JP7031574B2 - 電子部品およびその製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、めっき層を含む外部電極を備える電子部品およびその製造方法に関する。

コイル部品、コンデンサ等に代表される電子部品は、一般的に、回路基板等の他の要素に電気的に接続するための一対以上の外部電極を備えている。外部電極は、例えば素子本体内部からの引き出し導体と、該素子本体表面において、直接電気的に接続されている下地電極層および該下地電極層を覆うように位置するめっき層を含み得る。

下地電極層は、例えばＡｇまたはＣｕのペースト等を焼成後の素子本体の両端面等に塗布して焼き付けることによって形成することができる。さらに、通常、形成した該下地電極層上に、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層とを順に形成することによって、接続信頼性およびはんだ実装の際における作業効率性を持たせた外部電極を備える電子部品を得ることができる。

また、電子部品は、耐湿特性を必要とされる場合が多い。例えば、特許文献１には、非磁性層と、該非磁性層を挟むように配置される磁性層と、非磁性層および磁性層からなる素体中に埋設されている２つ以上のコイル導体を有するコモンモードチョークコイルについて、非磁性層の内部には、焼成時の緻密化において微小な気孔が残ってしまうため、この気孔を介して水分が混入することで絶縁信頼性が低下する問題がある旨が記載されている。そのため、特許文献１のコモンモードチョークコイルでは、非磁性体中に特定の形態のＭｇ偏析を存在させることで、耐湿負荷に対する信頼性を向上させている。

特開２０１４－１７９５７０号公報

外部電極がＡｇやＣｕ等の下地電極層とその上を覆うＮｉめっき層との組み合わせで構成される場合、下地電極層とＮｉめっき層との界面に応力が集中してしまう。これは、Ｎｉめっきが非常に硬いためである。その結果、下地電極層とＮｉめっき層との間に、隙間が生じてしまうことが分かった。このような隙間ができてしまうと、耐湿および耐圧環境下では、その隙間に水分が侵入してしまう。それに伴い、下地電極層がマイグレーション（すなわち、電極層を構成する金属等の伸びや移動）を起こし得る。下地電極層のマイグレーションは、電子部品の短期故障に繋がる。

特許文献１に開示されているコモンモードチョークコイルは、上述したとおり、非磁性体中のＭｇ偏析を適宜変化させることによって耐湿負荷に対する信頼性を向上させている。しかし、その外部電極の構造は、従来と同様であり、下地電極層としてＡｇペーストを塗布して焼き付け、さらにＮｉおよびＳｎのめっき処理を施したものを用いている。従って、耐湿および耐圧環境下では、外部電極におけるＡｇ電極層とＮｉめっき層との間に隙間が生じてＡｇ電極層へ水分が侵入してしまうため、その結果、Ａｇ電極層がマイグレーションを起こし得る。

そこで、本開示は、耐湿および耐圧環境下において、優れた耐マイグレーション性を有する外部電極を備える電子部品およびその製造方法を提供することを目的とする。

マイグレーションの問題を解決するためには、下地電極層とＮｉめっき層との隙間からの水分の侵入を防ぐ必要がある。そこで、外部電極の下地電極層とＮｉめっき層との間に、Ｎｉめっき中にＳｎを共析させたＮｉ－Ｓｎ合金めっき層を位置させることによって、下地電極層とＮｉ－Ｓｎ合金めっき層との間に隙間を生じさせず、そのため下地電極層部分へは水分が侵入することなく、マイグレーションも生じ難くなるということが分かった。これは、Ｎｉめっきと比較して、Ｓｎめっきは軟らかく界面に力が集中し難いためと考えられる。

本開示の第１の要旨によれば、素子本体と該素子本体に設けられた少なくとも一対の外部電極とを備えた電子部品であって、
前記外部電極は、前記素子本体に接するように位置する下地電極層と、該下地電極層に接するように位置するめっき層と、を含み、
前記めっき層は、前記下地電極層に接するように位置するＮｉ－Ｓｎ合金めっき層を含む、
電子部品が提供される。

本開示の第１の要旨の１つの態様において、前記下地電極層は、ＡｇおよびＣｕのうちの１以上を含み得る。

本開示の第１の要旨の１つの態様において、前記下地電極層は、Ａｇを含み得る。

本開示の第１の要旨の１つの態様において、前記めっき層は、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層をさらに含み、かつ前記Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層、前記Ｎｉめっき層および前記Ｓｎめっき層は、この順で前記下地電極層上に位置し得る。

本開示の第１の要旨の１つの態様において、前記めっき層は、Ｓｎめっき層をさらに含み、かつ前記Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層および前記Ｓｎめっき層は、この順で前記下地電極層上に位置し得る。

本開示の第１の要旨の１つの態様において、前記めっき層は、Ｎｉめっき層、別のＮｉ－Ｓｎ合金めっき層およびＳｎめっき層をさらに含み、かつ前記Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層、前記Ｎｉめっき層、前記別のＮｉ－Ｓｎ合金めっき層、前記Ｓｎめっき層は、この順で前記下地電極層上に位置し得る。

本開示の第１の要旨の１つの態様において、前記Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層は、
下記式（１）
（１００－ｘ）Ｎｉ－ｘＳｎ・・・（１）
（式（１）中、ｘはＳｎ含有率（ａｔ％）であり、５≦ｘ≦５０を満たす）
で表されるＮｉ－Ｓｎ合金からなり得る。

本開示の第１の要旨の１つの態様において、前記Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層の厚みは、０．１μｍ以上１５μｍ以下の範囲であり得る。

本開示の第１の要旨の１つの態様において、該電子部品は、コイル部品であって、前記素子本体に埋設されたコイル導体をさらに備え、前記コイル導体と前記外部電極とが、電気的に接続され得る。

本開示の第１の要旨の上記態様において該電子部品は、コモンモードチョークコイルであって、少なくとも２つの前記コイル導体および少なくとも二対の前記外部電極を備え得る。

本開示の第２の要旨によれば、素子本体と該素子本体に設けられた少なくとも一対の外部電極とを備えた電子部品の製造方法であって、
前記外部電極は、下地電極層およびめっき層を含み、
該方法は、前記素子本体上に下地電極層を形成することと、前記下地電極上に電解めっき処理によりめっき層を形成することと、を含み、
前記電解めっき処理において、めっき液はＳｎイオンおよびＮｉイオンを含有し、電流プロファイルは１Ａ以上２０Ａ未満で電流を制御する第１電流プロファイルを含み、
前記第１電流プロファイルは、電流値が一定に保持される期間および電流値が増加する期間の少なくとも一つを含む、
電子部品の製造方法が提供される。

本開示の第２の要旨の１つの態様において、前記電流プロファイルは、前記第１電流プロファイルの後に、２０Ａ以上１００Ａ以下で電流を制御する第２電流プロファイルをさらに含み得る。

本開示の第２の要旨の１つの態様において、前記下地電極層は、ＡｇおよびＣｕのうちの１以上を含み得る。

本開示の第２の要旨の上記態様において、前記下地電極層は、Ａｇを含み得る。

本開示の第２の要旨の１つの態様において、前記第１電流プロファイルの前記電流値が増加する期間における電流の上昇率は、５０Ａ／分以下であり得る。

本開示の第２の要旨の１つの態様において、前記第１電流プロファイルおよび前記第２電流プロファイルは、それぞれ、電流値が一定に保持される期間からなり、
前記第１電流プロファイルにおける電流値は、前記第２電流プロファイルにおける電流値の１％以上５０％以下であり得る。

本開示の電子部品によると、耐湿および耐圧環境下において、優れた耐マイグレーション性を有する外部電極を備える電子部品およびその製造方法を提供することができる。

本開示における電子部品の１例を示す図である。 本開示における電子部品の外部電極の第１実施形態を示す断面図である。 本開示における第１実施形態のＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理時の電流値と時間の相関の１例を示すグラフである。 本開示における第１実施形態のＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理時の電流値と時間の相関の１例を示すグラフである。 本開示における電子部品の外部電極の第２実施形態を示す断面図である。 本開示における第２実施形態のＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理時の電流値と時間の相関の１例を示すグラフである。 本開示における第２実施形態のＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理時の電流値と時間の相関の１例を示すグラフである。 本開示における第２実施形態のＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理時の電流値と時間の相関の１例を示すグラフである。 本開示における電子部品の外部電極の第３実施形態を示す断面図である。 本開示における第３実施形態のＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理時の電流値と時間の相関の１例を示すグラフである。 本開示における第３実施形態のＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理時の電流値と時間の相関の１例を示すグラフである。 本開示における第３実施形態のＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理時の電流値と時間の相関の１例を示すグラフである。 本開示における電子部品の外部電極の第４実施形態を示す断面図である。 本開示における電子部品の１例のコモンモードチョークコイルを示す斜視図である。 本開示における電子部品の１例のコモンモードチョークコイルを示す模式分解図である。

図１は、本開示における電子部品の１例を示す図である。図１に示すように、電子部品１は、素子本体２と該素子本体２に設けられた一対の外部電極３ａおよび外部電極３ｂとを備えている。電子部品１は、例えば、コイル部品である。電子部品１がコイル部品である場合、素子本体２の内部に埋設されたコイル導体（図示せず）をさらに備え、該コイル導体と一対の外部電極３ａおよび外部電極３ｂとが、電気的に接続され得る。

電子部品１の種類は、コイル部品以外にも、電子機器の構成部材である様々な部品を広く含むものとし、特に限定されない。例えば、上記電子機器としては、抵抗素子、コンデンサ、ダイオード、トランジスタ、リレー等を挙げることができる。特に、後に詳細に説明するが、電子部品１はコモンモードチョークコイルであり得る。

素子本体２は、これらの多種多様な電子部品１において、外部電極３ａ、３ｂの部分を除いた本体部分をいう。素子本体２の材料は、セラミックスからなり得る。例えば、素子本体２の材料は、誘電体セラミック、圧電体セラミック、半導体セラミック、磁性体セラミック、非磁性体セラミックおよび絶縁体セラミックのうちの１以上を含むが、これらに限定されない。

さらに、本開示において、外部電極３ａ、３ｂとは、素子本体２の表面の少なくとも一部に設けられ、電子部品１を他の電子部品等と電気的に接続するための電極である。

以下、図面を用いて本開示の様々な実施形態における電子部品の外部電極の具体的な構造および該外部電極を備える電子部品の製造方法について、詳細に説明する。しかし、本発明は、かかる実施形態に限定されない。

（第１実施形態）
図２は、本開示における電子部品の外部電極の第１実施形態を示す断面図である。図２に示すように、外部電極１０は、素子本体１１に接するように位置する下地電極層１２と、該下地電極層１２に接するように、特にその上を覆うように位置するめっき層１３とを含む。めっき層１３は、下地電極層１２上に接するように位置するＮｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａと、Ｎｉめっき層１３ｂと、Ｓｎめっき層１３ｃとを含む。すなわち、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａ、Ｎｉめっき層１３ｂおよびＳｎめっき層１３ｃは、下地電極層１２上にこの順で位置する。素子本体１１は、前述したとおり、どのような電子部品の素子本体１１であるかは特に限定されない。

下地電極層１２は、素子本体１１内部からの引き出し導体等と電気的に接続され得る（図示せず）。従って、下地電極層１２は、導電性を有する材料から構成されていれば、特に限定されない。下地電極層１２は、例えば、金属を含む材料または金属からなる。下地電極層１２の材料は、特にＡｇおよびＣｕのうちの１以上、より特にＡｇを含み得る。下地電極層１２がＡｇを含む材料から構成されている場合、マイグレーションが生じ易いため、耐湿および耐圧環境下における耐マイグレーション効果がより好適に発揮される。

下地電極層１２の厚みは、外部電極１０における電極層としての機能を損なわない厚みであれば、特に限定されない。下地電極層１２の厚みは、５μｍ以上２００μｍ以下、特に１０μｍ以上１００μｍ以下、より特に１０μｍ以上５０μｍ以下であり得る。下地電極層１２の厚みを、５μｍ以上とすることによって、素子本体１１内部との電気的接続を強固にすることができる。下地電極層１２の厚みを、２００μｍ以下にすることによって、小型の電子部品にも容易に組み込ませることができる。

Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａは、例えば、
下記式（１）
（１００－ｘ）Ｎｉ－ｘＳｎ・・・（１）
（式（１）中、ｘはＳｎ含有率（ａｔ％）であり、５≦ｘ≦５０を満たす）
で表されるＮｉ－Ｓｎ合金からなり得る。

上記式（１）中、より特に５≦ｘ≦４５、さらに特に５≦ｘ≦４０、よりさらに特に５≦ｘ≦３５、また特に５≦ｘ≦３０、またより特に５≦ｘ≦２５を満たし得る。これは、Ｎｉ－Ｓｎ合金において、４４Ｎｉ－５６Ｓｎ（ａｔ％）よりもＳｎの含有率（ａｔ％）を下げれば融点を７９４．５℃まで上げることができ、その結果、外部電極１０の部分における後のはんだ付き性を良好とすることができるためである。

本開示において、元素の「含有率」とは、Ｎｉ－Ｓｎ合金全体の原子数に対する各元素の原子数の割合であり、ａｔ％（原子パーセント）の単位を用いて表される。より詳細には、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層の断面部分を電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）で面分析することにより、各元素の含有率を測定した値を指す。

本開示におけるＮｉ－Ｓｎ合金の組成は、元素記号をハイフンで結んで表記している。Ｎｉ－Ｓｎ合金は、列挙した元素で実質的に構成されている限り、不可避的に混入する微量金属であって、例えばＮｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｃｕ等の金属を含んでいてもよい。

同様の理由で、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａは、Ｎｉ－Ｓｎ合金の全質量に対して、Ｓｎを、１質量％以上５７質量％以下、特に５質量％以上５０質量％以下、より特に５質量％以上４５質量％以下、さらに特に５質量％以上４０質量％以下、よりさらに特に５質量％以上３５質量％以下、また特に５質量％以上３０質量％以下の割合で含み得る。

Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａの厚みは、０．１μｍ以上１５μｍ以下、特に０．１μｍ以上１０μｍ以下、より特に０．１μｍ以上８μｍ以下、さらに特に０．５μｍ以上８μｍ以下、よりさらに特に１μｍ以上７μｍ以下、また特に１μｍ以上６μｍ以下、またより特に１μｍ以上５μｍ以下の範囲であり得る。Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａの厚みを０．１μｍ以上とすることによって、耐マイグレーション効果を好適に発揮させることができる。該厚みを１５μｍ以下とすることによって、その上に他のめっき層を積層しても最終的な外部電極１０全体としても好適な厚みにすることができ、小型の電子部品にも容易に組み込ませることができる。

本開示において、「Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層の厚み」とは、外部電極の下地電極層およびＮｉ－Ｓｎ合金めっき層の厚み方向に平行な断面を研磨加工により露出させ、該断面の
下地電極層とめっき層との界面付近に対して、波長分散型Ｘ線分析法（Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ－Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）によってＳｎおよびＮｉのマッピング分析を行い、ＮｉとＳｎの共存が確認される層（Ｎｉ層内に対してＳｎが検出される領域）の厚みを指す。より具体的には、装置として日本電子（株）製のＪＸＡ－８１００を用い、加速電圧１５ｋＶかつ照射電流５×１０^－８Ａの条件下においてマッピング分析を実施した場合の厚みを指す。後述する「Ｎｉめっき層の厚み」および「Ｓｎめっき層の厚み」についても、検出する元素が異なること以外は同様である。

Ｎｉめっき層１３ｂは、実質的にＮｉで構成されている限り、不可避的に混入する微量金属であって、例えばＳｎ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｃｕ等の金属を含んでいてもよい。Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａ上に、Ｎｉめっき層１３ｂが位置することによって、外部電極１０にＮｉめっき本来の優れた耐食性および表面安定性を付与することができる。

Ｎｉめっき層１３ｂの厚みは、特に限定されない。Ｎｉめっき層１３ｂの厚みは、０．５μｍ以上６μｍ以下、特に１μｍ以上５μｍ以下、より特に２μｍ以上４μｍ以下、さらに特に２．５μｍ以上３．５μｍ以下、よりさらに特に３μｍ以上３．５μｍ以下であり得る。Ｎｉめっき層１３ｂの厚みを、０．５μｍ以上とすることによって、外部電極１０に優れた耐食性等を好適に付与することができる。Ｎｉめっき層１３ｂの厚みを６μｍ以下とすることによって、その上に他のめっき層を積層しても最終的な外部電極１０全体としても好適な厚みにすることができ、小型の電子部品にも容易に組み込ませることができる。

Ｓｎめっき層１３ｃは、実質的にＳｎで構成されている限り、不可避的に混入する微量金属であって、例えばＮｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｃｕ等の金属を含んでいてもよい。Ｎｉめっき層１３ｂの上に、Ｓｎめっき層１３ｃが位置することによって、後の電子部品のはんだ付けの作業効率を上げることができる。

Ｓｎめっき層１３ｃの厚みは、特に限定されない。Ｓｎめっき層１３ｃの厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下、特に１μｍ以上８μｍ以下、より特に２μｍ以上５μｍ以下、さらに特に２．５μｍ以上４．５μｍ以下、よりさらに特に３μｍ以上４μｍ以下であり得る。Ｓｎめっき層１３ｃの厚みを、１μｍ以上とすることによって、後のはんだ付けにおいて、Ｓｎめっき層１３ｃより下に位置するめっき層が食われることはなく、かつ好適にはんだ付けを行うこともできる。Ｓｎめっき層１３ｃの厚みを１０μｍ以下とすることによって、外部電極１０全体としても好適な厚みにすることができ、小型の電子部品にも容易に組み込ませることができる。

このように、第１実施形態では、外部電極１０の下地電極層１２上にＮｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａが位置しているため、下地電極層１２とＮｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａとの間には隙間が生じることがなく、そのため耐湿および耐圧環境下で下地電極層１２に水分が侵入し難くなっており、マイグレーションが生じ難くなっている。さらに、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａ上にＮｉめっき層１３ｂが位置しているため、Ｎｉめっき本来の優れた耐食性および表面安定性も付与することができる。

第１実施形態における外部電極１０を備える電子部品の製造方法について説明する。

まず、素子本体１１に接するように、下地電極層１２を形成する。下地電極層１２の形成は、特に限定されず、当業者に公知である任意の手段を用いればよい。例えば、導電性ペーストを塗布等した後、焼き付けをすることによって形成してもよい。または、例えば、フォトリソグラフィによるパターニングまたはスクリーン印刷等の方法によって形成してもよい。この際、下地電極層１２は、素子本体１１内部からの引き出し導体等と電気的に接続されるように形成され得る。

次いで、下地電極層１２上に、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａ、Ｎｉめっき層１３ｂおよびＳｎめっき層１３ｃを、この順で位置するように形成することにより、めっき層１３を形成する。これにより、外部電極１０が形成される。

具体的には、まず、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａを、下地電極層１２上に析出させるように、下地電極層１２に対して電解めっき処理を行う。かかる電解めっき処理において、めっき液はＳｎイオンおよびＮｉイオンを含有する。さらに、電解めっき処理の電流プロファイルは、１Ａ以上２０Ａ未満で電流を制御する第１電流プロファイルを含む。第１電流プロファイルは、電流値が一定に保持される期間および電流値が増加する期間の少なくとも一つを含む。第１電流プロファイルの電流値が増加する期間における電流の上昇率は、５０Ａ／分以下、特に３５Ａ／分以下、より特に２０Ａ／分以下、さらに特に１０Ａ／分以下、さらにより特に１Ａ／分以下であり得る。これは、電流の上昇率を５０Ａ／分以下にすることによって、Ｓｎが良好に析出し、下地電極層１２上にＮｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａを好適に形成することができるためである。

本開示の電解めっき処理では、めっき液にＮｉイオンを加えて、任意の方法でＳｎイオンも含有させて、電解Ｎｉめっき処理を行う（以下、Ｓｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理、ともいう）。Ｓｎイオンを含有させる方法は、特に限定されない。例えば、最外層がＳｎでコーティングされている市販のめっきメディアおよび市販の電解Ｎｉめっき液を用いることによって、ＳｎイオンおよびＮｉイオンを含有させて、電解めっき処理を行うことができる。かかる方法の場合、前述したような１Ａ以上２０Ａ未満での低電流では、第１実施形態によると、電解Ｎｉめっき液中のＮｉだけでなく、メディア表面からイオン化したＳｎも下地電極層１２上に析出し、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａが形成される。これは、電解Ｎｉめっき時において、電流密度を下げた場合、Ｎｉの溶解反応が鈍く、Ｎｉよりイオン化傾向が若干大きいＳｎが先に析出するためである。すなわち、前述のめっきメディアの最外層におけるＳｎが陽極材として機能することになる。また、当業者であれば、例えば、陽極材そのものに市販のＮｉおよびＳｎを適宜組み合わせる方法や、市販の電解Ｓｎめっき液および市販の電解Ｎｉめっき液を適宜組み合わせて用いる等の方法によって、Ｓｎイオンを含有する電解Ｎｉめっき浴を得ることができる。

第１電流プロファイルで制御される電流の範囲は、Ｓｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理の具体的方法、所望するＮｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａの厚み、およびＳｎ含有量等に応じて変化するが、ＮｉだけでなくＳｎも析出する電流の範囲であればよく、１Ａ以上２０Ａ未満、特に１Ａ以上１８Ａ以下、より特に１Ａ以上１５Ａ以下、さらに特に１Ａ以上１３Ａ以下、よりさらに特に１Ａ以上１０Ａ以下、また特に１Ａ以上５Ａ以下であり得る。第１電流プロファイルでのめっき時間は、具体的な電流の値、電解めっき処理の具体的方法、所望するＮｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａの厚み、およびＳｎ含有量等に応じて変化するため、特に限定されない。具体的には、該めっき時間は、２分間以上３００分間以下、特に２分間以上２００分間以下、より特に２分間以上１５０分間以下、さらに特に１０分間以上１５０分間以下、よりさらに特に５０分間以上１５０分間以下であり得る。さらに、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａにおける前述したＮｉおよびＳｎの含有率（ａｔ％）は、第１電流プロファイルでの具体的な電流値および該めっき時間を適宜変更することによって、調整することができる。

第１実施形態における電解めっき処理の電流プロファイルは、前述の第１電流プロファイルの後に、２０Ａ以上１００Ａ以下、特に２０Ａ以上８０Ａ以下、より特に２０Ａ以上６０Ａ以下、さらに特に２０Ａ以上５０Ａ以下で電流を制御する第２電流プロファイルをさらに含む。第２電流プロファイルは、電流値が一定に保持される期間、電流値が増加する期間および電流値が減少する期間の少なくとも一つを含み得る。第２電流プロファイルにおける電解めっき処理は、前述と同様のＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理で構わない。すなわち、第１電流プロファイルでの低電流でのＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理の後、そのまま第２電流プロファイルでのより高電流でのＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理を行うことによって、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａ上に、Ｎｉめっき層１３ｂを形成することができる。これは、２０Ａ以上の電流でＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理を行ったとしても、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａ上にはＮｉのみが析出し、Ｓｎはほとんど析出しないためである。第２電流プロファイルでのめっき時間は、具体的な電流の値、電解めっき処理の具体的方法、および所望するＮｉめっき層１３ｂの厚み等に応じて変化するため、特に限定されない。該めっき時間は、５分間以上２００分間以下、特に１０分間以上１００分間以下であり得る。あるいは、前述の第１電流プロファイルでのＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理の後、Ｓｎイオンを含まない通常の電解Ｎｉめっき処理を行い、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａ上に、Ｎｉめっき層１３ｂが形成しても構わない。電解Ｎｉめっき処理の方法は、特に限定されない。例えば、市販の電解Ｎｉめっき液を用いることができる。

第１電流プロファイルおよび第２電流プロファイルが、それぞれ、電流値が一定に保持される期間からなる場合、該第１電流プロファイルにおける電流値は、該第２電流プロファイルにおける電流値の１％以上５０％以下、特に２％以上４０％以下、より特に３％以上３０％以下、さらに特に４％以上２０％以下、よりさらに特に５％以上１０％以下であり得る。各々の電流値の比率をかかる範囲に設定することによって、下地電極層１２上のＮｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａおよびその上のＮｉめっき層１３ｂを、良好な耐マイグレーション性かつめっき特性を有する厚みを持つように、効率的に形成することができる。

図３Ａおよび図３Ｂは、それぞれ、本開示における第１実施形態のＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理時の電流値と時間の相関の１例を示すグラフである。図３Ａの例では、まず、２Ａの一定の電流を１００分間保持する第１電流プロファイルにおいて、下地電極層１２上に、Ｓｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理を行う。図３Ｂの例では、まず、２Ａから１２Ａまで増加する電流を１００分間保持する（すなわち、電流上昇率は０．１Ａ／分）第１電流プロファイルにおいて、下地電極層１２上に、Ｓｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理を行う。これらの段階では、ＮｉだけでなくＳｎも析出するため、下地電極層１２上に、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａが形成される。次いで、図３Ａおよび図３Ｂの例のいずれにおいても、２０Ａの一定の電流を５０分間保持する第２電流プロファイルにおいて、さらにＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理を行う。これらの段階では、Ｎｉのみが析出するため、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層１３ａ上に、Ｎｉめっき層１３ｂが形成される。

最後に、Ｎｉめっき層１３ｂ上にＳｎめっき処理を行うことによって、最外層のＳｎめっき層１３ｃを形成することができる。Ｓｎめっき処理の方法も、特に限定されず、例えば電解Ｓｎめっき処理を行うことができる。

（第２実施形態）
図４は、本開示における電子部品の外部電極の第２実施形態を示す断面図である。図４に示すように、外部電極２０は、素子本体２１に接するように位置する下地電極層２２と、該下地電極層２２に接するように、特にその上を覆うように位置するめっき層２３とを含む。めっき層２３は、下地電極層２２上に接するように位置するＮｉ－Ｓｎ合金めっき層２３ａと、Ｓｎめっき層２３ｃとを含む。すなわち、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層２３ａおよびＳｎめっき層２３ｃは、下地電極層２２上にこの順で位置する。素子本体２１は、前述したとおり、どのような電子部品の素子本体２１であるかは特に限定されない。

第２実施形態では、めっき層２３が、Ｎｉめっき層を含まないことを除き、下地電極層２２の機能、材料および厚み、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層２３ａの機能、材料および厚み、ならびに、Ｓｎめっき層２３ｃの機能、材料および厚みについては、前述の第１実施形態と同様である。

このように、第２実施形態では、第１実施形態と同様に、外部電極２０の下地電極層２２上にＮｉ－Ｓｎ合金めっき層２３ａが位置しているため、下地電極層２２とＮｉ－Ｓｎ合金めっき層２３ａとの間には隙間が生じることがなく、そのため耐湿および耐圧環境下で下地電極層２２に水分が侵入し難くなっており、マイグレーションが生じ難くなっている。さらに、第１実施形態と異なりＮｉめっき層を含まないため、より効率的に外部電極２０を有する電子部品を製造することができる。

第２実施形態における外部電極２０を備える電子部品の製造方法について説明する。

第２実施形態では、電解めっき処理の電流プロファイルが、第１電流プロファイルの後に、２０Ａ以上１００Ａ以下で電流を制御する第２電流プロファイルを含まないことを除き、前述の第１実施形態と同様である。

図５Ａ、図５Ｂおよび図Ｃは、それぞれ、本開示における第２実施形態のＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理時の電流値と時間の相関の１例を示すグラフである。図５Ａの例では、２Ａの一定の電流を７０分間保持し、それに加えて１５Ａの一定の電流において８０分間保持する２つの段階を有する第１電流プロファイルにおいて、下地電極層２２上に、Ｓｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理を行う。図５Ｂの例では、２Ａから１５Ａまで増加する電流を７０分間保持し（すなわち、電流上昇率は０．１９Ａ／分程度）、それに加えて１５Ａの一定の電流を８０分間保持する２つの段階を有する第１電流プロファイルにおいて、下地電極層２２上に、Ｓｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理を行う。図５Ｃの例では、２Ａから１７Ａまで増加する電流を１５０分間保持する（すなわち、電流上昇率は０．１Ａ／分）第１電流プロファイルにおいて、下地電極層２２上に、Ｓｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理を行う。図５Ａ、図５Ｂおよび図５Ｃに示す例のいずれの段階においても、ＮｉだけでなくＳｎも析出し続けるため、下地電極層２２上にＮｉ－Ｓｎ合金めっき層２３ａが形成される。

最後に、第１実施形態と同様に、Ｎｉめっき層２３ｂ上にＳｎめっき処理を行うことによって、最外層のＳｎめっき層２３ｃを形成することができる。Ｓｎめっき処理の方法も、特に限定されず、例えば電解Ｓｎめっき処理を行うことができる。

（第３実施形態）
図６は、本開示における電子部品の外部電極の第３実施形態を示す断面図である。図６に示すように、外部電極３０は、素子本体３１に接するように位置する下地電極層３２と、該下地電極層３２に接するように、特にその上を覆うように位置するめっき層３３とを含む。めっき層３３は、下地電極層３２上に接するように位置するＮｉ－Ｓｎ合金めっき層３３ａと、Ｎｉめっき層３３ｂと、別のＮｉ－Ｓｎ合金めっき層３３ａ’と、Ｓｎめっき層３３ｃとを含む。すなわち、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層３３ａ、Ｎｉめっき層３３ｂ、別のＮｉ－Ｓｎ合金めっき層３３ａ’およびＳｎめっき層３３ｃは、下地電極層３２上にこの順で位置する。素子本体３１は、前述したとおり、どのような電子部品の素子本体３１であるかは特に限定されない。

第３実施形態では、めっき層３３が、Ｎｉめっき層３３ｂ上に別のＮｉ－Ｓｎ合金めっき層３３ａ’をさらに含むことを除き、下地電極層３２の機能、材料および厚み、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層３３ａの機能、材料および厚み、Ｎｉめっき層３３ｂの機能、材料および厚み、ならびに、Ｓｎめっき層３３ｃの機能、材料および厚みについては、前述の第１実施形態と同様である。別のＮｉ－Ｓｎ合金めっき層３３ａ’の材料および厚みは、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層３３ａと同様である。

このように、第３実施形態では、第１実施形態と同様に、外部電極３０の下地電極層３２上にＮｉ－Ｓｎ合金めっき層３３ａが位置しているため、下地電極層３２とＮｉ－Ｓｎ合金めっき層３３ａとの間には隙間が生じることがなく、そのため耐湿および耐圧環境下で下地電極層３２に水分が侵入し難くなっており、マイグレーションが生じ難くなっている。さらに、第３実施形態の外部電極３０によると、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層３３ａ上にＮｉめっき層３３ｂが位置しているため、Ｎｉめっき本来の優れた耐食性および表面安定性も付与することができ、その上、Ｎｉめっき層３３ｂとＳｎめっき層３３ｃとの間に別のＮｉ－Ｓｎ合金めっき層３３ａ’をさらに有しているため、外部電極３０全体としての総合的な接合性に優れている。

第３実施形態における外部電極３０を備える電子部品の製造方法について説明する。

第３実施形態では、電解めっき処理の電流プロファイルにおいて、２０Ａ未満で電流を制御する第１電流プロファイルに続く２０Ａ以上で電流を制御する第２電流プロファイルの後、１Ａ以上２０Ａ未満で電流を制御する第３電流プロファイル（電流値が一定に保持される期間および電流値が減少する期間の少なくとも一つを含む）をさらに含むことを除き、前述の第１実施形態と同様である。第３電流プロファイルの電流の範囲および時間には、第１電流プロファイルと同様の範囲であり得、前述したようにＳｎも析出する電流の範囲であればよい。

図７Ａ、図７Ｂおよび図７Ｃは、それぞれ、本開示における第３実施形態のＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理時の電流値と時間の相関の１例を示すグラフである。図７Ａの例では、まず、２Ａの一定の電流を５０分間保持する第１電流プロファイルにおいて、下地電極層３２上に、Ｓｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理を行う。次いで、２２Ａの一定の電流を５０分間保持する第２電流プロファイルにおいて、さらにＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理を行う。さらに次いで、２Ａの一定の電流を５０分間保持する第３電流プロファイルにおいて、Ｓｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理を行う。図７Ｂの例では、まず、２Ａから２２Ａまで増加する電流を５０分間保持する（すなわち、電流上昇率は０．４Ａ／分）第１電流プロファイル（一部、第２電流プロファイルを含む（２０Ａから２２Ａまでの範囲））において、下地電極層３２上に、Ｓｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理を行う。次いで、２２Ａの一定の電流を５０分間保持する第２電流プロファイルにおいて、さらにＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理を行う。さらに次いで、２Ａの一定の電流を５０分間保持する第３電流プロファイルにおいて、Ｓｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理を行う。図７Ｃの例では、まず、２Ａから２２Ａまで増加する電流を５０分間保持する（すなわち、電流上昇率は０．４Ａ／分）第１電流プロファイル（一部、第２電流プロファイルを含む（２０Ａから２２Ａまでの範囲））において、下地電極層３２上に、Ｓｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理を行う。次いで、２２Ａの一定の電流を５０分間保持する第２電流プロファイルにおいて、さらにＳｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理を行う。さらに次いで、２２Ａから２Ａまで減少する電流を５０分間保持する第３電流プロファイル（一部、第２電流プロファイルを含む（２２Ａから２０Ａまでの範囲））において、Ｓｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理を行う。図７Ａ、図７Ｂおよび図７Ｃに示す例のいずれの段階においても、２０Ａ未満の電流のときにはＮｉ－Ｓｎ合金めっき層３３ａおよび別のＮｉ－Ｓｎ合金めっき層３３ａ’のいずれかが形成され、２０Ａ以上の電流のときにはＮｉめっき層３３ｂが形成される。

最後に、第１実施形態と同様に、別のＮｉ－Ｓｎ合金めっき層３３ａ’上に、Ｓｎめっき処理を行うことによって、最外層のＳｎめっき層３３ｃを形成することができる。Ｓｎめっき処理の方法も、特に限定されず、例えば電解Ｓｎめっき処理を行うことができる。

（第４実施形態）
図８は、本開示における電子部品の外部電極の第４実施形態を示す断面図である。図８に示すように、外部電極４０は、素子本体４１に接するように位置する下地電極層４２と、該下地電極層４２に接するように、特にその上を覆うように位置するＮｉ－Ｓｎ合金めっき層４３ａとを含む。めっき層４３は、下地電極層４２上に接するように位置するＮｉ－Ｓｎ合金めっき層４３ａからなる。素子本体４１は、前述したとおり、どのような電子部品の素子本体４１であるかは特に限定されない。

第４実施形態では、めっき層４３が、Ｓｎめっき層を含まないことを除き、下地電極層４２の機能、材料および厚み、ならびに、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層４３ａの機能、材料および厚みについては、前述の第２実施形態と同様である。

このように、第４実施形態では、第１実施形態と同様に、外部電極４０の下地電極層４２上にＮｉ－Ｓｎ合金めっき層４３ａが位置しているため、下地電極層４２とＮｉ－Ｓｎ合金めっき層４３ａとの間には隙間が生じることがなく、そのため耐湿および耐圧環境下で下地電極層４２に水分が侵入し難くなっており、マイグレーションが生じ難くなっている。さらに、第４実施形態の外部電極４０によると、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層４３ａ上に、はんだ付け等の各種電気的接続に好適な材料組成のめっき層等を任意に選択して適用することができるため、汎用性を有する。

第４実施形態における外部電極４０を備える電子部品の製造方法は、最後にＳｎめっき処理を行わないことを除き、前述の第１実施形態と同様である。

ある実施形態では、電子部品は、コモンモードチョークコイルであって、少なくとも２つのコイル導体および少なくとも二対の外部電極を備え得る。

本発明が適用されるコモンモードチョークコイルの具体的な構成は、特に限定されないが、その１例について説明する。図９は、本開示における電子部品の１例のコモンモードチョークコイルを示す斜視図である。図１０は、本開示における電子部品の１例のコモンモードチョークコイルを示す模式分解図である。図９および図１０に示すように、コモンモードチョークコイル１００は、第２非磁性層５４、磁性層５５、第１非磁性層５３、磁性層５５’、第２非磁性層５４’がこの順に積層された積層体からなる素子本体５１と、第１非磁性層５３に内部に配置された１つのコイル導体５６ａ、５６ａ’およびもう１つのコイル導体５６ｂ、５６ｂ’と、これらと電気的に接続された二対の外部電極５２ａ、５２ａ’、５２ｂ、５２ｂ’とを備える。第１非磁性層５３は、図１０に示す通り、例えば数枚の非磁性体シート５３’から構成され得る。なお、第２非磁性層５４、５４’および磁性層５５、５５’についても、数枚の非磁性体シートおよび磁性体シートから構成されていても構わない。

第１非磁性層５３（非磁性体シート５３’）および第２非磁性層５４、５４’の材料は、非磁性特性を有し、かつ一般的なコモンモードチョークコイルの非磁性層（例えば誘電体ガラスシート）の材料として利用可能なものならば、特に限定されない。例えば、これらの非磁性層の材料は、ガラス成分およびフィラー成分を含む誘電体ガラス材料で構成することができる。具体的には、誘電体ガラス材料は、全質量に対して、ガラス成分を４０質量％以上９０質量％以下、フィラー成分を１０質量％以上６０質量％以下の含有量で含み得る。ガラス成分は、少なくともＫ、Ａｌ、ＢおよびＳｉのうちの１以上を含んでもよい。例えば、ガラス成分は、ＫをＫ_２Ｏに換算して０．５質量％以上５質量％以下、ＡｌをＡｌ_２Ｏ_３に換算して０質量％以上５質量％以下、ＢをＢ_２Ｏ_３に換算して１０質量％以上２５質量％以下、ＳｉをＳｉＯ_２に換算して７０質量％以上８５質量％以下の範囲で含有し得る。フィラー成分は、石英およびアルミナを含み得る。

第１非磁性層５３（非磁性体シート５３’）および第２非磁性層５４、５４’の製造方法は、特に限定されない。１例を挙げると、まず、当業者に公知のボールミル等を使用する機器を用いて粉砕した誘電体ガラス材料を、溶剤の存在下でバインダー等と混錬してスラリーを得る。次いで、得られたスラリーからドクターブレード法等によってグリーンシートを得ることができる。

磁性層５５、５５’の材料は、磁性特性を有し、かつ一般的なコモンモードチョークコイルの磁性層の材料として利用可能なものならば、特に限定されない。例えば、磁性層５５、５５’の材料は、フェライト材料、特にＺｎ－Ｃｕ－Ｎｉ系フェライト材料で構成することができる。具体的には、Ｚｎ－Ｃｕ－Ｎｉ系フェライト材料は、ＦｅをＦｅ_２Ｏ_３に換算して４０ｍｏｌ％以上４９．５ｍｏｌ％以下、ＺｎをＺｎＯに換算して５ｍｏｌ％以上３５ｍｏｌ％以下、ＣｕをＣｕＯに換算して４ｍｏｌ％以上１２ｍｏｌ％以下、残部をＮｉＯからなる材料で構成され得る。この場合、微量添加物（Ｍｇ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｓｎ等）や不可避不純物を含有してもよい。

磁性層５５、５５’の製造方法は、特に限定されない。１例を挙げると、まず、各成分の粉末を純水等と共に当業者に公知のボールミル等を使用する機器を用いて混合粉砕し、得られたスラリーを蒸発乾燥させた後、仮焼する。次いで、仮焼粉末を溶剤の存在下でバインダー等と共に再度混合粉砕する。このように得られたスラリーからドクターブレード法等によって磁性層５５、５５’を得ることができる。

コイル導体５６ａ、５６ａ’、５６ｂ、５６ｂ’の材料は、導電材料から構成されていれば、特に限定されない。例えば、コイル導体５６ａ、５６ａ’、５６ｂ、５６ｂ’の材料は、金属材料を含む材料、特にＣｕおよびＡｇのうちの１以上を含む材料（ＣｕおよびＡｇを含む合金も含む）、より特にＡｇを含む材料から構成され得る。

コイル導体５６ａ、５６ａ’ともう１つのコイル導体５６ｂ、５６ｂ’は、第１非磁性層５３の一部の非磁性体シート５３’を挟んで対向するように配置され得る。さらに、コイル導体５６ａ、５６ａ’およびコイル導体５６ｂ、５６ｂ’の各々は、非磁性体シート５３’に形成されたビアホールを通して、外部電極５２ａ、５２ａ’、５２ｂ、５２ｂ’のうちのいずれかに電気的に接続されるように形成され得る。コイル導体５６ａ、５６ａ’およびコイル導体５６ｂ、５６ｂ’の具体的な配置箇所および具体的な形状等は、特に限定されない。コイル導体５６ａ、５６ａ’、５６ｂ、５６ｂ’は、例えば、前述の方法で得たグリーンシート上に、導体パターンを印刷または塗布等することによって、形成することができる。この際、適宜、ビア導体をビアホールに通すように形成し、かつ導体パターンが外部電極５２ａ、５２ａ’、５２ｂ、５２ｂ’に電気的に接続するように形成すればよい。

コモンモードチョークコイル１００の製造方法は、当業者に公知である任意の方法を用いることができる。例えば、前述したように製造した、第２非磁性層５４、磁性層５５、コイル導体５６ａ、５６ａ’、５６ｂ、５６ｂ’が形成された第１非磁性層５３、磁性層５５’および第２非磁性層５４’の各層を、図１０に示すように積層する。次いで、例えば、加熱下で加圧して、圧着する。その後、圧着した積層体を適宜切断して、必要に応じて脱バインダー処理を行い、続いて例えば昇温速度を３００℃／ｈ以上１２００℃／ｈ以下に制御して、焼成を行えばよい。焼成温度は、材料や積層体の厚み等に応じて適宜変更され得る。このようにして、素子本体５１を製造することができる。得られた素子本体５１に対して、前述した第１実施形態～第４実施形態における外部電極を形成することによって、コモンモードチョークコイル１００を製造することができる。

以下に本開示の実施例を示す。下記の本開示の実施例の形態は単なる例示にすぎず、本発明を何ら限定するものではない。

本開示の電子部品の外部電極における耐マイグレーション性を確認するために、実際に実施例１～実施例３および比較例のコモンモードチョークコイルを作製して評価した。

＜コモンモードチョークコイルの作製＞
・コモンモードチョークコイルの素子本体の作製
まず、非磁性層の部分を作製するための材料である、所定の組成のＫ、Ａｌ、ＢおよびＳｉからなるガラス粉末（ガラス成分）と、石英およびアルミナの各粉末（フィラー成分）とを準備した。ガラス粉末、石英粉末およびアルミナ粉末を、所定の含有量になるように秤量して、有機バインダー、溶剤、可塑剤および部分安定化ジルコニア（ＰＳＺ）ボールと共にボールミルに投入し、混合粉砕した。得られたスラリーから、ドクターブレード法によって、１０μｍ以上３０μｍ以下の厚みを有する誘電体ガラスシートを作製した。

このようにして作製した誘電体ガラスシートの一部について、所定箇所にレーザ照射を行ってビアホールを形成し、ビアホールにＡｇ系導電性ペーストを充填し、ビア導体を形成した。さらに、スクリーン印刷法によって、Ａｇ系導電性ペーストを塗布し、コイル導体パターンおよび引き出し導体パターンを形成した。

磁性層の部分を作製するための材料である、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＣｕＯおよびＮｉＯの各粉末を準備した。これらを所定の組成になるように秤量し、純水およびＰＳＺボールと共にボールミルに投入し、混合粉砕した。得られたスラリーを蒸発乾燥させた後、７００℃以上８００℃以下の温度で所定時間仮焼し、仮焼粉末を作製した。次に、作製した仮焼粉末と、有機バインダー、溶剤、可塑剤およびＰＳＺボールと共に再びボールミルに投入し、混合粉砕した。得られたスラリーから、ドクターブレード法によって、厚みが１０μｍ以上３０μｍ以下の厚みを有する磁性体シートを作製した。

次に、コイル導体パターンが印刷されていない誘電体ガラスシート、磁性体シート、コイル導体パターンまたは引き出し導体パターンが印刷された誘電体ガラスシート、磁性体シート、導体パターンが印刷されていない誘電体ガラスシートを、所定の枚数、所定の順番で積層し、７３℃で加熱下、１００ＭＰａで加圧して圧着した。これにより積層成形体ブロックを作製した。これをダイサーで切断することで個片化し、未焼成の積層成形体を作製した。この未焼成の積層成形体を匣に入れ、大気雰囲気下、５００℃で脱バインダー処理を行った。その後、９００℃の焼成温度で２時間焼成し、素子本体を作製した。

・コモンモードチョークコイルの素子本体上の外部電極の作製
焼成した素子本体の両端面における、前述の図９に示す外部電極５２ａ、５２ａ’、５２ｂ、５２ｂ’が形成される箇所に、Ａｇを主成分とした外部電極用のペーストを塗布した。該ペーストを、８１０℃で焼き付けして、４つの下地電極層を形成した。次に、下地電極層を形成した素子本体を電解Ｎｉめっき浴に、撹拌補助用のほぐし玉（攪拌メディア）およびＳｎを最表面とするメディア（ＳＯＬＤＥＲＳＨＯＴ４００、素球Ｓｎ９９％、Ａｇ０．１％）と一緒に入れ、通電することで下地電極層上にＮｉ－Ｓｎ合金めっき層、その上にＮｉめっき層を順に形成した。

このとき、実施例１では、電流値２Ａでの２０分～４０分間の通電（すなわち、第１電流プロファイル）と、その後の電流値２０Ａでの２０分間の通電（すなわち、第２電流プロファイル）とを行って、各層を形成した。さらに、実施例２および実施例３では、最初の２Ａでの通電時間を適宜変化させることで、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層の厚みが異なるように調整した。

最後に、純水で洗浄した後、外部電極部分の最上層にＮｉめっき層が形成された素子本体を、電解Ｓｎめっき浴に、撹拌補助用のほぐし玉（攪拌メディア）およびメディア（ＳＯＬＤＥＲＳＨＯＴ４００、素球Ｓｎ９９％、Ａｇ０．１％）と一緒に入れ、各実施例のＮｉめっき層の上に、Ｓｎめっき層を形成し、各々のコモンモードチョークコイルを作製した。

比較例では、実施例１において、最初の電流値２Ａでの２０分～４０分間の通電（すなわち、第１電流プロファイル）を行わなかったこと以外は同様にして、コモンモードチョークコイルを作製した。

＜作製したコモンモードチョークコイルの外部電極の構造の確認＞
各実施例および比較例のコモンモードチョークコイルの外部電極の構造の詳細について、分析を行った。各実施例および比較例のコモンモードチョークコイルの外形寸法は、図９に示す符号において、Ｌが１．２５ｍｍ、Ｗが１．００ｍｍ、Ｔが０．５ｍｍであった。

各コモンモードチョークコイルの各めっき層を、次のようにして確認およびその厚みを測定した。まず、コモンモードチョークコイルを垂直になるように立てて、各コイルの周りを樹脂で固めた。このとき図９に示すＬＴ面が露出するようにした。次に、研磨機で各コイルを図９に示すＷ方向に外部電極の略中央部（Ｗ方向の約１／４）の深さまで（図９の太字破線Ａで示す部分まで）研磨を行った。研磨による外部電極のだれを除去するために、研磨終了後、イオンミリング（（株）日立ハイテクノロジーズ製イオンミリング装置、ＩＭ４０００）により、研磨表面を加工した。研磨した各実施例および比較例のコモンモードチョークコイルにおける外部電極の１ヶ所の略中央部（図９に示す太字破線Ａの矢印Ｘで示す部分）に対して、波長分散型Ｘ線分析法で、ＳｎおよびＮｉのマッピング分析を行った。

ＳｎおよびＮｉのマッピング分析の結果、実施例１～実施例３では、ＮｉとＳｎが共存するＮｉ－Ｓｎ合金めっき層が形成されているのが確認できた。比較例では、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層は確認されなかった。ここで、各実施例および比較例における各層（Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層）の厚みは、該マッピング分析によって確認および測定される厚みとした。具体的には、各実施例におけるＮｉ－Ｓｎ合金めっき層の厚みは、上述と同様に外部電極の略中央部（Ｗ方向の約１／４）の深さまで研磨加工を行い、波長分散型Ｘ線分析法によって装置として日本電子（株）製のＪＸＡ－８１００を用いて、加速電圧１５ｋＶかつ照射電流５×１０^－８Ａの条件下において、下地電極層のＡｇの界面付近のＮｉ層内に対してＳｎマッピング分析を実施し、Ｓｎが検出されたＳｎ共析領域の厚みとした。各実施例および比較例における各層の厚みは、マイグレーション評価結果と共に後の表１に記す。

＜コモンモードチョークコイルの外部電極のマイグレーション評価＞
上述したように作製した各実施例および比較例の各１０個のコモンモードチョークコイルについて、実装基板にソルダーペースト（千住金属工業株式会社製 Ｍ７０５－ＧＲＮ３６０）を用いてはんだ付けした。温度６０℃、相対湿度９３％ＲＨの条件下で、ＤＣ１０Ｖの電圧を印加し、３００時間後の下地電極層のＡｇの伸びをマイクロスコープで測定し、各実施例および比較例の各１０個のコイルの中の最大値を求めた。

下地電極層のＡｇの伸びの測定結果（マイグレーション評価結果）を各実施例および比較例における各層の厚みと共に、以下の表１に示す。

上記表１に示すように、Ａｇ下地電極層とＮｉめっき層との間に、Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層が析出し確認された場合、析出していない場合と比較して、Ａｇの伸びの最大値が極めて小さく、すなわち耐マイグレーション性に優れているということが分かった。

本開示によると、耐湿および耐圧環境下において、優れた耐マイグレーション性を有する外部電極を備える電子部品およびその製造方法を提供することができる。

１ 電子部品
２ 素子本体
３ａ、３ｂ 外部電極
１０、２０、３０、４０ 外部電極
１１、２１、３１、４１、５１ 素子本体
１２、２２、３２、４２ 下地電極層
１３、２３、３３、４３ めっき層
１３ａ、２３ａ、３３ａ、４３ａ Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層
１３ｂ、３３ｂ Ｎｉめっき層
１３ｃ、２３ｃ、３３ｃ Ｓｎめっき層
３３ａ’ 別のＮｉ－Ｓｎ合金めっき層
５２ａ、５２ａ’、５２ｂ、５２ｂ’ 外部電極
５３ 第１非磁性層
５３’ 非磁性体シート
５４、５４’ 第２非磁性層
５５、５５’ 磁性層
５６ａ、５６ａ’、５６ｂ、５６ｂ’ コイル導体
１００ コモンモードチョークコイル

Claims (13)

1. 素子本体と該素子本体に設けられた少なくとも一対の外部電極とを備えた電子部品であって、
   前記外部電極は、前記素子本体に接するように位置する下地電極層と、該下地電極層に接するように位置するめっき層と、を含み、
   前記めっき層は、前記下地電極層に接するように位置するＮｉ－Ｓｎ合金めっき層、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を含み、
   前記Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層、前記Ｎｉめっき層および前記Ｓｎめっき層は、この順で前記下地電極層上に位置する、
   電子部品。
2. 前記下地電極層は、ＡｇおよびＣｕのうちの１以上を含む、請求項１に記載の電子部品。
3. 前記下地電極層は、Ａｇを含む、請求項２に記載の電子部品。
4. 前記Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層は、
   下記式（１）
   （１００－ｘ）Ｎｉ－ｘＳｎ・・・（１）
   （式（１）中、ｘはＳｎ含有率（ａｔ％）であり、５≦ｘ≦５０を満たす）
   で表されるＮｉ－Ｓｎ合金からなる、
   請求項１～３のいずれか１項に記載の電子部品。
5. 前記Ｎｉ－Ｓｎ合金めっき層の厚みは、０．１μｍ以上１５μｍ以下の範囲である、請求項１～４のいずれか１項に記載の電子部品。
6. 該電子部品は、コイル部品であって、前記素子本体に埋設されたコイル導体をさらに備え、前記コイル導体と前記外部電極とが、電気的に接続されている、請求項１～５のいずれか１項に記載の電子部品。
7. 該電子部品は、コモンモードチョークコイルであって、少なくとも２つの前記コイル導体および少なくとも二対の前記外部電極を備える、請求項６に記載の電子部品。
8. 素子本体と該素子本体に設けられた少なくとも一対の外部電極とを備えた電子部品の製造方法であって、
   前記外部電極は、下地電極層およびめっき層を含み、
   前記めっき層は、前記下地電極層に接するように位置するＮｉ－Ｓｎ合金めっき層、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を含み、
   該方法は、前記素子本体上に下地電極層を形成することと、前記下地電極層上に電解めっき処理によりＮｉ－Ｓｎ合金めっき層およびＮｉめっき層を形成することと、およびＮｉめっき層上にＳｎめっき層を形成すること、を含み、
   前記電解めっき処理において、めっき液はＳｎイオンおよびＮｉイオンを含有し、電流プロファイルは１Ａ以上２０Ａ未満で電流を制御する第１電流プロファイルを含み、
   前記第１電流プロファイルは、電流値が一定に保持される期間および電流値が増加する期間の少なくとも一つを含む、
   電子部品の製造方法。
9. 前記電流プロファイルは、前記第１電流プロファイルの後に、２０Ａ以上１００Ａ以下で電流を制御する第２電流プロファイルをさらに含む、請求項８に記載の電子部品の製造方法。
10. 前記下地電極層は、ＡｇおよびＣｕのうちの１以上を含む、請求項８または９に記載の電子部品の製造方法。
11. 前記下地電極層は、Ａｇを含む、請求項１０に記載の電子部品の製造方法。
12. 前記第１電流プロファイルの前記電流値が増加する期間における電流の上昇率は、５０Ａ／分以下である、請求項８～１１のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
13. 前記第１電流プロファイルおよび前記第２電流プロファイルは、それぞれ、電流値が一定に保持される期間からなり、
    前記第１電流プロファイルにおける電流値は、前記第２電流プロファイルにおける電流値の１％以上５０％以下である、
    請求項９および請求項９に従属する請求項１０または１１のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。

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