JP2003147573A - 電子部品の製造方法、及び電子部品 - Google Patents
電子部品の製造方法、及び電子部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極剥離が生じることなく、信頼性の高い高
品質な電子部品を得るようにした。 【解決手段】 圧電体基板２を上下一対の誘電体基板
１、１で挟着し、圧電体基板２及び誘電体基板１、１の
両端部に膜厚１μｍ以下の薄膜電極３を形成する。次い
で、水素イオン指数ｐＨが６．０〜１３．０に調製され
ためっき液（ニッケルめっき液及びスズめっき液）を作
製し、該めっき液を使用して薄膜電極３の表面に膜厚
０．５μｍ〜５μｍのニッケル皮膜４及び膜厚１μｍ〜
１０μｍのスズ皮膜５を形成する。
品質な電子部品を得るようにした。 【解決手段】 圧電体基板２を上下一対の誘電体基板
１、１で挟着し、圧電体基板２及び誘電体基板１、１の
両端部に膜厚１μｍ以下の薄膜電極３を形成する。次い
で、水素イオン指数ｐＨが６．０〜１３．０に調製され
ためっき液（ニッケルめっき液及びスズめっき液）を作
製し、該めっき液を使用して薄膜電極３の表面に膜厚
０．５μｍ〜５μｍのニッケル皮膜４及び膜厚１μｍ〜
１０μｍのスズ皮膜５を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品の製造方
法、及び電子部品に関し、より詳しくはセラミックス素
体の両端部に薄膜電極が形成された電子部品の製造方
法、及び該製造方法を使用して製造された電子部品に関
する。
法、及び電子部品に関し、より詳しくはセラミックス素
体の両端部に薄膜電極が形成された電子部品の製造方
法、及び該製造方法を使用して製造された電子部品に関
する。
【０００２】
【従来の技術】セラミックス素体の両端部に電極部が形
成された電子部品では、従来より、電極の耐熱性やはん
だ濡れ性を向上させるためにニッケルめっきやスズめっ
きを施し、電極表面にめっき皮膜を形成することが行わ
れている。
成された電子部品では、従来より、電極の耐熱性やはん
だ濡れ性を向上させるためにニッケルめっきやスズめっ
きを施し、電極表面にめっき皮膜を形成することが行わ
れている。
【０００３】ところで、電極には金属とガラス成分とを
焼き付けた膜厚数μｍの厚膜電極と、スパッタリング法
や蒸着法でセラミックス素体上に金属を被着させた膜厚
１μｍ以下の薄膜電極とがある。そして、薄膜電極は、
厚膜電極では形成が困難な形状であっても、マスキング
してスパッタリング処理を施すことにより容易に形成す
ることができ、また、焼き付け等の加熱処理を行なわな
いので、熱処理によって電気特性が変化するものについ
ても使用されている。
焼き付けた膜厚数μｍの厚膜電極と、スパッタリング法
や蒸着法でセラミックス素体上に金属を被着させた膜厚
１μｍ以下の薄膜電極とがある。そして、薄膜電極は、
厚膜電極では形成が困難な形状であっても、マスキング
してスパッタリング処理を施すことにより容易に形成す
ることができ、また、焼き付け等の加熱処理を行なわな
いので、熱処理によって電気特性が変化するものについ
ても使用されている。
【０００４】そして、前記厚膜電極が形成された電子部
品では、従来より、セラミックス素体への侵食防止や厚
膜電極中のガラス成分の侵食を防止する観点から、水素
イオン指数ｐＨが３．０〜６．０に調製されためっき液
を使用してめっき処理が施されているが、薄膜電極が形
成された電子部品においても、厚膜電極の場合と同様、
水素イオン指数ｐＨを３．０〜６．０に調製しためっき
液を使用してめっき処理を施している。
品では、従来より、セラミックス素体への侵食防止や厚
膜電極中のガラス成分の侵食を防止する観点から、水素
イオン指数ｐＨが３．０〜６．０に調製されためっき液
を使用してめっき処理が施されているが、薄膜電極が形
成された電子部品においても、厚膜電極の場合と同様、
水素イオン指数ｐＨを３．０〜６．０に調製しためっき
液を使用してめっき処理を施している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のめっき方法では、水素イオン指数ｐＨが３．０〜
６．０と水素イオン濃度の高いめっき液を使用してめっ
き処理が施されているため、めっき処理中にセラミック
素体と薄膜電極との間に水素ガスが発生し、該水素ガス
の圧力によって薄膜電極がセラミック素体から剥離する
所謂電極剥離が生じたり、或いは電極剥離が生じなくと
も剥離し易くなるためめっき皮膜の膜厚如何によっては
はんだ濡れ性や耐熱性にも悪影響を及ぼし、電子部品の
品質が低下して信頼性を損なう虞があるという問題点が
あった。
来のめっき方法では、水素イオン指数ｐＨが３．０〜
６．０と水素イオン濃度の高いめっき液を使用してめっ
き処理が施されているため、めっき処理中にセラミック
素体と薄膜電極との間に水素ガスが発生し、該水素ガス
の圧力によって薄膜電極がセラミック素体から剥離する
所謂電極剥離が生じたり、或いは電極剥離が生じなくと
も剥離し易くなるためめっき皮膜の膜厚如何によっては
はんだ濡れ性や耐熱性にも悪影響を及ぼし、電子部品の
品質が低下して信頼性を損なう虞があるという問題点が
あった。
【０００６】本発明はこのような問題点に鑑みなされた
ものであって、電極剥離の生じることがない電子部品の
製造方法、及び該電極剥離が生じるのを回避して信頼性
の高い高品質な電子部品を提供することを目的とする。
ものであって、電極剥離の生じることがない電子部品の
製造方法、及び該電極剥離が生じるのを回避して信頼性
の高い高品質な電子部品を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、めっき中に
薄膜電極がセラミック素体から剥離するのを回避すべ
く、鋭意研究を重ねた結果、水素イオン濃度の低いめっ
き液を使用することにより、上述した薄膜電極の剥離を
回避することができるという知見を得た。
薄膜電極がセラミック素体から剥離するのを回避すべ
く、鋭意研究を重ねた結果、水素イオン濃度の低いめっ
き液を使用することにより、上述した薄膜電極の剥離を
回避することができるという知見を得た。
【０００８】本発明はこのような知見に基づきなされた
ものであって、本発明に係る電子部品の製造方法は、セ
ラミックス材料で形成されたセラミックス素体の両端部
に薄膜電極を形成し、該薄膜電極の表面にめっき皮膜を
形成して電子部品を製造する電子部品の製造方法におい
て、水素イオン指数ｐＨが６．０〜１３．０に調製され
ためっき液を使用して前記めっき皮膜を形成することを
特徴としている。
ものであって、本発明に係る電子部品の製造方法は、セ
ラミックス材料で形成されたセラミックス素体の両端部
に薄膜電極を形成し、該薄膜電極の表面にめっき皮膜を
形成して電子部品を製造する電子部品の製造方法におい
て、水素イオン指数ｐＨが６．０〜１３．０に調製され
ためっき液を使用して前記めっき皮膜を形成することを
特徴としている。
【０００９】上記製造方法によれば、水素イオン指数ｐ
Ｈが６．０〜１３．０の水素イオン濃度の低いめっき液
を使用してめっき処理を施しているので、薄膜電極とセ
ラミックス素体との間に水素ガスが発生するのを回避す
ることが可能となり、これにより薄膜電極がセラミック
ス素体から剥離するのを防止することが可能となる。
Ｈが６．０〜１３．０の水素イオン濃度の低いめっき液
を使用してめっき処理を施しているので、薄膜電極とセ
ラミックス素体との間に水素ガスが発生するのを回避す
ることが可能となり、これにより薄膜電極がセラミック
ス素体から剥離するのを防止することが可能となる。
【００１０】また、本発明の電子部品の製造方法は、上
記製造方法において、ニッケルめっき液及びスズめっき
液を含む２種以上のめっき液を使用して複数のめっき皮
膜を前記薄膜電極上に積層することを特徴とするのも好
ましく、これにより従来と同様の耐熱性やはんだ濡れ性
を確保することが可能となる。
記製造方法において、ニッケルめっき液及びスズめっき
液を含む２種以上のめっき液を使用して複数のめっき皮
膜を前記薄膜電極上に積層することを特徴とするのも好
ましく、これにより従来と同様の耐熱性やはんだ濡れ性
を確保することが可能となる。
【００１１】また、本発明の電子部品の製造方法は、前
記薄膜電極はスパッタリング処理を施して形成すること
を特徴とするのも好ましく、斯かる方法で薄膜電極を形
成することにより、複雑な形状の電極を容易に形成する
ことができる。
記薄膜電極はスパッタリング処理を施して形成すること
を特徴とするのも好ましく、斯かる方法で薄膜電極を形
成することにより、複雑な形状の電極を容易に形成する
ことができる。
【００１２】また、上述したセラミックス材料には、誘
電体材料、圧電体材料、絶縁体材料、又は半導体材料の
中から選択された１種以上を含むことを特徴とするのも
好ましく、これにより、所望のセラミックス電子部品を
製造することが可能となる。
電体材料、圧電体材料、絶縁体材料、又は半導体材料の
中から選択された１種以上を含むことを特徴とするのも
好ましく、これにより、所望のセラミックス電子部品を
製造することが可能となる。
【００１３】また、本発明に係る電子部品は、上述した
めっき方法を使用して製造されていることを特徴として
いる。
めっき方法を使用して製造されていることを特徴として
いる。
【００１４】上記構成によれば、水素イオン指数ｐＨが
６．０〜１３．０に調製されためっき液を使用して電子
部品が製造されているので、薄膜電極がセラミックス素
体から剥離することのない電子部品を得ることができ
る。
６．０〜１３．０に調製されためっき液を使用して電子
部品が製造されているので、薄膜電極がセラミックス素
体から剥離することのない電子部品を得ることができ
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳説する。
を参照しながら詳説する。
【００１６】図１は本発明に係る電子部品の一実施の形
態としてのチップ型セラミック発振子の斜視図であり、
図２は図１のＡ−Ａ断面図である。
態としてのチップ型セラミック発振子の斜視図であり、
図２は図１のＡ−Ａ断面図である。
【００１７】該チップ型セラミック発振子は、チタン酸
バリウム等で形成された上下一対の誘電体基板１、１
と、該誘電体基板１、１に挟着されたチタン酸鉛やチタ
ン酸マグネシウムで形成された圧電体基板２と、誘電体
基板１、１及び圧電体基板２の両端部に形成された膜厚
０．１μｍ〜１．０μｍの薄膜電極３と、該薄膜電極３
の表面に被着された膜厚０．５μｍ〜５μｍのニッケル
皮膜４と、該ニッケル皮膜４の表面に被着された膜厚１
μｍ〜１０μｍのスズ皮膜５とから形成されている。そ
して、本実施の形態では、前記薄膜電極３はスパッタリ
ング法で形成され、前記ニッケル皮膜４及びスズ皮膜５
は水素イオン指数ｐＨが６．０〜１３．０のめっき液を
使用しためっき処理が施されて形成され、上記誘電体基
板１、１及び圧電体基板２とでセラミックス素体を構成
している。
バリウム等で形成された上下一対の誘電体基板１、１
と、該誘電体基板１、１に挟着されたチタン酸鉛やチタ
ン酸マグネシウムで形成された圧電体基板２と、誘電体
基板１、１及び圧電体基板２の両端部に形成された膜厚
０．１μｍ〜１．０μｍの薄膜電極３と、該薄膜電極３
の表面に被着された膜厚０．５μｍ〜５μｍのニッケル
皮膜４と、該ニッケル皮膜４の表面に被着された膜厚１
μｍ〜１０μｍのスズ皮膜５とから形成されている。そ
して、本実施の形態では、前記薄膜電極３はスパッタリ
ング法で形成され、前記ニッケル皮膜４及びスズ皮膜５
は水素イオン指数ｐＨが６．０〜１３．０のめっき液を
使用しためっき処理が施されて形成され、上記誘電体基
板１、１及び圧電体基板２とでセラミックス素体を構成
している。
【００１８】以下、本実施の形態で上述のように各膜厚
及び水素イオン指数ｐＨの範囲を限定した理由を述べ
る。
及び水素イオン指数ｐＨの範囲を限定した理由を述べ
る。
【００１９】（１）薄膜電極３の膜厚
本実施の形態では、前記薄膜電極３はスパッタリング法
で形成されているが、斯かるスパッタリング法では、生
産技術的な観点から、膜厚０．１μｍ未満又は１μｍを
超える薄膜を形成することが困難であり、このため薄膜
電極３の膜厚を０．１μｍ〜１．０μｍ、好ましくは
０．１μｍ〜０．５μｍとなるように形成した。 （２）ニッケル皮膜４の膜厚 ニッケル皮膜４は、電極の耐熱性を高めるべく薄膜電極
の表面に形成されるが、ニッケル皮膜４の膜厚が０．５
μｍ未満になると十分な耐熱性を得ることができず、耐
はんだ食われ性が低下する。一方、ニッケル皮膜４の膜
厚が５μｍを超えるとニッケル皮膜４の応力によって皮
膜の剥がれる虞がある。
で形成されているが、斯かるスパッタリング法では、生
産技術的な観点から、膜厚０．１μｍ未満又は１μｍを
超える薄膜を形成することが困難であり、このため薄膜
電極３の膜厚を０．１μｍ〜１．０μｍ、好ましくは
０．１μｍ〜０．５μｍとなるように形成した。 （２）ニッケル皮膜４の膜厚 ニッケル皮膜４は、電極の耐熱性を高めるべく薄膜電極
の表面に形成されるが、ニッケル皮膜４の膜厚が０．５
μｍ未満になると十分な耐熱性を得ることができず、耐
はんだ食われ性が低下する。一方、ニッケル皮膜４の膜
厚が５μｍを超えるとニッケル皮膜４の応力によって皮
膜の剥がれる虞がある。
【００２０】そこで、本実施の形態ではニッケル皮膜４
の膜厚が０．５μｍ〜５μｍ、好ましくは１μｍ〜３μ
ｍとなるようにニッケルめっきを施した。
の膜厚が０．５μｍ〜５μｍ、好ましくは１μｍ〜３μ
ｍとなるようにニッケルめっきを施した。
【００２１】（３）スズ皮膜５の膜厚
スズ皮膜５は、電極のはんだ濡れ性を向上させる作用を
有することから、ニッケル皮膜４に積層されるが、スズ
皮膜５の膜厚が１μｍ未満になると十分なはんだ濡れ性
を得ることができず、一方、スズ皮膜５の膜厚が１０μ
ｍを超えるとめっき面の表面平滑度が悪化し、はんだ濡
れ性が劣化する虞がある。そこで、本実施の形態では、
スズ皮膜５の膜厚が１μｍ〜１０μｍ、好ましくは３μ
ｍ〜６μｍとなるようにスズめっきを施した。
有することから、ニッケル皮膜４に積層されるが、スズ
皮膜５の膜厚が１μｍ未満になると十分なはんだ濡れ性
を得ることができず、一方、スズ皮膜５の膜厚が１０μ
ｍを超えるとめっき面の表面平滑度が悪化し、はんだ濡
れ性が劣化する虞がある。そこで、本実施の形態では、
スズ皮膜５の膜厚が１μｍ〜１０μｍ、好ましくは３μ
ｍ〜６μｍとなるようにスズめっきを施した。
【００２２】（４）めっき液の水素イオン指数ｐＨ
めっき液の水素イオン指数ｐＨは、薄膜電極３にめっき
処理を施す上で極めて重要である。すなわち、水素イオ
ン指数ｐＨが６．０未満の酸性溶液では、水素イオン濃
度が高くなるため、誘電体基板１、１や圧電体基板２と
薄膜電極３との間に水素ガスが発生し、該水素ガスの圧
力によって薄膜電極３が誘電体基板１、１や圧電体基板
２から剥離してしまう虞がある。一方、水素イオン指数
ｐＨが１３．０を超える強アルカリ性溶液ではその取扱
いが困難になる。そこで、本実施の形態では、水素イオ
ン指数ｐＨが６．０〜１３．０、好ましくは６．０〜１
０．０となるようにめっき液を調製した。
処理を施す上で極めて重要である。すなわち、水素イオ
ン指数ｐＨが６．０未満の酸性溶液では、水素イオン濃
度が高くなるため、誘電体基板１、１や圧電体基板２と
薄膜電極３との間に水素ガスが発生し、該水素ガスの圧
力によって薄膜電極３が誘電体基板１、１や圧電体基板
２から剥離してしまう虞がある。一方、水素イオン指数
ｐＨが１３．０を超える強アルカリ性溶液ではその取扱
いが困難になる。そこで、本実施の形態では、水素イオ
ン指数ｐＨが６．０〜１３．０、好ましくは６．０〜１
０．０となるようにめっき液を調製した。
【００２３】次に、上記チップ型セラミック発振子の製
造方法について詳述する。
造方法について詳述する。
【００２４】まず、所定の周波数を発振するように研磨
したチタン酸鉛やチタン酸マグネシウム等の圧電体基板
２を、同様に研磨したチタン酸バリウム等の一対の誘電
体基板１、１で挟持し、接着剤で互いに接着し、次い
で、所定の導電性材料をターゲット物質とし、電極形状
が所定形状となるようにマスキングしながらスパッタリ
ングを行ない、膜厚０．１μｍ〜１．０μｍの薄膜電極
３を形成する。
したチタン酸鉛やチタン酸マグネシウム等の圧電体基板
２を、同様に研磨したチタン酸バリウム等の一対の誘電
体基板１、１で挟持し、接着剤で互いに接着し、次い
で、所定の導電性材料をターゲット物質とし、電極形状
が所定形状となるようにマスキングしながらスパッタリ
ングを行ない、膜厚０．１μｍ〜１．０μｍの薄膜電極
３を形成する。
【００２５】尚、上記導電性材料としては、特に限定さ
れるものではなく、例えばＮｉ‐Ｃｒ、ＮｉとＣｕの合
金であるモネルメタル等の合金やＣｕ、Ｔｉ、Ａｇ等の
金属材料を使用することができる。
れるものではなく、例えばＮｉ‐Ｃｒ、ＮｉとＣｕの合
金であるモネルメタル等の合金やＣｕ、Ｔｉ、Ａｇ等の
金属材料を使用することができる。
【００２６】次に、水素イオン指数ｐＨが６．０〜１
３．０に調製されたニッケルめっき液を作製し、薄膜電
極３が形成されたセラミックス素体（誘電体基板１、１
及び圧電体基板２）を前記ニッケルめっき液に浸漬し、
周知の湿式電極バレルめっき法により薄膜電極３の表面
に膜厚０．５〜５μｍのニッケル皮膜４を形成する。
３．０に調製されたニッケルめっき液を作製し、薄膜電
極３が形成されたセラミックス素体（誘電体基板１、１
及び圧電体基板２）を前記ニッケルめっき液に浸漬し、
周知の湿式電極バレルめっき法により薄膜電極３の表面
に膜厚０．５〜５μｍのニッケル皮膜４を形成する。
【００２７】次いで、水素イオン指数ｐＨが６．０〜１
３．０に調製されたスズめっき液を作製し、ニッケル皮
膜４が形成されたセラミックス素体を前記スズめっき液
に浸漬し、上述と同様、湿式電極バレルめっき法により
ニッケル皮膜４の表面に膜厚１．０〜１０μｍのスズ皮
膜５を形成し、これによりチップ型セラミック発振子が
製造される。
３．０に調製されたスズめっき液を作製し、ニッケル皮
膜４が形成されたセラミックス素体を前記スズめっき液
に浸漬し、上述と同様、湿式電極バレルめっき法により
ニッケル皮膜４の表面に膜厚１．０〜１０μｍのスズ皮
膜５を形成し、これによりチップ型セラミック発振子が
製造される。
【００２８】尚、ニッケルめっき液中に含まれる成分と
しては水素イオン指数ｐＨが６．０〜１３．０で耐熱性
を確保できるニッケルめっき液が得られるのであれば特
に限定されるものではなく、主成分として、硫酸ニッケ
ル、スルファミン酸ニッケル、酢酸ニッケル等の酸性ニ
ッケル、クエン酸、グリシン、ピロリン酸、酒石酸等の
錯化剤を使用することができる。
しては水素イオン指数ｐＨが６．０〜１３．０で耐熱性
を確保できるニッケルめっき液が得られるのであれば特
に限定されるものではなく、主成分として、硫酸ニッケ
ル、スルファミン酸ニッケル、酢酸ニッケル等の酸性ニ
ッケル、クエン酸、グリシン、ピロリン酸、酒石酸等の
錯化剤を使用することができる。
【００２９】スズめっき液中に含まれる成分も水素イオ
ン指数ｐＨが６．０〜１３．０ではんだ濡れ性を確保で
きるスズめっき液が得られるのであれば特に限定される
ものではなく、主成分として、硫酸第１スズ、スルファ
ミン酸第１スズ、酢酸第１スズ等の酸性スズ、グルコン
酸、グルコノラクトン、グルコン酸ナトリウム等のグル
コン酸塩や、ピロリン酸やピロリン酸ナトリウム等のピ
ロリン酸塩等の錯化剤を使用することができる。
ン指数ｐＨが６．０〜１３．０ではんだ濡れ性を確保で
きるスズめっき液が得られるのであれば特に限定される
ものではなく、主成分として、硫酸第１スズ、スルファ
ミン酸第１スズ、酢酸第１スズ等の酸性スズ、グルコン
酸、グルコノラクトン、グルコン酸ナトリウム等のグル
コン酸塩や、ピロリン酸やピロリン酸ナトリウム等のピ
ロリン酸塩等の錯化剤を使用することができる。
【００３０】このように本実施の形態では、水素イオン
指数ｐＨが６．０〜１３．０に調製されためっき液を使
用して薄膜電極上にニッケルめっき及びスズめっきを施
しているので、耐熱性やはんだ濡れ性を確保しつつ、薄
膜電極がセラミック素体から剥離するのを防止すること
ができる。
指数ｐＨが６．０〜１３．０に調製されためっき液を使
用して薄膜電極上にニッケルめっき及びスズめっきを施
しているので、耐熱性やはんだ濡れ性を確保しつつ、薄
膜電極がセラミック素体から剥離するのを防止すること
ができる。
【００３１】尚、本発明は上記発明の形態に限定される
ものではない。上記実施の形態ではスズめっき液を使用
してニッケル皮膜上にスズめっきを施しているが、スズ
めっきに代えてスズ−鉛、スズ−銀、スズ−銅、スズ−
ビスマス等のスズ合金めっきを施すようにしてもよい。
ものではない。上記実施の形態ではスズめっき液を使用
してニッケル皮膜上にスズめっきを施しているが、スズ
めっきに代えてスズ−鉛、スズ−銀、スズ−銅、スズ−
ビスマス等のスズ合金めっきを施すようにしてもよい。
【００３２】また、上記実施の形態では、上下一対の誘
電体基板で圧電体基板を挟着しているが、前記誘電体基
板に代えてアルミナ等で形成された絶縁体基板を使用し
てもよい。
電体基板で圧電体基板を挟着しているが、前記誘電体基
板に代えてアルミナ等で形成された絶縁体基板を使用し
てもよい。
【００３３】また、上記実施の形態では薄膜電極をスパ
ッタリング法で形成しているが真空蒸着法により蒸着処
理してもよい。
ッタリング法で形成しているが真空蒸着法により蒸着処
理してもよい。
【００３４】また、本実施の形態では電子部品の一例と
してチップ型セラミック発振子について説明したが、ス
パッタリング法や蒸着法により薄膜電極が形成されたチ
ップ型セラミックフィルタ、チップ型ＥＭＩフィルタ
ー、チップ３端子コンデンサ、或いは半導体化された半
導体セラミックスで形成されたチップ型サーミスタにつ
いても同様に適用することができる。また、電子部品の
構造はチップ形状に限られることはなく、ディスク形状
等であってもよく、また、内部電極を有する電子部品に
も適用可能なことはいうまでもない。
してチップ型セラミック発振子について説明したが、ス
パッタリング法や蒸着法により薄膜電極が形成されたチ
ップ型セラミックフィルタ、チップ型ＥＭＩフィルタ
ー、チップ３端子コンデンサ、或いは半導体化された半
導体セラミックスで形成されたチップ型サーミスタにつ
いても同様に適用することができる。また、電子部品の
構造はチップ形状に限られることはなく、ディスク形状
等であってもよく、また、内部電極を有する電子部品に
も適用可能なことはいうまでもない。
【００３５】
【実施例】次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００３６】〔実施例１〕本発明者は、チタン酸鉛の粉
末から縦３．１ｍｍ、横３．７ｍｍ、厚さ０．７ｍｍに
成形された圧電体基板を作製し、チタン酸バリウムの粉
末から縦３．１ｍｍ、横３．７ｍｍ、厚さ０．７ｍｍに
成形された誘電体基板を作製した。そして、圧電体基板
を上下一対の誘電体基板で挟持し、接着剤で接着した
後、Ｎｉ−Ｃｒ合金をターゲットとしてスパッタリング
を行い、膜厚０．２μｍの薄膜電極をセラミックス素体
（圧電体基板及び誘電体基板）の両端部に短冊状に形成
した。
末から縦３．１ｍｍ、横３．７ｍｍ、厚さ０．７ｍｍに
成形された圧電体基板を作製し、チタン酸バリウムの粉
末から縦３．１ｍｍ、横３．７ｍｍ、厚さ０．７ｍｍに
成形された誘電体基板を作製した。そして、圧電体基板
を上下一対の誘電体基板で挟持し、接着剤で接着した
後、Ｎｉ−Ｃｒ合金をターゲットとしてスパッタリング
を行い、膜厚０．２μｍの薄膜電極をセラミックス素体
（圧電体基板及び誘電体基板）の両端部に短冊状に形成
した。
【００３７】次いで、硫酸ニッケル及びクエン酸を主成
分とした水素イオン指数ｐＨが８．０のニッケルめっき
液を作製し、上記薄膜電極が形成されたセラミックス素
体を前記ニッケルめっき液に浸漬し、膜厚３μｍのニッ
ケル皮膜を薄膜電極の表面に形成した。
分とした水素イオン指数ｐＨが８．０のニッケルめっき
液を作製し、上記薄膜電極が形成されたセラミックス素
体を前記ニッケルめっき液に浸漬し、膜厚３μｍのニッ
ケル皮膜を薄膜電極の表面に形成した。
【００３８】次いで、スルファミン酸第１スズ及びグル
コン酸を主成分とした水素イオン指数ｐＨが１０．０の
スズめっき液を作製し、前記ニッケル皮膜が形成された
セラミックス素体を前記スズめっき液に浸漬し、膜厚５
μｍのスズ皮膜をニッケル皮膜の表面に形成し、図１に
示すようなチップ型セラミック発振子を作製した。
コン酸を主成分とした水素イオン指数ｐＨが１０．０の
スズめっき液を作製し、前記ニッケル皮膜が形成された
セラミックス素体を前記スズめっき液に浸漬し、膜厚５
μｍのスズ皮膜をニッケル皮膜の表面に形成し、図１に
示すようなチップ型セラミック発振子を作製した。
【００３９】〔実施例２〕実施例１と同様の手順で、両
端部に薄膜電極が形成されたセラミックス素体を作製し
た後、硫酸ニッケル及びグリシンを主成分とした水素イ
オン指数ｐＨが９．０のニッケルめっき液を作製し、前
記薄膜電極が形成されたセラミックス素体を前記ニッケ
ルめっき液に浸漬し、膜厚２μｍのニッケル皮膜を薄膜
電極の表面に形成した。
端部に薄膜電極が形成されたセラミックス素体を作製し
た後、硫酸ニッケル及びグリシンを主成分とした水素イ
オン指数ｐＨが９．０のニッケルめっき液を作製し、前
記薄膜電極が形成されたセラミックス素体を前記ニッケ
ルめっき液に浸漬し、膜厚２μｍのニッケル皮膜を薄膜
電極の表面に形成した。
【００４０】次いで、硫酸第１スズ及びグルコノラクト
ンを主成分とした水素イオン指数ｐＨが８．０のスズめ
っき液を作製し、前記ニッケル皮膜が形成されたセラミ
ックス素体を前記スズめっき液に浸漬し、膜厚３μｍの
スズ皮膜をニッケル皮膜の表面に形成し、図１に示すよ
うなチップ型セラミック発振子を作製した。
ンを主成分とした水素イオン指数ｐＨが８．０のスズめ
っき液を作製し、前記ニッケル皮膜が形成されたセラミ
ックス素体を前記スズめっき液に浸漬し、膜厚３μｍの
スズ皮膜をニッケル皮膜の表面に形成し、図１に示すよ
うなチップ型セラミック発振子を作製した。
【００４１】〔実施例３〕実施例１と同様の手順で、両
端部に薄膜電極が形成されたセラミックス素体を作製し
た後、スルファミン酸ニッケル及びピロリン酸を主成分
とした水素イオン指数ｐＨが８．５のニッケルめっき液
を作製し、前記薄膜電極が形成されたセラミックス素体
を前記ニッケルめっき液に浸漬し、膜厚３μｍのニッケ
ル皮膜を薄膜電極の表面に形成した。
端部に薄膜電極が形成されたセラミックス素体を作製し
た後、スルファミン酸ニッケル及びピロリン酸を主成分
とした水素イオン指数ｐＨが８．５のニッケルめっき液
を作製し、前記薄膜電極が形成されたセラミックス素体
を前記ニッケルめっき液に浸漬し、膜厚３μｍのニッケ
ル皮膜を薄膜電極の表面に形成した。
【００４２】次いで、硫酸第１スズ及びグルコン酸ナト
リウムを主成分とした水素イオン指数ｐＨが９．０のス
ズめっき液を作製し、前記ニッケル皮膜が形成されたセ
ラミックス素体を前記スズめっき液に浸漬し、膜厚６μ
ｍのスズ皮膜をニッケル皮膜の表面に形成し、図１に示
すようなチップ型セラミック発振子を作製した。
リウムを主成分とした水素イオン指数ｐＨが９．０のス
ズめっき液を作製し、前記ニッケル皮膜が形成されたセ
ラミックス素体を前記スズめっき液に浸漬し、膜厚６μ
ｍのスズ皮膜をニッケル皮膜の表面に形成し、図１に示
すようなチップ型セラミック発振子を作製した。
【００４３】〔実施例４〕実施例１と同様の手順で、両
端部に薄膜電極が形成されたセラミックス素体を作製し
た後、酢酸ニッケル及び酒石酸を主成分とした水素イオ
ン指数ｐＨが６．０のニッケルめっき液を作製し、前記
薄膜電極が形成されたセラミックス素体を前記ニッケル
めっき液に浸漬し、膜厚３μｍのニッケル皮膜を薄膜電
極の表面に形成した。
端部に薄膜電極が形成されたセラミックス素体を作製し
た後、酢酸ニッケル及び酒石酸を主成分とした水素イオ
ン指数ｐＨが６．０のニッケルめっき液を作製し、前記
薄膜電極が形成されたセラミックス素体を前記ニッケル
めっき液に浸漬し、膜厚３μｍのニッケル皮膜を薄膜電
極の表面に形成した。
【００４４】次いで、酢酸第１スズ及びピロリン酸ナト
リウムを主成分とした水素イオン指数ｐＨが５．０のス
ズめっき液を作製し、前記ニッケル皮膜が形成されたセ
ラミックス素体を前記スズめっき液に浸漬し、膜厚５μ
ｍのスズ皮膜をニッケル皮膜の表面に形成し、図１に示
すようなチップ型セラミック発振子を作製した。
リウムを主成分とした水素イオン指数ｐＨが５．０のス
ズめっき液を作製し、前記ニッケル皮膜が形成されたセ
ラミックス素体を前記スズめっき液に浸漬し、膜厚５μ
ｍのスズ皮膜をニッケル皮膜の表面に形成し、図１に示
すようなチップ型セラミック発振子を作製した。
【００４５】〔比較例１〕実施例１と同様の手順で、両
端部に薄膜電極が形成されたセラミックス素体を作製し
た後、硫酸ニッケル及び酒石酸を主成分とした水素イオ
ン指数ｐＨが４．０のニッケルめっき液を作製し、前記
薄膜電極が形成されたセラミックス素体を前記ニッケル
めっき液に浸漬し、膜厚３μｍのニッケル皮膜を薄膜電
極の表面に形成した。
端部に薄膜電極が形成されたセラミックス素体を作製し
た後、硫酸ニッケル及び酒石酸を主成分とした水素イオ
ン指数ｐＨが４．０のニッケルめっき液を作製し、前記
薄膜電極が形成されたセラミックス素体を前記ニッケル
めっき液に浸漬し、膜厚３μｍのニッケル皮膜を薄膜電
極の表面に形成した。
【００４６】次いで、硫酸第１スズ及びクエン酸を主成
分とした水素イオン指数ｐＨが５．０のスズめっき液を
作製し、前記ニッケル皮膜が形成されたセラミックス素
体を前記スズめっき液に浸漬し、膜厚５μｍのスズ皮膜
をニッケル皮膜の表面に形成し、図１に示すようなチッ
プ型セラミック発振子を作製した。
分とした水素イオン指数ｐＨが５．０のスズめっき液を
作製し、前記ニッケル皮膜が形成されたセラミックス素
体を前記スズめっき液に浸漬し、膜厚５μｍのスズ皮膜
をニッケル皮膜の表面に形成し、図１に示すようなチッ
プ型セラミック発振子を作製した。
【００４７】〔比較例２〕実施例１と同様の手順で、両
端部に薄膜電極が形成されたセラミックス素体を作製し
た後、スルファミン酸ニッケル及びホウ酸を主成分とし
た水素イオン指数ｐＨが４．５のニッケルめっき液を作
製し、前記薄膜電極が形成されたセラミックス素体を前
記ニッケルめっき液に浸漬し、膜厚２μｍのニッケル皮
膜を薄膜電極の表面に形成した。
端部に薄膜電極が形成されたセラミックス素体を作製し
た後、スルファミン酸ニッケル及びホウ酸を主成分とし
た水素イオン指数ｐＨが４．５のニッケルめっき液を作
製し、前記薄膜電極が形成されたセラミックス素体を前
記ニッケルめっき液に浸漬し、膜厚２μｍのニッケル皮
膜を薄膜電極の表面に形成した。
【００４８】次いで、スルファミン酸第１スズ及びクレ
ゾールスルホン酸を主成分とした水素イオン指数ｐＨが
３．０のスズめっき液を作製し、前記ニッケル皮膜が形
成されたセラミックス素体を前記スズめっき液に浸漬
し、膜厚３μｍのスズ皮膜をニッケル皮膜の表面に形成
し、図１に示すようなチップ型セラミック発振子を作製
した。
ゾールスルホン酸を主成分とした水素イオン指数ｐＨが
３．０のスズめっき液を作製し、前記ニッケル皮膜が形
成されたセラミックス素体を前記スズめっき液に浸漬
し、膜厚３μｍのスズ皮膜をニッケル皮膜の表面に形成
し、図１に示すようなチップ型セラミック発振子を作製
した。
【００４９】〔比較例３〕実施例１と同様の手順で、両
端部に薄膜電極が形成されたセラミックス素体を作製し
た後、塩化ニッケル及びホウ酸を主成分とした水素イオ
ン指数ｐＨが４．０のニッケルめっき液を作製し、前記
薄膜電極が形成されたセラミックス素体を前記ニッケル
めっき液に浸漬し、膜厚３μｍのニッケル皮膜を薄膜電
極の表面に形成した。
端部に薄膜電極が形成されたセラミックス素体を作製し
た後、塩化ニッケル及びホウ酸を主成分とした水素イオ
ン指数ｐＨが４．０のニッケルめっき液を作製し、前記
薄膜電極が形成されたセラミックス素体を前記ニッケル
めっき液に浸漬し、膜厚３μｍのニッケル皮膜を薄膜電
極の表面に形成した。
【００５０】次いで、酢酸第１スズ及びクエン酸アンモ
ニウムを主成分とした水素イオン指数ｐＨが４．０のス
ズめっき液を作製し、前記ニッケル皮膜が形成されたセ
ラミックス素体を前記スズめっき液に浸漬し、膜厚６μ
ｍのスズ皮膜をニッケル皮膜の表面に形成し、図１に示
すようなチップ型セラミック発振子を作製した。
ニウムを主成分とした水素イオン指数ｐＨが４．０のス
ズめっき液を作製し、前記ニッケル皮膜が形成されたセ
ラミックス素体を前記スズめっき液に浸漬し、膜厚６μ
ｍのスズ皮膜をニッケル皮膜の表面に形成し、図１に示
すようなチップ型セラミック発振子を作製した。
【００５１】本発明者は上記実施例１〜４及び比較例１
〜３のチップ型セラミック発振子を各々１０個ずつ作製
し、これらチップ型セラミック発振子について、めっき
後の電極剥離、はんだ濡れ性、及び耐熱性を評価した。
〜３のチップ型セラミック発振子を各々１０個ずつ作製
し、これらチップ型セラミック発振子について、めっき
後の電極剥離、はんだ濡れ性、及び耐熱性を評価した。
【００５２】ここで、電極剥離は各１０個の試験片に対
し、粘着テープを貼着し、粘着テープを各試験片から剥
がした場合に電極が剥離するか否かで評価した。
し、粘着テープを貼着し、粘着テープを各試験片から剥
がした場合に電極が剥離するか否かで評価した。
【００５３】また、はんだ濡れ性は、メニスコグラフ法
によりはんだの引張力とはんだの排斥力とが等しくなる
ゼロクロス時間で評価した。すなわち、浸漬速度１ｍｍ
／sec、浸漬深さ０．２５ｍｍ、浸漬時間５secで浴温２
３５℃のはんだ溶融槽（６０％Ｓｎ−４０％Ｐｂ）に浸
漬し、前記ゼロクロス時間を測定してはんだ濡れ性を評
価した。
によりはんだの引張力とはんだの排斥力とが等しくなる
ゼロクロス時間で評価した。すなわち、浸漬速度１ｍｍ
／sec、浸漬深さ０．２５ｍｍ、浸漬時間５secで浴温２
３５℃のはんだ溶融槽（６０％Ｓｎ−４０％Ｐｂ）に浸
漬し、前記ゼロクロス時間を測定してはんだ濡れ性を評
価した。
【００５４】また、耐熱性は、２７０℃のはんだ溶融槽
（６０％Ｓｎ−４０％Ｐｂ）に各試験片を３０秒間浸漬
した後、電極がはんだに溶融せずに残存した残存面積を
測定して評価し、残存面積が９０％以上の場合を良、残
存面積が７５％以上９０％未満の場合を可、残存面積が
５０％以上７５％未満の場合をやや不良、残存面積が５
０未満の場合を不可と評価した。
（６０％Ｓｎ−４０％Ｐｂ）に各試験片を３０秒間浸漬
した後、電極がはんだに溶融せずに残存した残存面積を
測定して評価し、残存面積が９０％以上の場合を良、残
存面積が７５％以上９０％未満の場合を可、残存面積が
５０％以上７５％未満の場合をやや不良、残存面積が５
０未満の場合を不可と評価した。
【００５５】表１は各実施例及び比較例のめっき条件と
実験結果を示している。
実験結果を示している。
【００５６】
【表１】
ここで、表１中、「耐熱性」の欄で◎印は良、〇印は
可、△印はやや不良、×印は不可を夫々示している。
可、△印はやや不良、×印は不可を夫々示している。
【００５７】この表１から明らかなように比較例１は耐
熱性には優れているものの水素イオン指数ｐＨが小さ
く、したがって水素イオン濃度が高いめっき液を使用し
ているので、薄膜電極とセラミックス素体との間に水素
ガスが発生し、このため３０％の確率で電極剥離が生
じ、また電極剥離が生じ易くなっているため、ゼロクロ
ス時間も３．２秒と長くなり、はんだ濡れ性も悪化して
いることが確認された。
熱性には優れているものの水素イオン指数ｐＨが小さ
く、したがって水素イオン濃度が高いめっき液を使用し
ているので、薄膜電極とセラミックス素体との間に水素
ガスが発生し、このため３０％の確率で電極剥離が生
じ、また電極剥離が生じ易くなっているため、ゼロクロ
ス時間も３．２秒と長くなり、はんだ濡れ性も悪化して
いることが確認された。
【００５８】また、比較例２は、特にスズめっき液の水
素イオン指数ｐＨが３．０と小さく、したがって水素イ
オン濃度が高いため、電極剥離の確率が８０％と高く、
また高水素イオン濃度でしかもスズ皮膜やニッケル皮膜
の膜厚も比較的薄いため、これらの相乗作用によりゼロ
クロス時間も４．１secと長くなってはんだ濡れ性も悪
化し、また耐熱性も悪いことが確認された。
素イオン指数ｐＨが３．０と小さく、したがって水素イ
オン濃度が高いため、電極剥離の確率が８０％と高く、
また高水素イオン濃度でしかもスズ皮膜やニッケル皮膜
の膜厚も比較的薄いため、これらの相乗作用によりゼロ
クロス時間も４．１secと長くなってはんだ濡れ性も悪
化し、また耐熱性も悪いことが確認された。
【００５９】比較例３も、水素イオン指数ｐＨが６．０
未満のめっき液を使用しているため、５０％の確率で電
極剥離が生じ、ゼロクロス時間も２．３秒と２秒以上か
かり、はんだ濡れ性も若干悪化していることが確認され
た。
未満のめっき液を使用しているため、５０％の確率で電
極剥離が生じ、ゼロクロス時間も２．３秒と２秒以上か
かり、はんだ濡れ性も若干悪化していることが確認され
た。
【００６０】これに対して実施例１〜４は水素イオン指
数ｐＨがいずれも６．０〜１０．０に調製されたニッケ
ルめっき液及びスズめっき液を使用してめっき処理して
いるので、水素イオン濃度の低く、セラミック素体と薄
膜電極との間における水素ガスの発生を抑制することが
でき、したがって電極剥離も生じることがなく、ゼロク
ロス時間も０．８sec〜１．７secと短く、はんだ濡れ性
が良好であり、また耐熱性も優れていることが確認され
た。
数ｐＨがいずれも６．０〜１０．０に調製されたニッケ
ルめっき液及びスズめっき液を使用してめっき処理して
いるので、水素イオン濃度の低く、セラミック素体と薄
膜電極との間における水素ガスの発生を抑制することが
でき、したがって電極剥離も生じることがなく、ゼロク
ロス時間も０．８sec〜１．７secと短く、はんだ濡れ性
が良好であり、また耐熱性も優れていることが確認され
た。
【００６１】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る電子部
品の製造方法は、セラミックス材料で形成されたセラミ
ックス素体の端部に薄膜電極を形成し、該薄膜電極の表
面にめっき皮膜を形成して電子部品を製造する電子部品
の製造方法において、水素イオン指数ｐＨが６．０〜１
３．０に調製されためっき液を使用して前記めっき皮膜
を形成しているので、水素イオン濃度の低いめっき液で
めっき処理が施され、したがって薄膜電極とセラミック
ス素体との間で水素ガスが発生するのを回避することが
でき、薄膜電極がセラミックス素体から剥離するのを防
止することができる。
品の製造方法は、セラミックス材料で形成されたセラミ
ックス素体の端部に薄膜電極を形成し、該薄膜電極の表
面にめっき皮膜を形成して電子部品を製造する電子部品
の製造方法において、水素イオン指数ｐＨが６．０〜１
３．０に調製されためっき液を使用して前記めっき皮膜
を形成しているので、水素イオン濃度の低いめっき液で
めっき処理が施され、したがって薄膜電極とセラミック
ス素体との間で水素ガスが発生するのを回避することが
でき、薄膜電極がセラミックス素体から剥離するのを防
止することができる。
【００６２】また、本発明は上記製造方法において、ニ
ッケルめっき液及びスズめっき液を含む２種以上のめっ
き液を使用して複数のめっき皮膜を前記薄膜電極上に積
層しているので、上述した薄膜電極の剥離防止と共に、
はんだ濡れ性や耐熱性にも優れた電子部品を製造するこ
とができる。
ッケルめっき液及びスズめっき液を含む２種以上のめっ
き液を使用して複数のめっき皮膜を前記薄膜電極上に積
層しているので、上述した薄膜電極の剥離防止と共に、
はんだ濡れ性や耐熱性にも優れた電子部品を製造するこ
とができる。
【００６３】また、前記薄膜電極はスパッタリング処理
により形成することにより、上述した効果に加えて所望
の複雑な形状を有する薄膜電極を備えた高性能の電子部
品を容易に製造することができる。
により形成することにより、上述した効果に加えて所望
の複雑な形状を有する薄膜電極を備えた高性能の電子部
品を容易に製造することができる。
【００６４】さらに、本発明は、前記セラミックス材料
には、誘電体材料、圧電体材料、絶縁体材料、又は半導
体材料の中から選択された１種以上を含むので、様々な
セラミックス製の電子部品に適用することが可能とな
る。
には、誘電体材料、圧電体材料、絶縁体材料、又は半導
体材料の中から選択された１種以上を含むので、様々な
セラミックス製の電子部品に適用することが可能とな
る。
【００６５】また、本発明に係る電子部品は、上述した
製造方法で製造されているので、優れた耐熱性や良好な
はんだ濡れ性を有すると共に、電極剥離の生じない信頼
性の高い電子部品を得ることができる。
製造方法で製造されているので、優れた耐熱性や良好な
はんだ濡れ性を有すると共に、電極剥離の生じない信頼
性の高い電子部品を得ることができる。
【図１】本発明に係る電子部品の一実施の形態としての
チップ型セラミック発振子の斜視図である。
チップ型セラミック発振子の斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
１ 誘電体基板（セラミックス素体）
２ 圧電体基板（セラミックス素体）
３ 薄膜電極
４ ニッケル皮膜（めっき皮膜）
５ スズ皮膜（めっき皮膜）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4K023 AA12 AA17 BA06 BA21 CB03
CB16 DA04
4K024 AA03 AA07 AB03 AB15 BA01
BA15 BB10 BC10 GA01
4K044 AA01 AA13 AB10 BB04 BC04
CA13 CA18
Claims (5)
- 【請求項１】 セラミックス材料で形成されたセラミッ
クス素体の両端部に薄膜電極を形成し、該薄膜電極の表
面にめっき皮膜を形成して電子部品を製造する電子部品
の製造方法において、 水素イオン指数ｐＨが６．０〜１３．０に調製されため
っき液を使用して前記めっき皮膜を形成することを特徴
とする電子部品の製造方法。 - 【請求項２】 ニッケルめっき液及びスズめっき液を含
む２種以上のめっき液を使用して複数のめっき皮膜を前
記薄膜電極上に積層することを特徴とする請求項１記載
の電子部品の製造方法。 - 【請求項３】 前記薄膜電極は、スパッタリング処理を
施して形成することを特徴とする請求項１又は請求項２
記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項４】 前記セラミックス材料には、誘電体材
料、圧電体材料、絶縁体材料、又は半導体材料の中から
選択された１種以上を含むことを特徴とする請求項１乃
至請求項３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の電子部品の製造方法で製造されていることを特徴とす
る電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001337826A JP2003147573A (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | 電子部品の製造方法、及び電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001337826A JP2003147573A (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | 電子部品の製造方法、及び電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003147573A true JP2003147573A (ja) | 2003-05-21 |
Family
ID=19152412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001337826A Pending JP2003147573A (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | 電子部品の製造方法、及び電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003147573A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006222415A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
| WO2007088600A1 (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | セラミック電子部品の製造方法及びめっき浴 |
| JP2008248335A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tdk Corp | セラミックス電子部品の製造方法 |
-
2001
- 2001-11-02 JP JP2001337826A patent/JP2003147573A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006222415A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
| WO2007088600A1 (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | セラミック電子部品の製造方法及びめっき浴 |
| JPWO2007088600A1 (ja) * | 2006-02-01 | 2009-06-25 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品の製造方法及びめっき浴 |
| US7765661B2 (en) | 2006-02-01 | 2010-08-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing ceramic electronic component and planting bath |
| JP4539719B2 (ja) * | 2006-02-01 | 2010-09-08 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品の製造方法及びＳｎめっき浴 |
| JP2008248335A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tdk Corp | セラミックス電子部品の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040607 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050614 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050621 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050810 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061214 |