JPS63104314A - チツプコンデンサの電極端子の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はチップコンデンサの電極端子、とりわけ積層型
セラミックコンデンサの外部電極端子の形成方法に関す
るものである。

従来の技術 近年、電子機器の軽薄短小化に対する要求が増大してく
るにつれ、これら電子機器回路を構成する各種回路素子
のチップ化が必要不可欠となって来ている。

このような中にあって、昨今チップコンデンサとりわけ
積層型セラミックコンデンサが多くの電子機器に使用さ
れるようになり、その需要が著しく増加している。

従来のチップコンデンサは第２図に示すような形状をし
ており、そのセラミック誘電体１の相対する一対の両端
部に外部電極端子３を形成したものである。

このチップコンデンサの外部電極端子の形成は第３図人
　、　Ｄに示すような工程を経て作られている。

即ち、第３図人に示すようにセラミック誘電体１と内部
電極端子２を交互に積層した個片状の・焼結体を作り、
第３図Ｂに示すようにこのセラミック焼結体の相対する
一対の両端部に内部電極端子２の破断露出面と接触する
ように銀、ガラス系の導体ペーストを塗布して高温焼成
することによって銀ガラス焼結体３ａから成る外部電極
端子を形成した後で、第３図Ｃ，Ｄに示すように、銀ガ
ラス焼結体３乙の表面にはんだづけが可能な金属として
ニッケル金属３ｂとはんだ３Ｃを順次めっきし、３層の
金属から成る外部電極端子３を形成したものである。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、このような方法では、銀ガラス焼結体に
よって外部電極端子の素地を形成するが、このメタルグ
レーズ系の導体ペーストはコストが高くつくことばもと
よシ、セラミック焼結体の両端部に均一に塗布する技術
が困難を極め、電極端子の厚みのばらつきが大きくなる
こと、さらには、銀ガラス焼結体上にニッケルやはんだ
金属をバレルめっき法によって析出させる工程において
、めっ含液中の酸やアルカリがガラス成分を溶出するた
め端子強度を低下させたり、また長時間めっき浴中に浸
漬すると露出したセラミック誘電体がめつき液に浸漬さ
れてコンデンサ素子の特性劣化が生じることやセラミッ
ク誘電体層の表面にめっき金属がはみ出して付着するな
ど電極端子の形成工程において種々の不都合があった。

本発明はこのような問題点を解決するもので、外部電極
端子の厚さを均一にし、かつ端子強度や誘電体の特性劣
化の少ない経済性と信頼性にすぐれたチップコンデンサ
の電極端子の形成方法を提供するものである。

問題点を解決するための手段 この問題点を解決するために本発明はセラミック誘電体
と内部電極端子を交互に積層して焼結した個片状のコン
デンサ素子の表面に導電性金属層を析出させて、この素
子の内部電極端子の破断面が露出した相対する一対の両
端部に耐エツチング性のレジストを塗布し、露出した導
電金属層をエツチングによｐ溶解除去することによって
チップコンデンサの電極端子を形成したものである。

作用 この方法によって、外部電極端子は金属のみによシ形成
されるので端子強度の低下がなく、均一な厚さに形成さ
れ、しかもコンデンサ素子の全面に導電金属層が析出す
るため、セラミック誘電体層がめつき液中に露出される
時間が短かいので、特性劣化が生じることなく、経済性
と信頼性にすぐれたチップコンデンサの電極端子が形成
されることとなる。

実施例 第１図Ａ、Ｅは本発明の一実施例によるチップコンデン
サの電極端子の形成工程を示す断面図であり、第１図に
おいて、４はセラミック誘電体層、５は内部電極端子、
６は導電性金属薄膜層、７は厚膜導電金属層、８は耐エ
ツチングレジスト層である。

以上のような構成からなるチップコンデンサについて、
以下にその外部電極端子の形成方法を詳細に述べる。

本発明の実施例では先ず第１図人に示すように、例えば
チタン酸バリウムを主成分としたグリーンシート状のセ
ラミック誘電体４の表面に白金やパラジウムなどのメタ
ルグレーズ系の導体ペーストをスクリーン印刷法によっ
て所定の配線状に塗布して内部電極端子６を形成し、こ
のシートを必要とする容量になるように複数枚積層して
個片状に切断して、相対する一対の両端部に内部電極端
子６の破断面を露出させ、１３００’Ｃの高温中で焼成
することによって個片状のセラミック誘電体の焼結体を
作る。

次いで第１図Ｂに示すように、この個片状のセラミック
焼結体の全表面に、導電性金属薄膜層６を付着させる。

この場合、導電金属層６の付着方法としては、スパッタ
リングや真空蒸着法などによって直接金属薄膜層を形成
する方法や、塩化第１スズと塩化パラジウムの溶液中に
浸漬して活性化処理を行ない、無電解めっき法によって
導電性金属薄膜層を形成する方法があるが、本実施例で
はスパッタリング法によって０．６〜１μのニッケル薄
膜層を析出させた。そして第１図Ｃに示すようにこの導
電性金属薄膜層６の表面に電気めっき法や無電解めっき
法によって金属層７を厚付けした。

尚、ここで導電性金属薄膜層６としては内部電極層と良
好な接続が保てることを必要とし、実施例ではニッケル
、銅の他に亜鉛、クロム、銀などの金属をうすく析出さ
せ、その表面に銅や二・ノケル金属を厚付けした２層構
造とした。

それから第１図りに示すように、全面に導電金属層了を
厚付けした個片状の素子の内部電極端子５の破断面が露
出した相対する一対の両端部に耐酸性を有するエツチン
グレジスト８を、例えばローラー法により選択的に塗布
し、レジスト８を乾燥させてから、第１図Ｅに示すよう
にレジスト８が被覆されていない導電金属層７をエツチ
ング法によυ溶解除去し、しかる後に耐エツチングレジ
スト８を除去することにより電極端子を形成した。

このような方法に↓シ得られた電極端子は最外層の導電
金属層７が酸化されやすい金属で構成される場合には、
酸化防止のためにその表面にはんだやスズなどの金属を
バレルめつき法によって析出させてもよい。

発明の効果 以上の説明から明らかなように本発明によるチップコン
デンサの電極端子は、従来例のように銀−ガラス系の導
体ペーストを用いて高温焼成し、その表面にニッケルや
はんだをめっきするものではなく、個片状のセラミック
の焼結体に直接導電金属を付着させてから、相対する一
対の両端部にエツチングレジストを塗布し、不要部分の
導電金属層を溶解除去するものであυ、貴金属を使用す
ることがないので経済的効果が大きく、しかも電極端子
の強度の劣化がないことや、セラミック誘電体の全表面
に予めスパッタリング法などのドライプロセスによシ導
電金属層を薄く付着させてから、その表面にめっき法に
よυ金属を厚付けする方法を用いると、セラミック誘電
体の表面が直接めっき液に暴露されないのでセラミック
誘電体層の特性劣化が著しく軽減され、さらには最終的
にエツチング法によって電極端子を形成するので、従来
例のようにバレルめっき工程での電極端子外へのめっき
金属のはみ出し不良がなく、品質や歩留りにすぐれたチ
ップコンデンサの電極端子が形成できる効果が得られる
ものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例によるチップコンデンサの電
極端子の形成工程を示す断面図、第２図は従来例による
チップコンデンサの斜視図、第３図は従来例によるチッ
プコンデンサの電極端子の形成工程を示す断面図である
。 ４・・・・・セラミック誘電体、５・・・・・・内部電
極端子、６・・・・・・導電性金属薄膜層、７・・・・
・・金属層、８−・・・・・エツチングレジスト。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名４−
一−セラミンク′８Ｊ電１本 ５−−一宍職電也掲ぎ ６−−−傳電住念鶴簿麟 ７−ジ１守再電も−１ と−ｍ−エッチングレジスト ８ｇ１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　セラミック誘電体と内部電極端子を交互に積層して焼
   結した個片状のコンデンサ素子の全表面に導電性を有す
   る金属層を析出する工程と、前記コンデンサ素子の前記
   内部電極端子の破断面が露出した相対する一対の両端部
   に耐エッチング性を有するレジストを塗布する工程と、
   前記露出した金属層を溶解除去する工程とからなるチッ
   プコンデンサの電極端子の形成方法。