JP4449459B2 - ワイヤボンディング用端子とその製造方法及びそのワイヤボンディング用端子を有する半導体搭載用基板。 - Google Patents
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Description
(1)ワイヤボンディング用端子の銅の表面に、パラジウム純度が99.5重量%以上の置換パラジウムめっき皮膜またはパラジウム純度が99.5重量%以上の無電解パラジウムめっき皮膜が形成され、置換パラジウムめっき皮膜または無電解パラジウムめっき皮膜の表面に置換金めっき皮膜が形成され、置換金めっき皮膜の表面に無電解金めっき皮膜が形成されているワイヤボンディング用端子。
(2)ワイヤボンディング用端子の銅の表面に、パラジウム純度が99.5重量%以上の置換パラジウムめっき皮膜が形成され、置換パラジウムめっき皮膜の表面にパラジウム純度が99.5重量%以上の無電解パラジウムめっき皮膜が形成され、無電解パラジウムめっき皮膜の表面に置換金めっき皮膜が形成され、置換金めっき皮膜の表面に無電解金めっき皮膜が形成されているワイヤボンディング用端子。
(3)置換パラジウムめっき皮膜または無電解パラジウムめっき皮膜の厚さが、0.01μm以上である(1)または(2)に記載のワイヤボンディング用端子。
(4)置換金めっき皮膜と無電解金めっき皮膜の厚さの和が、0.03μm以上である(1)〜(3)のいずれかに記載のワイヤボンディング用端子。
(5)ワイヤボンディング用端子の銅の表面に、パラジウム純度が99.5重量%以上の置換パラジウムめっき皮膜またはパラジウム純度が99.5重量%以上の無電解パラジウムめっき皮膜を形成する工程、置換パラジウムめっき皮膜または無電解パラジウムめっき皮膜の表面に置換金めっき皮膜を形成する工程、置換金めっき皮膜の表面に無電解金めっき皮膜を形成する工程を含むワイヤボンディング用端子の製造方法。
(6)ワイヤボンディング用端子の銅の表面に、パラジウム純度が99.5重量%以上の置換パラジウムめっき皮膜を形成する工程、置換パラジウムめっき皮膜の表面にパラジウム純度が99.5重量%以上の無電解パラジウムめっき皮膜を形成する工程、無電解パラジウムめっき皮膜の表面に置換金めっき皮膜を形成する工程、置換金めっき皮膜の表面に無電解金めっき皮膜を形成する工程を含むワイヤボンディング用端子の製造方法。
(7)半導体搭載部と、ワイヤボンディング用端子と、外部接続用端子と、ワイヤボンディング用端子と外部接続用端子とを電気的に接続する導体回路と、これらを支持する絶縁部からなる半導体搭載用基板において、ワイヤボンディング用端子が、(1)〜(4)のいずれかに記載されたワイヤボンディング用端子を有する半導体搭載用基板。
銅張り積層板であるMCL−E−67(日立化成工業株式会社製、商品名)に孔をあけ、スルーホールめっきを行ない、エッチングレジストを形成し、不要な銅をエッチング除去し、不要な箇所にめっきを析出させないように、ソルダーレジストを兼ねためっきレジストを形成した後、以下の工程によりワイヤボンディング端子を形成した。
工程1:(前処理)
上記基板を、脱脂液Z−200(株式会社ワールドメタル製、商品名)に、50℃で3分間浸漬し、2分間水洗し、その後、100g/lの過硫酸アンモニウム溶液に1分間浸漬し、2分間水洗し、10%の硫酸で1分間浸漬し、2分間水洗した。
工程2:(活性化)
続いて、めっき活性化処理液であるSA−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に、25℃で5分間、浸漬処理し、2分間水洗した。
工程3:(無電解パラジウムめっき)
続いて、無電解パラジウムめっき液であるプレシアPDS(奥野製薬工業株式会社製、商品名)に、50℃で20分間、浸漬処理した。そして、パラジウム純度が99.9重量%の無電解パラジウムめっき皮膜を0.05μm形成した。
工程4:(置換金めっき)
続いて、置換金めっき液であるHGS−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に、85℃で10分間、浸漬処理した。
工程5:(無電解金めっき)
続いて、無電解金めっき液であるHGS−2000(日立化成工業株式会社製、商品名)に、65℃で40分間、浸漬処理し、トータル厚み0.1μmの金めっき皮膜を形成した。以上、ワイヤボンディング端子を有する配線板を製造した。
工程3の無電解パラジウムめっきを置換パラジウムめっきに変更し、置換パラジウムめっき液であるMCA(株式会社ワールドメタル製、商品名)に、65℃で5分間、浸漬処理し、パラジウム純度が99.9重量%の置換パラジウムめっき皮膜を0.05μm形成した以外は、実施例1と同様にし、ワイヤボンディング端子を有する配線板を製造した。
工程3のパラジウムめっきを省略した以外は、実施例1と同様にし、ワイヤボンディング端子を有する配線板を製造した。
工程4の置換金めっき及び工程5の無電解金めっきを省略した以外は、実施例1と同様にし、ワイヤボンディング端子を有する配線板を製造した。
置換金めっき液であるHGS−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に、85℃で10分間、浸漬処理し、厚み0.01μmの置換金めっき皮膜を形成し、工程5の無電解金めっきを省略した以外は、実施例1と同様にし、ワイヤボンディング端子を有する配線板を製造した。
工程3の無電解パラジウムめっきの無電解パラジウムめっき液をAPP(石原薬品株式会社製、商品名)に変更し、50℃で20分間、浸漬処理し、パラジウム純度が96重量%の無電解パラジウムめっき皮膜を0.05μm形成した以外は、実施例1と同様にし、ワイヤボンディング端子を有する配線板を製造した。
Claims (7)
- ワイヤボンディング用端子の銅の表面に、パラジウム純度が99.5重量%以上の置換パラジウムめっき皮膜またはパラジウム純度が99.5重量%以上の無電解パラジウムめっき皮膜が形成され、前記置換パラジウムめっき皮膜または前記無電解パラジウムめっき皮膜の表面に置換金めっき皮膜が形成され、前記置換金めっき皮膜の表面に無電解金めっき皮膜が形成されていることを特徴とするワイヤボンディング用端子。
- ワイヤボンディング用端子の銅の表面に、パラジウム純度が99.5重量%以上の置換パラジウムめっき皮膜が形成され、前記置換パラジウムめっき皮膜の表面にパラジウム純度が99.5重量%以上の無電解パラジウムめっき皮膜が形成され、前記無電解パラジウムめっき皮膜の表面に置換金めっき皮膜が形成され、前記置換金めっき皮膜の表面に無電解金めっき皮膜が形成されていることを特徴とするワイヤボンディング用端子。
- 前記置換パラジウムめっき皮膜または前記無電解パラジウムめっき皮膜の厚さが、0.01μm以上であることを特徴とする請求項1または2に記載のワイヤボンディング用端子。
- 前記置換金めっき皮膜と前記無電解金めっき皮膜の厚さの和が、0.03μm以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のワイヤボンディング用端子。
- ワイヤボンディング用端子の銅の表面に、パラジウム純度が99.5重量%以上の置換パラジウムめっき皮膜またはパラジウム純度が99.5重量%以上の無電解パラジウムめっき皮膜を形成する工程、前記置換パラジウムめっき皮膜または前記無電解パラジウムめっき皮膜の表面に置換金めっき皮膜を形成する工程、前記置換金めっき皮膜の表面に無電解金めっき皮膜を形成する工程を含むことを特徴とするワイヤボンディング用端子の製造方法。
- ワイヤボンディング用端子の銅の表面に、パラジウム純度が99.5重量%以上の置換パラジウムめっき皮膜を形成する工程、前記置換パラジウムめっき皮膜の表面にパラジウム純度が99.5重量%以上の無電解パラジウムめっき皮膜を形成する工程、前記無電解パラジウムめっき皮膜の表面に置換金めっき皮膜を形成する工程、前記置換金めっき皮膜の表面に無電解金めっき皮膜を形成する工程を含むことを特徴とするワイヤボンディング用端子の製造方法。
- 半導体搭載部と、ワイヤボンディング用端子と、外部接続用端子と、前記ワイヤボンディング用端子と外部接続用端子とを電気的に接続する導体回路と、これらを支持する絶縁部からなる半導体搭載用基板において、前記ワイヤボンディング用端子が、請求項1〜4のいずれかに記載されたワイヤボンディング用端子を有することを特徴とする半導体搭載用基板。
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