CN102683012B - 陶瓷电子部件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种陶瓷电子部件，该陶瓷电子部件的构成外部电极的镀敷膜不易剥离。陶瓷电子部件(1)具备长方体状的陶瓷本体(10)、第1外部电极(13)、和第2外部电极(14)。第1外部电极(13)由至少一个包括形成于陶瓷本体(10)的外表面的正上方的第1镀敷膜(13a)在内的镀敷膜构成。第2外部电极(14)由至少一个包括形成于陶瓷本体(10)的外表面的正上方的第2镀敷膜(14a)在内的镀敷膜构成。第1以及第2镀敷膜(13a、14a)的各自的俯视下的每单位面积的表面积为1.02以上。

Description

陶瓷电子部件
技术领域
本发明涉及陶瓷电子部件。本发明尤其涉及具备长方体状的陶瓷本体、和在该陶瓷本体上形成的外部电极的陶瓷电子部件。
背景技术
以往，在各种电子装置中，使用陶瓷电容器等各种陶瓷电子部件。例如在下述专利文献1中，作为陶瓷电子部件的一个例子，公开了一种层叠陶瓷电容器，该层叠陶瓷电容器具备：在内部设置了第1以及第2内部电极的长方体状的陶瓷本体；设置于陶瓷本体的第1端面上的第1外部电极；和设置于陶瓷本体的第2端面上的第2外部电极。在专利文献1中记载有通过镀敷而形成第1以及第2外部电极。
专利文献1：WO 2007/049456A1号公报
但是，在专利文献1中记载的陶瓷电容器中，在想要通过焊锡来接合布线基板上的电极和第1以及第2外部电极并进行安装的情况下，存在容易产生镀敷膜的剥离的问题。
发明内容
本发明正是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种构成外部电极的镀敷膜不易剥离的陶瓷电子部件。
本发明相关的陶瓷电子部件具备长方体状的陶瓷本体、第1外部电极、和第2外部电极。陶瓷本体具有互相对置的第1以及第2主面、互相对置的第1以及第2侧面、和互相对置的第1以及第2端面。第1外部电极由至少一个包括形成于陶瓷本体的外表面的正上方的第1镀敷膜在内的镀敷膜构成。第2外部电极由至少一个包括形成于陶瓷本体的外表面的正上方的第2镀敷膜在内的镀敷膜构成。第1以及第2镀敷膜的各自的俯视下的每单位面积的表面积为1.02以上。
本发明相关的陶瓷电子部件的某特定方面中，第1镀敷膜形成于第1端面的正上方，第2镀敷膜形成于第2端面的正上方。
本发明相关的陶瓷电子部件的另一特定的方面中，第1以及第2镀敷膜分别形成于第1以及第2主面的至少一者的正上方。
本发明相关的陶瓷电子部件的又一特定的方面中，陶瓷电子部件还具备设置于陶瓷本体的内部的多个第1内部电极和多个第2内部电极。第1以及第2外部电极的位于第1以及第2内部电极上的部分的表面成为朝向陶瓷本体侧而凹下的凹面。
本发明相关的陶瓷电子部件的又一特定的方面中，第1以及第2镀敷膜的各自的俯视下的每单位面积的表面积为1.15以下。
本发明相关的陶瓷电子部件的又一特定的方面中，第1外部电极由第1镀敷膜、第3镀敷膜、和第5镀敷膜的层叠体构成，其中第3镀敷膜形成于第1镀敷膜上，第5镀敷膜形成于第3镀敷膜上并由Sn或者Sn合金构成，第2外部电极由第2镀敷膜、第4镀敷膜、和第6镀敷膜的层叠体构成，其中第4镀敷膜形成于第2镀敷膜上，第6镀敷膜形成于第4镀敷膜上并由Sn或者Sn合金构成。
本发明相关的陶瓷电子部件的又一特定的方面中，第3以及第4镀敷膜由Ni或者Ni合金构成，第1以及第2镀敷膜由Cu或者Cu合金构成。
根据本发明，能够提供一种构成外部电极的镀敷膜不易剥离的陶瓷电子部件。
附图说明
图1为第1实施方式相关的陶瓷电子部件的略图的立体图。
图2为图1的线II-II上的略图的截面图。
图3为放大了图2的III部分的略图的截面图。
图4为放大了图2的IV部分的略图的截面图。
图5为第1实施方式相关的陶瓷电子部件的略图的侧面图。
图6为第2实施方式相关的陶瓷电子部件的略图的立体图。
图7为第2实施方式相关的陶瓷电子部件的略图的截面图。
图8为第2实施方式相关的陶瓷电子部件的略图的截面图。
图9为第3实施方式相关的陶瓷电子部件的略图的立体图。
图10为第3实施方式相关的陶瓷电子部件的略图的截面图。
图11为第3实施方式相关的陶瓷电子部件的略图的截面图。
符号的说明
1～3...陶瓷电子部件
10...陶瓷本体
10a...第1主面
10b...第2主面
10c...第1侧面
10d...第2侧面
10e...第1端面
10f...第2端面
11...第1内部电极
12...第2内部电极
13...第1外部电极
13A、14A、13B、14B...电极部
14...第2外部电极
13a～13c、14a～14c...镀敷膜
15...陶瓷层
具体实施方式
(第1实施方式)
以下，以图1所示的陶瓷电子部件1为例，对实施了本发明的优选方式进行说明。但是，下述的陶瓷电子部件1仅是例示。本发明相关的陶瓷电子部件并不限定于陶瓷电子部件1。
图1为本实施方式相关的陶瓷电子部件的略图的立体图。图2为图1的线II-II上的略图的截面图。图3为放大了图2的III部分的略图的截面图。图4为放大了图2的IV部分的略图的截面图。图5为本实施方式相关的陶瓷电子部件的略图的侧面图。
如图1以及图2所示，陶瓷电子部件1具备陶瓷本体10。陶瓷本体10形成为长方体状。陶瓷本体10具有：互相对置的第1以及第2主面10a、10b；互相对置的第1以及第2侧面10c、10d；和互相对置的第1以及第2端面10e、10f。第1以及第2主面10a、10b分别沿着长度方向L以及宽度方向W延伸。第1以及第2侧面10c、10d分别沿着长度方向L以及厚度方向T延伸。第1以及第2端面10e、10f分别沿着宽度方向W以及厚度方向T延伸。另外，长度方向L和宽度方向W互相垂直。厚度方向T分别相对于长度方向L以及宽度方向W垂直。
在本发明中，“长方体”中也包括将角部或棱线部弄圆的长方体。即，陶瓷本体10也可形成为角部或棱线部的至少一部分被弄圆的长方体状。
在本实施方式中，如图2所示，陶瓷本体10由将多个陶瓷层15沿厚度方向T层叠而得到的层叠体构成。陶瓷层15的厚度优选为0.5μm～5μm。
陶瓷本体10由适当的陶瓷材料形成。构成陶瓷本体10的陶瓷材料根据陶瓷电子部件1的特性等而被适当选择。
例如，在陶瓷电子部件1为陶瓷电容器元件的情况下，陶瓷本体10可以由以电介质陶瓷为主成分的材料来形成。作为电介质陶瓷的具体例自，可以举出例如BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3等。也可在陶瓷本体10中适当添加例如Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物等副成分。
此外，例如在陶瓷电子部件1为陶瓷压电元件的情况下，陶瓷本体10可以由例如以压电陶瓷为主成分的材料来形成。作为压电陶瓷的具体例子，例如可以举出PZT(锆钛酸铅)系陶瓷等。
例如在陶瓷电子部件1为热敏电阻元件的情况下，陶瓷本体10可以由例如半导体陶瓷来形成。作为半导体陶瓷的具体例子，可以举出例如尖晶石系陶瓷等。
例如在陶瓷电子部件1为电感器元件的情况下，陶瓷本体10可以由磁性体陶瓷来形成。作为磁性体陶瓷的具体例子，可以举出例如铁氧体陶瓷等。
以下，在本实施方式中，对陶瓷电子部件1为陶瓷电容器，陶瓷本体10由以电介质陶瓷为主成分的材料来形成的例子进行说明。
在陶瓷本体10的内部设置有多个第1内部电极11和多个第2内部电极12。第1以及第2内部电极11、12分别在陶瓷本体10的内部沿着长度方向L以及宽度方向W配置。第1以及第2内部电极11、12沿着厚度方向T交替地排列。第1以及第2内部电极11、12的一部分之间隔着陶瓷层15在厚度方向T上对置。
第1内部电极11被引出到第1端面10e。第1内部电极11在第2端面10f、第1以及第2主面10a、10b、和第1以及第2侧面10c、10d上不露出。第2内部电极12被引出到第2端面10f。第2内部电极12在第1端面10e、第1以及第2主面10a、10b、和第1以及第2侧面10c、10d上不露出。
第1以及第2内部电极11、12的厚度优选为0.3μm～2.0μm。
第1以及第2内部电极11、12只要为具有导电性的元件则没有特别限定。第1以及第2内部电极11、12可以由例如Ni、Cu、Ag、Pd、Au等金属、或Ag-Pd合金等包括这些金属中的至少一种的合金来形成。
在陶瓷本体10的第1端面10e上形成第1外部电极13。第1外部电极13与第1内部电极11连接。另一方面，在陶瓷本体10的第2端面10f上形成第2外部电极14。第2外部电极14与第2内部电极12连接。另外，在本实施方式中，第1以及第2外部电极13、14只形成在第1或者第2端面10e、10f上，但第1以及第2外部电极13、14的各自的一部分也可形成于主面10a、10b或侧面10c、10d上。
在本实施方式中，第1以及第2外部电极13、14分别由至少一个镀敷膜而构成。具体地来说，在本实施方式中，第1以及第2外部电极13、14分别由多个镀敷膜的层叠体而构成。
更具体地来说，第1外部电极13由镀敷膜13a～13c的层叠体构成。镀敷膜13a形成于第1端面10e的正上方。镀敷膜13b形成于镀敷膜13a上。镀敷膜13c形成于镀敷膜13b上。但是，第1外部电极13也可以只由镀敷膜13a形成。
第2外部电极14由镀敷膜14a～14c的层叠体构成。镀敷膜14a形成于第2端面10f的正上方。镀敷膜14b形成于镀敷膜14a上。镀敷膜14c形成于镀敷膜14b上。但是，第2外部电极14也可以只由镀敷膜14a形成。
形成于第1或第2端面10e、10f的正上方的镀敷膜13a、14a可以由例如Cu或者Cu合金所构成的镀敷膜来构成。例如通过由Ni或者Ni合金构成的电极来构成第1以及第2内部电极11、12，通过由Cu或者Cu合金构成的镀敷膜来构成镀敷膜13a、14a，从而能够提高第1以及第2内部电极11、12与镀敷膜13a、14a的接合强度。
镀敷膜13a、14a的厚度虽没有特别地限定，但可以为例如2.5μm～10μm。
形成于镀敷膜13a、14a上的镀敷膜13b、14b为用于提高焊锡与第1以及第2外部电极13、14的接合强度的镀敷膜。因此，镀敷膜13b、14b优选为对焊锡的亲和性高，并且对镀敷膜13a、14a的亲和性也高的镀敷膜。镀敷膜13b、14b可以通过例如由Ni或者Ni合金构成的镀敷膜来构成。
镀敷膜13b、14b的厚度虽没有特别地限定，但优选为例如1μm～5μm。在镀敷膜13b、14b的厚度比5μm厚的情况下，存在镀敷膜13a、14a的凹凸变得平滑而难以得到本发明的效果的情况。
本实施方式中，在镀敷膜13b、14b上形成的镀敷膜13c、14c为由Sn或者Sn合金构成的镀敷膜。因此，在使焊锡与第1以及第2外部电极13、14接合时，镀敷膜13c、14c实质上发生熔解，与焊锡成为一体。镀敷膜13b、14b实质上与焊锡接合。
镀敷膜13c、14c的厚度虽没有特别地限定，但可以为例如1μm～10μm。
在此，在本实施方式中，形成于第1或者第2端面10e、10f的正上方的镀敷膜13a、13b的各自的俯视下的每单位面积的表面积(以下称作“S比率”)为1.02以上。因此，如在下述的实验例中也被证明的那样，第1以及第2外部电极13、14的镀敷膜13a、14a与镀敷膜13b、14b的接合强度高，镀敷膜13b、14b不易剥离。此外，通过使S比率为1.02～1.15，不仅能够提高第1以及第2外部电极13、14的镀敷膜13a、14a与镀敷膜13b、14b的接合强度，而且也能提高第1以及第2外部电极13、14对焊锡的润湿性。
如果镀敷膜13a、13b的S比率过小，则镀敷膜13b、14b容易剥离。这被认为是由于镀敷膜13a、14a和镀敷膜13b、14b的接合界面的面积变小的缘故。
另一方面，如果镀敷膜13a、14a的S比率过大，则第1以及第2外部电极13、14对焊锡的润湿性降低。这被认为是由于第1以及第2外部电极13、14的表面的凹凸变得过大的缘故。
另外，如上所述，位于最外层的镀敷膜13c、14c在通过焊锡所进行的安装时熔解于焊锡中。因此，第1以及第2外部电极13、14将会在镀敷膜13b、14b的表面与焊锡接合。因此，可以认为镀敷膜13b、14b的S比率对焊锡润湿性直接带来影响。在此，如果镀敷膜13b、14b的厚度为5μm以下的范围内，则由于镀敷膜13a、14a较薄地形成，因此镀敷膜13b、14b的S比率与镀敷膜13a、14a的S比率实质上相等。因此，通过使镀敷膜13b、14b的S比率处于合适的范围，能够得到合适的焊锡润湿性。
另外，在本发明中，S比率能够由以下的方法来测定。
首先，使镀敷膜13a、14a露出。具体地来说，在形成有例如镀敷膜13b、13c、14b、14c的情况下，通过除去镀敷膜13b、13c、14b、14c来使镀敷膜13a、14a露出。在例如镀敷膜13b、14b为Ni镀敷膜，镀敷膜13c、14c为Sn镀敷膜的情况下，在混合了50ml的蒸馏水、50ml的89％乙醇、50ml的32％盐酸以及10g的硫酸铜(II)的水溶液中能够通过浸渍陶瓷电子部件1来进行镀敷膜13b、13c、14b、14c的除去。
接下来，采用扫描型探针显微镜(scanning probe microscope)来测定位于区域A(参照图5)的各边为50μm的测定范围，其中该区域A位于一方的镀敷膜13c的中央部。更具体地来说，在各边为50μm的测定范围中，进行256×256点的扫描，并用直线来连接该各点而形成255×255个四边形。算出这些255×255个四边形的总面积。而且，将所得到的总面积作为各边为50μm的测定范围中的表面积。而且，通过将该表面积除以测定范围的面积即2500μm2能够得到镀敷膜13a的S比率。镀敷膜14a的S比率也能够同样地算出。在此，只测定位于一方的镀敷膜13c的中央部的区域A(参照图5)的理由在于，由于镀敷膜13c的表面形状被形成为相同，因此能够将位于镀敷膜13c的中央部的区域A的S比率看做整体的S比率。
本实施方式的陶瓷电子部件1的制造方法没有被特别地限定。陶瓷电子部件1能够采用例如以下的方法来制造。
首先，准备用于形成陶瓷本体10的陶瓷生片。陶瓷生片能够通过例如丝网印刷法等各种印刷法来形成。
接下来，通过在陶瓷生片上印刷导电性浆料来形成内部电极形成用图案。另外，内部电极形成用图案的印刷能够通过丝网印刷法等来进行。用于内部电极形成用图案的印刷的浆料除了导电性微粒子之外，也可包含有机粘合剂或有机溶剂。
接下来，将没有印刷内部电极形成用图案的外层部形成用的陶瓷生片层叠多枚，在其上依次层叠印刷有内部电极形成用图案的陶瓷生片，进而在其上层叠多枚没有印刷内部电极形成用图案的外层部形成用的陶瓷生片，从而作成母层叠体。另外，也可采用等静压(isostatic pressing)手段等来在层叠方向上按压母层叠体。
接下来，从母层叠体切割出未加工的陶瓷层叠体。通过对该未加工的陶瓷层叠体实施滚筒研磨等来将角部或棱线部加工为倒角状或者R倒角状。
接下来，通过对未加工的陶瓷层叠体进行烧制来得到陶瓷本体。烧制温度可以按照陶瓷层叠体的组成等来适当设定。烧制温度可以为例如900℃～1300℃程度。
接下来，通过依次进行镀敷工序，来形成由镀敷膜13a～13c、14a～14c的层叠体构成的第1以及第2外部电极13、14，由此能够完成陶瓷电子部件1。
另外，镀敷膜13a～13c、14a～14c既可以通过电解电镀法来形成，也可以通过无电解电镀法来形成。另外，在形成镀敷膜后，也可根据需要进行热处理等。
在本实施方式中，通过在形成镀敷膜13a、14a后进行热处理，使镀敷膜13a、14a与内部电极11、12相互扩散并合金化。在此，通过使镀敷膜13a、14a的金属与内部电极11、12相互扩散，从而内部电极11、12上的镀敷膜13a、14a的表面成为朝向陶瓷本体10而凹下的凹部形状。在此，通过使镀敷膜13a、14a和内部电极11、12合金化，从而镀敷膜13a、14a的金属扩散到内部电极11、12，镀敷膜13a、14a的位于内部电极11、12上的部分的表面成为朝向陶瓷本体10而凹下的凹面。例如在镀敷膜13a、14a的金属为Cu、内部电极11、12为Ni的情况下，镀敷膜13a、14a的Cu的扩散系数比内部电极11、12的Ni的扩散系数高，因此镀敷膜13a、14a的Cu在能量上变得不稳定。由于存在不稳定的能量向稳定的场所、即扩散系数低的内部电极11、12的Ni一方移动的特性，因此成为这样的凹部形状。
在上述制造方法中，镀敷膜13a、14a的S比率能够通过例如镀敷膜13a、14a形成后的热处理条件、镀敷膜13a、14a的厚度、生长速度等来进行控制。具体地来说，通过例如使镀敷膜13a、14a变薄，或者提高镀敷膜13a、14a形成后的热处理温度，或者延长热处理时间，从而能够增大S比率。此外，通过例如使镀敷膜13a、14a变厚，或者降低镀敷膜13a、14a形成后的热处理温度，或者缩短热处理时间，从而能够减小S比率。
另外，可以认为通过提高镀敷膜13a、14a形成后的热处理温度、或者延长热处理时间能够增大S比率的原因在于，镀敷膜13a、14a与内部电极11、12的合金化得到促进，端面10e、10f的S比率变大。
以下，对实施了本发明的优选方式的其他例子进行说明。在以下的说明中，用公共的符号来参照与上述第1实施方式实质上具有共同的功能的部件，并省略说明。
(第2及第3实施方式)
图6为第2实施方式相关的陶瓷电子部件的略图的立体图。图7为第2实施方式相关的陶瓷电子部件的略图的截面图。图8为第2实施方式相关的陶瓷电子部件的略图的截面图。图9为第3实施方式相关的陶瓷电子部件的略图的立体图。图10为第3实施方式相关的陶瓷电子部件的略图的截面图。图11为第3实施方式相关的陶瓷电子部件的略图的截面图。
第2以及第3实施方式相关的陶瓷电子部件2、3除了第1以及第2内部电极11、12和第1以及第2外部电极13、14的结构以外，具有与上述第1实施方式所涉及的陶瓷电子部件1实质上相同的结构。
在第2实施方式相关的陶瓷电子部件2中，如图6～图8所示，第1外部电极13具有形成于第1主面10a上的第1电极部13A、和形成于第2主面10b上的第2电极部13B。第2外部电极14具有形成于第1主面10a上的第1电极部14A、和形成于第2主面10b上的第2电极部14B。第1以及第2电极部13A、13B位于长度方向L的L1侧，第1以及第2电极部14A、14B位于长度方向L的L2侧。
在第3实施方式相关的陶瓷电子部件3中，如图9～图11所示，第1以及第2外部电极13、14分别形成于第2主面10b上。
在第2以及第3实施方式的任一个中，多个第1以及第2内部电极11、12分别沿着长度方向L以及厚度方向T设置。多个第1以及第2内部电极11、12在宽度方向W上交替地被层叠。
在第2以及第3实施方式中，也与上述第1实施方式同样，第1外部电极13由镀敷膜13a～13c的层叠体构成，第2外部电极14由镀敷膜14a～14c的层叠体构成。而且，第1以及第2镀敷膜13a、14a各自的俯视下的每单位面积的表面积为1.02以上。因此，与上述第1实施方式同样，在第2以及第3实施方式中，镀敷膜13a、14a也变得不易剥离。此外，通过使第1以及第2镀敷膜13a、14a的各自的俯视下的每单位面积的表面积为1.02～1.15，从而外部电极13、14能够实现良好的焊锡润湿性。另外，第2以及第3实施方式也与第1实施方式同样，在位于镀敷膜13c以及14c的中央部的各边为50μm的区域中测定S比率。
以下，基于具体的实验例对本发明更加详细地进行说明。
(实验例)
通过在上述第1实施方式中所说明的制造方法，在下述条件下制作了与上述第1实施方式所涉及的陶瓷电子部件1实质上具有相同结构的陶瓷电容器。另外，针对实验例1～6分别制作样品，准备了200个S比率成为表1的值的样品。另外，在实验例1中，将小数点第4位以后四舍五入来进行计算，在实验例2～6中，将小数点第3位以后四舍五入来进行计算。
陶瓷电容器的尺寸：长度1.0mm、宽度0.5mm、高度0.5mm
陶瓷本体的材料：钛酸钡系电介质陶瓷
内部电极的主成分：Ni
内部电极的厚度：0.5μm
内部电极的总数：230层
陶瓷层的厚度：1.1μm
额定电压：6.3V
静电电容：2.2μF
镀敷膜13a、14a：Cu镀敷膜
镀敷膜13a、14a的厚度：6.5μm
用于镀敷膜13a、14a的形成的电镀浴：上村工业公司制焦磷酸铜工艺(Pyrobrite process)(pH：8.8、55℃)
热处理条件：
实验例1：没有热处理，
实验例2：700℃下20分钟，
实验例3：700℃下60分钟，
实验例4：700℃下120分钟，
实验例5：700℃下180分钟，
实验例6：700℃下240分钟，
镀敷膜13b、14b：Ni镀敷膜
镀敷膜13b、14b的厚度：约4μm
用于镀敷膜13b、14b的形成的电镀浴：瓦特浴(Watts bath)(弱酸性单纯Ni浴)(pH：4.2、60℃)
镀敷膜13c、14c：Sn镀敷膜
镀敷膜13c、14c的厚度：约4μm
用于镀敷膜13c、14c的形成的电镀浴：DIPSOL公司制Sn-235(pH：5.0、33℃)
镀敷膜13a～13c、14a～14c的加工条件：
方法：水平旋转滚筒方式
转速：12rpm
导电性介质的直径：0.4mm
镀敷膜13a、14a的形成中的电流密度×时间：0.5A/dm2×70分钟、
镀敷膜13b、14b的形成中的电流密度×时间：0.4A/dm2×60分钟
镀敷膜13c、14c的形成中的电流密度×时间：0.1A/dm2×60分钟
通过上述第1实施方式中所说明的方法来测定实验例1～6中所制作的陶瓷电容器中的镀敷膜13a、14a的S比率。在下表1中表示结果。
(镀敷膜13b、14b的接合强度)
将在实验例1～6中所制作的100个陶瓷电容器在105℃、100％Rh的气氛中放置4小时。之后，在玻璃环氧基板上进行焊锡安装，在陶瓷电容器的侧面以0.7mm/sec的速度推压加压夹具(jig)，在加压夹具所带来的加压力达到了5N时检查在镀敷膜13a、13b与镀敷膜13b、14b之间是否发生了剥离。将在加压夹具所带来的加压力达到了5N时镀敷膜13a、13b与镀敷膜13b、14b之间没有发生剥离的情况作为合格，将发生了剥离的情况作为不合格(NG)，求出每100个样品的不合格数。在下表1中表示结果。
(焊锡润湿性试验)
将在实验例1～6中所制作的100个陶瓷电容器在105℃、100％Rh的气氛中放置4小时。之后，检查外部电极的焊锡润湿性。具体地来说，采用可焊性测试仪(solder checker)(综合机)(Model：SAT-5100、力世科(Rhesca)公司制)，来测定润湿开始时间、润湿完成时间、最大润湿力。之后，用润湿完成时间和最大润湿力是否满足判定基准来进行判定。将满足润湿开始时间(T0)+润湿完成时间(T1)为T0+T1≤1.0秒、最大润湿力(Fmax)≥0.25mN的情况作为合格，将不满足上述2式的情况设为不合格(NG)，求得每100个样品的不合格数。在下表1中表示结果。
【表1】
如上表1所示，可知通过将镀敷膜13a、14a的S比率设为1.02以上，从而能够有效地抑制镀敷膜13b、14b的剥离。此外，通过使镀敷膜13a、14a的S比率处于1.02～1.15的范围内，还能实现良好的焊锡润湿性。

Claims (6)

1.一种陶瓷电子部件，具备：
长方体状的陶瓷本体，其具有互相对置的第1主面以及第2主面、互相对置的第1侧面以及第2侧面、和互相对置的第1端面以及第2端面；
第1外部电极，其由至少一个镀敷膜构成，该镀敷膜包括形成于上述陶瓷本体的外表面的正上方的第一镀敷膜；
第2外部电极，其由至少一个镀敷膜构成，该镀敷膜包括形成于上述陶瓷本体的外表面的正上方的第2镀敷膜，
上述第1镀敷膜以及上述第2镀敷膜的各自的俯视下的每单位面积的表面积为1.02以上、1.15以下。
2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中，
上述第1镀敷膜形成于上述第1端面的正上方，上述第2镀敷膜形成于上述第2端面的正上方。
3.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中，
上述第1镀敷膜以及上述第2镀敷膜分别形成于上述第1主面以及上述第2主面的至少一者的正上方。
4.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中，
还具备设置于上述陶瓷本体的内部的多个第1内部电极和多个第2内部电极，
上述第1外部电极以及上述第2外部电极的位于上述第1内部电极以及上述第2内部电极上的部分的表面成为朝向上述陶瓷本体侧而凹下的凹面。
5.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中，
上述第1外部电极由上述第1镀敷膜、第3镀敷膜、和第5镀敷膜的层叠体构成，
其中该第3镀敷膜形成于上述第1镀敷膜上，该第5镀敷膜形成于上述第3镀敷膜上并由Sn或者Sn合金构成，
上述第2外部电极由上述第2镀敷膜、第4镀敷膜、和第6镀敷膜的层叠体构成，
其中该第4镀敷膜形成于上述第2镀敷膜上，该第6镀敷膜形成于上述第4镀敷膜上并由Sn或者Sn合金构成。
6.根据权利要求5所述的陶瓷电子部件，其中，
上述第3镀敷膜以及上述第4镀敷膜由Ni或者Ni合金构成，
上述第1镀敷膜以及上述第2镀敷膜由Cu或者Cu合金构成。
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