JPH11189894A - Ｓｎ合金メッキ皮膜、電子部品およびチップ型セラミック電子部品 - Google Patents
Ｓｎ合金メッキ皮膜、電子部品およびチップ型セラミック電子部品Info
- Publication number
- JPH11189894A JPH11189894A JP9355295A JP35529597A JPH11189894A JP H11189894 A JPH11189894 A JP H11189894A JP 9355295 A JP9355295 A JP 9355295A JP 35529597 A JP35529597 A JP 35529597A JP H11189894 A JPH11189894 A JP H11189894A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- plating film
- alloy
- electrode
- alloy plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 44
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 83
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 34
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 34
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 24
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 10
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 abstract description 8
- 229910020830 Sn-Bi Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910018728 Sn—Bi Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical class [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 8
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 7
- 229910020810 Sn-Co Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910020938 Sn-Ni Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910018757 Sn—Co Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910008937 Sn—Ni Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/142—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals or tapping points being coated on the resistive element
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半田濡れ性を維持しつつ、耐銀喰われ性、耐
ホイスカ性に富む、Ｐｂフリー化が可能なＳｎ合金メッ
キ皮膜を、ＡｇまたはＣｕからなる端子電極上に形成し
た、電子部品を提供する。 【解決手段】 ＳｎにＢｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏの
うち少なくとも１種類の金属を含有したＳｎ合金メッキ
皮膜１００ｗｔ％において、Ｂｉ、Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，
Ｃｏ量を０．５〜２０ｗｔ％に選ぶ。
ホイスカ性に富む、Ｐｂフリー化が可能なＳｎ合金メッ
キ皮膜を、ＡｇまたはＣｕからなる端子電極上に形成し
た、電子部品を提供する。 【解決手段】 ＳｎにＢｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏの
うち少なくとも１種類の金属を含有したＳｎ合金メッキ
皮膜１００ｗｔ％において、Ｂｉ、Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，
Ｃｏ量を０．５〜２０ｗｔ％に選ぶ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、Ｓｎ合金メッキ
皮膜、電子部品およびチップ型セラミック電子部品に関
するもので、半田付けのためのＳｎ合金メッキ皮膜の改
良に関するものである。
皮膜、電子部品およびチップ型セラミック電子部品に関
するもので、半田付けのためのＳｎ合金メッキ皮膜の改
良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この発明の従来技術として、チップ型セ
ラミック電子部品、ここではより具体的に、積層セラミ
ックコンデンサを例にして説明する。
ラミック電子部品、ここではより具体的に、積層セラミ
ックコンデンサを例にして説明する。
【０００３】積層セラミックコンデンサは、図１に示す
ように、誘電体セラミック層１と静電容量を得るための
内部電極層２とが交互に積層されたセラミック積層体３
に、内部電極層２と電気的接続するための外部電極４が
形成されたものである。外部電極４は、Ａｇ電極４ａが
下地層として形成され、その上にＮｉ電極４ｂが中間層
として形成され、さらにその上にＳｎ電極またはＳｎ−
Ｐｂ合金電極４ｃが最外層として形成されたものからな
る。ここでＡｇ電極４ａは内部電極との電気的接続を行
なうために形成され、Ｎｉ電極４ｂはＡｇが半田付け時
に喰われるのを防止したりホイスカ発生を防止するため
に形成され、Ｓｎ電極またはＳｎ−Ｐｂ合金電極４ｃは
半田付け時に半田濡れ性を確保するために形成されてい
る。
ように、誘電体セラミック層１と静電容量を得るための
内部電極層２とが交互に積層されたセラミック積層体３
に、内部電極層２と電気的接続するための外部電極４が
形成されたものである。外部電極４は、Ａｇ電極４ａが
下地層として形成され、その上にＮｉ電極４ｂが中間層
として形成され、さらにその上にＳｎ電極またはＳｎ−
Ｐｂ合金電極４ｃが最外層として形成されたものからな
る。ここでＡｇ電極４ａは内部電極との電気的接続を行
なうために形成され、Ｎｉ電極４ｂはＡｇが半田付け時
に喰われるのを防止したりホイスカ発生を防止するため
に形成され、Ｓｎ電極またはＳｎ−Ｐｂ合金電極４ｃは
半田付け時に半田濡れ性を確保するために形成されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｓｎ電
極を形成するときには次のような問題がある。つまり、
このＳｎ電極は電解メッキにより形成されるが、Ｓｎメ
ッキ皮膜は、一般的にホイスカが発生しやすいという問
題がある。また、Ｓｎ−Ｐｂ合金電極について言えば、
規制物質のＰｂを含有しているため、環境問題から、Ｓ
ｎ−Ｐｂ合金電極に代わる半田濡れ性を確保する別の電
極が必要となっている。
極を形成するときには次のような問題がある。つまり、
このＳｎ電極は電解メッキにより形成されるが、Ｓｎメ
ッキ皮膜は、一般的にホイスカが発生しやすいという問
題がある。また、Ｓｎ−Ｐｂ合金電極について言えば、
規制物質のＰｂを含有しているため、環境問題から、Ｓ
ｎ−Ｐｂ合金電極に代わる半田濡れ性を確保する別の電
極が必要となっている。
【０００５】また、Ｓｎ電極またはＳｎ−Ｐｂ合金電極
を電解メッキにより形成する際、この最外層電極を形成
する前にＮｉ電極が同じく電解メッキにより形成される
が、ＳｎまたはＳｎ−Ｐｂのメッキ浴の中に前工程のＮ
ｉメッキ液が混入することがある。残留Ｎｉメッキ液が
ＳｎまたはＳｎ−Ｐｂのメッキ浴の中に入り込むと、メ
ッキ付着力が低下し、良質のメッキ皮膜が形成されない
ことになる。
を電解メッキにより形成する際、この最外層電極を形成
する前にＮｉ電極が同じく電解メッキにより形成される
が、ＳｎまたはＳｎ−Ｐｂのメッキ浴の中に前工程のＮ
ｉメッキ液が混入することがある。残留Ｎｉメッキ液が
ＳｎまたはＳｎ−Ｐｂのメッキ浴の中に入り込むと、メ
ッキ付着力が低下し、良質のメッキ皮膜が形成されない
ことになる。
【０００６】この問題を解決するには、Ｎｉメッキ工程
の後で洗浄工程を設け、次のＳｎまたはＳｎ−Ｐｂのメ
ッキ浴の中に残留Ｎｉメッキ液が入り込まないように対
処する必要がある。また、ＳｎまたはＳｎ−Ｐｂのメッ
キ浴の使用回数が増えた場合には、新しいメッキ浴に入
れ替えするといった対策を講じることになる。しかしな
がら、このような問題解決では、いずれも工程が増える
ことになり、工程管理が必要となり、コストアップにつ
ながることになる。
の後で洗浄工程を設け、次のＳｎまたはＳｎ−Ｐｂのメ
ッキ浴の中に残留Ｎｉメッキ液が入り込まないように対
処する必要がある。また、ＳｎまたはＳｎ−Ｐｂのメッ
キ浴の使用回数が増えた場合には、新しいメッキ浴に入
れ替えするといった対策を講じることになる。しかしな
がら、このような問題解決では、いずれも工程が増える
ことになり、工程管理が必要となり、コストアップにつ
ながることになる。
【０００７】このような問題を根本的に解決するには、
Ｐｂを含まない電極材料、ホイスカが発生しない電極材
料、Ａｇが半田付け時に喰われるのを保護できる電極、
半田濡れ性を確保できる電極を提供することができるこ
とにある。
Ｐｂを含まない電極材料、ホイスカが発生しない電極材
料、Ａｇが半田付け時に喰われるのを保護できる電極、
半田濡れ性を確保できる電極を提供することができるこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決することができ、種々の要求にも応えられる半田組
成を提供することを目的とする。
解決することができ、種々の要求にも応えられる半田組
成を提供することを目的とする。
【０００９】つまり、第１のこの発明は、Ｓｎ合金メッ
キ皮膜において、Ｓｎと、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃ
ｏのうち少なくとも１種を含有していることを特徴とす
る。
キ皮膜において、Ｓｎと、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃ
ｏのうち少なくとも１種を含有していることを特徴とす
る。
【００１０】第２のこの発明は、基体に形成された金属
の表面にＳｎ合金メッキ皮膜が形成されている電子部品
において、前記Ｓｎ合金メッキ皮膜は、Ｓｎと、Ｂｉ，
Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少なくとも１種を含有し
ていることを特徴とする。
の表面にＳｎ合金メッキ皮膜が形成されている電子部品
において、前記Ｓｎ合金メッキ皮膜は、Ｓｎと、Ｂｉ，
Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少なくとも１種を含有し
ていることを特徴とする。
【００１１】第３のこの発明は、前記電子部品におい
て、前記金属は、ＡｇまたはＣｕからなることを特徴と
する。
て、前記金属は、ＡｇまたはＣｕからなることを特徴と
する。
【００１２】第４のこの発明は、前記電子部品におい
て、前記Ｓｎ合金メッキ皮膜は、Ｓｎ合金メッキ皮膜１
００ｗｔ％中に、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち
少なくとも１種が０．５ｗｔ％〜２０ｗｔ％含有されて
いることを特徴とする。
て、前記Ｓｎ合金メッキ皮膜は、Ｓｎ合金メッキ皮膜１
００ｗｔ％中に、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち
少なくとも１種が０．５ｗｔ％〜２０ｗｔ％含有されて
いることを特徴とする。
【００１３】第５のこの発明は、セラミック基体に形成
された金属の表面にＳｎ合金メッキ皮膜が形成されてい
るセラミック電子部品において、前記Ｓｎ合金メッキ皮
膜は、Ｓｎと、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少
なくとも１種を含有していることを特徴とする。
された金属の表面にＳｎ合金メッキ皮膜が形成されてい
るセラミック電子部品において、前記Ｓｎ合金メッキ皮
膜は、Ｓｎと、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少
なくとも１種を含有していることを特徴とする。
【００１４】第６のこの発明は、前記セラミック電子部
品において、前記セラミック基体は、誘電体セラミッ
ク、圧電体セラミック、半導体セラミック、磁性体セラ
ミック、絶縁体セラミックのいずれかからなることを特
徴とする。
品において、前記セラミック基体は、誘電体セラミッ
ク、圧電体セラミック、半導体セラミック、磁性体セラ
ミック、絶縁体セラミックのいずれかからなることを特
徴とする。
【００１５】第７のこの発明は、前記セラミック電子部
品において、前記金属は、ＡｇまたはＣｕからなること
を特徴とする。
品において、前記金属は、ＡｇまたはＣｕからなること
を特徴とする。
【００１６】第８のこの発明は、前記セラミック電子部
品において、前記Ｓｎ合金メッキ皮膜は、Ｓｎ合金メッ
キ皮膜１００ｗｔ％中に、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃ
ｏのうち少なくとも１種が０．５ｗｔ％〜２０ｗｔ％含
有されていることを特徴とする。
品において、前記Ｓｎ合金メッキ皮膜は、Ｓｎ合金メッ
キ皮膜１００ｗｔ％中に、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃ
ｏのうち少なくとも１種が０．５ｗｔ％〜２０ｗｔ％含
有されていることを特徴とする。
【００１７】第９のこの発明は、内部電極を有するチッ
プ型セラミック素体と、内部電極と電気的接続し、チッ
プ型セラミック素体に形成された焼付電極と、この焼付
電極の上に形成されたＳｎ合金メッキ皮膜とからなるチ
ップ型セラミック電子部品において、前記Ｓｎ合金メッ
キ皮膜は、Ｓｎと、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのう
ち少なくとも１種を含有していることを特徴とする。
プ型セラミック素体と、内部電極と電気的接続し、チッ
プ型セラミック素体に形成された焼付電極と、この焼付
電極の上に形成されたＳｎ合金メッキ皮膜とからなるチ
ップ型セラミック電子部品において、前記Ｓｎ合金メッ
キ皮膜は、Ｓｎと、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのう
ち少なくとも１種を含有していることを特徴とする。
【００１８】第１０のこの発明は、前記チップ型セラミ
ック電子部品において、前記チップ型セラミック素体
は、誘電体セラミック、圧電体セラミック、半導体セラ
ミック、磁性体セラミック、絶縁体セラミックのいずれ
かからなることを特徴とする。
ック電子部品において、前記チップ型セラミック素体
は、誘電体セラミック、圧電体セラミック、半導体セラ
ミック、磁性体セラミック、絶縁体セラミックのいずれ
かからなることを特徴とする。
【００１９】第１１のこの発明は、前記チップ型セラミ
ック電子部品において、前記焼付電極は、Ａｇ系または
Ｃｕ系のものであることを特徴とする。
ック電子部品において、前記焼付電極は、Ａｇ系または
Ｃｕ系のものであることを特徴とする。
【００２０】第１２のこの発明は、前記チップ型セラミ
ック電子部品において、前記Ｓｎ合金メッキ皮膜は、Ｓ
ｎ合金メッキ皮膜１００ｗｔ％中に、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａ
ｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少なくとも１種が０．５ｗｔ％〜
２０ｗｔ％含有されていることを特徴とする。
ック電子部品において、前記Ｓｎ合金メッキ皮膜は、Ｓ
ｎ合金メッキ皮膜１００ｗｔ％中に、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａ
ｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少なくとも１種が０．５ｗｔ％〜
２０ｗｔ％含有されていることを特徴とする。
【００２１】この第１の発明によれば、Ｓｎに、Ｂｉ，
Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少なくとも１種類の金属
を含有させることにより、ＳｎメッキまたはＳｎ−Ｐｂ
合金メッキの持つ半田濡れ性を確保しつつ、Ｎｉメッキ
の持つ耐銀喰われ性、耐ホイスカ性にも優れた、Ｓｎ合
金メッキ皮膜を得ることができる。
Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少なくとも１種類の金属
を含有させることにより、ＳｎメッキまたはＳｎ−Ｐｂ
合金メッキの持つ半田濡れ性を確保しつつ、Ｎｉメッキ
の持つ耐銀喰われ性、耐ホイスカ性にも優れた、Ｓｎ合
金メッキ皮膜を得ることができる。
【００２２】この第２から第４の発明によれば、基体に
形成されたＡｇまたはＣｕからなる電極の表面に、Ｂ
ｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少なくとも１種がＳ
ｎ合金メッキ皮膜１００ｗｔ％中、０．５ｗｔ％〜２０
ｗｔ％含有されている上記第１の発明のＳｎ合金メッキ
皮膜を形成することにより、Ｐｂを含まず、半田濡れ
性、耐銀喰われ性、耐ホイスカ性に優れた端子電極を有
する、電子部品を得ることができる。
形成されたＡｇまたはＣｕからなる電極の表面に、Ｂ
ｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少なくとも１種がＳ
ｎ合金メッキ皮膜１００ｗｔ％中、０．５ｗｔ％〜２０
ｗｔ％含有されている上記第１の発明のＳｎ合金メッキ
皮膜を形成することにより、Ｐｂを含まず、半田濡れ
性、耐銀喰われ性、耐ホイスカ性に優れた端子電極を有
する、電子部品を得ることができる。
【００２３】この第５から第８の発明によれば、セラミ
ック基体に形成されたＡｇまたはＣｕからなる電極の表
面に、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少なくとも
１種がＳｎ合金メッキ皮膜１００ｗｔ％中、０．５ｗｔ
％〜２０ｗｔ％含有されている上記第１の発明のＳｎ合
金メッキ皮膜を形成することにより、Ｐｂを含まず、半
田濡れ性、耐銀喰われ性、耐ホイスカ性に優れた端子電
極を有する、セラミック電子部品を得ることができる。
ック基体に形成されたＡｇまたはＣｕからなる電極の表
面に、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少なくとも
１種がＳｎ合金メッキ皮膜１００ｗｔ％中、０．５ｗｔ
％〜２０ｗｔ％含有されている上記第１の発明のＳｎ合
金メッキ皮膜を形成することにより、Ｐｂを含まず、半
田濡れ性、耐銀喰われ性、耐ホイスカ性に優れた端子電
極を有する、セラミック電子部品を得ることができる。
【００２４】この第９から第１２の発明によれば、チッ
プ型セラミック素体に形成されたＡｇ系またはＣｕ系か
らなる電極の表面に、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏの
うち少なくとも１種がＳｎ合金メッキ皮膜１００ｗｔ％
中、０．５ｗｔ％〜２０ｗｔ％含有されている上記第１
の発明のＳｎ合金メッキ皮膜を形成することにより、Ｐ
ｂを含まず、半田濡れ性、耐銀喰われ性、耐ホイスカ性
に優れた端子電極を有する、チップ型セラミック電子部
品を得ることができる。
プ型セラミック素体に形成されたＡｇ系またはＣｕ系か
らなる電極の表面に、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏの
うち少なくとも１種がＳｎ合金メッキ皮膜１００ｗｔ％
中、０．５ｗｔ％〜２０ｗｔ％含有されている上記第１
の発明のＳｎ合金メッキ皮膜を形成することにより、Ｐ
ｂを含まず、半田濡れ性、耐銀喰われ性、耐ホイスカ性
に優れた端子電極を有する、チップ型セラミック電子部
品を得ることができる。
【００２５】Ｓｎ合金メッキ皮膜の下地となる金属とし
て、ＡｇまたはＣｕからなるもののいずれを用いるか
は、該電子部品の内部電極との電気的接続のし易さによ
って決まる。
て、ＡｇまたはＣｕからなるもののいずれを用いるか
は、該電子部品の内部電極との電気的接続のし易さによ
って決まる。
【００２６】Ｓｎ合金メッキ皮膜１００ｗｔ％中の、Ｂ
ｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少なくとも１種の金
属の含有量は、０．５ｗｔ％未満では、耐銀喰われ性、
耐ホイスカ性の抑制効果が不十分で好ましくない。一
方、２０ｗｔ％を超えると、Ｂｉを含有した組成におい
て皮膜が脆くなり、Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏを含有した
組成において半田濡れ性が劣化するので、好ましくな
い。
ｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少なくとも１種の金
属の含有量は、０．５ｗｔ％未満では、耐銀喰われ性、
耐ホイスカ性の抑制効果が不十分で好ましくない。一
方、２０ｗｔ％を超えると、Ｂｉを含有した組成におい
て皮膜が脆くなり、Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏを含有した
組成において半田濡れ性が劣化するので、好ましくな
い。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を、
積層セラミックコンデンサに基づき説明する。
積層セラミックコンデンサに基づき説明する。
【００２８】まず、積層セラミックコンデンサのうち、
セラミック積層体を作製した。このセラミック積層体は
次のようにして準備した。まず、チタン酸バリウムを主
成分とするセラミックグリーンシートを作製し、このセ
ラミックグリーンシートの表面に、Ａｇ−Ｐｄからなる
内部電極用ペーストをスクリーン印刷した。このセラミ
ックグリーンシートを複数枚積層し、圧着した積層体と
した。この積層体を積層方向、つまり厚み方向に沿って
切断し、切断端面に内部電極用ペーストが交互に露出し
たチップ積層体を準備した。このチップ積層体を空気中
で１３００℃、１時間焼成し、セラミック積層体を得
た。
セラミック積層体を作製した。このセラミック積層体は
次のようにして準備した。まず、チタン酸バリウムを主
成分とするセラミックグリーンシートを作製し、このセ
ラミックグリーンシートの表面に、Ａｇ−Ｐｄからなる
内部電極用ペーストをスクリーン印刷した。このセラミ
ックグリーンシートを複数枚積層し、圧着した積層体と
した。この積層体を積層方向、つまり厚み方向に沿って
切断し、切断端面に内部電極用ペーストが交互に露出し
たチップ積層体を準備した。このチップ積層体を空気中
で１３００℃、１時間焼成し、セラミック積層体を得
た。
【００２９】このセラミック積層体の両端面に、内部電
極と電気的に接続する外部電極を形成した。この外部電
極は、下地層としてＡｇ焼付け電極を形成したものを準
備しておいた。
極と電気的に接続する外部電極を形成した。この外部電
極は、下地層としてＡｇ焼付け電極を形成したものを準
備しておいた。
【００３０】次いで、表１に示すメッキ浴を用意し、電
流密度の大きさと、Ｓｎ−Ｂｉ浴、Ｓｎ−Ｎｉ浴、Ｓｎ
−Ｚｎ浴、Ｓｎ−Ｃｏ浴は錫塩濃度、Ｓｎ−Ａｇ浴は銀
塩濃度、Ｓｎ−Ｐｂ浴は鉛塩濃度を調節して、表２記載
のＳｎ含有率のメッキが得られるようにした。このメッ
キ浴を用いて、上記セラミック積層体にＳｎ合金メッキ
を行ない、下地層Ａｇ電極の上に最外層Ｓｎ合金電極を
形成した外部電極を有する、試料番号１から３３の積層
セラミックコンデンサを得た。
流密度の大きさと、Ｓｎ−Ｂｉ浴、Ｓｎ−Ｎｉ浴、Ｓｎ
−Ｚｎ浴、Ｓｎ−Ｃｏ浴は錫塩濃度、Ｓｎ−Ａｇ浴は銀
塩濃度、Ｓｎ−Ｐｂ浴は鉛塩濃度を調節して、表２記載
のＳｎ含有率のメッキが得られるようにした。このメッ
キ浴を用いて、上記セラミック積層体にＳｎ合金メッキ
を行ない、下地層Ａｇ電極の上に最外層Ｓｎ合金電極を
形成した外部電極を有する、試料番号１から３３の積層
セラミックコンデンサを得た。
【００３１】
【表１】
【００３２】続いて、上記の積層セラミックコンデンサ
をサンプルに用いて、以下の３種類の試験を行なった。
をサンプルに用いて、以下の３種類の試験を行なった。
【００３３】半田濡れ性試験は、サンプルを半田溶融槽
に２秒浸漬した後、半田に覆われている面積を測定し
た。なお、半田材は、以下の４種類を用いた。
に２秒浸漬した後、半田に覆われている面積を測定し
た。なお、半田材は、以下の４種類を用いた。
【００３４】１）Ｓｎ／Ｐｂ＝６０：４０ 溶融温度２
３０℃ フラックスは非ハロゲン系 ２）Ｓｎ／Ｐｂ＝６０：４０ 溶融温度２３０℃ フラ
ックスはハロゲン系 ３）Ｓｎ／Ａｇ＝９６．５：３．５ 溶融温度２５０℃
フラックスは非ハロゲン系 ４）Ｓｎ／Ａｇ＝９６．５：３．５ 溶融温度２５０℃
フラックスはハロゲン系 耐銀喰われ性試験は、サンプルを２７０℃の半田溶融槽
に３０秒浸漬した後、Ａｇが半田に喰われず残っている
面積を測定した。なお、半田材は上記１）を用いた。
３０℃ フラックスは非ハロゲン系 ２）Ｓｎ／Ｐｂ＝６０：４０ 溶融温度２３０℃ フラ
ックスはハロゲン系 ３）Ｓｎ／Ａｇ＝９６．５：３．５ 溶融温度２５０℃
フラックスは非ハロゲン系 ４）Ｓｎ／Ａｇ＝９６．５：３．５ 溶融温度２５０℃
フラックスはハロゲン系 耐銀喰われ性試験は、サンプルを２７０℃の半田溶融槽
に３０秒浸漬した後、Ａｇが半田に喰われず残っている
面積を測定した。なお、半田材は上記１）を用いた。
【００３５】耐ホイスカ性試験は、サンプルを５０℃の
恒温槽に６０日間放置した後、メッキ部の端から５mmの
周辺部を除いた中央部を金属顕微鏡で観察した。
恒温槽に６０日間放置した後、メッキ部の端から５mmの
周辺部を除いた中央部を金属顕微鏡で観察した。
【００３６】以上の試験結果を表２に示す。
【００３７】なお、半田濡れ性試験は、半田に覆われて
いる面積が、全体の８５％未満を×、８５％以上９０％
未満を△、９０％以上９５％未満を○、９５％以上を◎
と判定した。
いる面積が、全体の８５％未満を×、８５％以上９０％
未満を△、９０％以上９５％未満を○、９５％以上を◎
と判定した。
【００３８】耐銀喰われ性試験は、Ａｇが半田に喰われ
ず残っている面積が、全体の５０％未満を×、５０％以
上７５％未満を△、７５％以上９０％未満を○、９０％
以上を◎と判定した。
ず残っている面積が、全体の５０％未満を×、５０％以
上７５％未満を△、７５％以上９０％未満を○、９０％
以上を◎と判定した。
【００３９】耐ホイスカ性試験は、Ｓｎメッキ皮膜並み
のホイスカ発生具合を示す場合を×、Ｓｎメッキ皮膜よ
り発生具合は少ないものの、ホイスカの発生が認められ
る場合を△、ホイスカの発生がほとんど認められない場
合を○、ホイスカの発生が全く認められない場合を◎と
判定した。
のホイスカ発生具合を示す場合を×、Ｓｎメッキ皮膜よ
り発生具合は少ないものの、ホイスカの発生が認められ
る場合を△、ホイスカの発生がほとんど認められない場
合を○、ホイスカの発生が全く認められない場合を◎と
判定した。
【００４０】総合評価は、◎：非常に良好である、○：
良好である、△：実用上差し支えない、×：実用上問題
ありを表している。
良好である、△：実用上差し支えない、×：実用上問題
ありを表している。
【００４１】
【表２】
【００４２】半田濡れ性は、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ａ
ｇ合金では、Ｂｉ含有率、Ａｇ含有率、半田材種、フラ
ックス種によらず、ほぼ良好な濡れ性を示した。ただ、
Ｓｎ−Ａｇ合金では、Ａｇ含有率２０ｗｔ％で非ハロゲ
ン系のフラックスでは濡れにくくなった。また、Ｓｎ−
Ｂｉ合金では、Ｂｉ含有量が増えるにつれて皮膜が脆く
なった。
ｇ合金では、Ｂｉ含有率、Ａｇ含有率、半田材種、フラ
ックス種によらず、ほぼ良好な濡れ性を示した。ただ、
Ｓｎ−Ａｇ合金では、Ａｇ含有率２０ｗｔ％で非ハロゲ
ン系のフラックスでは濡れにくくなった。また、Ｓｎ−
Ｂｉ合金では、Ｂｉ含有量が増えるにつれて皮膜が脆く
なった。
【００４３】Ｓｎ−Ｎｉ合金、Ｓｎ−Ｃｏ合金では、Ｎ
ｉ，Ｃｏの含有量の増加とともに半田濡れ性は低下し、
含有率５ｗｔ％で非ハロゲン系のフラックスでは濡れに
くくなり、含有率１０ｗｔ％を超えるとハロゲン系のフ
ラックスでも濡れにくくなった。
ｉ，Ｃｏの含有量の増加とともに半田濡れ性は低下し、
含有率５ｗｔ％で非ハロゲン系のフラックスでは濡れに
くくなり、含有率１０ｗｔ％を超えるとハロゲン系のフ
ラックスでも濡れにくくなった。
【００４４】Ｓｎ−Ｚｎ合金では、Ｚｎ含有量の増加と
ともに濡れ性は低下し、含有率１０ｗｔ％で非ハロゲン
系のフラックスでは濡れにくくなった。
ともに濡れ性は低下し、含有率１０ｗｔ％で非ハロゲン
系のフラックスでは濡れにくくなった。
【００４５】耐銀喰われ性は、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−
Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金では、Ｂｉ，Ａｇ，Ｚｎの含
有率が０．５ｗｔ％では抑制効果を示さないものの、１
ｗｔ％で抑制効果を示し始め、５ｗｔ％以上で顕著とな
った。
Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金では、Ｂｉ，Ａｇ，Ｚｎの含
有率が０．５ｗｔ％では抑制効果を示さないものの、１
ｗｔ％で抑制効果を示し始め、５ｗｔ％以上で顕著とな
った。
【００４６】Ｓｎ−Ｎｉ合金、Ｓｎ−Ｃｏ合金では、Ｎ
ｉ，Ｃｏの含有率が０．５ｗｔ％で抑制効果を示し始
め、１ｗｔ％以上で顕著となった。
ｉ，Ｃｏの含有率が０．５ｗｔ％で抑制効果を示し始
め、１ｗｔ％以上で顕著となった。
【００４７】耐ホイスカ性は、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−
Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金では、Ｂｉ，Ａｇ，Ｚｎの含
有率が０．５ｗｔ％では抑制効果を示さないものの、１
ｗｔ％で抑制効果を示し始め、５ｗｔ％以上で顕著とな
った。
Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金では、Ｂｉ，Ａｇ，Ｚｎの含
有率が０．５ｗｔ％では抑制効果を示さないものの、１
ｗｔ％で抑制効果を示し始め、５ｗｔ％以上で顕著とな
った。
【００４８】Ｓｎ−Ｎｉ合金、Ｓｎ−Ｃｏ合金では、Ｎ
ｉ，Ｃｏ含有率１ｗｔ％でホイスカの発生が認められな
かった。
ｉ，Ｃｏ含有率１ｗｔ％でホイスカの発生が認められな
かった。
【００４９】また、表２によると、Ｓｎ合金メッキの望
ましい組成は、詳細には、それぞれＢｉ，Ｎｉ，Ａｇ，
Ｚｎ，Ｃｏの合金比率で異なった。
ましい組成は、詳細には、それぞれＢｉ，Ｎｉ，Ａｇ，
Ｚｎ，Ｃｏの合金比率で異なった。
【００５０】Ｓｎ−Ｂｉ合金メッキ皮膜において、Ｂｉ
は、Ｓｎ−Ｂｉ合金メッキ皮膜１００ｗｔ％のうち、
０．５ｗｔ％〜２０ｗｔ％であることが好ましく、より
好ましくは１ｗｔ％〜２０ｗｔ％、さらに好ましくは５
ｗｔ％〜２０ｗｔ％に選ばれた。
は、Ｓｎ−Ｂｉ合金メッキ皮膜１００ｗｔ％のうち、
０．５ｗｔ％〜２０ｗｔ％であることが好ましく、より
好ましくは１ｗｔ％〜２０ｗｔ％、さらに好ましくは５
ｗｔ％〜２０ｗｔ％に選ばれた。
【００５１】Ｓｎ−Ｎｉ合金メッキ皮膜において、Ｎｉ
は、Ｓｎ−Ｎｉ合金メッキ皮膜１００ｗｔ％のうち、
０．５ｗｔ％〜２０ｗｔ％であることが好ましく、より
好ましくは０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％、さらに好ましく
は１ｗｔ％〜２ｗｔ％に選ばれた。
は、Ｓｎ−Ｎｉ合金メッキ皮膜１００ｗｔ％のうち、
０．５ｗｔ％〜２０ｗｔ％であることが好ましく、より
好ましくは０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％、さらに好ましく
は１ｗｔ％〜２ｗｔ％に選ばれた。
【００５２】Ｓｎ−Ａｇ合金メッキ皮膜において、Ａｇ
は、Ｓｎ−Ａｇ合金メッキ皮膜１００ｗｔ％のうち、
０．５ｗｔ％〜２０ｗｔ％であることが好ましく、より
好ましくは１ｗｔ％〜２０ｗｔ％、さらに好ましくは５
ｗｔ％〜１０ｗｔ％に選ばれた。
は、Ｓｎ−Ａｇ合金メッキ皮膜１００ｗｔ％のうち、
０．５ｗｔ％〜２０ｗｔ％であることが好ましく、より
好ましくは１ｗｔ％〜２０ｗｔ％、さらに好ましくは５
ｗｔ％〜１０ｗｔ％に選ばれた。
【００５３】Ｓｎ−Ｚｎ合金メッキ皮膜において、Ｚｎ
は、Ｓｎ−Ｚｎ合金メッキ皮膜１００ｗｔ％のうち、
０．５ｗｔ％〜２０ｗｔ％であることが好ましく、より
好ましくは１ｗｔ％〜２０ｗｔ％、さらに好ましくは５
ｗｔ％〜８ｗｔ％に選ばれた。Ｓｎ−Ｃｏ合金メッキ皮
膜において、Ｃｏは、Ｓｎ−Ｃｏ合金メッキ皮膜１００
ｗｔ％のうち、０．５ｗｔ％〜２０ｗｔ％であることが
好ましく、より好ましくは０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％、
さらに好ましくは１ｗｔ％〜２ｗｔ％に選ばれた。
は、Ｓｎ−Ｚｎ合金メッキ皮膜１００ｗｔ％のうち、
０．５ｗｔ％〜２０ｗｔ％であることが好ましく、より
好ましくは１ｗｔ％〜２０ｗｔ％、さらに好ましくは５
ｗｔ％〜８ｗｔ％に選ばれた。Ｓｎ−Ｃｏ合金メッキ皮
膜において、Ｃｏは、Ｓｎ−Ｃｏ合金メッキ皮膜１００
ｗｔ％のうち、０．５ｗｔ％〜２０ｗｔ％であることが
好ましく、より好ましくは０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％、
さらに好ましくは１ｗｔ％〜２ｗｔ％に選ばれた。
【００５４】なお、上記メッキ皮膜特性は、メッキ浴種
を変えても同様の特性が得られたことから、Ｓｎ，Ｂ
ｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏの合金比率によるところが
大きいと考えられる。したがって浴種は上記合金が得ら
れるような浴組成であれば特に限定されない。
を変えても同様の特性が得られたことから、Ｓｎ，Ｂ
ｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏの合金比率によるところが
大きいと考えられる。したがって浴種は上記合金が得ら
れるような浴組成であれば特に限定されない。
【００５５】
【発明の効果】上述のように、この発明によれば、Ｓｎ
に、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少なくとも１
種を含有することにより、従来のＳｎメッキもしくはＳ
ｎ−Ｐｂ合金メッキの半田濡れ性を維持しつつ、Ｐｂフ
リーであり、Ｎｉ中間メッキなしでホイスカの発生やＡ
ｇ下地メッキの銀喰われを防止できる、Ｓｎ合金メッキ
を得ることができる。さらに、そのＳｎ合金メッキを外
部電極の最外層とする電子部品およびチップ型セラミッ
ク電子部品を得ることができる。
に、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少なくとも１
種を含有することにより、従来のＳｎメッキもしくはＳ
ｎ−Ｐｂ合金メッキの半田濡れ性を維持しつつ、Ｐｂフ
リーであり、Ｎｉ中間メッキなしでホイスカの発生やＡ
ｇ下地メッキの銀喰われを防止できる、Ｓｎ合金メッキ
を得ることができる。さらに、そのＳｎ合金メッキを外
部電極の最外層とする電子部品およびチップ型セラミッ
ク電子部品を得ることができる。
【００５６】また、中間層のＮｉ電極が不要となり、下
地層のＡｇまたはＣｕ焼付電極の上に、Ｓｎ合金電極を
電解メッキにより形成すればよく、Ｓｎ合金メッキ浴１
つから外部電極を作製できる。したがって、Ｓｎ合金メ
ッキ浴へのＮｉメッキ液の混入がなくなり、中間洗浄工
程の省略、メッキ浴寿命の延命化を図ることができ、メ
ッキ工程の短時間化を実現できる。
地層のＡｇまたはＣｕ焼付電極の上に、Ｓｎ合金電極を
電解メッキにより形成すればよく、Ｓｎ合金メッキ浴１
つから外部電極を作製できる。したがって、Ｓｎ合金メ
ッキ浴へのＮｉメッキ液の混入がなくなり、中間洗浄工
程の省略、メッキ浴寿命の延命化を図ることができ、メ
ッキ工程の短時間化を実現できる。
【図１】積層セラミックコンデンサの部分切欠斜視図で
ある。
ある。
１ 誘電体セラミック層 ２ 内部電極層 ３ セラミック積層体 ４ 外部電極 ４ａ Ａｇ電極 ４ｂ Ｎｉ電極 ４ｃ Ｓｎ電極またはＳｎ−Ｐｂ電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤井 裕紀子 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (12)
- 【請求項１】 Ｓｎと、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏ
のうち少なくとも１種を含有していることを特徴とする
Ｓｎ合金メッキ皮膜。 - 【請求項２】 基体に形成された金属の表面に、Ｓｎ合
金メッキ皮膜が形成されており、前記Ｓｎ合金メッキ皮
膜は、Ｓｎと、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少
なくとも１種を含有していることを特徴とする電子部
品。 - 【請求項３】 前記金属は、ＡｇまたはＣｕからなるこ
とを特徴とする請求項２記載の電子部品。 - 【請求項４】 前記Ｓｎ合金メッキ皮膜は、Ｓｎ合金メ
ッキ皮膜中に、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少
なくとも１種が０．５ｗｔ％〜２０ｗｔ％含有されてい
ることを特徴とする請求項２記載の電子部品。 - 【請求項５】 セラミック基体に形成された金属の表面
に、Ｓｎ合金メッキ皮膜が形成されており、前記Ｓｎ合
金メッキ皮膜は、Ｓｎと、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃ
ｏのうち少なくとも１種を含有していることを特徴とす
るセラミック電子部品。 - 【請求項６】 前記セラミック基体は、誘電体セラミッ
ク、圧電体セラミック、半導体セラミック、磁性体セラ
ミック、絶縁体セラミックのいずれかからなる請求項５
記載のセラミック電子部品。 - 【請求項７】 前記金属は、ＡｇまたはＣｕからなるこ
とを特徴とする請求項５記載のセラミック電子部品。 - 【請求項８】 前記Ｓｎ合金メッキ皮膜は、Ｓｎ合金メ
ッキ皮膜中に、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少
なくとも１種が０．５ｗｔ％〜２０ｗｔ％含有されてい
ることを特徴とする請求項５記載のセラミック電子部
品。 - 【請求項９】 内部電極を有するチップ型セラミック素
体と、内部電極と電気的接続し、チップ型セラミック素
体に形成された焼付電極と、この焼付電極の上に形成さ
れたＳｎ合金メッキ皮膜とからなり、 前記Ｓｎ合金メッキ皮膜は、Ｓｎと、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａ
ｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち少なくとも１種を含有しているこ
とを特徴とするチップ型セラミック電子部品。 - 【請求項１０】 前記チップ型セラミック素体は、誘電
体セラミック、圧電体セラミック、半導体セラミック、
磁性体セラミック、絶縁体セラミックのいずれかからな
る請求項９記載の電子部品。 - 【請求項１１】 前記焼付電極は、Ａｇ系またはＣｕ系
のものであることを特徴とする請求項９記載のチップ型
セラミック電子部品。 - 【請求項１２】 前記Ｓｎ合金メッキ皮膜は、Ｓｎ合金
メッキ皮膜中に、Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｏのうち
少なくとも１種が０．５ｗｔ％〜２０ｗｔ％含有されて
いることを特徴とする請求項９記載のチップ型セラミッ
ク電子部品。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9355295A JPH11189894A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | Ｓｎ合金メッキ皮膜、電子部品およびチップ型セラミック電子部品 |
| US09/206,599 US6195248B1 (en) | 1997-12-24 | 1998-12-07 | Electronic component having a tin alloy plating film |
| KR1019980058185A KR100307680B1 (ko) | 1997-12-24 | 1998-12-24 | Sn합금도금피막을갖는전자부품 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9355295A JPH11189894A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | Ｓｎ合金メッキ皮膜、電子部品およびチップ型セラミック電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11189894A true JPH11189894A (ja) | 1999-07-13 |
Family
ID=18443092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9355295A Pending JPH11189894A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | Ｓｎ合金メッキ皮膜、電子部品およびチップ型セラミック電子部品 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6195248B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11189894A (ja) |
| KR (1) | KR100307680B1 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001143960A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品およびセラミック電子部品の実装構造 |
| US6773827B2 (en) | 2000-05-24 | 2004-08-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component, method for producing electronic component, and circuit board |
| JP2005002368A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Ishihara Chem Co Ltd | ホイスカー防止用スズメッキ浴 |
| JP2006045665A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-02-16 | Fujikura Ltd | フレキシブルプリント配線基板端子部或いはフレキシブルフラットケーブル端子部 |
| JP2006185634A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Toshiba Corp | 接触子部材、接触子および電気機器 |
| JP2009263785A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 接続部品用金属材料およびその製造方法 |
| JP2009263786A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 接続部品用金属材料およびその製造方法 |
| US7999187B2 (en) | 2008-03-24 | 2011-08-16 | Fujikura Ltd. | Plated flat conductor and flexible flat cable therewith |
| US8138606B2 (en) | 2006-04-06 | 2012-03-20 | Hitachi Cable, Ltd. | Wiring conductor, method for fabricating same, terminal connecting assembly, and Pb-free solder alloy |
| JP2020102548A (ja) * | 2018-12-21 | 2020-07-02 | 株式会社村田製作所 | 電子部品およびその製造方法 |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020009610A1 (en) * | 1997-12-16 | 2002-01-24 | Hanae Shimokawa | Technical field |
| US6244121B1 (en) * | 1998-03-06 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system |
| CN100381026C (zh) | 1999-09-02 | 2008-04-09 | 伊比登株式会社 | 印刷布线板及其制造方法 |
| KR101384035B1 (ko) * | 1999-09-02 | 2014-04-09 | 이비덴 가부시키가이샤 | 프린트배선판 및 그 제조방법 |
| US6503338B1 (en) * | 2000-04-28 | 2003-01-07 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lead-free solder alloys |
| US6740221B2 (en) | 2001-03-15 | 2004-05-25 | Applied Materials Inc. | Method of forming copper interconnects |
| JP3804539B2 (ja) * | 2001-04-10 | 2006-08-02 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品 |
| EP1260614B1 (en) * | 2001-05-24 | 2008-04-23 | Shipley Co. L.L.C. | Tin plating |
| JP3597810B2 (ja) * | 2001-10-10 | 2004-12-08 | 富士通株式会社 | はんだペーストおよび接続構造 |
| WO2003063067A1 (en) * | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Chatterbox Systems, Inc. | Method and system for locating positions in printed texts and delivering multimedia information |
| JP3885938B2 (ja) * | 2002-03-07 | 2007-02-28 | Ｔｄｋ株式会社 | セラミック電子部品、ペースト塗布方法及びペースト塗布装置 |
| US20030188974A1 (en) * | 2002-04-03 | 2003-10-09 | Applied Materials, Inc. | Homogeneous copper-tin alloy plating for enhancement of electro-migration resistance in interconnects |
| US6860981B2 (en) * | 2002-04-30 | 2005-03-01 | Technic, Inc. | Minimizing whisker growth in tin electrodeposits |
| US20040118699A1 (en) * | 2002-10-02 | 2004-06-24 | Applied Materials, Inc. | Homogeneous copper-palladium alloy plating for enhancement of electro-migration resistance in interconnects |
| JP4447215B2 (ja) * | 2002-12-16 | 2010-04-07 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 電子部品 |
| JP4967388B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2012-07-04 | パナソニック株式会社 | セラミック積層デバイスの製造方法およびセラミック積層デバイス |
| KR100920026B1 (ko) * | 2007-10-16 | 2009-10-05 | 주식회사 쎄라텍 | 자성체 및 유전체 복합 전자 부품 |
| KR20110044793A (ko) * | 2008-08-21 | 2011-04-29 | 에이저 시스템즈 인크 | Ｓｎ-필름 내의 휘스커의 완화 |
| JP2012142478A (ja) * | 2011-01-05 | 2012-07-26 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| DE102011013172A1 (de) * | 2011-02-28 | 2012-08-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Paste zum Verbinden von Bauteilen elektronischer Leistungsmodule, System und Verfahren zum Auftragen der Paste |
| US10770227B2 (en) * | 2017-11-22 | 2020-09-08 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor and board having the same |
| JP7160024B2 (ja) * | 2019-12-20 | 2022-10-25 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| KR102228404B1 (ko) * | 2020-11-24 | 2021-03-15 | 박종규 | 납 용출 방지를 위한 도금액 조성물 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6147618A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-08 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミツクコンデンサ |
| US5347423A (en) * | 1992-08-24 | 1994-09-13 | Murata Erie North America, Inc. | Trimmable composite multilayer capacitor and method |
| JP2967660B2 (ja) * | 1992-11-19 | 1999-10-25 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| JP3180690B2 (ja) * | 1996-07-19 | 2001-06-25 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP3039417B2 (ja) * | 1997-02-07 | 2000-05-08 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP3039426B2 (ja) * | 1997-03-04 | 2000-05-08 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
-
1997
- 1997-12-24 JP JP9355295A patent/JPH11189894A/ja active Pending
-
1998
- 1998-12-07 US US09/206,599 patent/US6195248B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-24 KR KR1019980058185A patent/KR100307680B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001143960A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品およびセラミック電子部品の実装構造 |
| US6773827B2 (en) | 2000-05-24 | 2004-08-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component, method for producing electronic component, and circuit board |
| KR100449121B1 (ko) * | 2000-05-24 | 2004-09-18 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자 부품, 전자 부품의 제조 방법 및 회로 기판 |
| JP2005002368A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Ishihara Chem Co Ltd | ホイスカー防止用スズメッキ浴 |
| JP2006045665A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-02-16 | Fujikura Ltd | フレキシブルプリント配線基板端子部或いはフレキシブルフラットケーブル端子部 |
| US8017876B2 (en) | 2004-07-08 | 2011-09-13 | Fujikura Ltd. | Terminal portion of flexible print circuit board or flexible flat cable |
| JP2006185634A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Toshiba Corp | 接触子部材、接触子および電気機器 |
| US8138606B2 (en) | 2006-04-06 | 2012-03-20 | Hitachi Cable, Ltd. | Wiring conductor, method for fabricating same, terminal connecting assembly, and Pb-free solder alloy |
| US7999187B2 (en) | 2008-03-24 | 2011-08-16 | Fujikura Ltd. | Plated flat conductor and flexible flat cable therewith |
| JP2009263785A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 接続部品用金属材料およびその製造方法 |
| JP2009263786A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 接続部品用金属材料およびその製造方法 |
| JP2020102548A (ja) * | 2018-12-21 | 2020-07-02 | 株式会社村田製作所 | 電子部品およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100307680B1 (ko) | 2001-11-02 |
| KR19990063421A (ko) | 1999-07-26 |
| US6195248B1 (en) | 2001-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11189894A (ja) | Ｓｎ合金メッキ皮膜、電子部品およびチップ型セラミック電子部品 | |
| JP3031268B2 (ja) | 磁器コンデンサ | |
| JP2007281400A (ja) | 表面実装型セラミック電子部品 | |
| JP2000164406A (ja) | チップ型電子部品とその製造方法 | |
| JP3775172B2 (ja) | はんだ組成物およびはんだ付け物品 | |
| JP2009141292A (ja) | 外部端子電極具備電子部品、その搭載電子用品及び外部端子電極具備電子部品の製造方法 | |
| CN110620012A (zh) | 多层陶瓷电子组件以及用于多层陶瓷电子组件的安装的板 | |
| JP2007141881A (ja) | サーミスタの電極構造 | |
| EP1134757B1 (en) | Ceramic electronic component having lead terminal | |
| JP4269795B2 (ja) | 導電性ペースト及びインダクタ | |
| JP4363372B2 (ja) | はんだ組成物およびはんだ付け物品 | |
| JP2973558B2 (ja) | チップ型電子部品用導電性ペースト | |
| JPH0616461B2 (ja) | チップ型積層磁器コンデンサ | |
| JP2000077253A (ja) | 電子部品、チップ型セラミック電子部品、およびそれらの製造方法 | |
| US6614641B2 (en) | Ceramic electronic component | |
| JPH0722268A (ja) | チップ型電子部品 | |
| JPH08138969A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPH11345737A (ja) | 電子部品および電子部品の製造方法 | |
| JPH0656825B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JP3291831B2 (ja) | チップ型電子部品用導電性ペースト | |
| JPH08203769A (ja) | セラミック電子部品 | |
| JPH10163067A (ja) | チップ型電子部品の外部電極 | |
| JP4710204B2 (ja) | 電子部品の端面電極形成方法 | |
| WO2020218218A1 (ja) | 電子部品および実装構造体 | |
| JPS635842B2 (ja) |