KR101741132B1 - 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
세라믹 소자 표면에만 선택적으로 코팅막을 형성할 수 있는 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법을 제공한다.
배리스터(10)는 세라믹 소자(1)와, 세라믹 소자(1)의 표면에 마련된 코팅막(8) 및 외부전극(6a, 6b)을 포함하고 있다. 코팅막(8)은 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액을 배리스터(10)에 부여함으로써, 세라믹 소자(1)의 세라믹 표면에 선택적으로 형성되어 있다. 코팅막(8)은 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지로 형성되어 있다.
배리스터(10)는 세라믹 소자(1)와, 세라믹 소자(1)의 표면에 마련된 코팅막(8) 및 외부전극(6a, 6b)을 포함하고 있다. 코팅막(8)은 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액을 배리스터(10)에 부여함으로써, 세라믹 소자(1)의 세라믹 표면에 선택적으로 형성되어 있다. 코팅막(8)은 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지로 형성되어 있다.
Description
본 발명은 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
전자 부품에 이용되고 있는 세라믹은 전자 부품 기능의 고도화에 따른 재료개량에 따라, 산이나 알칼리 등에 의한 화학적 침식에 대해 약해지기 쉬우며, 또한 세라믹 자체의 기계적 강도도 낮아지는 경우가 있다.
따라서 이 대책으로서, 전자 부품의 세라믹 소자 표면을 특허문헌 1에 나타내는 바와 같이 수지로 코팅하는 기술이 제안되고 있다.
전자 부품의 세라믹 소자 표면을 코팅함으로써, 도금 처리 시의 도금액이나 실장 시의 플럭스에 따른 세라믹 소자에 대한 화학적 침식의 영향을 경감할 수 있다. 그리고 세라믹 소자 표면을 코팅함으로써, 도금 처리 시에 있어서, 세라믹 소자 표면에 대한 도금 성장이 억제되어 전자 부품의 도전성 불량을 저감할 수 있다.
또한 세라믹 소자 표면을 코팅함으로써, 전자 부품 내부에 수분, 도금액, 플럭스 등이 침입하는 것을 방지할 수 있고, 전자 부품의 신뢰성의 열화, 혹은 내부전극에 대한 도금 석출에 따른 전기 특성 열화를 막을 수 있다.
또한 코팅막을 형성함으로써, 세라믹 소자의 기계적 강도를 향상시키는 효과도 인정된다.
그러나 특허문헌 1과 같이 전자 부품의 세라믹 소자 표면을 수지로 코팅할 경우, 수지 코팅은 전자 부품의 전면(全面)에 실시되기(도포되기) 때문에, 세라믹 소자 표면에만 선택적으로 막을 형성할 수 없다. 따라서 외부전극 형성 전에 전자 부품 전면에 수지 코팅막을 형성하여, 외부전극을 형성하는 전자 부품 단면(端面)의 수지 코팅막을 제거하는 공정이 필요하게 되어 제조 비용이 올라간다.
또한 외부전극 형성 후에 수지 코팅이 실시되는 경우에는, 전자 부품 소정의 세라믹 소자면에 각각 패턴 인쇄 등의 방법으로 수지가 도포될 필요가 있으며, 수지 코팅막의 형성 작업이 번잡하여 제조 비용이 올라간다.
그러므로 본 발명의 목적은, 세라믹 전자 부품의 세라믹 소자 표면에만 선택적으로 코팅막을 형성할 수 있는 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은,
세라믹 소자와, 세라믹 소자 표면에 마련된 코팅막 및 전극을 포함한 세라믹 전자 부품으로서,
코팅막이 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품이다.
외부전극에는 도금 피막이 형성되어 있어도 된다.
본 발명에서는 코팅막이 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지로 형성되어 있으며, 전자 부품 세라믹 소자 표면에만 선택적으로 코팅막이 형성된다.
또한 본 발명의 세라믹 전자 부품은 수지의 열분해 온도가 240℃ 이상인 것이 바람직하다. 그리고 수지는 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지, 실리콘계 수지, 폴리아미드이미드계 수지, 폴리에테르에테르케톤계 수지, 불소계 수지 중 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다. 이로 인하여, 세라믹 전자 부품은 고내열성을 갖는다.
또한 본 발명의 세라믹 전자 부품은 코팅막이 가열에 의해 가교(架橋)된 것이 바람직하다. 이로 인하여, 단시간에 코팅막을 형성할 수 있다.
또한 본 발명은,
세라믹 소자와, 세라믹 소자 표면에 마련된 코팅막 및 전극을 포함한 세라믹 전자 부품으로서,
코팅막은 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액을 세라믹 소자 표면에 부여함으로써, 세라믹 소자 표면에 형성되고,
코팅막은 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품이다.
또한 본 발명은,
세라믹 소자와, 세라믹 소자 표면에 마련된 코팅막 및 전극을 포함한 세라믹 전자 부품의 제조 방법으로서,
황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액을 세라믹 소자 표면에 부여하고 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지로 형성되어 있는 코팅막을 세라믹 소자 표면에 형성하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품의 제조 방법이다.
수지 함유 용액을 세라믹 소자 표면에 부여하는 방법으로는, 침지(浸漬)나 도포 등의 방법이 있다. 또한 수지란, 카르복실기나 아미노기 등의 극성기를 갖는 상태로 조정된 것이며, 유기물 혹은 유기물과 무기물의 복합물로서, 수계(水系)의 용매 중에 용해 가능 혹은 분산 가능한 것을 의미한다.
그리고 본 발명의 세라믹 전자 부품의 제조 방법은, 외부전극이 세라믹 소자에 형성된 후에, 코팅막이 세라믹 소자 표면에 형성되어도 된다. 혹은 코팅막이 세라믹 소자 표면에 형성된 후에, 외부전극이 세라믹 소자에 형성되어도 된다. 혹은 외부전극이 세라믹 소자에 형성되면서, 외부전극 표면에 도금 처리가 된 후에, 코팅막이 세라믹 소자 표면에 형성되어도 된다.
본 발명의 수지 함유 용액은 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지를 수계의 용매에 분산한 것이며, 세라믹을 에칭(용해)하는 성분과, 용해된 세라믹 이온과 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분을 반응시키는 성분을 갖는다.
본 발명에서는, 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액이 세라믹 소자 표면을 에칭하여(용해하여) 세라믹 소자의 구성 원소를 이온화한다. 그리고 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액에 용해(분산)되어 있는 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분이, 이온화된 세라믹 소자의 구성 원소 중에서 양이온성의 원소와 반응함으로써, 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분의 전하가 중화된다. 그 결과, 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분이, 세라믹 소자의 구성 원소 중에서 양이온성의 원소와 함께 침강한다.
구체적으로는, 수계의 용매에 안정적으로 분산되어 있는 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분이, 세라믹 소자의 구성 원소 중에서 양이온성의 원소와 반응함으로써, 불안정화되어 세라믹 소자 표면에 침강한다.
이온화된 세라믹 소자의 구성 원소와 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액의 반응은, 세라믹 소자 표면에서 일어나기 쉽기 때문에, 반응물이 세라믹 소자 표면에 고정화되는 것이라 생각된다. 이에 반하여, 외부전극에서는 에칭 반응이 거의 일어나지 않기 때문에, 이온화된 세라믹 소자의 구성 원소가 적어, 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액과의 반응은 일어나지 않는다. 그 때문에 코팅막은 세라믹 소자 표면에만 선택적으로 석출된다.
세라믹 소자 표면에 고정화된 음이온성 이온을 포함하는 수지 반응물은 겔 상태이며, 세라믹 소자 표면에 밀착되어 있기 때문에, 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액에 의한 처리 후에 수세(水洗)공정을 거침으로써, 부착된 나머지 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액을 씻어낼 수 있다.
본 발명에 따르면, 세라믹 소자 표면에만 선택적으로 코팅막을 형성할 수 있다. 따라서 제조 비용이 저렴한 세라믹 전자 부품을 얻을 수 있다. 또한 화학적 작용에 의해 코팅막이 형성되기 때문에, 복잡한 형상이나 미세구조의 전극을 갖고 있는 세라믹 전자 부품에도 적합할 수 있다.
또한 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액에 포함되는 에칭 성분에 의해 세라믹 소자 표면의 용해가 일어나기 때문에, 표면이 용해된 세라믹 소자 표면상에 코팅막이 형성되게 된다. 세라믹 소자 표면이 용해되면, 표면요철이 커져 코팅막과의 밀착력이 향상된다.
이 발명의 상술한 목적, 기타 목적, 특징 및 이점은 도면을 참조하여 시행하는 이하의 발명을 실시하기 위한 형태의 설명에서 한층 더 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품의 한 실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품의 제조 방법의 실시형태를 나타내는 플로차트이다.
도 3은 외부전극의 확대 단면도이다.
도 4는 다른 외부전극의 확대 단면도이다.
도 5는 또 다른 외부전극의 확대 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품의 다른 실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품의 제조 방법의 실시형태를 나타내는 플로차트이다.
도 3은 외부전극의 확대 단면도이다.
도 4는 다른 외부전극의 확대 단면도이다.
도 5는 또 다른 외부전극의 확대 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품의 다른 실시형태를 나타내는 단면도이다.
본 발명에 따른 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법의 한 실시형태를 설명한다.
1. 세라믹 전자 부품
본 발명에 따른 세라믹 전자 부품에 대하여, 배리스터(varistor)를 예로 들어 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품인 배리스터(10)를 나타내는 단면도이다. 배리스터(10)는 대략 직방체의 세라믹 소자(1)와, 세라믹 소자(1)의 좌우 단부(端部)에 형성된 외부전극(6a, 6b)과, 세라믹 소자(1)의 4개의 측면을 덮도록 형성되어 있는 코팅막(8)을 포함하고 있다.
세라믹 소자 본체(1)는 두께 방향에 있어서, 복수의 세라믹층(2)과 세라믹층(2)을 사이에 두고 서로 대향하고 있는 복수 쌍의 내부전극(4a, 4b)을 겹친 적층체이다.
세라믹층(2)은 Mn, Co, Sn, Cr이 고용(固溶)한 ZnO 결정 입자의 소결체 입계에, Bi2O3가 제2상(a second phase)으로서 존재하는 세라믹 재료로 이루어진다.
내부전극(4a)은 그 단부가 세라믹 소자(1)의 좌단면에 인출되어, 외부전극(6a)에 전기적으로 접속되어 있다. 내부전극(4b)은 그 단부가 세라믹 소자(1)의 우단면에 인출되어, 외부전극(6b)에 전기적으로 접속되어 있다. 그리고 내부전극(4a, 4b)이 대향하고 있는 부분에서, 배리스터 기능이 발휘된다. 내부전극(4a, 4b)은 Ag, Cu, Ni, Pd, 또는 이들 금속의 합금 등으로 이루어진다.
외부전극(6a, 6b)은 각각, 그 표면에 도금 피막(7a, 7b)이 형성되어 있다. 도금 피막(7a, 7b)은 외부전극(6a, 6b)을 보호하면서, 외부전극(6a, 6b)의 솔더링성을 양호하게 한다.
외부전극(6a, 6b) 이외의 영역의 세라믹 소자(1)의 표면상에는 코팅막(8)이 형성되어 있다. 코팅막(8)은 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 등 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지로 형성되어 있다
코팅막(8)에 포함되어 있는 수지는 폴리염화비닐리덴계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지, 실리콘계 수지, 폴리아미드이미드계 수지, 폴리에테르에테르케톤계 수지, 불소계 수지 등이다. 배리스터(10)는 통상, 솔더링에 의한 실장 공정을 거치기 때문에, 코팅막(8)은 고내열성(240℃이상)을 갖는 것이 바람직하다. 따라서 열분해 온도가 240℃ 이상인 수지가 바람직하다. 여기서, 내열성은 (폴리염화비닐리덴계 수지, 아크릴계 수지)＜에폭시계 수지＜(폴리이미드계 수지, 폴리아미드이미드계 수지, 폴리에테르에테르케톤계 수지, 실리콘계 수지, 불소계 수지)의 관계가 된다.
이상의 구성으로 이루어지는 배리스터(10)는 코팅막(8)이 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지로 형성되어 있으며, 배리스터(10)의 세라믹 소자 표면에만 선택적으로 코팅막(8)을 형성할 수 있다. 따라서 제조 비용이 저렴한 배리스터(10)를 얻을 수 있다.
2. 세라믹 전자 부품의 제조 방법
다음으로, 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품의 제조 방법을 배리스터(10)를 예로 들어 설명한다. 도 2는 배리스터(10)의 제조 방법을 나타내는 플로차트이다.
공정S1에서 Mn, Co, Sn, Cr이 고용한 ZnO 결정 입자의 소결체 입계에, Bi2O3가 제2상으로서 존재하는 세라믹 재료에 유기 바인더, 분산제 및 가소제 등이 첨가되어 시트 성형용 슬러리가 제작된다.
다음으로, 공정S2에서 시트 성형용 슬러리는, 닥터 블레이드법에 의해 시트 형상으로 성형되어 직사각형의 세라믹 그린 시트가 된다.
다음으로, 공정S3에서 세라믹 그린 시트상에 Ag를 함유하는 내부전극 페이스트가 스크린 인쇄법으로 도포되어 내부전극(4a, 4b)이 될 전극 페이스트막이 형성된다.
다음으로, 공정S4에서 전극 페이스트막이 형성된 세라믹 그린 시트는, 전극 페이스트막 단부의 인출 방향이 서로 달라지도록 복수장 적층되어 압착된다. 이 적층 세라믹 그린 시트는, 각각의 세라믹 소자(1)가 될 치수로 절단되어 복수의 미(未)소성 세라믹 소자(1)가 된다.
다음으로, 공정S5에서 미소성의 세라믹 소자(1)는 400~500℃의 온도에서 탈바인더 처리된다. 그 후, 미소성의 세라믹 소자(1)는 900~1000℃의 온도에서 2시간 소성되어, 소결된 세라믹 소자(1)가 된다. 세라믹 그린 시트와 전극 페이스트막은 동시 소성되어 세라믹 그린 시트는 세라믹층(2)이 되고, 전극 페이스트막은 내부전극(4a, 4b)이 된다.
그리고 이후의 공정에서는 [방법 1]~[방법 3]의 3종류의 제조 방법이 나타나 있다.
여기서, [방법 1]~[방법 3]에서 사용되는 수지 함유 용액에는 음이온성 이온이 포함되어 있다. 음이온성 이온으로는 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 등 중 적어도 1종의 음이온성 이온이 사용된다. 그리고 이 음이온성 이온을 (수성)수지 함유 용액에 넣는 방법으로서 예를 들면, 수지 성분의 분자 자체에 수식(修飾)하는 방법(일본국 공개특허공보 평11-209458호 참조), 계면활성제로서 섞는 방법(일본국 공개특허공보 평6-329877호 참조), 에칭제로서 섞는 방법(일본국 공개특허공보 평5-237457호 참조)이 있다.
(a) [방법 1]의 경우
[방법 1]의 제조 방법의 경우는, 공정S6에서 소결된 세라믹 소자(1)의 양 단부에 외부전극 페이스트(AgPd 합금 페이스트)가 도포된다. 그 후, 소결된 세라믹 소자(1)는 900℃의 온도에서 외부전극 페이스트가 베이킹되어, 내부전극(4a, 4b)에 각각 전기적으로 접속된 외부전극(6a, 6b)이 형성된다.
다음으로, 공정S7에서 세라믹 소자(1)는 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액이 침지법에 의해 부여되거나 혹은 스핀 코팅에 의해 도포된다. 수지 함유 용액은 세라믹 소자(1)의 표면을 에칭하고, 세라믹 소자(1)의 구성 원소를 이온화하는 기능을 가지면서, 수계의 용매에 용해 혹은 분산된 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분을 포함한다. 또한, 수지 함유 용액은 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분을 용해 혹은 분산하기 위한 중화제 및 필요에 따라 용해된 세라믹 소자의 구성 원소 중에서 양이온성의 원소와 반응시키기 위한 계면활성제 등을 포함한다. 또한 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액이 부여된 후, 세라믹 소자(1)는 필요에 따라 순수(pure water) 등의 극성용매에 의해 세정된다.
따라서 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액은 세라믹 소자(1)의 표면을 에칭하여(용해하여) 세라믹 소자(1)의 구성 원소를 이온화한다. 수지 함유 용액의 에칭(용해) 작용은 배리스터(10)의 경우, 주성분이 ZnO이기 때문에, 할로겐 등의 에칭 촉진 성분을 첨가하지 않아도, 수지 함유 용액의 구성 성분만으로 에칭(용해) 반응을 일으킬 수 있다. 즉, 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액의 pH가, Zn이 이온으로서 안정적으로 존재하는 pH영역(pH＜5, pH＞11)으로 설정됨으로써, 에칭(용해)반응은 진행된다.
그리고 수지 함유 용액에 용해(분산)되고 있는 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분이, 이온화된 세라믹 소자(1)의 구성 원소 중에서 양이온성의 원소와 반응함으로써, 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분의 전하가 중화된다. 그 결과, 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분이, 세라믹 소자(1)의 구성 원소 중에서 양이온성의 원소와 함께 침강하여 세라믹 소자 표면에만 선택적으로 석출된다. 따라서 석출된 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분에는, 용해되어 이온화된 세라믹 소자(1)의 구성 원소 중에서 양이온성의 원소가 포함되어 있다.
한편, 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분은 외부전극(6a, 6b)이 형성되어 있는 부분에는 석출되지 않는다. 이런 경우에, 세라믹 소자(1)와 외부전극(6a, 6b)의 계면에서는, 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분이 외부전극(6a, 6b)의 표면으로 약간 연장되어 있는 경우가 있다. 이것은 석출 반응이 외부전극(6a, 6b)의 표면에서 진행되고 있는 것이 아니라, 세라믹 소자 표면에 석출된 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분이, 외부전극(6a, 6b)측으로 약간 연장되어 있는 상태라고 보여진다.
수지 함유 용액에 포함되는 수지는 폴리염화비닐리덴계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지, 실리콘계 수지, 폴리아미드이미드계 수지, 폴리에테르에테르케톤계 수지, 불소계 수지 등이지만, 기본적으로는 본 처리에 의해 석출되는 수지이면 되고, 그 종류는 상관없다.
이렇게 하여, 음이온성 이온을 포함하는 수지로 형성된 코팅막(8)이 세라믹 소자 표면에 형성된다. 그 후, 코팅막(8)은 가열 처리가 된다. 가열 처리는 석출된 수지 함유 용액의 수지 성분끼리의 가교 반응을 촉진하기 위해서이며, 수지 성분의 종류에 따라 가열 조건은 다르다. 일반적으로, 가교 반응은 고온하에서 진행되기 쉽다. 그러나 지나치게 고온이 되면, 수지 성분의 분해 반응이 커져버린다. 따라서 수지 성분에 맞추어, 최적의 온도와 시간을 설정할 필요가 있다.
다음으로, 공정S8에서 도금 피막(7a, 7b)이, 전해 또는 무전해 도금법에 의해 외부전극(6a, 6b)상에 형성된다. 도금 피막(7a, 7b)은 예를 들면, 하층의 Ni도금막과 상층의 Sn도금막으로 구성된 2중 구조를 채용하고 있다. 도 3은 [방법 1]의 제조 방법에 따라 외부전극(6b)이 형성되어 있는 부분의 확대 단면도이다.
이렇게 하여, 세라믹 소자 표면에만 선택적으로 코팅막(8)을 형성할 수 있다. 따라서 제조 비용이 저렴한 배리스터(10)를 높은 양산성으로 제조할 수 있다. 또한 화학적 작용에 의해 코팅막(8)이 형성되기 때문에, 복잡한 형상이나 미세구조의 외부전극(6a, 6b)을 갖고 있는 배리스터(10)에도 적합할 수 있다.
(b) [방법 2]의 경우
또한 [방법 2]의 제조 방법의 경우는, 공정S9에서 세라믹 소자(1)는 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액이 침지법에 의해 부여되거나 혹은 스핀 코팅에 의해 도포된다. 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액은 세라믹 소자(1)의 표면을 에칭하여(용해하여) 세라믹 소자(1)의 구성 원소를 이온화한다. 그리고 수지 함유 용액에 용해(분산)되어 있는 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분이, 이온화된 세라믹 소자(1)의 구성 원소 중에서 양이온성의 원소와 반응함으로써, 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분의 전하가 중화된다. 그 결과, 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분이, 세라믹 소자(1)의 구성 원소 중에서 양이온성의 원소와 함께 침강하여, 대략 세라믹 소자(1)의 전(全)표면에 석출된다. 따라서 석출된 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분에는, 용해되어 이온화된 세라믹 소자(1)의 구성 원소 중에서 양이온성의 원소가 포함되어 있다. 또한 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액이 부여된 후, 세라믹 소자(1)는 필요에 따라 순수 등의 극성용매에 의해 세정된다.
이렇게 하여, 음이온성 이온을 포함하는 수지로 형성된 코팅막(8)이, 대략 세라믹 소자(1)의 전표면에 형성된다. 그 후, 코팅막(8)은 가열 처리가 된다. 또한 이 때, 세라믹 소자(1)의 좌우 양 단면에서 노출되는 내부전극(4a, 4b)의 인출부에는, 코팅막(8)은 형성되어 있지 않다.
다음으로, 공정S10에서 세라믹 소자(1)의 양 단부에 외부전극 페이스트가 도포된다. 그 후, 세라믹 소자(1)는 코팅막(8)이 열분해하지 않는 온도에서, 내부전극(4a, 4b)에 각각 전기적으로 접속된 외부전극(6a, 6b)이 형성된다.
다음으로, 공정S11에서 도금 피막(7a, 7b)이 전해 또는 무전해 도금법에 의해 외부전극(6a, 6b)상에 형성된다. 도 4는 [방법 2]의 제조 방법에 따라 외부전극(6b)이 형성되어 있는 부분의 확대 단면도이다.
(c) [방법 3]의 경우
또한 [방법 3]의 제조 방법의 경우는, 공정S12에서 세라믹 소자(1)의 양 단부에 외부전극 페이스트가 도포된다. 그 후, 세라믹 소자(1)는 900℃의 온도에서 외부전극 페이스트가 베이킹되어, 내부전극(4a, 4b)에 각각 전기적으로 접속된 외부전극(6a, 6b)이 형성된다.
다음으로, 공정S13에서 도금 피막(7a, 7b)이 전해 또는 무전해 도금법에 의해 외부전극(6a, 6b)상에 형성된다.
다음으로, 공정S14에서 세라믹 소자(1)는 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액이 침지법에 의해 부여되거나 혹은 스핀 코팅에 의해 도포된다. 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액은 세라믹 소자(1)의 표면을 에칭하여(용해하여) 세라믹 소자(1)의 구성 원소를 이온화한다. 그리고 수지 함유 용액에 용해(분산)되어 있는 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분이, 이온화된 세라믹 소자(1)의 구성 원소 중에서 양이온성의 원소와 반응함으로써, 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분의 전하가 중화된다. 그 결과, 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분이, 세라믹 소자(1)의 구성 원소 중에서 양이온성의 원소와 함께 침강하여, 세라믹 소자 표면에만 선택적으로 석출된다. 따라서 석출된 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분에는, 용해되어 이온화된 세라믹 소자(1)의 구성 원소 중에서 양이온성의 원소가 포함되어 있다. 한편, 음이온성 이온을 포함하는 수지 성분은 외부전극(6a, 6b)이 형성되어 있는 부분에는 석출되지 않는다. 또한 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액이 부여된 후, 세라믹 소자(1)는 필요에 따라 순수 등의 극성용매에 의해 세정된다.
이렇게 하여, 음이온성 이온을 포함하는 수지로 형성된 코팅막(8)이 세라믹 소자(1)의 표면에 형성된다. 그 후, 코팅막(8)은 가열 처리가 된다. 도 5는 [방법 3]의 제조 방법에 따라 외부전극(6b)이 형성되어 있는 부분의 확대 단면도이다.
다음으로, 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품에 대하여 배리스터 이외의 예로서, 적층 세라믹 콘덴서, 적층 코일, PTC 서미스터(thermistor), NTC 서미스터 및 LTCC 기판을 설명한다.
(a) 적층 세라믹 콘덴서
본 발명에 따른 세라믹 전자 부품인 적층 세라믹 콘덴서는, 도 1에 나타낸 상기 배리스터(10)와 동일한 구조를 갖고 있기 때문에, 그 상세한 설명을 생략한다.
이 적층 세라믹 콘덴서는, 외부전극 이외의 영역의 세라믹 소자 표면상에 코팅막이 형성되어 있다. 코팅막은 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 등 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지로 형성되어 있으며, 적층 세라믹 콘덴서의 세라믹 소자 표면에만 선택적으로 형성되어 있다.
세라믹 소자를 구성하고 있는 세라믹층은, 주성분인 Pb(Mg,Nb)O3-PbTiO3-Pb(Cu,W)-ZnO-MnO2에, 환원 방지제인 Li2O-BaO-B2O3-SiO2를 혼합한 세라믹 재료나, CaZrO3-CaTiO3를 주성분으로 하는 세라믹 재료 등으로 이루어진다. 따라서 코팅막에 포함되어 있는 세라믹 소자의 구성 원소 중에서 양이온성의 원소는, 세라믹층의 Pb(Mg,Nb)O3-PbTiO3-Pb(Cu,W)-ZnO-MnO2, Li2O-BaO-B2O3-SiO2, CaZrO3-CaTiO3 등으로부터 각각 용출되어 석출된 Pb, Mg, Nb, Ti, Ba, Li, Zn, Mn, Si, Ca, Zr 등이다.
코팅막에 포함되어 있는 수지는 배리스터의 경우와 동일하게, 폴리염화비닐리덴계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지, 실리콘계 수지, 폴리아미드이미드계 수지, 폴리에테르에테르케톤계 수지, 불소계 수지 등이다.
(b) 적층 코일
본 발명에 따른 세라믹 전자 부품인 적층 코일은 주지의 적층 코일과 동일한 구조를 갖고 있기 때문에, 그 상세한 설명을 생략한다.
이 적층 코일에는 외부전극 이외의 영역의 세라믹 소자 표면상에, 코팅막이 형성되어 있다. 코팅막은 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 등 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지로 형성되어 있으며, 적층 코일의 세라믹 소자 표면에만 선택적으로 형성되어 있다.
세라믹 소자를 구성하고 있는 세라믹층은 Cu-Zn계 페라이트, Ni-Zn계 페라이트 등의 자성 세라믹 재료로 이루어진다. 따라서 코팅막에 포함되어 있는 세라믹 소자의 구성 원소 중에서 양이온성의 원소는 세라믹층의 Cu-Zn계 페라이트, Ni-Zn계 페라이트 등으로부터 각각 용출되어 석출된 Sr, Sn, Fe, Ni, Cu, Zn, Mn, Co 등이다.
코팅막에 포함되어 있는 수지는 배리스터의 경우와 동일하게, 폴리염화비닐리덴계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지, 실리콘계 수지, 폴리아미드이미드계 수지, 폴리에테르에테르케톤계 수지, 불소계 수지 등이다.
(c) PTC 서미스터 및 NTC 서미스터
본 발명에 따른 세라믹 전자 부품인 PTC 서미스터 및 NTC 서미스터는, 주지의 서미스터와 동일한 구조를 갖고 있기 때문에, 그 상세한 설명을 생략한다.
PTC 서미스터 및 NTC 서미스터에서는, 외부전극 이외의 영역의 세라믹 소자 표면상에, 코팅막이 형성되어 있다. 코팅막은 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 등 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지로 형성되어 있으며, PTC 서미스터 및 NTC 서미스터의 세라믹 소자 표면에만 선택적으로 형성되어 있다.
PTC 서미스터의 세라믹 소자를 구성하고 있는 세라믹층은 예를 들면, 주성분으로서의 BaTiO3에, 반도체화제로서의 Y2O3, 경화제로서의 SiO2 및 Al2O3, 특성개선제로서의 MnO2를 각각 첨가하여 혼합한 세라믹 재료로 이루어진다. 따라서 PTC 서미스터의 코팅막에 포함되어 있는 세라믹 소자의 구성 원소 중에서 양이온성의 원소는, 세라믹층의 BaTiO3, Y2O3, SiO2, Al2O3, MnO2로부터 각각 용출되어 석출된 Ba, Ti, Y, Si, Mn 등이다.
한편, NTC 서미스터의 세라믹 소자를 구성하고 있는 세라믹층은 예를 들면, Mn3O4, NiO, Co2O3 등을 혼합한 세라믹 재료로 이루어진다. 따라서 NTC 서미스터의 코팅막에 포함되어 있는 세라믹 소자의 구성 원소 중에서 양이온성의 원소는, 세라믹층의 Mn3O4, NiO, Co2O3 등으로부터 각각 용출되어 석출된 Mn, Ni, Co 등이다.
코팅막에 포함되어 있는 수지는 배리스터의 경우와 동일하게, 폴리염화비닐리덴계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지, 실리콘계 수지, 폴리아미드이미드계 수지, 폴리에테르에테르케톤계 수지, 불소계 수지 등이다.
(d) LTCC 기판(저온 동시 소성 세라믹 다층기판)
도 6은 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품인 LTCC 기판(30)을 나타내는 단면도이다. LTCC 기판(30)은 세라믹 소자(21)와, 세라믹 소자(21)에 형성된 스루홀(through-hole) 전극(26a, 26b, 26c)과, 세라믹 소자(21)를 덮도록 형성되어 있는 코팅막(28)을 포함하고 있다.
세라믹 소자(21)는 두께 방향에 있어서, 복수의 세라믹층(22)과 복수의 내부회로 전극층(24a, 24b)을 겹친 적층체이다. 스루홀 전극(26a, 26b, 26c)은 내부회로 전극층(24a, 24b)과 세라믹 소자(1)의 표리면을 전기적으로 접속하고 있다.
세라믹층(22)은 LTCC 세라믹 재료(예를 들면, 결정화 유리에 Al2O3, ZrSiO4 등을 혼합한 것)로 이루어진다.
스루홀 전극(26a, 26b, 26c)은 필요에 따라, 그 표면에 도금 피막이 형성된다.
스루홀 전극(26a, 26b, 26c) 이외의 영역의 세라믹 소자(21)의 표면상에는 코팅막(28)이 형성되어 있다. 코팅막(28)은 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 등 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지로 형성되어 있다.
또한, 코팅막(28)에 포함되어 있는 세라믹 소자(21)의 구성 원소 중에서 양이온성의 원소는, 세라믹층(22)의 일부가 용출되어 석출된 것이다. 보다 구체적으로, 세라믹 소자(21)의 구성 원소 중에서 양이온성의 원소는, 세라믹층(22)의 LTCC 세라믹 재료로부터 각각 용출되어 석출된 Si, Al, B, Ca 등이다.
코팅막에 포함되어 있는 수지는 배리스터의 경우와 동일하게, 폴리염화비닐리덴계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지, 실리콘계 수지, 폴리아미드이미드계 수지, 폴리에테르에테르케톤계 수지, 불소계 수지 등이다.
이상의 구성으로 이루어지는 LTCC 기판(30)은, 코팅막(28)이 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지로 형성되어 있으며, LTCC 기판(30)의 세라믹 소자 표면에만 선택적으로 코팅막(28)을 형성할 수 있다. 따라서 제조 비용이 저렴한 LTCC 기판(30)을 얻을 수 있다.
실시예
1. 실시예 및 비교예
실시예 및 비교예의 각 세라믹 전자 부품(배리스터, 적층 세라믹 콘덴서, 적층 코일, PTC 서미스터, NTC 서미스터, LTCC 기판)이 제작되어 특성 평가가 실시되었다.
2. 실시예 및 비교예의 제작
(a) 실시예 1~실시예 14
표 1에 나타내는 바와 같이, 상기 실시형태의 [방법 1]의 제조 방법에 따라, 코팅막(8)을 세라믹 소자(1)의 표면에 마련한 배리스터(10)를 제작했다.
수지 함유 용액으로는, 수지 성분이 수계의 용매에 분산된 시판 라텍스에, 필요에 따라 에칭 촉진 성분과 계면활성제를 첨가한 것이 사용되었다.
실시예 1~실시예 3의 수지 함유 용액은, 수지 성분으로서의 아크릴계 수지(상품명: Nipol LX814A(닛폰제온 제품))에, 에칭 촉진 성분으로서의 황산을 첨가하여 pH를 각각 2.0, 3.0, 4.0으로 조정한 것을 이용했다.
실시예 4~실시예 6의 수지 함유 용액은, 수지 성분으로서의 아크릴계 수지(상품명: Nipol LX814A(닛폰제온 제품))에, 에칭 촉진 성분으로서의 황산을 첨가하여 pH를 각각 2.0, 3.0, 4.0으로 조정한 것을 이용했다. 이것에 계면활성제로서 뉴렉스(등록상표, 니치유 제품)를 1vol% 첨가했다. 수지 함유 용액은 고형분 농도가 10wt%가 되도록 조정했다.
실시예 7의 수지 함유 용액은 수지 성분으로서의 폴리염화비닐리덴계 수지(상품명: 사란 라텍스 L232A(아사히카세이 케미칼 제품))에, 에칭 촉진 성분으로서의 10% 황산을 1vol% 농도로 첨가한 후, 수산화칼륨 용액으로 pH를 3.0으로 조정한 것을 이용했다.
실시예 8의 수지 함유 용액은 수지 성분으로서의 폴리염화비닐리덴계 수지(상품명: 사란 라텍스 L232A(아사히카세이 케미칼 제품))의 미(未)조정품을 이용했다(pH는 2.0).
실시예 9의 수지 함유 용액은 수지 성분으로서의 실리콘계 수지(상품명: X-51-1318(신에츠 카가쿠 코교 제품))에, 에칭 촉진 성분으로서의 황산을 첨가하여 pH를 3.0으로 조정한 것을 이용했다.
실시예 10의 수지 함유 용액은 수지 성분으로서의 실리콘계 수지(상품명: X-51-1318(신에츠 카가쿠 코교 제품))에, 에칭 촉진 성분으로서의 황산을 첨가하여 pH를 3.0으로 조정한 것을 이용했다. 이것에 계면활성제로서 뉴렉스(등록상표, 니치유 제품)를 1vol% 첨가했다. 수지 함유 용액은 고형분 농도가 10wt%가 되도록 조정했다.
실시예 11의 수지 함유 용액은 아크릴계 수지(상품명: Nipol LX814A(닛폰제온 제품))에, 에칭 촉진 성분으로서의 염산을 첨가하여 pH를 4.0으로 조정한 것을 이용했다.
실시예 12의 수지 함유 용액은 아크릴계 수지(상품명: Nipol LX814A(닛폰제온 제품))에, 에칭 촉진 성분으로서의 염산을 첨가하여 pH를 4.0으로 조정한 것을 이용했다. 이것에 계면활성제로서 뉴렉스(등록상표, 니치유 제품)를 1vol% 첨가했다. 수지 함유 용액은 고형분 농도가 10wt%가 되도록 조정했다.
실시예 13의 수지 함유 용액은 아크릴계 수지(상품명: Nipol LX814A(닛폰제온 제품))에, 에칭 촉진 성분으로서 질산을 첨가하여 pH를 4.0으로 조정한 것을 이용했다.
실시예 14의 수지 함유 용액은 아크릴계 수지(상품명: Nipol LX814A(닛폰제온 제품))에, 에칭 촉진 성분으로서의 질산을 첨가하여 pH를 4.0으로 조정한 것을 이용했다. 이것에 계면활성제로서 뉴렉스(등록상표, 니치유 제품)를 1vol% 첨가했다. 수지 함유 용액은 고형분 농도가 10wt%가 되도록 조정했다.
코팅막(8)은 세라믹 소자(1)를 실온의 수지 함유 용액에 3분간 침지한 후, 순수로 수세하여 80~150℃에서 30분간 열처리함으로써, 세라믹 소자(1)의 표면에 형성되었다.
(b) 실시예 15~실시예 39
표 1에 나타내는 바와 같이, 상기 실시형태의 [방법 1]의 제조 방법에 따라, 코팅막을 각각의 세라믹 소자의 표면에 마련한, 적층 세라믹 콘덴서(실시예 15, 20, 25, 30, 35), 적층 코일(실시예 16, 21, 26, 31, 36), PTC 서미스터(실시예 17, 22, 27, 32, 37), NTC 서미스터(실시예 18, 23, 28, 33, 38), LTCC 기판(실시예 19, 24, 29, 34, 39)이 제작되었다.
실시예 15~실시예 19의 수지 함유 용액은 수지 성분으로서의 아크릴계 수지(상품명: Nipol LX814A(닛폰제온 제품))에, 에칭 촉진 성분으로서의 황산을 첨가하여 pH를 3.0으로 조정한 것을 이용했다.
실시예 20~실시예 24의 수지 함유 용액은 수지 성분으로서의 아크릴계 수지(상품명: Nipol LX814A(닛폰제온 제품))에, 에칭 촉진 성분으로서의 황산을 첨가하여 pH를 3.0으로 조정한 것을 이용했다. 이것에 계면활성제로서 뉴렉스(등록상표, 니치유 제품)를 1vol% 첨가했다. 수지 함유 용액은 고형분 농도가 10wt%가 되도록 조정했다.
실시예 25~실시예 29의 수지 함유 용액은 수지 성분으로서의 에폭시계 수지(상품명: 모데픽스 302(아라카와 카가쿠 코교 제품))에, 에칭 촉진 성분으로서의 황산을 첨가하여 pH를 3.0으로 조정한 것을 이용했다. 이것에 계면활성제로서 뉴렉스(등록상표, 니치유 제품)를 5vol% 첨가했다. 수지 함유 용액은 고형분 농도가 10wt%가 되도록 조정했다.
실시예 30~실시예 34의 수지 함유 용액은 수지 성분으로서의 실리콘계 수지(상품명: POLON-MF-56(신에츠 카가쿠 코교 제품))에, 에칭 촉진 성분으로서의 황산을 첨가하여 pH를 3.0으로 조정한 것을 이용했다. 이것에 계면활성제로서 뉴렉스(등록상표, 니치유 제품)를 5vol% 첨가했다. 수지 함유 용액은 고형분 농도가 10wt%가 되도록 조정했다.
실시예 35~실시예 39의 수지 함유 용액은 수지 성분으로서의 아크릴계 수지(상품명: Nipol SX-1706A(닛폰제온 제품))에, 에칭 촉진 성분으로서의 황산을 첨가하여 pH를 3.0으로 조정한 것을 이용했다. 이것에 계면활성제로서 뉴렉스(등록상표, 니치유 제품)를 5vol% 첨가했다. 수지 함유 용액은 고형분 농도가 10wt%가 되도록 조정했다.
코팅막은 세라믹 소자를 실온의 수지 함유 용액에 10분간 침지한 후, 순수로 수세하여 80~150℃에서 30분간 열처리함으로써, 세라믹 소자의 표면에 형성되었다.
(c) 비교예 1~비교예 6
표 1에 나타내는 바와 같이, 세라믹 소자의 표면에 코팅막이 형성되어 있지 않은 배리스터(비교예 1), 적층 세라믹 콘덴서(비교예 2), 적층 코일(비교예 3), PTC 서미스터(비교예 4), NTC 서미스터(비교예 5), LTCC 기판(비교예 6)이 제작되었다.
3. 실시예 및 비교예에서의 특성 평가 및 평가 방법
제작된 실시예 1~39 및 비교예 1~6의 각 세라믹 전자 부품에 대하여, 이하의 특성 평가가 실시되었다.
(a) 세라믹 소자부의 도금 비(非)석출성(선택 석출성)
세라믹 소자부의 표면(외부전극 이외의 영역으로서, 코팅막의 표면을 포함)의 전해 도금 석출성은, 전해 Ni 도금 및 전해 Sn 도금 후의 외관 육안 검사에 의해 판단했다. 세라믹 소자부의 표면에 전해 도금이 석출되지 않았을 경우에는 "○"으로 했다. 세라믹 소자부의 표면에 섬(island) 형상의 전해 도금이 석출되어 있을 경우, 혹은 외부전극 단부로부터 돌기 형상의 전해 도금이 세라믹 소자측으로 연장되어 석출되어 있을 경우에는 "△"로 했다. 세라믹 소자부의 전표면에 전해 도금이 석출되어 있는 경우에는 "×"로 했다.
(b) 도금 부착성
도금 부착성은 전해 Ni 도금 및 전해 Sn 도금 후의 외관 육안 검사에 의해 판단했다. 이 도금 부착성의 평가는, 외부전극에는 코팅막이 형성되어 있지 않는 것을 평가하는 것도 포함되어 있다. 외부전극의 전표면에 전해 도금이 부착되어 있는 경우에는 "○"으로 했다. 적어도 외부전극 표면의 일부에 전해 도금이 부착되어 있지 않는 경우에는 "×"로 했다.
4. 실시예 및 비교예에 있어서의 특성 평가 결과
표 1은 실시예 1~39 및 비교예 1~6의 특성 평가의 결과를 나타낸다.
표 1로부터, 비교예 1~비교예 6의 경우(코팅막이 형성되어 있지 않는 세라믹 전자 부품의 경우)에는, 도금 부착성은 양호하지만, 세라믹 소자부의 도금 비석출성이 나쁜 것으로 판단된다.
한편, 실시예 1~실시예 39의 경우(코팅막이 형성되어 있는 세라믹 전자 부품의 경우)에는, 세라믹 소자부의 도금 비석출성 및 도금 부착성 모두 양호하다는 것으로 판단된다.
또한 이 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지의 범위 내에서 다양하게 변형된다.
1: 세라믹 소자 2: 세라믹층
4a, 4b: 내부전극 6a, 6b: 외부전극
8: 코팅막 10: 배리스터
21: 세라믹 소자 22: 세라믹층
24a, 24b: 내부회로 전극층 26a, 26b, 26c: 스루홀 전극
28: 코팅막 30: LTCC 기판
4a, 4b: 내부전극 6a, 6b: 외부전극
8: 코팅막 10: 배리스터
21: 세라믹 소자 22: 세라믹층
24a, 24b: 내부회로 전극층 26a, 26b, 26c: 스루홀 전극
28: 코팅막 30: LTCC 기판
Claims (11)
- 세라믹 소자와, 상기 세라믹 소자 표면에 마련된 코팅막 및 전극을 포함한 세라믹 전자 부품으로서,
상기 코팅막이 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품. - 제1항에 있어서,
상기 수지의 열분해 온도가 240℃ 이상인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 수지가 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지, 실리콘계 수지, 폴리아미드이미드계 수지, 폴리에테르에테르케톤계 수지, 불소계 수지 중 적어도 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 코팅막이 가열에 의해 가교(架橋)한 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 전극에 도금 피막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품. - 세라믹 소자와, 상기 세라믹 소자 표면에 마련된 코팅막 및 전극을 포함한 세라믹 전자 부품으로서,
상기 코팅막은 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액을 상기 세라믹 소자 표면에 부여함으로써, 상기 세라믹 소자 표면에 형성되고,
상기 코팅막은 황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품. - 세라믹 소자와, 상기 세라믹 소자 표면에 마련된 코팅막 및 전극을 포함한 세라믹 전자 부품의 제조 방법으로서,
황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지 함유 용액을 상기 세라믹 소자 표면에 부여하는 공정과,
황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산 중 적어도 1종의 음이온성 이온을 포함하는 수지로 형성되어 있는 코팅막을 세라믹 소자 표면에 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품의 제조 방법. - 제7항에 있어서,
상기 수지 함유 용액이 상기 세라믹 소자 표면에 부여된 후, 세정되는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품의 제조 방법. - 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 전극이 상기 세라믹 소자에 형성된 후에, 상기 코팅막이 상기 세라믹 소자 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품의 제조 방법. - 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 코팅막이 상기 세라믹 소자 표면에 형성된 후에, 상기 전극이 상기 세라믹 소자에 형성되는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품의 제조 방법. - 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 전극이 상기 세라믹 소자에 형성되면서, 상기 전극의 표면에 도금 처리가 된 후에, 상기 코팅막이 상기 세라믹 소자 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품의 제조 방법.
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