JPS60245781A - 透明導電膜パタ−ン上へのめつき方法 - Google Patents
透明導電膜パタ−ン上へのめつき方法Info
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- JPS60245781A JPS60245781A JP10392184A JP10392184A JPS60245781A JP S60245781 A JPS60245781 A JP S60245781A JP 10392184 A JP10392184 A JP 10392184A JP 10392184 A JP10392184 A JP 10392184A JP S60245781 A JPS60245781 A JP S60245781A
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- Japan
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- films
- plating
- conductive film
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
- C23C18/1886—Multistep pretreatment
- C23C18/1889—Multistep pretreatment with use of metal first
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
- C23C18/1608—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は透明導電膜パターン−にへのめっき方法に関
し、特に液晶パネルとかエレクトロクロミンクパネルな
どの表示パネルに使用されるところの、透明な無機ガラ
ス絶縁基板もしくは有機フィルム上に形成される透明導
電膜パターン−ヒへの選択的めっき方法に係るものであ
る。
し、特に液晶パネルとかエレクトロクロミンクパネルな
どの表示パネルに使用されるところの、透明な無機ガラ
ス絶縁基板もしくは有機フィルム上に形成される透明導
電膜パターン−ヒへの選択的めっき方法に係るものであ
る。
−ＩｌＢ的なこの種の表示パネル、こへでは例えば液晶
パネルにおいては、その表示に反射光あるいは透過光を
利用するために、液晶セルを構成する基板の少なくとも
一方に透明絶縁基板が用いられており、この透明絶縁基
板りに形成した同様に透明な導電膜パターンと、その対
向電極間への電界印加により液晶配向を変化させて、一
つの画素毎に選択的に光の透過あるいは遮蔽をなし、こ
れによって所期の表示機能を得るようにしている。
パネルにおいては、その表示に反射光あるいは透過光を
利用するために、液晶セルを構成する基板の少なくとも
一方に透明絶縁基板が用いられており、この透明絶縁基
板りに形成した同様に透明な導電膜パターンと、その対
向電極間への電界印加により液晶配向を変化させて、一
つの画素毎に選択的に光の透過あるいは遮蔽をなし、こ
れによって所期の表示機能を得るようにしている。
しかしてこのような液晶パネルにあって、一つの画素毎
に複数の外部端子をもつ液晶セルと、その駆動回路基板
との電気的接続方法としては、導電層と絶縁層とを交Ｖ
に形成した導電性エラスＩ・マによる圧縮接続とか、あ
るいは各外部端子にメタライズしてリードビンを介した
間接的、もしくは直接的な半田接続がなされるが、特に
液晶セルと駆動回路基板との接続端子の巾およびピッチ
が５００ ｐ、 ｍ以下の微細パターンの場合には、前
者の導電性エラストブによる接続方法では、接触面積が
小さいために圧接による電気的接続抵抗の増加と共に、
複数の各端子に一様な圧接力をケえることか困難で接続
信頼性の低下を招くことから、通常は後者の半田接続方
法を採用している。
に複数の外部端子をもつ液晶セルと、その駆動回路基板
との電気的接続方法としては、導電層と絶縁層とを交Ｖ
に形成した導電性エラスＩ・マによる圧縮接続とか、あ
るいは各外部端子にメタライズしてリードビンを介した
間接的、もしくは直接的な半田接続がなされるが、特に
液晶セルと駆動回路基板との接続端子の巾およびピッチ
が５００ ｐ、 ｍ以下の微細パターンの場合には、前
者の導電性エラストブによる接続方法では、接触面積が
小さいために圧接による電気的接続抵抗の増加と共に、
複数の各端子に一様な圧接力をケえることか困難で接続
信頼性の低下を招くことから、通常は後者の半田接続方
法を採用している。
そしてこの半田接続のためには、前記したように各液晶
セルの外部端子となる部分に選択的にメタライズを施す
必要があり、これには法肩、スノぐンタ、−Ａ電ペース
ト印刷、めっきなどの方法がある。しかし苺着、スパッ
タ方法では、そのメタライズ１１ジ厚か薄いと半田付け
の際の金属拡散により接合強度か著るしく低下し、かつ
１１り厚を Ｉｇｍ程度まで厚くするのには長時間か覧
るという問題点を生じ、また同時に／へンチ処理となる
ために量産性に欠け、しかも高価な装置を用いなければ
ならない不利があり、さらに導電ペースト印刷による方
法では、半田伺は可能なペーストの選択の必要性、およ
び還元雰囲気での前焼成なとのペーストの硬化条件に大
きな制約を受けるもので、これらのことからめっきによ
るメタライス方法が最適である。そしてまたこのめっき
方法にも、電気めっきと無電解めっきとがあるが、絶縁
基板上にそれぞれに分離した形状でパターニングする高
抵抗の透明導電膜のめっき方法としては、後者の無電解
めっき方法が最も効果的である。
セルの外部端子となる部分に選択的にメタライズを施す
必要があり、これには法肩、スノぐンタ、−Ａ電ペース
ト印刷、めっきなどの方法がある。しかし苺着、スパッ
タ方法では、そのメタライズ１１ジ厚か薄いと半田付け
の際の金属拡散により接合強度か著るしく低下し、かつ
１１り厚を Ｉｇｍ程度まで厚くするのには長時間か覧
るという問題点を生じ、また同時に／へンチ処理となる
ために量産性に欠け、しかも高価な装置を用いなければ
ならない不利があり、さらに導電ペースト印刷による方
法では、半田伺は可能なペーストの選択の必要性、およ
び還元雰囲気での前焼成なとのペーストの硬化条件に大
きな制約を受けるもので、これらのことからめっきによ
るメタライス方法が最適である。そしてまたこのめっき
方法にも、電気めっきと無電解めっきとがあるが、絶縁
基板上にそれぞれに分離した形状でパターニングする高
抵抗の透明導電膜のめっき方法としては、後者の無電解
めっき方法が最も効果的である。
こ覧で従来の無電解めっき方法は、被めっき物を脱脂、
酸洗いした後に、塩化錫を主成分とする増感液に浸漬さ
せ、ついで塩化パラジウムを主成分とする活性化液に浸
漬して水洗いし、その後。
酸洗いした後に、塩化錫を主成分とする増感液に浸漬さ
せ、ついで塩化パラジウムを主成分とする活性化液に浸
漬して水洗いし、その後。
無電解ニッケルあるいは無電解銅めっきがなされるので
あるが、しかし一方、このような一連の工程をガラス絶
縁基板上にパターニングされた透明導電膜上べのメタラ
イズ方法として適用すると、活性化液への浸漬後の水洗
いの程度によっては、そのめっき自体が目的とする透明
導電膜上だけでなく、本来めっきか不要であるところの
ガラス面上に対しても析出され、選択的なめっきをなし
得ないという不具合を生ずるものであった。
あるが、しかし一方、このような一連の工程をガラス絶
縁基板上にパターニングされた透明導電膜上べのメタラ
イズ方法として適用すると、活性化液への浸漬後の水洗
いの程度によっては、そのめっき自体が目的とする透明
導電膜上だけでなく、本来めっきか不要であるところの
ガラス面上に対しても析出され、選択的なめっきをなし
得ないという不具合を生ずるものであった。
第３図および第４図にこのような不具合の状態を示す。
すなわち、これらの各図において、符号１はガラス絶縁
基板、２はこのガラス絶縁基板１七にパターニングした
透明導電膜、３は半田接続のための外部端子部、４は液
晶画素と端子部とを結ぶ引出し線である。
基板、２はこのガラス絶縁基板１七にパターニングした
透明導電膜、３は半田接続のための外部端子部、４は液
晶画素と端子部とを結ぶ引出し線である。
こ＼で前記外部端子部３以外をマスク５で覆って無電解
めっきを行なった場合、活性化液への浸漬後の水洗いを
激しくしたところ、第３図に見られるように、メタライ
ズを必要とするこの外部端子部３にめっき不析出部分６
を生じた。また反対にこの水洗いをゆるくしたところ、
第４図に見られるように、この外部端子部３へのめっき
析出は達成されたが、めっき析出の不要部分であるガラ
ス面りにもめっき析出部７を生じた。すなわち。
めっきを行なった場合、活性化液への浸漬後の水洗いを
激しくしたところ、第３図に見られるように、メタライ
ズを必要とするこの外部端子部３にめっき不析出部分６
を生じた。また反対にこの水洗いをゆるくしたところ、
第４図に見られるように、この外部端子部３へのめっき
析出は達成されたが、めっき析出の不要部分であるガラ
ス面りにもめっき析出部７を生じた。すなわち。
このようにガラス面上の透明導電膜への無電解めっきで
は、活性化液への浸漬後のパラジウムの吸着力は極めて
弱く、その水洗条件を調整することで、外部端子部の必
要部分のみに選択的にめっきを行なうことは頗る困難な
ものであった。
は、活性化液への浸漬後のパラジウムの吸着力は極めて
弱く、その水洗条件を調整することで、外部端子部の必
要部分のみに選択的にめっきを行なうことは頗る困難な
ものであった。
この発明は従来方法のこのような欠点に鑑み、透明導電
膜パターンの所定部分に、還元電位がパラジウムよりも
卑である金属を付着させた後、これをパラジウムを含む
活性液に浸漬させて、付着金属と活性液中に含まれるパ
ラジウムイオンとの間で置換めっきをなし、パラジウム
めっき核の析出を完全にした後に無電解めっきを行なう
ことにより、外部端子となる透明導電膜」二への選択的
なめっき被膜の形成を確実になし得るようにしためっき
方法を提供するものである。
膜パターンの所定部分に、還元電位がパラジウムよりも
卑である金属を付着させた後、これをパラジウムを含む
活性液に浸漬させて、付着金属と活性液中に含まれるパ
ラジウムイオンとの間で置換めっきをなし、パラジウム
めっき核の析出を完全にした後に無電解めっきを行なう
ことにより、外部端子となる透明導電膜」二への選択的
なめっき被膜の形成を確実になし得るようにしためっき
方法を提供するものである。
以下この発明に係る透明導電膜パターン上へのめっき方
法の実施例につき、第１図および第２図を参照して詳細
に説明する。
法の実施例につき、第１図および第２図を参照して詳細
に説明する。
第１図はこの発明方法の一実施例である。この第１図に
おいて、符号１１はソーダライムガラス基板、１２はこ
のガラス基板ｌｌ上にパターニングｙれているところの
、酸化インジウムに酸化錫をドーピングさせた複数本の
透明導電ａ、１３は半Ｈ」伺は接合するための外部端子
部、１４は図示省略した液晶画素とこの外部端子部１３
とを結ぶ引出し線、１５はマスクであり、また１Ｇは各
透明導電１１９１２の端部間を短絡させるような形態で
塗布、乾燥された半田付けのための端子となる導電性Ａ
ｇペーストである。
おいて、符号１１はソーダライムガラス基板、１２はこ
のガラス基板ｌｌ上にパターニングｙれているところの
、酸化インジウムに酸化錫をドーピングさせた複数本の
透明導電ａ、１３は半Ｈ」伺は接合するための外部端子
部、１４は図示省略した液晶画素とこの外部端子部１３
とを結ぶ引出し線、１５はマスクであり、また１Ｇは各
透明導電１１９１２の端部間を短絡させるような形態で
塗布、乾燥された半田付けのための端子となる導電性Ａ
ｇペーストである。
すなわち、この実施例方法においては、無電解めっきに
先立って、まずガラス基板１１上に透明導電膜１２をパ
ターニングし、メタライス不要部分であるどころの、液
晶画素部と引出し線１４部とをマスク１５により覆う。
先立って、まずガラス基板１１上に透明導電膜１２をパ
ターニングし、メタライス不要部分であるどころの、液
晶画素部と引出し線１４部とをマスク１５により覆う。
ついでこれを洗浄後、３０％塩酸溶液に３０秒間程度浸
漬してから水洗し、塩化パラジウムを主成分とする活性
化液（カニセン社製レッドシュ−１，５倍稀釈液）に２
０〜２５°Ｃで１０分程度浸漬する。これによって、Ａ
ｇ＋／Ａｇの標準電極電位力＋ ０．７９９Ｖ テアル
（７） ニ、一方、Ｐｄ２＋／Ｐｄ ノ４２ ｍ Ｗ極
電位は＋０．９８７Ｖであるために、イオン化傾向の低
いＰｄかＡｇペースト中に含有されるＡｇ金属と置換さ
れて、Ａｇペースト１６十だけでなく、このＡｇペース
ト１６と同一電位である透明導電１１り１２」二にもＰ
ｄが置換めっきされることになる。そしてその後、充分
に水洗してから、無電解ニッケルめっき液（上用工業社
製ベルニッケルーＩＩ ）に６５°Ｃで浸漬すると、こ
の浸漬直後から多量の水素発生と共に、ニッケル被膜の
析出が見られた。しかしこの場合。
漬してから水洗し、塩化パラジウムを主成分とする活性
化液（カニセン社製レッドシュ−１，５倍稀釈液）に２
０〜２５°Ｃで１０分程度浸漬する。これによって、Ａ
ｇ＋／Ａｇの標準電極電位力＋ ０．７９９Ｖ テアル
（７） ニ、一方、Ｐｄ２＋／Ｐｄ ノ４２ ｍ Ｗ極
電位は＋０．９８７Ｖであるために、イオン化傾向の低
いＰｄかＡｇペースト中に含有されるＡｇ金属と置換さ
れて、Ａｇペースト１６十だけでなく、このＡｇペース
ト１６と同一電位である透明導電１１り１２」二にもＰ
ｄが置換めっきされることになる。そしてその後、充分
に水洗してから、無電解ニッケルめっき液（上用工業社
製ベルニッケルーＩＩ ）に６５°Ｃで浸漬すると、こ
の浸漬直後から多量の水素発生と共に、ニッケル被膜の
析出が見られた。しかしこの場合。
めっき液浸漬後、ニッケルの析出速度は極めて速いが、
短時間で透明導電膜から剥離して、到底実用には供し得
ない。
短時間で透明導電膜から剥離して、到底実用には供し得
ない。
そこでこの点を解消するために、前記活性化液を１０〜
２０倍に稀釈してこれに浸漬後、水洗を充分に行なって
から無電解ニッケルめっき液に６５℃で１５分程度浸漬
することにより、前記導電性Ａｇペースト１Ｂならひに
透明導電膜１２」二に９，０ＯＯＡの厚すのニッケル被
膜を選択的に形成でき、続いてめっき端子としての導電
性Ａｇペースト１６の部分を切断線１７から除去し、か
つこのようにして得たニッケル被膜の密着性を向上させ
るために、 １００〜３００℃で３０分以上熱処理する
ことにより２Ｋｇ／ｍ♂以」二の密着強度が得られた。
２０倍に稀釈してこれに浸漬後、水洗を充分に行なって
から無電解ニッケルめっき液に６５℃で１５分程度浸漬
することにより、前記導電性Ａｇペースト１Ｂならひに
透明導電膜１２」二に９，０ＯＯＡの厚すのニッケル被
膜を選択的に形成でき、続いてめっき端子としての導電
性Ａｇペースト１６の部分を切断線１７から除去し、か
つこのようにして得たニッケル被膜の密着性を向上させ
るために、 １００〜３００℃で３０分以上熱処理する
ことにより２Ｋｇ／ｍ♂以」二の密着強度が得られた。
すなわち、このように処理することによって、目的とす
る透明導電膜上にのみ選択的にめっきでき、このように
して形成した液晶セルとの半田接続においては、全端子
に亘って熱拡散による半田イ］け不良も発生せず、良好
かつ効果的な結果が得られた。
る透明導電膜上にのみ選択的にめっきでき、このように
して形成した液晶セルとの半田接続においては、全端子
に亘って熱拡散による半田イ］け不良も発生せず、良好
かつ効果的な結果が得られた。
なお、前記実施例においては、透明絶縁基板にソーブラ
イＪ、ガラスを用いたが、石英カラス、ホウケイ酸カラ
スなどの硬質カラスとか、あるいはポリエステル、ポリ
エーテルサルフォン、酢酸セルロースなとの有機フィル
ムで可撓性のあるものであってもよい。また透明導電膜
としては、酸化インジューム系のほかに酸化錫系のもの
にも適用できる。
イＪ、ガラスを用いたが、石英カラス、ホウケイ酸カラ
スなどの硬質カラスとか、あるいはポリエステル、ポリ
エーテルサルフォン、酢酸セルロースなとの有機フィル
ムで可撓性のあるものであってもよい。また透明導電膜
としては、酸化インジューム系のほかに酸化錫系のもの
にも適用できる。
そしてまた前記実施例では、無電解めっきとしてニッケ
ルーホウ素被膜を析出させたが、ニッケルーリンあるい
は二・ンケルーリン合金、または無′「Ｔ！、ｍｍめっ
きであってもよいか、密着性の点からは無電解ニッケル
めっき、特にニッケルーリンめっきか望ましい。
ルーホウ素被膜を析出させたが、ニッケルーリンあるい
は二・ンケルーリン合金、または無′「Ｔ！、ｍｍめっ
きであってもよいか、密着性の点からは無電解ニッケル
めっき、特にニッケルーリンめっきか望ましい。
さらに還元電位がパラジウムよりも卑である金属の刺着
方法としては、導電性ペーストのほかにも、第４図に示
す他の実施例でのように、銅、アルミなどの金属箔テー
プあるいはマスク蒸着によっても可能である。
方法としては、導電性ペーストのほかにも、第４図に示
す他の実施例でのように、銅、アルミなどの金属箔テー
プあるいはマスク蒸着によっても可能である。
以」−詳述したように、この発明方法によるときは、メ
タライズを必要とする透明導電膜パターンの所定部分に
、還元電位がパラジウムよりも卑である金属を付着させ
た後、これをパラジウムを含む活性液に浸漬して活性化
させることにより、付着金属と活性液中に含まれるパラ
ジウムイオンとの間で置換めっきをなし、同所定部分に
パラジウムめっき核を完全に析出させてから無電解めっ
き処理するようにしたので、選択的な無電解めっきを確
実に行なうことができ、結果的に微細パターンの複数の
外部端子をもつ大型液晶セルの単口」伺けを効果的に達
成し得るものである。
タライズを必要とする透明導電膜パターンの所定部分に
、還元電位がパラジウムよりも卑である金属を付着させ
た後、これをパラジウムを含む活性液に浸漬して活性化
させることにより、付着金属と活性液中に含まれるパラ
ジウムイオンとの間で置換めっきをなし、同所定部分に
パラジウムめっき核を完全に析出させてから無電解めっ
き処理するようにしたので、選択的な無電解めっきを確
実に行なうことができ、結果的に微細パターンの複数の
外部端子をもつ大型液晶セルの単口」伺けを効果的に達
成し得るものである。
第１図はこの発明に係る透明導電膜パターン」二へのめ
っき方法の一実施例を説明する斜視図、第２図は同北方
法の他の実施例を説明する斜視図、第３図および第４図
は同り従来例方法でのめっき析出状態をそれぞれに示す
斜視（Δである。 １１・・・・カラス基板（透明絶縁基板）、１２・・・
・透明導電Ｈり、１３・・・・外部端子部、Ｉ４・・・
・引出し線。 １５・・・・マスク１，１６・・・・導電性ペースト、
１７・・・・切断線、１８・・・・金属箔テープ。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 ＋１ １５
っき方法の一実施例を説明する斜視図、第２図は同北方
法の他の実施例を説明する斜視図、第３図および第４図
は同り従来例方法でのめっき析出状態をそれぞれに示す
斜視（Δである。 １１・・・・カラス基板（透明絶縁基板）、１２・・・
・透明導電Ｈり、１３・・・・外部端子部、Ｉ４・・・
・引出し線。 １５・・・・マスク１，１６・・・・導電性ペースト、
１７・・・・切断線、１８・・・・金属箔テープ。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 ＋１ １５
Claims (1)
- 透明絶縁基板上に形成される透明導電膜パターンの所定
部分に、還元電位がパラジウムよりも卑である金属を刺
着させた後、これをパラジウムを含む活性液に浸漬して
活性化させ、その後、無電解めっきを施すことを特徴と
する透明導電膜パターン上へのめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10392184A JPS60245781A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 透明導電膜パタ−ン上へのめつき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10392184A JPS60245781A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 透明導電膜パタ−ン上へのめつき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245781A true JPS60245781A (ja) | 1985-12-05 |
Family
ID=14366885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10392184A Pending JPS60245781A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 透明導電膜パタ−ン上へのめつき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245781A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62270921A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-25 | Casio Comput Co Ltd | 液晶装置 |
| JPH01304427A (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 端子形成方法 |
| JPH03236477A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-22 | Optrex Corp | 部分無電解めっき方法並びに電気光学装置及びその製造方法 |
| WO1999057731A1 (en) * | 1998-05-04 | 1999-11-11 | Mds Nordion Inc. | Production of palladium-103 |
| JPH11330652A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-11-30 | Canon Inc | 基板及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP10392184A patent/JPS60245781A/ja active Pending
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