JP2001077268A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number
JP2001077268A
JP2001077268A JP31924399A JP31924399A JP2001077268A JP 2001077268 A JP2001077268 A JP 2001077268A JP 31924399 A JP31924399 A JP 31924399A JP 31924399 A JP31924399 A JP 31924399A JP 2001077268 A JP2001077268 A JP 2001077268A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
resin
cut
semiconductor device
frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31924399A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukio Yamaguchi
幸雄 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP31924399A priority Critical patent/JP2001077268A/ja
Publication of JP2001077268A publication Critical patent/JP2001077268A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 片面封止パッケージではリード部の端面には
メッキ層が存在せず、樹脂封止型半導体装置製品をプリ
ント基板等の実装基板にハンダ等により接合した際、ハ
ンダフィレットが形成されないため、実装強度が弱くな
り、実装信頼性が劣る恐れがあった。 【解決手段】 リード部４の封止樹脂８から露出したリ
ード端面部１０はメッキ層１５を有し、具体的には端面
部の上部の一部を除いてメッキ層を有しているものであ
り、プリント基板等の実装基板にハンダ等により接合し
た際、リード部４のリード端面部１０部分にハンダフィ
レット１８が形成されるため、実装強度を向上させ、実
装信頼性を向上できるものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ
Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）
と称される外部端子となるリード部が片面封止された小
型／薄型の樹脂封止型半導体装置と、その製造方法に関
するものであり、特に生産効率を向上させるとともに、
リード部の実装信頼性を向上させた樹脂封止型半導体装
置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
【０００３】以下、従来のＱＦＮ型の樹脂封止型半導体
装置に使用するリードフレームについて説明する。
【０００４】図３３は、従来のリードフレームの構成を
示す図であり、図３３（ａ）は平面図であり、図３３
（ｂ）は図３３（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
【０００５】図３３に示すように、従来のリードフレー
ムは、銅（Ｃｕ）材よりなるフレーム枠１０１と、その
フレーム枠１０１内に、半導体素子が載置される矩形状
のダイパッド部１０２と、ダイパッド部１０２の角部を
その先端部で支持し、端部がフレーム枠１０１と接続し
た吊りリード部１０３と、半導体素子を載置した場合、
その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により
電気的に接続するビーム状の複数のリード部１０４とよ
り構成されている。そしてリード部１０４は、封止樹脂
で封止された際、封止樹脂部に埋設される部分をインナ
ーリード部１０４ａを構成し、封止樹脂部より露出する
部分はアウターリード部１０４ｂを構成するものであ
り、インナーリード部１０４ａとアウターリード部１０
４ｂとは、一体で連続して設けられている。図３３
（ａ）において、破線で示した領域は、半導体素子を搭
載して樹脂封止型半導体装置を構成する場合、封止樹脂
で封止する領域を示しており、また一点鎖線で示した部
分は、半導体素子を搭載して樹脂封止し、樹脂封止型半
導体装置を構成した後、リード部１０４（アウターリー
ド部１０４ｂ）を金型で切断する部分を示している。
【０００６】また、従来のリードフレームは、図３３
（ｂ）に示すように、ダイパッド部１０２は吊りリード
部１０３によって支持されているが、その吊りリード部
１０３に設けたディプレス部によってダイパッド部１０
２がリード部１０４上面に対して上方に配置されるよ
う、アップセットされているものである。
【０００７】なお、図示していないが、従来のリードフ
レームの表面には、主としてパラジウム（Ｐｄ）メッキ
または、ハンダメッキが施されているものである。パラ
ジウムメッキについては、下地材が銅（Ｃｕ）であり、
ニッケル（Ｎｉ）メッキ層、パラジウム（Ｐｄ）層、金
（Ａｕ）層の３層でメッキ層が形成されている。
【０００８】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図３４は、図３３に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図３４
（ａ）は、内部構成を破線で示した透視平面図であり、
図３４（ｂ）は図３４（ａ）のＢ−Ｂ１箇所の断面図で
ある。
【０００９】図３４に示すように、リードフレームのダ
イパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載され、そ
の半導体素子１０５とリード部１０４のインナーリード
部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接続され
ている。そしてダイパッド部１０２上の半導体素子１０
５、インナーリード部１０４ａの外囲は封止樹脂１０７
により封止されている。そしてそのリード部１０４（イ
ンナーリード部１０４ａ）の底面部分は封止樹脂１０７
の底面からスタンドオフを有して露出し、外部端子１０
８を構成している。なお、封止樹脂１０７の側面からは
アウターリード部１０４ｂが露出しているが、実質的に
封止樹脂１０７の側面と同一面である。
【００１０】次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方
法について説明する。
【００１１】まず図３５に示すように、フレーム枠と、
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状で
あって、アップセットされたダイパッド部１０２と、ダ
イパッド部１０２の角部をその先端部で支持し、端部が
フレーム枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載
置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接
続手段により電気的に接続するビーム状のリード部１０
４とを有したリードフレームを用意する。
【００１２】そして図３６に示すように、ダイパッド部
１０２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子１０
５を搭載しボンディングする。
【００１３】次に図３７に示すように、ダイパッド部１
０２上に搭載された半導体素子１０５の表面の電極パッ
ド（図示せず）とリード部１０４のインナーリード部１
０４ａとを金属細線１０６により電気的に接続する。
【００１４】次に図３８に示すように、半導体素子１０
５が搭載された状態のリードフレームの少なくともリー
ド部１０４の底面に封止シート１０９を密着させる。こ
の封止シート１０９はリード部１０４の底面に封止樹脂
が回り込まないように保護し、リード部１０４の底面を
露出させるための部材である。
【００１５】次に図３９に示すように、リードフレーム
を金型内に載置し、金型によりリード部１０４を封止シ
ート１０９に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂より
なる封止樹脂を注入し、リードフレームの外囲としてダ
イパッド部１０２、半導体素子１０５、リード部１０４
の上面領域と金属細線１０６の接続領域を封止する。図
４０には外囲を封止樹脂１０７で封止した状態を示して
いる。
【００１６】次に図４１に示すように、リードフレーム
のリード部１０４の底面に密着させていた封止シート１
０９をピールオフ等により除去する。
【００１７】次に図４２に示すように、リード部１０４
の切断箇所１１０に対して、金型による切断刃１１１で
リードカットを行う。
【００１８】そして図４３に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載さ
れ、その半導体素子１０５とリード部１０４のインナー
リード部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接
続され、外囲が封止樹脂１０７により封止され、そして
そのリード部１０４（インナーリード部１０４ａ）の底
面部分は封止樹脂１０７の底面からスタンドオフを有し
て露出し、外部端子１０８を構成するとともに、封止樹
脂１０７の側面からはアウターリード部１０４ｂが露出
し、実質的に封止樹脂１０７の側面と同一面を構成した
樹脂封止型半導体装置を得る。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の樹
脂封止型半導体装置では、樹脂封止後、リード部の切断
箇所を金型で切断してフレームより分離させ、樹脂封止
型半導体装置を得ているが、リード部をフレーム枠から
切断することにより、リード部の切断した端面にはリー
ド部に本来形成しているメッキ層が存在しないことにな
り、樹脂封止型半導体装置製品をプリント基板等の実装
基板にハンダ等の接合剤により接合した際、リード部の
封止樹脂部から露出した側面部分にハンダが形成されな
いため、実装強度が弱くなり、実装信頼性が劣る恐れが
あった。
【００２０】図面を参照して説明すると、図４３に示し
た円内の拡大図として、図４４に樹脂封止型半導体装置
製品のリード部１０４を示しているが、リードカットさ
れたリード部１０４の封止樹脂１０７から露出したリー
ド端面部１１２には、他のリード部１０４の外囲表面に
形成されているメッキ層１１３が形成されていない。し
たがって、図４５の断面図に示すように、リード部１０
４の切断したリード端面部１１２には、リード部１０４
に本来形成しているメッキ層１１３が存在しないことに
より、樹脂封止型半導体装置製品をプリント基板等の実
装基板１１４にハンダ等の接合剤１１５により接合した
際、リード部１０４のリード端面部１１２部分にハンダ
（接合剤１１５）が形成されないため、実装強度が弱く
なってしまう。
【００２１】本発明は前記した従来の課題を解決し、小
型の片面封止型半導体パッケージの基板実装の強度向上
および実装信頼性の維持を実現できる樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法を提供するものである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッ
ド部上に搭載された半導体素子と、前記ダイパッド部に
その先端部が対向して配置され、外囲にメッキ層を有し
た複数のリード部と、前記半導体素子の電極と前記リー
ド部とを接続した金属細線と、前記ダイパッド部、半導
体素子、前記リード部の底面および一側面を除いて外囲
を封止した封止樹脂とよりなる樹脂封止型半導体装置で
あって、前記リード部の封止樹脂から露出した一側面の
端面はメッキ層を有している樹脂封止型半導体装置であ
る。
【００２３】具体的には、リード部の封止樹脂から露出
した一側面の端面は、その上部の一部を除いてメッキ層
を有している樹脂封止型半導体装置である。
【００２４】また、リード部のメッキ層およびリード部
の端面のメッキ層は、パラジウム層を有している樹脂封
止型半導体装置である。
【００２５】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、ダイパッド部と、前記ダイパッド部に先端が対向し
て配置し、末端がフレーム枠と接続した複数のリード部
とを１ユニットとして、そのユニットを複数有したリー
ドフレームを用意し、前記リードフレームの各ダイパッ
ド部に半導体素子を搭載し、前記リードフレームの各リ
ード部と前記半導体素子とを電気的に接続した後、外囲
を樹脂封止する工程と、前記樹脂封止後のリードフレー
ムの各ユニットの境界部分のリード部の切断箇所に対し
て、リードフレームの底面側から回転ブレードによりリ
ードプリカットを行い、一部リード部を残して前記切断
箇所に凹部を形成する工程と、前記リードフレームのリ
ードカットして形成した前記凹部の表面にメッキ層を形
成する工程と、前記メッキ層が形成された切断箇所の凹
部に対して回転ブレードにより、前記凹部の残余リード
部を切断してフルリードカットを行い、リードフレーム
から樹脂封止型半導体装置を分離する工程とよりなる樹
脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２６】また本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、フレーム枠と、前記フレーム枠内に半導体素子
が載置されるダイパッド部と、前記ダイパッド部をその
先端部で支持し、端部が前記フレーム枠と接続した吊り
リード部と、半導体素子を載置した際、載置した半導体
素子と電気的に接続し、外囲にメッキ層が形成された複
数のリード部とを１ユニットとし、複数ユニットを有し
たリードフレームを用意する工程と、前記ダイパッド部
上に接着剤により半導体素子を搭載する工程と、前記ダ
イパッド部上に搭載された半導体素子の表面の電極と前
記リード部とを金属細線により接続する工程と、前記半
導体素子が搭載された状態のリードフレームの少なくと
もリード部の底面に封止シートを密着させる工程と、前
記リードフレームを金型内に載置し、金型によりリード
部を封止シートに対して押圧した状態で封止樹脂を注入
し、リードフレームの外囲としてダイパッド部、半導体
素子、リード部の上面領域と金属細線の接続領域を個別
ユニットごとに封止する工程と、前記リードフレームの
リード部の底面に密着させていた封止シートを除去する
工程と、前記リードフレームのリード部の切断箇所に対
して、リードフレーム底面側から回転ブレードによりリ
ードプリカットを行い、一部リード部を残して前記切断
箇所に凹部を形成する工程と、前記リードフレームのリ
ードカットして形成した前記凹部の表面にメッキ層を形
成する工程と、前記メッキ層が形成された切断箇所の凹
部に対して回転ブレードにより、前記凹部の残余リード
部を切断してフルリードカットを行い、リードフレーム
から樹脂封止型半導体装置を分離する工程とよりなる樹
脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２７】また本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、フレーム枠と、前記フレーム枠内に半導体素子
が載置されるダイパッド部と、前記ダイパッド部をその
先端部で支持し、端部が前記フレーム枠と接続した吊り
リード部と、半導体素子を載置した際、載置した半導体
素子と電気的に接続し、外囲にメッキ層が形成された複
数のリード部とを１ユニットとし、複数ユニットを有し
たリードフレームを用意する工程と、前記ダイパッド部
上に接着剤により半導体素子を搭載する工程と、前記ダ
イパッド部上に搭載された半導体素子の表面の電極と前
記リード部とを金属細線により接続する工程と、前記半
導体素子が搭載された状態のリードフレームの少なくと
もリード部の底面に封止シートを密着させる工程と、前
記リードフレームを金型内に載置し、金型によりリード
部を封止シートに対して押圧した状態で封止樹脂を注入
し、前記リードフレームの外囲として各ユニットのダイ
パッド部、半導体素子、リード部の上面領域と金属細線
の接続領域を各ユニット包括で全面封止する工程と、前
記リードフレームのリード部の底面に密着させていた封
止シートを除去する工程と、前記リードフレームのリー
ド部の切断箇所に対して、リードフレーム底面側から回
転ブレードにより、プリリードカットを行い、一部リー
ド部を残して前記切断箇所に凹部を形成する工程と、前
記リードフレームのリードカットして形成した前記凹部
の表面にメッキ層を形成する工程と、前記メッキ層が形
成された切断箇所の凹部に対して回転ブレードにより、
前記切断箇所の残余リード部を切断してフルリードカッ
トを行い、リードフレームから樹脂封止型半導体装置を
分離する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方
法である。
【００２８】具体的には、メッキ層が形成された切断箇
所の凹部に対して回転ブレードにより、前記凹部の残余
リード部を切断してフルリードカットを行い、リードフ
レームから樹脂封止型半導体装置を分離する工程では、
前記凹部に相当するリードフレームの上面側から回転ブ
レードにより、前記切断箇所の残余リード部を切断する
樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２９】また、メッキ層が形成された切断箇所の凹
部に対して回転ブレードにより、前記凹部の残余リード
部を切断してフルリードカットを行い、リードフレーム
から樹脂封止型半導体装置を分離する工程では、前記切
断箇所の前記凹部側から再度、回転ブレードにより、前
記切断箇所の残余リード部を切断する樹脂封止型半導体
装置の製造方法である。
【００３０】また、メッキ層が形成された切断箇所の凹
部に対して回転ブレードにより、前記切断箇所の残余リ
ード部を切断してフルリードカットを行い、リードフレ
ームから樹脂封止型半導体装置を分離する工程では、前
記メッキ層が形成された切断箇所の凹部に相当するリー
ドフレームの上面側から回転ブレードにより、前記リー
ドフレームの上面に全面形成した封止樹脂とともに前記
切断箇所の残余リード部を切断する樹脂封止型半導体装
置の製造方法である。
【００３１】また、メッキ層が形成された切断箇所の凹
部に対して回転ブレードにより、前記切断箇所の残余リ
ード部を切断してフルリードカットを行い、リードフレ
ームから樹脂封止型半導体装置を分離する工程では、前
記メッキ層が形成された切断箇所の凹部側から再度、回
転ブレードにより、前記切断箇所の残余リード部を切断
する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００３２】また、リードフレームを用意する工程は、
リード部の外囲にパラジウム層を有したメッキ層が形成
されたリードフレームを用意する工程であり、リードフ
レームのリードカットして形成したリード部の凹部の表
面にメッキ層を形成する工程は少なくともパラジウム層
をメッキする工程である樹脂封止型半導体装置の製造方
法である。
【００３３】また、フルカットで用いる回転ブレードの
幅は、プリカットで用いる回転ブレードの幅よりも小さ
い樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００３４】前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導
体装置は、リード部の封止樹脂から露出した一側面のリ
ード端面部はメッキ層を有しているものであり、樹脂封
止型半導体装置製品をプリント基板等の実装基板にハン
ダ等の接合剤により接合した際、リード部のリード端面
部分にハンダフィレットが形成されるため、実装強度を
向上させ、実装信頼性を向上できるものである。
【００３５】また樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いては、樹脂封止後のリードフレームの各ユニットの境
界部分のリード部の切断箇所に対して、リードフレーム
の底面側から回転ブレードによりリードプリカットを行
い、一部リード部を残して切断箇所に凹部を形成し、そ
の形成した凹部の表面にメッキ層を形成した後に、メッ
キ層が形成された切断箇所の凹部に対して、その上面側
もしくはその凹部側から再度、回転ブレードにより、切
断箇所の残余リード部を切断してフルリードカットを行
い、リードフレームから樹脂封止型半導体装置を分離す
る工程を有するため、得られた樹脂封止型半導体装置製
品をプリント基板等の実装基板にハンダ等の接合剤によ
り接合した際、リード部のリード端面部分にハンダフィ
レットが形成され、実装強度を向上させ、実装信頼性を
向上できるものである。さらに、基板実装時、リード端
面部に形状良好なハンダフィレットが形成されることに
より、実装後の接合部の外観検査時の認識精度を向上さ
せ、認識不良を防止することができるものである。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の樹脂封止型半導体
装置の製造方法の一実施形態について図面を参照しなが
ら説明する。
【００３７】まず本実施形態のリードフレームについて
説明する。
【００３８】図１は本実施形態のリードフレームの一部
分を示す図であり、図１（ａ）は平面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図である。
【００３９】図１に示すように、本実施形態のリードフ
レームは、銅（Ｃｕ）材よりなるフレーム枠１と、その
フレーム枠１内に、半導体素子が載置される矩形状のダ
イパッド部２と、ダイパッド部２の角部をその先端部で
支持し、端部がフレーム枠１と接続した吊りリード部３
と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素
子と金属細線等の接続手段により電気的に接続するビー
ム状のリード部４とより構成されている。そしてリード
部４は、封止樹脂で封止された際、封止樹脂部に埋設さ
れる部分のインナーリード部４ａを構成し、封止樹脂部
より露出する部分はアウターリード部４ｂを構成するも
のであり、インナーリード部４ａとアウターリード部４
ｂとは、一体で連続して設けられている。図１におい
て、破線で示した領域は、半導体素子を搭載して樹脂封
止型半導体装置を構成する場合、封止樹脂で封止する領
域を示しており、また一点鎖線で示した部分は、半導体
素子を搭載して樹脂封止し、樹脂封止型半導体装置を構
成した後、リード部４（アウターリード部４ｂ）を切断
する切断箇所５を示している。
【００４０】また、本実施形態のリードフレームは、図
１（ｂ）に示すように、ダイパッド部２は吊りリード部
３によって支持されているが、その吊りリード部３に設
けたディプレス部によってダイパッド部２がリード部４
（４ａ）上面に対して上方に配置されるよう、アップセ
ットされているものである。
【００４１】なお、リードフレームは、図１に示した構
成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、上
下に連続して配列されるものである。また図示していな
いが、本実施形態のリードフレームの表面には、パラジ
ウム（Ｐｄ）メッキ、具体的には、ニッケル（Ｎｉ）メ
ッキ層、パラジウム（Ｐｄ）メッキ層、金（Ａｕ）メッ
キ層の３層でメッキ層を構成したり、または、錫−銀
（Ｓｎ−Ａｇ）、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）等のハン
ダメッキが施されているものである。またメッキ層は、
リード部４（４ａ）の上面のみ、すなわち金属細線で接
続する箇所に銀（Ａｇ）メッキを形成してもよい。この
メッキ層により、特にリード部４が外部端子を構成した
際は、実装基板との接合のハンダ等の接合剤の吸い上
げ、接続を良好にするものである。
【００４２】次に本実施形態のリードフレームを用いた
樹脂封止型半導体装置について説明する。図２は、図１
に示したリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置
を示す図であり、図２（ａ）は、内部構成を破線で示し
た透視平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ
１箇所の断面図である。
【００４３】図２に示すように、リードフレームのダイ
パッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素
子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線
７により電気的に接続されている。そしてダイパッド部
２上の半導体素子６、インナーリード部４ａの外囲は封
止樹脂８により封止されている。そしてそのリード部４
（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底
面からスタンドオフを有して露出し、外部端子９を構成
している。なお、封止樹脂８の側面からはアウターリー
ド部４ｂが露出しているが、実質的に封止樹脂８の側面
と同一面である。すなわち、本実施形態の樹脂封止型半
導体装置は、ダイパッド部２上に搭載された半導体素子
６と、そのダイパッド部２に先端部が対向して配置さ
れ、外囲にメッキ層を有した複数のリード部４と、半導
体素子６の電極とリード部４とを電気的に接続した金属
細線７と、ダイパッド部２、半導体素子６、リード部４
の底面および一側面を除いて外囲を封止した封止樹脂８
とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、リード部４
の封止樹脂８から露出したリード端面部１０はメッキ層
を有している樹脂封止型半導体装置である。
【００４４】本実施形態の樹脂封止型半導体装置製品を
プリント基板等の実装基板にハンダ等の接合剤により接
合した際、リード部４のリード端面部１０部分にハンダ
フィレットが形成されるため、実装強度を向上させ、実
装信頼性を向上できるものである。具体的には、リード
部４の封止樹脂８から露出した一側面のリード端面部１
０は、その上部の一部を除いてメッキ層を有しているも
のであり、この上部の一部には、製法上、メッキ層が形
成されない領域であるが、リード部４のリード端面部１
０の下部にはメッキ層が形成されているため、基板実装
時のハンダ接合上は問題ない。
【００４５】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。
【００４６】まず図３に示すように、フレーム枠と、そ
のフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状であ
って、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパッ
ド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠
と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場
合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段に
より電気的に接続するビーム状のリード部４とを各ユニ
ットとして有したリードフレームを用意する。
【００４７】そして図４に示すように、リードフレーム
の各ユニットのダイパッド部２上に銀ペースト等の接着
剤によりそれぞれ半導体素子６を搭載しボンディングす
る。
【００４８】次に図５に示すように、ダイパッド部２上
に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示せ
ず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細線
７により電気的に接続する。
【００４９】次に図６に示すように、半導体素子６が搭
載された状態のリードフレームの少なくともリード部４
の底面に封止シート１１を密着させる。この封止シート
１１はリード部４の底面に封止樹脂が回り込まないよう
に保護し、リード部４の底面をスタンドオフを有して露
出させるための機能部材である。
【００５０】次に図７に示すように、リードフレームを
金型内に載置し、金型によりリード部４の端部（切断部
付近）を封止シート１１に対して押圧した状態でエポキ
シ系樹脂よりなる封止樹脂を注入し、リードフレームの
外囲としてダイパッド部２、半導体素子６、リード部４
の上面領域と金属細線７の接続領域を各ユニットごとに
個別に封止する。図８には外囲を封止樹脂８で封止した
状態を示している。
【００５１】次に図９に示すように、リードフレームの
リード部４の底面に密着させていた封止シート１１をピ
ールオフ等により除去する。この状態では、封止樹脂８
の底面からリード部４が５０［μｍ］程度、突出（スタ
ンドオフ）して露出しているものである。
【００５２】そしてリードフレームに対する樹脂封止後
の状態は、図１０に示すように各ユニットごとに樹脂封
止されているものである。
【００５３】次に図１１，図１２に示すように、樹脂封
止後のリードフレームのリード部４の切断箇所５に対し
て、リードフレーム底面側から回転ブレード１２で第１
のリードカットとしてプリリードカットを行い、切断箇
所５に凹部を形成する。
【００５４】このプリリードカットは、リード部４の厚
みの８０［％］〜９０［％］カットするものであり、リ
ードフレームの厚みが２００［μｍ］であり、リード部
４の厚みが２００［μｍ］である場合は、２０［μｍ］
〜４０［μｍ］の厚みを残してプリカットすることにな
る。そしてカットされなかった残余リード部により、リ
ードフレームの各ユニットごとの凹部に対して電解メッ
キ処理、無電解メッキ処理が可能となる。
【００５５】次に図１３に示すように、リードフレーム
のリード部４に対してプリリードカットして形成した凹
部１３の表面にメッキ層を形成する。ここではリード部
４の外囲表面に形成されているメッキ層と同様なメッキ
層を形成するものであり、パラジウム（Ｐｄ）メッキ、
具体的には、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層、パラジウム
（Ｐｄ）メッキ層、金（Ａｕ）メッキ層の３層でメッキ
層を構成したり、または、錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）、錫−
ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）等のハンダメッキ層を形成する
ものである。そしてメッキ層の形成は、電解メッキによ
る方法の他、無電解メッキでもよい。さらに、リード部
４の外囲表面に形成されているメッキ層と同様なメッキ
層を形成する以外、リード部４の表面のメッキ層と異質
の材料によりメッキ層を形成してもよい。
【００５６】また、リード部４（インナーリード部４
ａ）の底面部分を封止樹脂の底面から確実にスタンドオ
フを有して露出させるため、このメッキ工程において、
凹部１３の表面に加えて、リード部４の底面に対して、
さらにメッキ層を形成し、そのメッキ層の厚みによっ
て、リード部４として厚みを増加させてスタンドオフを
形成してもよい。この場合、リード部４の材質が銅（Ｃ
ｕ）である場合は、ニッケル（Ｎｉ）を２０［μｍ］程
度の厚みで形成することが可能であり、さらにハンダメ
ッキしてスタンドオフをさらに高くとることができる。
【００５７】次に図１４に示すように、メッキ層が形成
されたリード部４の切断箇所の凹部１３に対して、その
裏面側、つまりリードフレームとしての表面側（上面）
から回転ブレード１４により、第２のリードカットとし
てフルカットを行い、リードフレームから樹脂封止型半
導体装置を分離する。この工程では残余しているリード
部の厚みが薄厚であるため、抵抗なくブレード切断でき
る。また本実施形態では、切断箇所の凹部１３に対し
て、その表面側（上面）から回転ブレード１４により、
第２のリードカットとしてフルカットを行い、リードフ
レームから樹脂封止型半導体装置を分離しているが、再
度、凹部１３側からブレード切断してもよい。これによ
って、リードフレームのリード材によるカエリの発生を
防止できる。さらにこのフルカットでは既に切断して形
成している凹部１３の表面に回転ブレード１４が接触
し、形成したメッキ層が剥がれないよう、残余リード部
のみを切断するようにする。
【００５８】なお、プリリードカットとフルリードカッ
トとで用いる回転ブレードの幅、形状は適宜変更し、通
常は、フルリードカットで用いる回転ブレード１４の幅
はプリリードカットで用いる回転ブレード１２の幅より
小さく設定すると好適である。
【００５９】そして図１５に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その
半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが
金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８
により封止され、そしてそのリード部４（インナーリー
ド部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面から５０［μ
ｍ］以上のスタンドオフを有して露出し、外部端子９を
構成するとともに、封止樹脂８の側面からはアウターリ
ード部４ｂが露出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一
面を構成し、露出したリード部４のリード端面部１０が
メッキ層を有した樹脂封止型半導体装置を得るものであ
る。
【００６０】以上、本実施形態のリードフレームを用い
て樹脂封止型半導体装置を製造する際、樹脂封止後のリ
ードカット工程では、金型の切断刃に代えて、基板ダイ
シング等で用いるような回転ブレードで切削し、その切
断過程において、フルカット前にメッキ処理し、その後
にフルカットすることにより、切断されたリード部４の
リード端面部１０にはメッキ層を設けることができる。
【００６１】図１５に示した円内の拡大図として、図１
６に樹脂封止型半導体装置製品のリード部４を示してい
るが、リードカットされたリード部４の封止樹脂８から
露出したリード端面部１０には、他のリード部４の外囲
表面に形成されているメッキ層１５が形成されている。
したがって、図１７の断面図に示すように、リード部４
の切断したリード端面部１０には、リード部４に予め形
成しているメッキ層１５が存在することにより、樹脂封
止型半導体装置製品をプリント基板等の実装基板１６に
ハンダ等の接合剤１７により接合した際、リード部４の
リード端面部１０部分にハンダフィレット１８（接合剤
１７）が形成されるため、実装強度を向上させ、実装信
頼性を向上できるものである。さらに、このハンダフィ
レット１８が形成されることにより、実装後の接合部の
外観検査時の認識不良を防止することができる。なお、
リード端面部１０の上部は前記した製造過程により、メ
ッキ層１５は形成されないが、リード部４のリード端面
部１０の大多数、８０［％］以上にはメッキ層１５が形
成されているため、基板実装時のハンダ接合上は問題な
い。
【００６２】次に本発明の別の実施形態について図面を
参照しながら説明する。
【００６３】まず図１８に示すように、フレーム枠と、
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状で
あって、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパ
ッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム
枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場
合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段に
より電気的に接続するビーム状のリード部４とを各ユニ
ットとして有したリードフレームを用意する。なお、こ
こで用意するリードフレームは、図１に示したようなリ
ードフレームと同様の構成を有するものである。
【００６４】そして図１９に示すように、リードフレー
ムの各ユニットのダイパッド部２上に銀ペースト等の接
着剤によりそれぞれ半導体素子６を搭載しボンディング
する。
【００６５】次に図２０に示すように、ダイパッド部２
上に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示
せず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細
線７により電気的に接続する。
【００６６】次に図２１に示すように、半導体素子６が
搭載された状態のリードフレームの少なくともリード部
４の底面に封止シート１１を密着させる。この封止シー
ト１１はリード部４の底面に封止樹脂が回り込まないよ
うに保護し、リード部４の底面を露出させるための機能
部材である。なお、この工程前に予めリードフレームの
底面部分に封止シート１１を付設しておいてもよい。
【００６７】次に図２２に示すように、リードフレーム
をトランスファーモールド用の封止金型内に載置し、金
型によりリード部４の端部（切断部付近）を封止シート
１１に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂よりなる封
止樹脂を注入し、リードフレームの外囲としてダイパッ
ド部２、半導体素子６、リード部４の上面領域と金属細
線７の接続領域を各ユニットを包括するように全体封止
する。図２３には外囲を封止樹脂８で封止した状態を示
している。図２３に示すように、本実施形態では、リー
ドフレームの各ユニットごとに樹脂封止するものではな
く、いわばリードフレームの上面領域を全体封止するも
のである。
【００６８】次に図２４に示すように、リードフレーム
のリード部４の底面に密着させていた封止シート１１を
ピールオフ等により除去する。この状態では、封止樹脂
の底面からリード部４が５０［μｍ］程度、突出（スタ
ンドオフ）して露出しているものである。
【００６９】そしてリードフレームに対する樹脂封止後
の状態は、図２５に示すように各ユニットを包括するよ
うにリードフレーム上面領域全体を樹脂封止しているも
のである。
【００７０】次に図２６，図２７に示すように、樹脂封
止後のリードフレームのリード部４の切断箇所５に対し
て、リードフレーム底面側から回転ブレード１２で第１
のリードカットとしてプリリードカットを行い、切断箇
所５に凹部を形成する。
【００７１】このプリリードカットは、リード部４の厚
みの８０［％］〜９０［％］カットするものであり、リ
ードフレームの厚みが２００［μｍ］であり、リード部
４の厚みが２００［μｍ］である場合は、２０［μｍ］
〜４０［μｍ］の厚みを残してプリカットすることにな
る。そしてカットされなかった残余リード部により、リ
ードフレームの各ユニットの境界部分ごとの凹部に対し
て電解メッキ処理が可能となる。
【００７２】なお、本実施形態のプリリードカットで
は、リード部４の一部を残しているが、リード部４に対
して、フルカットしてもよい。この場合、リード部４は
フルカットするが、上部の封止樹脂の部分は、互いに接
続しておき、個別に分離しないように保持し、その状態
で後工程のメッキ処理を行うことにより、リード部４の
カットした端面全体にメッキ層を形成することができる
ので、さらに実装強度向上のためのリード構造を得るこ
とができる。
【００７３】次に図２８に示すように、リードフレーム
のリード部４に対してプリリードカットして形成した凹
部１３の表面にメッキ層を形成する。ここではリード部
４の外囲表面に形成されているメッキ層と同様なメッキ
層を形成するものであり、パラジウム（Ｐｄ）メッキ、
具体的には、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層、パラジウム
（Ｐｄ）メッキ層、金（Ａｕ）メッキ層の３層でメッキ
層を構成したり、または、錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）、錫−
ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）等のハンダメッキ層を形成する
ものである。そしてメッキ層の形成は、電解メッキによ
る方法の他、無電解メッキでもよい。さらに、リード部
４の外囲表面に形成されているメッキ層と同様なメッキ
層を形成する以外、リード部４の表面のメッキ層と異質
の材料によりメッキ層を形成してもよい。
【００７４】また、リード部４（インナーリード部４
ａ）の底面部分を封止樹脂の底面から確実にスタンドオ
フを有して露出させるため、このメッキ工程において、
凹部１３の表面に加えて、リード部４の底面に対して、
さらにメッキ層を形成し、そのメッキ層の厚みによっ
て、リード部４として厚みを増加させてスタンドオフを
形成してもよい。この場合、リード部４の材質が銅（Ｃ
ｕ）である場合は、ニッケル（Ｎｉ）を２０［μｍ］程
度の厚みで形成することが可能であり、さらにハンダメ
ッキしてスタンドオフをさらに高くとることができる。
【００７５】次に図２９に示すように、メッキ層が形成
されたリード部４の切断箇所の凹部１３に対して、その
裏面側、つまりリードフレームとしての表面側から回転
ブレード１４により、第２のリードカットとしてフルカ
ットを行い、リードフレームから樹脂封止型半導体装置
を分離する。この工程では封止樹脂８とともに残余して
いるリード部を切断するものである。また本実施形態で
は、切断箇所の凹部１３に対して、その表面側（上面）
から回転ブレード１４により、第２のリードカットとし
てフルカットを行い、リードフレームから樹脂封止型半
導体装置を分離しているが、再度、凹部１３側から回転
ブレード１４で残余リード部を切断し、封止樹脂８を切
断してもよい。これによって、リードフレームのリード
材によるカエリの発生を防止できる。さらにこのフルカ
ットでは既に切断して形成している凹部１３の表面に回
転ブレード１４が接触し、形成したメッキ層が剥がれな
いよう、残余リード部のみを切断するようにする。
【００７６】なお、プリリードカットとフルリードカッ
トとで用いる回転ブレードの幅、形状は適宜変更し、通
常は、フルリードカットで用いる回転ブレード１４の幅
はプリリードカットで用いる回転ブレード１２の幅より
小さく設定すると好適である。
【００７７】そして図３０に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その
半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが
金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８
により封止され、そしてそのリード部４（インナーリー
ド部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面から５０［μ
ｍ］以上のスタンドオフを有して露出し、外部端子９を
構成するとともに、封止樹脂８の側面からはアウターリ
ード部４ｂが露出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一
面を構成し、露出したリード部４のリード端面部１０が
メッキ層を有した樹脂封止型半導体装置を得るものであ
る。本実施形態では実質的にアウターリード部４ｂとリ
ード端面部１０とは同一構成となり、封止樹脂８の側面
とリード端面部１０（アウターリード部４ｂ）とが同一
面に配置されるものである。
【００７８】以上、本実施形態のリードフレームを用い
て樹脂封止型半導体装置を製造する際、樹脂封止後のリ
ードカット工程では、金型の切断刃に代えて、基板ダイ
シング等で用いるような回転ブレードで切削し、その切
断過程において、フルカット前にメッキ処理し、その後
にフルカットすることにより、切断されたリード部４の
リード端面部１０（アウターリード部４ｂの端面）には
メッキ層を設けることができる。
【００７９】図３０に示した円内の拡大図として、図３
１に樹脂封止型半導体装置製品のリード部４を示してい
るが、リードカットされたリード部４の封止樹脂８から
露出したリード端面部１０には、他のリード部４の外囲
表面に形成されているメッキ層１５が形成されている。
そしてリード部４の封止樹脂８から露出したリード端面
部１０は、その上部の一部を除いてメッキ層１５を有し
ているものであり、リード端面部１０の上部は前記した
製造過程により、メッキ層１５は形成されないが、リー
ド部４のリード端面部１０の大多数、８０［％］以上に
はメッキ層１５が形成されているため、基板実装時のハ
ンダ接合上は問題ない。したがって、図３２の断面図に
示すように、リード部４の切断したリード端面部１０に
は、リード部４に予め形成しているメッキ層１５が存在
することにより、樹脂封止型半導体装置製品をプリント
基板等の実装基板１６にハンダ等の接合剤１７により接
合した際、リード部４のリード端面部１０部分にハンダ
フィレット１８（接合剤１７）が形成されるため、実装
強度を向上させ、実装信頼性を向上できるものである。
さらに、このハンダフィレット１８が形成されることに
より、実装後の接合部の外観検査時の認識不良を防止す
ることができる。
【００８０】以上、本実施形態に示した通り、樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、少なくとも、ダイパッド部
と、そのダイパッド部に先端が対向して配置し、末端が
フレーム枠と接続した複数のリード部とを１ユニットと
して、そのユニットを複数有したリードフレームを用意
し、そのリードフレームの各ダイパッド部に半導体素子
を搭載し、各リード部と搭載した半導体素子とを電気的
に接続した後、外囲を樹脂封止する工程と、樹脂封止後
のリードフレームの各ユニットの境界部分のリード部の
切断箇所に対して、リードフレームの底面側から回転ブ
レードによりリードプリカットを行い、一部リード部を
残して切断箇所に凹部を形成する工程と、リードフレー
ムのリードカットして形成した凹部の表面にメッキ層を
形成する工程と、メッキ層が形成された切断箇所の凹部
の上面側、もしくはその凹部側から回転ブレードによ
り、切断箇所の残余リード部を切断してフルリードカッ
トを行い、リードフレームから樹脂封止型半導体装置を
分離する工程とよりなるものであり、得られた樹脂封止
型半導体装置製品をプリント基板等の実装基板にハンダ
等の接合剤により接合した際、リード部のリード端面部
分にハンダフィレットが形成されるため、実装強度を向
上させ、実装信頼性を向上できるものである。この実装
強度の確保は、基板実装においては重要なファクターで
あり、その実現のための構成は、特に本実施形態のよう
な片面封止型のパッケージにおいては必要不可欠な構成
である。
【００８１】
【発明の効果】以上、本発明の樹脂封止型半導体装置お
よびその製造方法において、樹脂封止型半導体装置は、
リード部の封止樹脂から露出した一側面のリード端面部
はメッキ層を有しているものであり、樹脂封止型半導体
装置製品をプリント基板等の実装基板にハンダ等の接合
剤により接合した際、リード部のリード端面部分にハン
ダフィレットが形成されるため、実装強度を向上させ、
実装信頼性を向上できるものである。
【００８２】また樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いては、樹脂封止後のリードフレームの各ユニットの境
界部分のリード部の切断箇所に対して、リードフレーム
の底面側から回転ブレードによりリードプリカットを行
い、一部リード部を残して切断箇所に凹部を形成し、そ
の形成した凹部の表面にメッキ層を形成した後に、メッ
キ層が形成された切断箇所の凹部に対して回転ブレード
により、切断箇所の残余リード部を切断してフルリード
カットを行い、リードフレームから樹脂封止型半導体装
置を分離する工程を有するため、得られた樹脂封止型半
導体装置製品をプリント基板等の実装基板にハンダ等の
接合剤により接合した際、リード部のリード端面部分に
ハンダフィレットが形成され、実装強度を向上させ、実
装信頼性を向上できるものである。
【００８３】さらに、基板実装時、リード端面部に形状
良好なハンダフィレットが形成されることにより、実装
後の接合部の外観検査時の認識精度を向上させ、認識不
良を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す図
【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す図
【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す図
【図１７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の実装状態を示す断面図
【図１８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図３０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図３１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す図
【図３２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の実装状態を示す断面図
【図３３】従来のリードフレームを示す図
【図３４】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図３５】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図３６】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図３７】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図３８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図３９】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図４０】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図４１】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図４２】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図４３】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図４４】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図４５】従来の樹脂封止型半導体装置の実装状態を示
す断面図
【符号の説明】
１ フレーム枠 ２ ダイパッド部 ３ 吊りリード部 ４ リード部 ５ 切断箇所 ６ 半導体素子 ７ 金属細線 ８ 封止樹脂 ９ 外部端子 １０ リード端面部 １１ 封止シート １２ 回転ブレード １３ 凹部 １４ 回転ブレード １５ メッキ層 １６ 実装基板 １７ 接合剤 １８ ハンダフィレット １０１ フレーム枠 １０２ ダイパッド部 １０３ 吊りリード部 １０４ リード部 １０５ 半導体素子 １０６ 金属細線 １０７ 封止樹脂 １０８ 外部端子 １０９ 封止シート １１０ 切断箇所 １１１ 切断刃 １１２ リード端面部 １１３ メッキ層 １１４ 実装基板 １１５ 接合剤

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ダイパッド部上に搭載された半導体素子
    と、前記ダイパッド部にその先端部が対向して配置さ
    れ、外囲にメッキ層を有した複数のリード部と、前記半
    導体素子の電極と前記リード部とを接続した金属細線
    と、前記ダイパッド部、半導体素子、前記リード部の底
    面および一側面を除いて外囲を封止した封止樹脂とより
    なる樹脂封止型半導体装置であって、前記リード部の封
    止樹脂から露出した一側面の端面はメッキ層を有してい
    ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項２】 リード部の封止樹脂から露出した一側面
    の端面は、その上部の一部を除いてメッキ層を有してい
    ることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体
    装置。
  3. 【請求項３】 リード部のメッキ層およびリード部の端
    面のメッキ層は、パラジウム層を有していることを特徴
    とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
  4. 【請求項４】 ダイパッド部と、前記ダイパッド部に先
    端が対向して配置し、末端がフレーム枠と接続した複数
    のリード部とを１ユニットとして、そのユニットを複数
    有したリードフレームを用意し、前記リードフレームの
    各ダイパッド部に半導体素子を搭載し、前記リードフレ
    ームの各リード部と前記半導体素子とを電気的に接続し
    た後、外囲を樹脂封止する工程と、前記樹脂封止後のリ
    ードフレームの各ユニットの境界部分のリード部の切断
    箇所に対して、リードフレームの底面側から回転ブレー
    ドによりリードプリカットを行い、一部リード部を残し
    て前記切断箇所に凹部を形成する工程と、前記リードフ
    レームのリードカットして形成した前記凹部の表面にメ
    ッキ層を形成する工程と、前記メッキ層が形成された切
    断箇所の凹部に対して回転ブレードにより、前記凹部の
    残余リード部を切断してフルリードカットを行い、リー
    ドフレームから樹脂封止型半導体装置を分離する工程と
    よりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造
    方法。
  5. 【請求項５】 フレーム枠と、前記フレーム枠内に半導
    体素子が載置されるダイパッド部と、前記ダイパッド部
    をその先端部で支持し、端部が前記フレーム枠と接続し
    た吊りリード部と、半導体素子を載置した際、載置した
    半導体素子と電気的に接続し、外囲にメッキ層が形成さ
    れた複数のリード部とを１ユニットとし、複数ユニット
    を有したリードフレームを用意する工程と、前記ダイパ
    ッド部上に接着剤により半導体素子を搭載する工程と、
    前記ダイパッド部上に搭載された半導体素子の表面の電
    極と前記リード部とを金属細線により接続する工程と、
    前記半導体素子が搭載された状態のリードフレームの少
    なくともリード部の底面に封止シートを密着させる工程
    と、前記リードフレームを金型内に載置し、金型により
    リード部を封止シートに対して押圧した状態で封止樹脂
    を注入し、リードフレームの外囲としてダイパッド部、
    半導体素子、リード部の上面領域と金属細線の接続領域
    を個別ユニットごとに封止する工程と、前記リードフレ
    ームのリード部の底面に密着させていた封止シートを除
    去する工程と、前記リードフレームのリード部の切断箇
    所に対して、リードフレーム底面側から回転ブレードに
    よりリードプリカットを行い、一部リード部を残して前
    記切断箇所に凹部を形成する工程と、前記リードフレー
    ムのリードカットして形成した前記凹部の表面にメッキ
    層を形成する工程と、前記メッキ層が形成された切断箇
    所の凹部に対して回転ブレードにより、前記凹部の残余
    リード部を切断してフルリードカットを行い、リードフ
    レームから樹脂封止型半導体装置を分離する工程とより
    なることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
  6. 【請求項６】 フレーム枠と、前記フレーム枠内に半導
    体素子が載置されるダイパッド部と、前記ダイパッド部
    をその先端部で支持し、端部が前記フレーム枠と接続し
    た吊りリード部と、半導体素子を載置した際、載置した
    半導体素子と電気的に接続し、外囲にメッキ層が形成さ
    れた複数のリード部とを１ユニットとし、複数ユニット
    を有したリードフレームを用意する工程と、前記ダイパ
    ッド部上に接着剤により半導体素子を搭載する工程と、
    前記ダイパッド部上に搭載された半導体素子の表面の電
    極と前記リード部とを金属細線により接続する工程と、
    前記半導体素子が搭載された状態のリードフレームの少
    なくともリード部の底面に封止シートを密着させる工程
    と、前記リードフレームを金型内に載置し、金型により
    リード部を封止シートに対して押圧した状態で封止樹脂
    を注入し、前記リードフレームの外囲として各ユニット
    のダイパッド部、半導体素子、リード部の上面領域と金
    属細線の接続領域を各ユニット包括で全面封止する工程
    と、前記リードフレームのリード部の底面に密着させて
    いた封止シートを除去する工程と、前記リードフレーム
    のリード部の切断箇所に対して、リードフレーム底面側
    から回転ブレードにより、プリリードカットを行い、一
    部リード部を残して前記切断箇所に凹部を形成する工程
    と、前記リードフレームのリードカットして形成した前
    記凹部の表面にメッキ層を形成する工程と、前記メッキ
    層が形成された切断箇所の凹部に対して回転ブレードに
    より、前記切断箇所の残余リード部を切断してフルリー
    ドカットを行い、リードフレームから樹脂封止型半導体
    装置を分離する工程とよりなることを特徴とする樹脂封
    止型半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 メッキ層が形成された切断箇所の凹部に
    対して回転ブレードにより、前記凹部の残余リード部を
    切断してフルリードカットを行い、リードフレームから
    樹脂封止型半導体装置を分離する工程では、前記凹部に
    相当するリードフレームの上面側から回転ブレードによ
    り、前記切断箇所の残余リード部を切断することを特徴
    とする請求項４または請求項５のいずれかに記載の樹脂
    封止型半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 メッキ層が形成された切断箇所の凹部に
    対して回転ブレードにより、前記凹部の残余リード部を
    切断してフルリードカットを行い、リードフレームから
    樹脂封止型半導体装置を分離する工程では、前記切断箇
    所の前記凹部側から再度、回転ブレードにより、前記切
    断箇所の残余リード部を切断することを特徴とする請求
    項４または請求項５のいずれかに記載の樹脂封止型半導
    体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 メッキ層が形成された切断箇所の凹部に
    対して回転ブレードにより、前記切断箇所の残余リード
    部を切断してフルリードカットを行い、リードフレーム
    から樹脂封止型半導体装置を分離する工程では、前記メ
    ッキ層が形成された切断箇所の凹部に相当するリードフ
    レームの上面側から回転ブレードにより、前記リードフ
    レームの上面に全面形成した封止樹脂とともに前記切断
    箇所の残余リード部を切断することを特徴とする請求項
    ６に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 メッキ層が形成された切断箇所の凹部
    に対して回転ブレードにより、前記切断箇所の残余リー
    ド部を切断してフルリードカットを行い、リードフレー
    ムから樹脂封止型半導体装置を分離する工程では、前記
    メッキ層が形成された切断箇所の凹部側から再度、回転
    ブレードにより、前記切断箇所の残余リード部を切断す
    ることを特徴とする請求項６に記載の樹脂封止型半導体
    装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 リードフレームを用意する工程は、リ
    ード部の外囲にパラジウム層を有したメッキ層が形成さ
    れたリードフレームを用意する工程であり、リードフレ
    ームのリードカットして形成したリード部の凹部の表面
    にメッキ層を形成する工程は少なくともパラジウム層を
    メッキする工程であることを特徴とする請求項４〜請求
    項６のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
  12. 【請求項１２】 フルカットで用いる回転ブレードの幅
    は、プリカットで用いる回転ブレードの幅よりも小さい
    ことを特徴とする請求項４〜請求項６のいずれかに記載
    の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
JP31924399A 1999-06-28 1999-11-10 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 Pending JP2001077268A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31924399A JP2001077268A (ja) 1999-06-28 1999-11-10 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11-181287 1999-06-28
JP18128799 1999-06-28
JP31924399A JP2001077268A (ja) 1999-06-28 1999-11-10 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001077268A true JP2001077268A (ja) 2001-03-23

Family

ID=26500533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31924399A Pending JP2001077268A (ja) 1999-06-28 1999-11-10 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001077268A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2392778A (en) * 2002-09-04 2004-03-10 Atlantic Technology Quad flat pack terminals
JP2005079372A (ja) * 2003-09-01 2005-03-24 Nec Electronics Corp 樹脂封止型半導体装置とその製造方法
JP2006165411A (ja) * 2004-12-10 2006-06-22 New Japan Radio Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US7098081B2 (en) 2001-09-27 2006-08-29 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor device and method of manufacturing the device
WO2007052476A1 (ja) * 2005-11-02 2007-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電子回路装置およびその製造方法
JP2011129687A (ja) * 2009-12-17 2011-06-30 Dainippon Printing Co Ltd リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
JP2016026398A (ja) * 2015-10-01 2016-02-12 大日本印刷株式会社 リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7098081B2 (en) 2001-09-27 2006-08-29 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor device and method of manufacturing the device
DE10297264B4 (de) * 2001-09-27 2008-10-30 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
GB2392778A (en) * 2002-09-04 2004-03-10 Atlantic Technology Quad flat pack terminals
JP2005079372A (ja) * 2003-09-01 2005-03-24 Nec Electronics Corp 樹脂封止型半導体装置とその製造方法
US7166919B2 (en) 2003-09-01 2007-01-23 Nec Electronics Corporation Leadless type semiconductor package, and production process for manufacturing such leadless type semiconductor package
US7655506B2 (en) 2003-09-01 2010-02-02 Nec Electronics Corporation Leadless type semiconductor package, and production process for manufacturing such leadless type semiconductor package
JP2006165411A (ja) * 2004-12-10 2006-06-22 New Japan Radio Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
WO2007052476A1 (ja) * 2005-11-02 2007-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電子回路装置およびその製造方法
US7910406B2 (en) 2005-11-02 2011-03-22 Panasonic Corporation Electronic circuit device and method for manufacturing same
JP2011129687A (ja) * 2009-12-17 2011-06-30 Dainippon Printing Co Ltd リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
JP2016026398A (ja) * 2015-10-01 2016-02-12 大日本印刷株式会社 リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3062192B1 (ja) リ―ドフレ―ムとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
KR102054385B1 (ko) 수지 봉지형 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP6030970B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3436159B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
EP1921674A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing same
JPH11340409A (ja) リードフレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH11307675A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP2003174131A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP4387566B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
US20080105960A1 (en) Integrated Circuit Package and Method for Manufacturing an Integrated Circuit Package
JP2001077268A (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH10256460A (ja) ターミナルランドフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3915337B2 (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3843654B2 (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
US20050184368A1 (en) Semiconductor package free of substrate and fabrication method thereof
JP3691790B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び該方法によって製造された半導体装置
JP3503502B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH1126648A (ja) 半導体装置およびそのリードフレーム
JP3959898B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2003017644A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2001077279A (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3915338B2 (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2001127090A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3362007B2 (ja) 半導体装置、その製造方法及びテープキャリア
JP2001077275A (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050428

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20050629

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061024

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061031

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070116

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070619