JPS62128133A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS62128133A JPS62128133A JP26787185A JP26787185A JPS62128133A JP S62128133 A JPS62128133 A JP S62128133A JP 26787185 A JP26787185 A JP 26787185A JP 26787185 A JP26787185 A JP 26787185A JP S62128133 A JPS62128133 A JP S62128133A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin sheet
- electrode
- semiconductor
- circuit board
- semiconductor piece
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体小片
を回路基板に接合、固定する方法に関するものである。
を回路基板に接合、固定する方法に関するものである。
従来の技術
従来の半導体装置の製造方法を第３図を用いて説明する
。第３図はフィルムキャリア方式を用いた従来の半導体
装置の製造方法である。
。第３図はフィルムキャリア方式を用いた従来の半導体
装置の製造方法である。
フォトリングラフィ、拡散工程が完了した半導体基板２
０の一主面に形成された電極２１に接合を行なうための
突起電極２２をメッキにて形成する（第３図−Ａ）。
０の一主面に形成された電極２１に接合を行なうための
突起電極２２をメッキにて形成する（第３図−Ａ）。
突起電極２２を形成した半導体基板２ｏの主面側より溝
２３を形成し、前記半導体基板２ｏを個々の半導体小片
２４に分割１分離する（第３図−Ｂ、Ｃ）。
２３を形成し、前記半導体基板２ｏを個々の半導体小片
２４に分割１分離する（第３図−Ｂ、Ｃ）。
分割９分離した半導体小片２４の突起電極２２とフィル
ムキャリアテープ２６のリード２６を位置合わせする。
ムキャリアテープ２６のリード２６を位置合わせする。
そして、圧接治具２７を用いて、リード２６と突起電極
２２を接合する（第３図〜Ｄ、Ｅ、Ｆ）。
２２を接合する（第３図〜Ｄ、Ｅ、Ｆ）。
リード２６に半導体小片２４を接合したフィルムキャリ
ア２５を、回路基板に搭載するため、フィルムキャリア
テープ２５に接合された半導体小片２４の周辺からフィ
ルムキャリアテープ２５を打ちぬき（図示せず）、回路
基板の基板配線形状に合う様にリード２６を整形し、溶
接又は半田付でリードを回路基板の基板配線２９に接合
、搭載する（第３図−Ｇ）。
ア２５を、回路基板に搭載するため、フィルムキャリア
テープ２５に接合された半導体小片２４の周辺からフィ
ルムキャリアテープ２５を打ちぬき（図示せず）、回路
基板の基板配線形状に合う様にリード２６を整形し、溶
接又は半田付でリードを回路基板の基板配線２９に接合
、搭載する（第３図−Ｇ）。
次に半導体小片２４に形成した素子および、リードと突
起電極の接合部を外部環境から保護するため封止樹脂３
ｏで封止を行なう（第３図−Ｈ）。
起電極の接合部を外部環境から保護するため封止樹脂３
ｏで封止を行なう（第３図−Ｈ）。
発明が解決しようとする問題点
従来における半導体小片の回路基板への接合方法によれ
ば、半導体小片の電極上にリードとの接合を行なうだめ
の突起電極形成するメッキ工程が必要となる。そのため
製造工程が複雑となシ、半導体基板に形成した素子の歩
留りが著しく低下する。又、それに伴なう製造設備の導
入や、突起電極が半導体基板上の電極全てに一括で形成
されるため、すでに不良となった素子の電極にも形成さ
れ、突起電極の材料であるＡｕの消費量が増大し、製造
コストがきわめて高くなる。さらに回路基板に半導体小
片を接合後、素子を外部環境から保護するだめの封止工
程が必要となり、製造工程が著しく増大するものであっ
た。
ば、半導体小片の電極上にリードとの接合を行なうだめ
の突起電極形成するメッキ工程が必要となる。そのため
製造工程が複雑となシ、半導体基板に形成した素子の歩
留りが著しく低下する。又、それに伴なう製造設備の導
入や、突起電極が半導体基板上の電極全てに一括で形成
されるため、すでに不良となった素子の電極にも形成さ
れ、突起電極の材料であるＡｕの消費量が増大し、製造
コストがきわめて高くなる。さらに回路基板に半導体小
片を接合後、素子を外部環境から保護するだめの封止工
程が必要となり、製造工程が著しく増大するものであっ
た。
本発明は以上の問題点を解決すべく、きわめて簡易な構
成でかつ、特別な製造工程、設備を必要とせず、信頼性
の高い、半導体装置の製造方法を提供するものである。
成でかつ、特別な製造工程、設備を必要とせず、信頼性
の高い、半導体装置の製造方法を提供するものである。
問題点を解決するだめの手段
本発明は上記問題点を解決するため、樹脂シートの一主
面に突起電極と、それに延在する導体配線を形成し、前
記樹脂シートの一主面の全面に接着剤を塗布した樹脂シ
ートを用いることにより、前記樹脂シートに形成した突
起電極で、半導体小片の電極とを接合し、前記樹脂シー
トの一主面に形成した接着剤で前記半導体小片を固定し
、樹脂シート主面に形成した導体配線と回路基板の基板
配線とを接合後、回路基板と樹脂シートおよび半導体小
片を接着固定するものである。
面に突起電極と、それに延在する導体配線を形成し、前
記樹脂シートの一主面の全面に接着剤を塗布した樹脂シ
ートを用いることにより、前記樹脂シートに形成した突
起電極で、半導体小片の電極とを接合し、前記樹脂シー
トの一主面に形成した接着剤で前記半導体小片を固定し
、樹脂シート主面に形成した導体配線と回路基板の基板
配線とを接合後、回路基板と樹脂シートおよび半導体小
片を接着固定するものである。
作 用
樹脂シートの一主面に形成した突起電極と半導体小片の
電極とを加圧、接合した際、前記樹脂シートの一主面の
全面に塗布した接着剤で前記半導体小片の接着、固定お
よび、回路基板の基板配線と前記樹脂シートの導体配線
との接合を行ない、樹脂シートの一主面全面を回路基板
に接着する。
電極とを加圧、接合した際、前記樹脂シートの一主面の
全面に塗布した接着剤で前記半導体小片の接着、固定お
よび、回路基板の基板配線と前記樹脂シートの導体配線
との接合を行ない、樹脂シートの一主面全面を回路基板
に接着する。
これにより、きわめて簡易な構成で半導体小片を高密度
かつ薄型に回路基板へ搭載することが出来、さらに、前
記樹脂シートも共に接着剤で回路基板に接着する構成の
ため半導体小片の素子を外部環境から保護するための樹
脂等による封止工程が不必要となり、きわめて高信頼性
な半導体装置を得ることが出来る。
かつ薄型に回路基板へ搭載することが出来、さらに、前
記樹脂シートも共に接着剤で回路基板に接着する構成の
ため半導体小片の素子を外部環境から保護するための樹
脂等による封止工程が不必要となり、きわめて高信頼性
な半導体装置を得ることが出来る。
実施例
第１図は本発明の半導体装置の製造方法に使用する樹脂
シートの構成の一例を示したものである。
シートの構成の一例を示したものである。
樹脂シート１の一主面には接合する半導体小片の電極と
相対する位置関係にある突起電極２とそれから延在した
導体配線３が形成されている。突起電極２と導体配？ｆ
ｉ３は共に一体でかつ同一材料でフォトエツチング技術
によシ容易に形成出来るものである。用いる材料として
はＣｕなどの電気抵抗が少なく、シかもフォトエツチン
グ性がすぐれているものが良い。一方、樹脂シート１の
一主面全面には接着剤４が、突起電極２と導体配線３を
おおうような状態の厚さで塗布されており、この接着剤
４は半導体小片の電極と突起電極２を接合した際、半導
体小片を樹脂シート１に接着、固定し、又、樹脂シート
１を回路基板に接着するだめのものである。接着剤４は
生に熱硬化型を用いることが出来る。
相対する位置関係にある突起電極２とそれから延在した
導体配線３が形成されている。突起電極２と導体配？ｆ
ｉ３は共に一体でかつ同一材料でフォトエツチング技術
によシ容易に形成出来るものである。用いる材料として
はＣｕなどの電気抵抗が少なく、シかもフォトエツチン
グ性がすぐれているものが良い。一方、樹脂シート１の
一主面全面には接着剤４が、突起電極２と導体配線３を
おおうような状態の厚さで塗布されており、この接着剤
４は半導体小片の電極と突起電極２を接合した際、半導
体小片を樹脂シート１に接着、固定し、又、樹脂シート
１を回路基板に接着するだめのものである。接着剤４は
生に熱硬化型を用いることが出来る。
次に上記樹脂シートを用いた半導体装置の製造方法の一
実施例を第２図、第３図を用いて説明する。
実施例を第２図、第３図を用いて説明する。
樹脂シート１の一主面に突起電極２とそれから延在した
導体配線３および接着剤４を形成する主面側を下にして
保持し、すでに分割２分離された半導体小片５の１極６
と樹脂シート１に形成した突起電極２と位置合わせを行
なう（第２図−八）。
導体配線３および接着剤４を形成する主面側を下にして
保持し、すでに分割２分離された半導体小片５の１極６
と樹脂シート１に形成した突起電極２と位置合わせを行
なう（第２図−八）。
位置合わせ完了後、第１圧接治具７を樹脂シート１と共
に降下させ、樹脂シート１の他面から接合せしめる半導
体小片５のみを加圧する。この時、樹脂シート１に形成
した突起電極２と半導体小片６の電極６は互いに加圧、
接合されると同時に半導体小片５は樹脂シート１に形成
した接着剤４で接着、固定される（第２図−Ｂ）。
に降下させ、樹脂シート１の他面から接合せしめる半導
体小片５のみを加圧する。この時、樹脂シート１に形成
した突起電極２と半導体小片６の電極６は互いに加圧、
接合されると同時に半導体小片５は樹脂シート１に形成
した接着剤４で接着、固定される（第２図−Ｂ）。
圧接治具７で一定時間加圧後、圧接治具７を上昇させる
と、半導体小片６の電極６は樹脂シート１に形成した突
起電極２と接合された状態で樹脂シート１に接着剤４で
接着、固定されており、樹脂シート１は元の定位置に復
帰する（第２図−Ｃ）。
と、半導体小片６の電極６は樹脂シート１に形成した突
起電極２と接合された状態で樹脂シート１に接着剤４で
接着、固定されており、樹脂シート１は元の定位置に復
帰する（第２図−Ｃ）。
次に前記半導体小片を搭載した樹脂シートを回路基板に
接合する方法についてのべる。樹脂シート１を回路基板
８上に保持し、樹脂シート１に接着、固定された半導体
小片５および、樹脂シート１の導体配線３を接合する部
分と位置合わせを行ない、第１圧接治具７を降下させ、
樹脂シート１の他面から半導体小片６を回路基板８に圧
接する（第３図−Ｄ）。
接合する方法についてのべる。樹脂シート１を回路基板
８上に保持し、樹脂シート１に接着、固定された半導体
小片５および、樹脂シート１の導体配線３を接合する部
分と位置合わせを行ない、第１圧接治具７を降下させ、
樹脂シート１の他面から半導体小片６を回路基板８に圧
接する（第３図−Ｄ）。
半導体小片６を第１圧接治具７で圧接した状態で第２圧
接治具１０を下降させ、半導体小片６の周辺の樹脂シー
ト１の突起電極２から延在する導体配線３を、回路基板
８の基板配線９に圧接する（第２図−Ｅ）。この時、樹
脂シート１に塗布された接着剤４で樹脂シート１の導体
配線３と回路基板８の基板配線９は共に接着、固定され
る。その後、第２圧接治具１０の周囲に設けたカッター
１１で第２圧接治具１０の周囲の樹脂シート１を切断す
る（第２図−Ｆ）。
接治具１０を下降させ、半導体小片６の周辺の樹脂シー
ト１の突起電極２から延在する導体配線３を、回路基板
８の基板配線９に圧接する（第２図−Ｅ）。この時、樹
脂シート１に塗布された接着剤４で樹脂シート１の導体
配線３と回路基板８の基板配線９は共に接着、固定され
る。その後、第２圧接治具１０の周囲に設けたカッター
１１で第２圧接治具１０の周囲の樹脂シート１を切断す
る（第２図−Ｆ）。
これにより半導体小片６は樹脂シート１と共に回路基板
８に接着固定されるため、従来の樹脂封止が不要となり
、高信頼性の半導体装置を得ることが出来る（第２図−
Ｇ）。
８に接着固定されるため、従来の樹脂封止が不要となり
、高信頼性の半導体装置を得ることが出来る（第２図−
Ｇ）。
なお、接着剤に熱硬化型を用いた場合の接着剤の硬化は
、圧接治具（第１圧接治具、第２圧接治具）を加熱する
か、又は回路基板を加熱させることで、圧接時に接着剤
を硬化することが出来、接着剤を硬化させる工程が不要
となる。
、圧接治具（第１圧接治具、第２圧接治具）を加熱する
か、又は回路基板を加熱させることで、圧接時に接着剤
を硬化することが出来、接着剤を硬化させる工程が不要
となる。
一方、半導体小片５を接着した樹脂シート１を圧接治具
１０を用いないで搭載する方法として第３図−Ｈに示す
通り、第３図−Ｃで半導体小片６を樹脂シート１に接着
したのち、回路基板に搭載する樹脂シート部分を打ちぬ
き導体配線３を直接溶接、半田付けで、回路基板８の基
板配線９と接合するものである。
１０を用いないで搭載する方法として第３図−Ｈに示す
通り、第３図−Ｃで半導体小片６を樹脂シート１に接着
したのち、回路基板に搭載する樹脂シート部分を打ちぬ
き導体配線３を直接溶接、半田付けで、回路基板８の基
板配線９と接合するものである。
これによると、半導体小片の電気的な試験を回路基板に
搭載する前に実施することが可能で、不良の半導体小片
を回路基板に搭載してしまうことがなくなり作業効率と
、歩留りを低下させることがきわめて少ない。
搭載する前に実施することが可能で、不良の半導体小片
を回路基板に搭載してしまうことがなくなり作業効率と
、歩留りを低下させることがきわめて少ない。
発明の詳細
な説明した通り、本発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、樹脂シートの一主面に突起電極とそれに延在する導
体配線を形成し、前記樹脂シートの一主面の全面に接着
剤を塗布した樹脂シートを用いることで、きわめて簡易
な構成で半導体小片を回路基板に小型、薄型で搭載する
ことが可能となる。さらに半導体基板の素子の電極に突
起電極を形成する必要がなく、工程が簡素化され、自動
化が容易に実現出来るばかりではなく、樹脂封止工程が
不要で信頼性の高い半導体装置が安価で提供出来るもの
である。
ば、樹脂シートの一主面に突起電極とそれに延在する導
体配線を形成し、前記樹脂シートの一主面の全面に接着
剤を塗布した樹脂シートを用いることで、きわめて簡易
な構成で半導体小片を回路基板に小型、薄型で搭載する
ことが可能となる。さらに半導体基板の素子の電極に突
起電極を形成する必要がなく、工程が簡素化され、自動
化が容易に実現出来るばかりではなく、樹脂封止工程が
不要で信頼性の高い半導体装置が安価で提供出来るもの
である。
第１図は本発明の半導体装置の製造方法に使用する樹脂
シートの＃ｒｒｉｎ図、第２図は本発明の一実施例の工
程断面図、第３図は従来の方法の工程図である。 １・・・・・・樹脂シート、２・・・・・・突起電極、
３・・・・・・導体配線、４・・・・・・接着剤、６・
・・・・・半導体小片、７・・・・・・第１圧接治具、
８・・・・・・回路基板、９・・・・・・基板配線、１
０・・・・・・第２圧接治具。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第２図 第２図 （Ｈ） 、５４２ 第３図 （Ｏ）２２ 第３＠
シートの＃ｒｒｉｎ図、第２図は本発明の一実施例の工
程断面図、第３図は従来の方法の工程図である。 １・・・・・・樹脂シート、２・・・・・・突起電極、
３・・・・・・導体配線、４・・・・・・接着剤、６・
・・・・・半導体小片、７・・・・・・第１圧接治具、
８・・・・・・回路基板、９・・・・・・基板配線、１
０・・・・・・第２圧接治具。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第２図 第２図 （Ｈ） 、５４２ 第３図 （Ｏ）２２ 第３＠
Claims (2)
- （１）半導体小片の電極と相対する突起電極と前記突起
電極から延在した導体配線を有し、前記突起電極および
導体配線をおおう接着剤を形成した樹脂シートの、前記
突起電極と半導体小片の電極とを位置合せして加圧せし
め、少なくとも前記接着剤により半導体小片の表面を樹
脂シートの一主面に接着、固定することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - （２）延在した導体配線と回路基板の電極とを位置合せ
して加圧せしめ、少なくとも前記接着剤により、前記導
体配線と回路基板とを接着、固定することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26787185A JPS62128133A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26787185A JPS62128133A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128133A true JPS62128133A (ja) | 1987-06-10 |
Family
ID=17450785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26787185A Pending JPS62128133A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128133A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5082162A (en) * | 1990-02-05 | 1992-01-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Methods for soldering semiconductor devices |
| US5849607A (en) * | 1993-11-27 | 1998-12-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Process for attaching a lead frame to a semiconductor chip |
-
1985
- 1985-11-28 JP JP26787185A patent/JPS62128133A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5082162A (en) * | 1990-02-05 | 1992-01-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Methods for soldering semiconductor devices |
| US5849607A (en) * | 1993-11-27 | 1998-12-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Process for attaching a lead frame to a semiconductor chip |
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