JP6020070B2 - 被覆体及び電子部品 - Google Patents
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Description
Pd6P(リン濃度=4.6質量%)、
Pd24P5(リン濃度=5.7質量%)、
Pd3P(リン濃度=8.8質量%)、
Pd5P2(リン濃度=10.4質量%)、
Pd7P3(リン濃度=11.1質量%)、
PdP2(リン濃度=36.8質量%)、
PdP3(リン濃度=46.6質量%)。
(実施例1)
表2に示す組成を有する活性化処理液(温度:30℃)を調製した。上述の通りエッチング処理を行った導体を、硫酸(98%)30mlを水1Lで希釈した水溶液(温度:30℃)に30秒間浸漬し、次いで表2の活性化処理液に導体を1分間浸漬して、導体表面の活性化を行った。活性化後、導体を水洗することで、活性化処理を行った導体を得た。この活性化処理液は、塩化パラジウムと硫酸(98質量%)を含有している。
表3に示す組成を有する無電解ニッケルめっき液(温度:85℃、pH:4.5)を調製した。活性化処理を行った導体を、表3の無電解ニッケルめっき液に30分間浸漬して、ニッケルめっき膜を形成した。ニッケルめっき処理後、導体を水洗することで、ニッケル下地層が形成された導体を得た。この無電解ニッケルめっき液は、硫酸ニッケル、次亜リン酸ナトリウム、クエン酸ナトリウム、及び塩化アンモニウムを含有している。
表4に示す組成を有する無電解パラジウムめっき液(温度:60℃、pH:6.5)を調製した。上述のようにニッケル下地層が形成された導体を、表4の無電解パラジウムめっき液に5分間浸漬し、パラジウムめっき膜を形成した。パラジウムめっき処理後、導体を水洗することで、ニッケル下地層と、パラジウム層とが順次積層された積層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを実施例1の信号伝達部とした。この無電解パラジウムめっき液は、テトラアンミンパラジウムジクロライド、エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム、及び次亜リン酸ナトリウムを含有している。
実施例1と同様の手順で、ニッケル下地層と、パラジウム層とが順次積層された導体を得た。
表5に示す組成を有する無電解金めっき液(温度:80℃、pH:5.0)を調製した。上述のように得られたニッケル下地層と、パラジウム層とが順次積層された導体を、表5の金めっき液に10分間浸漬し、パラジウム層上に、金(Au)めっき膜を形成した。金めっき処理後、導体を水洗することで、ニッケル下地層と、パラジウム層と、金層とが順次積層された積層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを実施例2の信号伝達部とした。この金めっき液は、シアン化金カリウム、シアン化ナトリウム、及び炭酸ナトリウムを含有している。
活性化処理工程において、表2の活性化処理液に変えて表6に示す組成を有する活性化処理液(温度:40℃)を用いたこと、及び活性化処理の後ニッケルめっき処理を施さずにパラジウムめっき処理を施したこと以外は、実施例1と同様にして、パラジウム層からなる層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを実施例3の信号伝達部とした。表6の活性化処理液は、塩化パラジウム、及び、硝酸アンモニウムを含有している。
パラジウムめっき処理工程において、導体を浸漬する時間を5分間から20分間に変えたこと以外は、実施例3と同様にして、パラジウム層からなる層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを実施例4の信号伝達部とした。
パラジウムめっき処理工程において、導体を浸漬する時間を5分間から40分間に変えたこと以外は、実施例3と同様にして、パラジウム層からなる層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを実施例5の信号伝達部とした。
実施例4と同様にして得られたパラジウム層が形成された導体を、表5の金めっき液(温度:80℃、pH:5.0)に10分間浸漬し、金めっき膜を形成した。金めっき処理後、金めっき膜が形成された導体を水洗することで、パラジウム層と、金層とが順次積層された積層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを実施例6の信号伝達部とした。
パラジウムめっき工程において、表4のパラジウムめっき液に変えて表7に示す組成を有するパラジウムめっき液(温度:65℃、pH:6.0)を用いたこと以外は、実施例6と同様にして、パラジウム層と、金層とが順次積層された積層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを実施例7の信号伝達部とした。このパラジウムめっき液は、テトラアンミンパラジウムジクロライド、エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム、及び次亜リン酸ナトリウムを含有している。
パラジウムめっき工程において、表4のパラジウムめっき液に変えて表8に示す組成を有するパラジウムめっき液(温度:65℃、pH:6.3)を用いたこと以外は、実施例6と同様にして、パラジウム層と、金層とが順次積層された積層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを実施例8の信号伝達部とした。このパラジウムめっき液は、テトラクロロパラジウム酸アンモニウム、エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム、エチレンジアミン、及び、次亜リン酸ナトリウムを含有している。
パラジウムめっき工程において、表4のパラジウムめっき液に変えて表9に示す組成を有するパラジウムめっき液(温度:70℃、pH:6.5)を用いたこと以外は、実施例6と同様にして、パラジウム層と、金層とが順次積層された積層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを実施例9の信号伝達部とした。このパラジウムめっき液は、テトラクロロパラジウム酸アンモニウム、エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム、エチレンジアミン、及び、次亜リン酸ナトリウムを含有している。
パラジウムめっき工程において、表4のパラジウムめっき液に変えて表10に示す組成を有するパラジウムめっき液(温度:70℃、pH:5.5)を用いたこと以外は、実施例6と同様にして、パラジウム層と、金層とが順次積層された積層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを実施例10の信号伝達部とした。このパラジウムめっき液は、テトラシアノパラジウム酸カリウム、エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム、亜リン酸ナトリウム、及び、次亜リン酸ナトリウムを含有している。
まず、実施例1と同様の処理を行い、エッチング処理を行った導体を得た。
次に、後述の表14に示す組成を有する無電解錫めっき液(温度:30℃、pH:1.5)を調製した。上述のように得られたエッチング処理を行った導体を、表14の無電解錫めっき液に30分間浸漬して、錫めっき膜を形成した。錫めっき処理後、導体を水洗することで、錫(Sn)下地層が形成された導体を得た。この無電解錫めっき液は、メタンスルホン酸錫、メタンスルホン酸、チオ尿素、及び添加剤を含有している。
表4に示す組成を有するパラジウムめっき液(温度:60℃、pH:6.5)を調製した。上述のように得られた錫下地層が形成された導体を、表4の無電解パラジウムめっき液に5分間浸漬して、パラジウムめっき膜を形成した。パラジウムめっき処理後、導体を水洗することで、錫下地層と、パラジウム層とが順次積層された積層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを実施例11の信号伝達部とした。
実施例11と同様の手順で、錫下地層と、パラジウム層とが順次積層された導体を得た。
表5に示す組成を有する無電解金めっき液(温度:80℃、pH:5.0)を調製した。上述のように得られた錫下地層と、パラジウム層とが順次積層された導体を、表5の金めっき液に10分間浸漬し、パラジウム層上に、金めっき膜を形成した。金めっき処理後、金めっき膜が形成された導体を水洗することで、錫下地層と、パラジウム層と、金層とが順次積層された積層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを実施例12の信号伝達部とした。
パラジウムめっき工程において、表4のパラジウムめっき液に変えて表8に示す組成を有するパラジウムめっき液(温度:65℃、pH:6.3)を用いたこと以外は、実施例12と同様にして、錫下地層と、パラジウム層と、金層とが順次積層された積層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを実施例13の信号伝達部とした。
パラジウムめっき工程において、表4のパラジウムめっき液に変えて表10に示す組成を有するパラジウムめっき液(温度:70℃、pH:5.5)を用いたこと以外は、実施例12と同様にして、錫下地層と、パラジウム層と、金層とが順次積層された積層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを実施例14の信号伝達部とした。
パラジウムめっき工程において、表4のパラジウムめっき液に変えて表11に示す組成を有するパラジウムめっき液(温度:70℃、pH:5.5)を用いたこと、及び導体を浸漬する時間を5分間から10分間に変えたこと以外は、実施例3と同様にして、パラジウム層からなる層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを比較例1の信号伝達部とした。このパラジウムめっき液は、塩化パラジウム、エチレンジアミン、及び次亜リン酸ナトリウムを含有している。
パラジウムめっき工程において、表4のパラジウムめっき液に変えて市販の無電解パラジウムめっき液(上村工業株式会社製、商品名:TPD−30)を用いたこと、及び導体を浸漬する時間を5分間から15分間に変えたこと以外は、実施例3と同様にして、パラジウム層からなる層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを比較例2の信号伝達部とした。
パラジウムめっき工程において、表4のパラジウムめっき液に変えて表12に示す組成を有するパラジウムめっき液(温度:70℃、pH:5.5)を用いたこと、及び導体を浸漬する時間を5分間から10分間に変えたこと以外は、実施例3と同様にして、パラジウム層からなる層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを比較例3の信号伝達部とした。このパラジウムめっき液は、塩化パラジウム、エチレンジアミン、及び、次亜リン酸ナトリウムを含有している。
パラジウムめっき工程において、表4のパラジウムめっき液に変えて表11に示す組成を有するパラジウムめっき液(温度:70℃、pH:5.5)を用いたこと、及び導体を浸漬する時間を5分間から10分間に変えたこと以外は、実施例6と同様にして、パラジウム層と、金層とが順次積層された積層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを比較例4の信号伝達部とした。
パラジウムめっき工程において、表4のパラジウムめっき液に変えて市販の無電解パラジウムめっき液(上村工業株式会社製、商品名:TPD−30)を用いたこと、及び導体を浸漬する時間を5分間から15分間に変えたこと以外は、実施例6と同様にして、パラジウム層と、金層とが順次積層された積層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを比較例5の信号伝達部とした。
パラジウムめっき工程において、表4のパラジウムめっき液に変えて表12に示す組成を有するパラジウムめっき液(温度:70℃、pH:5.5)を用いたこと、及び導体を浸漬する時間を5分間から10分間に変えたこと以外は、実施例6と同様にして、パラジウム層と、金層とが順次積層された積層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを比較例6の信号伝達部とした。
実施例2と同様にエッチング処理、活性化処理及びニッケルめっき処理を施した後、パラジウムめっき処理を施さずに金めっき処理を施したこと以外は、実施例2と同様にして、ニッケル下地層と、金層とが順次積層された積層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを比較例7の信号伝達部とした。
比較例7と同様にエッチング処理、活性化処理、ニッケルめっき処理及び金めっき処理を施した後、表13に示す組成を有する金めっき液(温度:90℃、pH:7.5)を用いて追加の金めっき処理を施した。このようにして、ニッケル下地層と、金層とが順次積層された積層構造を有する被覆体を、導体上に得た。これを比較例8の信号伝達部とした。この金めっき液は、シアン化金カリウム、次亜リン酸ナトリウム、クエン酸ナトリウム、及び、塩化アンモニウムを含有している。
各実施例及び各比較例で得られた信号伝達部の被覆体が有するパラジウム層について、X線回折装置を用いて結晶性を評価した。パラジウム結晶面に由来する回折ピークが確認されたものを「結晶質」、実質的に確認されなかったものを「非晶質」として評価した。例えば、図6のチャートは、X線源をCuKαとしたときの実施例1の信号伝達部のX線回折チャートである。X線回折分析の結果、導体(銅箔)またはニッケル下地層の結晶面に由来する回折ピークのみが確認され、信号伝達部の被覆体が有するパラジウム層におけるパラジウム結晶面に由来する回折ピークは、いずれも実質的に確認されなかった。したがって、実施例1の被覆体が有するパラジウム層において「非晶質」と評価した。各実施例及び各比較例における結果を表15にまとめて示す。
Claims (5)
- Cu、Ag及びこれらの合金から選ばれる少なくとも1種を含む導体の上に設けられる被覆体であって、
前記被覆体はパラジウム層を有し、
前記パラジウム層が非晶質であり、
且つ前記パラジウム層が7.3質量%以上11.0質量%以下の濃度範囲でリンを含む被覆体。 - 前記パラジウム層の前記導体と反対側の面上に、金層を備える、
請求項1に記載の被覆体。 - 前記パラジウム層と前記導体との間に、金属下地層を備える、
請求項1又は2に記載の被覆体。 - 前記金属下地層は、Ni、Sn、Fe、Co、Zn、Rh、Ag、Pt、Au、Pb、及びBiからなる群から選択される少なくとも1つの金属を含有する、
請求項3に記載の被覆体。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の被覆体と、
該被覆体で被覆された前記導体と、を有する信号伝達部を備える電子部品。
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