JPH11345737A - 電子部品および電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品および電子部品の製造方法Info
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- JPH11345737A JPH11345737A JP10153331A JP15333198A JPH11345737A JP H11345737 A JPH11345737 A JP H11345737A JP 10153331 A JP10153331 A JP 10153331A JP 15333198 A JP15333198 A JP 15333198A JP H11345737 A JPH11345737 A JP H11345737A
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- electronic component
- plating film
- plating
- electrode
- metal
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
- C23C28/021—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material including at least one metal alloy layer
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半田濡れ性を維持しつつ、耐銀喰われ性、耐
ホイスカ性に富む、Ｐｂフリー化が可能なＳｎ合金メッ
キ皮膜を、Ａｇからなる外部電極上に形成した、電子部
品およびその電子部品の製造方法を提供する。 【解決手段】 メッキ処理前半のメッキ浴中の電流密度
をメッキ処理後半より相対的に高くして、Ｓｎ合金メッ
キ皮膜１００ｗｔ％中、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎのうち少なく
とも１種類の金属を１ｗｔ％以上含有する内層と、１ｗ
ｔ％未満（ただし、０ｗｔ％は含まず）含有する外層と
を、Ａｇ外部電極上に形成する。
ホイスカ性に富む、Ｐｂフリー化が可能なＳｎ合金メッ
キ皮膜を、Ａｇからなる外部電極上に形成した、電子部
品およびその電子部品の製造方法を提供する。 【解決手段】 メッキ処理前半のメッキ浴中の電流密度
をメッキ処理後半より相対的に高くして、Ｓｎ合金メッ
キ皮膜１００ｗｔ％中、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎのうち少なく
とも１種類の金属を１ｗｔ％以上含有する内層と、１ｗ
ｔ％未満（ただし、０ｗｔ％は含まず）含有する外層と
を、Ａｇ外部電極上に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、Ｓｎ合金メッキ
皮膜が形成された電子部品およびその電子部品の製造方
法に関するもので、半田付けのためのＳｎ合金メッキ皮
膜形成法の改良に関するものである。
皮膜が形成された電子部品およびその電子部品の製造方
法に関するもので、半田付けのためのＳｎ合金メッキ皮
膜形成法の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この発明の従来技術として、チップ型セ
ラミック電子部品、ここではより具体的に、積層セラミ
ックコンデンサを例にして説明する。
ラミック電子部品、ここではより具体的に、積層セラミ
ックコンデンサを例にして説明する。
【０００３】積層セラミックコンデンサは、図１に示す
ように、誘電体セラミック層１と静電容量を得るための
内部電極層２とが交互に積層されたセラミック積層体３
に、内部電極層２と電気的接続するための外部電極４が
形成されたものである。外部電極４は、Ａｇ電極４ａが
下地層として形成され、その上にＮｉ電極４ｂが中間層
として形成され、さらにその上にＳｎ電極またはＳｎ−
Ｐｂ合金電極４ｃが最外層として形成されたものからな
る。ここでＡｇ電極４ａは内部電極との電気的接続を行
なうために形成され、Ｎｉ電極４ｂはＡｇが半田付け時
に喰われるのを防止したりホイスカ発生を防止するため
に形成され、Ｓｎ電極またはＳｎ−Ｐｂ合金電極４ｃは
半田付け時に半田濡れ性を確保するために形成されてい
る。
ように、誘電体セラミック層１と静電容量を得るための
内部電極層２とが交互に積層されたセラミック積層体３
に、内部電極層２と電気的接続するための外部電極４が
形成されたものである。外部電極４は、Ａｇ電極４ａが
下地層として形成され、その上にＮｉ電極４ｂが中間層
として形成され、さらにその上にＳｎ電極またはＳｎ−
Ｐｂ合金電極４ｃが最外層として形成されたものからな
る。ここでＡｇ電極４ａは内部電極との電気的接続を行
なうために形成され、Ｎｉ電極４ｂはＡｇが半田付け時
に喰われるのを防止したりホイスカ発生を防止するため
に形成され、Ｓｎ電極またはＳｎ−Ｐｂ合金電極４ｃは
半田付け時に半田濡れ性を確保するために形成されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｓｎ電
極を形成するときには次のような問題がある。つまり、
このＳｎ電極は電解メッキにより形成されるが、Ｓｎメ
ッキ皮膜は、一般的にホイスカが発生しやすいという問
題がある。また、Ｓｎ−Ｐｂ合金電極について言えば、
規制物質のＰｂを含有しているため、環境問題から、Ｓ
ｎ−Ｐｂ合金電極に替わる半田濡れ性を確保する別の電
極が必要となっている。
極を形成するときには次のような問題がある。つまり、
このＳｎ電極は電解メッキにより形成されるが、Ｓｎメ
ッキ皮膜は、一般的にホイスカが発生しやすいという問
題がある。また、Ｓｎ−Ｐｂ合金電極について言えば、
規制物質のＰｂを含有しているため、環境問題から、Ｓ
ｎ−Ｐｂ合金電極に替わる半田濡れ性を確保する別の電
極が必要となっている。
【０００５】また、Ｓｎ電極またはＳｎ−Ｐｂ合金電極
を電解メッキにより形成する際、この最外層電極を形成
する前にＮｉ電極が同じく電解メッキにより形成される
が、ＳｎまたはＳｎ−Ｐｂのメッキ浴の中に前工程のＮ
ｉメッキ浴が混入することがある。残留Ｎｉメッキ液が
ＳｎまたはＳｎ−Ｐｂのメッキ浴の中に入り込むと、メ
ッキ付着力が低下し、良質のメッキ皮膜が形成されない
ことになる。
を電解メッキにより形成する際、この最外層電極を形成
する前にＮｉ電極が同じく電解メッキにより形成される
が、ＳｎまたはＳｎ−Ｐｂのメッキ浴の中に前工程のＮ
ｉメッキ浴が混入することがある。残留Ｎｉメッキ液が
ＳｎまたはＳｎ−Ｐｂのメッキ浴の中に入り込むと、メ
ッキ付着力が低下し、良質のメッキ皮膜が形成されない
ことになる。
【０００６】この問題を解決するには、Ｎｉメッキ工程
の後で洗浄工程を設け、次のＳｎまたはＳｎ−Ｐｂのメ
ッキ浴の中に残留Ｎｉメッキ液が入り込まないように対
処する必要がある。また、ＳｎまたはＳｎ−Ｐｂのメッ
キ浴の使用回数が増えた場合には、新しいメッキ浴に入
れ替えするといった対策を講じることになる。しかしな
がら、このような問題解決では、いずれも工程が増える
ことになり、工程管理が必要となり、コストアップにつ
ながることになる。
の後で洗浄工程を設け、次のＳｎまたはＳｎ−Ｐｂのメ
ッキ浴の中に残留Ｎｉメッキ液が入り込まないように対
処する必要がある。また、ＳｎまたはＳｎ−Ｐｂのメッ
キ浴の使用回数が増えた場合には、新しいメッキ浴に入
れ替えするといった対策を講じることになる。しかしな
がら、このような問題解決では、いずれも工程が増える
ことになり、工程管理が必要となり、コストアップにつ
ながることになる。
【０００７】このような問題を根本的に解決するには、
Ｐｂを含まない電極材料、ホイスカが発生しない電極材
料、Ａｇが半田付け時に喰われるのを保護できる電極、
半田濡れ性を確保できる電極を、１つのメッキ浴から作
製することができることにある。
Ｐｂを含まない電極材料、ホイスカが発生しない電極材
料、Ａｇが半田付け時に喰われるのを保護できる電極、
半田濡れ性を確保できる電極を、１つのメッキ浴から作
製することができることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決することができ、種々の要求にも応えられる半田組
成および皮膜形成法を提供することを目的とする。
解決することができ、種々の要求にも応えられる半田組
成および皮膜形成法を提供することを目的とする。
【０００９】つまり、第１のこの発明は、電子部品にお
いて、電子部品素子と、前記電子部品素子の両端面に設
けられた外部電極と、前記外部電極上に形成されたＳｎ
合金メッキ皮膜とを有し、前記Ｓｎ合金メッキ皮膜は、
Ｓｎと、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎのうち少なくとも１種の金属
を含有してなる内層と、Ｓｎからなる外層とを有するこ
とを特徴とする。
いて、電子部品素子と、前記電子部品素子の両端面に設
けられた外部電極と、前記外部電極上に形成されたＳｎ
合金メッキ皮膜とを有し、前記Ｓｎ合金メッキ皮膜は、
Ｓｎと、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎのうち少なくとも１種の金属
を含有してなる内層と、Ｓｎからなる外層とを有するこ
とを特徴とする。
【００１０】第２のこの発明は、前記電子部品におい
て、Ｓｎ合金メッキ皮膜は、Ｓｎと、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ
のうち少なくとも１種の金属を含有してなる内層と、Ｓ
ｎと、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎのうち少なくとも１種の金属を
含有し、かつ前記金属は、前記内層の金属の添加量より
も少ない添加量からなる外層とを有することを特徴とす
る。
て、Ｓｎ合金メッキ皮膜は、Ｓｎと、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ
のうち少なくとも１種の金属を含有してなる内層と、Ｓ
ｎと、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎのうち少なくとも１種の金属を
含有し、かつ前記金属は、前記内層の金属の添加量より
も少ない添加量からなる外層とを有することを特徴とす
る。
【００１１】第３のこの発明は、前記電子部品におい
て、前記内層に含有される前記金属は、前記内層のＳｎ
合金メッキ皮膜１００ｗｔ％のうち、１ｗｔ％以上であ
ることが好ましい。
て、前記内層に含有される前記金属は、前記内層のＳｎ
合金メッキ皮膜１００ｗｔ％のうち、１ｗｔ％以上であ
ることが好ましい。
【００１２】第４のこの発明は、前記電子部品におい
て、前記外層に含有される前記金属は、前記外層のＳｎ
合金メッキ皮膜１００ｗｔ％のうち、１ｗｔ％未満（た
だし、０ｗｔ％は含まず）であることが好ましい。
て、前記外層に含有される前記金属は、前記外層のＳｎ
合金メッキ皮膜１００ｗｔ％のうち、１ｗｔ％未満（た
だし、０ｗｔ％は含まず）であることが好ましい。
【００１３】第５のこの発明は、前記電子部品におい
て、前記内層の膜厚は、０．５μｍ以上であることが好
ましい。
て、前記内層の膜厚は、０．５μｍ以上であることが好
ましい。
【００１４】第６のこの発明は、前記電子部品におい
て、前記外層の膜厚は、０．０５μｍ〜０．３μｍであ
ることが好ましい。
て、前記外層の膜厚は、０．０５μｍ〜０．３μｍであ
ることが好ましい。
【００１５】第７のこの発明は、前記電子部品におい
て、前記外部電極は、Ａｇからなることが好ましい。
て、前記外部電極は、Ａｇからなることが好ましい。
【００１６】第８のこの発明は、前記電子部品の製造方
法において、電子部品素子の両端面に外部電極を設け、
ＳｎとＣｏ，Ｎｉ，Ｚｎのうち少なくとも１種類の金属
を合金化してなるメッキ浴を作製し、メッキ処理前半の
メッキ浴の電流密度を、メッキ処理後半のメッキ浴中の
電流密度より相対的に高くして、外部電極上にメッキ皮
膜を形成する、各工程を備えることを特徴とする。
法において、電子部品素子の両端面に外部電極を設け、
ＳｎとＣｏ，Ｎｉ，Ｚｎのうち少なくとも１種類の金属
を合金化してなるメッキ浴を作製し、メッキ処理前半の
メッキ浴の電流密度を、メッキ処理後半のメッキ浴中の
電流密度より相対的に高くして、外部電極上にメッキ皮
膜を形成する、各工程を備えることを特徴とする。
【００１７】この第１の発明によれば、電子部品素子の
両端面に形成された外部電極の表面に、Ｓｎと、Ｃｏ，
Ｎｉ，Ｚｎのうち少なくとも１種の金属を含有するＳｎ
合金からなる内層と、Ｓｎからなる外層とを有するＳｎ
合金メッキ皮膜を形成することにより、Ｐｂを含まず、
半田濡れ性、耐銀喰われ性、耐ホイスカ性に優れた外部
電極を有する電子部品を得ることができる。Ｓｎからな
る外層は、Ｓｎ１００％を示しているが、不可避的に存
在する不純物が含有されている場合も含む。
両端面に形成された外部電極の表面に、Ｓｎと、Ｃｏ，
Ｎｉ，Ｚｎのうち少なくとも１種の金属を含有するＳｎ
合金からなる内層と、Ｓｎからなる外層とを有するＳｎ
合金メッキ皮膜を形成することにより、Ｐｂを含まず、
半田濡れ性、耐銀喰われ性、耐ホイスカ性に優れた外部
電極を有する電子部品を得ることができる。Ｓｎからな
る外層は、Ｓｎ１００％を示しているが、不可避的に存
在する不純物が含有されている場合も含む。
【００１８】この第２の発明によれば、電子部品素子の
両端面に形成された外部電極の表面に、Ｓｎと、Ｃｏ，
Ｎｉ，Ｚｎのうち少なくとも１種の金属を含有するＳｎ
合金からなる内層と、Ｓｎと、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎのうち
少なくとも１種の金属を含有し、かつ前記金属の添加量
は、内層の前記金属の添加量より少ないＳｎ合金からな
る外層とを有するＳｎ合金メッキ皮膜を形成することに
より、Ｐｂを含まず、半田濡れ性、耐銀喰われ性、耐ホ
イスカ性に優れた外部電極を有する、電子部品を得るこ
とができる。
両端面に形成された外部電極の表面に、Ｓｎと、Ｃｏ，
Ｎｉ，Ｚｎのうち少なくとも１種の金属を含有するＳｎ
合金からなる内層と、Ｓｎと、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎのうち
少なくとも１種の金属を含有し、かつ前記金属の添加量
は、内層の前記金属の添加量より少ないＳｎ合金からな
る外層とを有するＳｎ合金メッキ皮膜を形成することに
より、Ｐｂを含まず、半田濡れ性、耐銀喰われ性、耐ホ
イスカ性に優れた外部電極を有する、電子部品を得るこ
とができる。
【００１９】この第３から第６の発明によれば、前記内
層に含有される前記金属を１ｗｔ％以上、前記内層の膜
厚を０．５μｍ以上とし、前記外層に含有される前記金
属を１ｗｔ％未満（ただし、０ｗｔ％は含まず）、前記
外層の膜厚を、０．０５μｍ〜０．３μｍとすることに
より、耐銀喰われ性、耐ホイスカ性に優れた内層と、耐
ホイスカ性、半田濡れ性に優れた外層とからなるＳｎ合
金メッキ皮膜を得ることができる。
層に含有される前記金属を１ｗｔ％以上、前記内層の膜
厚を０．５μｍ以上とし、前記外層に含有される前記金
属を１ｗｔ％未満（ただし、０ｗｔ％は含まず）、前記
外層の膜厚を、０．０５μｍ〜０．３μｍとすることに
より、耐銀喰われ性、耐ホイスカ性に優れた内層と、耐
ホイスカ性、半田濡れ性に優れた外層とからなるＳｎ合
金メッキ皮膜を得ることができる。
【００２０】前記内層に含有される前記金属の含有量
は、１ｗｔ％未満では、耐銀喰われ性、耐ホイスカ性の
抑制効果が不十分で好ましくない。一方、上限は特に限
定されるものではないが、Ｓｎ含有率を低くするため浴
中Ｓｎ濃度を低くしすぎると、水素が発生して荒れた皮
膜となり、好ましくない。したがって、浴中Ｓｎ濃度は
ある程度高く（合金比率Ｓｎ８０ｗｔ％以上）する必要
がある。実際に製造する場合には、前記内層に含有され
る前記金属の含有量の上限は、２０ｗｔ％までが好まし
い。
は、１ｗｔ％未満では、耐銀喰われ性、耐ホイスカ性の
抑制効果が不十分で好ましくない。一方、上限は特に限
定されるものではないが、Ｓｎ含有率を低くするため浴
中Ｓｎ濃度を低くしすぎると、水素が発生して荒れた皮
膜となり、好ましくない。したがって、浴中Ｓｎ濃度は
ある程度高く（合金比率Ｓｎ８０ｗｔ％以上）する必要
がある。実際に製造する場合には、前記内層に含有され
る前記金属の含有量の上限は、２０ｗｔ％までが好まし
い。
【００２１】前記内層の膜厚は、０．５μｍより薄いと
耐銀喰われ性の抑制効果が不十分で好ましくない。一
方、上限は特に限定されるものではないが、セラミック
素体上への異常成長が問題とならない程度に抑える必要
がある。さらに、特性が劣化しないようめっき液への浸
漬時間は短いほうが望ましい。したがって、必要最低限
の膜厚に抑えることが望ましく、実際に製造する場合に
は、前記内層の膜厚の上限は１０μｍ程度が好ましい。
耐銀喰われ性の抑制効果が不十分で好ましくない。一
方、上限は特に限定されるものではないが、セラミック
素体上への異常成長が問題とならない程度に抑える必要
がある。さらに、特性が劣化しないようめっき液への浸
漬時間は短いほうが望ましい。したがって、必要最低限
の膜厚に抑えることが望ましく、実際に製造する場合に
は、前記内層の膜厚の上限は１０μｍ程度が好ましい。
【００２２】前記外層は、半田濡れ性に優れた１００％
近いＳｎメッキ皮膜が望ましく、前記外層に含有される
前記金属の含有量は、１ｗｔ％以上になると、半田濡れ
性が劣化し始めるので好ましくない。
近いＳｎメッキ皮膜が望ましく、前記外層に含有される
前記金属の含有量は、１ｗｔ％以上になると、半田濡れ
性が劣化し始めるので好ましくない。
【００２３】前記外層の膜厚は、薄いほどホイスカが発
生しにくく、また、薄くても十分な半田濡れ性が得られ
ることから、０．０５μｍ〜０．３μｍに選ばれる。
生しにくく、また、薄くても十分な半田濡れ性が得られ
ることから、０．０５μｍ〜０．３μｍに選ばれる。
【００２４】この第７の発明によれば、Ｓｎ合金メッキ
皮膜の下地となる前記外部電極は、該電子部品の内部電
極との電気的接続のし易さから、Ａｇに選ばれる。
皮膜の下地となる前記外部電極は、該電子部品の内部電
極との電気的接続のし易さから、Ａｇに選ばれる。
【００２５】この第８の発明によれば、上記Ｓｎ合金メ
ッキ皮膜を得るためのメッキ浴は、電流密度が低い場合
には、ほぼＳｎ１００％の皮膜となる。したがって、初
期段階は電流密度を高くしてメッキし、最終段階のみ電
流密度を０．１Ａ／ｄｍ2に低くしてメッキすれば、内
層に耐銀喰われ性や耐ホイスカ性に優れたＳｎ合金メッ
キ皮膜が、外層に半田濡れ性に優れた１００％もしくは
ほぼ１００％近いＳｎメッキ皮膜が形成される。これ
は、Ｓｎの析出電位が、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎの析出電位よ
りも卑な電位にあり、電流密度が低い場合はＳｎのみが
優先析出されるためである。
ッキ皮膜を得るためのメッキ浴は、電流密度が低い場合
には、ほぼＳｎ１００％の皮膜となる。したがって、初
期段階は電流密度を高くしてメッキし、最終段階のみ電
流密度を０．１Ａ／ｄｍ2に低くしてメッキすれば、内
層に耐銀喰われ性や耐ホイスカ性に優れたＳｎ合金メッ
キ皮膜が、外層に半田濡れ性に優れた１００％もしくは
ほぼ１００％近いＳｎメッキ皮膜が形成される。これ
は、Ｓｎの析出電位が、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎの析出電位よ
りも卑な電位にあり、電流密度が低い場合はＳｎのみが
優先析出されるためである。
【００２６】これらの発明によれば、電子部品素子に形
成されたＡｇからなる電極の表面に、２層のＳｎ合金メ
ッキ皮膜を一つの浴から形成することができ、Ｐｂを含
まず、半田濡れ性、耐銀喰われ性、耐ホイスカ性に優れ
た外部電極を有する電子部品を得ることができる。
成されたＡｇからなる電極の表面に、２層のＳｎ合金メ
ッキ皮膜を一つの浴から形成することができ、Ｐｂを含
まず、半田濡れ性、耐銀喰われ性、耐ホイスカ性に優れ
た外部電極を有する電子部品を得ることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を、
積層セラミックコンデンサに基づき説明する。まず、積
層セラミックコンデンサのうち、セラミック積層体を作
製した。このセラミック積層体は次のようにして準備し
た。まず、チタン酸バリウムを主成分とするセラミック
グリーンシートを作製し、このセラミックグリーンシー
トの表面に、Ａｇ−Ｐｄからなる内部電極用ペーストを
スクリーン印刷した。このセラミックグリーンシートを
複数枚積層し、圧着した積層体とした。この積層体を積
層方向、つまり厚み方向に沿って切断し、切断端面に内
部電極用ペーストが交互に露出したチップ積層体を準備
した。このチップ積層体を空気中で１３００℃、１時間
焼成し、セラミック積層体を得た。
積層セラミックコンデンサに基づき説明する。まず、積
層セラミックコンデンサのうち、セラミック積層体を作
製した。このセラミック積層体は次のようにして準備し
た。まず、チタン酸バリウムを主成分とするセラミック
グリーンシートを作製し、このセラミックグリーンシー
トの表面に、Ａｇ−Ｐｄからなる内部電極用ペーストを
スクリーン印刷した。このセラミックグリーンシートを
複数枚積層し、圧着した積層体とした。この積層体を積
層方向、つまり厚み方向に沿って切断し、切断端面に内
部電極用ペーストが交互に露出したチップ積層体を準備
した。このチップ積層体を空気中で１３００℃、１時間
焼成し、セラミック積層体を得た。
【００２８】このセラミック積層体の両端面に、内部電
極と電気的に接続する外部電極を形成した。この外部電
極は、下地層としてＡｇ焼付け電極を形成したものを準
備しておいた。
極と電気的に接続する外部電極を形成した。この外部電
極は、下地層としてＡｇ焼付け電極を形成したものを準
備しておいた。
【００２９】次いで、表１に示すメッキ浴を用意し、電
流密度の大きさと、Ｓｎ−Ｃｏ浴、Ｓｎ−Ｎｉ浴、Ｓｎ
−Ｚｎ浴は錫塩濃度、Ｓｎ−Ｐｂ浴は鉛塩濃度を調節
し、表２記載のＳｎ含有率と膜厚のメッキが得られるよ
うにした。このメッキ浴を用い、さらに、メッキ浴の電
流密度を最終段階のみ０．１Ａ／ｄｍ2に低くしてメッ
キすることにより、下地層Ａｇ電極の上に２層のＳｎ合
金電極を形成した外部電極を有する、試料番号１〜３７
の積層セラミックコンデンサを得た。
流密度の大きさと、Ｓｎ−Ｃｏ浴、Ｓｎ−Ｎｉ浴、Ｓｎ
−Ｚｎ浴は錫塩濃度、Ｓｎ−Ｐｂ浴は鉛塩濃度を調節
し、表２記載のＳｎ含有率と膜厚のメッキが得られるよ
うにした。このメッキ浴を用い、さらに、メッキ浴の電
流密度を最終段階のみ０．１Ａ／ｄｍ2に低くしてメッ
キすることにより、下地層Ａｇ電極の上に２層のＳｎ合
金電極を形成した外部電極を有する、試料番号１〜３７
の積層セラミックコンデンサを得た。
【００３０】
【表１】
【００３１】続いて、上記の積層セラミックコンデンサ
をサンプルに用いて、以下の３種類の試験を行なった。
をサンプルに用いて、以下の３種類の試験を行なった。
【００３２】半田濡れ性試験は、サンプルを半田溶融槽
に２秒浸漬した後、半田に覆われている面積を測定し
た。なお、Ｓｎ６０％、Ｐｂ４０％からなるＳｎ−Ｐｂ
合金の半田材と、非ハロゲン系のフラックスを用い、溶
融温度は２３０℃とした。
に２秒浸漬した後、半田に覆われている面積を測定し
た。なお、Ｓｎ６０％、Ｐｂ４０％からなるＳｎ−Ｐｂ
合金の半田材と、非ハロゲン系のフラックスを用い、溶
融温度は２３０℃とした。
【００３３】耐銀喰われ性試験は、サンプルを２７０℃
の半田溶融槽に３０秒浸漬した後、Ａｇが半田に喰われ
ず残っている面積を測定した。なお、半田材とフラック
ス材は、半田濡れ性試験と同じものを用いた。
の半田溶融槽に３０秒浸漬した後、Ａｇが半田に喰われ
ず残っている面積を測定した。なお、半田材とフラック
ス材は、半田濡れ性試験と同じものを用いた。
【００３４】耐ホイスカ性試験は、サンプルを５０℃の
恒温槽に６０日間放置した後、メッキ部の端から５mmの
周辺部を除いた中央部を金属顕微鏡で観察した。
恒温槽に６０日間放置した後、メッキ部の端から５mmの
周辺部を除いた中央部を金属顕微鏡で観察した。
【００３５】以上の試験結果を表２に示す。
【００３６】なお、半田濡れ性試験は、半田に覆われて
いる面積が、全体の８５％未満を×、８５％以上９０％
未満を△、９０％以上９５％未満を○、９５％以上を◎
と判定した。
いる面積が、全体の８５％未満を×、８５％以上９０％
未満を△、９０％以上９５％未満を○、９５％以上を◎
と判定した。
【００３７】耐銀喰われ性試験は、Ａｇが半田に喰われ
ず残っている面積が、全体の５０％未満を×、５０％以
上７５％未満を△、７５％以上９０％未満を○、９０％
以上を◎と判定した。
ず残っている面積が、全体の５０％未満を×、５０％以
上７５％未満を△、７５％以上９０％未満を○、９０％
以上を◎と判定した。
【００３８】耐ホイスカ性試験は、Ｓｎメッキ皮膜並み
のホイスカ発生具合を示す場合を×、Ｓｎメッキ皮膜よ
り発生具合は少ないものの、ホイスカの発生が認められ
る場合を△、ホイスカの発生がほとんど認められない場
合を○、ホイスカの発生が全く認められない場合を◎と
判定した。
のホイスカ発生具合を示す場合を×、Ｓｎメッキ皮膜よ
り発生具合は少ないものの、ホイスカの発生が認められ
る場合を△、ホイスカの発生がほとんど認められない場
合を○、ホイスカの発生が全く認められない場合を◎と
判定した。
【００３９】総合評価は、◎：非常に良好である、○：
良好である、△：実用上ほぼ差し支えない、×：実用上
問題ありを表している。
良好である、△：実用上ほぼ差し支えない、×：実用上
問題ありを表している。
【００４０】
【表２】
【００４１】半田濡れ性は、最外層に１００ｗｔ％のＳ
ｎメッキが施されているサンプルは、すべて良好な濡れ
性を示した。しかし、外層メッキ皮膜中のＣｏ，Ｎｉ，
Ｚｎの含有率が１ｗｔ％になると濡れ性が劣化し始め、
２ｗｔ％では極端に濡れ性が低下した。外層メッキ皮膜
は、０．０５μｍでも良好な半田濡れ性が得られ、膜厚
が薄くても十分な半田濡れ性を示した。
ｎメッキが施されているサンプルは、すべて良好な濡れ
性を示した。しかし、外層メッキ皮膜中のＣｏ，Ｎｉ，
Ｚｎの含有率が１ｗｔ％になると濡れ性が劣化し始め、
２ｗｔ％では極端に濡れ性が低下した。外層メッキ皮膜
は、０．０５μｍでも良好な半田濡れ性が得られ、膜厚
が薄くても十分な半田濡れ性を示した。
【００４２】耐銀喰われ性は、Ｓｎ−Ｃｏ合金、Ｓｎ−
Ｚｎ合金においては、内層メッキ皮膜中のＣｏ，Ｚｎの
含有率が０．５ｗｔ％ではあまり抑制効果を示さないも
のの、１ｗｔ％で抑制効果を示し始め、５ｗｔ％で顕著
となった。Ｓｎ−Ｎｉ合金では、内層メッキ皮膜中のＮ
ｉ含有率が０．５ｗｔ％で抑制効果を示し始め、１ｗｔ
％で顕著となった。内層メッキ皮膜の膜厚は、０．１μ
ｍではあまり抑制効果を示さないものの、０．５μｍで
は抑制効果を示し始め、３μｍで顕著となった。
Ｚｎ合金においては、内層メッキ皮膜中のＣｏ，Ｚｎの
含有率が０．５ｗｔ％ではあまり抑制効果を示さないも
のの、１ｗｔ％で抑制効果を示し始め、５ｗｔ％で顕著
となった。Ｓｎ−Ｎｉ合金では、内層メッキ皮膜中のＮ
ｉ含有率が０．５ｗｔ％で抑制効果を示し始め、１ｗｔ
％で顕著となった。内層メッキ皮膜の膜厚は、０．１μ
ｍではあまり抑制効果を示さないものの、０．５μｍで
は抑制効果を示し始め、３μｍで顕著となった。
【００４３】耐ホイスカ性は、Ｓｎ−Ｃｏ合金、Ｓｎ−
Ｚｎ合金においては、内層メッキ皮膜におけるＣｏ，Ｚ
ｎの含有率が０．５ｗｔ％ではあまり抑制効果を示さな
いものの、１ｗｔ％で抑制効果を示し始め、５ｗｔ％で
顕著となった。Ｓｎ−Ｎｉ合金では、内層メッキ皮膜に
おけるＮｉの含有率が１ｗｔ％でホイスカの発生が認め
られなかった。また、外層メッキ皮膜の厚みが０．５μ
ｍの場合は、内層メッキの組成によらず、いずれもホイ
スカが発生した。
Ｚｎ合金においては、内層メッキ皮膜におけるＣｏ，Ｚ
ｎの含有率が０．５ｗｔ％ではあまり抑制効果を示さな
いものの、１ｗｔ％で抑制効果を示し始め、５ｗｔ％で
顕著となった。Ｓｎ−Ｎｉ合金では、内層メッキ皮膜に
おけるＮｉの含有率が１ｗｔ％でホイスカの発生が認め
られなかった。また、外層メッキ皮膜の厚みが０．５μ
ｍの場合は、内層メッキの組成によらず、いずれもホイ
スカが発生した。
【００４４】なお、上記メッキ皮膜特性は、メッキ浴種
を変えても同様の特性が得られたことから、Ｓｎ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｚｎの合金比率によるところが大きいと考え
られる。したがって浴種は上記合金が得られるような浴
組成であれば特に限定されない。
を変えても同様の特性が得られたことから、Ｓｎ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｚｎの合金比率によるところが大きいと考え
られる。したがって浴種は上記合金が得られるような浴
組成であれば特に限定されない。
【００４５】
【発明の効果】上述のように、この発明によれば、Ｓｎ
と、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎのうち少なくとも１種の金属を含
有することにより、従来のＳｎメッキもしくはＳｎ−Ｐ
ｂ合金メッキの半田濡れ性を維持しつつ、Ｐｂフリーで
あり、Ｎｉ中間メッキなしでホイスカの発生やＡｇ下地
メッキの銀喰われを防止できる、Ｓｎ合金メッキを得る
ことができる。
と、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎのうち少なくとも１種の金属を含
有することにより、従来のＳｎメッキもしくはＳｎ−Ｐ
ｂ合金メッキの半田濡れ性を維持しつつ、Ｐｂフリーで
あり、Ｎｉ中間メッキなしでホイスカの発生やＡｇ下地
メッキの銀喰われを防止できる、Ｓｎ合金メッキを得る
ことができる。
【００４６】また、中間層のＮｉ電極が不要となり、下
地層のＡｇ焼付け電極の上にＳｎ合金電極を電解メッキ
により形成すればよく、Ｓｎ合金メッキ浴へのＮｉメッ
キ液の混入がなくなり、中間洗浄工程の省略、メッキ浴
寿命の延命化を図ることができ、メッキ工程の短時間化
を実現できる。
地層のＡｇ焼付け電極の上にＳｎ合金電極を電解メッキ
により形成すればよく、Ｓｎ合金メッキ浴へのＮｉメッ
キ液の混入がなくなり、中間洗浄工程の省略、メッキ浴
寿命の延命化を図ることができ、メッキ工程の短時間化
を実現できる。
【００４７】さらに、メッキ浴の電流密度を変化させる
ことにより、一つのメッキ浴のＳｎ合金メッキから２層
の外部電極を形成することができ、Ｐｂを含まず、半田
濡れ性、耐銀喰われ性、耐ホイスカ性に優れた外部電極
を有する電子部品を得ることができる。
ことにより、一つのメッキ浴のＳｎ合金メッキから２層
の外部電極を形成することができ、Ｐｂを含まず、半田
濡れ性、耐銀喰われ性、耐ホイスカ性に優れた外部電極
を有する電子部品を得ることができる。
【図１】積層セラミックコンデンサの部分切欠斜視図で
ある。
ある。
１ 誘電体セラミック層 ２ 内部電極層 ３ セラミック積層体 ４ 外部電極 ４ａ Ａｇ電極 ４ｂ Ｎｉ電極 ４ｃ Ｓｎ電極またはＳｎ−Ｐｂ電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤井 裕紀子 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (8)
- 【請求項１】 電子部品素子と、前記電子部品素子の両
端面に設けられた外部電極と、前記外部電極上に形成さ
れたＳｎ合金メッキ皮膜とを有し、 前記Ｓｎ合金メッキ皮膜は、Ｓｎと、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ
のうち少なくとも１種の金属を含有してなる内層と、Ｓ
ｎからなる外層とを有することを特徴とする電子部品。 - 【請求項２】 前記Ｓｎ合金メッキ皮膜は、 Ｓｎと、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎのうち少なくとも１種の金属
を含有してなる内層と、 Ｓｎと、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎのうち少なくとも１種の金属
を含有し、かつ前記金属は、前記内層の金属の添加量よ
りも少ない添加量からなる外層とを有することを特徴と
する請求項１記載の電子部品。 - 【請求項３】 前記内層に含有される前記金属は、前記
内層のＳｎ合金メッキ皮膜１００ｗｔ％のうち、１ｗｔ
％以上であることを特徴とする請求項１および請求項２
記載の電子部品。 - 【請求項４】 前記外層に含有される前記金属は、前記
外層のＳｎ合金メッキ皮膜１００ｗｔ％のうち、１ｗｔ
％未満（ただし、０ｗｔ％は含まず）であることを特徴
とする請求項２または請求項３記載の電子部品。 - 【請求項５】 前記内層の膜厚は、０．５μｍ以上であ
ることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに
記載の電子部品。 - 【請求項６】 前記外層の膜厚は、０．０５μｍ〜０．
３μｍであることを特徴とする請求項１から請求項６の
いずれかに記載の電子部品。 - 【請求項７】 前記外部電極は、Ａｇからなることを特
徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の電子
部品。 - 【請求項８】 電子部品素子の両端面に外部電極を設
け、 Ｓｎと、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎのうち少なくとも１種類の金
属を合金化してなるメッキ浴を作製し、 メッキ処理前半のメッキ浴の電流密度を、メッキ処理後
半のメッキ浴中の電流密度より相対的に高くして、 外部電極上にメッキ皮膜を形成する、 各工程を備えることを特徴とする、電子部品の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10153331A JPH11345737A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | 電子部品および電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10153331A JPH11345737A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | 電子部品および電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11345737A true JPH11345737A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15560162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10153331A Pending JPH11345737A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | 電子部品および電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11345737A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8138606B2 (en) | 2006-04-06 | 2012-03-20 | Hitachi Cable, Ltd. | Wiring conductor, method for fabricating same, terminal connecting assembly, and Pb-free solder alloy |
| JP2020102548A (ja) * | 2018-12-21 | 2020-07-02 | 株式会社村田製作所 | 電子部品およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-06-02 JP JP10153331A patent/JPH11345737A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8138606B2 (en) | 2006-04-06 | 2012-03-20 | Hitachi Cable, Ltd. | Wiring conductor, method for fabricating same, terminal connecting assembly, and Pb-free solder alloy |
| JP2020102548A (ja) * | 2018-12-21 | 2020-07-02 | 株式会社村田製作所 | 電子部品およびその製造方法 |
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