JP2012237033A - 電子部品 - Google Patents

電子部品 Download PDF

Info

Publication number
JP2012237033A
JP2012237033A JP2011105932A JP2011105932A JP2012237033A JP 2012237033 A JP2012237033 A JP 2012237033A JP 2011105932 A JP2011105932 A JP 2011105932A JP 2011105932 A JP2011105932 A JP 2011105932A JP 2012237033 A JP2012237033 A JP 2012237033A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
plating film
electronic component
ceramic capacitor
multilayer ceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011105932A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihiro Motoki
章博 元木
Makoto Ogawa
誠 小川
Atsuko Saito
篤子 齊藤
Toshinobu Fujiwara
敏伸 藤原
Katahito Masuko
賢仁 増子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2011105932A priority Critical patent/JP2012237033A/ja
Priority to US13/444,925 priority patent/US8709612B2/en
Priority to CN2012101384921A priority patent/CN102779642A/zh
Publication of JP2012237033A publication Critical patent/JP2012237033A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C23C28/021—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material including at least one metal alloy layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
    • C25D5/50—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment
    • C25D5/505—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment of electroplated tin coatings, e.g. by melting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
    • B05D3/061—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation using U.V.
    • B05D3/065—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/16—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of other metals or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C13/00—Alloys based on tin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C2200/00—Crystalline structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C25D3/60—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/252—Terminals the terminals being coated on the capacitive element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
    • Y10S428/9265—Special properties
    • Y10S428/929—Electrical contact feature
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
    • Y10S428/9335—Product by special process
    • Y10S428/934—Electrical process
    • Y10S428/935—Electroplating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12708—Sn-base component
    • Y10T428/12715—Next to Group IB metal-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12708—Sn-base component
    • Y10T428/12722—Next to Group VIII metal-base component

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

【課題】ウィスカ抑制能を飛躍的に高めた電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品としての積層セラミックコンデンサ１０は、たとえば直方体状の電子部品素子１２を含む。電子部品素子１２の一端面および他端面には、端子電極１８ａ、１８ｂの外部電極２０ａ、２０ｂが形成される。外部電極２０ａ、２０ｂの表面には、Ｎｉめっきからなる第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂが形成される。第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂの表面には、最外層となるＳｎめっき皮膜としてＳｎを含む第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂが形成される。第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂは、多結晶構造を有し、Ｓｎ結晶粒界およびＳｎ結晶粒内にフレーク状のＳｎ−Ｎｉ合金粒子がそれぞれ形成されている。
【選択図】図１

Description

この発明は、電子部品に関し、特に、Ｓｎを含むＳｎめっき皮膜を有するたとえば積層セラミックコンデンサなどの電子部品に関する。
この発明の背景となる技術として、Ｓｎを主成分とする皮膜が形成された部材、皮膜形成方法およびはんだ処理方法が、たとえば国際公開第２００６／１３４６６５号に開示されている（特許文献１参照）。
近年の環境保護の観点から、コネクタ用端子、半導体集積回路用のリードフレームなどに、従来施されていたＳｎ−Ｐｂはんだめっきに代わって、Ｐｂを含まないＳｎを主成分とする金属めっきによって皮膜を形成すると、皮膜にウィスカと呼ばれるＳｎのひげ状結晶が発生しやすくなる。ウィスカが発生して成長すると、隣接する電極間で電気的な短絡障害を起こすことがある。また、ウィスカが、皮膜から脱離して飛散すると、飛散したウィスカは、装置内外で短絡を引き起こす原因になる。
特許文献１に開示されている技術では、このようなウィスカの発生を抑制することができる皮膜を有する部材を提供することを目的として、特に、Ｓｎを主成分とする皮膜において、Ｓｎの結晶粒界に、ＳｎとＮｉなどの第１の金属との金属間化合物層を形成している。
国際公開第２００６／１３４６６５号
ところが、特許文献１に開示されている皮膜では、業界の標準とされるＪＥＤＥＣ規格で定められている以下に示す熱衝撃試験を行った場合に、Ｃｌａｓｓ２の判定基準をクリアすることができない。
熱衝撃試験
・試料数（ｎ数）：３ロット×６個／ロット＝１８個
・試験条件：最低温度として−５５℃（＋０／−１０）、最高温度として８５℃（＋１０／−０）、各温度で１０分間保持し、気相式で、１５００サイクルの熱衝撃を与える。
・観察方法：走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて１０００倍の電子顕微鏡写真像で行う。
・判定基準：Ｃｌａｓｓ２（通信用インフラ機器、自動車用機器）を適用し、ウィスカ最大長さ（直線長さ）が４５μｍ以下であること。
そのため、Ｓｎを含むＳｎめっき皮膜を有するたとえば積層セラミックコンデンサなどの電子部品において、ウィスカ抑制能を飛躍的に高めることが望まれている。
それゆえに、この発明の主たる目的は、ウィスカ抑制能を飛躍的に高めた電子部品を提供することである。
この発明は、Ｓｎめっき皮膜を有する電子部品において、Ｓｎめっき皮膜は、Ｓｎ多結晶構造を有し、Ｓｎ結晶粒界およびＳｎ結晶粒内にＳｎ−Ｎｉ合金粒子がそれぞれ形成されていることを特徴とする、電子部品である。
この発明にかかる電子部品では、Ｓｎ−Ｎｉ合金粒子は、フレーク状の形状をなすことが好ましい。
また、この発明にかかる電子部品では、Ｓｎめっき皮膜の内側に接するように、Ｎｉめっき皮膜が形成されていることが好ましい。この場合、Ｓｎめっき皮膜における、Ｎｉめっき皮膜と接するＳｎ結晶粒内において、Ｓｎ−Ｎｉ合金粒子が平均して３つ以上存在することが好ましい。
この発明にかかる電子部品では、電子部品のＳｎめっき皮膜において、Ｓｎ結晶粒界およびＳｎ結晶粒内にＳｎ−Ｎｉ合金粒子が形成されているので、ウィスカ抑制能が飛躍的に高まる。これは、このような構成とすることにより、Ｓｎめっき皮膜中の圧縮応力が緩和され、ウィスカの発生する起点が分散され、ウィスカ発生のためのエネルギーが小さくなるものと考えられるからである。
この発明にかかる電子部品のように、Ｓｎめっき皮膜中のＳｎ結晶粒界およびＳｎ結晶粒内にＳｎ−Ｎｉ合金粒子を形成するためには、たとえば、Ｓｎめっき皮膜としてＳｎめっきを、Ｎｉを含む別の皮膜の表面に施しかつ比較的低温で長時間熱処理を行うことによって可能であり、または、Ｓｎめっき皮膜としてＳｎ含有量がＮｉの含有量より多いＳｎ−Ｎｉ合金めっきすなわちＳｎリッチのＳｎ−Ｎｉ合金めっきを施しかつ比較的低温で熱処理を行うことによって可能である。このようにＳｎめっきを施す代わりにＳｎ−Ｎｉ合金めっきを施せば、めっき中に予めＮｉが存在するので、熱処理時間を短くすることができる。なお、Ｓｎめっき皮膜の熱処理温度を高温にしすぎると、安定なＮｉ3Ｓｎ4相が生成され、Ｎｉの拡散がストップするとともに、Ｓｎめっき皮膜中にＳｎ−Ｎｉ合金の球状結晶しか発生しないことから、応力緩和効果が期待できず、ウィスカの抑制効果が得られない。
この発明にかかる電子部品において、ウィスカの抑制効果をさらに高めるためには、Ｓｎ−Ｎｉ合金粒子がフレーク状の形状をなすことが好ましく、さらに、Ｓｎめっき皮膜の内側に接するように、Ｎｉめっき皮膜が形成され、Ｓｎめっき皮膜における、Ｎｉめっき皮膜と接するＳｎ結晶粒内において、Ｓｎ−Ｎｉ合金粒子が平均して３つ以上存在することが特に好ましい。
この発明によれば、ウィスカ抑制能を飛躍的に高めた電子部品を得ることができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
この発明にかかる積層セラミックコンデンサの一例を示す断面図解図である。 この発明にかかる積層セラミックコンデンサの他の例を示す断面図解図である。 実施例１の積層セラミックコンデンサにおいて最外層である第２のめっき皮膜中のＳｎを溶解して剥離した後の第１のめっき皮膜の表面の電子顕微鏡写真像である。 実施例２の積層セラミックコンデンサにおいて最外層である第３のめっき皮膜中のＳｎを溶解して剥離した後の第２のめっき皮膜の表面の電子顕微鏡写真像である。 比較例１の積層セラミックコンデンサにおいて最外層である第２のめっき皮膜中のＳｎを溶解して剥離した後の第１のめっき皮膜の表面の電子顕微鏡写真像である。 比較例２の積層セラミックコンデンサにおいて最外層である第２のめっき皮膜中のＳｎを溶解して剥離した後の第１のめっき皮膜の表面の電子顕微鏡写真像である。 実施例１の積層セラミックコンデンサにおいて第１のめっき皮膜および第２のめっき皮膜の厚さ方向に切断した断面の電子顕微鏡写真像である。 実施例２の積層セラミックコンデンサにおいて第１のめっき皮膜、第２のめっき皮膜および第３のめっき皮膜の厚さ方向に切断した断面の電子顕微鏡写真像である。 比較例１の積層セラミックコンデンサにおいて第１のめっき皮膜および第２のめっき皮膜の厚さ方向に切断した断面の電子顕微鏡写真像である。 比較例２の積層セラミックコンデンサにおいて第１のめっき皮膜および第２のめっき皮膜の厚さ方向に切断した断面の電子顕微鏡写真像である。
図１は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの一例を示す断面図解図である。図１に示す積層セラミックコンデンサ１０は、直方体状のセラミック素子１２を含む。セラミック素子１２は、誘電体としてたとえばチタン酸バリウム系の誘電体セラミックからなる多数のセラミック層１４を含む。これらのセラミック層１４は積層され、セラミック層１４間には、たとえばＮｉからなる内部電極１６ａおよび１６ｂが交互に形成される。この場合、内部電極１６ａは、一端部がセラミック素子１２の一端部に延びて形成される。また、内部電極１６ｂは、一端部がセラミック素子１２の他端部に延びて形成される。さらに、内部電極１６ａおよび１６ｂは、中間部および他端部がセラミック層１４を介して重なり合うように形成される。したがって、このセラミック素子１２は、内部にセラミック層１４を介して複数の内部電極１６ａおよび１６ｂが設けられた積層構造を有する。
セラミック素子１２の一端面には、端子電極１８ａが内部電極１６ａに接続されるように形成される。同様に、セラミック素子１２の他端面には、端子電極１８ｂが内部電極１６ｂに接続されるように形成される。
端子電極１８ａは、たとえばＣｕからなる外部電極２０ａを含む。外部電極２０ａは、内部電極１６ａに接続されるように、セラミック素子１２の一端面に形成される。同様に、端子電極１８ｂは、たとえばＣｕからなる外部電極２０ｂを含む。外部電極２０ｂは、内部電極１６ｂに接続されるように、セラミック素子１２の他端面に形成される。
また、外部電極２０ａおよび２０ｂの表面には、Ｎｉめっき皮膜として、はんだ食われを防止するためにＮｉを含む第１のめっき皮膜２２ａおよび２２ｂがそれぞれ形成される。
さらに、第１のめっき皮膜２２ａおよび２２ｂの表面には、最外層となるＳｎめっき皮膜として、はんだ付け性をよくするためにＳｎを含む第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂがそれぞれ形成される。これらの第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂは、それぞれ、Ｓｎ多結晶構造を有し、Ｓｎ結晶粒界およびＳｎ結晶粒内にＳｎ−Ｎｉ合金粒子がそれぞれ形成されている。この場合、Ｓｎ−Ｎｉ合金粒子は、フレーク状の形状をなしている。また、第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂは、それぞれ、Ｎｉを含む第１のめっき皮膜２２ａまたは２２ｂと接するＳｎ結晶粒子において、平均して１つのＳｎ結晶粒内に３つ以上のフレーク状のＳｎ−Ｎｉ合金粒子が存在する。このとき、本発明の効果がより顕著に奏される。
次に、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０を製造するための積層セラミックコンデンサの製造方法の一例について説明する。
まず、セラミックグリーンシート、内部電極用導電性ペーストおよび外部電極用導電性ペーストを準備する。セラミックグリーンシートや各種導電性ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。
次に、セラミックグリーンシート上に、たとえば、スクリーン印刷などにより所定のパターンで内部電極用導電性ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。
そして、内部電極パターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その上に内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートを順次積層し、その上に外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層することによって、マザー積層体を作製する。
それから、マザー積層体を静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスする。
そして、プレスしたマザー積層体を所定のサイズにカットし、生のセラミック積層体を切り出す。なお、このとき、バレル研磨などにより生のセラミック積層体の角部や稜部に丸みをつけてもよい。
それから、生のセラミック積層体を焼成する。この場合、焼成温度は、セラミック層１４や内部電極１６ａ、１６ｂの材料にもよるが、９００℃〜１３００℃であることが好ましい。焼成後のセラミック積層体は、積層セラミックコンデンサ１０のセラミック層１４および内部電極１６ａ、１６ｂからなるセラミック素子１２となる。
そして、焼成後のセラミック積層体の両端面に外部電極用導電性ペーストを塗布し、焼き付けることによって、端子電極１８ａおよび１８ｂの外部電極２０ａおよび２０ｂを形成する。
それから、第１の外部電極２０ａの表面および第２の外部電極２０ｂの表面には、それぞれ、たとえばＮｉめっきを施すことによって、第１のめっき皮膜２２ａおよび２２ｂを形成する。
そして、第１のめっき皮膜２２ａおよび２２ｂの表面には、それぞれ、Ｓｎを含む金属めっきを施しかつ熱処理を行うことによって、第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂを形成する。この場合、第１のめっき皮膜２２ａおよび２２ｂの表面には、たとえば、Ｓｎめっきを施しかつ比較的低温で長時間熱処理を行うことによって、第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂを形成する。
上述のようにして、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、最外層としての第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂが、それぞれ、Ｓｎ多結晶構造を有するとともに、Ｓｎ結晶粒界だけでなくＳｎ結晶粒内にもＳｎ−Ｎｉ合金粒子が形成されているので、ウィスカの抑制能が飛躍的に高まる。そのため、この積層セラミックコンデンサ１０では、ウィスカが原因となる短絡障害をさらに防止することができる。
また、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、最外層である第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂがそれぞれＳｎを含むので、はんだ付け性がよい。
さらに、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、第１のめっき皮膜２２ａおよび２２ｂがそれぞれＮｉを含むので、はんだ食われを防止することができる。
さらに、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、第１のめっき皮膜２２ａ、２４ｂおよび第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂなどにＰｂが用いられていないので、環境保護の観点においても優れている。
図２は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの他の例を示す断面図解図である。図２に示す積層セラミックコンデンサ１０は、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０と比べて、Ｎｉを含む第１のめっき膜２２ａおよび２２ｂの表面に、中間層となるＳｎめっき皮膜またはＮｉめっき皮膜として、ＳｎおよびＮｉを含む第２のめっき膜２４ａおよび２４ｂがそれぞれ形成されている。さらに、第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂの表面には、最外層となるＳｎめっき皮膜として、はんだ付け性をよくするためにＳｎを含む第３のめっき皮膜２６ａおよび２６ｂがそれぞれ形成されている。
図２に示す積層セラミックコンデンサ１０において、第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂおよび第３のめっき皮膜２６ａ、２６ｂは、それぞれ、Ｓｎ多結晶構造を有し、Ｓｎ結晶粒界およびＳｎ結晶粒内にＳｎ−Ｎｉ合金粒子がそれぞれ形成されている。この場合、Ｓｎ−Ｎｉ合金粒子は、フレーク状の形状をなしている。
また、第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂは、それぞれ、Ｓｎ結晶粒子において、平均して１つのＳｎ結晶粒内に３つ以上のフレーク状のＳｎ−Ｎｉ合金粒子が存在する。また、第３のめっき皮膜２６ａおよび２６ｂは、それぞれ、Ｎｉを含む第２のめっき皮膜２４ａまたは２４ｂと接するＳｎ結晶粒子において、平均して１つのＳｎ結晶粒内に３つ以上のフレーク状のＳｎ−Ｎｉ合金粒子が存在する。
図２に示す積層セラミックコンデンサ１０を製造するためには、まず、たとえば、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０を製造する上述の方法と同じ方法によって、セラミック素子１２、外部電極２０ａ、２０ｂおよび第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂを形成する。
そして、第１のめっき皮膜２２ａおよび２２ｂの表面には、それぞれ、ＳｎおよびＮｉを含む合金めっきを施しかつ熱処理を行うことによって、第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂを形成し、第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂの表面には、それぞれ、Ｓｎを含む金属めっきを施しかつ熱処理を行うことによって、第３のめっき皮膜２６ａおよび２６ｂを形成する。この場合、第１のめっき皮膜２２ａおよび２２ｂの表面には、たとえば、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっきを施し、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっきの表面にＳｎめっきを施し、かつ、比較的低温で熱処理を行うことによって、第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂおよび第３のめっき皮膜２６ａ、２６ｂを形成する。
上述のようにして、図２に示す積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
図２に示す積層セラミックコンデンサ１０では、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０と同様に、ウィスカの抑制能が飛躍的に高まり、はんだ付け性がよく、はんだ食われを防止することができ、環境保護の観点においても優れているという効果を奏する。
さらに、図２に示す積層セラミックコンデンサ１０では、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０と比べて、第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂ以外の第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂとなるめっき中に予めＮｉが存在するので、熱処理時間を短くすることができるという効果も奏する。
（実験例）
実験例では、以下に示す実施例１、実施例２、比較例１および比較例２の積層セラミックコンデンサを製造し、それらの積層セラミックコンデンサについてめっき皮膜中のウィスカを評価した。
（実施例１）
実施例１では、図１に示す積層セラミックコデンサ１０を製造する上述の方法によって、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０を製造した。この場合、積層セラミックコンデンサ１０の外形寸法を長さ２．０ｍｍ、幅１．２５ｍｍ、高さ１．２５ｍｍとした。また、セラミック層１４（誘電体セラミック）として、チタン酸バリウム系誘電体セラミックを用いた。さらに、内部電極１６ａ、１６ｂの材料としてＮｉを用いた。さらに、外部電極２０ａ、２０ｂの材料としてＣｕを用いた。
また、実施例１では、第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂおよび第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂを次の条件で形成した。
（１）めっき浴について
・第１のめっき皮膜を形成するためのめっき浴：一般にワット浴と呼ばれるＮｉめっき浴を用いた。
・第２のめっき皮膜を形成するためのめっき浴：金属塩として硫酸錫、錯化剤としてクエン酸、光沢剤として４級アンモニウム塩またはアルキルベタインを含む界面活性剤のいずれかまたは双方、を添加した弱酸性のＳｎめっき浴（クエン酸系弱酸性浴）を用いた。
（２）電流密度および通電時間について
・第１のめっき皮膜：電流密度Ｄｋ＝２．０［Ａ／ｄｍ2］によって皮膜が厚さ５μｍ〜１０μｍに形成できるように通電時間を制御した。
・第２のめっき皮膜：電流密度Ｄｋ＝１．０［Ａ／ｄｍ2］によって皮膜が厚さ５μｍ〜１０μｍに形成できるように通電時間を制御した。
（３）めっき工法について
・第１のめっき皮膜および第２のめっき皮膜を形成するためのめっき工法：容積３００ｍｌの水平回転バレルを用いて行った。
さらに、実施例１では、第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂにおいて、Ｓｎ結晶粒界だけでなくＳｎ結晶粒内にもＳｎ−Ｎｉ合金粒子を形成する方法は、次のとおりである。
外部電極２０ａ、２０ｂの表面に第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂとしてＮｉめっきを施し、Ｎｉめっきの表面に第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂとしてＳｎめっきを施し、かつ、４０℃で２００日間熱処理を行った。
（実施例２）
実施例２では、図２に示す積層セラミックコンデンサ１０を製造する上述の方法によって、図２に示す積層セラミックコンデンサ１０を製造した。この場合、実施例２では、まず、実施例１と同じ方法によって、セラミック素子１２、外部電極２０ａ、２０ｂおよび第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂを形成した。
そして、実施例２では、第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂの表面に第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂとしてＳｎ−Ｎｉ合金めっきを施し、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっきの表面に第３のめっき皮膜２６ａ、２６ｂとしてＳｎめっきを施し、かつ、４０℃で９６時間熱処理を行って、第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂおよび第２のめっき皮膜２６ａ、２６ｂを形成した。
ここで、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっきを施すためのＳｎ−Ｎｉ合金めっき浴の組成は、以下のとおりである。
・ＮｉＣｌ2・２Ｈ2Ｏ：０．０１５ｍｏｌ／Ｌ
・ＳｎＣｌ2・２Ｈ2Ｏ：０．１３５ｍｏｌ／Ｌ
・Ｋ4Ｐ2Ｏ7：０．４５ｍｏｌ／Ｌ
・グリシン：０．１５ｍｏｌ／Ｌ
このＳｎ−Ｎｉ合金めっき浴は、形成されるＳｎ−Ｎｉ合金めっき中のＳｎ／Ｎｉ濃度が８５ａｔｍ％／１５ａｔｍ％となるよう調整されている。
第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂの表面には、このＳｎ−Ｎｉ合金めっき浴（Ｓｎ濃度９０ａｔｍ％、Ｎｉ濃度１０ａｔｍ％）中で、電流密度Ｄｋ＝０．５［Ａ／ｄｍ2］によって厚さ４μｍ〜８μｍのＳｎ−Ｎｉ合金めっきを施した。
また、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっきの表面には、上述のＳｎめっき浴中で厚さ２μｍ〜５μｍのＳｎめっきを施した。
（比較例１）
比較例１では、実施例１と同様の方法によって、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０と同様の積層セラミックコンデンサを製造した。この場合、熱処理として７０℃で８分間熱処理を行った。
（比較例２）
比較例２では、実施例１と同様の方法によって、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０と同様の積層セラミックコンデンサを製造した。この場合、熱処理として１５０℃で３時間熱処理を行った。
次に、実施例１、実施例２、比較例１および比較例２の各積層セラミックコンデンサについて、以下に示すＪＥＤＥＣ規格に準拠してめっき皮膜中のウィスカを評価した。
・試料数（ｎ数）：３ロット×６個／ロット＝１８個
・試験条件：最低温度として−５５℃（＋０／−１０）、最高温度として８５℃（＋１０／−０）、各温度で１０分間保持し、気相式で、１５００サイクルの熱衝撃を与える。
・観察方法：走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて１０００倍の電子顕微鏡写真像で行う。
・判定基準：Ｃｌａｓｓ２（通信用インフラ機器、自動車用機器）を適用し、ウィスカ最大長さ（直線長さ）が４５μｍ以下の場合を良好であると判定し、４６μｍ以上の場合を良好でないと判定した。
図３〜図６には、実施例１、実施例２、比較例１および比較例２のそれぞれの積層セラミックコンデンサにおいて最外層であるめっき皮膜中のＳｎを溶解して剥離した後のめっき皮膜の表面の電子顕微鏡写真像を示し、図７〜図１０には、実施例１、実施例２、比較例１および比較例２のそれぞれの積層セラミックコンデンサにおいてめっき皮膜の厚さ方向に切断した断面の電子顕微鏡写真像を示した。
その結果、実施例１では、ウィスカ最大長さが３０μｍと良好であり、実施例２では、ウィスカ最大長さが２０μｍとさらに良好であった。
一方、比較例１では、ウィスカ最大長さが７０μｍと良好ではなく、比較例２では、ウィスカ最大長さが１００μｍとさらに良好ではなかった。
これは、実施例１および実施例２では、Ｓｎを含むＳｎめっき皮膜において、Ｓｎ結晶粒界だけでなくＳｎ結晶粒内にもフレーク状のＳｎ−Ｎｉ合金粒子が多数形成されていることによって、ウィスカの成長を大幅に抑制したからである。
また、実施例１のようにＮｉめっきの表面にＳｎめっきを施しかつ４０℃という比較的低温で２００日間という長時間熱処理を行う場合および実施例２のようにＳｎ−Ｎｉ合金めっきを施しＳｎ−Ｎｉ合金めっきの表面にＳｎめっきを施しかつ４０℃という比較的低温で９６時間という短時間熱処理を行う場合のいずれの場合でも、ウィスカを良好に抑制する効果を確認することができた。
一方、比較例１では、実施例１および実施例２における４０℃より高い７０℃ではあるが８分間という非常に短時間しか熱処理を行っていないので、最外層であるＳｎを含むＳｎめっき皮膜において、Ｓｎ結晶粒界にしかフレーク状のＳｎ−Ｎｉ合金粒子が形成されておらず、ウィスカ抑制効果も低かった。
また、比較例２では、１５０℃という非常に高温で熱処理を行っているので、最外層であるＳｎを含むＳｎめっき皮膜において、Ｓｎ結晶粒界のみに、しかも、Ｓｎ−Ｎｉ合金の球状結晶しか形成されておらず、ウィスカを抑制する効果もさらに低かった。
なお、実施例１では、第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂのそれぞれの厚さとしてウィスカが最も伸び易い５μｍを選定したが、第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂのそれぞれの厚さが１μｍ〜１０μｍの範囲においてウィスカを良好に抑制することができることも確認している。
このように、実施例１および実施例２において、各めっき皮膜は、他の厚さに形成されても、ウィスカを良好に抑制することができる。
たとえば、実施例２において、第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂのそれぞれの厚さを０．５μｍ〜９．５μｍの範囲としてもウィスカを良好に抑制することができ、第３のめっき皮膜２６ａ、２６ｂのそれぞれの厚さを０．５μｍ〜９．５μｍの範囲としてもウィスカを良好に抑制することができる。
また、上述の実施例１および実施例２では、それぞれ、特定の条件で熱処理が行われているが、他の条件で熱処理が行われても、ウィスカを良好に抑制することができる。
たとえば、実施例１において、２５℃〜３５℃という比較的低温でかつ２４０日間〜３００日間という長時間熱処理が行われても、ウィスカを良好に抑制することができる。
また、実施例２においては、２５℃〜３５℃という比較的低温でかつ１１０時間〜１５０時間という短時間熱処理が行われても、ウィスカを良好に抑制することができる。
また、実施例１では、Ｎｉめっきの表面にＳｎめっきを施しかつ比較的低温で長時間熱処理を行うことによって第２のめっき皮膜を形成しているが、Ｓｎめっきの代わりにＳｎリッチのＳｎ−Ｎｉ合金めっきを施しかつ比較的低温で短時間熱処理を行うことによって最外層となるＳｎめっき皮膜としての第２のめっき皮膜を形成してもよい。このようにして第２のめっき皮膜を形成すれば、ＳｎリッチのＳｎ−Ｎｉ合金めっきを施しかつ熱処理を行うので、はんだ付け性はわずかに低減するが良好であるとともに、ウィスカを良好に抑制することができる。
上述の実施形態、実施例１および実施例２では、誘電体としてチタン酸バリウム系の誘電体セラミックが用いられているが、その代わりにたとえばチタン酸カルシウム系、チタン酸ストロンチウム系、ジルコン酸カルシウム系の誘電体セラミックが用いられてもよい。また、セラミック層１４のセラミック材料としては、たとえばＭｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分が添加されたものが用いられてもよい。
また、上述の実施形態、実施例１および実施例２では、内部電極としてＮｉが用いられているが、その代わりにたとえばＣｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどが用いられてもよい。
さらに、上述の実施形態、実施例１および実施例２では、外部電極としてＣｕが用いられているが、その代わりにたとえばＡｇ、Ａｇ／Ｐｄからなる群から選ばれる１種の金属、または、当該金属を含む合金が用いられてもよい。
この発明にかかる電子部品は、特に、たとえば高密度実装される積層セラミックコンデンサなどの電子部品に好適に用いられる。
１０ 積層セラミックコンデンサ
１２ セラミック素子
１４ セラミック層
１６ａ、１６ｂ 内部電極
１８ａ、１８ｂ 端子電極
２０ａ、２０ｂ 外部電極
２２ａ、２２ｂ 第１のめっき皮膜
２４ａ、２４ｂ 第２のめっき皮膜
２６ａ、２６ｂ 第３のめっき皮膜

Claims (4)

  1. Ｓｎめっき皮膜を有する電子部品において、
    前記Ｓｎめっき皮膜は、Ｓｎ多結晶構造を有し、Ｓｎ結晶粒界およびＳｎ結晶粒内にＳｎ−Ｎｉ合金粒子がそれぞれ形成されていることを特徴とする、電子部品。
  2. 前記Ｓｎ−Ｎｉ合金粒子は、フレーク状の形状をなす、請求項１に記載の電子部品。
  3. 前記Ｓｎめっき皮膜の内側に接するように、Ｎｉめっき皮膜が形成されている、請求項１または請求項２に記載の電子部品。
  4. 前記Ｓｎめっき皮膜における、前記Ｎｉめっき皮膜と接するＳｎ結晶粒内において、前記Ｓｎ−Ｎｉ合金粒子が平均して３つ以上存在する、請求項３に記載の電子部品。
JP2011105932A 2011-05-11 2011-05-11 電子部品 Pending JP2012237033A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011105932A JP2012237033A (ja) 2011-05-11 2011-05-11 電子部品
US13/444,925 US8709612B2 (en) 2011-05-11 2012-04-12 Electronic component
CN2012101384921A CN102779642A (zh) 2011-05-11 2012-05-07 电子部件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011105932A JP2012237033A (ja) 2011-05-11 2011-05-11 電子部品

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012237033A true JP2012237033A (ja) 2012-12-06

Family

ID=47124519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011105932A Pending JP2012237033A (ja) 2011-05-11 2011-05-11 電子部品

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8709612B2 (ja)
JP (1) JP2012237033A (ja)
CN (1) CN102779642A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012238784A (ja) * 2011-05-13 2012-12-06 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
JP2015106705A (ja) * 2013-11-28 2015-06-08 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 基板内蔵用積層セラミック電子部品及びその製造方法並びに積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板
JP2016178161A (ja) * 2015-03-19 2016-10-06 株式会社村田製作所 電子部品およびこれを備えた電子部品連
JP2020102548A (ja) * 2018-12-21 2020-07-02 株式会社村田製作所 電子部品およびその製造方法
JP2020190007A (ja) * 2019-05-21 2020-11-26 オリエンタル鍍金株式会社 めっき積層体の製造方法及びめっき積層体
US11810726B2 (en) 2020-11-11 2023-11-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101635133B1 (ko) * 2012-01-23 2016-06-30 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 전자부품 및 그 제조방법
KR20140013289A (ko) * 2012-07-23 2014-02-05 삼성전기주식회사 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법
KR20190121210A (ko) * 2018-10-17 2019-10-25 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법
JP2021182585A (ja) * 2020-05-19 2021-11-25 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法、積層セラミック電子部品及び回路基板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001110666A (ja) * 1999-10-08 2001-04-20 Murata Mfg Co Ltd 電子部品、および電子部品の製造方法
JP3475910B2 (ja) * 2000-05-24 2003-12-10 株式会社村田製作所 電子部品、電子部品の製造方法および回路基板
JP3388408B2 (ja) * 2000-10-24 2003-03-24 鈴鹿工業高等専門学校長 すずーニッケル合金膜の製造方法
US20060068218A1 (en) * 2004-09-28 2006-03-30 Hooghan Kultaransingh N Whisker-free lead frames
JP4472751B2 (ja) * 2005-06-17 2010-06-02 富士通株式会社 はんだ処理方法
DE102007047007A1 (de) * 2007-10-01 2009-04-09 Tyco Electronics Amp Gmbh Elektrisches Kontaktelement und ein Verfahren zum Herstellen desselben
JP5516501B2 (ja) * 2011-05-13 2014-06-11 株式会社村田製作所 電子部品

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012238784A (ja) * 2011-05-13 2012-12-06 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
JP2015106705A (ja) * 2013-11-28 2015-06-08 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 基板内蔵用積層セラミック電子部品及びその製造方法並びに積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板
JP2016178161A (ja) * 2015-03-19 2016-10-06 株式会社村田製作所 電子部品およびこれを備えた電子部品連
US10522289B2 (en) 2015-03-19 2019-12-31 Murata & Manufacturing Co., Ltd. Electronic component and electronic component series including the same
JP2020102548A (ja) * 2018-12-21 2020-07-02 株式会社村田製作所 電子部品およびその製造方法
JP7031574B2 (ja) 2018-12-21 2022-03-08 株式会社村田製作所 電子部品およびその製造方法
JP2020190007A (ja) * 2019-05-21 2020-11-26 オリエンタル鍍金株式会社 めっき積層体の製造方法及びめっき積層体
JP7270968B2 (ja) 2019-05-21 2023-05-11 オリエンタル鍍金株式会社 めっき積層体の製造方法及びめっき積層体
US11810726B2 (en) 2020-11-11 2023-11-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor

Also Published As

Publication number Publication date
CN102779642A (zh) 2012-11-14
US8709612B2 (en) 2014-04-29
US20120288731A1 (en) 2012-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5835357B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
JP5516501B2 (ja) 電子部品
JP2012237033A (ja) 電子部品
US8411409B2 (en) Ceramic electronic component and manufacturing method therefor
US8484815B2 (en) Method for manufacturing laminated electronic component
JP2012253292A (ja) 電子部品
US8547683B2 (en) Laminated ceramic electronic component with directly plated external terminal electrodes and manufacturing method therefor
JP2011108966A (ja) 積層電子部品
JP5471686B2 (ja) 積層型セラミック電子部品の製造方法
JP2015195295A (ja) 積層セラミック電子部品
US8520361B2 (en) Laminated electronic component
JP2015195293A (ja) 積層セラミック電子部品
JP2009267146A (ja) 積層セラミック電子部品
JP5245611B2 (ja) 積層セラミック電子部品およびその製造方法
JP4548471B2 (ja) コンデンサアレイおよびその製造方法
JP2023098638A (ja) 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法
JP2013149886A (ja) 電子部品の製造方法
JP2006332572A (ja) 積層セラミックコンデンサの製法および積層セラミックコンデンサ
JP5796643B2 (ja) 積層型セラミック電子部品
JP5915798B2 (ja) 積層型セラミック電子部品

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130305

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130626

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130806

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140128