JP7285123B2 - 金めっき方法及びめっき皮膜 - Google Patents

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Description

本発明は、銅又は銅合金皮膜上に銀触媒を用いてめっきする、ワイヤーボンディング接続のための金めっき方法及びめっき皮膜に関する。
従来、ワイヤーボンディング接続のための金めっきは、銅又は銅合金皮膜上に置換反応によるパラジウム触媒を付与し、パラジウムめっきした後に行われる。また、銅又は銅合金皮膜上に金めっきし、その後パラジウムめっきし、再び金めっきが行われる。
例えば、特許文献１では、ワイヤーボンディング特性が良好なワイヤーボンディング用端子を得るため、ワイヤーボンディング用端子の銅の表面に、パラジウム純度が９９．５重量％以上の置換パラジウムめっき皮膜またはパラジウム純度が９９．５重量％以上の無電解パラジウムめっき皮膜、置換金めっき皮膜、無電解金めっき皮膜を形成する。
また、特許文献２では、無電解パラジウムの安定性低下による異常析出の問題を解消のために、回路パターンが設けられた基板に金めっきし、パラジウムめっきして、再び金めっきが行われる。
また、特許文献３では、銅系金属の上に０．０５～３ｍｇ／ｄｍ２の金を触媒核金属として付与した後、該銅系金属の上に無電解還元パラジウムめっきを行うための触媒付与液であって、構成成分として、水溶性の金化合物、窒素原子が２個以上の５員環構造を有するヘテロ環化合物、及び、イミノ２酢酸構造を有するキレート剤を含有する触媒付与液を用い、銅系金属の上に無電解還元パラジウムめっきを行うことを特徴とする銅系金属上のパラジウムめっき皮膜を付与している。
特開２００５－１９７４４２号公報 特開２０１３－１０８１８０号公報 特許第５５６７４７８号公報
しかしながら、特許文献１－３に記載されている方法では、実装等による熱履歴によってワイヤーボンディング特性が低下する傾向にある。また、特に金めっき皮膜の膜厚を薄くした場合に、上記熱履歴によってワイヤーボンディング特性が低下する。
そこで、本発明は実装等による熱履歴によってワイヤーボンディング特性の低下を防止する金めっき方法及びめっき皮膜を提供する。また、金めっき皮膜の膜厚を薄くしても実装等による熱履歴によってワイヤーボンディング特性の低下を防止する金めっき方法及びめっき皮膜を提供する。
本発明の一態様に係る金めっき方法は、銅又は銅合金皮膜上に銀触媒を用いてめっきする、ワイヤーボンディング接続のための金めっき方法であって、パラジウム皮膜を形成するために銀触媒としての銀皮膜を形成する銀触媒形成工程と、前記銀触媒上にパラジウム皮膜を形成するパラジウム皮膜形成工程と、前記パラジウム皮膜上に金めっき皮膜を形成する金めっき皮膜形成工程と、を有し、前記銀皮膜の膜厚は、０．０５μｍ～０．５μｍであり、前記パラジウム皮膜の結晶粒径の平均粒径は、０．０９μｍ以上であることを特徴とする。
このようにすれば、実装等による熱履歴によってワイヤーボンディング特性の低下を防止する金めっき方法を提供することができる。また、パラジウム皮膜の結晶粒径の平均粒径が０．０９μｍ以上と大きくなるので、熱履歴によってパラジウム粒子が金皮膜に拡散・固溶することを防ぎ、ワイヤーボンディング特性の低下を防止することができる。
また、本発明の一態様では、前記金めっき皮膜の膜厚は、０．２μｍ以下としても良い。
このようにすれば、金めっき皮膜の膜厚を薄くしても実装等による熱履歴によってワイヤーボンディング特性の低下を防止する金めっき方法を提供することができる。
また、本発明の一態様では、前記パラジウム皮膜の膜厚は、０．０４μｍ～０．５μｍとしても良い。
このようにすれば、パラジウム粒径が十分に大きく成長できるので、熱履歴によってパラジウム粒子が金皮膜に拡散・固溶することを防ぎ、ワイヤーボンディング特性の低下を防止することができる。
また、本発明の他の態様に係るめっき皮膜は、銅又は銅合金皮膜上に銀触媒を用いてめっきする、ワイヤーボンディング接続のためのめっき皮膜であって、前記銅又は銅合金皮膜と、前記銅又は銅合金皮膜上に形成された、前記銀触媒としての銀皮膜と、前記銀触媒上に形成されたパラジウム皮膜と、前記パラジウム皮膜上に形成された金皮膜と、を有し、前記銀皮膜の膜厚は、０．０５μｍ～０．５μｍであり、前記パラジウム皮膜の結晶粒径の平均粒径は、０．０９μｍ以上であることを特徴とする。
このようにすれば、実装等による熱履歴によってワイヤーボンディング特性の低下を防止するめっき皮膜を提供することができる。また、パラジウム皮膜の結晶粒径の平均粒径が０．０９μｍ以上と大きくなるので、熱履歴によってパラジウム粒子が金皮膜に拡散・固溶することを防ぎ、ワイヤーボンディング特性の低下を防止することができる。
また、本発明の他の態様では、熱処理後のワイヤープル平均強度が、１０．０ｇ以上としても良い。
このようにすれば、熱処理後でもワイヤーボンディング強度を十分に保っためっき皮膜を提供することができる。
以上説明したように本発明によれば、実装等による熱履歴によってワイヤーボンディング特性の低下を防止する金めっき方法及びめっき皮膜を提供することができる。また、金めっき皮膜の膜厚を薄くしても実装等による熱履歴によってワイヤーボンディング特性の低下を防止する金めっき方法及びめっき皮膜を提供することができる。
図１は、本発明の一実施形態に係る金めっき方法の概略を示す工程図である。 図２は、本発明の他の実施形態に係るめっき皮膜の断面図を示す概略図である。
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、以下に説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
［金めっき方法］
本発明の一実施形態に係る金めっき方法は、銅又は銅合金皮膜上に銀触媒を用いてめっきする、ワイヤーボンディング接続のための方法である。上述もしたが、実装等による熱履歴によってワイヤーボンディング特性が低下する傾向にある。また、特に金めっき皮膜の膜厚を薄くした場合に、上記熱履歴によってワイヤーボンディング特性が低下する。これは、熱履歴によって、パラジウム等の金属粒子が金めっき皮膜の粒界から侵入し、金めっき皮膜中に拡散し、金濃度が低下するので、ワイヤーボンディング特性が低下するためである。
そこで本発明の一実施形態に係る金めっき方法によれば、上記の問題点を解決できる。下記に詳述する。
本発明の一実施形態に係る金めっき方法は、図１に示すように、パラジウム皮膜を形成するために銀触媒としての銀皮膜を形成する銀触媒形成工程Ｓ１０と、上記銀触媒上にパラジウム皮膜を形成するパラジウム皮膜形成工程Ｓ２０と、上記パラジウム皮膜上に金めっき皮膜を形成する金めっき皮膜形成工程Ｓ３０と、を有し、上記銀皮膜の膜厚は、０．０５μｍ～０．５μｍであることを特徴とする。
本発明の一実施形態に係る金めっき方法は、上記の３工程を有する。なお、銀触媒形成工程Ｓ１０、パラジウム皮膜形成工程Ｓ２０、金めっき皮膜形成工程Ｓ３０の後の水洗や、銀触媒、パラジウム皮膜及び金めっき皮膜を形成するための前処理は、上記工程に含まれる。
銀触媒形成工程Ｓ１０は、パラジウム皮膜を形成するために銀触媒としての銀皮膜を形成する。本発明の一実施形態に係る金めっき方法に含まれる銀触媒形成工程Ｓ１０は、後述するパラジウムの金属粒子（粒子径）成長のための触媒として用いる。
銀触媒の代わりに他の金属を触媒として使用することも考えられるが、例えばパラジウム触媒（パラジウム触媒を形成させ、パラジウムめっき皮膜を形成させる場合）の場合、パラジウム膜はシード状の析出であるため、１つ１つの結晶粒径が小さい。よって、金めっき皮膜の粒界にパラジウム粒子が容易に入りこみ、拡散・固溶する。一方、銀皮膜は層状の析出であるため、１つ１つの結晶粒径が大きい。そして大きく成長した銀粒子によって、次工程のパラジウム皮膜の結晶も大きく成長させることができる。よって大きく成長したパラジウム粒子は、パラジウム皮膜上に形成された金めっき皮膜の粒界に入りこむことが容易にできなくなり、パラジウム粒子の金めっき皮膜への拡散・固溶を防止することができる。従って、金めっき皮膜中のパラジウム濃度の上昇を防止し、金めっき皮膜中の金の濃度が維持されるので、ワイヤーボンディング特性の低下を防ぐことができる。
よって銀皮膜は０．０５μｍ～０．５μｍである。銀皮膜が０．０５μｍ未満の場合、次工程のパラジウム皮膜形成工程でパラジウム皮膜を形成することが困難になる。一方、銀皮膜が０．５μｍを超えると、銀粒径が小さくなり、パラジウムの粒径も小さくなるため好ましくない。そのためワイヤーボンディングが低下する。
上記パラジウム皮膜の平均粒径（以下単に粒径）は、０．０９μｍ以上であることが好ましく、さらに好ましくは０．２０μｍ以上である。このようにすれば、パラジウムの粒径が０．０９μｍ以上と大きくなるので、熱履歴によってパラジウム粒子が金皮膜に拡散・固溶することを防ぎ、ワイヤーボンディング特性の低下を防止することができる。
なお、皮膜の粒径は、皮膜の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、任意に選択した粒子１０個の平均をとるものとする。以下に示す皮膜の測定方法も同様とする。
上記金めっき皮膜の膜厚は、０．３０μｍ以下、であることが好ましく、さらに好ましくは０．２０μｍ以下である。このようにすれば、金めっき皮膜の膜厚を薄くしても実装等による熱履歴によってワイヤーボンディング特性の低下を防止する金めっき方法を提供することができる。上記パラジウムが金めっき皮膜に拡散・固溶することを防止するためである。
上記パラジウム皮膜の膜厚は、０．０４μｍ～０．６μｍ、さらに好ましくは０．０５μｍ～０．５μｍであることが好ましい。このようにすれば、パラジウム粒径が十分に大きく成長できるので、熱履歴によってパラジウム粒子が金皮膜に拡散・固溶することを防ぎ、ワイヤーボンディング特性の低下を防止することができる。
また、銀触媒形成工程Ｓ１０、パラジウム皮膜形成工程Ｓ２０及び金めっき皮膜形成工程Ｓ３０に使用されるそれぞれのめっき液は、電解めっき、無電解めっきでも良く、置換タイプ、還元タイプ、置換還元タイプのいずれも選択することができる。
熱処理の温度は、温度は６０～３００℃、好ましくは９０～３００℃、さらに好ましくは１００～１５０℃である。
また、必要に応じて、クリーナー、エッチング、酸洗工程を追加できる。クリーナー、エッチング、酸洗工程で使用される薬液は公知のものが選択できる。
本発明の一実施形態に係る金めっき方法は、プリント基板、ＢＧＡ基板、パッケージ基板等に形成された銅又は銅合金上に特に有効である。
以上より、本発明の一実施形態に係る金めっき方法によれば、実装等による熱履歴によってワイヤーボンディング特性の低下を防止する金めっき方法を提供することができる。また、金めっき皮膜の膜厚を薄くしても実装等による熱履歴によってワイヤーボンディング特性の低下を防止する金めっき方法を提供することができる。さらに本発明の一実施形態に係る金めっき方法によれば、パラジウム触媒を使用しないので、銅又は銅合金上にのみ銀触媒が形成され、金めっきのショート等による不具合を防止し、回路のファインパターン性にも優れる。
また、従来の金めっき方法にくらべ、金触媒を使用しないことや、金めっき皮膜を薄くすることができるので、コスト的にも有利である。また、シアンフリーへの適用可能性がある。
［めっき皮膜］
次に本発明の他の実施形態に係るめっき皮膜について説明する。発明の他の実施形態に係るめっき皮膜１００は、銅又は銅合金皮膜４０上に銀触媒を用いてめっきする、ワイヤーボンディング接続のためのめっき皮膜である。
本発明の他の実施形態に係るめっき皮膜１００は、図２に示すように、銅又は銅合金皮膜４０と、上記銅又は銅合金皮膜４０上に形成された、上記銀触媒としての銀皮膜１０と、上記銀触媒上に形成されたパラジウム皮膜２０と、上記パラジウム皮膜２０上に形成された金皮膜３０と、を有し、上記銀皮膜１０の膜厚は、０．０５μｍ～０．５μｍであることを特徴とする。
上述したように、銀皮膜は層状の析出であるため、１つ１つの結晶サイズが大きい。そして大きく成長した銀粒子１１によって、銀触媒上のパラジウム皮膜２０の結晶も大きく成長させることができる。よって大きく成長したパラジウム粒子２１は、パラジウム皮膜２０上に形成された金皮膜３０の粒界に入りこむことが容易にできなくなり、パラジウム粒子２１の金皮膜３０への拡散・固溶を防止することができる。従って、金皮膜３０中のパラジウム濃度の上昇を防止し、金皮膜中の金の濃度が維持されるので、ワイヤーボンディング特性の低下を防ぐことができる。
上記パラジウム皮膜２０の粒径は、０．０９μｍ以上、であることが好ましく、さらに好ましくは０．２０μｍ以上である。であることが好ましい。このようにすれば、パラジウムの粒径が０．０９μｍ以上と大きくなるので、熱履歴によってパラジウム粒子２１が金皮膜に拡散・固溶することを防ぎ、ワイヤーボンディング特性の低下を防止することができる。
熱処理後のワイヤープル平均強度が１０．０ｇ以上であることが好ましい。このようにすれば、熱処理後でもワイヤーボンディング強度を十分に保っためっき皮膜を提供することができる。ここでの熱処理とは１７５℃を１６時間処理した条件をいう。また、ワイヤープル平均強度のワイヤボンディング強度は、Ｄａｇｅ＃４０００の装置を用い、ワイヤープルテストでの測定方法をいう。
以上より、本発明の他の実施形態に係るめっき皮膜によれば、実装等による熱履歴によってワイヤーボンディング特性の低下を防止するめっき皮膜を提供することができる。また、金めっき皮膜の膜厚を薄くしても実装等による熱履歴によってワイヤーボンディング特性の低下を防止するめっき皮膜を提供することができる。さらに本発明の他の実施形態に係るめっき皮膜によれば、パラジウム触媒を使用しないので、銅又は銅合金上にのみ銀触媒が形成され、金めっきのショート等による不具合を防止し、回路のファインパターン性にも優れる。
次に、本発明の一実施形態に係る金めっき方法及びめっき皮膜について実施例により詳しく説明する。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
実施例１では、被めっき物として、５ｃｍ×５ｃｍの銅皮膜が施された上村工業製ＢＧＡ基板を使用した。その基板の銅皮膜上に、銀触媒形成工程Ｓ１０として、パラジウム皮膜を形成するために銀触媒としての銀皮膜を形成した。
次に、パラジウム皮膜形成工程Ｓ２０として、上記銀触媒上にパラジウム皮膜を形成させた。なおパラジウム皮膜は、無電解めっきにより行った。
そして、金めっき皮膜形成工程Ｓ３０として、上記パラジウム皮膜上に金めっき皮膜を形成させた。なおパラジウム皮膜は、無電解めっきにより行った。
このとき、銀皮膜の膜厚は０．０５μｍ、パラジウム皮膜の膜厚は０．１μｍ、金めっき皮膜の膜厚は０．１μｍとした。また、パラジウムの平均粒径は０．２５μｍとした。なお、各皮膜の測定は、蛍光Ｘ線装置ＳＦＴ－９５５０（ＳＩＩ）を用いて測定した。パラジウムの平均粒径は、皮膜の断面をＥＢＳＤ検出器Ｄｉｇｉｖｉｅｗ５（ＥＤＡＸ）付属の電界放出型走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）で測定し、任意に選択した粒子１０個の平均をとった。
以上のように銀触媒としての銀皮膜、パラジウム皮膜、金めっき皮膜を形成させた。
上記の３つの工程Ｓ１０、Ｓ２０、Ｓ３０の後、熱処理の前後で、上記金めっき皮膜のワイヤーボンディング及びワイヤープル試験を実施し、得られたワイヤープル平均強度で評価した。ワイヤーボンディング装置はＨＢ１６（ＴＰＴ）を用いた。ボンディング条件として、キャピラリーＢ１０１４－５１－１８－１２（ＰＥＣＯ）、ワイヤーとして１ｍｉｌ Ａｕワイヤー（ＳＰＭ）を用い、ステージ温度として１５０℃、超音波２５０ｍＷ（１ｓｔ）、２５０（２ｎｄ）、ボンディング時間２００ｍｓ（１ｓｔ）、５０ｍｓ（２ｎｄ）、引張力２５ｇｆ（１ｓｔ）、５０ｇｆ（２ｎｄ）、ステップ０．７ｍｍとした。また、ワイヤーボンディング強度の測定方式はワイヤープルテスト、装置はＤａｇｅ＃４０００、テストスピード１７０μｍ／秒とした。
このようにして、金めっき皮膜後で熱処理前のワイヤープル平均強度を測定した。その結果、１０．８ｇであった。
次に１７５℃、１６時間の熱処理を行い、再び上記の方法でワイヤーボンディング強度を測定し、ワイヤープル平均強度で評価した。その結果、１０．７ｇであった。
［実施例２］
実施例２では、銀触媒の膜厚を０．１０μｍとした。また、パラジウムの平均粒径は０．２８μｍとした。それ以外は実施例１と同様とした。また、熱処理前のワイヤープル平均強度は１０．３ｇ、熱処理後のワイヤープル平均強度は１０．４ｇであった。
［実施例３］
実施例３では、銀触媒の膜厚を０．２０μｍとした。また、パラジウムの平均粒径は０．３０μｍとした。それ以外は実施例１と同様とした。また、熱処理前のワイヤープル平均強度は１０．２ｇ、熱処理後のワイヤープル平均強度は１０．３ｇであった。
［実施例４］
実施例４では、銀触媒の膜厚を０．３０μｍとした。また、パラジウムの平均粒径は０．２４μｍとした。それ以外は実施例１と同様とした。また、熱処理前のワイヤープル平均強度は１０．５ｇ、熱処理後のワイヤープル平均強度は１０．２ｇであった。
［実施例５］
実施例５では、銀触媒の膜厚を０．５０μｍとした。また、パラジウムの平均粒径は０．０９μｍとした。それ以外は実施例１と同様とした。また、熱処理前のワイヤープル平均強度は１０．４ｇ、熱処理後のワイヤープル平均強度は１０．２ｇであった。
［比較例１］
比較例１では、銀触媒形成工程Ｓ１０の代わりに、パラジウム触媒を付与するパラジウム触媒付与工程を実施した。パラジウムの平均粒径は０．０４μｍとした。それ以外は実施例１と同様とした。また、熱処理前のワイヤープル平均強度は１０．４ｇ、熱処理後のワイヤープル平均強度は７．４ｇであった。
［比較例２］
比較例２では、銀触媒形成工程Ｓ１０は実施したが、銀触媒の膜厚を０．０１μｍとした。また、銀触媒の膜厚が薄すぎたためか、パラジウム皮膜が形成されなかった。また、熱処理前のワイヤープル平均強度は１０．０ｇ、熱処理後のワイヤープル平均強度は７．１ｇであった。
［比較例３］
比較例３では、銀触媒形成工程Ｓ１０は実施したが、銀触媒の膜厚を０．０４μｍとした。また、銀触媒の膜厚が薄すぎたためか、パラジウム皮膜は部分的に未析出であり、パラジウム皮膜の測定はできなかった。また、熱処理前のワイヤープル平均強度は１０．０ｇ、熱処理後のワイヤープル平均強度は７．０ｇであった。
［比較例４］
比較例４では、銀触媒形成工程Ｓ１０は実施したが、銀触媒の膜厚を０．５５μｍとした。また、パラジウムの平均粒径は０．０８μｍとした。それ以外は実施例１と同様とした。また、熱処理前のワイヤープル平均強度は１０．６ｇ、熱処理後のワイヤープル平均強度は９．１ｇであった。
［比較例５］
比較例５では、銀触媒の膜厚を１．００μｍとした。また、パラジウムの平均粒径は０．０７μｍとした。それ以外は実施例１と同様とした。また、熱処理前のワイヤープル平均強度は１０．５ｇ、熱処理後のワイヤープル平均強度は８．７ｇであった。
以上の条件及び結果を表１に示す。
Figure 0007285123000001
全ての実施例では、熱処理前後でワイヤープル平均強度に差がないことから、熱履歴によってワイヤーボンディング特性の低下を防止することができた。また、パラジウム皮膜の粒径が０．０９μｍ以上のとき、熱履歴によってワイヤーボンディング特性の低下を防止することができた。これは金めっき皮膜の粒界にパラジウム粒子が容易に侵入せず、拡散・固溶を防止したためと考えられる。
一方、銀触媒形成工程Ｓ１０を実施しない比較例１では、熱処理前後でワイヤープル平均強度の差が大きく、熱履歴によってワイヤーボンディング特性の低下が生じた。
また、銀触媒形成工程Ｓ１０における銀触媒としての銀皮膜を０．０１μｍとした比較例２や比較例３では、銀皮膜が薄すぎたためか、パラジウム皮膜を形成することができず、パラジウム皮膜が未析出又は部分未析出であり、熱履歴によってワイヤーボンディング特性の低下が生じた。
また、銀触媒形成工程Ｓ１０における銀触媒としての銀皮膜を０．５５μｍ及び１．００μｍとした比較例４及び５では、熱履歴によってワイヤーボンディング特性の低下が生じた。さらに、厚膜化になる程、パラジウムの平均粒径が小さくなり、熱履歴によるワイヤーボンディング特性の低下が大きかった。これは、厚膜化によって銀及びパラジウムの結晶粒径が小さくなったためと考えられる。
以上より、本実施形態に係る金めっき方法及びめっき皮膜を適用することによって、実装等による熱履歴によってワイヤーボンディング特性の低下を防止する金めっき方法及びめっき皮膜を提供することができる。また、金めっき皮膜の膜厚を薄くしても実装等による熱履歴によってワイヤーボンディング特性の低下を防止する金めっき方法及びめっき皮膜を提供することができる。
なお、上記のように本発明の各実施形態及び各実施例について詳細に説明したが、本発明の新規事項及び効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは、当業者には、容易に理解できるであろう。従って、このような変形例は、全て本発明の範囲に含まれるものとする。
例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義又は同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また、金めっき方法及びめっき皮膜の構成、動作も本発明の各実施形態及び各実施例で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。
Ｓ１０ 銀触媒形成工程 Ｓ２０ パラジウム皮膜形成工程 Ｓ３０ 金めっき皮膜形成工程、
１０ 銀皮膜、１１ 銀粒子、２０ パラジウム皮膜、２１ パラジウム粒子、３０ 金皮膜、４０ 銅又は銅合金皮膜、１００ めっき皮膜

Claims (5)

  1. 銅又は銅合金皮膜上に銀触媒を用いてめっきする、ワイヤーボンディング接続のための金めっき方法であって、
    パラジウム皮膜を形成するために銀触媒としての銀皮膜を形成する銀触媒形成工程と、
    前記銀触媒上にパラジウム皮膜を形成するパラジウム皮膜形成工程と、
    前記パラジウム皮膜上に金めっき皮膜を形成する金めっき皮膜形成工程と、を有し、
    前記銀皮膜の膜厚は、０．０５μｍ～０．５μｍであり、
    前記パラジウム皮膜の結晶粒径の平均粒径は、０．０９μｍ以上であることを特徴とする金めっき方法。
  2. 前記金めっき皮膜の膜厚は、０．２μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の金めっき方法。
  3. 前記パラジウム皮膜の膜厚は、０．０４μｍ～０．６μｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の金めっき方法。
  4. 銅又は銅合金皮膜上に銀触媒を用いてめっきする、ワイヤーボンディング接続のためのめっき皮膜であって、
    前記銅又は銅合金皮膜と、
    前記銅又は銅合金皮膜上に形成された、前記銀触媒としての銀皮膜と、
    前記銀触媒上に形成されたパラジウム皮膜と、
    前記パラジウム皮膜上に形成された金皮膜と、を有し、
    前記銀皮膜の膜厚は、０．０５μｍ～０．５μｍであり、
    前記パラジウム皮膜の結晶粒径の平均粒径は、０．０９μｍ以上であることを特徴とするめっき皮膜。
  5. 熱処理後のワイヤーボンディング強度が、１０．０ｇ以上であることを特徴とする請求項４に記載のめっき皮膜。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021090953A (ja) 2019-12-11 2021-06-17 日東電工株式会社 複合半透膜
KR20230102013A (ko) 2021-12-29 2023-07-07 (주)엠케이켐앤텍 와이어 금도금 조성물, 와이어 금 도금방법 및 이로부터 제조된 금도금 와이어

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002124538A (ja) 2000-10-12 2002-04-26 Eastern Co Ltd 回路基板
JP2002289653A (ja) 2001-03-26 2002-10-04 Hitachi Cable Ltd 半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法
JP2005538246A (ja) 2002-07-17 2005-12-15 アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 銀の浸漬めっき
WO2008038681A1 (fr) 2006-09-26 2008-04-03 Hitachi Metals, Ltd. Composant de substrat céramique et composant électronique utilisant celui-ci
JP2013127115A (ja) 2011-11-17 2013-06-27 Tdk Corp 被覆体及び電子部品
WO2014123104A1 (ja) 2013-02-08 2014-08-14 三菱電機株式会社 無電解めっき方法、及びセラミック基板
JP2016213261A (ja) 2015-04-30 2016-12-15 Ｓｈマテリアル株式会社 半導体素子搭載用基板及び半導体装置、並びにそれらの製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3594724B2 (ja) * 1995-09-29 2004-12-02 大日本印刷株式会社 リードフレームの部分貴金属めっき方法
JP2002057444A (ja) * 2000-08-08 2002-02-22 Kyocera Corp 配線基板
JP2002111188A (ja) * 2000-10-04 2002-04-12 Kyocera Corp 配線基板
JP2002167676A (ja) * 2000-11-24 2002-06-11 Millenium Gate Technology Co Ltd 無電解金メッキ方法
JP4449459B2 (ja) 2004-01-07 2010-04-14 日立化成工業株式会社 ワイヤボンディング用端子とその製造方法及びそのワイヤボンディング用端子を有する半導体搭載用基板。
JP5013077B2 (ja) * 2007-04-16 2012-08-29 上村工業株式会社 無電解金めっき方法及び電子部品
KR100885673B1 (ko) * 2008-01-25 2009-03-02 와이엠티 주식회사 솔더링 및 와이어 본딩을 위한 은-팔라듐 도금층이 형성된고밀도 인쇄회로기판 및 그 도금방법
WO2010004856A1 (ja) 2008-07-08 2010-01-14 日本高純度化学株式会社 パラジウムめっき用触媒付与液
JP2010196121A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 C Uyemura & Co Ltd 無電解パラジウムめっき浴及び無電解パラジウムめっき方法
US8133200B2 (en) * 2009-09-18 2012-03-13 Becton, Dickinson And Company Reversible cap for pen needle outer cover
JP5978587B2 (ja) * 2011-10-13 2016-08-24 日立化成株式会社 半導体パッケージ及びその製造方法
JP2013093360A (ja) * 2011-10-24 2013-05-16 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体チップ搭載用基板及びその製造方法
JP5983336B2 (ja) * 2011-11-17 2016-08-31 Tdk株式会社 被覆体及び電子部品
KR20130056629A (ko) 2011-11-22 2013-05-30 삼성전기주식회사 기판 및 이의 제조방법
US8967845B2 (en) 2013-01-11 2015-03-03 Corning Incorporated Light diffusing optical fiber bundles, illumination systems including light diffusing optical fiber bundles, and methods of affixing light diffusing optical fiber bundles to polymer optical fibers
CN106086962A (zh) * 2016-06-06 2016-11-09 上海铭沣半导体科技有限公司 一种封装用镀金钯键合铜线的生产工艺
JP6329589B2 (ja) * 2016-06-13 2018-05-23 上村工業株式会社 皮膜形成方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002124538A (ja) 2000-10-12 2002-04-26 Eastern Co Ltd 回路基板
JP2002289653A (ja) 2001-03-26 2002-10-04 Hitachi Cable Ltd 半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法
JP2005538246A (ja) 2002-07-17 2005-12-15 アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 銀の浸漬めっき
WO2008038681A1 (fr) 2006-09-26 2008-04-03 Hitachi Metals, Ltd. Composant de substrat céramique et composant électronique utilisant celui-ci
JP2013127115A (ja) 2011-11-17 2013-06-27 Tdk Corp 被覆体及び電子部品
WO2014123104A1 (ja) 2013-02-08 2014-08-14 三菱電機株式会社 無電解めっき方法、及びセラミック基板
JP2016213261A (ja) 2015-04-30 2016-12-15 Ｓｈマテリアル株式会社 半導体素子搭載用基板及び半導体装置、並びにそれらの製造方法

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