JPS60262304A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPS60262304A JPS60262304A JP11550284A JP11550284A JPS60262304A JP S60262304 A JPS60262304 A JP S60262304A JP 11550284 A JP11550284 A JP 11550284A JP 11550284 A JP11550284 A JP 11550284A JP S60262304 A JPS60262304 A JP S60262304A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- coating
- nickel
- metal coating
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は導電体に係り、とくに透明導電膜上の所要部分
に金属被膜を形成した導電体に関する０ 酸化イノジウムや酸化スズ等を主成分とする透明導電膜
が、液晶やエレクトロクロミイ等の表示素子の電極や、
太陽電池の電極等として広く用いられている。この透明
導電膜上に半田付けを行ったりソケット類の接続端子と
して用いる際の、強度の補強や抵抗値の外戚等の目的で
、該透明導電膜上の所要部分に金属被膜を形成すること
がしばし、ば行われる。
に金属被膜を形成した導電体に関する０ 酸化イノジウムや酸化スズ等を主成分とする透明導電膜
が、液晶やエレクトロクロミイ等の表示素子の電極や、
太陽電池の電極等として広く用いられている。この透明
導電膜上に半田付けを行ったりソケット類の接続端子と
して用いる際の、強度の補強や抵抗値の外戚等の目的で
、該透明導電膜上の所要部分に金属被膜を形成すること
がしばし、ば行われる。
この余端被膜の形成方法として、Ｎｉ陽イオンの原料と
して硫酸ニッケル又は塩化ニッケルを含み、次亜リン酸
塩を還元剤として含むメッキ液にて無電解メッキ法によ
り透明電極上にＮ１−Ｐメッキ被膜を施す方法が一般に
行われている。しかるに、次亜リン酸塩によるＮ４−
ｐメッキ被膜は、内部応力が太きいため膜厚２５００＾
近傍に透明導電膜との密着強度のピークが存在し１、そ
れ以上膜′厚を厚くすると密着強度が急１１□ に低下
するという欠点を有していた。このため、内部応力を少
くする目的でメッキ液にサッカリン等の添加剤を加える
方法も行われているが、この方法ではメッキ後のＮｉ
−Ｐメッキ被膜の経時変化が起り信頼性に乏しいという
欠点があった。また、密着強度を保つためにＮ１−Ｐメ
ッキ被膜の膜厚ｔ ｚｓｏｏＸ程度に保つと、メッキ被
膜の膜厚が薄いため、半田付けを施す際に透明導電膜が
溶融するいわゆる「半田喰れ」現象により該メッキ被膜
の膜厚が減少し５、ついにはメッキ被膜が消失してしま
う場合がある。このためメッキ被膜の膜厚はある程度以
上の厚さを確保しなけれはならない。更に、Ｎ１−Ｐメ
ッキ被膜は半田に対する濡れ性も悪く半田付の作業能率
が悪いという欠点も有していた。
して硫酸ニッケル又は塩化ニッケルを含み、次亜リン酸
塩を還元剤として含むメッキ液にて無電解メッキ法によ
り透明電極上にＮ１−Ｐメッキ被膜を施す方法が一般に
行われている。しかるに、次亜リン酸塩によるＮ４−
ｐメッキ被膜は、内部応力が太きいため膜厚２５００＾
近傍に透明導電膜との密着強度のピークが存在し１、そ
れ以上膜′厚を厚くすると密着強度が急１１□ に低下
するという欠点を有していた。このため、内部応力を少
くする目的でメッキ液にサッカリン等の添加剤を加える
方法も行われているが、この方法ではメッキ後のＮｉ
−Ｐメッキ被膜の経時変化が起り信頼性に乏しいという
欠点があった。また、密着強度を保つためにＮ１−Ｐメ
ッキ被膜の膜厚ｔ ｚｓｏｏＸ程度に保つと、メッキ被
膜の膜厚が薄いため、半田付けを施す際に透明導電膜が
溶融するいわゆる「半田喰れ」現象により該メッキ被膜
の膜厚が減少し５、ついにはメッキ被膜が消失してしま
う場合がある。このためメッキ被膜の膜厚はある程度以
上の厚さを確保しなけれはならない。更に、Ｎ１−Ｐメ
ッキ被膜は半田に対する濡れ性も悪く半田付の作業能率
が悪いという欠点も有していた。
一方、還元剤として水素化ホウ素ナトリウムを含むメッ
キ液を用い、無電解メッキ法で透明導電膜上にＮ１−Ｂ
メッキ被膜を形成する方法も用いられている。Ｎ１−Ｂ
メッキ被膜は、Ｎ１−Ｐメッキ被膜に比べ内部応力が１
７３ないし１／４と低く、抵抗値も約１７２であり、ま
た、高温でアニーリング処理を施して本良好な半田濡れ
性を示すという利点を有している。しかるに（透明褥’
Ｆ［膜上にＮ１−Ｂメッキ被膜を単層で）形成した場合
に［、Ｎ１−Ｐメッキ被膜に比して透明導１！膜との間
に十分な密着強度が得られないため、上述の利点にもか
かわらず実用化されにくかった。
キ液を用い、無電解メッキ法で透明導電膜上にＮ１−Ｂ
メッキ被膜を形成する方法も用いられている。Ｎ１−Ｂ
メッキ被膜は、Ｎ１−Ｐメッキ被膜に比べ内部応力が１
７３ないし１／４と低く、抵抗値も約１７２であり、ま
た、高温でアニーリング処理を施して本良好な半田濡れ
性を示すという利点を有している。しかるに（透明褥’
Ｆ［膜上にＮ１−Ｂメッキ被膜を単層で）形成した場合
に［、Ｎ１−Ｐメッキ被膜に比して透明導１！膜との間
に十分な密着強度が得られないため、上述の利点にもか
かわらず実用化されにくかった。
本発明は、この様な透明導電膜上の所要部分に金属被膜
を形成した従来の導電体の欠点を解消するためになされ
たものである。即ち、本発明は、半田喰れ現象に対して
も十分な耐性を有し、透明導電膜に対する密着強度も強
く、抵抗値が小く、半田濡れ性の良い金属被膜を透明導
電膜上の所要部分に形成した導電体を提供することを目
的とする。
を形成した従来の導電体の欠点を解消するためになされ
たものである。即ち、本発明は、半田喰れ現象に対して
も十分な耐性を有し、透明導電膜に対する密着強度も強
く、抵抗値が小く、半田濡れ性の良い金属被膜を透明導
電膜上の所要部分に形成した導電体を提供することを目
的とする。
本発明は、Ｎ１−Ｂ金属被膜の上記の利点と、Ｎ１−Ｂ
金属被膜はＮ１−Ｂ金属被膜に対して良好な密着性を示
すという特性金利用したものであり、酸化インジウムま
たは酸化スズのいずれか一方あるいは双方ケ主成分とす
る透明導電膜上の所要部分に、Ｎｉ元素にＰ元素が融合
１、膜状となったＮ１−Ｂ金属被膜を形成し７、該Ｎｉ
−Ｐ金属被膜上に、Ｎ１元素にホウ素元素が融合し膜
状となったＮ１−Ｂ金属被膜を形成してなることを特徴
とする導電体である。
金属被膜はＮ１−Ｂ金属被膜に対して良好な密着性を示
すという特性金利用したものであり、酸化インジウムま
たは酸化スズのいずれか一方あるいは双方ケ主成分とす
る透明導電膜上の所要部分に、Ｎｉ元素にＰ元素が融合
１、膜状となったＮ１−Ｂ金属被膜を形成し７、該Ｎｉ
−Ｐ金属被膜上に、Ｎ１元素にホウ素元素が融合し膜
状となったＮ１−Ｂ金属被膜を形成してなることを特徴
とする導電体である。
本発明の導電体音さらに詳しく説明する。
ｉ明導電膜としては酸化インジウムまたは酸化スズを主
成分とする公知の物質を用い、−例トシては、インシュ
ウムチンオキサイドを用いる０ 透明導電膜上にＮ１−Ｂ金属被膜またはＮ１−Ｂ金属被
膜を形成する方法とし、ては、メッキ法。
成分とする公知の物質を用い、−例トシては、インシュ
ウムチンオキサイドを用いる０ 透明導電膜上にＮ１−Ｂ金属被膜またはＮ１−Ｂ金属被
膜を形成する方法とし、ては、メッキ法。
蒸着法、スパッタ法、印刷法、エツチング法等のいずれ
の方法を用いてもよいが、形成方法の答易さ、形成され
た被膜の密着強度等の特性上無電解メッキ法が望ましい
。
の方法を用いてもよいが、形成方法の答易さ、形成され
た被膜の密着強度等の特性上無電解メッキ法が望ましい
。
Ｎｃ−ｐ金属被膜および旧−Ｂ金属被膜の膜厚は、内部
応力による密着強度特性、半田喰れ、現象、抵抗値等を
考慮し、各膜厚ｙ２５００Ｘないし５０００＾に形成す
るのが望ましい。特に、Ｎ１−Ｂ金属被膜は透明導電膜
に対する密着強度が膜厚２゛５００Ｘ近傍で最大となる
ため、Ｎ１＝Ｐ金属被膜の膜厚を２５００＾とし、該Ｎ
１−Ｐ金属被膜の上面に形成するＮ１−Ｂ金属被膜の膜
厚を、耐半田付性全考慮し、５００Ｘないし ５ｏｏｏ
；、の範囲内で所望の膜厚に形成し、た場合良好な特性
が得られる。即ち、この様に形成し、た複層被膜はＮ１
−Ｐの単層被１関全同じ膜厚で形成したものに比べ、半
田濡れ性も良く、密着強度も３０％ないし４０％高い値
が得られる。
応力による密着強度特性、半田喰れ、現象、抵抗値等を
考慮し、各膜厚ｙ２５００Ｘないし５０００＾に形成す
るのが望ましい。特に、Ｎ１−Ｂ金属被膜は透明導電膜
に対する密着強度が膜厚２゛５００Ｘ近傍で最大となる
ため、Ｎ１＝Ｐ金属被膜の膜厚を２５００＾とし、該Ｎ
１−Ｐ金属被膜の上面に形成するＮ１−Ｂ金属被膜の膜
厚を、耐半田付性全考慮し、５００Ｘないし ５ｏｏｏ
；、の範囲内で所望の膜厚に形成し、た場合良好な特性
が得られる。即ち、この様に形成し、た複層被膜はＮ１
−Ｐの単層被１関全同じ膜厚で形成したものに比べ、半
田濡れ性も良く、密着強度も３０％ないし４０％高い値
が得られる。
被膜の抵抗値を特に小さくシ、たい場合や、■ａ等ｌ半
田付けする際に該ＩＣ等の保護のため半田付けの除用い
るフラックスにハロゲン物質が低量しか含まれない弱活
性ロジン系のものを使用する場合には、Ｎ１−Ｂ金属被
膜は半田の乗りが悪くなるため、弱活性ロジン系の７ラ
ツクスを用いても半田乗りが良く、また抵抗値の小さく
金属被膜をＮｉ−Ｂ金属被膜上に形成するのが望ましい
。この様な金属被膜としては、Ｃｕ若しくはＡｌｌまた
はＡ１若しくはＩｎ若しくは錫等の金属をメッキ法、蒸
着法等の被膜形成方法により形成したものを用いると好
ましい結果が得られる。Ｏｕ又はＡｕ被膜をメッキ法で
形成する場合には、膜厚を１μｍ以下として、Ｎｊ、−
Ｂ金属被膜の半田付けを行う部分上に被膜を形成すれば
良い。
田付けする際に該ＩＣ等の保護のため半田付けの除用い
るフラックスにハロゲン物質が低量しか含まれない弱活
性ロジン系のものを使用する場合には、Ｎ１−Ｂ金属被
膜は半田の乗りが悪くなるため、弱活性ロジン系の７ラ
ツクスを用いても半田乗りが良く、また抵抗値の小さく
金属被膜をＮｉ−Ｂ金属被膜上に形成するのが望ましい
。この様な金属被膜としては、Ｃｕ若しくはＡｌｌまた
はＡ１若しくはＩｎ若しくは錫等の金属をメッキ法、蒸
着法等の被膜形成方法により形成したものを用いると好
ましい結果が得られる。Ｏｕ又はＡｕ被膜をメッキ法で
形成する場合には、膜厚を１μｍ以下として、Ｎｊ、−
Ｂ金属被膜の半田付けを行う部分上に被膜を形成すれば
良い。
以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説明する。
実施例
第１図の断面図に示すように、ソーダガラス１上にイン
ジウムチンオキサイド（工ＴＯ）からなる透明導電膜２
を膜厚４００Ｘに形成し、基板３を構成し５た。この基
板３を前処理としてヘモゾール、アルカリ洗浄をし、次
に触媒処理、活性化処理を施し、た後に次亜リン酸塩を
還元剤として含む硫酸ニッケルメッキ溶液を温度８０℃
に温め、前記基板３を６０秒間該メッキ溶液に浸漬しＮ
１−Ｐメッキ被膜４を該、基板３上の所定位置に２５０
０ Ｘの膜厚で形成した。その後肢基板３を室温乾燥し
、更に２００℃で１時間大気中でのアニーリング処理を
行った。次に第２層目のメッキを施す前処理として該基
板３上のＮ１−Ｐメッキ被膜４を酸で洗浄し１、環元剤
としてホウ木酸ナトリウムを含む硫酸ニッケルメッキ溶
液を６０℃に温め、該メッキ溶液に前記基板３を６０秒
間浸漬し前記Ｎ１−Ｐメッキ被膜４上に２５００Ｘの膜
厚のＮ１−Ｂメッキ被膜５を形成した。その後塩化第２
鉄溶液で透明導電膜及び各メッキ被膜を所定のパターン
にエツチングし導電体を形成し７た。
ジウムチンオキサイド（工ＴＯ）からなる透明導電膜２
を膜厚４００Ｘに形成し、基板３を構成し５た。この基
板３を前処理としてヘモゾール、アルカリ洗浄をし、次
に触媒処理、活性化処理を施し、た後に次亜リン酸塩を
還元剤として含む硫酸ニッケルメッキ溶液を温度８０℃
に温め、前記基板３を６０秒間該メッキ溶液に浸漬しＮ
１−Ｐメッキ被膜４を該、基板３上の所定位置に２５０
０ Ｘの膜厚で形成した。その後肢基板３を室温乾燥し
、更に２００℃で１時間大気中でのアニーリング処理を
行った。次に第２層目のメッキを施す前処理として該基
板３上のＮ１−Ｐメッキ被膜４を酸で洗浄し１、環元剤
としてホウ木酸ナトリウムを含む硫酸ニッケルメッキ溶
液を６０℃に温め、該メッキ溶液に前記基板３を６０秒
間浸漬し前記Ｎ１−Ｐメッキ被膜４上に２５００Ｘの膜
厚のＮ１−Ｂメッキ被膜５を形成した。その後塩化第２
鉄溶液で透明導電膜及び各メッキ被膜を所定のパターン
にエツチングし導電体を形成し７た。
このようにして、Ｎ１−Ｐ、Ｎ１−Ｂ各メッキ［い燵飛
２５ Ｃ’ ＯＹ、総厚５０００ 大の膜厚で透明導電
膜２上に形成した本実施例の導電体を、本実施例のＮ１
−Ｐ メッキ被膜を形成したのと同一の方法で透明導電
膜上に単層のＮ土−Ｐメッキ被膜を形成した導電体と比
較すると、半田濡れ性、密着強度ともに本実施例の導電
体のメッキ被膜の方が優れた特性を示し、た。特に密着
強度については、９０°ビール法で本実施例のメッキ被
膜が平均で１． Ｏ）ｒｑ／２ Ｘ ２祁であったに比
べＮ１−Ｐ単層被膜は０．５卸／ ２ Ｘ ２ ｗｍと
１／２の密着強度しか得られなかった。
２５ Ｃ’ ＯＹ、総厚５０００ 大の膜厚で透明導電
膜２上に形成した本実施例の導電体を、本実施例のＮ１
−Ｐ メッキ被膜を形成したのと同一の方法で透明導電
膜上に単層のＮ土−Ｐメッキ被膜を形成した導電体と比
較すると、半田濡れ性、密着強度ともに本実施例の導電
体のメッキ被膜の方が優れた特性を示し、た。特に密着
強度については、９０°ビール法で本実施例のメッキ被
膜が平均で１． Ｏ）ｒｑ／２ Ｘ ２祁であったに比
べＮ１−Ｐ単層被膜は０．５卸／ ２ Ｘ ２ ｗｍと
１／２の密着強度しか得られなかった。
以上述べたように、本発明の導電体は、透明導電膜上に
Ｎ１−Ｐ金属被膜とＮ１−Ｂ金属被膜とを複層に形成し
たので、半田喰れ現象に対して十分な耐性を有し、金属
被膜の透明導電膜に対する密着強度も強く、抵抗値も小
さく半田濡れ性も良く半田付作業の能率も良く、かつ、
経時的にも変化が少ないという効果を有する。
Ｎ１−Ｐ金属被膜とＮ１−Ｂ金属被膜とを複層に形成し
たので、半田喰れ現象に対して十分な耐性を有し、金属
被膜の透明導電膜に対する密着強度も強く、抵抗値も小
さく半田濡れ性も良く半田付作業の能率も良く、かつ、
経時的にも変化が少ないという効果を有する。
従って、同一基板上に例えば液晶表示素子とその駆動用
ＩＣを塔載して透明導電膜を表示用電極と回路パターン
用リードとして共用する場合のように、透明導電膜上に
直接ＩＣのリードやその他の素子を半田付けし、また透
明導電膜を他の機器との接続用リードとして用いる場合
など透明導電膜上に金属被膜を形成した導電体に耐半田
付性や機械的強度が要求される場合に、特にその使用価
値の高いものである。
ＩＣを塔載して透明導電膜を表示用電極と回路パターン
用リードとして共用する場合のように、透明導電膜上に
直接ＩＣのリードやその他の素子を半田付けし、また透
明導電膜を他の機器との接続用リードとして用いる場合
など透明導電膜上に金属被膜を形成した導電体に耐半田
付性や機械的強度が要求される場合に、特にその使用価
値の高いものである。
第１図は不発明の一実施例の導電体の断面図である。
１・・・ソーダガラス、 ２・・・透明導電被膜、４・
・・Ｎ１−Ｐメッキ被膜、 ５・・・Ｎ１〜Ｂメツキ被膜 第１図
・・Ｎ１−Ｐメッキ被膜、 ５・・・Ｎ１〜Ｂメツキ被膜 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、酸化インジウムまたは酸化スズのいずれが一方ある
いは双方を主成分とする透明導電膜と、該透明導電膜上
の所微部分に形成されたニッケル元素にリン元素が融合
し膜状となったニッケルリン金属被膜と、該ニッケルリ
ン金属被膜上に形成されたニッケル元素にホウ素元素が
融合し膜状となったニッケルホウ素金属被膜とを有する
ことを特徴とする導電体。 ２ ニッケルリン金属被膜はニッケルリンメッキ被膜で
ある特許請求の範囲第１項記載の導電体。 ３、ニッケル７ｆｔつ素金属被膜はニッケルポウ素メッ
キ被膜である特許請求の範囲第１項記載の導電体。 ４ ニッケルリン金属被膜または二゛ツヶルホウ素金属
被膜のいずれか一方あるいは双方の膜厚は５００Ｘない
し５０００＾である特許請求の範囲第１項ないし篤３項
のいずれか１項記載の導電体。 ５、ニッケルホウ累金属被膜上の所要部分に第３の金属
被膜を形成した特許請求の範囲第１項記載の導電体。 ６、 第３の金属被膜は、銅メッキ被膜または金メツキ
被膜である特許請求の範囲第５項記載の導電体。 ７、 第３の金属被膜は、アルミニュウム被膜若しくは
インジュウム被膜又は錫被膜である特許請求の範囲第５
項記載の導電体。 ８、 第３の金属被膜は膜厚が１μｍ以下である特許請
求の範囲第５項ないし第７項のいずれか１項記載の□導
電体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11550284A JPS60262304A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11550284A JPS60262304A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60262304A true JPS60262304A (ja) | 1985-12-25 |
| JPH0447923B2 JPH0447923B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=14664102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11550284A Granted JPS60262304A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60262304A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6344627A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Citizen Watch Co Ltd | カラ−液晶パネル |
| JPS6344628A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Citizen Watch Co Ltd | カラ−液晶パネルの製造方法 |
| WO2003081609A1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Fujikura Ltd. | Conductive glass and photoelectric conversion device using same |
| AU2001249204B2 (en) * | 2000-11-17 | 2006-10-12 | 3M Innovative Properties Company | Color tailorable pigmented optical bodies with surface metalization |
| JP2008117782A (ja) * | 2002-03-26 | 2008-05-22 | Fujikura Ltd | 導電性ガラスおよびこれを用いた光電変換素子 |
-
1984
- 1984-06-07 JP JP11550284A patent/JPS60262304A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6344627A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Citizen Watch Co Ltd | カラ−液晶パネル |
| JPS6344628A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Citizen Watch Co Ltd | カラ−液晶パネルの製造方法 |
| AU2001249204B2 (en) * | 2000-11-17 | 2006-10-12 | 3M Innovative Properties Company | Color tailorable pigmented optical bodies with surface metalization |
| WO2003081609A1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Fujikura Ltd. | Conductive glass and photoelectric conversion device using same |
| AU2003236063B2 (en) * | 2002-03-26 | 2006-04-06 | Fujikura Ltd. | Conductive glass and photoelectric conversion device using same |
| CN1326158C (zh) * | 2002-03-26 | 2007-07-11 | 株式会社藤仓 | 导电性玻璃和使用其的光电变换元件 |
| JP2008117782A (ja) * | 2002-03-26 | 2008-05-22 | Fujikura Ltd | 導電性ガラスおよびこれを用いた光電変換素子 |
| US8546683B2 (en) | 2002-03-26 | 2013-10-01 | Fujikura Ltd. | Electrically conductive glass and photoelectric conversion element using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0447923B2 (ja) | 1992-08-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0235475B2 (ja) | ||
| US4478690A (en) | Method of partially metallizing electrically conductive non-metallic patterns | |
| US3310718A (en) | Impedance element with alloy connector | |
| US4666078A (en) | Electroless plated terminals of display panel | |
| JPH05343259A (ja) | セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JPS60262304A (ja) | 液晶表示装置 | |
| US4806725A (en) | Circuit substrate and thermal printing head using the same | |
| JPS5830194A (ja) | セラミック多層配線基板の製造法 | |
| JPS5874030A (ja) | 電子部品、導電皮膜組成物及び製造方法 | |
| EP0219122B1 (en) | Metallized ceramic substrate and method of manufacturing the same | |
| JPH04144190A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP3244102B2 (ja) | Ｉｃパッケージ | |
| JPS62242324A (ja) | チツプコンデンサ− | |
| JP2003147573A (ja) | 電子部品の製造方法、及び電子部品 | |
| JP3265968B2 (ja) | ガラスセラミックス基板の電極及びその形成方法 | |
| JPS60245781A (ja) | 透明導電膜パタ−ン上へのめつき方法 | |
| JP3801334B2 (ja) | 半導体素子搭載用基板とその製造方法 | |
| JP3846708B2 (ja) | 電子部品のめっき方法、及び電子部品の製造方法 | |
| JPH0158489B2 (ja) | ||
| JPH03175711A (ja) | チップ型電子部品 | |
| JPH047596B2 (ja) | ||
| JPS5994571A (ja) | 半田付け用端子 | |
| KR20130118366A (ko) | 전기 저항막을 구비한 금속박 및 그 제조 방법 | |
| JPS60245782A (ja) | 透明導電膜パタ−ン上へのめつき方法 | |
| JP4856745B2 (ja) | フレキシブル基板用導体およびその製造方法並びにフレキシブル基板 |