JP3310636B2 - 金属膜転写用部材、その製造方法および積層セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主として、金属内
部電極を持つ積層セラミック電子部品の製造に用いられ
る金属膜転写用部材、その製造方法および積層セラミッ
ク電子部品の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化や省資源の観点
から、積層セラミック電子部品の小型化、特に積層セラ
ミックコンデンサにおいては、薄層・多層化による大容
量化が急速に進展しており、内部電極についても、より
薄く均一で欠陥の少ないものが必要とされている。

【０００３】積層セラミック電子部品の内部電極の形成
方法は、金属粉末と有機結合剤からなる金属ペーストを
スクリーン印刷によりセラミックグリーンシートに印刷
する方法によるのが一般的である。

【０００４】しかしながら、従来のスクリーン印刷法で
は、原料金属粒子の粒子サイズまたはスクリーンの厚さ
などにより薄層化に限界があり、また電極が粒子の焼結
によって形成されることから、薄層化するほど電極が不
連続となりやすいという問題がある。

【０００５】そこで、各種薄膜形成法により形成された
金属膜を用いて内部電極を構成するセラミック積層電子
部品の製造方法が提案されている。たとえば、特公平７
−５４７８０号公報、特開平４−３１４８７６号公報、
特開平８−１１５８４７号公報で提案されている製造方
法は、シリコーンコートなどの剥離処理を施した合成樹
脂よりなるキャリアフィルム上に、真空製膜法または、
真空製膜法と湿式めっき法とにより作成した金属膜を、
熱圧着によりセラミックグリーンシートへ転写するとい
うものである。また、特開平６−２３１９９９号公報、
特開平１０−１２５５５６号公報、特開平１０−２０８
９８０号公報で提案されている製造方法は、合成樹脂よ
りなるキャリアフィルム上に、無電解めっき法により作
成した金属膜を、熱圧着または熱転写法により、セラミ
ックグリーンシートへ転写するというものである。

【０００６】しかしながら、接着性がほとんどない純金
属膜を、一般に有機結合剤の含有量が少ないセラミック
グリーンシートに欠陥なく転写するのは困難であり、前
述の公知技術においては、概ね５０°Ｃ以上への加熱、
および２０ｋｇ／ｃｍ^２ 以上の加圧が必要とされてい
る。この場合、所定の温度に加熱し、また所定の圧力に
加圧するためには、一定の時間が必要とされるので生産
性が低く、また、加熱手段を備えた高圧を発生するプレ
ス機が必要とされ、設備コストが高くなるという問題点
があった。

【０００７】生産性を向上し、設備コストも低減する手
段としては、別の基体上に形成されたパターン化された
金属膜上に接着層を形成し、常温かつ低圧でセラミック
グリーンシートに直接に、あるいは中間媒体を経由して
間接的に転写することが考えられる。この方法におい
て、金属膜の転写対象物であるセラミックグリーンシー
トあるいは中間媒体を破壊しないようにするためには、
前記接着層は、パターン化された金属膜の表面のみに形
成されていることが必要である。何故ならば、パターン
化された金属膜以外の基体表面にも接着層が形成されて
いれば、転写対象物と基体そのものとが接着してしまう
からである。

【０００８】しかしながら、このような必要条件を満足
する接着層を、通常の塗布法あるいは印刷法によって形
成することは困難である。

【０００９】このような、パターン化された金属膜の表
面のみに形成された接着層を得る手段として、本願発明
者はすでに、金属に均一な塗膜を形成するために、一般
に用いられている電着塗装法を応用することを提案して
いる（特願平１１−１４１４３４号）。すなわち、この
発明は、平滑な表面を持つ基体上に、薄膜形成法によっ
てパターン化された金属膜を形成し、該金属膜の表面の
みに、電着塗装法によって少なくとも熱可塑性有機高分
子を含む接着層を形成することにより、常温かつ低い圧
力で転写可能な転写用金属膜を構成するというものであ
る。

【００１０】特に、導電性基体上に所定の形状の開口部
を持つめっきレジスト層を形成した後、電解めっき法に
よって金属膜を形成し、電着塗装法によって接着層を形
成する場合には、高価な真空装置やパラジウム触媒を使
用する必要がなく、処理の連続化も容易となる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記電
解めっき法と電着塗装法の組み合わせによる方法では、
パターンを形成するためのめっきレジスト層が存在する
ことから、厚さが１μｍ以下の極めて薄い金属膜および
接着層を形成する場合、次のような問題が発生する場合
がある。

【００１２】形成される金属膜および接着層の厚さに比
較してめっきレジスト層の厚さが厚い場合には、めっき
レジスト層を存在させたままの状態では転写が困難なた
め、有機溶剤、酸またはアルカリ溶液などの剥離液を用
いてレジスト層を除去した後に転写用途に供する必要が
ある。ところが、剥離液でレジスト層を除去する際に電
着塗装法により形成された接着層が溶解もしくは膨潤し
たり、または剥離されたレジスト層成分が接着層に再付
着するなどの不都合が発生し、部分的な転写不良を生じ
る場合がある。

【００１３】これに対し、めっきレジスト層を存在させ
たまま金属膜を転写可能とするために、めっきレジスト
層の厚さを１〜３μｍと極めて薄くした場合には、１０
Ｖ以上の比較的高電圧で形成される電着塗装法による接
着層が、めっきレジスト層のうち部分的に薄く、絶縁性
の低い部分にも析出する場合があり、この部分も転写対
象物に接着してしまうことから、転写対象物を破壊する
場合がある。

【００１４】本発明の第１の目的は、こうした従来技術
の問題点を解決し、部分的に転写不良を生じることなく
極めて薄くかつ均一な金属膜のパターンを、グリーンシ
ートなどの壊れやすい転写対象物を破壊することなく、
より安定的に当該転写対象物の表面に転写することがで
きる金属膜転写用部材を提供することにある。

【００１５】本発明の第２の目的は、このような金属膜
転写用部材を、極めて容易かつ低コストで製造すること
ができる金属膜転写用部材の製造方法を提供することに
ある。 本発明の第３の目的は、厚みが薄く且つ均一で
欠陥の少ない内部電極を持つ積層セラミック電子部品を
実現することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明者は、電解コンデンサの製造に用いられて
いるいわゆるバルブ金属の陽極酸化処理に着目し、種々
の金属について検討した結果、特定の金属を陽極酸化処
理して基体として用いた場合に、基体を陰極として電解
する電解めっきによる金属の析出は可能であるが、基体
を陽極として電解するアニオン電着塗装による接着層の
析出が不可能となることを見い出し、本発明に到達し
た。

【００１７】（１）本発明に係る金属膜転写用部材は、
陽極酸化膜が形成してあるバルブ金属を主成分とする導
電性基体と、前記基体の陽極酸化膜側表面に電解めっき
法により形成された所定パターンの金属膜と、前記金属
膜の表面にアニオン電着塗装法により形成された熱可塑
性有機高分子を含む接着層とを有する。

【００１８】前記導電性基体は、陽極酸化処理に使用で
きる処理液や電解めっき処理液の選択の自由度が大きい
こと、比較的安価であること、冷間圧延によって長尺の
薄い箔が得られることなどから、ＮｂまたはＴａを主成
分とすることが好ましい。

【００１９】前記接着層に含まれる熱可塑性有機高分子
は、アクリル系樹脂またはアクリル共重合系樹脂である
ことが好ましい。

【００２０】本発明において、基体の具体的形状は特に
限定されないが、シート状であることが好ましい。ま
た、基体の表面は平滑であることが好ましい。

【００２１】前記陽極酸化膜の厚みは、好ましくは５０
〜１０００ｎｍ、さらに好ましくは１００〜５００ｎｍ
である。

【００２２】前記接着層の厚みは、特に限定されない
が、好ましくは０．１〜１０μｍ、さらに好ましくは
０．１〜１μｍである。また、金属膜の厚みも、特に限
定されないが、好ましくは０．１〜３０μｍ、さらに好
ましくは０．１〜１．５μｍである。

【００２３】（２）本発明の第１の観点に係る金属膜転
写用部材の製造方法は、バルブ金属を主成分とする導電
性基体の表面に陽極酸化処理により陽極酸化膜を形成す
る工程と、前記導電性基体の陽極酸化膜側表面に所定パ
ターンの開口部を持つめっきレジスト層を形成する工程
と、前記所定パターンの開口部内に電解めっき法により
金属膜を形成する工程と、前記金属膜の表面にアニオン
電着塗装法により熱可塑性有機高分子を含む接着層を形
成する工程とを有する。

【００２４】前記接着層形成工程前に、前記めっきレジ
スト層を除去する工程を有することが好ましい。

【００２５】本発明の第２の観点に係る金属膜転写用部
材の製造方法は、バルブ金属を主成分とする導電性基体
の表面に陽極酸化処理により陽極酸化膜を形成する工程
と、前記導電性基体の陽極酸化膜側表面に電解めっき法
により金属膜を形成する工程と、前記金属膜の表面に所
定パターンのエッチングレジスト層を形成する工程と、
前記金属膜の露出部分をエッチングにより除去する工程
と、前記エッチングレジスト層を除去する工程と、前記
金属膜の表面にアニオン電着塗装法により熱可塑性有機
高分子を含む接着層を形成する工程とを有する。

【００２６】本発明において用いられる導電性基体は、
たとえばバルブ金属の板や箔、またはこれらが実質的に
剥離しないように、ポリエチレンテレフタレートやポリ
プロピレンなどの絶縁性基体の表面に形成またはラミネ
ートされた複合基体の何れであってもよい。

【００２７】導電性基体に陽極酸化膜を形成する陽極酸
化処理は、前記アニオン電着塗装の電着電圧以上の処理
電圧で行われることが好ましい。

【００２８】（３）本発明に係る積層セラミック電子部
品の製造方法は、陽極酸化膜が形成してあるバルブ金属
を主成分とする導電性基体の陽極酸化膜側表面に所定パ
ターンで形成された金属膜の表面にアニオン電着塗装法
により熱可塑性有機高分子を含む接着層が形成されてい
る金属膜転写用部材から、焼成後にセラミック焼結体と
なるグリーンシートの表面に、直接または１種以上の中
間媒体を介して間接的に、所定パターンの金属膜を転写
する工程と、前記所定パターンの金属膜が転写されたグ
リーンシートを、他のグリーンシートと共に積層する工
程と、積層されたグリーンシートを焼成する工程とを有
する。

【００２９】前記中間媒体としては、特に限定されず、
たとえば、濾紙やケント紙などの紙、ポリエチレン、ポ
リエステル、ポリプロピレン、キュプラまたはレーヨン
製などの不織布などを挙げることができる。中でも、水
による伸縮の少ない合成樹脂製不織布が好ましい。

【００３０】前記焼成工程前に、積層されたグリーンシ
ートを切断する工程を有することが好ましい。

【００３１】

【作用】電気化学便覧（丸善）によれば、Ａｌ、Ｔｉ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆなどの金属は、バルブ金属ある
いは弁金属と呼ばれている。この名は、特定の処理液中
でこれらの金属を陽極として電解することにより生成さ
れるバリヤー型陽極酸化膜が、カソード電流は流すが、
アノード電流は通さない、すなわち弁作用を示すことに
由来する。

【００３２】すなわち、これらバルブ金属のバリヤー型
陽極酸化膜は、基体を陰極として処理を行う電解めっき
に対してはレジスト作用を示さず、基体を陽極として処
理を行うアニオン電着塗装に対してはレジスト作用を示
すことになる。

【００３３】このことから、これらの金属を陽極酸化処
理した後に、電解めっき法とアニオン電着塗装法によっ
て接着層を持つパターン化された転写用金属膜を製造す
るための基体として用いた場合には、次に示す３つの利
点を有する。

【００３４】第１に、電着塗装法による接着層形成前に
めっきレジスト層を除去しても、陽極酸化膜がアニオン
電着塗装法に対してレジスト作用を示すため、パターン
化された金属膜上のみに接着層を形成することができ
る。したがって、めっきレジスト層が厚い場合に必要と
なるめっきレジスト層の剥離操作に起因する接着層の損
傷または汚染を回避することができる。

【００３５】第２に、めっきレジスト層を存在させたま
ま転写用途に供するために、めっきレジスト層の厚さを
極端に薄くした場合でも、陽極酸化膜がアニオン電着塗
装法に対してレジスト作用を示すため、めっきレジスト
層の絶縁性が不足している部位（特に厚みが薄い部分）
に接着層が析出することを防止することができる。

【００３６】第３に、基体全面に形成した金属膜上に、
所定形状のエッチングレジスト層を形成し、露出した金
属膜をエッチングした後、エッチングレジスト層を除去
する手法で作成したパターン化された金属膜の場合にお
いても、陽極酸化膜がアニオン電着塗装法に対してレジ
スト作用を示すため、パターン化された金属膜上のみに
接着層を形成することができる。

【００３７】すなわち、本発明に係る金属膜転写用部材
によれば、部分的に転写不良を生じることなく極めて薄
くかつ均一な金属膜のパターンを、グリーンシートなど
の壊れやすい転写対象物を破壊することなく、より安定
的に当該転写対象物の表面に転写することができる。

【００３８】また、本発明に係る金属膜転写用部材の製
造方法では、このような金属膜転写用部材を、きわめて
容易且つ低コストで製造することができる。

【００３９】本発明に係る積層セラミック電子部品の製
造方法では、上述した構成の金属膜転写用部材を用いる
ので、厚みが薄く且つ均一で欠陥の少ない内部電極を持
つ積層セラミック電子部品を、きわめて容易且つ低コス
トで製造することができる。

【００４０】積層セラミック電子部品としては、特に限
定されないが、積層セラミックコンデンサ、圧電素子、
チップインダクタ、チップバリスタ、チップサーミス
タ、チップ抵抗、その他の表面実装（ＳＭＤ）チップ型
電子部品が例示される。

【００４１】

【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面に示す実施
形態に基づき説明する。図１は本発明の一実施形態に係
る積層セラミックコンデンサの一部破断断面図、図２は
積層セラミックコンデンサの平面図、図３は図１および
図２に示すコンデンサの製造過程に用いるグリーンシー
トの斜視図、図４は金属膜転写用部材の一例を示す斜視
図、図５は図４に示すV−V線に沿う断面図、図６は本発
明に係る金属膜転写用部材の製造方法の一例を説明する
ための工程図、図７は金属膜転写用部材の一例を示す斜
視図、図８は図７に示すVIII−VIIIに沿う断面図、図９
および図１０はともに本発明に係る金属膜転写用部材の
製造方法の一例を説明するための工程図である。

【００４２】第１実施形態 本実施形態では、積層セラミック電子部品として、図１
および図２に示す積層セラミックコンデンサ２を例示
し、その構造および製造方法について説明する。

【００４３】まず、積層セラミックコンデンサの構造を
説明する。図１および図２に示すように、積層セラミッ
クコンデンサ２は、コンデンサ素体４と、第１端子電極
６と第２端子電極８とを有する。コンデンサ素体４は、
誘電体層１０と、第１内部電極層１２と、第２内部電極
層１４とを有し、誘電体層１０の間に、第１内部電極層
１２と第２内部電極層１４とが交互に積層してある多層
構造を持つ。各第１内部電極層１２の一端は、コンデン
サ素体４の第１端部４ａの外側に形成してある第１端子
電極６の内側に対して電気的に接続してある。また、各
第２内部電極層１４の一端は、コンデンサ素体４の第２
端部４ｂの外側に形成してある第２端子電極８の内側に
対して電気的に接続してある。

【００４４】本実施形態では、内部電極層１２および１
４は、後述する金属膜２２（図４参照）を誘電体グリー
ンシートに転写して形成され、金属膜２２と同じ材質で
構成されるが、その厚みは、焼成による水平方向の収縮
分だけ金属膜２２よりも厚くなる。

【００４５】誘電体層１０の材質は、特に限定されず、
たとえばチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム
および／またはチタン酸バリウムなどの誘電体材料で構
成される。各誘電体層１０の厚みは、特に限定されない
が、数μｍ〜数百μｍのものが一般的である。

【００４６】端子電極６および８の材質も特に限定され
ないが、通常、銅や銅合金、ニッケルやニッケル合金な
どが用いられるが、銀や銀とパラジウムの合金なども使
用することができる。端子電極６および８の厚みも特に
限定されないが、通常１０〜５０μｍ程度である。

【００４７】このような積層型セラミックコンデンサ２
の形状やサイズは目的や用途に応じて適宜決定すればよ
い。積層セラミックコンデンサ２が直方体形状の場合
は、通常、０．６〜３．２ｍｍ×０．３〜１．６ｍｍ×
０．１〜１．２ｍｍ程度である。

【００４８】次に、積層セラミックコンデンサの製造に
用いる金属膜転写用部材について説明する。図４および
図５に示すように、本実施形態に係る金属膜転写用部材
３０は、背面を絶縁被覆してあるシート状導電性基体２
０の表面に、陽極酸化処理による絶縁性の陽極酸化膜２
０ａが形成してある。陽極酸化膜２０ａの表面には、剥
離可能なように金属膜２２が所定パターンで形成してあ
る。金属膜２２の表面には、アニオン電着塗装法により
形成された接着層２４が積層してある。

【００４９】本実施形態では、導電性基体２０として、
ＮｂまたはＴａの板を用いている。ＮｂまたはＴａは、
フッ素化合物の溶液以外には溶解しないため、陽極酸化
および電解めっきの処理液として種々のものを選択でき
るとともに、冷間圧延による加工が可能なため、長尺の
箔状基体を用意することができ、また、ＺｒおよびＨｆ
と比較した場合には安価である。なお、導電性基体２０
の表面粗さは、形成する金属膜の厚さと比較して充分に
小さいことが望ましい。導電性基体２０の厚みは、１０
〜１００μｍ程度とすればよい。

【００５０】基体２０の表面に陽極酸化膜２０ａを形成
する陽極酸化処理は、たとえば、硫酸、塩酸、硝酸、リ
ン酸などの無機酸あるいは水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウムなどの無機アルカリ、あるいはこれらの塩の水溶
液の中で、基体２０を陽極にして電解処理することによ
って行うことができる。これらの水溶液の中でも、電解
中の有害ガスやミストの発生が少なく、処理後の洗浄性
が良好で、廃水処理が容易な硫酸または硫酸塩の水溶液
が特に好適である。

【００５１】なお、本実施形態のＮｂまたはＴａを基体
とした場合はフッ素化合物の溶液、Ｔｉを基体とした場
合は硫酸または硫酸塩溶液、Ａｌを基体とした場合は強
酸性あるいは強アルカリ性溶液は、それぞれ形成される
陽極酸化膜または基体そのものを溶解してしまうため、
バリヤー型陽極酸化膜を形成することができず好ましく
ない。

【００５２】電解処理は、電解電流がほぼ流れなくなる
まで行えば良く、処理時間は１〜５分間程度である。

【００５３】処理後の基体表面は、処理電圧に依存して
特有の色を呈し、たとえばＮｂ箔を３０Ｖで処理した場
合には、均一な淡青色となる。

【００５４】このような陽極酸化膜２０ａの厚さＤ３
は、好ましくは５０〜１０００ｎｍである。陽極酸化膜
２０ａの厚さがあまりに薄いと、後工程でのアニオン電
着塗装に対するレジスト効果が十分でなく、基体２０の
陽極酸化膜２０ａの表面にも接着層２４が形成されるお
それがある。また、陽極酸化膜２０ａの厚さがあまりに
厚いと、電解めっき法による金属膜２２の形成が困難に
なる傾向がある。

【００５５】陽極酸化膜２０ａの表面にパターン化した
金属膜２２を形成する方法としては、たとえば図６
（Ａ）〜（Ｂ）に示すように、予め所望のパターン形状
の開口部を有するめっきレジスト層３２を、基体２０の
陽極酸化膜２０ａの表面に形成した後、電解めっき法に
より金属膜２２を形成する。

【００５６】図６（Ｂ）に示すめっきレジスト層３２
は、本実施形態では、感光性レジストを全面に塗布し、
所定のパターンのマスクを介して露光した後、現像する
いわゆるフォトパターニング法を用いて形成してある。

【００５７】めっきレジスト層３２の材質は、金属膜２
２を形成するのに用いられるめっき液の種類に応じて適
宜選択すれば良い。めっきレジスト層３２の厚さは、１
〜３０μｍ程度とすれば良い。

【００５８】電解めっき法により形成する金属膜２２の
厚さＤ１（図５参照）は、用途に応じて適宜設定するこ
とができるが、たとえば薄層化が要求されるセラミック
積層コンデンサの内部電極用としては、０．１〜１．５
μｍ程度とすれば良い。

【００５９】金属膜２２の組成に関しては、制限はない
が、セラミック積層電子部品の内部電極用としては、Ａ
ｇ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｎｉなどの金属もしくはこれらの合金
とすれば良く、表面性／結晶性／内部応力の調整等の目
的で添加される各種添加剤に由来するＰ，Ｂ，Ｓ，Ｃな
どの元素を含んでいても良い。

【００６０】金属膜２２は、単一の層から構成されてい
ても良く、あるいは２以上の組成の異なる金属膜から構
成されていても良い。

【００６１】金属膜２２を形成する際の電解めっき浴と
しては、たとえばニッケル金属膜を製膜する場合は、硫
酸ニッケル、塩化ニッケル、ほう酸を主成分とするいわ
ゆるワット浴、スルファミン酸ニッケル、臭化ニッケ
ル、ほう酸を主成分とするスルファミン酸浴が、また、
銅金属膜を製膜する場合はピロリン酸銅、ピロリン酸カ
リウムを主成分とするいわゆるピロ銅浴等の広く使われ
ているめっき浴が使用できる。また、上記主成分以外
に、応力調整剤、界面活性剤、レベリング剤等の添加剤
を含んでいても良い。

【００６２】金属膜２２の表面に、アニオン電着塗装法
による熱可塑性有機高分子を含む接着層２４を形成する
に際し、本実施形態では、図６（Ｃ）に示すようにめっ
きレジスト層３２を剥離液を用いて除去する。前記接着
層２４の形成に先立って、めっきレジスト層３２を除去
する場合には、剥離液の選定について接着層２４への悪
影響を考慮する必要はなく、めっきレジスト層３２に対
する影響のみを考慮して有機溶剤、酸、アルカリ溶液等
の中から選択すれば良い。

【００６３】そして、図６（Ｄ）に示すように、金属膜
２２の表面に、アニオン電着塗装法による熱可塑性有機
高分子を含む接着層２４を形成する。

【００６４】金属膜２２の表面に接着層２４を形成する
には、有機高分子エマルジョンまたは溶液中に基体２０
を浸漬し、金属膜２２を陽極として電解処理することに
より行うことができる。

【００６５】有機高分子エマルジョンまたは溶液として
は、エポキシ系、アクリル系、酢酸ビニル系、アクリル
共重合系等が利用可能であるが、セラミック積層体を焼
成する際の熱分解性も考慮すると、アクリル系またはア
クリル共重合系の中から、陽極電解によって析出可能な
ものを選択するのが望ましい。

【００６６】また、金属膜厚と同等以下の薄さの厚みＤ
２（図５参照）を持つ接着層２４を形成するためには、
エマルジョンの粒径または分子量が十分小さいものを選
択することが望ましい。

【００６７】接着層２４の厚さＤ２（図５参照）は、パ
ターン化された金属膜２２の厚さＤ１（図５参照）と同
等以下とするのが望ましいが、これは電着電圧の設定に
より制御することができる。電着塗装では、印加電圧に
応じた厚みの絶縁膜が金属の表面に形成された段階で、
絶縁膜の成長が停止するからである。なお、前記有機高
分子エマルジョンまたは溶液には、通常の電着塗装法と
同様に、必要に応じて有機／無機の顔料等を添加するこ
ともでき、接着層の着色あるいはセラミック積層電子部
品におけるセラミック層と金属膜との密着性改善、金属
膜の酸化防止等の効果を持たせることも可能である。

【００６８】本実施形態に係る金属膜転写用部材３０
は、絶縁性の陽極酸化膜２０ａが形成してある導電性基
体２０を用いることとしてあるので、電着塗装法による
接着層２４を形成する前にめっきレジスト層３２を除去
しても、陽極酸化膜２０ａがアニオン電着塗装法に対し
てレジスト作用を示す。このため、パターン化された金
属膜２２上のみに接着層２４を形成することができる。
したがって、めっきレジスト層３２の厚みが厚い場合に
必要となるめっきレジスト層３２の剥離操作に起因する
接着層２４の損傷または汚染を回避することができる。

【００６９】次に、積層セラミックコンデンサ２の製造
方法を説明する。積層型セラミックコンデンサ２は、た
とえば上述した金属膜転写用部材３０などを用いて、以
下のようにして製造することができる。

【００７０】まず、誘電体層用ペーストを準備する。誘
電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混
練して得られた有機溶剤系ペースト、または水溶性溶剤
系ペーストで構成される。誘電体原料としては、複合酸
化物や酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸
塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択され、
混合して用いることができる。

【００７１】有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中
に溶解したものであり、有機ビヒクルに用いられるバイ
ンダとしては、特に限定されず、エチルセルロース、ポ
リビニルブチラール、アクリル樹脂などの通常の各種バ
インダが用いられる。また、有機溶剤も特に限定され
ず、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、
トルエンなどの有機溶剤が用いられる。

【００７２】また、水溶性溶剤系ペーストに用いられる
水溶性溶剤としては、水に水溶性バインダ、分散剤など
を溶解させた溶剤が用いられる。水溶系バインダとして
は特に限定されず、ポリビニルアルコール、メチルセル
ロース、ヒドロキシエチルセルロース、水溶性アクリル
樹脂、エマルジョンなどが用いられる。

【００７３】上述した各ペーストの有機ビヒクルの含有
量は特に限定されず、通常の含有量、たとえばバインダ
は１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度とす
ればよい。また、各ペースト中には必要に応じて各種分
散剤、可塑剤、ガラスフリット、絶縁体などから選択さ
れる添加物が含有されても良い。

【００７４】次に、この誘電体層用ペーストを用いて、
ドクターブレード法などにより、図３に示すグリーンシ
ート１０ａを形成する。次に、グリーンシート１０ａの
表面に、図１に示す内部電極１２となる金属膜のパター
ン１２ａを、転写法により形成する。また、別のグリー
ンシート１０ａの表面には、図１に示す内部電極１４と
なる金属膜のパターン１４ａを、転写法により形成す
る。

【００７５】金属膜のパターン１２ａおよび１４ａは、
同様な転写法によりグリーンシート１０ａの表面に形成
することができる。以下の説明では、グリーンシート１
０ａの表面に電極のパターン１２ａを直接転写法により
形成する方法について説明する。

【００７６】ドクターブレード法などで形成した直後の
グリーンシート１０ａは、通常、基材シート上に剥離可
能に積層してある。そのグリーンシート１０ａの表面
に、図４および図５に示す金属膜転写用部材３０を、接
着層２４がグリーンシート１０ａの表面に接触するよう
に積層させ、両者を、常温にて、好ましくは０．５〜２
０ｋｇ／ｃｍ^２ 、さらに好ましくは０．５〜１０ｋｇ
／ｃｍ^２ の圧力にて加圧する。

【００７７】その結果、転写用部材３０の表面に形成し
てある接着層２４の作用により、所定パターンの金属膜
２２は、グリーンシート１０ａ側に良好に接着し、基体
２０をグリーンシート１０ａ側から剥がすことで金属膜
が転写され、図３に示す金属膜のパターン１２ａが得ら
れる。その他の金属膜のパターン１４ａも、同様にして
転写法により形成することができる。

【００７８】本実施形態に係る金属膜転写用部材３０を
用いることにより、グリーンシート１０ａなどの壊れや
すい被転写部材の表面に、極めて薄くかつ均一な金属膜
のパターン１２ａまたは１４ａを、常温および低圧で転
写することができる。

【００７９】その後、これらパターン１２ａおよび１４
ａが形成されたグリーンシート１０ａを、必要に応じて
何らパターンが形成されていないグリーンシート１０ａ
と共に複数枚積層し、切断線１６に沿って切断すること
で焼成前グリーンチップを得る。

【００８０】次に、このグリーンチップに対して脱バイ
ンダ処理および焼成処理を行う。脱バインダ処理は焼成
前に行われ、通常の条件で行えばよいが、特に内部電極
層の導電材としてニッケルやニッケル合金などの卑金属
を用いる場合には、空気雰囲気において、昇温速度を５
〜３００°Ｃ／時間、より好ましくは１０〜１００°Ｃ
／時間、保持温度を１８０〜４００°Ｃ、より好ましく
は２００〜３００°Ｃ、温度保持時間を０．５〜２４時
間、より好ましくは５〜２０時間とする。

【００８１】グリーンチップの焼成雰囲気は、金属膜の
種類に応じて適宜決定すればよいが、導電材としてニッ
ケルやニッケル合金などの卑金属を用いる場合には、焼
成雰囲気の酸素分圧を１×１０^−８〜１×１０^−１２
気圧とすることが好ましい。酸素分圧が低すぎると内部
電極の導電材が異常焼結を起こして途切れてしまい、酸
素分圧が高すぎると内部電極が酸化される傾向にある。
また、焼成時の保持温度は１１００〜１４００°Ｃ、よ
り好ましくは１２００〜１３８０°Ｃである。この保持
温度が低すぎると緻密化が不充分となり、保持温度が高
すぎると内部電極の異常焼結による電極の途切れまたは
内部電極材質の拡散により容量温度特性が悪化する傾向
にある。

【００８２】これ以外の焼成条件としては、昇温速度を
５０〜５００°Ｃ／時間、より好ましくは２００〜３０
０°Ｃ／時間、温度保持時間を０．５〜８時間、より好
ましくは１〜３時間、冷却速度を５０〜５００°Ｃ／時
間、より好ましくは２００〜３００°Ｃ／時間とし、焼
成雰囲気は還元性雰囲気とすることが望ましく、雰囲気
ガスとしてはたとえば窒素ガスと水素ガスとの混合ガス
を加湿して用いることが望ましい。

【００８３】還元性雰囲気で焼成した場合は、コンデン
サチップの焼結体にアニールを施すことが望ましい。上
述した脱バインダ処理、焼成およびアニール工程におい
て、窒素ガスや混合ガスを加湿するためには、たとえば
ウェッターなどを用いることができる。この場合の水温
は５〜７５°Ｃとすることが望ましい。

【００８４】以上のようにして、図１および図２に示す
コンデンサ素体４が得られる。この得られたコンデンサ
素体４の両端部に、端子電極６および８を形成すれば、
積層セラミックコンデンサ２が得られる。

【００８５】本実施形態に係る積層セラミックコンデン
サの製造方法では、上述した構成の金属膜転写用部材３
０を用いるので、厚みが薄く且つ均一で欠陥の少ない内
部電極を持つ積層セラミックコンデンサ２を、きわめて
容易且つ低コストで製造することができる。

【００８６】第２実施形態 図７および図８に示すように、本実施形態に係る金属膜
転写用部材３０ａは、背面を絶縁被覆してあるシート状
導電性基体２０の表面に、陽極酸化処理による絶縁性の
陽極酸化膜２０ａが形成してあり、金属膜２２の表面に
アニオン電着塗装法により形成された接着層２４が積層
してある点では、上記第１実施形態と同様である。しか
しながら、本実施形態では、陽極酸化膜２０ａの表面
に、めっきレジスト層３２ａを残してある点で異なる。

【００８７】本実施形態において、陽極酸化膜２０ａの
表面にパターン化した金属膜２２を形成する方法として
は、まず、たとえば図９（Ａ）に示すように、予め所望
のパターン形状の開口部３４を有するめっきレジスト層
３２ａを、基体２０の陽極酸化膜２０ａの表面に形成す
る。

【００８８】本実施形態では、後述するようにレジスト
層３２を残したまま転写に供することとしてあるので、
めっきレジスト層３２ａの厚さは、形成する金属膜２２
と接着層２４との厚さの合計と同等以下の厚さとする必
要がある。レジスト層３２ａが金属膜転写の邪魔になら
ないようにするためである。レジスト層３２ａの材質な
どは、第１実施形態におけるレジスト層３２と同様であ
る。このように、比較的薄いめっきレジスト層３２ａを
形成するために、本実施形態では、スクリーン印刷法に
より、めっきレジスト層３２ａを陽極酸化膜２０ａの表
面に形成してある。

【００８９】次いで、図９（Ｂ）に示すように、開口部
３４（図９（Ａ）参照）内に、電解めっき法により金属
膜２２を形成する。金属膜２２の形成方法は、第１実施
形態と同様である。

【００９０】次いで、図９（Ｃ）に示すように、めっき
レジスト層３２ａを除去することなく、金属膜２２の表
面に、アニオン電着塗装法による熱可塑性有機高分子を
含む接着層２４を形成する。接着層２４の形成方法は、
第１実施形態と同様である。

【００９１】以上の構成の図７および図８に示す金属膜
転写用部材３０ａを用いて、第１実施形態と同様にし
て、積層セラミックコンデンサ２（図１および図２参
照）を製造することができる。

【００９２】本実施形態に係る金属膜転写用部材３０ａ
は、絶縁性の陽極酸化膜２０ａが形成してある導電性基
体２０を用いることとしてあるので、めっきレジスト層
３２の厚さを極端に薄くした場合でも、陽極酸化膜２０
ａがアニオン電着塗装法に対してレジスト作用を示す。
このため、めっきレジスト層３２の絶縁性が不足してい
る部位、たとえば厚みが薄い部分（図９（Ｃ）の点線部
分参照）に接着層２４が析出することを防止することが
できる。

【００９３】第３実施形態 図１０（Ｅ）に示すように、本実施形態に係る金属膜転
写用部材３０ｂは、図４および図５に示す上記第１実施
形態に係る金属膜転写用部材３０と同様の構造を有す
る。しかしながら、本実施形態では、金属膜転写用部材
３０ｂの製造方法、すなわち、陽極酸化膜２０ａの表面
にパターン化した金属膜２２を形成する方法が異なる。

【００９４】本実施形態において、陽極酸化膜２０ａの
表面にパターン化した金属膜２２を形成する方法は、図
１０（Ａ）〜（Ｂ）に示すように、基体２０の陽極酸化
膜２０ａの表面全面に電解めっき法により金属膜２２を
形成した後、所望のパターン形状を有するエッチングレ
ジスト層３２ｂを形成する。

【００９５】エッチングレジスト層３２ｂは、たとえば
スクリーン印刷などにより形成することができる。エッ
チングレジスト層３２ｂの材質は、特に限定されず、た
とえばアルカリ可溶性の樹脂などから構成することがで
きる。エッチングレジスト層３２ｂの厚さは、１〜３０
μｍ程度とすれば良い。

【００９６】次いで、図１０（Ｃ）に示すように、エッ
チングレジスト層３２ｂが積層されていない露出された
金属膜を、たとえば塩化第二鉄、塩酸、界面活性剤など
が所定割合で含有してあるエッチング液に浸漬させて、
当該露出している金属膜を溶解除去する。

【００９７】次いで、図１０（Ｄ）に示すように、エッ
チングレジスト層３２ｂをたとえば炭酸ナトリウムが溶
解されているアルカリ液などの剥離液を用いて除去す
る。

【００９８】そして、図１０（Ｅ）に示すように、金属
膜２２の表面に、アニオン電着塗装法による熱可塑性有
機高分子を含む接着層２４を形成する。接着層２４の形
成方法は、第１実施形態と同様である。

【００９９】以上の構成の図１０（Ｅ）に示す金属膜転
写用部材３０ｂを用いて、第１実施形態と同様にして、
積層セラミックコンデンサ２（図１および図２参照）を
製造することができる。

【０１００】その他の実施形態 以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発
明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様
で実施し得ることは勿論である。

【０１０１】たとえば、前述の第１〜３実施形態では、
グリーンシート１０ａの表面に電極のパターン１２ａを
形成する方法として直接転写法を採用しているが、これ
に限定されず、１種以上の中間媒体を介して間接的に電
極パターン１２ａを形成する間接転写法を採用してもよ
い。電極パターン１２ａをグリーンシート１０ａの表面
に直接転写せず、一旦、紙などの高い強度を持つ中間媒
体（図示省略）に転写しておき、これを用いてグリーン
シート１０ａの表面に前記電極パターン１２ａを転写さ
せる間接転写法を用いることにより、電極パターン１２
ａのより完全な転写が可能となる。

【０１０２】また、本発明では、長尺の基体を用いて金
属膜転写用部材を作製し、同じく長尺で作製したセラミ
ックグリーンシートと重ね合わせ、搬送過程において加
圧ロールでニップするような連続加工法の適用も可能で
ある。この場合には、積層セラミック電子部品の生産性
をさらに向上できる。

【０１０３】また、本発明の金属膜転写用部材の主たる
用途は、積層セラミックコンデンサなどの積層セラミッ
ク電子部品の金属内部電極の形成であるが、薄膜形成法
で形成されたパターン化された金属膜を転写する工程を
含む他の用途にも適用することができる。たとえば、積
層セラミック電子部品の外部電極の形成や、非接触ＩＣ
カード用のアンテナパターンの形成などにも、本発明に
係る金属膜転写用部材を用いることができる。

【０１０４】

【実施例】以下、本発明をさらに詳細な実施例に基づき
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。

【０１０５】実施例１ １重量％のＺｒを含むＮｂ箔（厚さ２０μｍ）を基体と
して準備した。

【０１０６】この基体の片面を全面的に絶縁した後、濃
度１規定の硫酸中に浸漬し、電圧１５Ｖで陽極電解処理
を行った。２分間の処理によって、電流はほぼ流れなく
なり、処理後の面は茶色を呈した。洗浄・乾燥した後、
陽極酸化処理面に所望のパターン形状の開口部を残して
トルエン可溶性のめっきレジストを１０μｍの厚さで印
刷し、乾燥した。

【０１０７】陽極酸化処理後の基体を、濃度５重量％の
酸性ふっ化アンモニウム溶液に浸漬して活性化した後、
スルファミン酸ニッケル３００ｇ／Ｌ、臭化ニッケル５
ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ、及び応力減少剤としてのナ
フタリンジスルホン酸ナトリウム０．５ｇ／Ｌからなる
スルファミン酸ニッケルめっき浴に浸漬し、温度５０°
Ｃ、ｐＨ４．５、陰極電流密度０．５Ａ／ｄｍ^２ にて
６分間めっき処理を行い、基体の陽極酸化処理面に、ニ
ッケル膜を析出させた。

【０１０８】蛍光Ｘ線膜厚計によって、ニッケル膜の厚
さを求めたところ、平均０．５μｍであった。

【０１０９】ニッケル膜形成後の基体を、トルエンを用
いてブラシ洗浄し、めっきレジストを完全に除去した。

【０１１０】続いて、不揮発分濃度を３重量％、ｐＨを
７．０に調製したアクリル酸エステルエマルジョン（日
本ＮＳＣ製、ヨドゾールＡＤ９３、エマルジョン径＝
０．１μｍ、ガラス転移点＝−１０°Ｃ、アニオンタイ
プ）中に浸漬し、１０Ｖの電圧で６０秒間のアニオン電
着処理を行なってアクリル酸エステル樹脂からなる接着
層を形成した。

【０１１１】ニッケル膜が形成されている部分以外に
は、接着層は析出しておらず、重量増加量からその厚さ
を求めところ０．６μｍであった。

【０１１２】こうして得られた、接着層を形成したパタ
ーン化されたニッケル膜上に、転写性評価のため、濾紙
（Ｎｏ５Ｃ）を重ね合わせ、２５°Ｃにおいて２０ｋｇ
／ｃｍ^２ の圧力で加圧した後、直ちに基体を取り除い
た。ニッケル膜は、濾紙の表面に欠落なく転写してお
り、濾紙のけば立ちも認められなかった。

【０１１３】比較例１ 基体の陽極酸化処理を行わなかった以外は、実施例１と
同様にしてレジスト印刷、ニッケルめっき処理を行っ
た。次いで、アクリル酸エステル樹脂のアニオン電着処
理を行ったのち、トルエンを用いてブラシ洗浄によりレ
ジストを除去した。

【０１１４】顕微鏡にて観察したところ、ニッケル膜パ
ターンの周囲には、レジスト層の残存が認められ、ま
た、一部の角が欠落しているパターンも認められた。

【０１１５】実施例１と同じ条件で濾紙への金属膜転写
試験を行ったところ、転写自体は可能であったが、ニッ
ケル膜パターンの周囲の濾紙にけば立ちが認められた。

【０１１６】実施例２ 純度９９．９９％のＴａ板（厚さ１００μｍ）を基体と
して用いた以外は、実施例１と同様に陽極酸化処理、レ
ジスト印刷、ニッケルめっき処理、レジスト除去処理、
アクリル酸エステル樹脂電着処理、濾紙への金属膜転写
試験を行った。

【０１１７】陽極酸化処理面は、紫色を呈していたが、
Ｎｂを用いた場合と同様に、ニッケル膜が形成されてい
る部分以外には接着層は形成されず、濾紙への金属膜の
転写に際して問題は発生しなかった。

【０１１８】実施例３ 実施例１と同じく陽極酸化処理を行ったＮｂを主成分と
する箔に、めっきレジストとして、シリコーンＲＴＶゴ
ム（信越シリコーンＫＥ４４Ｗ）を所定のパターンの開
口部を残してスクリーン印刷し、常温で２４時間放置し
て硬化させた。

【０１１９】シリコーン膜厚は、印刷条件の調整により
平均２μｍとしたが、スクリーンのメッシュ跡に相当す
る凹凸部位（図９（Ｂ）に示す符号３２ａ参照）が認め
られた。

【０１２０】実施例１と同様に活性化処理、ニッケルめ
っき処理を行った後、シリコーン膜を残したままアクリ
ル酸エステル樹脂のアニオン電着処理を行い、濾紙への
金属膜転写試験を行った。

【０１２１】ニッケル膜が形成されている部分以外には
接着層は形成されず、濾紙への金属膜の転写に際して、
濾紙のけば立ち、シリコーン膜の剥離等の問題は発生し
なかった。

【０１２２】比較例２ 陽極酸化処理を行わないままのＮｂを主成分とする箔
に、実施例３と同様に平均厚さ２μｍのシリコーン膜を
形成し、実施例３と同様に活性化処理、ニッケルめっき
処理、シリコーン膜を残したままのアクリル酸エステル
樹脂のアニオン電着処理、濾紙への金属膜転写試験を行
った。

【０１２３】顕微鏡にて観察したところ、スクリーンの
メッシュ跡に相当する凹凸部位に接着層２４（図９
（Ｃ）に示す符号３２ａの点線参照）が析出しており、
濾紙への金属膜の転写に際して、格子状の濾紙のけば立
ち、シリコーン膜の剥離が発生した。

【０１２４】実施例４ 実施例１と同様に片面を絶縁し、他面を陽極酸化処理し
た１重量％のＺｒを含むＮｂ基体の陽極酸化処理面全体
に、実施例１と同組成のめっき浴を用いて同条件でニッ
ケル膜を析出させた。

【０１２５】ニッケル膜形成後の表面にアルカリ可溶性
のエッチングレジストを所定パターンでスクリーン印刷
し、乾燥した。

【０１２６】塩化第二鉄１００ｇ／Ｌのエッチング液に
浸漬して露出しているニッケル膜を溶解除去し、次い
で、炭酸ナトリウム５０ｇ／Ｌのアルカリ液でエッチン
グレジストを除去した。

【０１２７】続いて、実施例１と同様にしてアニオン電
着処理を行ってアクリル酸エステル樹脂からなる接着層
を形成した。

【０１２８】実施例１と同じく、ニッケル膜が形成され
ている部分以外には、接着層は析出しておらず、濾紙へ
の転写性も良好であった。

【０１２９】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明に係る
金属膜転写用部材によれば、部分的に転写不良を生じる
ことなく極めて薄くかつ均一な金属膜のパターンを、グ
リーンシートなどの壊れやすい転写対象物を破壊するこ
となく、より安定的に当該転写対象物の表面に転写する
ことができる。

【０１３０】また、本発明に係る金属膜転写用部材の製
造方法によれば、このような金属膜転写用部材を、きわ
めて容易且つ低コストで製造することができる。特に、
めっき処理に関しては障害とならず、アニオン電着塗装
に対してのみレジスト作用を持つ陽極酸化膜を形成でき
ることから、印刷等によるレジスト層がない状態、また
は絶縁性にムラのある薄いレジスト層しか存在しない状
態でも、パターン化された金属膜表面のみにアニオン電
着塗装法による接着層を形成でき、１μｍ程度の極めて
薄い金属膜転写用部材を提供することができる。

【０１３１】さらに、本発明に係る積層セラミック電子
部品の製造方法によれば、上述した構成の金属膜転写用
部材を用いるので、厚みが薄く且つ均一で欠陥の少ない
内部電極を持つ積層セラミック電子部品を、きわめて容
易且つ低コストで製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミ
ックコンデンサの一部破断断面図である。

【図２】 図２は積層セラミックコンデンサの平面図で
ある。

【図３】 図３は図１および図２に示すコンデンサの製
造過程に用いるグリーンシートの斜視図である。

【図４】 図４は金属膜転写用部材の一例を示す斜視図
である。

【図５】 図５は図４に示すV−V線に沿う断面図であ
る。

【図６】 図６は本発明に係る金属膜転写用部材の製造
方法の一例を説明するための工程図である。

【図７】 図７は金属膜転写用部材の一例を示す斜視図
である。

【図８】 図８は図７に示すVIII−VIIIに沿う断面図で
ある。

【図９】 図９は本発明に係る金属膜転写用部材の製造
方法の一例を説明するための工程図である。

【図１０】 図１０は本発明に係る金属膜転写用部材の
製造方法の一例を説明するための工程図である。

【符号の説明】

２… 積層セラミックコンデンサ ４… コンデンサ素体 ６… 第１端子電極 ８… 第２端子電極 １０… 誘電体層 １０ａ… グリーンシート １２… 第１内部電極層 １２ａ… パターン １４… 第２内部電極層 １４ａ… パターン ２０… 基体 ２０ａ… 陽極酸化膜 ２２… 金属膜 ２４… 接着層 ３０，３０ａ，３０ｂ… 金属膜転写用部材 ３２，３２ａ… めっきレジスト層 ３２ｂ… エッチングレジスト層 ３４… 開口部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｃ２５Ｄ 13/12 Ｃ２５Ｄ 13/12 13/20 13/20 Ａ Ｈ０１Ｇ 4/30 ３１１ Ｈ０１Ｇ 4/30 ３１１Ｄ ３１１Ｆ

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 陽極酸化膜が形成してあるバルブ金属を
   主成分とする導電性基体と、 前記基体の陽極酸化膜側表面に電解めっき法により形成
   された所定パターンの金属膜と、 前記金属膜の表面にアニオン電着塗装法により形成され
   た熱可塑性有機高分子を含む接着層とを有する金属膜転
   写用部材。
2. 【請求項２】 前記導電性基体が、ＮｂまたはＴａを主
   成分とすることを特徴とする請求項１記載の金属膜転写
   用部材。
3. 【請求項３】 前記接着層に含まれる熱可塑性有機高分
   子が、アクリル系樹脂またはアクリル共重合系樹脂であ
   ることを特徴とする請求項１または２記載の金属膜転写
   用部材。
4. 【請求項４】 前記陽極酸化膜の厚みが、５０〜１００
   ０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜３の何れかに
   記載の金属膜転写用部材。
5. 【請求項５】 前記接着層の厚みが、０．１〜１０μｍ
   であることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の
   金属膜転写用部材。
6. 【請求項６】 前記金属膜の厚みが、０．１〜３０μｍ
   であることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の
   金属膜転写用部材。
7. 【請求項７】 バルブ金属を主成分とする導電性基体の
   表面に陽極酸化処理により陽極酸化膜を形成する工程
   と、 前記導電性基体の陽極酸化膜側表面に所定パターンの開
   口部を持つめっきレジスト層を形成する工程と、 前記所定パターンの開口部内に電解めっき法により金属
   膜を形成する工程と、 前記金属膜の表面にアニオン電着塗装法により熱可塑性
   有機高分子を含む接着層を形成する工程とを有する金属
   膜転写用部材の製造方法。
8. 【請求項８】 前記接着層形成工程前に、前記めっきレ
   ジスト層を除去する工程を有する請求項７記載の金属膜
   転写用部材の製造方法。
9. 【請求項９】 バルブ金属を主成分とする導電性基体の
   表面に陽極酸化処理により陽極酸化膜を形成する工程
   と、 前記導電性基体の陽極酸化膜側表面に電解めっき法によ
   り金属膜を形成する工程と、 前記金属膜の表面に所定パターンのエッチングレジスト
   層を形成する工程と、 前記金属膜の露出部分をエッチングにより除去する工程
   と、 前記エッチングレジスト層を除去する工程と、 前記金属膜の表面にアニオン電着塗装法により熱可塑性
   有機高分子を含む接着層を形成する工程とを有する金属
   膜転写用部材の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記陽極酸化処理を、前記アニオン電
    着塗装の電着電圧以上の処理電圧において行うことを特
    徴とする請求項７〜９の何れかに記載の金属膜転写用部
    材の製造方法。
11. 【請求項１１】 陽極酸化膜が形成してあるバルブ金属
    を主成分とする導電性基体の陽極酸化膜側表面に所定パ
    ターンで形成された金属膜の表面にアニオン電着塗装法
    により熱可塑性有機高分子を含む接着層が形成されてい
    る金属膜転写用部材から、焼成後にセラミック焼結体と
    なるグリーンシートの表面に、直接または１種以上の中
    間媒体を介して間接的に、所定パターンの金属膜を転写
    する工程と、 前記所定パターンの金属膜が転写されたグリーンシート
    を、他のグリーンシートと共に積層する工程と、 積層されたグリーンシートを焼成する工程とを有する積
    層セラミック電子部品の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記焼成工程前に、積層されたグリー
    ンシートを切断する工程を有する請求項１１記載の積層
    セラミック電子部品の製造方法。