CN111755249A - 多层电容器 - Google Patents
多层电容器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111755249A CN111755249A CN201911035482.3A CN201911035482A CN111755249A CN 111755249 A CN111755249 A CN 111755249A CN 201911035482 A CN201911035482 A CN 201911035482A CN 111755249 A CN111755249 A CN 111755249A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- multilayer capacitor
- phosphorus
- capacitor
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 92
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 75
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 14
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/248—Terminals the terminals embracing or surrounding the capacitive element, e.g. caps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
- H01G4/0085—Fried electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
本发明提供一种多层电容器，所述多层电容器包括：电容器主体，包括多个介电层和多个内电极；以及外电极，分别设置在所述电容器主体的两个端部上并且分别连接到所述内电极的暴露部分。所述外电极中的每个包括：导电层，形成在所述电容器主体上并且连接到所述内电极；内镀层，包括镍(Ni)和磷(P)，并且覆盖所述导电层；以及外镀层，包括钯(Pd)和磷(P)，并且覆盖所述内镀层。
Description
本申请要求于2019年3月27日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0034920号韩国专利申请以及于2019年5月9日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0054166号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及多层电容器。
背景技术
在典型的多层电容器中，外电极的镀层可利用镍镀层和锡镀层形成，并且在多层电容器安装在基板上的情况下可使用含锡焊料(Sn基焊料)。
在含锡焊料的情况下，当产品需要150℃或更高温度下的可靠性时，可能发生诸如裂纹的问题。近年来，已经有使用主要包含环氧树脂和金属填料等的导电粘合剂作为结合材料的趋势。
然而，当上述导电粘合剂用作结合材料并且外电极的镀层利用锡制成时，导电粘合剂和镀层之间的结合力可能降低，这可能导致多层电容器的安装故障增加的问题。
发明内容
本公开的一方面提供一种多层电容器，即使在所述多层电容器使用导电粘合剂安装在基板上的情况下需要高可靠性时，所述多层电容器也能够防止导电粘合剂和镀层之间的结合力降低，以防止发生安装故障。
根据本公开的一方面，一种多层电容器包括：电容器主体，包括介电层和多个内电极；以及多个外电极，设置在所述电容器主体的两个端部上并且连接到所述内电极的暴露部分。所述外电极中的每个包括：导电层，设置在所述电容器主体上并且连接到所述内电极；内镀层，包括镍(Ni)和磷(P)，并且覆盖所述导电层；以及外镀层，包括钯(Pd)和磷(P)，并且覆盖所述内镀层。
在本公开的实施例中，基于所述内镀层的总重量，所述内镀层的磷含量可大于4重量％且小于或等于8重量％。
在本公开的实施例中，所述内镀层可包含镍(Ni)并且包括磷(P)，磷(P)作为杂质分散在所述内镀层中。
在本公开的实施例中，所述电容器主体可包括彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面和所述第二表面且连接到所述第三表面和所述第四表面且彼此相对的第五表面和第六表面，并且所述多个内电极可通过所述电容器主体的所述第三表面和所述第四表面交替暴露，且所述介电层介于所述多个内电极之间。
在本公开的实施例中，所述外电极的所述导电层可包括：连接部，分别设置在所述电容器主体的所述第三表面和所述第四表面上并且连接到所述内电极的所述暴露部分；以及弯曲部，从所述连接部延伸到所述电容器主体的所述第一表面的一部分。
在本公开的实施例中，所述内镀层可通过利用无电镀镀覆工艺在所述导电层上镀覆包含镍和磷的第一金属层形成，并且所述外镀层可通过利用无电镀镀覆工艺在所述内镀层上镀覆包含钯和磷的第二金属层形成。
在本公开的实施例中，所述导电层可包含铜和银中的至少一种。
在本公开的实施例中，所述内镀层可具有1μm至10μm的厚度。
在本公开的实施例中，所述内镀层的厚度可大于所述外镀层的厚度。
在本公开的实施例中，基于所述外镀层的总重量，所述外镀层的磷含量可大于或等于2重量％且小于或等于6重量％。
在本公开的实施例中，所述外镀层可包含镍(Ni)并且包括磷(P)，磷(P)作为杂质分散在所述外镀层中。
在本公开的实施例中，所述外电极中的每个可不包含锡(Sn)层。
根据本公开的一方面，一种多层电容器包括：电容器主体，包括多个介电层和多个内电极；以及外电极，分别设置在所述电容器主体的两个端部上并且分别连接到所述内电极的暴露部分。所述外电极中的每个包括：导电层，设置在所述电容器主体上并且连接到所述内电极；内镍(Ni)层，具有作为杂质分散在所述内镍(Ni)层中的磷(P)，并且覆盖所述导电层；以及外贵金属层，具有作为杂质分散在所述外贵金属层中的磷(P)，并且覆盖所述内镍(Ni)层。
在本公开的实施例中，所述外贵金属层可以是具有磷(P)的钯(Pd)层，磷(P)作为杂质分散在所述钯(Pd)层中。
在本公开的实施例中，基于所述内镍层的总重量，所述内镍(Ni)层的磷含量可大于4重量％且小于或等于8重量％。
在本公开的实施例中，基于所述外贵金属层的总重量，所述外贵金属层的磷含量可大于或等于2重量％且小于或等于6重量％。
在本公开的实施例中，所述内镍(Ni)层的厚度可大于所述外贵金属层的厚度。
在本公开的实施例中，所述外电极中的每个可不包含锡(Sn)层。
附图说明
通过下面结合附图的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1是示意性地示出根据本公开的实施例的多层电容器的透视图。
图2A和图2B是分别示出应用于图1的多层电容器的第一内电极和第二内电极的平面图。
图3是沿图1中的线I-I’截取的截面图。
图4是示出在图3中的外电极仅形成导电层的截面图。
图5是示出在图4中的外电极中还形成内镀层的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述本公开的优选实施例。
然而，本公开的实施例可变型为各种其他形式，并且本公开的范围不受以下实施例的限制。
此外，可提供本公开的实施例以向本领域的技术人员更充分地说明本公开。
为了清楚起见，可夸大在附图中元件的形状和尺寸。
在对应实施例的附图中，相同附图标记可用于相同的元件。
此外，除非另有明确阐明，否则在整个说明书中“包括”或“包含”元件表示不排除其他元件，而是还可能包括其他元件。
在下文中，为了清楚地说明本公开的实施例，当限定电容器主体110的方向时，X、Y和Z分别表示电容器主体110的长度方向、宽度方向和厚度方向。此外，在本实施例中，Z方向可用于具有与堆叠介电层的堆叠方向相同的概念。
图1是示意性地示出根据本公开的实施例的多层电容器的透视图，图2A和图2B是分别示出应用于图1的多层电容器的第一内电极和第二内电极的平面图，图3是沿图1中的线I-I’截取的截面图，图4是示出在图3中的外电极仅形成导电层的截面图，并且图5是示出在图4中的外电极中还形成内镀层的截面图。
参照图1至图5，根据本实施例的多层电容器100可包括电容器主体110以及第一外电极130和第二外电极140。
电容器主体110可通过在Z方向上堆叠多个介电层111然后烧结堆叠的介电层111形成。在这种状况下，在电容器主体110中彼此相邻的介电层111之间的边界可一体化成在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下难以确认边界的程度。
电容器主体110可具有大致六面体形状，但本公开不限于此。电容器主体110的形状和尺寸以及介电层111堆叠的层数不限于本实施例的附图中示出的电容器主体110的形状和尺寸以及介电层111堆叠的层数。
在本实施例中，为了便于说明，电容器主体110的在Z方向上彼此相对的两个表面可分别定义为第一表面1和第二表面2；电容器主体110的连接到第一表面1和第二表面2且在X方向上彼此相对的两个表面可分别定义为第三表面3和第四表面4；并且电容器主体110的连接到第一表面1和第二表面2、连接到第三表面3和第四表面4且在Y方向上彼此相对的两个表面可分别定义为第五表面5和第六表面6。此外，在本实施例中，多层电容器100的安装表面可以是电容器主体110的第一表面1。
介电层111可包括具有高介电常数的陶瓷材料，例如，钛酸钡(BaTiO3)基陶瓷粉末、钛酸锶(SrTiO3)基陶瓷粉末等，但不限于此。
此外，陶瓷添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂、分散剂等也可与陶瓷粉末一起添加到介电层111中。
陶瓷添加剂可以是例如过渡金属氧化物或过渡金属碳化物、稀土元素、镁(Mg)、铝(Al)等。
电容器主体110可包括：有效区域，用作对电容器的电容形成有贡献的部分；以及上覆盖部112和下覆盖部113，在有效区域的在Z方向上的上表面和下表面上分别作为上边缘部和下边缘部形成。
上覆盖部112和下覆盖部113除了它们不包括内电极之外，它们可具有与介电层111的材料和构造相同的材料和构造。
上覆盖部112和下覆盖部113可通过分别在有效区域的在Z方向上的上表面和下表面上堆叠单个介电层或者两个或更多个介电层形成；并且可基本用于防止第一内电极121和第二内电极122由于物理应力或化学应力受到损坏。
第一内电极121和第二内电极122可以是被施加不同极性的电极，可在Z方向上交替地布置并且介电层111介于它们之间，并且可构造成使得第一内电极121的一端和第二内电极122的一端分别通过电容器主体110的第三表面3和第四表面4暴露。
在这种情况下，第一内电极121和第二内电极122可通过介于它们之间的介电层111而彼此电绝缘。
稍后将会描述，分别通过电容器主体110的第三表面3和第四表面4交替地暴露的第一内电极121的端部和第二内电极122的端部可分别与设置在电容器主体110的第三表面3上的第一外电极130以及设置在电容器主体110的第四表面4上的第二外电极140接触，并且可分别电连接到设置在电容器主体110的第三表面3上的第一外电极130以及设置在电容器主体110的第四表面4上的第二外电极140。
在本实施例中，当预定电压施加到第一外电极130和第二外电极140时，电荷可在第一内电极121和第二内电极122之间累积。
在这种情况下，多层电容器100的静电电容可与有效区域中的第一内电极121和第二内电极122在Z方向上彼此重叠的重叠面积成比例。
用于形成第一内电极121和第二内电极122的材料没有特别限制，并且可使用贵金属材料(诸如，铂(Pt)、钯(Pd)和钯-银(Pd-Ag)合金等)以及利用镍(Ni)和铜(Cu)中的一种或更多种材料制成的导电膏形成。
在这种情况下，印刷导电膏的方法可使用丝网印刷方法、凹版印刷方法等，但本公开不限于此。
第一外电极130和第二外电极140可设置有不同极性的电压，可设置在电容器主体110的在X方向上的两个端部上，并且可分别与第一内电极121的暴露部分和第二内电极122的暴露部分接触且可分别电连接到第一内电极121的暴露部分和第二内电极122的暴露部分。
第一外电极130可包括：第一导电层131，形成在电容器主体110上以连接到第一内电极121；第一内镀层132，形成为覆盖第一导电层131；以及第一外镀层133，形成为覆盖第一内镀层。第二外电极140可包括：第二导电层141，形成在电容器主体110上以连接到第二内电极122；第二内镀层142，形成为覆盖第二导电层141；以及第二外镀层143，形成为覆盖第二内镀层。
第一导电层131可包括第一连接部131a和第一弯曲部131b。
第一连接部131a可形成在电容器主体110的第三表面3上，并且可连接到第一内电极121的暴露部分。第一弯曲部131b可以是从第一连接部131a延伸到电容器主体110的第一表面1的一部分的部分。
在这种情况下，第一弯曲部131b还可延伸到电容器主体110中的第五表面5的一部分和第六表面6的一部分以及第二表面2的一部分，以改善固定强度等。
第二导电层141可包括第二连接部141a和第二弯曲部141b。
第二连接部141a可形成在电容器主体110的第四表面4上，并且可连接到第二内电极122的暴露部分。第二弯曲部141b可以是从第二连接部141a延伸到电容器主体110的第一表面1的一部分的部分。
在这种情况下，第二弯曲部141b还可延伸到电容器主体110中的第五表面5的一部分和第六表面6的一部分以及第二表面2的一部分，以改善固定强度等。
第一导电层131和第二导电层141可包括铜(Cu)和银(Ag)中的至少一种，除此之外还可包括玻璃、环氧树脂等。
第一内镀层132和第二内镀层142可包括镍(Ni)和磷(P)。例如，第一内镀层132和第二内镀层142可主要包含镍(Ni)并且还包括磷(P)，磷(P)作为杂质分散在第一内镀层132和第二内镀层142中。对于另一示例，第一内镀层132和第二内镀层142可以是具有磷(P)作为杂质分散在其中的镍(Ni)镀层。
第一内镀层132和第二内镀层142可通过分别在第一导电层131和第二导电层141上镀覆包括镍和磷的第一金属层而形成。
在这种情况下，第一内镀层132和第二内镀层142可分别通过无电镀镀覆工艺形成。与通过电镀工艺形成的涂覆膜相比，当第一内镀层132和第二内镀层142通过无电镀镀覆工艺形成时，形成的第一内镀层132和第二内镀层142可具有更好的耐腐蚀性，并且通常可在每个位置处均匀地进行镀覆工艺以具有均匀的镀覆厚度，并且在镀覆特性方面与通过电镀工艺形成的涂覆膜相比没有任何差异。
此外，在电镀工艺中，还会增加诸如钢球等的虚设体以在滚镀操作中导电。如本实施例中，当执行无电镀镀覆工艺时，可仅对镀覆体进行镀覆而无需任何虚设体。因此，可更容易地执行镀覆准备操作和在镀覆操作之后的镀覆体的缺陷选择操作。
分别基于第一内镀层132和第二内镀层142的总重量，第一内镀层132和第二内镀层142中的磷含量可大于4重量％且小于或等于8重量％。
在下表1中，耐腐蚀性可通过盐雾试验确认，并且可确认的是，时间越长，耐腐蚀性越好。
[表1]
在这种情况下，磷可起到确定镍涂层的特性的作用。参照表1，#1(不包括磷(P))可以是在无电镀镀覆工艺中不能够进行镀覆的情况。
可确认的是，在#2和#3(磷含量为4wt％或更少)的情况下，第一内镀层132和第二内镀层142的耐腐蚀性降低。
可确认的是，在#8和#9(磷含量超过8wt％)的情况下，镍的沉积速率降低。
当镍的沉积速率降低时，用于形成相同镀覆厚度的镀覆时间变长。因此，产品的制造时间增加，导致其生产力降低。
第一内镀层132和第二内镀层142的厚度可大于或等于1μm且小于或等于10μm。当第一内镀层132和第二内镀层142的厚度小于1μm时，可能存在镍覆盖不足的问题，并且第一导电层131和第二导电层141暴露。当第一内镀层132和第二内镀层142的厚度大于10μm时，可能需要过多的镀覆时间。
第一外镀层133和第二外镀层143可包括钯(Pd)和磷(P)。分别基于第一外镀层133和第二外镀层143的总重量，第一外镀层133和第二外镀层143中的磷含量可大于或等于2重量％且小于或等于6重量％。例如，第一外镀层133和第二外镀层143可主要包含钯(Pd)并且还包括磷(P)，磷(P)作为杂质分散在第一外镀层133和第二外镀层143中。对于另一示例，第一外镀层133和第二外镀层143可以是具有磷(P)作为杂质分散在其中的钯(Pd)镀层。
第一外镀层133和第二外镀层143可通过利用无电镀镀覆工艺分别在第一内镀层132和第二内镀层142上镀覆包含钯和磷的第二金属层形成。
由于第一外镀层133和第二外镀层143分别用于防止第一内镀层132和第二内镀层142中的镍成分被氧化，所以第一外镀层133和第二外镀层143可优选地通过使用包括与镍相比具有相对低氧化性的贵金属的材料形成为薄的。
例如，第一外镀层133和第二外镀层143的厚度可分别小于第一内镀层132和第二内镀层142的厚度。当第一外镀层133和第二外镀层143的厚度增大时，存在可能发生诸如镀层破裂等的问题的高可能性。
与通过电镀工艺形成的涂覆膜相比，当第一外镀层133和第二外镀层143通过无电镀镀覆工艺形成时，形成的第一外镀层133和第二外镀层143可具有更好的耐腐蚀性，并且通常可在每个位置处均匀地进行镀覆工艺以具有均匀的镀覆厚度，并且在镀覆特性方面与通过电镀工艺形成的涂覆膜相比没有任何差异。
本实施例的多层电容器可以是通过使用导电粘合剂安装在基板上并且需要在150℃或更高的温度下可靠性的产品。
第一外镀层133和第二外镀层143可以是多层电容器的在多层电容器安装在基板上时可与导电粘合剂接触的部分，由于不包含锡，可以不使与基板的结合力劣化，并且在高温下可不存在可靠性问题。
根据本公开的实施例，即使在使用导电粘合剂将多层电容器安装在基板上情况下要求高可靠性时，也可防止导电粘合剂和镀层之间的结合力降低，从而防止多层电容器的安装故障。
虽然以上已经示出和描述了示例实施例，但是对本领域技术人员将明显的是，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下，可以进行修改和变型。
Claims (18)
1.一种多层电容器，包括：
电容器主体，包括多个介电层和多个内电极；以及
外电极，分别设置在所述电容器主体的两个端部上并且分别连接到所述内电极的暴露部分，
其中，所述外电极中的每个包括：
导电层，设置在所述电容器主体上并且连接到所述内电极；
内镀层，包括镍和磷，并且覆盖所述导电层；以及
外镀层，包括钯和磷，并且覆盖所述内镀层。
2.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，基于所述内镀层的总重量，所述内镀层的磷含量大于4重量％且小于或等于8重量％。
3.根据权利要求2所述的多层电容器，其中，所述内镀层包含镍并且包括磷，磷作为杂质分散在所述内镀层中。
4.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述电容器主体包括彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面和所述第二表面且连接到所述第三表面和所述第四表面且彼此相对的第五表面和第六表面，并且所述多个内电极通过所述电容器主体的所述第三表面和所述第四表面交替暴露，且所述介电层介于所述多个内电极之间。
5.根据权利要求4所述的多层电容器，其中，所述外电极的所述导电层包括：连接部，分别设置在所述电容器主体的所述第三表面和所述第四表面上并且连接到所述内电极的所述暴露部分；以及弯曲部，从所述连接部延伸到所述电容器主体的所述第一表面的一部分。
6.根据权利要求1所述的多层电容器，
其中，所述内镀层通过利用无电镀镀覆工艺在所述导电层上镀覆包含镍和磷的第一金属层形成，并且
所述外镀层通过利用无电镀镀覆工艺在所述内镀层上镀覆包含钯和磷的第二金属层形成。
7.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述导电层包含铜和银中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述内镀层具有1μm至10μm的厚度。
9.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述内镀层的厚度大于所述外镀层的厚度。
10.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，基于所述外镀层的总重量，所述外镀层的磷含量大于或等于2重量％且小于或等于6重量％。
11.根据权利要求10所述的多层电容器，其中，所述外镀层包含钯并且包括磷，磷作为杂质分散在所述外镀层中。
12.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述外电极中的每个不包含锡层。
13.一种多层电容器，包括：
电容器主体，包括多个介电层和多个内电极；以及
外电极，分别设置在所述电容器主体的两个端部上并且分别连接到所述内电极的暴露部分，
其中，所述外电极中的每个包括：
导电层，设置在所述电容器主体上并且连接到所述内电极；
内镍层，具有作为杂质分散在所述内镍层中的磷，并且覆盖所述导电层；以及
外贵金属层，具有作为杂质分散在所述外贵金属层中的磷，并且覆盖所述内镍层。
14.根据权利要求13所述的多层电容器，其中，所述外贵金属层为具有磷的钯层，磷作为杂质分散在所述钯层中。
15.根据权利要求13所述的多层电容器，其中，基于所述内镍层的总重量，所述内镍层的磷含量大于4重量％且小于或等于8重量％。
16.根据权利要求13所述的多层电容器，其中，基于所述外贵金属层的总重量，所述外贵金属层的磷含量大于或等于2重量％且小于或等于6重量％。
17.根据权利要求13所述的多层电容器，其中，所述内镍层的厚度大于所述外贵金属层的厚度。
18.根据权利要求13所述的多层电容器，其中，所述外电极中的每个不包含锡层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310686166.2A CN116544035A (zh) | 2019-03-27 | 2019-10-29 | 多层电容器 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2019-0034920 | 2019-03-27 | ||
| KR20190034920 | 2019-03-27 | ||
| KR10-2019-0054166 | 2019-05-09 | ||
| KR1020190054166A KR20200114928A (ko) | 2019-03-27 | 2019-05-09 | 적층형 커패시터 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310686166.2A Division CN116544035A (zh) | 2019-03-27 | 2019-10-29 | 多层电容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111755249A true CN111755249A (zh) | 2020-10-09 |
| CN111755249B CN111755249B (zh) | 2023-06-06 |
Family
ID=72608150
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310686166.2A Pending CN116544035A (zh) | 2019-03-27 | 2019-10-29 | 多层电容器 |
| CN201911035482.3A Active CN111755249B (zh) | 2019-03-27 | 2019-10-29 | 多层电容器 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310686166.2A Pending CN116544035A (zh) | 2019-03-27 | 2019-10-29 | 多层电容器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11037732B2 (zh) |
| JP (1) | JP7505679B2 (zh) |
| KR (1) | KR102460760B1 (zh) |
| CN (2) | CN116544035A (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7505679B2 (ja) * | 2019-03-27 | 2024-06-25 | サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層型キャパシタ |
| JP7538770B2 (ja) | 2021-04-30 | 2024-08-22 | Ntn株式会社 | 転がり軸受 |
| JP7507724B2 (ja) | 2021-04-30 | 2024-06-28 | Ntn株式会社 | 転がり軸受 |
| CN118511238A (zh) * | 2021-12-30 | 2024-08-16 | 京瓷Avx元器件公司 | 多层陶瓷电容器 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06204077A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Marcon Electron Co Ltd | セラミックチップコンデンサ及びその製造方法 |
| JP2000299243A (ja) * | 1999-04-16 | 2000-10-24 | Tdk Corp | 積層チップ型電子部品 |
| CN1428458A (zh) * | 2001-12-18 | 2003-07-09 | 株式会社村田制作所 | 电子部件的制造方法及该电子部件，无电敷镀方法 |
| JP2014099646A (ja) * | 2014-01-28 | 2014-05-29 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミック電子部品 |
| CN104103420A (zh) * | 2013-04-01 | 2014-10-15 | 株式会社村田制作所 | 层叠型陶瓷电子元件 |
| US20150001998A1 (en) * | 2013-06-27 | 2015-01-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic electronic component |
| US20150380164A1 (en) * | 2014-06-30 | 2015-12-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic component |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10303231A (ja) * | 1997-04-24 | 1998-11-13 | Hitachi Cable Ltd | 半導体素子搭載用テープキャリアおよびそのテープキャリアを使用した半導体装置 |
| JP2000277570A (ja) | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用テープキャリア |
| US6259161B1 (en) * | 1999-06-18 | 2001-07-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Circuit electrode connected to a pattern formed on an organic substrate and method of forming the same |
| TWI240288B (en) * | 2003-01-31 | 2005-09-21 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramic and the manufacturing method thereof, and the laminated ceramic condenser |
| US7531463B2 (en) * | 2003-10-20 | 2009-05-12 | Novellus Systems, Inc. | Fabrication of semiconductor interconnect structure |
| EP2073261B1 (en) * | 2006-09-26 | 2012-06-27 | Hitachi Metals, Ltd. | Ceramic substrate component and electronic component using the same |
| JP5289794B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2013-09-11 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| JP5214179B2 (ja) | 2007-06-12 | 2013-06-19 | 株式会社トクヤマ | メタライズド基板およびその製造方法 |
| JP2010196121A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解パラジウムめっき浴及び無電解パラジウムめっき方法 |
| JP2012043841A (ja) | 2010-08-13 | 2012-03-01 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 |
| KR101184796B1 (ko) * | 2010-12-29 | 2012-09-20 | 와이엠티 주식회사 | 기판 구조물 및 그 제조 방법 |
| JP6020070B2 (ja) * | 2011-11-17 | 2016-11-02 | Tdk株式会社 | 被覆体及び電子部品 |
| KR101771737B1 (ko) | 2012-10-05 | 2017-08-25 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
| KR101444536B1 (ko) | 2012-10-18 | 2014-09-24 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자 부품 및 그 제조방법 |
| EP2993253B1 (en) * | 2013-04-30 | 2020-03-11 | DDK Ltd. | Electronic component |
| KR101434107B1 (ko) | 2013-07-17 | 2014-08-25 | 삼성전기주식회사 | 기판 내장용 적층 세라믹 커패시터, 그 제조 방법 및 임베디드 기판의 제조 방법 |
| JP2018044205A (ja) * | 2016-09-14 | 2018-03-22 | 三菱電機株式会社 | めっき方法 |
| JP7080579B2 (ja) * | 2016-12-02 | 2022-06-06 | 凸版印刷株式会社 | 電子部品製造方法 |
| JP7505679B2 (ja) * | 2019-03-27 | 2024-06-25 | サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層型キャパシタ |
-
2019
- 2019-08-07 JP JP2019145693A patent/JP7505679B2/ja active Active
- 2019-08-12 US US16/537,843 patent/US11037732B2/en active Active
- 2019-10-29 CN CN202310686166.2A patent/CN116544035A/zh active Pending
- 2019-10-29 CN CN201911035482.3A patent/CN111755249B/zh active Active
-
2020
- 2020-11-19 KR KR1020200155400A patent/KR102460760B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-05-12 US US17/318,938 patent/US11437192B2/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06204077A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Marcon Electron Co Ltd | セラミックチップコンデンサ及びその製造方法 |
| JP2000299243A (ja) * | 1999-04-16 | 2000-10-24 | Tdk Corp | 積層チップ型電子部品 |
| CN1428458A (zh) * | 2001-12-18 | 2003-07-09 | 株式会社村田制作所 | 电子部件的制造方法及该电子部件，无电敷镀方法 |
| CN104103420A (zh) * | 2013-04-01 | 2014-10-15 | 株式会社村田制作所 | 层叠型陶瓷电子元件 |
| US20150001998A1 (en) * | 2013-06-27 | 2015-01-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic electronic component |
| JP2014099646A (ja) * | 2014-01-28 | 2014-05-29 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミック電子部品 |
| US20150380164A1 (en) * | 2014-06-30 | 2015-12-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210265115A1 (en) | 2021-08-26 |
| US20200312559A1 (en) | 2020-10-01 |
| KR20200133319A (ko) | 2020-11-27 |
| JP7505679B2 (ja) | 2024-06-25 |
| US11037732B2 (en) | 2021-06-15 |
| JP2020161785A (ja) | 2020-10-01 |
| US11437192B2 (en) | 2022-09-06 |
| CN116544035A (zh) | 2023-08-04 |
| CN111755249B (zh) | 2023-06-06 |
| KR102460760B1 (ko) | 2022-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108682556B (zh) | 多层陶瓷电容器及具有该多层陶瓷电容器的板 | |
| CN111755249B (zh) | 多层电容器 | |
| US8484815B2 (en) | Method for manufacturing laminated electronic component | |
| US11164700B2 (en) | Multilayer capacitor | |
| KR102586070B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 | |
| JP2019195037A (ja) | 積層型キャパシタ | |
| CN112242247B (zh) | 多层陶瓷电子组件 | |
| CN110880416B (zh) | 多层陶瓷电容器 | |
| US11676766B2 (en) | Multilayer capacitor | |
| CN115692022A (zh) | 多层陶瓷电子组件 | |
| CN117854928A (zh) | 多层陶瓷电容器及制造该多层陶瓷电容器的方法 | |
| CN110660586B (zh) | 多层陶瓷电容器 | |
| US11948750B2 (en) | Electronic component | |
| US12033804B2 (en) | Multilayer electronic component | |
| US20230207218A1 (en) | Multilayerr electronic component | |
| CN113161145B (zh) | 多层电子组件 | |
| KR20200114928A (ko) | 적층형 커패시터 | |
| CN114255989A (zh) | 多层电容器和其上安装有该多层电容器的基板 | |
| CN114446646A (zh) | 多层电容器和具有该多层电容器的板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |