JP4952893B2 - セラミック電子部品及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(1)デラミネーションやクラックなどの構造的欠陥を生じにくい導電膜構造を持つセラミック電子部品、及び、その製造方法を提供することができる。
(2)導電の外形を決める側壁面の垂直性が良好で、高周波特性の良好なセラミック電子部品、及び、その製造方法を提供することができる。
(3)導電膜間の導通をとるスルーホールを、安定的に、簡単、かつ、確実に形成できる構造を持つセラミック電子部品及びその製造方法を提供することができる。
図1は本発明に係るセラミック電子部品の内部構造を模式的に示す断面図である。図示のセラミック電子部品は、コンデンサ、インダクタ、フィルタ、レゾネータもしくはそれらの複合部又はICパッケージ等を含むことができる。図は、これらのセラミック電子部品の内部構造を抽象的に示すもので、実際的な内部構造を表示するものではないことに注意されたい。
次に、上述した本発明に係るセラミック電子部品を製造する方法について説明する。以下の説明においては、セラミック電子部品の1素子を取り出して、その製造方法を述べるが、実際的な製造プロセスでは、生産効率向上の観点から、多数個の素子を、例えば、格子状に配列して、同時に形成するプロセスを採るべきことを、予めことわっておく。
21〜26 機能層
3 導電膜
A 層境界
4 支持体
5 フォトレジスト膜
6 レジストマスク
10 セラミック塗膜
Claims (7)
- セラミック電子部品を製造する製造方法であって、
前記セラミック電子部品は、セラミック基体と、複数の機能層とを含んでおり、
前記複数の機能層は、前記セラミック基体の厚み方向に連続し、かつ、一体化されており、
前記複数の機能層の少なくとも2層は、前記セラミック基体の内部に埋設された導電膜を含み、前記導電膜は、断面矩形状であって、厚み方向の両面が、隣接する機能層の層境界上に位置しており、
前記複数の機能層の他の少なくとも一層は、前記2層の間に配置された導電膜を持たないキャパシタ層であり、前記2層の前記導電膜に隣接しており、
前記セラミック電子部品を製造するに当たり、
支持体の一面上に形成されたフォトレジスト膜の開口パターン内に導電膜を形成し、
次に、前記フォトレジスト膜を除去した後、残された前記導電膜の表面にのみ、レジストマスクを付着させ、
次に、前記レジストマスクの表面及び前記支持体の一面を連続して覆うように、セラミックペーストを塗布してセラミック塗膜を形成し、
次に、前記セラミック塗膜を乾燥させ、
次に、前記レジストマスクを、剥離液を用いて、その上に付着されたセラミック塗膜とともに除去し、前記支持体の前記一面を覆うセラミック塗膜、及び、前記導電膜を、前記支持体の前記一面上に残す、
工程を含む製造方法。 - 請求項1に記載された製造方法であって、前記セラミック電子部品は、コンデンサ、インダクタ、フィルタ、レゾネータもしくはそれらの複合部又はICパッケージである、製造方法。
- 請求項1又は2に記載された製造方法であって、前記レジストマスクは、転写、塗布又はディップの方法によって形成する、製造方法。
- 請求項1又は2に記載された製造方法であって、
前記導電膜の表面に、レジストマスクを付着させるに当たり、前記導電膜の表面及び前記支持体の一面を連続して覆う第2のフォトレジスト膜を形成し、
次に、前記第2のフォトレジスト膜に対してフォトリソグラフィ工程を実行することにより、前記導電膜の表面に、前記第2のフォトレジスト膜によるレジストマスクを形成する、
工程を含む製造方法。 - 請求項4に記載された製造方法であって、前記フォトリソグラフィ工程は、前記第2のフォトレジスト膜の表面側にマスクを配置し、前記マスクを通して前記第2のフォトレジスト膜を露光する工程を含む製造方法。
- 請求項4に記載された製造方法であって、
前記支持体は、透光性材料で構成し、
前記フォトリソグラフィ工程は、前記導電膜をマスクとし、前記支持体側から前記第2のフォトレジスト膜を露光する、
工程を含む製造方法。 - 請求項1乃至6の何れかに記載された製造方法であって、
前記レジストマスクを、その上に付着されたセラミック塗膜とともに除去した後、前記導電膜及び前記セラミック塗膜を含むセラミックグリーンシートを、前記支持体から剥離し、
こうして得られた複数枚のグリーンシートを積層し、更に焼成する、
工程を含む製造方法。
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