JPH0897080A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JPH0897080A JPH0897080A JP23375794A JP23375794A JPH0897080A JP H0897080 A JPH0897080 A JP H0897080A JP 23375794 A JP23375794 A JP 23375794A JP 23375794 A JP23375794 A JP 23375794A JP H0897080 A JPH0897080 A JP H0897080A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、製品の焼成量に左右されず、安定
した品質を有する電子部品を提供することを目的とする
ものである。 【構成】 卑金属の外部電極用ペーストを塗布したセラ
ミック本体１の周囲に、この卑金属よりも低い酸素分圧
で酸化する物質としてニッケル４を配置して焼成し、外
部電極２を形成するものである。
した品質を有する電子部品を提供することを目的とする
ものである。 【構成】 卑金属の外部電極用ペーストを塗布したセラ
ミック本体１の周囲に、この卑金属よりも低い酸素分圧
で酸化する物質としてニッケル４を配置して焼成し、外
部電極２を形成するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品の製造方法に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術を積層セラミックコンデンサ
を例に説明する。積層セラミックコンデンサは、面実装
部品の代表格として、近年その使用量は益々増加してい
る。その一方製品の低価格化が進んでおり、メーカー各
社は電極材料の卑金属化による、コスト対応を行ってい
る。外部電極についてもＡｇからＮｉ，Ｃｕという卑金
属が用いられてきている。ところが、Ｎｉ，Ｃｕという
卑金属は、酸化すると導電性が劣化し、コンデンサとし
ての電気的特性を得られないことがわかっている。その
ため、卑金属外部電極の焼成は酸素濃度が低ければ低い
方がよい。ところが、卑金属外部電極を形成するため
に、卑金属をペースト化し、素子に塗布した後焼成を行
うが、この時酸素濃度が低い状態にて焼成を行うと、ペ
ースト中の有機成分（バインダー）が十分に分解せず、
卑金属の焼結を阻害する。よってその焼成は図５，図６
に示すようにアルミナ、ジルコニアといった酸化に対し
て安定なサヤ１１の上に卑金属外部電極１３用ペースト
塗布済のセラミック本体１２を載せた上で、ペースト中
の有機成分（バインダー）を酸素雰囲気にて焼成して除
去し、その後、非酸素雰囲気にて卑金属を焼成すること
が必要であった。
を例に説明する。積層セラミックコンデンサは、面実装
部品の代表格として、近年その使用量は益々増加してい
る。その一方製品の低価格化が進んでおり、メーカー各
社は電極材料の卑金属化による、コスト対応を行ってい
る。外部電極についてもＡｇからＮｉ，Ｃｕという卑金
属が用いられてきている。ところが、Ｎｉ，Ｃｕという
卑金属は、酸化すると導電性が劣化し、コンデンサとし
ての電気的特性を得られないことがわかっている。その
ため、卑金属外部電極の焼成は酸素濃度が低ければ低い
方がよい。ところが、卑金属外部電極を形成するため
に、卑金属をペースト化し、素子に塗布した後焼成を行
うが、この時酸素濃度が低い状態にて焼成を行うと、ペ
ースト中の有機成分（バインダー）が十分に分解せず、
卑金属の焼結を阻害する。よってその焼成は図５，図６
に示すようにアルミナ、ジルコニアといった酸化に対し
て安定なサヤ１１の上に卑金属外部電極１３用ペースト
塗布済のセラミック本体１２を載せた上で、ペースト中
の有機成分（バインダー）を酸素雰囲気にて焼成して除
去し、その後、非酸素雰囲気にて卑金属を焼成すること
が必要であった。
【０００３】しかし、生産性を向上させるため連続焼成
炉を用いると、バインダーアウトを行うためには酸素の
混入は不可避であり、酸素レス雰囲気で卑金属を焼成す
ることは非常に困難である。そこで、現実的には、焼成
炉内の酸素濃度を５〜１０ｐｐｍにコントロールして、
卑金属をわずかに酸化させて焼成する方法が取られてい
た。
炉を用いると、バインダーアウトを行うためには酸素の
混入は不可避であり、酸素レス雰囲気で卑金属を焼成す
ることは非常に困難である。そこで、現実的には、焼成
炉内の酸素濃度を５〜１０ｐｐｍにコントロールして、
卑金属をわずかに酸化させて焼成する方法が取られてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記方法で
は、卑金属が酸化物になるためその焼結が遅くなる。ま
た、大量の製品を焼成（バンダーアウト）するために酸
素濃度を高くすると、卑金属の酸化が進み、電気的特性
が得にくくなる。
は、卑金属が酸化物になるためその焼結が遅くなる。ま
た、大量の製品を焼成（バンダーアウト）するために酸
素濃度を高くすると、卑金属の酸化が進み、電気的特性
が得にくくなる。
【０００５】この様に、連続焼成炉の雰囲気のコントロ
ールは、バインダーアウトに必要な酸素量すなわち、炉
内の素子の投入量によっても左右されるため、同じよう
な出来映えの製品を得るためには、量産条件を複雑にせ
ざるを得ない。
ールは、バインダーアウトに必要な酸素量すなわち、炉
内の素子の投入量によっても左右されるため、同じよう
な出来映えの製品を得るためには、量産条件を複雑にせ
ざるを得ない。
【０００６】そこで本発明は、素子の焼成量に左右され
ない、安定した品質のものを量産できる電子部品の製造
方法を提供することを目的とするものである。
ない、安定した品質のものを量産できる電子部品の製造
方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は卑金属電極の焼成時に、この卑金属電極金
属より低い酸素分圧にて酸化する物質を素子の周囲に配
置して焼成するものである。
に、本発明は卑金属電極の焼成時に、この卑金属電極金
属より低い酸素分圧にて酸化する物質を素子の周囲に配
置して焼成するものである。
【０００８】
【作用】この方法により、卑金属電極の焼成時に、連続
焼成炉内に酸素の混入があっても、この卑金属より低い
酸素分圧にて酸化する物質を素子の周囲に配置している
ので、卑金属より低い酸素分圧にて酸化する物質がバイ
ンダーアウト後には完全に酸化していないため、この卑
金属より先に酸化が起こり、卑金属の酸化が抑制され
る。その結果、安定した品質の電子部品を量産すること
ができる。
焼成炉内に酸素の混入があっても、この卑金属より低い
酸素分圧にて酸化する物質を素子の周囲に配置している
ので、卑金属より低い酸素分圧にて酸化する物質がバイ
ンダーアウト後には完全に酸化していないため、この卑
金属より先に酸化が起こり、卑金属の酸化が抑制され
る。その結果、安定した品質の電子部品を量産すること
ができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について積層セラミ
ックコンデンサを例に図１〜図４を用いて説明する。ま
ずニッケルの内部電極と誘電体層とを交互に積層したセ
ラミック本体１に、卑金属粉末（１〜６μｍの銅粉
末）、ガラスフリット、樹脂、溶剤からなる外部電極用
ペーストを塗布する。次に、連続焼成炉を用いて、図
１，図２に示すように、厚さ１〜３ｍｍのアルミナの板
３の上に、外部電極用ペースト塗布済みのセラミック本
体１と、卑金属外部電極２となる銅よりも低い酸素分圧
で酸化する物質としてニッケル４とを、セラミック本体
１の外部電極２の周囲にニッケル４を配置した状態で設
け、焼成する。この時、ニッケル４の大きさは、焼成後
積層セラミックコンデンサとニッケル４とを分離し易い
大きさであればどの様な大きさでもかまわないが、表面
積が大きいほど本発明による効果は大きいので、多孔質
のものが好ましい。また、焼成時に、ニッケル４と外部
電極２となる銅とが反応しないように、ある程度距離を
おいて、ニッケル４を配置したほうがよい。
ックコンデンサを例に図１〜図４を用いて説明する。ま
ずニッケルの内部電極と誘電体層とを交互に積層したセ
ラミック本体１に、卑金属粉末（１〜６μｍの銅粉
末）、ガラスフリット、樹脂、溶剤からなる外部電極用
ペーストを塗布する。次に、連続焼成炉を用いて、図
１，図２に示すように、厚さ１〜３ｍｍのアルミナの板
３の上に、外部電極用ペースト塗布済みのセラミック本
体１と、卑金属外部電極２となる銅よりも低い酸素分圧
で酸化する物質としてニッケル４とを、セラミック本体
１の外部電極２の周囲にニッケル４を配置した状態で設
け、焼成する。この時、ニッケル４の大きさは、焼成後
積層セラミックコンデンサとニッケル４とを分離し易い
大きさであればどの様な大きさでもかまわないが、表面
積が大きいほど本発明による効果は大きいので、多孔質
のものが好ましい。また、焼成時に、ニッケル４と外部
電極２となる銅とが反応しないように、ある程度距離を
おいて、ニッケル４を配置したほうがよい。
【００１０】外部電極２形成後、プリント基板への半田
付性を保証するために、外部電極２の表面にメッキ処理
を行ってもよい。
付性を保証するために、外部電極２の表面にメッキ処理
を行ってもよい。
【００１１】ここで、外部電極２用ペースト塗布済みの
セラミック本体１を従来の方法と本実施例における方法
において、連続焼成炉で焼成する際の酸素濃度、コンデ
ンサの静電容量のばらつき、外部電極２のセラミック本
体１に対する固着強度を（表１），（表２）に示す。
セラミック本体１を従来の方法と本実施例における方法
において、連続焼成炉で焼成する際の酸素濃度、コンデ
ンサの静電容量のばらつき、外部電極２のセラミック本
体１に対する固着強度を（表１），（表２）に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【表２】
【００１４】なお、供試品として静電容量１００ｎＦの
積層セラミックコンデンサを用い、固着強度は外部電極
２の表面に半田付を保証するためのメッキ処理を行った
後、測定している。（表１）は、外部電極２用ペースト
塗布済みのセラミック本体１、１００ｃｍ2当たり５０
個の割合で焼成を行い、（表２）は、外部電極２用ペー
スト塗布済みのセラミック本体１、１００ｃｍ2当たり
１０００個の割合で焼成を行った。（表１），（表２）
に示すように、本実施例においては、従来よりも酸素濃
度を高めに設定したとしても、外部電極２用ペースト塗
布済みのセラミック本体１の焼成量及び、酸素濃度によ
るコンデンサの静電容量のばらつき、外部電極２のセラ
ミック本体１に対する固着強度の劣化は認められず安定
した品質を確保できる。
積層セラミックコンデンサを用い、固着強度は外部電極
２の表面に半田付を保証するためのメッキ処理を行った
後、測定している。（表１）は、外部電極２用ペースト
塗布済みのセラミック本体１、１００ｃｍ2当たり５０
個の割合で焼成を行い、（表２）は、外部電極２用ペー
スト塗布済みのセラミック本体１、１００ｃｍ2当たり
１０００個の割合で焼成を行った。（表１），（表２）
に示すように、本実施例においては、従来よりも酸素濃
度を高めに設定したとしても、外部電極２用ペースト塗
布済みのセラミック本体１の焼成量及び、酸素濃度によ
るコンデンサの静電容量のばらつき、外部電極２のセラ
ミック本体１に対する固着強度の劣化は認められず安定
した品質を確保できる。
【００１５】なお、本実施例においては、外部電極２と
なる卑金属の銅よりも低い酸素分圧で酸化する物質とし
てニッケル４をセラミック本体１の周囲に配置している
が、ニッケル４の代わりに、有機物を配置したとしても
本実施例と同様の効果を得ることができる。
なる卑金属の銅よりも低い酸素分圧で酸化する物質とし
てニッケル４をセラミック本体１の周囲に配置している
が、ニッケル４の代わりに、有機物を配置したとしても
本実施例と同様の効果を得ることができる。
【００１６】また、焼成時に、外部電極２用ペースト塗
布済みのセラミック本体１の周囲に、外部電極２となる
銅よりも低い酸素分圧で酸化する物質としてニッケル４
を配置しているが、図３，図４に示すように、ニッケル
または、ニッケルでコーティングされた金属をメッシュ
状に編み上げたメッシュ状体５を用い、この上にて卑金
属の外部電極２用ペーストを塗布したセラミック本体１
を焼成しても、本実施例と同様の効果を得ることができ
る。
布済みのセラミック本体１の周囲に、外部電極２となる
銅よりも低い酸素分圧で酸化する物質としてニッケル４
を配置しているが、図３，図４に示すように、ニッケル
または、ニッケルでコーティングされた金属をメッシュ
状に編み上げたメッシュ状体５を用い、この上にて卑金
属の外部電極２用ペーストを塗布したセラミック本体１
を焼成しても、本実施例と同様の効果を得ることができ
る。
【００１７】さらに、本実施例においては、積層型の電
子部品について説明したが、ディスク型をはじめとして
どのような形のものでも同様の効果を得ることができ
る。
子部品について説明したが、ディスク型をはじめとして
どのような形のものでも同様の効果を得ることができ
る。
【００１８】また、本実施例においては、焼成を連続焼
成炉を用いて行ったが、単炉の場合でも同様の効果を得
ることができる。
成炉を用いて行ったが、単炉の場合でも同様の効果を得
ることができる。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、卑金属外部電極を形成す
る際、外部電極となる卑金属よりも低い酸素分圧で酸化
する物質を卑金属外部電極用ペーストを塗布した素子の
周囲に配置して焼成することにより、素子の焼成量に左
右されず、安定した品質の電子部品を提供することがで
きる。また、外部電極となる卑金属よりも低い酸素分圧
で酸化する物質をメッシュ状に編み上げたものの上に、
卑金属外部電極用ペーストを塗布した素子を配置して焼
成することにより、大量に焼成（バインダーアウト）す
るために酸素濃度を高くしたとしても、メッシュ構造の
ため、酸素が外部電極の周囲に十分に行き渡るので、さ
らに安定した品質の電子部品を提供することができる。
さらに、外部電極となる卑金属よりも低い酸素分圧で酸
化する物質をメッシュ状に編み上げたものを用いた場
合、複数段サヤを重ねることができるため、量産性が飛
躍的に向上する。
る際、外部電極となる卑金属よりも低い酸素分圧で酸化
する物質を卑金属外部電極用ペーストを塗布した素子の
周囲に配置して焼成することにより、素子の焼成量に左
右されず、安定した品質の電子部品を提供することがで
きる。また、外部電極となる卑金属よりも低い酸素分圧
で酸化する物質をメッシュ状に編み上げたものの上に、
卑金属外部電極用ペーストを塗布した素子を配置して焼
成することにより、大量に焼成（バインダーアウト）す
るために酸素濃度を高くしたとしても、メッシュ構造の
ため、酸素が外部電極の周囲に十分に行き渡るので、さ
らに安定した品質の電子部品を提供することができる。
さらに、外部電極となる卑金属よりも低い酸素分圧で酸
化する物質をメッシュ状に編み上げたものを用いた場
合、複数段サヤを重ねることができるため、量産性が飛
躍的に向上する。
【図１】本発明の一実施例における積層セラミックコン
デンサの焼成状態を説明する上面図
デンサの焼成状態を説明する上面図
【図２】図１の一部拡大図
【図３】本発明の一実施例における積層セラミックコン
デンサの焼成状態を説明する上面図
デンサの焼成状態を説明する上面図
【図４】図３の一部拡大図
【図５】従来の積層セラミックコンデンサの焼成状態を
説明する上面図
説明する上面図
【図６】図５の一部拡大図
１ セラミック本体 ２ 外部電極 ３ アルミナの板 ４ ニッケル ５ メッシュ状体
Claims (4)
- 【請求項１】 表面に電極用の卑金属ペーストを塗布し
た素子の周囲に、前記卑金属ペースト中の卑金属よりも
低い酸素分圧で酸化する物質を配置して焼成する電子部
品の製造方法。 - 【請求項２】 卑金属ペースト中の卑金属よりも低い酸
素分圧で酸化する物質を、少なくともその表面に設けた
メッシュ状体上に、素子を配置して焼成する請求項１に
記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項３】 物質としてニッケルを用いた請求項１、
または２に記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項４】 メッシュ状体の表面にニッケルをコーテ
ィングした請求項２記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23375794A JP3196524B2 (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23375794A JP3196524B2 (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897080A true JPH0897080A (ja) | 1996-04-12 |
| JP3196524B2 JP3196524B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=16960106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23375794A Expired - Fee Related JP3196524B2 (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3196524B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198243A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミック電子部品の製造方法 |
| JP2006013220A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミック電子部品の製造方法 |
| JP2008177188A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-07-31 | Tdk Corp | チップ状電子部品用冶具 |
| KR20150026906A (ko) | 2013-08-30 | 2015-03-11 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 랙 |
-
1994
- 1994-09-28 JP JP23375794A patent/JP3196524B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198243A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミック電子部品の製造方法 |
| JP2006013220A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミック電子部品の製造方法 |
| JP4654620B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2011-03-23 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品の製造方法 |
| JP2008177188A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-07-31 | Tdk Corp | チップ状電子部品用冶具 |
| KR20150026906A (ko) | 2013-08-30 | 2015-03-11 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 랙 |
| CN104418596A (zh) * | 2013-08-30 | 2015-03-18 | 日本碍子株式会社 | 机架 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3196524B2 (ja) | 2001-08-06 |
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