JP4798451B2 - 配線板とその製造方法 - Google Patents
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Description
電子機器メーカ各社は、製品の小型・薄型・軽量化を実現するために競って高密度実装に取り組み、パッケージの多ピン狭ピッチ化の急速な技術進歩がなされ、プリント配線板への実装は従来のQFP(Quad Flat Package)からエリア表面実装のBGA(Ball Grid Array)/CSP(Chip Size Package)実装へと進化した。
トップテクノフォーカス、第34号、P48(奥野製薬工業株式会社)発行
第41回セミナーテクスト、「実装技術を支える最新めっき技術」、P52(社団法人 エレクトロニクス実装学会)発行
(1)折り曲げ部と接続端子部を併せてもつ配線板において、前記折り曲げ部と接続端子部に配線導体が形成されており、前記折り曲げ部と接続端子部の表面に厚さが0.2μm以上、0.8μm以下で、0.5〜3重量%のリンを含有した無電解ニッケルめっき皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、置換金めっき皮膜、さらに無電解金めっき皮膜が順に形成された配線板。
リンの濃度を0.5〜3重量%含有した無電解ニッケルめっき皮膜は、必要に応じて鉛が含有される。
この無電解パラジウムめっき皮膜の膜厚は、0.02μm〜1.0μmの範囲が好ましく、0.03μm〜0.5μmの範囲がより好ましく、0.05μm〜0.2μmの範囲であることが特に好ましい。1.0μmを超えると、効果がそれ以上に向上せず、経済的でないので好ましくない。0.02μm未満であると、はんだ接続信頼性が低下する傾向がある。
さらに、この無電解金めっき皮膜の純度は、99.5重量%以上であることがより好ましい。
図1及び2は、本発明の実施例の工程を説明するために参照する完成したプリント配線板の一例を示す概略図であり、このうち図1は、金ワイヤボンディング用接続端子側から見た場合の半導体チップ搭載用基板の一例を示す模式図で、図2は、配線導体であるはんだ接続端子側から見た場合の半導体チップ搭載用基板の一例を示す模式図である。
(工程a)(配線形成)
基材厚さ0.3mm、銅箔厚さ1μmのガラス布−エポキシ樹脂基板を使用し、所望の位置にドリル穴あけを行った後に無電解銅めっきを行い、両面の導通を取り、エッチングレジストを形成し、不要な銅を塩化第二鉄エッチング液を用いてエッチングし、片面に金ワイヤボンディング用端子を、他の片面にはんだ接続端子のある銅配線パターンを形成した。
また、はんだ接続端子12は直径800μmで、導体厚さは15μmであった。
次に、図1に示すように、金ワイヤボンディング用接続端子1が露出するように開口部2のあるソルダーレジスト3を以下の手順で形成した。同様に、はんだ接続端子側においても、図2に示すように直径650μmの開口部2を有するようにソルダーレジスト3を以下の手順で形成した。
上記の絶縁樹脂層が設けられた配線板を、30g/Lの水酸化カリウム溶液に50℃で3分間浸漬し、1分間湯洗した後、5分間水洗した。
次に、配線板を、脱脂液「Z−200」〔(株)ワールドメタル製、商品名〕に50℃で3分間浸漬し、2分間水洗した。
次に、脂肪族チオール化合物であるメルカプト酢酸の濃度が0.02g/Lとなるように調整した、5mL/Lエタノール水溶液に、配線板を25℃で3分間浸漬し、50℃で1分間湯洗した後、1分間水洗した。
次に、配線板を、100g/Lの過硫酸アンモニウム溶液に1分間浸漬し、2分間水洗した。続いて、配線板を10%の硫酸に1分間浸漬し、2分間水洗した。
次に、配線板を、めっき活性化処理液である「SA−100」〔日立化成工業(株)製、商品名〕に25℃で5分間浸漬し、2分間水洗した。
次に、配線板を、無電解ニッケルめっき液であるトップ二コロンLPH〔奥野製薬工業(株)製、商品名〕に85℃で40秒間浸漬することにより、接続端子上に1.5重量%のリンを含有した無電解ニッケルめっき皮膜を0.2μmの厚さで形成した。次いで、これを1分間水洗した。
次に、無電解パラジウムめっき液であるAPP〔石原薬品工業(株)製、商品名〕に、50℃で5分間浸漬し、2分間水洗し、0.15μmの厚さのパラジウムめっき皮膜を形成した。
次いで、置換金めっき液であるHGS−100日立化成工業(株)製、商品名〕に、85℃で10分間浸漬し、2分間水洗した。
次に、無電解金めっき液であるHGS−2000〔日立化成工業(株)製、商品名〕に、65℃で10分間浸漬し、5分間水洗し、0.1μmの厚さの金めっき皮膜を形成した。
100箇所のはんだ接続端子に、直径0.76mmのSn−3.0Ag−0.5Cuはんだボールをリフリー炉で接続させ、150℃で1000時間放置後、耐衝撃性ハイスピードボンドテスター4000HS(デイジ社製 商品名)を用いて、20mm/秒の条件ではんだボールのシェア(剪断)試験を施し、それぞれの配線板について下記の基準によりはんだ接続強度について評価した。その結果を表1に示す。
A:100箇所の接続端子のすべてにおいてはんだボール内での剪断による破壊である。
B:はんだボール内での剪断による破壊以外のモードによる破壊が1箇所以上5個所以内ある。
C:はんだボール内での剪断による破壊以外のモードによる破壊が6箇所以上29個所以内ある。
D:はんだボール内での剪断による破壊以外のモードによる破壊が30個所以上ある。
実施例1に示す、工程h(無電解ニッケルめっき工程)において、無電解ニッケルめっきの処理時間を1分40秒間に変更し、0.7μmの厚さの無電解ニッケルめっき皮膜を形成したと以外は、実施例1と同様の工程を経て配線板を得た。その後この配線板につい実施例1と同様の方法で接続信頼性を評価した。その結果を表1に示す。
実施例1に示す、工程h(無電解ニッケルめっき工程)において、無電解ニッケルめっきの処理時間を3分30秒間に変更し、1.5μmの厚さの無電解ニッケルめっき皮膜を形成した以外は、実施例1と同様の工程を経て配線板を得た。その後この配線板につい実施例1と同様の方法で接続信頼性を評価した。その結果を表1に示す。
(工程a)(配線形成)
基材厚さ0.3mm、銅箔厚さ1μmのガラス布−エポキシ樹脂基板を使用し、所望の位置にドリル穴あけを行った後に無電解銅めっきを行い、両面の導通を取り、エッチングレジストを形成し、不要な銅を塩化第二鉄エッチング液を用いてエッチングし、片面に金ワイヤボンディング用端子を、他の片面にはんだ接続端子のある銅配線パターンを形成した。
また、はんだ接続端子12は直径800μmで、導体厚さは15μmであった。
上記の絶縁樹脂層が設けられた配線板を、30g/Lの水酸化カリウム溶液に50℃で3分間浸漬し、1分間湯洗した後、5分間水洗した。
次に、配線板を、脱脂液「Z−200」〔(株)ワールドメタル製、商品名〕に50℃で3分間浸漬し、2分間水洗した。
次に、脂肪族チオール化合物であるメルカプト酢酸の濃度が0.02g/Lとなるように調整した、5mL/Lエタノール水溶液に、配線板を25℃で3分間浸漬し、50℃で1分間湯洗した後、1分間水洗した。
次に、配線板を、100g/Lの過硫酸アンモニウム溶液に1分間浸漬し、2分間水洗した。続いて、配線板を10%の硫酸に1分間浸漬し、2分間水洗した。
次に、配線板を、めっき活性化処理液である「SA−100」〔日立化成工業(株)製、商品名〕に25℃で5分間浸漬し、2分間水洗した。
次に、配線板を、無電解ニッケルめっき液であるトップ二コロンLPH〔奥野製薬工業(株)製、商品名〕に85℃で40秒間浸漬することにより、接続端子上に1.5重量%のリンを含有した無電解ニッケルめっき皮膜を0.2μmの厚さで形成した。次いで、これを1分間水洗した。
次に、無電解パラジウムめっき液であるAPP石原薬品工業(株)製、商品名〕に、50℃で5分間浸漬し、2分間水洗した。
次いで、置換金めっき液であるHGS−100日立化成工業(株)製、商品名〕に、85℃で10分間浸漬し、2分間水洗した。
次に、無電解金めっき液であるHGP−2000〔日立化成工業(株)製、商品名〕に、65℃で10分間浸漬し、5分間水洗した。
次に、図4に示すように、はんだ接続端子4が露出するように直径650μmの開口部2のあるカバーレイフィルム8を以下の手順で形成した。即ち、感光性のカバーレイフィルムで塗布し、硬化後の厚みが40μmとなるようにした。次いで、露光・現像をすることにより所望の場所に開口部2を有するカバーレイフィルム8を形成した。
A:50箇所の導体配線のすべてにおいてクラック発生無し。
B:50箇所の導体配線のうち、クラックの発生が1箇所以上5個所以内ある。
C:50箇所の導体配線のうち、クラックの発生が6箇所以上20個所以内ある。
D:50箇所の導体配線のうち、クラックの発生が21箇所以上ある。
実施例4に示す工程h(無電解ニッケルめっき工程)において、無電解ニッケルめっきの処理時間を1分40秒間に変更し、0.7μmの厚さの無電解ニッケルめっき皮膜を形成した以外は、実施例4と同様の工程を経て配線板を得た。その後この配線板につい実施例4と同様の方法で屈曲性及び実施例1と同様の方法で接続信頼性を評価した。その結果を表2に示す。
実施例1に示す、工程h(無電解ニッケルめっき工程)において、無電解ニッケルめっきの処理時間を15秒間に変更し、0.1μmの厚さの無電解ニッケルめっき皮膜を形成したと以外は、実施例1と同様の工程を経て配線板を得た。その後この配線板につい実施例1と同様の方法で接続信頼性を評価した。その結果を表3に示す。
実施例1の工程h(無電解ニッケルめっき工程)において、無電解ニッケルめっき液をICP二コロンU〔奥野製薬工業(株)製、商品名〕に85℃で3分間浸漬することにより、接続端子上に7重量%のリンを含有した無電解ニッケルめっき皮膜を0.7μmの厚さで形成したこと以外は、実施例1と同様の工程を経て配線板を得た。その後この配線板につい実施例1と同様の方法で接続信頼性を評価した。その結果を表3に示す。
実施例1の工程h(無電解ニッケルめっき工程)において、無電解ニッケルめっき液をトップ二コロンNAC〔奥野製薬工業(株)製、商品名〕に85℃で4分間浸漬することにより、接続端子上に11.5重量%のリンを含有した無電解ニッケルめっき皮膜を0.7μmの厚さで形成した以外は、実施例1と同様の工程を経て配線板を得た。その後この配線板につい実施例1と同様の方法で接続信頼性を評価した。その結果を表3に示す。
実施例1の工程h(無電解ニッケルめっき工程)において、無電解ニッケルめっき液を下記の無電解ニッケルめっき液に変更し、85℃で11分間浸漬することにより、接続端子上にほぼ100%の純度のニッケルの無電解ニッケルめっき皮膜を0.7μmの厚さで形成したこと以外は、実施例1と同様の工程を経て配線板を得た。その後この配線板につい実施例1と同様の方法で接続信頼性を評価した。その結果を表3に示す。
塩化ニッケル 0.05M
ヒドラジン一水和物 0.4M
グリシン 0.3M
ホウ酸 0.5M
チオ硫酸Na5水和物 1ppm
鉛イオン 0.3ppm
pH 12.0
実施例4の工程h(無電解ニッケルめっき工程)において、無電解ニッケルめっき液をICP二コロンU〔奥野製薬工業(株)製、商品名〕に85℃で3分間浸漬することにより、接続端子上に7重量%のリンを含有した無電解ニッケルめっき皮膜を0.7μmの厚さで形成した以外は、実施例4と同様の工程を経て配線板を得た。その後この配線板につい実施例4と同様の方法で屈曲性及び実施例1と同様の方法で接続信頼性を評価した。その結果を表4に示す。
実施例4の工程h(無電解ニッケルめっき工程)において、無電解ニッケルめっき液をICP二コロンU〔奥野製薬工業(株)製、商品名〕に85℃で6分20秒間浸漬処理することにより、接続端子上に7重量%のリンを含有した無電解ニッケルめっき皮膜を1.5μmの厚さで形成した以外は、実施例4と同様の工程を経て配線板を得た。その後この配線板につい実施例4と同様の方法で屈曲性及び実施例1と同様の方法で接続信頼性を評価した。その結果を表4に示す。
実施例4の工程h(無電解ニッケルめっき工程)において、無電解ニッケルめっき液をトップ二コロンNAC〔奥野製薬工業(株)製、商品名〕に85℃で4分間浸漬することにより、接続端子上に11.5重量%のリンを含有した無電解ニッケルめっき皮膜を0.7μmの厚さで形成した以外は、実施例4と同様の工程を経て配線板を得た。その後この配線板につい実施例4と同様の方法で屈曲性及び実施例1と同様の方法で接続信頼性を評価した。その結果を表4に示す。
実施例4の工程h(無電解ニッケルめっき工程)において、無電解ニッケルめっき液をトップ二コロンNAC〔奥野製薬工業(株)製、商品名〕に85℃で8分30秒間浸漬することにより、接続端子上に11.5重量%のリンを含有した無電解ニッケルめっき皮膜を1.5μmの厚さで形成した以外は、実施例4と同様の工程を経て配線板を得た。その後この配線板につい実施例4と同様の方法で屈曲性及び実施例1と同様の方法で接続信頼性を評価した。その結果を表4に示す。
2 開口部
3 ソルダーレジスト
4 はんだ接続端子
5 リード線
6 半導体チップ搭載用基板
7 ポリイミド樹脂
8 カバーレイフィルム
9 フレキシブルプリント配線板
Claims (2)
- 折り曲げ部と接続端子部を併せてもつ配線板において、前記折り曲げ部と接続端子部に配線導体が形成されており、前記折り曲げ部と接続端子部の表面に厚さが0.2μm以上、0.8μm以下で、0.5〜3重量%のリンを含有した無電解ニッケルめっき皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、置換金めっき皮膜、さらに無電解金めっき皮膜が順に形成された配線板。
- 折り曲げ部と接続端子部を併せてもつ配線板の表面に配線導体を形成した後と、該配線導体の表面に厚さが0.2μm以上、0.8μm以下で、0.5〜3重量%のリンを含有した無電解ニッケルめっき皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、置換金めっき皮膜、さらに無電解金めっき皮膜を順に形成し、接続端子部の配線導体にはんだを溶着して接続端子を形成することを特徴とする配線板の製造方法。
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