JPH09306945A

JPH09306945A - 半導体装置用パッケージおよび半導体装置

Info

Publication number: JPH09306945A
Application number: JP8121351A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Iijima; 隆廣飯島; Akio Mutsukawa; 昭雄六川; Takeshi Sato; 健佐藤; Tetsuya Koyama; 鉄也小山
Original assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Current assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date: 1996-05-16
Filing date: 1996-05-16
Publication date: 1997-11-28

Abstract

(57)【要約】【課題】リード部が好適な強度と柔軟性を備えて電極
端子に確実にボンディングすることができると共に、製
造コストを低減できる。【解決手段】複数の電極端子１４が設けられた半導体
チップ３０の面に接着される絶縁性フィルム１６と、絶
縁性フィルム１６の外面または内面に設けられ、電極端
子１４に接合されるリード部１２、配線パターン部２
８、およびはんだボール２４が接続されるランド部２２
が形成された導体層２０とを備え、リード部１２が、絶
縁性フィルム１６に形成された透孔２６を跨ぐように支
持された状態から、ボンディングツールによって突き切
られて電極端子１４に接合される半導体装置用パッケー
ジにおいて、導体層２０が銅または銅合金からなり、リ
ード部１２の少なくとも電極端子１４に接合される部位
に、ニッケルめっきおよび／またはパラジウムめっきが
下地めっき１２ｂとして施され、該下地めっき１２ｂの
上に金めっき１２ｃが施されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置用パッケ
ージおよび半導体装置に関する。

【０００２】半導体チップを封止して形成する半導体装
置として、半導体チップと略同サイズに形成して成る製
品がある。この半導体装置は半導体チップの電極端子を
形成した面を封止し、その面上に実装基板に接続するた
めの外部接続端子を配置して半導体チップと略同等の大
きさに形成したものである。図６はチップサイズに形成
した半導体装置の背景技術を示す断面図であり、リード
部１２と半導体チップ３０の電極端子１４との接続状
態、および半導体チップ３０上における外部接続端子２
５の支持状態等を示す。この半導体装置は、一端が外部
接続端子２５の接合されるランド部２２として形成さ
れ、他端がリード部１２として形成された導体層２０
（配線パターン部２８を含む）を絶縁性フィルム１６に
より支持した配線パターンフィルム（以下、「半導体装
置用パッケージ１０」という）を、エラストマー等の接
着層１８を介して半導体チップ３０に接着し、配線パタ
ーン部２８の周縁から延出させたリード部１２を電極端
子１４にボンディングして形成される。１８ａは封止用
の樹脂で、リード部１２をボンディングした後、リード
部１２および電極端子１４の露出部分を封止している。
４８は外部接続端子２５を除いて半導体装置用パッケー
ジ１０の表面を被覆したソルダレジストである。１１は
半導体チップを保持するためのカンである。なお、半導
体装置用パッケージ１０を半導体チップ３０に接着する
場合、接着性を有する絶縁性フィルム１６を用いること
により接着層１８を介さずに接着することも可能であ
る。

【０００３】図７は半導体装置用パッケージ１０のリー
ド部１２を電極端子１４にボンディングする様子を示
す。リード部１２をボンディングする場合は、図のよう
にリード部１２の上面にボンディングツール３２を当接
させ、ボンディングツール３２でリード部１２を突いて
絶縁性フィルム１６によって支持されたリード部１２を
突き切るとともに、そのままボンディングツール３２の
端面でリード部１２を押し曲げるようにして電極端子１
４の位置まで突き降ろして接合する。リード部１２はこ
のボンディング操作によって、図６に示すように半導体
装置用パッケージ１０側から電極端子１４に向けて曲線
状に曲げられる。ボンディングツール３２による接合
は、例えば超音波を併用した熱圧着による。

【０００４】図８は半導体チップ３０に半導体装置用パ
ッケージ１０を配置した状態を拡大して示す。リード部
１２が絶縁性フィルム１６に設けた窓部分（透孔２６）
で絶縁性フィルム１６にかけ渡すように支持されてい
る。この半導体装置用パッケージ１０が、その前記透孔
２６に対応して半導体チップ３０の電極端子１４が露出
されると共に、各々の電極端子１４の上方にリード部１
２が位置するよう位置合わせされて半導体チップ３０に
接着される。ボンディングツール３２は、リード部１２
の切断位置の上方から突き降ろされリード部１２を切断
した後、切断位置から若干横方向に移動しながら電極端
子１４まで下降してリード部１２を電極端子１４にボン
ディングする。ボンディングツール３２によるボンディ
ングはこのようにリード部１２の１本ずつに対して行う
ものである。

【０００５】上記の背景技術においては、リード部１２
が、適度な硬度（柔軟性）を備えなかったり、電極端子
１４の材質との関係で、電極端子１４に好適にボンディ
ングできない場合があった。また、電極端子１４の材質
がアルミニウムである場合は、リード部１２の電極端子
１４に接合される部位が所定の厚み以上の金の層でなけ
れば、好適にボンディングができない。なお、はんだボ
ールを外部接続端子としてランド部２２に接合する場
合、ランド部２２には金の層を形成しない。これは、金
は、はんだと脆い合金を形成し、はんだ付け強度が低下
してしまうためである。そこで、その一つの解決手段
を、図９および図１０に基づいて説明する。図９は背景
技術の半導体装置であり、図１０は図９の半導体装置の
製造に用いる半導体装置用パッケージを形成する製造方
法を示す工程図である。図１０の製造方法では、絶縁性
フィルム４０の片面に銅箔４４を被着した片面銅張りフ
ィルム６０を使用する（図１０(a) ）。

【０００６】まず、この片面銅張りフィルム６０の銅箔
４４上に配線パターン９とリード部６とを形成するため
の金めっきを施す。配線パターン９は外部接続端子５と
リード部６とを電気的に接続するためのものであり、リ
ード部６は半導体チップ３０の電極端子１４とボンディ
ングするためのものである。図１０(b) は銅箔４４上に
レジスト４５を形成し、配線パターン９およびリード部
６を形成する部位のみを露出させたレジストパターンを
形成した状態である。この状態で銅箔４４に金めっきを
施し、銅箔４４上に金めっき層６２を形成する（図１０
(c))。図１０(d) は銅箔４４上に金めっき層６２が所定
のパターンで形成されている状態を示す。

【０００７】次に、外部接続端子５を形成するため、絶
縁性フィルム４０に接続孔６４を形成する。接続孔６４
はレーザ光やエッチングを利用して形成することができ
る。接続孔６４は外部接続端子５を形成する部位で配線
パターン９となる銅箔４４を露出させるように形成する
（図１０(e) ）。外部接続端子５は接続孔６４内にニッ
ケルや金等のめっきを施すことによって形成する。銅箔
４４は絶縁性フィルム４０の全面に被着形成されている
から、銅箔４４をめっき給電層として電解めっきにより
めっきを盛り上げることができる。

【０００８】電解めっきにより外部接続端子５をバンプ
状に形成し、リード部６をボンディングするための窓４
２を絶縁性フィルム４０に形成し、次に、銅箔４４のみ
を選択的に除去できるエッチング液を使用して銅箔４４
をエッチングする。図１０(f) は銅箔４４をエッチング
した後の状態である。窓４２内では金めっき層６２がボ
ンディング用のリード部６として残る。

【０００９】上記のように、リード部６は金めっき層６
２によって形成されるから、金めっき層６２はリード部
６の所要の強度等が得られるようめっき厚を適宜設定す
る必要がある。これは、リード部６をボンディングする
際に、リード部６の切断が容易にできるようにするため
と、リード部６を切断した後、リード部６を電極端子１
４の位置まで確実に保持して曲げることができるように
するため、適度な硬度等が要求されるからである。この
要求に対して、金めっき層６２からなるリード部６によ
れば、好適に対応することができる。以上のように形成
された半導体装置用パッケージは、絶縁性フィルム４０
の一方の面に外部接続端子５が形成され、絶縁性フィル
ム４０の他方の面に配線パターン９とリード部６が支持
されているのである。

【００１０】この半導体装置用パッケージを使用してチ
ップサイズの半導体装置を形成する方法は、前述した方
法と同様である。半導体チップ３０に接着層１８を介し
て半導体装置用パッケージを接着し、ボンディングツー
ル３２によってリード部６を突き切るようにしながら半
導体チップ３０の電極端子１４に各々のリード部６をボ
ンディングする。図９は上記方法で形成した半導体装置
用パッケージを使用して作成したチップサイズの半導体
装置を示す。外部接続端子５が配置される実装面が絶縁
性フィルム４０によって被覆されて保護されている。こ
の半導体装置では、リード部６が金めっき層であり、適
度な強度および柔軟性（適度な硬度）を備え、且つアル
ミニウムの電極端子１４に好適にボンディングすること
ができる。なお、強度、柔軟性およびボンディングに適
する金めっき層の厚さは、通常、２５μｍ程度である。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
半導体装置用パッケージでは、リード部６が全体的に金
によって形成されることになり、金の使用量が増え、製
造コストを低減できないという課題がある。また、製造
方法においても、電解めっきにより外部接続端子５をバ
ンプ状に形成したり、リード部６の金めっき層を残すよ
うに銅箔４４を選択的にエッチングして除去したりする
など、複雑な工程になって製造コストを低減できないと
いう課題がある。

【００１２】そこで、本発明の目的は、リード部をボン
ディングする際、リード部が好適な強度と柔軟性を備え
て電極端子に確実にボンディングすることができると共
に、製造コストを低減できる半導体装置用パッケージお
よび半導体装置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、本発明は、複数
の電極端子が設けられた半導体チップの面に接着される
絶縁性フィルムと、該絶縁性フィルムの外面または内面
に設けられ、前記電極端子に接合されるリード部、配線
パターン部、および外部接続端子が接続されるランド部
が形成された導体層とを備え、前記リード部が、前記絶
縁性フィルムに形成された透孔を跨ぐように支持された
状態から、ボンディングツールによって突き切られて前
記電極端子に接合される半導体装置用パッケージにおい
て、前記導体層が銅または銅合金からなり、前記リード
部の少なくとも前記電極端子に接合される部位に、ニッ
ケルめっきおよび／またはパラジウムめっきが下地めっ
きとして施され、該下地めっきの上に金めっきが施され
ていることを特徴とする。

【００１４】また、前記ランド部にニッケルめっきおよ
び／またはパラジウムめっきが施され、該ランド部に前
記外部接続端子としてはんだボールが接続されているこ
とで、はんだボールをランド部に好適に接合でき、はん
だボールからなる外部接続端子を備える半導体装置を好
適に製造でき、製造コストを低減できる。

【００１５】また、前記ニッケルめっきおよび／または
パラジウムめっきの膜厚が、０．０５μｍ以上０．５μ
ｍ以下であることで、めっきの膜厚を薄くすることがで
きるため、リード部の柔軟性を好適に得ることができ
る。

【００１６】また、前記金めっきの膜厚が、０．５μｍ
以上４μｍ以下であることで、金の使用量を低減できる
ため、製造コストを低減できる。

【００１７】また、前記リード部の銅または銅合金の硬
度がビッカース硬さでＨｖ６０以下であることで、リー
ド部の硬度を十分柔らかく設定することができるため、
リード部を半導体チップの電極端子に好適にボンディン
グすることができる。

【００１８】また、前記リード部の銅または銅合金がア
ニール処理されていることで、配線パターンの硬度を好
適かつ容易に柔らかくすることができる。

【００１９】また、前記絶縁性フィルムと前記導体層と
が、ＴＡＢテープの構成により形成されていることで、
製造コストを低減できる。

【００２０】また、本発明は、以上の構成からなる半導
体装置用パッケージが、前記半導体チップに接着される
と共に、前記リード部が前記半導体チップの電極端子に
接続されて設けられたことを特徴とする半導体装置にも
ある。

【００２１】また、本発明は、複数の電極端子が設けら
れた半導体チップの面に接着される絶縁性フィルムと、
該絶縁性フィルムの外面または内面に設けられ、前記電
極端子に接合されるリード部、配線パターン部、および
外部接続端子が接続されるランド部が形成された導体層
とを備え、前記リード部が、前記絶縁性フィルムに形成
された透孔を跨ぐように支持された状態から、ボンディ
ングツールによって突き切られて前記電極端子に接合さ
れる半導体装置用パッケージの製造方法において、前記
導体層が銅または銅合金からなり、前記リード部と前記
ランド部とに、ニッケルめっきおよび／またはパラジウ
ムめっきを同時に施し、続いて、前記配線パターン部お
よびランド部を被覆して、前記リード部のニッケルめっ
きおよび／またはパラジウムめっきの上に金めっきを施
すことを特徴とする半導体装置用パッケージの製造方法
にもある。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて説明する。図１は本発明に係る半導体装置用パッ
ケージを用いた半導体装置の一実施形態を示す断面図で
ある。半導体装置用パッケ−ジ１０が、半導体チップ３
０に接着されると共に、リード部１２が、半導体チップ
３０の電極端子１４に接続されて半導体装置が形成され
ている。以下に各構成について詳述する。半導体装置用
パッケ−ジ１０の基本構成は、図６の背景技術にかかる
半導体装置の半導体装置用パッケ−ジ１０の構成と同様
で、絶縁性フィルム１６と導体層２０からなる。

【００２３】１６は絶縁性フィルムであり、複数のアル
ミニウムからなる電極端子１４が設けられた半導体チッ
プ３０の面に接着されている。本実施形態では、接着剤
層１８を介して絶縁性フィルム１６が半導体チップ３０
に接着されている。接着剤層１８は、エラストマー等の
柔軟性を有する接着剤からなる。

【００２４】導体層２０は、一端が半導体チップ３０の
電極端子１４に接合されるリード部１２のコア材１２ａ
として形成され、他端が外部接続端子が接続されるラン
ド部２２のコア材２２ａに形成され、絶縁性フィルム１
６に接着され、その絶縁性フィルムによって支持されて
いる。すなわち、導体層２０は、絶縁性フィルム１６の
外面に積層・支持され、一部が電極端子１４に接合され
るリード部１２の構成部材として設けられている。ま
た、導体層２０は、銅または銅合金からなる。

【００２５】リード部１２は、絶縁性フィルム１６に形
成された透孔を跨ぐように支持された状態から、ボンデ
ィングツールによって突き切られて電極端子１４に接合
されるように形成されている。このリード部１２は、銅
または銅合金からなるコア材１２ａに、下地めっき１２
ｂとしてニッケルめっきおよび／またはパラジウムめっ
きが施され、そのニッケルめっきおよび／またはパラジ
ウムめっきの上に金めっき１２ｃがなされている。な
お、下地めっき１２ｂとしてニッケルとパラジウムの両
方のめっきを施す場合、ニッケルめっきを施した後、パ
ラジウムめっきを施すと好適である。金は銅に拡散し易
い性質を有しており、銅または銅合金に直接金めっきを
施すと、界面にボイドが発生し、金の良好なボンディン
グ特性を失ってしまう。それを防止するために上記のよ
うに下地めっき１２ｂが施される。

【００２６】上記ニッケルめっきおよび／またはパラジ
ウムめっきの膜厚は、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下
に設定することができる。すなわち、ニッケルめっきの
み、パラジウムめっきのみ、またはニッケルとパラジウ
ムの両方のめっきを施す場合のいずれの場合にあって
も、下地めっき１２ｂとしての膜厚（ニッケルとパラジ
ウムの両方のめっきを施す場合は合計の膜厚）を、０．
０５μｍ以上０．５μｍ以下に設定することができる。
このように、下地めっき１２ｂの膜厚を薄くすることが
できるため、リード部１２の柔軟性を好適に得ることが
できる。特にパラジウムめっきを単独で施す場合は、そ
の下地めっき１２ｂの膜厚を、非常に薄くすることが可
能である。すなわち、パラジウムめっきによれば、下地
めっき１２ｂの膜厚が薄くても次層の金めっき１２ｃの
金がリード部のコア材１２ａと合金化することを防止で
きるのである。また、上記の下地めっき１２ｂによっ
て、金めっき１２ｃの金とコア材１２ａとの合金化を好
適に防止できるため、金めっき１２ｃの膜厚を、０．５
μｍ以上４μｍ以下に設定することが可能になる。これ
により、金の使用量を低減できるため、製造コストを低
減できる。なお、本実施例において、リード部のコア材
１２ａの大きさは、幅、厚さとも１５〜２０μｍ程度に
設定されている。コア材１２ａの厚さが１５〜２０μｍ
程度であると、リード部１２の柔軟性を好適に設定で
き、ボンディング性が向上する。コア材１２ａの幅は適
宜定められる。

【００２７】また、リード部のコア材１２ａ（銅または
銅合金）の硬度がビッカース硬さでＨｖ６０以下である
ことで、リード部１２の柔軟性を好適に設定することが
できる。このため、リード部１２を半導体チップ３０の
電極端子１４に好適にボンディングすることができる。
リード部のコア材１２ａがアニール処理されていること
で、リード部のコア材１２ａの硬度を好適かつ容易に柔
らかくすることができる。すなわち、アニール処理によ
り、結晶構造を変化させ（結晶をきれいに並べて）柔ら
かくする。そのアニール処理は、例えば、１５０°Ｃで
４時間放置する、或いは４００°Ｃで数秒放置する等の
条件によって行うことができる。なお、高温で放置時間
が長いと絶縁フィルム１６と導体層２０との接合部が劣
化するため、アニール処理の条件は適宜に設定する必要
がある。また、非酸化雰囲気（例えば窒素雰囲気）でア
ニールすると銅等の酸化を防止でき、好適である。な
お、リード部のコア材１２ａに本実施例のようなめっき
が施されない場合或いは他のめっきが施された場合に
も、リード部のコア材１２ａをアニール処理することに
よって、上記と同様な効果を得られることは勿論であ
る。

【００２８】また、ランド部２２には外部接続端子の一
例であるはんだボール２４が接続されている。ランド部
のコア材２２ａには、ニッケルめっきおよび／またはパ
ラジウムめっきが施されていることで、はんだボール２
４を好適に接続できる。これは、はんだの流れ性が良好
になるためである。外部接続端子としてはんだボール２
４を用いることができるので、半導体装置の製造コスト
を低減できる。このランド部のコア材２２ａに施された
ニッケルめっきおよび／またはパラジウムめっき（外部
接続端子の接続用下地めっき２２ｂ）は、リード部のコ
ア材１２ａに施されたニッケルめっきおよび／またはパ
ラジウムめっきに相当するものであり、そのめっき層を
薄くすることができ、これにより、製造コストを低減で
きる。

【００２９】次に、図１の半導体装置に用いられた半導
体装置用パッケ−ジ１０の製造方法を、図２に基づいて
詳細に説明する。図２（ａ）は基礎材料を示しており、
導体層２０である銅箔４４が絶縁性フィルム１６に接着
されてシート状に形成されている。絶縁性フィルム１６
は片面に接着剤が被着されたフィルムで、これにパンチ
ングを施して透孔２６をあけた後、その絶縁性フィルム
１６の片面に銅箔４４が接着される。透孔２６は半導体
チップ３０の電極端子１４に接合するリード部１２を形
成する部分で、半導体チップ３０の電極端子１４の配置
位置に合わせて形成する。この構成はＴＡＢテープの基
本構成と同一である。基礎材料としてＴＡＢテープを用
いることができるため、製造コストを低減できる。

【００３０】次いで、銅箔４４をエッチングし、配線パ
ターン部２８、リード部１２およびランド部２２（図１
参照）を形成する。ランド部２２ははんだボール２４等
の外部接続端子を接合して支持する部位であり、外部接
続端子の大きさに合わせて配線パターン部２８と一体に
接続して設ける。銅箔４４をエッチングしてこれらの配
線パターン部２８等を形成する方法は、いわゆるフォト
リソグラフィ法による。

【００３１】すなわち、銅箔４４の表面にレジスト４
５、４６を形成し、所定のパターンで露光、現像して銅
箔４４を除去する部分のみ露出させたレジストパターン
を形成し、このレジストパターンをマスクとして銅箔４
４をエッチングする（図２（ｂ））。銅箔４４をエッチ
ングした後、レジスト４５とレジスト４６を除去する。
これにより、リード部のコア材１２ａ、配線パターン部
２８、ランドのコア材２２ａが形成される。リード部の
コア材１２ａは図のように、透孔２６の部分でかけ渡す
ようにして支持される。

【００３２】次に、エッチングによって残った銅箔４４
の部分に、ニッケルめっきおよび／またはパラジウムめ
っきを施す（図２（ｄ））。リード部のコア材１２ａに
は、下地めっき１２ｂとしてニッケルめっきおよび／ま
たはパラジウムめっきを施す。また、ランド部のコア材
２２ａに相当する部分には、外部接続端子の接続用下地
めっき２２ｂとしてニッケルめっきおよび／またはパラ
ジウムめっきを施す。

【００３３】次に、配線パターン部２８およびランド部
２２の表面と配線パターン部２８が形成された面の絶縁
性フィルム１６の表面に半導体装置用パッケ−ジ１０を
保護するためと外部接続端子（はんだボール２４）を取
り付けるためにソルダレジスト４８を形成する。すなわ
ち、配線パターン部２８およびランド部２２を被覆す
る。そして、リード部のコア材１２ａに施された下地め
っき１２ｂの上に金めっき１２ｃを施す（図２
（ｅ））。これにより、リード部１２のみが金めっき１
２ｃされるため、金の使用量を減らすことができる。従
って、製造コストを低減できる。

【００３４】次に、ソルダレジスト４８をパターニング
して、ランド部２２に形成される部位のソルダレジスト
４８のみを除去する。これによって，はんだボール２４
を接合するランド部２２が露出し、ランド部２２上には
んだボール２４を取り付けることが可能になり（図２
（ｆ））、本発明にかかる半導体装置用パッケージが完
成する。

【００３５】図３は上記方法によって得られた半導体装
置用パッケ−ジ１０の平面形状を示す。半導体装置用パ
ッケ−ジ１０ははんだボール２４を支持するための中央
部の絶縁性フィルム１６ａと、その周囲に枠状に形成さ
れた絶縁性フィルム１６ｂとの間にリード部１２がかけ
渡されて支持されたものとなる。

【００３６】この半導体装置用パッケ−ジ１０を用いて
半導体装置を形成する方法は、基本的に背景技術の欄で
説明した方法（図６〜８参照）と同一であり、先ず、半
導体装置用パッケ−ジ１０を半導体チップ３０に対して
位置合わせし、はんだボール２４を接合する面を外面と
して半導体装置用パッケ−ジ１０を半導体チップ３０に
接着する。半導体チップ３０に接着する部分ははんだボ
ール２４を取り付ける絶縁性フィルム１６ａの部分で、
半導体チップ３０では電極端子１４が配置される内側領
域である。半導体装置用パッケ−ジ１０を接着した後、
ボンディングツール３２で各々のリード部１２を電極端
子１４にボンディングする。リード部１２のボンディン
グ部の露出部分に樹脂１８ａを塗布して封止する。この
後、ランド部２２にはんだボール２４を接合してはんだ
ボール２４とし最終的に半導体装置製品として得られ
る。

【００３７】図４は半導体装置用パッケージの他の製造
方法を示す工程図である。前半の工程は図２（ｃ）まで
の工程と同一なので説明を省略する。図２（ｃ）まで形
成した後、図４（ｄ２）に示すようにソルダレジスト４
８を塗布して、そのソルダレジスト４８をパターニング
することで、リード部１２およびランド部２２に形成さ
れる部位のソルダレジスト４８を除去する。そして、露
出したリード部１２およびランド部２２にニッケルめっ
きおよび／またはパラジウムめっきを施す。これによっ
て、はんだボール２４を接合するランド部２２が形成さ
れ、ランド部２２上にはんだボール２４を取り付けるこ
とが可能になると共に、リード部１２に下地めっき１２
ｂが施される。

【００３８】次に、ランド部２２の表面がめっき液に浸
されないようにマスク５０で覆い、リード部のコア材１
２ａの下地めっき１２ｂ上に金めっき１２ｃを施す（図
４（ｅ２））。これによっても、リード部１２のみが金
めっき１２ｃされるため、金の使用量を減らすことがで
きる。従って、製造コストを低減できる。

【００３９】図５は本発明にかかる半導体装置用パッケ
ージの他の実施例を用いて形成された半導体装置の他の
実施例を示す断面図である。この実施例は、絶縁フィル
ム１６の内側に導体層２０を支持したものである。以上
の実施例と同様にリード部のコア材１２ａに、下地めっ
き１２ｂを施すこと、およびリード部のコア材１２ａの
硬度をアニール処理等によってリード部１２の強度およ
び柔軟性を好適に設定できる。

【００４０】なお、上述した半導体装置では接着剤層１
８を介して半導体装置用パッケ−ジ１０を半導体チップ
３０に接着したが、接着剤層１８を用いずに絶縁性フィ
ルム１６自体の接着性を利用して半導体装置用パッケ−
ジ１０を半導体チップ３０に接着することも可能であ
る。また、前記実施形態の半導体装置ではいずれも半導
体チップ３０の縁部近傍に電極端子１４が配置され、半
導体装置用パッケ−ジ１０の周縁からリード部１２を延
出させてリード部１２を電極端子１４にボンディングし
ている。半導体チップ３０の電極端子１４は必ずしもこ
のように縁部近傍にのみ配置されるのではなく、半導体
チップ３０の中央部付近に配置される場合もある。

【００４１】このように、半導体チップ３０の縁部より
も内側に電極端子１４が配置されている場合には、電極
端子１４が形成された位置に合わせて半導体装置用パッ
ケ−ジ１０に透孔をあけ、その透孔部分に上記実施形態
と同様にリード部１２を配置してボンディングする。上
記実施形態のリード部１２のボンディング方法はこのよ
うに半導体装置用パッケ−ジ１０の縁部よりも内側の領
域でボンディングする場合にも同様に適用できるもので
ある。本明細書でリード部１２のボンディングという場
合はこのように半導体チップ３０の縁部よりも内側領域
でボンディングすることを含む意である。以上、本発明
について好適な実施例を挙げて種々説明してきたが、本
発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明の精
神を逸脱しない範囲で多くの改変を施し得るのは勿論の
ことである。

【００４２】

【発明の効果】本発明に係る半導体装置用パッケージお
よび半導体装置によれば、リード部にニッケルめっきお
よび／またはパラジウムめっきが下地めっきとして施さ
れ、その下地めっきの上に金めっきが施されていること
で、めっきの膜厚を薄くすることができ、リード部の柔
軟性がなくなることを防止できる。従って、リード部を
ボンディングする際、リード部が好適な強度と柔軟性を
備えて電極端子に確実にボンディングすることができる
と共に、製造コストを低減できるという著効を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる半導体装置用パッケージの一実
施例を半導体チップに接合した状態の断面図。

【図２】図１の実施例の半導体装置用パッケージの製造
方法を示す説明図。

【図３】図１の実施例の半導体装置用パッケージの平面
図。

【図４】他の実施例の半導体装置用パッケージの製造方
法を示す説明図。

【図５】半導体装置用パッケージの他の実施例を半導体
チップに接合した状態の断面図。

【図６】背景技術にかかる、半導体チップと半導体装置
用パッケージのリードとの接合状態を示す断面図。

【図７】背景技術にかかる、半導体装置用パッケージの
リードを電極端子に接合する方法を示す説明図。

【図８】背景技術にかかる、半導体チップに半導体装置
用パッケージを接着した状態のリード部分を拡大して示
す斜視図。

【図９】背景技術にかかる、半導体装置用パッケージを
半導体チップに接合した状態の断面図。

【図１０】背景技術にかかる、半導体装置用パッケージ
の他の製造方法を示す説明図。

【符号の説明】

１０半導体装置用パッケージ１２リード部１２ａリード部のコア材１２ｂ下地めっき１２ｃ金めっき１４電極端子１６絶縁性フィルム１８接着剤層２０導体層２２ランド部２２ａランド部のコア材２２ｂ下地めっき２４はんだボール２６透孔２８配線パターン３０半導体チップ４８ソルダレジスト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小山鉄也長野県長野市大字栗田字舎利田711番地新光電気工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の電極端子が設けられた半導体チッ
プの面に接着される絶縁性フィルムと、該絶縁性フィルムの外面または内面に設けられ、前記電
極端子に接合されるリード部、配線パターン部、および
外部接続端子が接続されるランド部が形成された導体層
とを備え、前記リード部が、前記絶縁性フィルムに形成された透孔
を跨ぐように支持された状態から、ボンディングツール
によって突き切られて前記電極端子に接合される半導体
装置用パッケージにおいて、前記導体層が銅または銅合金からなり、前記リード部の
少なくとも前記電極端子に接合される部位に、ニッケル
めっきおよび／またはパラジウムめっきが下地めっきと
して施され、該下地めっきの上に金めっきが施されてい
ることを特徴とする半導体装置用パッケージ。
【請求項２】前記ランド部にニッケルめっきおよび／
またはパラジウムめっきが施され、該ランド部に前記外
部接続端子としてはんだボールが接続されていることを
特徴とする請求項１記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項３】前記ニッケルめっきおよび／またはパラ
ジウムめっきの膜厚が、０．０５μｍ以上０．５μｍ以
下であることを特徴とする請求項１または２記載の半導
体装置用パッケージ。
【請求項４】前記金めっきの膜厚が、０．５μｍ以上
４μｍ以下であることを特徴とする請求項１、２または
３記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項５】前記リード部の銅または銅合金の硬度が
ビッカース硬さでＨｖ６０以下であることを特徴とする
請求項１、２、３または４記載の半導体装置用パッケー
ジ。
【請求項６】前記リード部の銅または銅合金がアニー
ル処理されていることを特徴とする請求項５記載の半導
体装置用パッケージ。
【請求項７】前記絶縁性フィルムと前記導体層とが、
ＴＡＢテープの構成により形成されていることを特徴と
する請求項１、２、３、４、５または６記載の半導体装
置用パッケージ。
【請求項８】請求項１、２、３、４、５、６または７
記載の半導体装置用パッケージが、前記半導体チップに
接着されると共に、前記リード部が前記半導体チップの
電極端子に接続されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】複数の電極端子が設けられた半導体チッ
プの面に接着される絶縁性フィルムと、該絶縁性フィルムの外面または内面に設けられ、前記電
極端子に接合されるリード部、配線パターン部、および
外部接続端子が接続されるランド部が形成された導体層
とを備え、前記リード部が、前記絶縁性フィルムに形成された透孔
を跨ぐように支持された状態から、ボンディングツール
によって突き切られて前記電極端子に接合される半導体
装置用パッケージの製造方法において、前記導体層が銅または銅合金からなり、前記リード部と
前記ランド部とに、ニッケルめっきおよび／またはパラ
ジウムめっきを同時に施し、続いて、前記配線パターン部およびランド部を被覆し
て、前記リード部のニッケルめっきおよび／またはパラ
ジウムめっきの上に金めっきを施すことを特徴とする半
導体装置用パッケージの製造方法。