は、
ＳｎまたはＰｂ−Ｓｎのメッキ膜として構成することが
できる。
【００４５】再び、図１及び図２を参照して説明する。
端子部２３、３３はセラミックコンデンサ素子１の下側
に間隔をおいて配置されている。このような構造である
と、端子部２３、３３による基板占有面積の増大を抑
え、実装面積を最小にしたコンデンサを得ることができ
る。
端子部２３、３３はセラミックコンデンサ素子１の下側
に間隔をおいて配置されている。このような構造である
と、端子部２３、３３による基板占有面積の増大を抑
え、実装面積を最小にしたコンデンサを得ることができ
る。
【００４６】図１及び図２に示したセラミックコンデン
サにおいて、金属端子２の折り返し部２２は、第１の曲
げ部２２１と、第２の曲げ部２２２とを含んでいる。第
１の曲げ部２２１では、端子電極１１から遠ざかる方向
に折り曲げられ、第２の曲げ部２２２では、第１の曲げ
部２２１から間隔を隔て、端面と平行する方向に折り曲
げられている。金属端子２は、先端部から第１の曲げ部
２２１に至る部分が、端子電極１１に接続されている。
サにおいて、金属端子２の折り返し部２２は、第１の曲
げ部２２１と、第２の曲げ部２２２とを含んでいる。第
１の曲げ部２２１では、端子電極１１から遠ざかる方向
に折り曲げられ、第２の曲げ部２２２では、第１の曲げ
部２２１から間隔を隔て、端面と平行する方向に折り曲
げられている。金属端子２は、先端部から第１の曲げ部
２２１に至る部分が、端子電極１１に接続されている。
【００４７】同様に、金属端子３の折り返し部３２は、
第１の曲げ部３２１と、第２の曲げ部３２２とを含んで
いる。第１の曲げ部３２１では、端子電極１２から遠ざ
かる方向に折り曲げられ、第２の曲げ部３２２では、第
１の曲げ部３２１から間隔を隔て、端面と平行する方向
に折り曲げられている。金属端子３は、先端部から第１
の曲げ部３２１に至る部分が、端子電極１２に接続され
ている。
第１の曲げ部３２１と、第２の曲げ部３２２とを含んで
いる。第１の曲げ部３２１では、端子電極１２から遠ざ
かる方向に折り曲げられ、第２の曲げ部３２２では、第
１の曲げ部３２１から間隔を隔て、端面と平行する方向
に折り曲げられている。金属端子３は、先端部から第１
の曲げ部３２１に至る部分が、端子電極１２に接続され
ている。
【００４８】上記構造によれば、第１の曲げ部２２１、
３２１、第２の曲げ部２２２、３２２から端子部２３、
３３に至る部分が、スプリング作用を持つようになり、
そのスプリング作用によって、基板の撓み及び熱膨張を
吸収することができる。
３２１、第２の曲げ部２２２、３２２から端子部２３、
３３に至る部分が、スプリング作用を持つようになり、
そのスプリング作用によって、基板の撓み及び熱膨張を
吸収することができる。
【００４９】金属端子２は、第３の曲げ部２２３を有す
る。第３の曲げ部２２３は折り返し部２２と端子部２３
とを区画する。また、金属端子３は、第３の曲げ部３２
３を有する。第３の曲げ部３２３は折り返し部３２と端
子部３３とを区画する。従って、第１の曲げ部２２１、
３２１から第３の曲げ部２２３、３２３に至る部分が、
スプリング作用を持つようになり、そのスプリング作用
によって、基板の撓み及び熱膨張を吸収することができ
る。
る。第３の曲げ部２２３は折り返し部２２と端子部２３
とを区画する。また、金属端子３は、第３の曲げ部３２
３を有する。第３の曲げ部３２３は折り返し部３２と端
子部３３とを区画する。従って、第１の曲げ部２２１、
３２１から第３の曲げ部２２３、３２３に至る部分が、
スプリング作用を持つようになり、そのスプリング作用
によって、基板の撓み及び熱膨張を吸収することができ
る。
【００５０】金属端子２、３のそれぞれは、第３の曲げ
部２２３、３２３において、端子部２３、３３がセラミ
ックコンデンサ素子１に近付づく方向に折り曲げられて
いる。金属端子２、３の端子部２３、３３は、セラミッ
クコンデンサ素子１の下側に間隔をおいて配置されてお
り、これにより、端子部２３、３３による基板占有面積
の増大を抑え、実装面積を最小にしてある。
部２２３、３２３において、端子部２３、３３がセラミ
ックコンデンサ素子１に近付づく方向に折り曲げられて
いる。金属端子２、３の端子部２３、３３は、セラミッ
クコンデンサ素子１の下側に間隔をおいて配置されてお
り、これにより、端子部２３、３３による基板占有面積
の増大を抑え、実装面積を最小にしてある。
【００５１】更に、内部電極１０１の開放端と端子電極
１２との間に、間隔△Ｌ１が生じさせ、内部電極１０２
の開放端と端子電極１１との間に、間隔△Ｌ２が生じさ
せている構造の場合、クラックや、破壊等を生じ易い金
属端子と導電性接着剤との界面、及び、導電性接着剤の
塗布領域付近に、内部電極１０１と内部電極１０２の重
なりが存在しない。このため、クラックによるショー
ト、及び、それに起因する発火等を生じる危険性が激減
する。
１２との間に、間隔△Ｌ１が生じさせ、内部電極１０２
の開放端と端子電極１１との間に、間隔△Ｌ２が生じさ
せている構造の場合、クラックや、破壊等を生じ易い金
属端子と導電性接着剤との界面、及び、導電性接着剤の
塗布領域付近に、内部電極１０１と内部電極１０２の重
なりが存在しない。このため、クラックによるショー
ト、及び、それに起因する発火等を生じる危険性が激減
する。
【００５２】図１及び図２において、第１の曲げ部２２
１、３２１及び第２の曲げ部２２２、３２２は、ほぼ９
０度の角度で曲げられているが、９０度以外の角度であ
ってもよい。更に、第１の曲げ部２２１、３２１及び第
２の曲げ部２２２、３２２において、明確な角度を持た
ない形状、例えば、円弧状に曲げてもよい。
１、３２１及び第２の曲げ部２２２、３２２は、ほぼ９
０度の角度で曲げられているが、９０度以外の角度であ
ってもよい。更に、第１の曲げ部２２１、３２１及び第
２の曲げ部２２２、３２２において、明確な角度を持た
ない形状、例えば、円弧状に曲げてもよい。
【００５３】図５は本発明に係るセラミックコンデンサ
の別の実施例を示す正面図である。図において、図１及
び図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付し、
説明は省略する。この実施例では、接合材４、５は、端
子電極１１、１２に部分的に付着されている。このよう
な構造であると、スプリング作用を生じる経路長ｈは、
端子部２３、３３から第２の曲げ部２２２、３２２まで
の経路長ｈ１と、第１の曲げ部２２１、３２１から取り
付け部までの経路長ｈ２を加算した値（ｈ＝ｈ１＋ｈ
２）となる。この経路長ｈは、部品高さＨの寸法よりも
大きくなる。従って、金属端子２、３について、部品高
さＨを増大させずに、基板側端子部２３、３３からセラ
ミックコンデンサ素子取り付け部までの経路長ｈを増大
させ、基板の撓み及び熱膨張に対する吸収作用を改善で
きる。
の別の実施例を示す正面図である。図において、図１及
び図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付し、
説明は省略する。この実施例では、接合材４、５は、端
子電極１１、１２に部分的に付着されている。このよう
な構造であると、スプリング作用を生じる経路長ｈは、
端子部２３、３３から第２の曲げ部２２２、３２２まで
の経路長ｈ１と、第１の曲げ部２２１、３２１から取り
付け部までの経路長ｈ２を加算した値（ｈ＝ｈ１＋ｈ
２）となる。この経路長ｈは、部品高さＨの寸法よりも
大きくなる。従って、金属端子２、３について、部品高
さＨを増大させずに、基板側端子部２３、３３からセラ
ミックコンデンサ素子取り付け部までの経路長ｈを増大
させ、基板の撓み及び熱膨張に対する吸収作用を改善で
きる。
【００５４】図６は本発明に係るセラミックコンデンサ
の別の実施例を示す正面断面図である。図において、図
１及び図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。この実施例では、端子電極１１、
１２は、側端面のみに形成されている。このような構造
であると、内部電極１０１と端子電極１２との間隔△Ｌ
１及び内部電極１０２と端子電極１１との間の間隔△Ｌ
２を、セラミック誘電体基体１００の側端面を基準にし
て設定すればよいので、内部電極１０１と内部電極１０
２との重なり面積を増大させ、より大きな取得容量を確
保できる。
の別の実施例を示す正面断面図である。図において、図
１及び図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。この実施例では、端子電極１１、
１２は、側端面のみに形成されている。このような構造
であると、内部電極１０１と端子電極１２との間隔△Ｌ
１及び内部電極１０２と端子電極１１との間の間隔△Ｌ
２を、セラミック誘電体基体１００の側端面を基準にし
て設定すればよいので、内部電極１０１と内部電極１０
２との重なり面積を増大させ、より大きな取得容量を確
保できる。
【００５５】図７は本発明に係るセラミックコンデンサ
の別の実施例を示す正面断面図である。図において、図
６と同一の構成部分には、同一の参照符号を付し、説明
は省略する。図７に示す実施例では、２個のセラミック
コンデンサ素子１１０、１２０を備える。セラミックコ
ンデンサ素子１１０、１２０は順次に積層され、端子電
極１１、１２が、接合材４、５によって、並列に接続さ
れている。端子電極１１、１２は、セラミック誘電体基
体１００の側端面のみに形成されている。この実施例よ
れば、図６との比較において、より大きな静電容量を取
得できる。
の別の実施例を示す正面断面図である。図において、図
６と同一の構成部分には、同一の参照符号を付し、説明
は省略する。図７に示す実施例では、２個のセラミック
コンデンサ素子１１０、１２０を備える。セラミックコ
ンデンサ素子１１０、１２０は順次に積層され、端子電
極１１、１２が、接合材４、５によって、並列に接続さ
れている。端子電極１１、１２は、セラミック誘電体基
体１００の側端面のみに形成されている。この実施例よ
れば、図６との比較において、より大きな静電容量を取
得できる。
【００５６】図８は、本発明に係るセラミックコンデン
サの別の実施例を示す正面図である。図において、図１
及び図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。この実施例では、金属端子２の折
り返し部２２は、鋭角曲げ部２２１を含み、鋭角曲げ部
２２１では、セラミックコンデンサ素子１の端面とほぼ
対向する方向に鋭角に折り曲げられている。同様に、金
属端子３の折り返し部３２も、鋭角曲げ部３２１を含
み、鋭角曲げ部３２１では、セラミックコンデンサ素子
１の端面とほぼ対向する方向に鋭角に折り曲げられてい
る。
サの別の実施例を示す正面図である。図において、図１
及び図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。この実施例では、金属端子２の折
り返し部２２は、鋭角曲げ部２２１を含み、鋭角曲げ部
２２１では、セラミックコンデンサ素子１の端面とほぼ
対向する方向に鋭角に折り曲げられている。同様に、金
属端子３の折り返し部３２も、鋭角曲げ部３２１を含
み、鋭角曲げ部３２１では、セラミックコンデンサ素子
１の端面とほぼ対向する方向に鋭角に折り曲げられてい
る。
【００５７】上記構造によれば、図１及び図２に示した
セラミックコンデンサと同様に、曲げ位置２２１、３２
１から端子部２３、３３に至る部分が、スプリング作用
を持つようになり、そのスプリング作用によって、基板
の撓み及び熱膨張を吸収することができる。
セラミックコンデンサと同様に、曲げ位置２２１、３２
１から端子部２３、３３に至る部分が、スプリング作用
を持つようになり、そのスプリング作用によって、基板
の撓み及び熱膨張を吸収することができる。
【００５８】図９は、本発明に係るセラミックコンデン
サの別の実施例を示す正面図である。図において、図１
及び図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。金属端子２、３の折り返し部２
２、３２は、弧状に折り曲げられている。この実施例に
おいても、図１及び図２の実施例と同様の作用効果を奏
する。
サの別の実施例を示す正面図である。図において、図１
及び図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。金属端子２、３の折り返し部２
２、３２は、弧状に折り曲げられている。この実施例に
おいても、図１及び図２の実施例と同様の作用効果を奏
する。
【００５９】図１０は、本発明に係るセラミックコンデ
ンサの別の実施例を示す斜視図、図１１は図１０に示し
たセラミックコンデサの正面図である。図において、図
１及び図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。この実施例では、金属端子２の折
り返し部２２は、鋭角曲げ部２２１を含み、鋭角曲げ部
２２１では、セラミックコンデンサ素子１１０、１２０
の端面とほぼ対向する方向に鋭角に折り曲げられてい
る。同様に、金属端子３の折り返し部３２も、鋭角曲げ
部３２１を含み、鋭角曲げ部３２１では、セラミックコ
ンデンサ素子１の端面とほぼ対向する方向に鋭角に折り
曲げられている。金属端子２、３には抜き穴２４が設け
られている。この実施例においても、図１及び図２の実
施例と同様の作用効果を奏する。
ンサの別の実施例を示す斜視図、図１１は図１０に示し
たセラミックコンデサの正面図である。図において、図
１及び図２と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
し、説明は省略する。この実施例では、金属端子２の折
り返し部２２は、鋭角曲げ部２２１を含み、鋭角曲げ部
２２１では、セラミックコンデンサ素子１１０、１２０
の端面とほぼ対向する方向に鋭角に折り曲げられてい
る。同様に、金属端子３の折り返し部３２も、鋭角曲げ
部３２１を含み、鋭角曲げ部３２１では、セラミックコ
ンデンサ素子１の端面とほぼ対向する方向に鋭角に折り
曲げられている。金属端子２、３には抜き穴２４が設け
られている。この実施例においても、図１及び図２の実
施例と同様の作用効果を奏する。
【００６０】上記実施例の何れにおいても、金属端子
２、３のそれぞれは、−５５℃から１２５℃までの平均
線膨張係数β に関して、β ＜１．３α2を満たし、か
つ、β ＞０．７α1を満たす。それによって、−５５〜
１２５℃の範囲における温度変化の激しい環境下で長期
間使用し続けてもクラックを発生せず、発火の危険性の
ないセラミックコンデンサが得られる。次に、この点に
ついて、クラック発生率試験データを挙げて説明する。
２、３のそれぞれは、−５５℃から１２５℃までの平均
線膨張係数β に関して、β ＜１．３α2を満たし、か
つ、β ＞０．７α1を満たす。それによって、−５５〜
１２５℃の範囲における温度変化の激しい環境下で長期
間使用し続けてもクラックを発生せず、発火の危険性の
ないセラミックコンデンサが得られる。次に、この点に
ついて、クラック発生率試験データを挙げて説明する。
【００６１】実施例１１〜１３ セラミックコンデンサ素子として、定格電圧２５Ｖで静
電容量２２μＦ、温度特性Ｅを有する５．６×５．０×
２．３mmの鉛系誘電体を用意した。上記セラミックコン
デンサ素子は、鉛系セラミック誘電体の内部にＡｇーＰ
ｄよりなる内部電極を有し、セラミック誘電体の相対す
る両側端部にガラスブリットを含んだＡｇペーストの焼
き付け電極でなる端子電極を有する。鉛系セラミックコ
ンデンサ素子は、平均線膨張係数が−５５〜２５℃の平
均線膨張係数α１＝０．５〜２×１０-6、２５〜１２５
℃の平均線膨張係数α２＝４．２×１０-6であった。
電容量２２μＦ、温度特性Ｅを有する５．６×５．０×
２．３mmの鉛系誘電体を用意した。上記セラミックコン
デンサ素子は、鉛系セラミック誘電体の内部にＡｇーＰ
ｄよりなる内部電極を有し、セラミック誘電体の相対す
る両側端部にガラスブリットを含んだＡｇペーストの焼
き付け電極でなる端子電極を有する。鉛系セラミックコ
ンデンサ素子は、平均線膨張係数が−５５〜２５℃の平
均線膨張係数α１＝０．５〜２×１０-6、２５〜１２５
℃の平均線膨張係数α２＝４．２×１０-6であった。
【００６２】上記セラミックコンデンサ素子の２個を、
端子電極を揃えて重ね合わせ、かつ、端子電極に銀粉を
分散させた導電性接着剤を塗布して固定した。次に、銀
めっき処理（中間層はニッケル、ＮｉーＡｇ）した厚さ
０．１ｍｍの金属板の内側に折り曲げられた部分のみ
を、二段積みされたセラミックコンデンサの下方部の端
部電極側面に、所定の圧力で押し付けた。この状態で、
１５０℃で１時間加熱して導電性接着剤を熱硬化させ
て、２個のセラミックコンデンサ素子と金属端子が端部
で固着した複合セラミックコンデンサを作製した。金属
端子の形状、及び、セラミックコンデンサ素子に対する
金属端子の取り付け構造は、図１０及び図１１に示した
態様とした。
端子電極を揃えて重ね合わせ、かつ、端子電極に銀粉を
分散させた導電性接着剤を塗布して固定した。次に、銀
めっき処理（中間層はニッケル、ＮｉーＡｇ）した厚さ
０．１ｍｍの金属板の内側に折り曲げられた部分のみ
を、二段積みされたセラミックコンデンサの下方部の端
部電極側面に、所定の圧力で押し付けた。この状態で、
１５０℃で１時間加熱して導電性接着剤を熱硬化させ
て、２個のセラミックコンデンサ素子と金属端子が端部
で固着した複合セラミックコンデンサを作製した。金属
端子の形状、及び、セラミックコンデンサ素子に対する
金属端子の取り付け構造は、図１０及び図１１に示した
態様とした。
【００６３】金属端子２、３として、平均線膨張係数の
異なる金属材料を用いて、実施例１１〜１３のサンプル
を得た。金属端子２、３の材料は、実施例１１ではクロ
ムを用い、実施例１２では４２アロイ（Ｆｅ ５８ｗｔ
％、Ｎｉ ４２ｗｔ％）を用い、実施例１３ではアンバ
ーを用いた。実施例１１のクロムの平均線膨張係数βは
４．５×１０-6、実施例１２の４２アロイの平均線膨張
係数βは４．４×１０-6である。従って、実施例１１、
１２及び１３のいずれも、０．７α1＜β、かつ、β ＜
１．３α2を満たす。
異なる金属材料を用いて、実施例１１〜１３のサンプル
を得た。金属端子２、３の材料は、実施例１１ではクロ
ムを用い、実施例１２では４２アロイ（Ｆｅ ５８ｗｔ
％、Ｎｉ ４２ｗｔ％）を用い、実施例１３ではアンバ
ーを用いた。実施例１１のクロムの平均線膨張係数βは
４．５×１０-6、実施例１２の４２アロイの平均線膨張
係数βは４．４×１０-6である。従って、実施例１１、
１２及び１３のいずれも、０．７α1＜β、かつ、β ＜
１．３α2を満たす。
【００６４】比較例１１〜２５ 比較例１１〜２５について、金属端子２、３の材質を変
えた外は、実施例１１〜１３と同様にして、セラミック
コンデンサを作成した。比較例１１〜２５において用い
られた金属端子２、３の材質及び平均線膨張係数βは表
１に示す通りである。
えた外は、実施例１１〜１３と同様にして、セラミック
コンデンサを作成した。比較例１１〜２５において用い
られた金属端子２、３の材質及び平均線膨張係数βは表
１に示す通りである。
【００６５】実施例１１〜１２及び比較例１１〜２５の
サンプルのそれぞれを、アルミニュウム基板にはんだ付
けして固定し、熱衝撃を与えクラックの発生状況を評価
した。実施された試験条件は次の通りである。
サンプルのそれぞれを、アルミニュウム基板にはんだ付
けして固定し、熱衝撃を与えクラックの発生状況を評価
した。実施された試験条件は次の通りである。
【００６６】（１）低温側の熱衝撃試験（−５５〜２５
℃のヒートサイクル試験） （１―１）本製品サンプル数各１００個をアルミニュウ
ム基板にはんだ付けし、冷熱衝撃試験槽にて冷熱熱衝撃
を与えた。 （１−２）ヒートサイクルは、２５℃（室温）から−５
５℃（冷熱衝撃試験槽）に急冷し、次に２５℃（室温）
に戻すサイクルを１サイクルとした。 （１−３）ヒートサイクルは各試料とも５００回づつ行
う。 （１−４）アルミニューム基板から製品を外し、外観試
験をし、電気特性を調べた後、さらに製品を研磨して内
部のクラックを検査する方法で評価した。
℃のヒートサイクル試験） （１―１）本製品サンプル数各１００個をアルミニュウ
ム基板にはんだ付けし、冷熱衝撃試験槽にて冷熱熱衝撃
を与えた。 （１−２）ヒートサイクルは、２５℃（室温）から−５
５℃（冷熱衝撃試験槽）に急冷し、次に２５℃（室温）
に戻すサイクルを１サイクルとした。 （１−３）ヒートサイクルは各試料とも５００回づつ行
う。 （１−４）アルミニューム基板から製品を外し、外観試
験をし、電気特性を調べた後、さらに製品を研磨して内
部のクラックを検査する方法で評価した。
【００６７】（２）高温側の熱衝撃試験（２５〜１２５
℃のヒートサイクル試験） （２―１）本製品サンプル数各１００個をアルミニュウ
ム基板にはんだ付けし、熱衝撃試験槽にて熱衝撃を与え
る。 （２−２）ヒートサイクルは、２５℃（室温）から１２
５℃に急激に昇温し、次に２５℃（室温）に急冷するサ
イクルを１サイクルとする。 （２−３）ヒートサイクルは各試料とも５００回づつ行
った。 （２−４）アルミニューム基板から製品を外し、外観試
験をし、電気特性を調べた後、さらに製品を研磨して内
部のクラックを検査する方法で評価した。
℃のヒートサイクル試験） （２―１）本製品サンプル数各１００個をアルミニュウ
ム基板にはんだ付けし、熱衝撃試験槽にて熱衝撃を与え
る。 （２−２）ヒートサイクルは、２５℃（室温）から１２
５℃に急激に昇温し、次に２５℃（室温）に急冷するサ
イクルを１サイクルとする。 （２−３）ヒートサイクルは各試料とも５００回づつ行
った。 （２−４）アルミニューム基板から製品を外し、外観試
験をし、電気特性を調べた後、さらに製品を研磨して内
部のクラックを検査する方法で評価した。
【００６８】実施例１１〜１３及び比較例１１〜２５に
ついて、ヒートサイクル後のクラック発生状況を表１に
示す。 表１に示すように、鉛系セラミックコンデンサの場合、
比較例１１〜２５では、２５→−５５℃の冷熱衝撃試験
ではクラックは発生しないけれども、２５→１２５℃の
熱衝撃試験では５４％〜１００％の確率でクラックが発
生する。これに対して、本発明に係る実施例１１〜１３
においては、２５→−５５℃の冷熱衝撃試験、及び、２
５→１２５℃の熱衝撃試験の何れにおいても、クラック
の発生は認められなかった。
ついて、ヒートサイクル後のクラック発生状況を表１に
示す。 表１に示すように、鉛系セラミックコンデンサの場合、
比較例１１〜２５では、２５→−５５℃の冷熱衝撃試験
ではクラックは発生しないけれども、２５→１２５℃の
熱衝撃試験では５４％〜１００％の確率でクラックが発
生する。これに対して、本発明に係る実施例１１〜１３
においては、２５→−５５℃の冷熱衝撃試験、及び、２
５→１２５℃の熱衝撃試験の何れにおいても、クラック
の発生は認められなかった。
【００６９】次に一般的チタン酸バリウム系誘電体材料
を用いたセラミックコンデンサについて、熱衝撃試験に
伴うクラック発生状況を検証した。検証に供されたサン
プルを実施例３１〜３９及び比較例３１〜３９とする。
サンプルの構造は上述した鉛系セラミックコンデンサと
同じである。
を用いたセラミックコンデンサについて、熱衝撃試験に
伴うクラック発生状況を検証した。検証に供されたサン
プルを実施例３１〜３９及び比較例３１〜３９とする。
サンプルの構造は上述した鉛系セラミックコンデンサと
同じである。
【００７０】実施例３１〜３９において用いられた金属
端子２、３の材質及び平均熱膨張係数βは、表２に示す
通りであり、いずれも、０．７α1＜β、かつ、β ＜
１．３α2を満たす。
端子２、３の材質及び平均熱膨張係数βは、表２に示す
通りであり、いずれも、０．７α1＜β、かつ、β ＜
１．３α2を満たす。
【００７１】比較例３１〜３９ 金属端子２、３の材質を変えた外は、実施例３１〜３９
と同様にして、比較例３１〜３９セラミックコンデンサ
を作成した。比較例３１〜３９において用いられた金属
端子２、３の材質及び平均線膨張係数βは、表２に示す
通りであり、いずれも、０．７α1＜β、かつ、β ＜
１．３α2を満たしていない。比較例３９は０．７α1＜
βを満たすけれども、β ＜１．３α2を満たしていな
い。
と同様にして、比較例３１〜３９セラミックコンデンサ
を作成した。比較例３１〜３９において用いられた金属
端子２、３の材質及び平均線膨張係数βは、表２に示す
通りであり、いずれも、０．７α1＜β、かつ、β ＜
１．３α2を満たしていない。比較例３９は０．７α1＜
βを満たすけれども、β ＜１．３α2を満たしていな
い。
【００７２】実施例３１〜３９及び比較例３１〜３９の
サンプルのそれぞれを、アルミニュウム基板にはんだ付
けして固定し、熱衝撃を与えクラックの発生状況を評価
した。熱衝撃試験条件は上述した鉛系セラミックコンデ
ンサと同じである。
サンプルのそれぞれを、アルミニュウム基板にはんだ付
けして固定し、熱衝撃を与えクラックの発生状況を評価
した。熱衝撃試験条件は上述した鉛系セラミックコンデ
ンサと同じである。
【００７３】実施例３１〜３９及び比較例３１〜３９に
ついて、ヒートサイクル後のクラック発生状況を表２に
示す。 表２に示すように、チタン酸バリウム系セラミックコン
デンサの場合、比較例３１〜３８では、２５→−５５℃
の冷熱衝撃試験ではクラックは発生しないけれども、２
５→１２５℃の熱衝撃試験では８７％〜１００％の確率
でクラックが発生する。０．７α1＜βを満たすけれど
も、β ＜１．３α2を満たしていない比較例３９では２
５→−５５℃の冷熱衝撃試験において、４％の確率でク
ラックを発生する。
ついて、ヒートサイクル後のクラック発生状況を表２に
示す。 表２に示すように、チタン酸バリウム系セラミックコン
デンサの場合、比較例３１〜３８では、２５→−５５℃
の冷熱衝撃試験ではクラックは発生しないけれども、２
５→１２５℃の熱衝撃試験では８７％〜１００％の確率
でクラックが発生する。０．７α1＜βを満たすけれど
も、β ＜１．３α2を満たしていない比較例３９では２
５→−５５℃の冷熱衝撃試験において、４％の確率でク
ラックを発生する。
【００７４】これに対して、本発明に係る実施例３１〜
３９においては、２５→−５５℃の冷熱衝撃試験、及
び、２５→１２５℃の熱衝撃試験の何れにおいても、ク
ラックの発生は認められなかった。
３９においては、２５→−５５℃の冷熱衝撃試験、及
び、２５→１２５℃の熱衝撃試験の何れにおいても、ク
ラックの発生は認められなかった。
【００７５】他の実施例 セラミックコンデンサ素子の内部電極としてＮｉを主成
分とするものを、実施例１１〜１３、３１〜３９に適用
し、クラック発生を対比検証した。検証結果、実施例１
１〜１３及び３１〜３９の全てに対して、ほとんど有意
差が認められなかった。したがって、Ｎｉを主成分とす
る内部電極をセラミックコンデンサ素子に適用すること
により、耐食性があり、経時変化の少ない、安価で信頼
性のあるセラミックコンデンサを提供できる。
分とするものを、実施例１１〜１３、３１〜３９に適用
し、クラック発生を対比検証した。検証結果、実施例１
１〜１３及び３１〜３９の全てに対して、ほとんど有意
差が認められなかった。したがって、Ｎｉを主成分とす
る内部電極をセラミックコンデンサ素子に適用すること
により、耐食性があり、経時変化の少ない、安価で信頼
性のあるセラミックコンデンサを提供できる。
【００７６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）セラミックコンデンサ素子にクラック、破損等が
発生するのを確実に阻止し得るセラミックコンデンサを
提供することができる。 （ｂ）セラミックコンデンサ素子における熱応力及び機
械的応力を低減し得るセラミックコンデンサを提供する
ことができる。
のような効果が得られる。 （ａ）セラミックコンデンサ素子にクラック、破損等が
発生するのを確実に阻止し得るセラミックコンデンサを
提供することができる。 （ｂ）セラミックコンデンサ素子における熱応力及び機
械的応力を低減し得るセラミックコンデンサを提供する
ことができる。
【図１】本発明に係るセラミックコンデンサの正面図で
ある。
ある。
【図２】図１に示したセラミックコンデンサの正面断面
図である。
図である。
【図３】図１及び図２に示したセラミックコンデンサを
回路基板上に実装した時の状態を示す部分断面図であ
る。
回路基板上に実装した時の状態を示す部分断面図であ
る。
【図４】本発明に係るセラミックコンデンサに用いられ
る金属端子の一例を示す拡大断面図である。
る金属端子の一例を示す拡大断面図である。
【図５】本発明に係るセラミックコンデンサの別の実施
例を示す正面図である。
例を示す正面図である。
【図６】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の
実施例を示す正面断面図である。
実施例を示す正面断面図である。
【図７】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の
実施例を示す正面断面図である。
実施例を示す正面断面図である。
【図８】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の
実施例を示す正面図である。
実施例を示す正面図である。
【図９】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の
実施例を示す正面図である。
実施例を示す正面図である。
【図１０】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す斜視図である。
の実施例を示す斜視図である。
【図１１】図１０に示したセラミックコンデンサの更に
別の実施例を示す正面図である。
別の実施例を示す正面図である。
【図１２】従来のセラミックコンデンサを示す正面図で
ある。
ある。
１、１１０〜１４０ セラミックコンデンサ
素子 ２、３ 金属端子 ２１、３１ 一端
素子 ２、３ 金属端子 ２１、３１ 一端
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−35987（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−22274（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−112032（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 2/00 - 4/40
Claims (17)
- 【請求項１】 少なくとも１つのセラミックコンデンサ
素子と、少なくとも一対の金属端子とを含むセラミック
コンデンサであって、 前記セラミックコンデンサ素子は、相対する両側端面に
端子電極を有しており、 前記金属端子のそれぞれは、中間部に折り返し部を有
し、前記折り返し部より先の部分が前記端子電極に接続
され、前記折り返し部の後方部分に外部と接続される端
子部を有しており、前記金属端子の前記折り返し部は、一つの曲げ部で構成
され、鋭角に折り曲げられており、 前記セラミックコンデンサ素子は、２５℃から−５５℃
までの平均線膨張係数をα1とし、２５℃から１２５℃
までの平均線膨張係数をα2としたとき、α1＜α2を満
たし、 前記金属端子は、−５５℃から１２５℃までの平均線膨
張係数をβとしたとき、β＜１．３α2を満たし、か
つ、β＞０．７α1を満たすセラミックコンデンサ。 - 【請求項２】 請求項１に記載されたセラミックコンデ
ンサであって、前記セラミックコンデンサ素子は、誘電
体の主成分がチタン酸バリウムからなり、α1≦７×１
０-6であり、α2≧９×１０-6であるセラミックコンデ
ンサ。 - 【請求項３】 請求項１に記載されたセラミックコンデ
ンサであって、前記セラミックコンデンサ素子は、誘電
体の主成分が鉛系複合ペロプスカイトからなり、α1≦
２×１０-6であり、α2≧３×１０-6であるセラミック
コンデンサ。 - 【請求項４】 請求項１乃至３の何れかに記載されたセ
ラミックコンデンサであって、 前記金属端子および前記端子電極は、はんだによって接
続されており、 前記はんだは、融点が２５０℃以上４００℃以下の範囲
にあるセラミックコンデンサ。 - 【請求項５】 請求項４に記載されたセラミックコンデ
ンサであって、 前記金属端子は、少なくとも前記端子部の外部接続面
は、はんだ濡れ性を良好にする処理を施し、反対側の面
に、はんだに対して非付着性を示す被覆膜を有するセラ
ミックコンデンサ。 - 【請求項６】 請求項５に記載されたセラミックコンデ
ンサであって、 前記被覆膜は、金属酸化膜で構成されているセラミック
コンデンサ。 - 【請求項７】 請求項５に記載されたセラミックコンデ
ンサであって、 前記被覆膜は、ワックス、樹脂またはシリコンオイルか
ら選択された一種でなるセラミックコンデンサ。 - 【請求項８】 請求項１乃至７の何れかに記載されたセ
ラミックコンデンサであって、 前記金属端子は、前記折り返しにより生じる２つの対向
部分間の最大隙間が３００μｍ以下であるセラミックコ
ンデンサ。 - 【請求項９】 請求項１乃至８の何れかに記載されたセ
ラミックコンデンサであって、 前記端子部は、前記セラミックコンデンサ素子の内、最
下層に位置するセラミックコンデンサ素子の下側に間隔
をおいて配置されているセラミックコンデンサ。 - 【請求項１０】 請求項１乃至９の何れかに記載された
セラミックコンデンサであって、 前記金属端子は、前記端子部から、前記端子電極を取り
付けた取り付け部までの経路長が、前記端子部を基準に
した部品高さ寸法よりも大きいセラミックコンデンサ。 - 【請求項１１】 請求項１乃至１０の何れかに記載され
たセラミックコンデンサであって、 前記折り返し部は、頂部が前記セラミックコンデンサ素
子の頂部よりも低い位置にあるセラミックコンデンサ。 - 【請求項１２】 請求項１乃至１１の何れかに記載され
たセラミックコンデンサであって、 前記金属端子のそれぞれは、前記折り返し部と前記端子
部との間の前記曲げ部において、前記端子部が前記セラ
ミックコンデンサ素子に近付づく方向に折り曲げられて
いるセラミックコンデンサ。 - 【請求項１３】 請求項１乃至１２の何れかに記載され
たセラミックコンデンサであって、 前記セラミックコンデンサ素子は、複数個であり、順次
に積層され、前記端子電極が並列に接続されているセラ
ミックコンデンサ。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載されたセラミックコ
ンデンサであって、 前記金属端子のそれぞれは、前記複数のセラミックコン
デンサ素子の少なくとも１つの前記端子電極に接続され
ているセラミックコンデンサ。 - 【請求項１５】 請求項１乃至１４の何れかに記載され
たセラミックコンデンサであって、 前記セラミックコンデンサは、セラミック誘電体基体の
内部に複数の内部電極を有しており、前記内部電極は、
一端が前記端子電極の一方に接続され、他端が前記端子
電極の他方との間に間隔を有し、前記間隔は前記他端か
ら前記セラミック誘電体基体の厚み方向に引かれた垂線
が前記端子電極に交わらない寸法に設定されているセラ
ミックコンデンサ。 - 【請求項１６】 請求項１乃至１５の何れかに記載され
たセラミックコンデンサであって、前記端子電極は、前
記側端面のみに形成されるセラミックコンデンサ。 - 【請求項１７】 請求項１乃至１６の何れかに記載され
たセラミックコンデンサであって、 前記金属端子は、少なくとも１つの抜き部を有し、前記
抜き部は、前記端子電極を取り付けた取り付け部に向き
合うセラミックコンデンサ。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2762998A JP3206736B2 (ja) | 1998-02-09 | 1998-02-09 | セラミックコンデンサ |
| DE69936008T DE69936008T2 (de) | 1998-01-07 | 1999-01-05 | Keramischer Kondensator |
| US09/226,918 US6191933B1 (en) | 1998-01-07 | 1999-01-05 | Ceramic capacitor |
| EP99300051A EP0929087B1 (en) | 1998-01-07 | 1999-01-05 | Ceramic capacitor |
| TW087121980A TW394963B (en) | 1998-01-07 | 1999-01-06 | Ceramic capacitor |
| US09/697,054 US6523235B1 (en) | 1998-01-07 | 2000-10-27 | Method of manufacturing a ceramic capacitor |
| US09/740,870 US6310759B2 (en) | 1997-06-27 | 2000-12-21 | Ceramic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2762998A JP3206736B2 (ja) | 1998-02-09 | 1998-02-09 | セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233370A JPH11233370A (ja) | 1999-08-27 |
| JP3206736B2 true JP3206736B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=12226258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2762998A Expired - Lifetime JP3206736B2 (ja) | 1997-06-27 | 1998-02-09 | セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3206736B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231564A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Tdk Corp | セラミックコンデンサ |
| JP4605329B2 (ja) * | 2001-02-01 | 2011-01-05 | Ｔｄｋ株式会社 | セラミックコンデンサ |
| WO2010111575A2 (en) * | 2009-03-26 | 2010-09-30 | Kemet Electronics Corporation | Leaded multi-layer ceramic capacitor with low esl and low esr |
| JP5776583B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2015-09-09 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2015135890A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-07-27 | 住友電装株式会社 | 端子付きコンデンサの製造方法、コンデンサ用端子金具、コンデンサ及びコンデンサ内蔵コネクタ |
| JP5876177B2 (ja) * | 2015-03-16 | 2016-03-02 | 太陽誘電株式会社 | セラミックコンデンサ |
-
1998
- 1998-02-09 JP JP2762998A patent/JP3206736B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11233370A (ja) | 1999-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3206735B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
| US6523235B1 (en) | Method of manufacturing a ceramic capacitor | |
| JP3206734B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JP3376971B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| JP2017191929A (ja) | 積層型キャパシター及びその製造方法 | |
| US11393628B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| JP3760770B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JPH11219849A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| CN111048312B (zh) | 电子组件 | |
| JP3206736B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JP3358499B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| JPH08107039A (ja) | セラミック電子部品 | |
| KR102283080B1 (ko) | 전자 부품 | |
| JP3115713B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| JP4544387B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP4605329B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
| CN112331481B (zh) | 钽电容器 | |
| JP2002164257A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP2002231564A (ja) | セラミックコンデンサ | |
| CN113345715A (zh) | 无引线堆叠陶瓷电容器 | |
| JP2003109838A (ja) | セラミック電子部品 | |
| JP2001189232A (ja) | 電子部品 | |
| JPS5950596A (ja) | チツプ状電子部品およびその製造方法 | |
| JP2002313667A (ja) | セラミック電子部品 | |
| JP2000124063A (ja) | セラミック電子部品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010620 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080706 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090706 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090706 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100706 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110706 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120706 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130706 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |