JP4710204B2 - 電子部品の端面電極形成方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品の端面電極形成方法に関する。特にセラミック、あるいはセラミックと樹脂との複合セラミック材料を用いた電子部品の端面電極形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、電子部品の端面電極形成（ここで、「端面電極」とは、具体的にはチップ型電子部品の両端面および端面近傍の側面に形成する外部電極を指す）は、以下の方法で行われていた。すなわち、セラミック材料を成形、焼成後、電子部品の端面に厚膜導電ペースト（金属ペースト）を印刷あるいは浸漬塗布し、焼成炉にて数百℃から千数百℃の温度にて焼き付け、厚膜電極を形成する。そして、電解めっき法にて厚膜電極上をさらにニッケルやスズあるいはスズ−鉛、スズ−銀、スズ−ビスマスなどのスズ合金でめっきして電子部品の端面電極を形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の端面電極形成方法では、以下のような問題を有していた。
【０００４】
すなわち、厚膜電極の形成には、導電ペーストを高温で焼成するプロセスを必要とする。そのため、セラミックと樹脂との複合セラミック材料のような比較的融点の低い材料を用いた電子部品には、適用することができないという問題があった。
【０００５】
また、近年、パラジウムや銀などの貴金属に代わり、より安価なニッケルや銅などの卑金属の導電ペーストが用いられている。このニッケルや銅ペーストは、窒素などの還元雰囲気中で焼成する必要がある。そのため、このニッケルや銅ペーストの場合、還元雰囲気での焼成によりセラミックの特性が低下しやすいなど、その焼成条件の最適化が困難であるという問題があった。
【０００６】
さらに、導電ペーストは、通常ガラスフリットを含有している。このガラスフリットは、焼成後に厚膜電極中で偏在する可能性がある。特に、ガラスフリットが厚膜電極表面に偏在する場合には、後の電解めっきを行う際においてめっき付き性が悪くなるという問題があった。また、ガラスフリットがセラミック界面付近に偏在する場合には、電子部品において、所望の電気的特性や物理特性が得られない等の不具合が生じるという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、電子部品に導電ペーストによる厚膜電極を形成することなく、電子部品の特性を劣化させることのない電子部品の端面電極形成方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために本発明者らは、鋭意研究の結果、以下の方法を見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
すなわち、本発明の電子部品の端面電極形成方法は、セラミック材料やセラミックと樹脂との複合セラミック材料を用いた電子部品の端面に電極を形成するにあたって、パラジウム、スズ、銀、銅からなる群から選択される少なくとも１種を含有する導電化材料を含む導電化溶液に電子部品の端面を接触させて、該導電化材料を電子部品の端面のみに付着させる。そして、電子部品の端面に付着した導電化材料を導電層として電解めっきを行うことで、電子部品にめっきを施した端面電極を形成することができる。
【００１０】
これにより、上記の方法では、従来のような厚膜電極を形成することなく端面電極を形成することができる。さらに、厚膜電極を形成する際に必要な高温での焼成を行うことなく、電子部品に端面電極を形成することができる。そのため、電子部品は高温にさらされることなく、電子部品が劣化されることを回避できる。
【００１１】
本発明の電子部品の端面電極形成方法に使用しうる電子部品は、絶縁体、半導体、誘電体、圧電体、焦電体、磁性体等のセラミック材料や、これらのセラミックと樹脂との複合材料からなる。これらの電子部品に形状や寸法は、特に問題とすることなく、貫通孔や凹凸を有するものや、すでに内部電極が形成された積層型の電子部品に対しても、好適に適用することができる。
【００１２】
本発明の電子部品の端面電極形成方法における、導電化溶液の表面張力は、３０×１０-3Ｎ／ｍ〜７０×１０-3Ｎ／ｍであればよい。これにより、電子部品において、導電化溶液の濡れ上がりによる端面外へのめっきの形成がなく、かつ、良好なめっき付き性を得ることができる。
【００１３】
また、上記導電化溶液の粘度は、３ｍＰａ・ｓ〜３０Ｐａ・ｓであることが好ましい。これにより、電子部品において、導電化溶液の濡れ上がりによる端面外へのめっきの形成がなく、かつ、良好なめっき付き性をより一層得ることができる。
【００１４】
また、電解めっきする金属は、スズ、スズ合金、ニッケル、銅、銀、金、パラジウムからなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００１５】
また、前記スズ合金は、スズ−鉛、スズ−銀、スズ−銅、スズ−亜鉛、スズ−ビスマス、スズ−インジウムからなる群から選択されることが好ましい。
【００１６】
また、本発明の電子部品は、上記の電子部品の端面電極形成方法により、端面電極が形成されたことを特徴としている。これにより、厚膜電極を形成することなく端面電極を形成することができるため、電子部品は高温にさらされることはない。したがって、高温による劣化のない端面電極を有する電子部品を提供することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の電子部品の端面電極形成方法（本方法）は、以下の通りである。例えば略直方体のセラミック材料からなる電子部品を、まず脱脂やエッチング等の手法によって、電子部品の表面を清浄にする。次いで電子部品の端面のみを、パラジウム、スズ、銀、銅からなる群から選択される少なくとも１種を含有する導電化材料を含む導電化溶液に浸漬する。この浸漬により、電子部品の端面（表面）に導電化材料を付着させ、導電層を形成する。「セラミック材料」とは、セラミック材料およびセラミックと樹脂との複合セラミック材料を含むものとする。また、導電化材料とは、電子部品に付着して導電性を与えることができる材料であり、例えば、上記のような遷移金属のイオン、それらを含むコロイド等が挙げられる。
【００１８】
ここで、上記導電化溶液の表面張力の最小値は、３０×１０-3Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、４０×１０-3Ｎ／ｍ以上であることがより一層好ましい。また、導電化溶液における表面張力の最大値は、７０×１０-3Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、６０×１０-3Ｎ／ｍ以下であることがより一層好ましい。また、導電化溶液における粘度の最小値は、０．００３Ｐａ・ｓ（３ｍＰａ・ｓ）以上であることが好ましく、０．１Ｐａ・ｓ以上であることがより一層好ましく、１Ｐａ・ｓ以上であることがさらにより一層好ましい。また、導電化溶液における粘度の最大値は、３０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。導電化溶液の表面張力および粘度は、添加剤を用いて調節すればよい。この添加剤は、導電化溶液における導電化材料の物性に影響を与えないものであればいかなるものであってもよい。
【００１９】
なお、電子部品の端面への導電化材料の付着量は、電解めっきによりめっきが可能となる量であればよい。また、導電化溶液の表面張力および粘度は、電子部品の大きさによって決定される。これは、特に小型の電子部品においては、表面張力が小さく、かつ、粘度の低い導電化溶液を用いると、端面を浸漬させただけであっても濡れ上がり現象により所定以外の部分にも導電化材料が付与されてしまうためである。これにより、後の電解めっきにおいて、電子部品の所望でない部分までめっきされてしまう。
【００２０】
また、電子部品の材料の種類によっては、これらの導電化材料が電子部品に付着しにくい場合がある。その場合には、電子部品を、導電化溶液に浸漬させる前に界面活性剤に浸漬させてもよい。この界面活性剤により、電子部品の表面への導電化材料の付着力を高めことができる。ここで用いる界面活性剤は、電子部品の端面に付与する導電化材料の種類に適合するように、アニオン型、カチオン型、ノニオン型、両性のいずれかの界面活性剤から選択する。
【００２１】
なお、表面に導電化材料が付着した電子部品は、電解めっきを行うのに必要な導電化材料の付与量（０．２μｇ／ｃｍ2 〜５０μｇ／ｃｍ2 ）を表面上に残すようにして、水や溶剤等により洗浄することができる。
【００２２】
次に、電子部品の端面の導電化材料からなる導電層上を、電解めっきによって、めっきする。これにより、電子部品には、端面電極が形成される。
【００２３】
前記電解めっきで用いることが可能な金属種は、特に限定されるものではなく、スズ、スズ合金、ニッケル、銅、銀、金、パラジウム等からなる群から選択される少なくとも１種の金属を使用することができる。また、スズ合金としては、スズ−鉛、スズ−銀、スズ−銅、スズ−亜鉛、スズ−ビスマス、スズ−インジウム等が好ましい。
【００２４】
また、めっき浴の性質も、酸性浴、中性浴、アルカリ性浴のいずれの浴においても本方法を適用できる。さらに、電解めっき法も、バレルめっき法、ラックめっき法等種々の電解めっき法を用いることができる。
【００２５】
以下、本方法について実施例に基づいて詳細に説明する。
【００２６】
【実施例】
〔実施例１〕
チタン酸バリウムを主原料としたチップ積層コンデンサー（サイズ：１．６ｍｍ×０．８ｍｍ×０．８ｍｍ）の端面電極を以下の手法により形成した。まずチップ積層コンデンサーを、弱アルカリクリーナーで洗浄した後、水洗した。
【００２７】
次いで、チップ積層コンデンサーの端面のみを、導電化溶液に浸漬し、洗浄した。この導電化溶液は、銅とパラジウムとを含有する導電化材料を含み、液温３０℃、表面張力４５×１０-3Ｎ／ｍ、粘度１５Ｐａ・ｓのものを使用した。また、導電化溶液への浸漬時間は、１０秒とした。
【００２８】
次いで、導電化溶液に浸漬したチップ積層コンデンサーの端面に、電解ニッケルめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。この電解ニッケルめっき浴の条件は、ｐＨ４．３、液温４０℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、３０分とした。この電解めっきにより、チップ積層コンデンサーの端面には、膜厚約２μｍのニッケルめっきが形成された。
【００２９】
引き続き、ニッケルめっきを形成したチップ積層コンデンサーの端面に、電解スズめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。この電解スズめっき浴の条件は、ｐＨ５．０、液温２５℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、５０分とした。この電解めっきにより、チップ積層コンデンサーの端面のニッケルめっき上には、膜厚約３μｍのスズめっきが形成された。
【００３０】
以上のように、チップ積層コンデンサーに端面電極を形成した。
【００３１】
この端面電極を形成したチップ積層コンデンサーの電気的特性（静電容量、絶縁抵抗、誘電損失）および機械的特性（たわみ強度、はんだ耐熱性）特性を評価した。その結果、上記チップ積層コンデンサーの各特性は、実用上にはまったく問題のないものであることが判明した。
【００３２】
〔比較例１〕
実施例１で用いたチタン酸バリウムを主原料としたチップ積層コンデンサー（サイズ：１．６ｍｍ×０．８ｍｍ×０．８ｍｍ）の端面電極を、従来どおりの厚膜電極を用いて形成した。
【００３３】
まず、チップ積層コンデンサーを弱アルカリクリーナーにて洗浄し、乾燥させた。そして、チップ積層コンデンサーの端面のみに、ホウ素−シリカ−バリウム系ガラスを含有する銅の導電ペースト（銅ペースト）を浸漬塗布した。この銅ペーストを塗布したチップ積層コンデンサーを窒素雰囲気中、８３０℃で１時間焼成した。これによりチップ積層コンデンサーの端面に銅厚膜電極を形成した。
【００３４】
この銅厚膜電極上に、電解ニッケルめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。電解ニッケルめっき浴の条件は、ｐＨ４．３、液温４０℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、３０分とした。この電解めっきにより、銅厚膜電極上には、膜厚約２μｍのニッケルめっきが形成された。
【００３５】
さらに、銅厚膜電極に、電解スズめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。電解スズめっき浴の条件は、ｐＨ５．０、液温２５℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、５０分とした。この電解めっきにより、ニッケルめっき上には、膜厚約３μｍのスズめっきが形成された。
【００３６】
以上のように、チップ積層コンデンサーの端面電極を形成した。
【００３７】
この端面電極を形成したチップ積層コンデンサーに対し、電気的特性と機械的特性との評価を行った。その結果、上記チップ積層コンデンサーは、実用上には問題がないものの、静電容量およびたわみ強度については、実施例１のチップ積層コンデンサーに比べて劣るものであった。
【００３８】
〔実施例２〕
酸化マンガンおよび酸化コバルトを主原料としたチップ正特性サーミスタ（サイズ：１．６ｍｍ×０．８ｍｍ×０．８ｍｍ）の端面電極を以下の手法により形成した。
【００３９】
まず、チップ正特性サーミスタをアルカリ系クリーナーにて洗浄した後、水洗した。
【００４０】
次いで、上記チップ正特性サーミスタの端面のみを、導電化溶液に浸漬し、洗浄した。この導電化溶液は、ニッケルを含有する導電化材料を含み、液温２５℃、表面張力５０×１０-3Ｎ／ｍ、粘度１０Ｐａ・ｓのものを使用した。また、導電化溶液への浸漬時間は、１０秒とした。
【００４１】
次いで、実施例１と同様に方法にて、チップ正特性サーミスタの端面に下地としてニッケルめっきを施し、そのニッケルめっき上に最外スズめっきを施した。
【００４２】
以上のように、チップ正特性サーミスタに端面電極を形成した。
【００４３】
この端面電極を形成したチップ正特性サーミスタの温度特性および抵抗特性を評価したところ、実用上にはまったく問題のないものであることが判明した。
【００４４】
〔実施例３〕
フェライトとＰＰＳ（ポリフェレンサルファイド）樹脂との複合セラミック材料を主原料としたチップ銅巻きコイル（４ｍｍ×４ｍｍ×６ｍｍ）の端面電極を以下の手法により形成した。
【００４５】
まず、チップ銅巻きコイルを中性クリーナーにて洗浄した後、水洗した。
【００４６】
次いで、チップ銅巻きコイルの端面のみを、導電化溶液に浸漬し、洗浄した。この導電化溶液は、スズとパラジウムとを含有する導電化材料を含み、液温５０℃、表面張力３８×１０-3Ｎ／ｍ、粘度９Ｐａ・ｓのものを使用した。また、導電化溶液への浸漬時間は、２０秒とした。
【００４７】
次いで、導電化溶液に浸漬したチップ銅巻きコイルの端面に、電解銅めっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。電解銅めっき浴の条件は、ｐＨ１以下、液温２５℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、２０分とした。この電解めっきにより、チップ銅巻きコイルの端面には、膜厚約５μｍの銅めっきが形成された。
【００４８】
引き続き、この銅めっきを形成したチップ銅巻きコイルの端面に、電解ニッケルめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。この電解ニッケルめっき浴の条件は、ｐＨ４．３、液温４０℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、３０分とした。この電解めっきにより、チップ銅巻きコイルの端面の銅めっき上には、膜厚約４μｍのニッケルめっきが形成された。
【００４９】
さらに引き続き、ニッケルめっきを形成したチップ銅巻きコイル端面に、電解スズめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。この電解スズめっき浴の条件は、ｐＨ５．０、液温２５℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、５０分とした。この電解めっきにより、チップ銅巻きコイルの端面のニッケルめっき上には、膜厚約３μｍのスズめっきが形成された。
【００５０】
以上のように、チップ銅巻きコイルに端面電極を形成した。
【００５１】
この端面電極を形成したチップ正特性サーミスタのインダクタンス特性を評価したところ、実用上にはまったく問題のないものであることが判明した。
【００５２】
〔比較例２〕
実施例３において用いた、フェライトとＰＰＳ（ポリフェレンサルファイド）樹脂との複合セラミック材料を主原料としたチップ銅巻きコイル（サイズ：４ｍｍ×４ｍｍ×６ｍｍ）の端面電極を、導電ペーストを用いた厚膜電極による作成を試みた。
【００５３】
まず、チップ銅巻きコイルを中性クリーナーにて洗浄した後、水洗した。
【００５４】
次いで、チップ銅巻きコイルの端面のみに、銅ペーストを浸漬塗布した。この銅ペーストは、液温２５℃、表面張力３２×１０-3Ｎ／ｍ、粘度１０Ｐａ・ｓのものを使用した。また、浸漬時間は、５秒とした。そして、この複合セラミック材料の融点を１０℃下回る約２６０℃にて３時間焼成した。しかしながら、この焼成時間では、銅ペースト中の銅粉を焼成することができなかった。そのため、チップ銅巻きコイルの端面に、所望の電極を形成することはできなかった。
【００５５】
〔実施例４〜８、比較例３、４〕
酸化亜鉛を主原料とするチップバリスタ（サイズ：２．０ｍｍｔ×１．２ｍｍｔ×１．２ｍｍｔ）の端面電極を以下の手法により形成した。
【００５６】
まず、チップバリスタを中性クリーナーにて洗浄した後、水洗した。
【００５７】
次いで、チップバリスタの端面のみを、導電化溶液に浸漬し、洗浄した。この導電化溶液は、銀−パラジウムを含有する導電化材料を含み、液温２５℃、粘度１０Ｐａ・ｓのものを使用した。また、導電化溶液の表面張力は、２５×１０-3Ｎ／ｍ〜７５×１０-3Ｎ／ｍの間で各実施例および比較例ごとに変えて使用した。また、導電化溶液への浸漬時間は、１０秒とした。
【００５８】
次いで、導電化溶液に浸漬したチップバリスタの端面に、電解ニッケルめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。電解ニッケルめっき浴の条件は、ｐＨ４．３、液温４０℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、２０分とした。この電解めっきにより、チップバリスタの端面には、ニッケルめっきが形成された。
【００５９】
さらに、チップバリスタの端面のニッケルめっき上に、電解スズめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。電解スズめっき浴の条件は、ｐＨ５．５、液温２５℃、電流密度０．７Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、４０分とした。この電解めっきにより、ニッケルめっき上には、スズめっきが形成された。
【００６０】
以上の操作により、チップバリスタの端面電極を形成した。そして、これら端面電極が形成されたチップバリスタにおいて、導電化溶液の濡れ上がりによる端面外へのめっきの形成、およびめっき付き性について評価し、これらチップバリスタの実用についての判定を行った。
【００６１】
ここで、各実施例および比較例の条件および評価について、表１に示す。
【００６２】
【表１】
【００６３】
表１から明らかなように、導電化溶液の表面張力が３０×１０-3Ｎ／ｍ〜７０×１０-3Ｎ／ｍの場合に、導電化溶液の濡れ上がりによる端面外へのめっきの形成がなく、かつ、良好なめっき付き性を得られることが判明した。
【００６４】
また、表１より、導電化溶液の表面張力の最小値は、３０×１０-3Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、４０×１０-3Ｎ／ｍ以上であることがより一層好ましいこと、また、導電化溶液における表面張力の最大値は、７０×１０-3Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、６０×１０-3Ｎ／ｍ以下であることがより一層好ましいことが判る。
【００６５】
〔実施例９〜１３、比較例５、６〕
酸化亜鉛を主原料とするチップバリスタ（サイズ：２．０ｍｍｔ×１．２ｍｍｔ×１．２ｍｍｔ）の端面電極を以下の手法により形成した。
【００６６】
まず、チップバリスタを中性クリーナーにて洗浄した後、水洗した。
【００６７】
次いで、チップバリスタの端面のみを、導電化溶液に浸漬し、洗浄した。この導電化溶液は、銀−パラジウムを含有する導電化材料を含み、液温２５℃、表面張力４５×１０-3Ｎ／ｍのものを使用した。また、導電化溶液の粘度は、０．００１Ｐａ・ｓ（１ｍＰａ・ｓ）〜３５Ｐａ・ｓの間で各実施例および比較例毎に変えて用した。また、導電化溶液への浸漬時間は、１０秒とした。
【００６８】
次いで、導電化溶液に浸漬したチップバリスタの端面に、電解ニッケルめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。電解ニッケルめっき浴の条件は、ｐＨ４．３、液温４０℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、２０分とした。この電解めっきにより、チップバリスタの端面には、ニッケルめっきが形成された。
【００６９】
さらに、チップバリスタの端面に、電解スズめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。電解スズめっき浴の条件は、ｐＨ５．０、液温２５℃、電流密度０．７Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、４０分とした。この電解めっきにより、ニッケルめっき上には、スズめっきが形成された。
【００７０】
以上の操作により、チップバリスタの端面電極を形成した。そして、これら端面電極が形成されたチップバリスタにおける、導電化溶液の濡れ上がりによる端面外へのめっきの形成、めっき付き性について評価し、これらチップバリスタの実用についての判定を行った。
【００７１】
ここで、各実施例および比較例の条件および評価について、表２に示す。
【００７２】
【表２】
【００７３】
表２から明らかなように、導電化溶液の粘度が０．００３Ｐａ・ｓ（３ｍＰａ・ｓ）〜３０Ｐａ・ｓの場合に、導電化溶液の濡れ上がりによる端面外へのめっきの形成がなく、かつ、良好なめっき付き性を得られることが判明した。
【００７４】
また、表２より、導電化溶液の粘度の最小値は、０．００３Ｐａ・ｓ以上であることが好ましく、０．１Ｐａ・ｓ以上であることがより一層好ましく、１Ｐａ・ｓ以上であることがさらにより一層好ましい。また、導電化溶液における粘度の最大値は、３０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。
【００７５】
【発明の効果】
本発明のセラミック材料を用いた電子部品の端面電極形成方法は、パラジウム、スズ、銀、銅から選択される少なくとも１種を含有する導電化材料を含む導電化溶液に上記電子部品の端面を浸漬させて、上記導電化材料を電子部品の端面に付着させる工程と、電子部品の端面に付着した導電化材料を導電層として電解めっきを施す工程とを有し、上記導電化溶液の表面張力が、３０×１０-3Ｎ／ｍ〜７０×１０-3Ｎ／ｍである構成である。
【００７６】
本発明の端面電極形成方法を用いれば、従来の導電ペーストを用いた厚膜電極を使用することなく電子部品に端面電極を形成することが可能である。これにより、厚膜電極を形成する際に必要な高温での焼成を行うことなく、電子部品に端面電極を形成することができる。そのため、電子部品は高温にさらされることなく、電子部品が劣化されることを回避できるという効果を奏する。
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品の端面電極形成方法に関する。特にセラミック、あるいはセラミックと樹脂との複合セラミック材料を用いた電子部品の端面電極形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、電子部品の端面電極形成（ここで、「端面電極」とは、具体的にはチップ型電子部品の両端面および端面近傍の側面に形成する外部電極を指す）は、以下の方法で行われていた。すなわち、セラミック材料を成形、焼成後、電子部品の端面に厚膜導電ペースト（金属ペースト）を印刷あるいは浸漬塗布し、焼成炉にて数百℃から千数百℃の温度にて焼き付け、厚膜電極を形成する。そして、電解めっき法にて厚膜電極上をさらにニッケルやスズあるいはスズ−鉛、スズ−銀、スズ−ビスマスなどのスズ合金でめっきして電子部品の端面電極を形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の端面電極形成方法では、以下のような問題を有していた。
【０００４】
すなわち、厚膜電極の形成には、導電ペーストを高温で焼成するプロセスを必要とする。そのため、セラミックと樹脂との複合セラミック材料のような比較的融点の低い材料を用いた電子部品には、適用することができないという問題があった。
【０００５】
また、近年、パラジウムや銀などの貴金属に代わり、より安価なニッケルや銅などの卑金属の導電ペーストが用いられている。このニッケルや銅ペーストは、窒素などの還元雰囲気中で焼成する必要がある。そのため、このニッケルや銅ペーストの場合、還元雰囲気での焼成によりセラミックの特性が低下しやすいなど、その焼成条件の最適化が困難であるという問題があった。
【０００６】
さらに、導電ペーストは、通常ガラスフリットを含有している。このガラスフリットは、焼成後に厚膜電極中で偏在する可能性がある。特に、ガラスフリットが厚膜電極表面に偏在する場合には、後の電解めっきを行う際においてめっき付き性が悪くなるという問題があった。また、ガラスフリットがセラミック界面付近に偏在する場合には、電子部品において、所望の電気的特性や物理特性が得られない等の不具合が生じるという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、電子部品に導電ペーストによる厚膜電極を形成することなく、電子部品の特性を劣化させることのない電子部品の端面電極形成方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために本発明者らは、鋭意研究の結果、以下の方法を見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
すなわち、本発明の電子部品の端面電極形成方法は、セラミック材料やセラミックと樹脂との複合セラミック材料を用いた電子部品の端面に電極を形成するにあたって、パラジウム、スズ、銀、銅からなる群から選択される少なくとも１種を含有する導電化材料を含む導電化溶液に電子部品の端面を接触させて、該導電化材料を電子部品の端面のみに付着させる。そして、電子部品の端面に付着した導電化材料を導電層として電解めっきを行うことで、電子部品にめっきを施した端面電極を形成することができる。
【００１０】
これにより、上記の方法では、従来のような厚膜電極を形成することなく端面電極を形成することができる。さらに、厚膜電極を形成する際に必要な高温での焼成を行うことなく、電子部品に端面電極を形成することができる。そのため、電子部品は高温にさらされることなく、電子部品が劣化されることを回避できる。
【００１１】
本発明の電子部品の端面電極形成方法に使用しうる電子部品は、絶縁体、半導体、誘電体、圧電体、焦電体、磁性体等のセラミック材料や、これらのセラミックと樹脂との複合材料からなる。これらの電子部品に形状や寸法は、特に問題とすることなく、貫通孔や凹凸を有するものや、すでに内部電極が形成された積層型の電子部品に対しても、好適に適用することができる。
【００１２】
本発明の電子部品の端面電極形成方法における、導電化溶液の表面張力は、３０×１０-3Ｎ／ｍ〜７０×１０-3Ｎ／ｍであればよい。これにより、電子部品において、導電化溶液の濡れ上がりによる端面外へのめっきの形成がなく、かつ、良好なめっき付き性を得ることができる。
【００１３】
また、上記導電化溶液の粘度は、３ｍＰａ・ｓ〜３０Ｐａ・ｓであることが好ましい。これにより、電子部品において、導電化溶液の濡れ上がりによる端面外へのめっきの形成がなく、かつ、良好なめっき付き性をより一層得ることができる。
【００１４】
また、電解めっきする金属は、スズ、スズ合金、ニッケル、銅、銀、金、パラジウムからなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００１５】
また、前記スズ合金は、スズ−鉛、スズ−銀、スズ−銅、スズ−亜鉛、スズ−ビスマス、スズ−インジウムからなる群から選択されることが好ましい。
【００１６】
また、本発明の電子部品は、上記の電子部品の端面電極形成方法により、端面電極が形成されたことを特徴としている。これにより、厚膜電極を形成することなく端面電極を形成することができるため、電子部品は高温にさらされることはない。したがって、高温による劣化のない端面電極を有する電子部品を提供することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の電子部品の端面電極形成方法（本方法）は、以下の通りである。例えば略直方体のセラミック材料からなる電子部品を、まず脱脂やエッチング等の手法によって、電子部品の表面を清浄にする。次いで電子部品の端面のみを、パラジウム、スズ、銀、銅からなる群から選択される少なくとも１種を含有する導電化材料を含む導電化溶液に浸漬する。この浸漬により、電子部品の端面（表面）に導電化材料を付着させ、導電層を形成する。「セラミック材料」とは、セラミック材料およびセラミックと樹脂との複合セラミック材料を含むものとする。また、導電化材料とは、電子部品に付着して導電性を与えることができる材料であり、例えば、上記のような遷移金属のイオン、それらを含むコロイド等が挙げられる。
【００１８】
ここで、上記導電化溶液の表面張力の最小値は、３０×１０-3Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、４０×１０-3Ｎ／ｍ以上であることがより一層好ましい。また、導電化溶液における表面張力の最大値は、７０×１０-3Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、６０×１０-3Ｎ／ｍ以下であることがより一層好ましい。また、導電化溶液における粘度の最小値は、０．００３Ｐａ・ｓ（３ｍＰａ・ｓ）以上であることが好ましく、０．１Ｐａ・ｓ以上であることがより一層好ましく、１Ｐａ・ｓ以上であることがさらにより一層好ましい。また、導電化溶液における粘度の最大値は、３０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。導電化溶液の表面張力および粘度は、添加剤を用いて調節すればよい。この添加剤は、導電化溶液における導電化材料の物性に影響を与えないものであればいかなるものであってもよい。
【００１９】
なお、電子部品の端面への導電化材料の付着量は、電解めっきによりめっきが可能となる量であればよい。また、導電化溶液の表面張力および粘度は、電子部品の大きさによって決定される。これは、特に小型の電子部品においては、表面張力が小さく、かつ、粘度の低い導電化溶液を用いると、端面を浸漬させただけであっても濡れ上がり現象により所定以外の部分にも導電化材料が付与されてしまうためである。これにより、後の電解めっきにおいて、電子部品の所望でない部分までめっきされてしまう。
【００２０】
また、電子部品の材料の種類によっては、これらの導電化材料が電子部品に付着しにくい場合がある。その場合には、電子部品を、導電化溶液に浸漬させる前に界面活性剤に浸漬させてもよい。この界面活性剤により、電子部品の表面への導電化材料の付着力を高めことができる。ここで用いる界面活性剤は、電子部品の端面に付与する導電化材料の種類に適合するように、アニオン型、カチオン型、ノニオン型、両性のいずれかの界面活性剤から選択する。
【００２１】
なお、表面に導電化材料が付着した電子部品は、電解めっきを行うのに必要な導電化材料の付与量（０．２μｇ／ｃｍ2 〜５０μｇ／ｃｍ2 ）を表面上に残すようにして、水や溶剤等により洗浄することができる。
【００２２】
次に、電子部品の端面の導電化材料からなる導電層上を、電解めっきによって、めっきする。これにより、電子部品には、端面電極が形成される。
【００２３】
前記電解めっきで用いることが可能な金属種は、特に限定されるものではなく、スズ、スズ合金、ニッケル、銅、銀、金、パラジウム等からなる群から選択される少なくとも１種の金属を使用することができる。また、スズ合金としては、スズ−鉛、スズ−銀、スズ−銅、スズ−亜鉛、スズ−ビスマス、スズ−インジウム等が好ましい。
【００２４】
また、めっき浴の性質も、酸性浴、中性浴、アルカリ性浴のいずれの浴においても本方法を適用できる。さらに、電解めっき法も、バレルめっき法、ラックめっき法等種々の電解めっき法を用いることができる。
【００２５】
以下、本方法について実施例に基づいて詳細に説明する。
【００２６】
【実施例】
〔実施例１〕
チタン酸バリウムを主原料としたチップ積層コンデンサー（サイズ：１．６ｍｍ×０．８ｍｍ×０．８ｍｍ）の端面電極を以下の手法により形成した。まずチップ積層コンデンサーを、弱アルカリクリーナーで洗浄した後、水洗した。
【００２７】
次いで、チップ積層コンデンサーの端面のみを、導電化溶液に浸漬し、洗浄した。この導電化溶液は、銅とパラジウムとを含有する導電化材料を含み、液温３０℃、表面張力４５×１０-3Ｎ／ｍ、粘度１５Ｐａ・ｓのものを使用した。また、導電化溶液への浸漬時間は、１０秒とした。
【００２８】
次いで、導電化溶液に浸漬したチップ積層コンデンサーの端面に、電解ニッケルめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。この電解ニッケルめっき浴の条件は、ｐＨ４．３、液温４０℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、３０分とした。この電解めっきにより、チップ積層コンデンサーの端面には、膜厚約２μｍのニッケルめっきが形成された。
【００２９】
引き続き、ニッケルめっきを形成したチップ積層コンデンサーの端面に、電解スズめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。この電解スズめっき浴の条件は、ｐＨ５．０、液温２５℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、５０分とした。この電解めっきにより、チップ積層コンデンサーの端面のニッケルめっき上には、膜厚約３μｍのスズめっきが形成された。
【００３０】
以上のように、チップ積層コンデンサーに端面電極を形成した。
【００３１】
この端面電極を形成したチップ積層コンデンサーの電気的特性（静電容量、絶縁抵抗、誘電損失）および機械的特性（たわみ強度、はんだ耐熱性）特性を評価した。その結果、上記チップ積層コンデンサーの各特性は、実用上にはまったく問題のないものであることが判明した。
【００３２】
〔比較例１〕
実施例１で用いたチタン酸バリウムを主原料としたチップ積層コンデンサー（サイズ：１．６ｍｍ×０．８ｍｍ×０．８ｍｍ）の端面電極を、従来どおりの厚膜電極を用いて形成した。
【００３３】
まず、チップ積層コンデンサーを弱アルカリクリーナーにて洗浄し、乾燥させた。そして、チップ積層コンデンサーの端面のみに、ホウ素−シリカ−バリウム系ガラスを含有する銅の導電ペースト（銅ペースト）を浸漬塗布した。この銅ペーストを塗布したチップ積層コンデンサーを窒素雰囲気中、８３０℃で１時間焼成した。これによりチップ積層コンデンサーの端面に銅厚膜電極を形成した。
【００３４】
この銅厚膜電極上に、電解ニッケルめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。電解ニッケルめっき浴の条件は、ｐＨ４．３、液温４０℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、３０分とした。この電解めっきにより、銅厚膜電極上には、膜厚約２μｍのニッケルめっきが形成された。
【００３５】
さらに、銅厚膜電極に、電解スズめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。電解スズめっき浴の条件は、ｐＨ５．０、液温２５℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、５０分とした。この電解めっきにより、ニッケルめっき上には、膜厚約３μｍのスズめっきが形成された。
【００３６】
以上のように、チップ積層コンデンサーの端面電極を形成した。
【００３７】
この端面電極を形成したチップ積層コンデンサーに対し、電気的特性と機械的特性との評価を行った。その結果、上記チップ積層コンデンサーは、実用上には問題がないものの、静電容量およびたわみ強度については、実施例１のチップ積層コンデンサーに比べて劣るものであった。
【００３８】
〔実施例２〕
酸化マンガンおよび酸化コバルトを主原料としたチップ正特性サーミスタ（サイズ：１．６ｍｍ×０．８ｍｍ×０．８ｍｍ）の端面電極を以下の手法により形成した。
【００３９】
まず、チップ正特性サーミスタをアルカリ系クリーナーにて洗浄した後、水洗した。
【００４０】
次いで、上記チップ正特性サーミスタの端面のみを、導電化溶液に浸漬し、洗浄した。この導電化溶液は、ニッケルを含有する導電化材料を含み、液温２５℃、表面張力５０×１０-3Ｎ／ｍ、粘度１０Ｐａ・ｓのものを使用した。また、導電化溶液への浸漬時間は、１０秒とした。
【００４１】
次いで、実施例１と同様に方法にて、チップ正特性サーミスタの端面に下地としてニッケルめっきを施し、そのニッケルめっき上に最外スズめっきを施した。
【００４２】
以上のように、チップ正特性サーミスタに端面電極を形成した。
【００４３】
この端面電極を形成したチップ正特性サーミスタの温度特性および抵抗特性を評価したところ、実用上にはまったく問題のないものであることが判明した。
【００４４】
〔実施例３〕
フェライトとＰＰＳ（ポリフェレンサルファイド）樹脂との複合セラミック材料を主原料としたチップ銅巻きコイル（４ｍｍ×４ｍｍ×６ｍｍ）の端面電極を以下の手法により形成した。
【００４５】
まず、チップ銅巻きコイルを中性クリーナーにて洗浄した後、水洗した。
【００４６】
次いで、チップ銅巻きコイルの端面のみを、導電化溶液に浸漬し、洗浄した。この導電化溶液は、スズとパラジウムとを含有する導電化材料を含み、液温５０℃、表面張力３８×１０-3Ｎ／ｍ、粘度９Ｐａ・ｓのものを使用した。また、導電化溶液への浸漬時間は、２０秒とした。
【００４７】
次いで、導電化溶液に浸漬したチップ銅巻きコイルの端面に、電解銅めっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。電解銅めっき浴の条件は、ｐＨ１以下、液温２５℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、２０分とした。この電解めっきにより、チップ銅巻きコイルの端面には、膜厚約５μｍの銅めっきが形成された。
【００４８】
引き続き、この銅めっきを形成したチップ銅巻きコイルの端面に、電解ニッケルめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。この電解ニッケルめっき浴の条件は、ｐＨ４．３、液温４０℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、３０分とした。この電解めっきにより、チップ銅巻きコイルの端面の銅めっき上には、膜厚約４μｍのニッケルめっきが形成された。
【００４９】
さらに引き続き、ニッケルめっきを形成したチップ銅巻きコイル端面に、電解スズめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。この電解スズめっき浴の条件は、ｐＨ５．０、液温２５℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、５０分とした。この電解めっきにより、チップ銅巻きコイルの端面のニッケルめっき上には、膜厚約３μｍのスズめっきが形成された。
【００５０】
以上のように、チップ銅巻きコイルに端面電極を形成した。
【００５１】
この端面電極を形成したチップ正特性サーミスタのインダクタンス特性を評価したところ、実用上にはまったく問題のないものであることが判明した。
【００５２】
〔比較例２〕
実施例３において用いた、フェライトとＰＰＳ（ポリフェレンサルファイド）樹脂との複合セラミック材料を主原料としたチップ銅巻きコイル（サイズ：４ｍｍ×４ｍｍ×６ｍｍ）の端面電極を、導電ペーストを用いた厚膜電極による作成を試みた。
【００５３】
まず、チップ銅巻きコイルを中性クリーナーにて洗浄した後、水洗した。
【００５４】
次いで、チップ銅巻きコイルの端面のみに、銅ペーストを浸漬塗布した。この銅ペーストは、液温２５℃、表面張力３２×１０-3Ｎ／ｍ、粘度１０Ｐａ・ｓのものを使用した。また、浸漬時間は、５秒とした。そして、この複合セラミック材料の融点を１０℃下回る約２６０℃にて３時間焼成した。しかしながら、この焼成時間では、銅ペースト中の銅粉を焼成することができなかった。そのため、チップ銅巻きコイルの端面に、所望の電極を形成することはできなかった。
【００５５】
〔実施例４〜８、比較例３、４〕
酸化亜鉛を主原料とするチップバリスタ（サイズ：２．０ｍｍｔ×１．２ｍｍｔ×１．２ｍｍｔ）の端面電極を以下の手法により形成した。
【００５６】
まず、チップバリスタを中性クリーナーにて洗浄した後、水洗した。
【００５７】
次いで、チップバリスタの端面のみを、導電化溶液に浸漬し、洗浄した。この導電化溶液は、銀−パラジウムを含有する導電化材料を含み、液温２５℃、粘度１０Ｐａ・ｓのものを使用した。また、導電化溶液の表面張力は、２５×１０-3Ｎ／ｍ〜７５×１０-3Ｎ／ｍの間で各実施例および比較例ごとに変えて使用した。また、導電化溶液への浸漬時間は、１０秒とした。
【００５８】
次いで、導電化溶液に浸漬したチップバリスタの端面に、電解ニッケルめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。電解ニッケルめっき浴の条件は、ｐＨ４．３、液温４０℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、２０分とした。この電解めっきにより、チップバリスタの端面には、ニッケルめっきが形成された。
【００５９】
さらに、チップバリスタの端面のニッケルめっき上に、電解スズめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。電解スズめっき浴の条件は、ｐＨ５．５、液温２５℃、電流密度０．７Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、４０分とした。この電解めっきにより、ニッケルめっき上には、スズめっきが形成された。
【００６０】
以上の操作により、チップバリスタの端面電極を形成した。そして、これら端面電極が形成されたチップバリスタにおいて、導電化溶液の濡れ上がりによる端面外へのめっきの形成、およびめっき付き性について評価し、これらチップバリスタの実用についての判定を行った。
【００６１】
ここで、各実施例および比較例の条件および評価について、表１に示す。
【００６２】
【表１】
表１から明らかなように、導電化溶液の表面張力が３０×１０-3Ｎ／ｍ〜７０×１０-3Ｎ／ｍの場合に、導電化溶液の濡れ上がりによる端面外へのめっきの形成がなく、かつ、良好なめっき付き性を得られることが判明した。
【００６４】
また、表１より、導電化溶液の表面張力の最小値は、３０×１０-3Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、４０×１０-3Ｎ／ｍ以上であることがより一層好ましいこと、また、導電化溶液における表面張力の最大値は、７０×１０-3Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、６０×１０-3Ｎ／ｍ以下であることがより一層好ましいことが判る。
【００６５】
〔実施例９〜１３、比較例５、６〕
酸化亜鉛を主原料とするチップバリスタ（サイズ：２．０ｍｍｔ×１．２ｍｍｔ×１．２ｍｍｔ）の端面電極を以下の手法により形成した。
【００６６】
まず、チップバリスタを中性クリーナーにて洗浄した後、水洗した。
【００６７】
次いで、チップバリスタの端面のみを、導電化溶液に浸漬し、洗浄した。この導電化溶液は、銀−パラジウムを含有する導電化材料を含み、液温２５℃、表面張力４５×１０-3Ｎ／ｍのものを使用した。また、導電化溶液の粘度は、０．００１Ｐａ・ｓ（１ｍＰａ・ｓ）〜３５Ｐａ・ｓの間で各実施例および比較例毎に変えて用した。また、導電化溶液への浸漬時間は、１０秒とした。
【００６８】
次いで、導電化溶液に浸漬したチップバリスタの端面に、電解ニッケルめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。電解ニッケルめっき浴の条件は、ｐＨ４．３、液温４０℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、２０分とした。この電解めっきにより、チップバリスタの端面には、ニッケルめっきが形成された。
【００６９】
さらに、チップバリスタの端面に、電解スズめっき浴にて、バレルめっき法により電解めっきを行った。電解スズめっき浴の条件は、ｐＨ５．０、液温２５℃、電流密度０．７Ａ／ｄｍ2 とした。また、めっき時間は、４０分とした。この電解めっきにより、ニッケルめっき上には、スズめっきが形成された。
【００７０】
以上の操作により、チップバリスタの端面電極を形成した。そして、これら端面電極が形成されたチップバリスタにおける、導電化溶液の濡れ上がりによる端面外へのめっきの形成、めっき付き性について評価し、これらチップバリスタの実用についての判定を行った。
【００７１】
ここで、各実施例および比較例の条件および評価について、表２に示す。
【００７２】
【表２】
表２から明らかなように、導電化溶液の粘度が０．００３Ｐａ・ｓ（３ｍＰａ・ｓ）〜３０Ｐａ・ｓの場合に、導電化溶液の濡れ上がりによる端面外へのめっきの形成がなく、かつ、良好なめっき付き性を得られることが判明した。
【００７４】
また、表２より、導電化溶液の粘度の最小値は、０．００３Ｐａ・ｓ以上であることが好ましく、０．１Ｐａ・ｓ以上であることがより一層好ましく、１Ｐａ・ｓ以上であることがさらにより一層好ましい。また、導電化溶液における粘度の最大値は、３０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。
【００７５】
【発明の効果】
本発明のセラミック材料を用いた電子部品の端面電極形成方法は、パラジウム、スズ、銀、銅から選択される少なくとも１種を含有する導電化材料を含む導電化溶液に上記電子部品の端面を浸漬させて、上記導電化材料を電子部品の端面に付着させる工程と、電子部品の端面に付着した導電化材料を導電層として電解めっきを施す工程とを有し、上記導電化溶液の表面張力が、３０×１０-3Ｎ／ｍ〜７０×１０-3Ｎ／ｍである構成である。
【００７６】
本発明の端面電極形成方法を用いれば、従来の導電ペーストを用いた厚膜電極を使用することなく電子部品に端面電極を形成することが可能である。これにより、厚膜電極を形成する際に必要な高温での焼成を行うことなく、電子部品に端面電極を形成することができる。そのため、電子部品は高温にさらされることなく、電子部品が劣化されることを回避できるという効果を奏する。
Claims (4)
- セラミック材料を用いた電子部品の端面電極形成方法において、
パラジウム、スズ、銀、銅から選択される少なくとも１種を含有する導電化材料を含む導電化溶液に上記電子部品の端面を浸漬させて、導電化材料を電子部品の端面に付着させる工程と、
電子部品の端面に付着した導電化材料を導電層として電解めっきする工程とを有し、
上記導電化溶液の表面張力が、３０×１０-3Ｎ／ｍ〜７０×１０-3Ｎ／ｍであることを特徴とする電子部品の端面電極形成方法。 - 前記導電化溶液の粘度が、３ｍＰａ・ｓ〜３０Ｐａ・ｓであることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の端面電極形成方法。
- 電解めっきする金属が、スズ、スズ合金、ニッケル、銅、銀、金、パラジウムからなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品の端面電極形成方法。
- 前記スズ合金は、スズ−鉛、スズ−銀、スズ−銅、スズ−亜鉛、スズ−ビスマス、スズ−インジウムからなる群から選択されることを特徴とする請求項３に記載の電子部品の端面電極形成方法。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160106511A (ko) | 2015-03-02 | 2016-09-12 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자 부품 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI246095B (en) * | 2004-02-27 | 2005-12-21 | Murata Manufacturing Co | Multilayer ceramic electronic component and method of manufacturing thereof |
| CN101356605B (zh) * | 2006-11-22 | 2012-05-23 | 株式会社村田制作所 | 叠层型电子部件及其制造方法 |
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07197266A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-01 | Nippon Riironaale Kk | 酸化銅（ｉ）コロイドの金属化によるダイレクトプレーティング方法 |
| JPH1112781A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-01-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 部分メッキ工法および装置 |
| JP2000040638A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-08 | Tdk Corp | 積層チップ部品の端子電極形成方法及びその装置 |
| JP2001098397A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-10 | Murata Mfg Co Ltd | 電極形成方法 |
-
2001
- 2001-08-31 JP JP2001264724A patent/JP4710204B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07197266A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-01 | Nippon Riironaale Kk | 酸化銅（ｉ）コロイドの金属化によるダイレクトプレーティング方法 |
| JPH1112781A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-01-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 部分メッキ工法および装置 |
| JP2000040638A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-08 | Tdk Corp | 積層チップ部品の端子電極形成方法及びその装置 |
| JP2001098397A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-10 | Murata Mfg Co Ltd | 電極形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160106511A (ko) | 2015-03-02 | 2016-09-12 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자 부품 및 그 제조 방법 |
| US10290415B2 (en) | 2015-03-02 | 2019-05-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and manufacturing method therefor |
Also Published As
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