JP2004183048A - 薄膜形成方法、及び積層セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ベースフィルム1の表面に離形剤を塗布して離形処理層2を形成した後、絶縁マスク3を介してコロナ放電処理を施し、該絶縁マスク3の開口部3aに対応する所定領域に親水性を付与する。次いで、活性化触媒イオンに配位する官能基を含有した有機化合物溶液にベースフィルム1を浸漬し、前記有機化合物を前記親水性付与領域に吸着させて有機化合物層7を形成し、その後有機化合物層7に活性化触媒を吸着させて活性化触媒層8を形成し、この後無電解めっきを施して活性化触媒層8上にめっき皮膜9を形成する
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜形成方法及び積層セラミック電子部品の製造方法に関し、特に、積層セラミック電子部品の内部電極に使用される金属薄膜の薄膜形成方法、及び該薄膜形成方法を使用して製造された積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品では、近年における小型化・大容量化の進展に伴って内部電極の薄膜化が要請されており、従来のスクリーン印刷法による電極形成に代えて、金属薄膜を内部電極に使用する方法が研究・開発されてきている。
【0003】
すなわち、この種の内部電極用金属薄膜としては、従来より、蒸着によりフィルム上に第1の金属層を形成し、次いで、湿式めっきにより前記第1の金属層の上に第2の金属層を形成した金属薄膜が提案されている(特許文献1)。
【0004】
また、該特許文献1では、フォトリソグラフィー技術を利用して前記第1及び第2の金属層にパターニング処理を施し、次いで、金属薄膜が形成された面上に、ドクターブレード法により、セラミックグリーンシート(以下、「セラミックシート」という)を形成し、セラミックシートを積み重ねる毎に熱圧着処理を行ない、その後、金属薄膜及びセラミックシートをフィルムから剥離し、積層されたセラミックシートに焼成処理を施している。
【0005】
また、他の従来技術としては、有機フィルム上に所定パターン状に活性化処理を施し、その所定パターン状部分のみに無電解めっきにより内部電極となる金属箔を形成するようにした内部電極製造方法が提案されている(特許文献2)。
【0006】
該特許文献2では、有機フィルム上に、スタンプを用いて所定パターン状にパラジウム活性化処理液をスタンプし、次いで、無電解Niめっきを施し、所定パターンの金属箔を形成する一方、別途、有機フィルム上にセラミックスラリーを塗布してセラミックシートを作製し、該セラミックシートに金属箔を転写することにより、内部電極用金属薄膜をセラミックシート上に形成している。
【0007】
【特許文献1】
特開平4−314876号公報(段落番号〔0027〕〜〔0036〕)
【特許文献2】
特開平6−231999号公報(段落番号〔0015〕〜〔0018〕
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献1では、フォトリソグラフィー技術を利用して金属層にパターニング処理を施した場合、レジスト膜を除去する際に洗浄が不十分であると、レジスト膜の残渣(以下、「レジスト残渣」という)が第2の金属層やフィルムに付着することがある。そして、レジスト残渣が付着した状態でセラミックシートを積層すると絶縁不良等を引き起こす虞があるという問題点があった。
【0009】
さらに、フォトリソグラフィー工程では、通常、レジスト膜の除去に強アルカリ性溶液を使用するため、廃液による環境への悪影響が生じる虞があるという問題点があった。
【0010】
また、特許文献2では、有機フィルムに無電解めっきを施して金属薄膜を形成しなければならないため、シリコン系やフッ素系等の撥水性の強い離形剤を使用することができない。
【0011】
すなわち、有機フィルム上に形成された金属薄膜を、有機フィルムから容易に引き剥がすためには、表面エネルギが小さく、撥水性に優れた離形剤を使用するのが好ましい。
【0012】
しかしながら、後工程における無電解めっき処理で有機フィルム上にめっき皮膜を被着させる必要があることから、強力な撥水性を有する処理剤を離形剤として使用することができず、金属薄膜を有機フィルムから引き剥がす場合に、金属薄膜が部分的に有機フィルムから剥離せず、所望パターンの内部電極を得ることができないという問題点があった。
【0013】
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであって、撥水性の強い離形剤を使用して離形処理を行い、その後、めっき処理を施しても所望パターンの金属薄膜を容易に得ることのできる薄膜形成方法、及び該薄膜形成方法を使用して積層セラミック電子部品を製造する積層セラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明者は鋭意研究を行ったところ、離形処理が施されたフィルム表面に活性化処理を施す前に、フィルム上の所定領域に親水性を付与した後、活性化触媒イオンとの間で配位結合する有機化合物を前記所定位置に吸着させておくことにより、フィルムとの剥離性に優れ、かつ所望パターンの金属薄膜を容易に得ることができるという知見を得た。
【0015】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る薄膜形成方法は、フィルム表面に離形剤を塗布して離形処理層を形成した後、所定パターン状に親水性を付与する親水性付与処理を施し、次いで、活性化触媒イオンに配位する官能基を含有した有機化合物を前記親水性が付与された所定領域に吸着させ、そしてこの後、活性化触媒を前記所定領域に吸着させ、その後無電解めっきを施して金属薄膜を形成することを特徴としている。
【0016】
また、親水性付与処理としては、経済性、処理性、操作性の簡易性等の観点から高周波インパルスによるコロナ放電処理を使用するのが好ましい。
【0017】
すなわち、本発明の薄膜形成方法は、前記親水性付与処理が、コロナ放電処理であることを特徴としている。
【0018】
上記薄膜形成方法によれば、表面にカルボニル基(−CO)が生成され、容易に親水性を付与することができる。
【0019】
また、フィルム上の所定領域にのみ親水性を付与するためには、マスク部材を介してコロナ放電処理を行なう必要がある。しかるに、マスク部材の母材として導電性材料を使用するとコロナ放電が導電性の高いマスク部材側に集中し、このため親水性付与面積がマスク部材の開口部よりも小さくなり、所望領域に親水性を付与することができなくなることがある。
【0020】
このためコロナ放電処理を行なう場合は、マスク部材としては絶縁性材料を使用することが好ましい。
【0021】
すなわち、本発明の薄膜形成方法は、絶縁性材料からなるマスク部材を介して前記コロナ放電処理を施すことを特徴としている。
【0022】
また、親水性は、真空蒸着により酸化物をフィルム上に堆積することによっても付与することができる。
【0023】
すなわち、本発明の薄膜形成方法は、前記親水性付与処理は、酸化物蒸着処理であることを特徴としている。
【0024】
また、活性化触媒イオンとしては、経済的観点からPdイオンを使用するのが好ましく、Pdイオンに配位する官能基を有する有機化合物としては、アミノ基を含有したシラン化合物を使用することができる。
【0025】
すなわち、本発明の薄膜形成方法は、前記有機化合物は、アミノ基を含有したシラン化合物であることを特徴とし、前記活性化触媒イオンは、Pdイオンを含むことを特徴としている。
【0026】
また、金属薄膜としては、積層セラミック電子部品の内部電極用導電材料として、通常使用されるAg、Pd、Cu及びNiの中から選択された1種以上を含むことができる。
【0027】
また、本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、上記いずれかの薄膜形成方法によりフィルム上に金属薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記金属薄膜が形成されたフィルム上でセラミックスラリーに成形加工を施し、セラミックシートを作製するセラミックシート作製工程と、前記フィルムから前記金属薄膜及び前記セラミックシートを引き剥がすと共に、前記金属薄膜が表面に形成された前記セラミックシートを積層して積層体を作製する積層体作製工程とを含むことを特徴としている。
【0028】
上記製造方法によれば、薄膜形成工程によりフィルム上に金属薄膜及びセラミックシートを形成した後、金属薄膜及びセラミックシートをフィルムから同時に引き剥がすことにより、セラミックシート上に容易に所望パターンの金属薄膜を形成することができる。そして、積層されたセラミックシートに焼成処理等を行なうことにより、所望パターンの内部電極を有する薄層化・多層化された積層セラミック電子部品を容易に製造することができる。
【0029】
また、本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、上記いずれかの薄膜形成方法により第1のフィルム上に金属薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記金属薄膜が形成されていない第2のフィルム上でセラミックスラリーに成形加工を施し、セラミックシートを作製するセラミックシート作製工程と、前記第1のフィルム上に形成された前記金属薄膜を前記セラミックシートに転写する転写工程と、前記金属薄膜が転写された前記セラミックシートを積層して積層体を作製する積層体作製工程とを含むことを特徴としている。
【0030】
上記製造方法によれば、上述した薄膜形成方法によりフィルム上に金属薄膜を、別途セラミックシート作製工程で作製されたセラミックシートに転写し、これによりセラミックシートの表面に金属薄膜を形成しており、斯かる製造方法によっても上述と同様、所望パターンの内部電極を有する薄層化・多層化された積層セラミック電子部品を容易に製造することができる。
【0031】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【0032】
図1は本発明に係る薄膜形成方法の一実施の形態(第1の実施の形態)を示す製造工程図である。
【0033】
まず、図1(a)に示すように、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のプラスチック材料からなるベースフィルム1の表面に強力な撥水性を有する離形剤、例えばシリコン系或いはフッ素系の離形剤を塗布し、離形処理層2を形成する。
【0034】
次いで、図1(b)に示すように、ポリエチレンテレフタレート(以下、「PET」という)樹脂やアルミナ等の絶縁性材料で形成されたマスク部材(以下、「絶縁性マスク」という)3を離形処理層2に密着させ、コロナ放電処理を行なう。すなわち、ベースフィルム1を陰極4に載置すると共に、開口部3aが貫設された絶縁性マスク3を離形処理層2に密着させ、陽極5と陰極4との間に高周波電源6を印加してコロナ放電を行う。そして、このコロナ放電処理により絶縁性マスク3の開口部3aに対応する離形処理層2の表面(所定領域)にはカルボニル基(−CO)が生成され、所定パターン状に親水性が付与される。
【0035】
すなわち、このようにコロナ放電処理で電力密度を調整することにより、離形性を損なうことなく親水性を付与することができ、例えば30〜300W/m2・minの範囲で適宜電力密度を調整することにより、離形性に優れためっき皮膜を形成することができる。
【0036】
尚、本実施の形態で、絶縁性マスクを使用したのは、導電性材料からなるマスク部材(以下、「導電性マスク」という)を使用した場合、コロナ放電が導電性の高い導電性マスクに集中し、このため親水性付与領域が開口部3aよりも小さくなって所望のパターン状に親水性を付与することができなくなる虞があるからである。
【0037】
そして、コロナ放電処理が終了した後、ベースフィルム1を活性化触媒イオンに配位する官能基を含有した有機化合物溶液に浸漬し、図1(c)に示すように、親水性付与領域に前記有機化合物を吸着させ、有機化合物層7を形成する。
【0038】
尚、活性化触媒イオンとしては、めっき皮膜の形成が可能となるような触媒イオン種であればよく、Pt、Pdが使用可能であるが、本実施の形態では、良好な触媒活性を有するPdイオンを使用している。そして、斯かる活性化触媒イオンであるPdイオンに配位する官能基としては、アミノ基、エポキシ基が挙げられる。したがって、前記有機化合物層7を形成する有機化合物としては、アミノシラン、アミノシランオリゴマ、或いはエポキシシラン等を使用することができる。
【0039】
次に、前記有機化合物層7が形成されたベースフィルム1をパラジウム触媒溶液に所定時間(例えば、30秒間)浸漬し、Pdイオンを有機化合物と配位結合させて有機化合物層7上にPdイオンを吸着させ、図1(d)に示すように、活性化触媒層8を形成し、被めっき物を作製する。
【0040】
尚、パラジウム触媒溶液としては、塩化パラジウム系溶液等を使用することができる。
【0041】
次に、還元剤を含有した無電解めっき液に被めっき物を所定時間(例えば、4分間)浸漬する。そしてこれにより、Pdイオンが還元剤によって還元され、図1(e)に示すように、活性化触媒層8上に膜厚0.3〜0.5μmのめっき皮膜9を形成する。
【0042】
ここで、無電解めっき液としては、内部電極としての導電機能を発揮する金属をめっき析出させるものであればよく、例えば、めっき金属源としてAg、Pd、Cu或いはNiを含有した無電解めっき液を使用することができる。
【0043】
また、還元剤についても、これらめっき金属源に対し良好な還元性を有するものであれば特に限定されることはなく、各種金属源に対し、ホスフィン酸塩やアルデヒド化合物等を適宜使用することができる。
【0044】
このように本第1の実施の形態では、活性化処理を行う前に離型層2に親水性付与処理を行っているので、強力な撥水性を有する離形剤を使用してベースフィルム1に離形処理も施しても、剥離性に優れた所望パターンのめっき皮膜9を形成することができる。
【0045】
しかも、コロナ放電処理で親水性を付与することにより、パターニングを行っているので、フォトリソグラフィー工程でパターニングする場合のようにレジスト残渣が発生する絶縁不良等を生じることもない。
【0046】
図2は本発明に係る薄膜形成方法の第2の実施の形態を示す製造工程図であって、本第2の実施の形態ではコロナ放電処理に代えて酸化物蒸着処理を行ない、これにより離形処理層2上の所定領域に親水性を付与している。
【0047】
すなわち、まず、第1の実施の形態と同様、図2(a)に示すように、ベースフィルム11の表面に強力な撥水性を有する離形剤、例えばシリコン系或いはフッ素系の離形剤を塗布し、離形処理層12を形成する。
【0048】
次いで、図2(b)に示すように、開口部13aが貫設されたマスク部材13を離形処理層12に密着させて真空蒸着処理を行い、図2(c)に示すように、前記開口部13aに対応する離形処理層12の表面に酸化物層14を形成し、該酸化物層14により親水性を付与する。
【0049】
尚、酸化物層14としては、セラミック特性に悪影響を与えるものでなければ、特に限定されるものではなく、例えばSiO2、Al2O3、TiO2、BaO、或いはBaTiO3を使用することができる。
【0050】
次いで、Pdイオンに配位する官能基を含有した有機化合物溶液にベースフィルム11を浸漬し、図2(d)に示すように、酸化物層14上に前記有機化合物を吸着させ、有機化合物層15を形成する。
【0051】
そしてこの後、第1の実施の形態と同様、図2(e)に示すように、有機化合物層15上に活性化触媒層16を形成し、さらに、図2(f)に示すように、活性化触媒層16上にめっき皮膜17を形成する。
【0052】
このように本第2の実施の形態でも、活性化処理を行う前に離型層12の所定領域に親水性を付与しているので、強力な撥水性を有する離形剤を使用してベースフィルム11に離形処理も施しても、所望パターンの剥離性に優れためっき皮膜9を形成することができる。
【0053】
次に、上記薄膜形成方法を使用した積層セラミック電子部品の製造方法について説明する。
【0054】
図3は積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一実施の形態を示す断面図である。
【0055】
該積層セラミックコンデンサは、BaTiO3を主成分とする誘電体材料からなるセラミック焼結体21に内部電極22(22a〜22f)が埋設されると共に、該セラミック焼結体の両端部には外部電極23a、23bが形成され、さらに該外部電極23a、23bの表面にはめっき皮膜24a、24bが形成されている。
【0056】
各内部電極22a〜22fは積層方向に並設されると共に、内部電極22a、22c、22eは外部電極23aと電気的に接続され、内部電極22b、22d、22fは外部電極23bと電気的に接続されている。そして、内部電極22a、22c、22eと内部電極22b、22d、22fとの対向面間で静電容量を形成している。
【0057】
次に、上記積層セラミックコンデンサの製造方法を説明する。
【0058】
図4は積層セラミックコンデンサの製造方法の一実施の形態(第1の実施の形態)を示すブロック工程図である。
【0059】
薄膜形成工程31では上述した薄膜形成方法でベースフィルム上にめっき皮膜を形成する。
【0060】
次いで、セラミックシート作製工程32では、ベースフィルム上にセラミックスラリーを載置し、ドクターブレード法等により該セラミックスラリーに成形加工を施し、セラミックシートを作製する。
【0061】
続く積層体作製工程33では、所定の熱圧着処理を施した後、セラミックシート及びめっき皮膜をベースフィルムから同時に引き剥がす。この場合、ベースフィルムの表面には離形処理が施されているので、めっき皮膜が所定パターンを維持した状態でセラミックシート及びめっき皮膜をベースフィルムから容易に同時に剥がすことができる。
【0062】
その後、めっき皮膜の形成されたセラミックシートを積み重ね、該セラミックシートを積み重ねる毎に熱圧着処理を行った後、ベースフィルムをめっき皮膜及びセラミックシートから引き剥がし、これにより所定枚数のセラミックシートが積層されたセラミック積層体を作製する。
【0063】
次いで、焼成工程34に進み、窒素雰囲気下で所定温度(例えば、250〜350℃)に加熱し、バインダを燃焼させて該バインダを除去した後、焼成温度1000〜1200℃で約2時間、焼成処理を施し、セラミック焼結体21を作製する。
【0064】
その後、外部電極形成工程35では、ガラスフリットをCu等の導電性材料に含有させた導電性ペーストを使用し、該導電性ペーストをセラミック焼結体21の両端面に塗布した後、焼付処理を行なって外部電極23a、23bを形成する。
【0065】
最後にめっき工程36では、電解めっき又は無電解めっきを行い、Ni、Cu、Ni−Cu合金等のめっき皮膜24a、24bを外部電極23a、23bの表面に形成し、これにより積層セラミックコンデンサが製造される。
【0066】
このように本第1の実施の形態に係る製造方法によれば、上記薄膜形成方法を使用して積層セラミックコンデンサを製造しているので、所定パターンの内部電極が形成されて所望の電気特性を有する積層セラミック電子部品を得ることができる。
【0067】
しかも、1つのベースフィルム上にめっき皮膜とセラミックシートとを形成し、該めっき皮膜及びセラミックシートをベースフィルムから同時に引き剥がすことができるので、めっき皮膜とセラミックシートとを別々のベースフィルム上に形成する必要がなく、低コストで製造することができる。
【0068】
図5は積層セラミックコンデンサの第2の実施の形態を示す要部ブロック工程図であって、本第2の実施の形態では別途作製されたセラミックシートにめっき皮膜を転写し、これによりセラミックシート上にめっき皮膜を形成している。
【0069】
まず、薄膜形成工程41では、第1の実施の形態と同様、ベースフィルム(第1のフィルム)上にめっき皮膜を形成する。
【0070】
また、セラミックシート作製工程42では、別途、表面に離形処理が施されたベースフィルム(第2のフィルム)上にセラミックスラリーを載置し、ドクターブレード法等によりセラミックスラリーに成形加工を施し、ベースフィルム上に所定膜厚のセラミックシートを作製し、該セラミックシートをベースフィルムから引き剥がす。
【0071】
次いで、転写工程43ではセラミックシートとめっき皮膜とが当接するようにセラミックシート上にベースフィルムを配置し、80〜100℃の加熱下、1.96×106〜4.90×107Paの圧力でめっき皮膜とセラミックシートとを圧着し、その後、ベースフィルムをめっき皮膜から引き剥がすことにより、めっき皮膜はセラミックシートに転写される。
【0072】
次に、積層体作製工程44では、めっき皮膜が転写されたセラミックシートを所定枚数積層し、積層体を作製する。
【0073】
そしてその後は第1の実施の形態と同様、焼成工程34→外部電極形成工程35→めっき工程36を実行し、これにより積層セラミックコンデンサが製造される。
【0074】
このように本第2の実施の形態に係る製造方法においても、上記薄膜形成方法を使用して積層セラミックコンデンサを製造しているので、所定パターンの内部電極が形成されて所望の電気特性を有する積層セラミック電子部品を得ることができる。
【0075】
【実施例】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【0076】
(実施例1)
本発明者は、まず、PETからなるベースフィルム(PETフィルム)の表面にシリコン系離形剤を塗布し、離形処理層を形成した。
【0077】
次いで、開口部が貫設されたPET樹脂からなる絶縁性マスクを離形処理層に密着させ、コロナ放電処理を行ない、前記開口部に対応する所定領域に親水性を付与した。尚、コロナ放電処理は電極間ギャップを1mm、電力密度を100W/m2・min、走査速度を3mm/minで行った。
【0078】
次に、室温下、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン((CH3O)3SiC3H6NHC2H4NH2)溶液(以下、「アミノシラン化合物溶液」という)にベースフィルムを30秒間浸漬し、アミノシラン化合物を親水性付与領域に吸着させ、アミノシラン層を形成し、その後水洗した。
【0079】
次いで、室温下、ベースフィルムをPd触媒液(奥野製薬社製アクチベーター)に30秒間浸漬し、Pdをアミノシラン化合物と配位結合させて該Pdをアミノシラン化合物に吸着させ、被めっき物を作製し、その後水洗した。
【0080】
次いで、浴温65℃、pH6.5に調製された無電解Niめっき液(奥野製薬社製トップケミアロイ66)に被めっき物を4分間浸漬し、PETフィルム上に膜厚0.4μmのNi皮膜を形成した。
【0081】
次に、本発明者らは、焼成後の厚みが3μmとなるようなBaTiO3系セラミックシートを用意した。
【0082】
そして、Ni皮膜がセラミックシートと対向するようにPETフィルムをセラミックシートに貼り合わせ、温度80℃、20MPaの圧力を負荷して熱圧着処理を行い、Ni皮膜をセラミックシートに転写した。
【0083】
次いで、このようにNi皮膜の形成されたセラミックシートを所定寸法に裁断した後、11層のめっき皮膜を有するようにセラミックシートを積層し、セラミック積層体を形成した後、所定寸法に切断した。
【0084】
そして、セラミック積層体を窒素雰囲気下、温度270℃で脱脂処理を行い、その後、温度1200℃で焼成処理を行い、セラミック焼結体を作製した。
【0085】
次いで、セラミック焼結体の両端面にCuを主成分とする導電性ペーストを塗布した後、焼付処理を行って外部電極を形成し、実施例1の試験片を作製した。
【0086】
(実施例2)
まず、実施例1と同様、PETフィルムの表面にシリコン系離形剤を塗布し、離形処理層を形成した。
【0087】
次いで、開口部が貫設された導電性マスクを離形処理層に密着させ、真空蒸着処理を行い、前記開口部に対応する離形処理層の表面に膜厚5nmのSiO2層を形成し、所定パターン状に親水性を付与した。
【0088】
次に、PETフィルムを、実施例1と同様のアミノシラン化合物溶液に室温下、30秒間浸漬し、アミノシラン化合物をSiO2層に吸着させ、アミノシラン層を形成した。
【0089】
そしてその後、実施例1と同様の方法・手順で触媒化処理・無電解Niめっき処理を行い、さらに熱圧着処理、積層加工、焼成処理を経て外部電極を形成し、実施例2の試験片を作製した。
【0090】
(測定結果)
次に、本発明者らは実施例1、2についてNi皮膜の膜厚、焼成後の内部電極の膜厚、Ni皮膜の剥離性試験、静電容量を測定した。
【0091】
表1はその測定結果を示している。
【0092】
【表1】
Ni皮膜の膜厚は、蛍光X線膜厚計で測定した。また、内部電極の膜厚は、セラミック焼結体の断面を研磨し、走査型電子顕微鏡(SEM)で観察し、測定した。
【0093】
剥離性試験は、Ni皮膜にセロハン粘着テープを貼着し、引き剥がしたときにNi皮膜がPETフィルムから剥離してセロハン粘着テープに転写されるか否かを確認した。
【0094】
また、静電容量はヒューレット・パッカード社製、4284Aで測定した。
【0095】
この表1から明らかなように、実施例1、2のいずれにおいても、剥離性試験ではNi皮膜がセロハン粘着テープに転写され、Ni皮膜の形状パターンを損傷することなくPETフィルムから容易に引き剥がすことのできることが確認された。
【0096】
また、静電容量も70nF、66nFでありコンデンサの内部電極として十分に機能することも分かった。
【0097】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係る薄膜形成方法は、フィルム表面に離形剤を塗布して離形処理層を形成した後、所定パターン状に親水性を付与する親水性付与処理を施し、次いで、活性化触媒イオンに配位する官能基を含有した有機化合物を前記親水性が付与された所定領域に吸着させ、そしてこの後、活性化触媒を前記所定領域に吸着させ、その後無電解めっきを施して金属薄膜を形成するので、離形性に優れた所望パターンの金属皮膜を形成することができる。
【0098】
また、前記親水性付与処理はコロナ放電処理とすることにより、表面にカルボニル基が生成され、容易に親水性を付与することができ、簡単かつ低コストでフィルム上の所定領域に親水性を付与することができる。
【0099】
また、絶縁性材料からなるマスク部材を介して前記コロナ放電処理を施すので、容易に所望領域にのみ親水性を付与することができる。
【0100】
また、前記親水性付与処理は、酸化物蒸着処理であっても、コロナ放電処理と同様、ベースフィルム上の所定領域に親水性を付与することができる。
【0101】
また、前記有機化合物は、アミノ基を含有したシラン化合物であり、前記活性化触媒イオンは、Pdイオンを含むので、親水性付与領域にのみ無電解めっきに好適な触媒活性化を付与することができる。
【0102】
また、前記金属薄膜は、Ag、Pd、Cu及びNiの中から選択された1種以上を含むので、内部電極として好適な機能を有する金属薄膜を形成することができる。
【0103】
また、本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、上記いずれかの薄膜形成方法によりフィルム上に金属薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記金属薄膜が形成されたフィルム上でセラミックスラリーに成形加工を施し、セラミックグリーンシートを作製するセラミックグリーンシート作製工程と、前記フィルムから前記金属薄膜及び前記セラミックグリーンシートを引き剥がすと共に、前記金属薄膜が表面に形成された前記セラミックグリーンシートを積層して積層体を作製する積層体作製工程とを含むので、所定パターンの内部電極が形成されて所望の電気特性を有する積層セラミック電子部品を製造することができる。
【0104】
しかも、1つのベースフィルム上にめっき皮膜とセラミックシートとを形成し、該めっき皮膜及びセラミックシートをベースフィルムから同時に引き剥がすことができるので、めっき皮膜とセラミックシートとを別々のベースフィルム上に形成する必要がなく、低コストで製造することができる。
【0105】
また、本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、上記いずれかの薄膜形成方法により第1のフィルム上に金属薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記金属薄膜が形成されていない第2のフィルム上でセラミックスラリーに成形加工を施し、セラミックグリーンシートを作製するセラミックグリーンシート作製工程と、前記第1のフィルム上に形成された前記金属薄膜を前記セラミックグリーンシートに転写する転写工程と、前記金属薄膜が転写された前記セラミックグリーンシートを積層して積層体を作製する積層体作製工程とを含むことによっても、上述と同様、所定パターンの内部電極が形成されて所望の電気特性を有する積層セラミック電子部品を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る薄膜形成方法の一実施の形態(第1の実施の形態)を示す製造工程図である。
【図2】本発明に係る薄膜形成方法の第2の実施の形態を示す製造工程図である。
【図3】本発明の製造方法で製造された積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一実施の形態を示す断面図である。
【図4】積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの製造方法の一実施の形態(第1の実施の形態)を示す製造工程図である。
【図5】積層セラミックコンデンサの製造方法の第2の実施の形態を示す製造工程図である。
【符号の説明】
1 ベースフィルム(フィルム)
2 離形処理層
9 めっき皮膜(金属薄膜)
11 ベースフィルム(フィルム)
12 離形処理層
17 めっき皮膜(金属薄膜)
31 薄膜形成工程
32 セラミックシート作製工程
33 積層体作製工程
41 薄膜形成工程
42 セラミックシート作製工程
43 転写工程
44 積層体作製工程
Claims (9)
- フィルム表面に離形剤を塗布して離形処理層を形成した後、所定パターン状に親水性を付与する親水性付与処理を施し、次いで、活性化触媒イオンに配位する官能基を含有した有機化合物を前記親水性が付与された所定領域に吸着させ、そしてこの後、活性化触媒を前記所定領域に吸着させ、その後無電解めっきを施して金属薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
- 前記親水性付与処理は、コロナ放電処理であることを特徴とする請求項1記載の薄膜形成方法。
- 絶縁性材料からなるマスク部材を介して前記コロナ放電処理を施すことを特徴とする請求項2記載の薄膜形成方法。
- 前記親水性付与処理は、酸化物蒸着処理であることを特徴とする請求項1記載の薄膜形成方法。
- 前記有機化合物は、アミノ基を含有したシラン化合物であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の薄膜形成方法。
- 前記活性化触媒イオンは、Pdイオンを含むことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の薄膜形成方法。
- 前記金属薄膜は、Ag、Pd、Cu及びNiの中から選択された1種以上を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の薄膜形成方法。
- 請求項1乃至請求項7のいずれかの薄膜形成方法によりフィルム上に金属薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記金属薄膜が形成されたフィルム上でセラミックスラリーに成形加工を施し、セラミックグリーンシートを作製するセラミックグリーンシート作製工程と、前記フィルムから前記金属薄膜及び前記セラミックグリーンシートを引き剥がすと共に、前記金属薄膜が表面に形成された前記セラミックグリーンシートを積層して積層体を作製する積層体作製工程とを含むことを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
- 請求項1乃至請求項7のいずれかの薄膜形成方法により第1のフィルム上に金属薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記金属薄膜が形成されていない第2のフィルム上でセラミックスラリーに成形加工を施し、セラミックグリーンシートを作製するセラミックグリーンシート作製工程と、前記第1のフィルム上に形成された前記金属薄膜を前記セラミックグリーンシートに転写する転写工程と、前記金属薄膜が転写された前記セラミックグリーンシートを積層して積層体を作製する積層体作製工程とを含むことを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
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JP2007100139A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Tdk Corp | 無電解めっき膜形成方法、及び、触媒パターン形成装置 |
JP2010147167A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品の製造方法および製造装置 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005117040A1 (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Tdk Corporation | 電子部品、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
JP2007100139A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Tdk Corp | 無電解めっき膜形成方法、及び、触媒パターン形成装置 |
US8911608B1 (en) | 2006-09-12 | 2014-12-16 | Sri International | Flexible circuit formation |
JP2010147167A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品の製造方法および製造装置 |
US8895874B1 (en) | 2009-03-10 | 2014-11-25 | Averatek Corp. | Indium-less transparent metalized layers |
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