JP2000259096A

JP2000259096A - 表示デバイス用基板の製造方法および表示デバイス用基板

Info

Publication number: JP2000259096A
Application number: JP11060650A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Tomari; 慶明泊
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-03-08
Filing date: 1999-03-08
Publication date: 2000-09-22

Abstract

(57)【要約】【課題】基材や既設のパターンにダメージを与える高
温のプロセスを用いない下地層を形成し、不要の下地層
をエッチャントよる損傷なしに除去する。【解決手段】印刷・焼成法により形成されたパターン
を有している基板１に、湿式のメッキ法によりメッキパ
ターン３を形成するとき、このメッキパターンの下地層
として、ＩＴＯ膜２を非加熱スパッタ成膜法により形成
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示デバイス用基
板の製造方法および表示デバイス用基板に係わり、特
に、一般にフラットパネルディスプレイ（以下、ＦＰＤ
と記す）と称される画像表示装置に用いる表示デバイス
用基板の製造方法および表示デバイス用基板に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＦＰＤに用いる配線の層構成とし
ては、以下に記述されるものが知られている。

【０００３】例えば、銀ペーストをガラス基板上に印刷
して、所望のパターンを形成し、これを焼成して定着さ
せるものがある。また、他の例として、ＺｎＯもしくは
ＷＯ ₃からなる半導体層をガラス基板上に形成し、この
上に、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇなどをメッキにより積層
後、さらに、銅などの導電性層をメッキにより積層した
層構成を有するものが知られている（特開平４−１７２
１１号公報、及び、特開平６−６１６１９号公報）。

【０００４】さらに他の例としては、ガラス基板、また
は、ガラス基板上に成膜した結晶性ＩＴＯ上に、ニッケ
ル・リン下地金属層を積層した後、これに所定の絶縁層
を形成し、下地金属層が露出している部分に、電気メッ
キ法にて銅メッキ層を積層した層構成を有するものなど
が知られている（特開平８−２２７６５６号公報）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
表示デバイス用基板に用いられている層構成には、以下
のような問題があった。すなわち、銀ペーストを印刷・
焼成する場合や、銀フォトペーストをパタニング後に焼
成した場合には、ペースト中に添加された鉛ガラスなど
の影響により、バルクの銀に比べて、出来上がった膜の
配線抵抗が大きくなるという問題があった。

【０００６】また、上記の添加物を減らして、バルクの
特性に近づけようとすると、必然的に５００℃近辺での
焼成が必要となり、エネルギーコストが高くなるばかり
か、基材や基材上に形成された他のパターンにも悪影響
を及ぼす確率が大きくなるという問題が加わる。

【０００７】同様に、ＺｎＯもしくはＷＯ₃からなる半
導体層を密着性の向上のために用いる場合にも、これら
の半導体層を形成するための成膜プロセスに、高温での
熱処理が必要であり、基材や基材上に形成された他のパ
ターンにも悪影響を及ぼす確率が大きくなるという問題
がある。

【０００８】また、ガラス基板や既設の印刷・焼成パタ
ーンとメッキ層との密着を向上させる目的で、通常のス
パッタにより形成される結晶性のＩＴＯを使用する場合
には、結晶化させるために３００℃付近でのポストベー
クが必要となり、熱ダメージを受け易いパターンや基材
に対して上記と同様な問題が発生する。さらに、この結
晶性のＩＴＯパターンの下部に印刷・焼成により形成さ
れたパターンがあるような場合、この印刷・焼成パター
ンへのダメージを回避しながら結晶性のＩＴＯ膜を薬剤
により選択除去することは、かなりの困難を伴う。これ
は、前にも述べたようにペースト中に含まれる焼成温度
低温化のための添加剤、すなわち、鉛化合物などが、結
晶性ＩＴＯのエッチャントにより溶解され易いためであ
る。したがって、このダメージを低減するために、新た
な保護レジストのパターンを形成しなければならない場
合が生じる。［発明の目的］本発明は、以上のような問題点を解消す
るために成されたもので、その目的とするところは、基
材や既設のパターンにダメージを与えるような高温のプ
ロセスを用いずに、湿式のメッキ層を積層するための密
着層として機能する下地層を形成でき、さらに、不要と
なった下地層を除去する際に使用するエッチャントが原
因の既設のパターンへの損傷を、保護レジストレスのプ
ロセスを用いるにもかかわらず、最小限に抑制すること
が可能な製造プロセスを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ための手段として、本発明では、印刷・焼成法により形
成されたパターンを有している基板に、湿式のメッキ法
によりメッキパターンを形成するとき、このメッキパタ
ーンの下地層として、ＩＴＯ膜を非加熱スパッタ成膜法
により形成することを特徴としている。

【００１０】ここで用いられるＩＴＯ膜は、２００℃以
下の基板温度により成膜されることが望ましく、その結
果として、膜質が非結晶性の性質を有するために、５％
以下の濃度（より好ましくは３．５％以下の濃度）の蓚
酸水溶液への浸漬にて溶解除去することができる。

【００１１】このようなソフトな酸により剥離が可能で
あるため、上記ＩＴＯ膜が、ガラス基板等の基板、又
は、ガラス基板等の基板上に形成された既設のパターン
の上に、全面にわたって積層され、メッキパターン形成
後に最終的に不要となった部分のＩＴＯ膜を除去する際
に、剥離液のアタックを受ける可能性のある下部の構造
体、すなわち、ガラス基板等の基板上に印刷・焼成法な
どにより積層された配線、電極、絶縁パターンなどの劣
化を、保護レジストの形成なしに、最小限に留めること
ができる。

【００１２】このようなプロセスを採用することによ
り、プロセス温度の引き下げと、パタニング工程におけ
る歩留まり向上、プロセスの短縮などが期待できる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を詳し
く説明する。なお、図１および図２は、本発明の代表的
な層構成を、図３は、本発明の代表的なパタニング方法
を示した模式図である。

【００１４】各図において、１は基材、２は非加熱スパ
ッタ成膜法により形成された非結晶性ＩＴＯ膜、３，４
ａ，４ｂは湿式のメッキ法により積層されたメッキ膜、
５ａ，５ｂは表示用ディスプレイにおける電極、６は電
極５ａと導通している配線、７は絶縁層、８は保護レジ
ストである。（基材）本発明における表示デバイス用基板の基材とし
ては、一般に青板ガラスやフロートガラスとして知られ
るアルカリ含有ガラス（一例として、日本板硝子製の商
品名：U.F.F Glass）、および、一般にホウケイ酸ガラ
スなどとして知られるアルカリ成分をほとんど含有しな
いもの（一例として、コーニング製の商品名：＃７０５
９）、さらに、フロートガラスなどの表面にＳｉＯ₂な
どのアルカリ漏洩保護膜を形成したもの（一例として、
日本板硝子製の商品名：Ｈコートガラス）、その他を使
用することができる。（ＩＴＯ膜）本発明においては、図１、図２、図３に示
したように、既設のパターンや電極を有する基材の全面
に、非加熱スパッタ成膜法により、非結晶性のＩＴＯ膜
を積層する。

【００１５】本発明でいうＩＴＯ膜とは、以下のような
要件を満足しているものが望ましい。

【００１６】すなわち、成膜時、および、成膜後に積極
的な加熱を行わず、膜の結晶化を低く抑えたものであ
り、スパッタ中に基板温度が２００℃を超えて上昇しな
いよう制御して成膜を行い、なおかつ、成膜後に、低濃
度の蓚酸により容易にエッチング除去されるという特性
を有しているものである。

【００１７】このような特性を持った非結晶性ＩＴＯの
成膜条件の一例を以下に示す。スパッタ条件：定電流制御１．２（Ａ）加熱条件：非加熱成膜圧力：７×１０^-3（Ｔｏｒｒ）（ Base Pressure３．５×１０^-6（Ｔｏｒｒ））ガス流量：Ａｒガス２００（ＳＣＣＭ）Ｏ₂ガス１．０（ＳＣＣＭ）上記成膜条件により積層された非結晶性ＩＴＯ膜は、以
下に示すエッチャントにより容易に除去ができる。エッチャント組成：蓚酸３．５（％）水溶液液温：４３（℃）青板ガラスなどの基材１上に電極５ａ，５ｂと絶縁層７
が、あらかじめ形成されている図２の（ａ）に示したよ
うな基板の全面に非結晶性ＩＴＯ膜２を積層し、さら
に、レジスト８を被覆後に、これをパタニングして、湿
式のメッキ層を積層したい非結晶性ＩＴＯ膜２の部位を
露出させ、その上にパターンメッキ法による積層膜３を
形成したときの模式図が図２の（ｂ）である。

【００１８】上記工程に引き続いて、不要となったレジ
スト８を剥離除去したときの模式図が図２の（ｃ）であ
り、この工程によりレジストパターンの下より出現した
非結晶性ＩＴＯ膜２を、蓚酸水溶液によって溶解・除去
したものの模式図が図２の（ｄ）である。

【００１９】ここで、注意する必要があるのは、積層す
る非結晶性ＩＴＯ膜の膜厚であり、膜厚を厚くし過ぎる
と、スパッタ時に発生する熱により、積極的な加熱を行
わなくても、基板上の非結晶性ＩＴＯ膜の温度が昇温し
てしまう。非結晶性ＩＴＯ膜が成膜中に過度に昇温して
しまうと、膜質が非結晶性から結晶性へと変化してしま
い、蓚酸のようなソフトな酸によるエッチングを受け付
けなくなる。

【００２０】この問題を防止するには、成膜時の膜温度
を２００℃以下に抑制するとよいが、この場合にはトー
タルの成膜時間が制限されてしまう。すなわち、所望の
特性を有する非結晶性ＩＴＯ膜を積層するためには、膜
厚を一定値以下にコントロールすることが求められる。

【００２１】本件出願人の実験によれば、非結晶性ＩＴ
Ｏの膜厚を０．２μｍ以下、好ましくは０．１５μｍ以
下、さらに好ましくは０．１２μｍ以下に抑制すること
が望ましい。

【００２２】なぜならば、非結晶性ＩＴＯの膜厚が０．
２μｍを超えるまでスパッタを行った場合には、蓚酸よ
りも強い酸により非結晶性ＩＴＯ膜の剥離を行う必要が
生じ、非結晶性ＩＴＯ膜の下に形成されている既存のパ
ターンがダメージを受けてしまうからである。

【００２３】また、この非結晶性ＩＴＯ膜を、湿式のメ
ッキ法による積層のための下地膜として機能させるため
には、非結晶性ＩＴＯの膜厚を、０．０５μｍ以上、好
ましくは０．０７μｍ以上、さらに好ましくは、０．１
μｍ以上とすることが望ましい。

【００２４】なぜならば、非結晶性ＩＴＯの膜厚が０．
０５μｍよりも小さい場合、メッキ膜を積層するための
前処理薬品や、メッキ液自体により、非結晶性ＩＴＯ膜
がアタックされ、多数のピンホールを生じる危険性があ
るためである。

【００２５】以上のような非結晶性ＩＴＯをメッキのた
めの下地層とすることで、積層されたメッキ層を、あた
かもレジストのごとく扱うことが可能となる。これは、
非結晶性ＩＴＯ膜が非常にソフトな酸により溶解除去さ
れるためであり、積層したメッキ膜を保護する保護レジ
スト形成を省略することができる。

【００２６】このような特性は、成膜時、及び、成膜後
に積極的に加熱成膜を行う通常の結晶性ＩＴＯを積層し
た場合には、期待することができない。

【００２７】ちなみに、本発明に先立って出願されてい
る特開平８−２２７６５６号公報中にも、ＩＴＯ上への
メッキ膜の積層に関する記載があるが、上記非結晶性Ｉ
ＴＯ膜に特開平８−２２７６５６号公報中に記載された
前処理を施したところ、非結晶性ＩＴＯ膜は消失してし
まった。すなわち、同公報中に記載されたＩＴＯ膜は、
明らかに積極的な加熱処理を経過している結晶性のＩＴ
Ｏ膜である。

【００２８】また、図１に示したように、基材１上に絶
縁層７、配線６、電極５ａ，５ｂが既設されているよう
な基板の上に非結晶性ＩＴＯ膜を積層して、メッキ法に
よる積層のための下地層とすることができる。

【００２９】図１の（ａ）は、このような表示用デバイ
ス基板を上方から見たときの模式図であり、図１の
（ａ）において、１はガラス基板、３は上方からは見る
ことのできない非結晶性ＩＴＯ膜上に積層されたメッキ
法により形成された配線、５ａ，５ｂは既設の電極、６
は電極５ａと導通している配線、７は配線３と配線６を
導通させないための絶縁膜である。

【００３０】また、図１の（ｂ），および（ｃ）は、図
１の（ａ）を、それぞれ異なる側面（Ｘ方向、Ｙ方向）
より見たときの模式図であり、図１の（ａ）においては
表示されなかった非結晶性ＩＴＯ膜２を介してメッキ配
線３と電極５ｂが接続されていることが示されている。

【００３１】このような基板を作成するための積層プロ
セスは、基本的に図２に示したプロセスと同一である。

【００３２】さらに、図３（ａ），（ｂ）は、図１に示
したような積層プロセスで、複数のメッキ層を積層した
ときの模式図であり、メッキ層３の積層に引き続いて、
メッキ層４ａ、および４ｂの積層を行い、しかる後に、
保護レジストと不要な非結晶性ＩＴＯ膜の除去を行って
いる。

【００３３】以上説明した本発明の積層プロセスを用い
ると、メッキ層の積層に電気メッキ法を用いた場合、基
板全面に非結晶性ＩＴＯが残っている状態で、パターン
メッキを行えるため、基板のサイズが大きくなればなる
ほど積層膜の膜厚分布に有利に作用する。

【００３４】以下において、図１の（ａ），（ｂ），
（ｃ）に示したような層構造を有する基板の製造プロセ
スについて、さらに詳しく説明を行う。

【００３５】図１において、基材１は無アルカリガラス
であり、この基板１上にオフセット印刷法により、白金
電極パターン５ａ，５ｂを塗布、焼成し、膜厚を０．１
μｍとした。次に、この電極５ａの一部に接続されるよ
うに、基材１上にスクリーン印刷法にて銀ペーストを塗
布、焼成し、１０μｍの膜厚を有する銀配線６を形成し
た。同じく、スクリーン印刷法により、この銀配線６に
直交するように、基材１上に絶縁ペーストを塗布、焼成
し、１５μｍの膜厚を有する絶縁層７を形成した。

【００３６】以上のようにして作成された基板の全面
に、本発明よる非結晶性ＩＴＯを０．１２μｍ積層し、
図示されていないレジスト形成・パタニングプロセスに
より、絶縁層と電極５ｂの上面の一部を露出させ、この
露出した部分の非結晶性ＩＴＯ膜に、ニッケル・リン合
金メッキ層、または、パラジウム・リン合金メッキ層を
積層し、しかる後に、図示されていないレジスト剥離プ
ロセスを行い、さらに、レジストにより保護されていた
不要な非結晶性ＩＴＯ膜を４３℃に加温した３．５％蓚
酸水溶液により除去し、図１の（ａ），（ｂ），（ｃ）
に示したような層構成を有する基板を作成した。

【００３７】この場合、ニッケル・リン合金メッキ層、
または、パラジウム・リン合金メッキ層の積層に引き続
いて、銅、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金、また
は、これらの合金の中から選ばれたメッキ層をパターン
メッキし、その後に、レジストおよび不要な非結晶性Ｉ
ＴＯ膜の剥離・除去を行っても良い。一例として、ニッ
ケル・リン合金メッキ層３の積層に引き続いて、パラジ
ウムメッキ層４ａを積層し、さらに、銅メッキ層４ｂを
積層したときの模式図（図１の（ｂ）と同一の方向より
見た場合）を図３の（ａ），（ｂ）に示す。

【００３８】一般に、印刷・焼成により形成された配線
・電極・絶縁パターンは、焼成温度の低温化を図るため
に、主たる成分の他に低融点化のための添加物を含有し
ている。この添加物として、しばしば、酸化鉛などが用
いられるが、焼成後にも残存するこれらの添加物は酸性
の水溶液などに侵されやすい。

【００３９】本発明によれば、非結晶性ＩＴＯ膜は４％
前後の蓚酸という、非常にソフトで低濃度の酸により溶
解除去できるため、この様に耐薬品性の弱い印刷・焼成
パターン上に改めて保護レジストを設けなくとも、これ
らのパターンへのダメージを抑制して、不要な部分の非
結晶性ＩＴＯ膜を除去できる。

【００４０】逆に、本発明による非結晶性ＩＴＯ膜では
なく、通常の結晶性ＩＴＯ膜を積層し、図３と同じ層構
成を有するパターンを形成しようとした場合には、不要
なＩＴＯ膜の溶解除去のために、上記蓚酸水溶液よりも
強力な酸を用いなければならず、印刷・焼成パターン保
護のために、新たなレジスト・パタニングが必要とな
り、プロセスが長くなり、経済的ではない。

【００４１】以上のことは、上記の印刷・焼成パターン
以外の、フォトペースト法やメッキ法、スパッタ法など
により形成されているパターンにも、程度の差はある
が、共通することであり、非結晶性ＩＴＯ膜をメッキ層
の下地層とすることで、基板の品質を低下させることを
避けながら、工程を短縮することができる。

【００４２】

【実施例】以下、具体的な数値を用いて本発明の実施例
について説明を行う。［実施例１］１００ｍｍ×１００ｍｍ×厚さ２．５ｍｍ
の青板ガラス（日本板硝子製）上に、印刷・焼成法によ
り以下のパターンを形成したものを、基材１として使用
した。

【００４３】５ａ：白金パターン（オフセット印刷
法）膜厚０．１μｍ１５０μｍ×４００μｍ５ｂ：白金パターン（オフセット印刷法）膜厚０．
１μｍ１５０μｍ×３００μｍ６：銀配線（スクリーン印刷法）膜厚１０
μｍＬ／Ｓ＝１００μｍ／４００μｍ７：絶縁パターン（スクリーン印刷法）膜厚１０
μｍＬ／Ｓ＝３００μｍ／４００μｍこの基材１上の上面に、前述した非結晶性ＩＴＯ膜２を
０．１２μｍ積層した。

【００４４】次に、この非結晶性ＩＴＯ膜上に東京応化
工業製のレジストであるＴＰＲをスピンコーターにより
塗布した後に、１００℃の雰囲気中にて２０分間のプレ
ベークを行い、ライン・アンド・スペース（以降におい
てはＬ／Ｓと表記する）のラインパターンを有するマス
クを用いて露光を行い、これに、同じく東京応化工業製
のＴＰＲ専用現像液をスプレーして現像後、イオン交換
水によりスプレー水洗し、窒素ブローにて水分を除去
後、１００℃の雰囲気中にて３０分間のバーニングを行
った。

【００４５】このパタニング基板を室温まで冷却後、中
性〜弱アルカリ性の水溶液に浸漬し脱脂処理を行った後
（一例をあげれば、ヘンケル製洗浄剤、ｓｉｌｉｒｏｎ
Ｌの３ｍｌ／Ｌ水溶液を６０℃に加温したものへの１
分間の浸漬など）、イオン交換水による水洗を行って、
さらに、低濃度の塩酸や塩化第２鉄などのエッチャント
によるソフトエッチングを行い（一例をあげれば、ｃｏ
ｎｃ．塩酸の１ｍｏｌ／Ｌ水溶液または、０．１ｍｏｌ
／Ｌの塩化第２鉄水溶液、または、これらの混合液への
室温における３０〜６０秒間の浸漬など）、再び、イオ
ン交換水で水洗後、パラジウム塩を含有する水溶液に浸
漬し（一例をあげれば、メルテックス社製のメルプレー
トアクチベータ４４０の１３０ｍｌ／Ｌ水溶液を水酸化
ナトリウムによりｐＨ６．３に調整したものへの室温に
おける２分間の浸漬など）、必要に応じて、水洗やパラ
ジウム塩の還元を行った後に、弱酸性の無電解ニッケル
・リンメッキ液に浸漬して、ニッケル・リンメッキ層を
０．２μｍ積層した（一例をあげれば、メルテックス社
製メルプレートＮｉ−１４０２Ｍ１を６０ｍｌ、メルプ
レートＮｉ−１４０２Ｍ２を１２０ｍｌ混合し、イオン
交換水により１Ｌとしたもので、ｐＨ４．６、液温７０
℃への３分間の浸漬）。

【００４６】以上のプロセスにおいては、非結晶性ＩＴ
Ｏ膜の耐酸性および耐アルカリ性に注意し、過度のエッ
チングや膜の溶解が生じないような前処理薬品を選ぶ。

【００４７】このようにしてメッキ層を積層後に、東京
応化工業製のＴＰＲ専用剥離液に浸漬しレジストを除去
し、さらに、４３℃に加温した３．５％の蓚酸水溶液を
用いて、露出する非結晶性ＩＴＯ膜を剥離し、イオン交
換水にて水洗後、１３０℃のオーブン中にて３０分間の
焼成を行い、図１の（ａ），（ｂ），（ｃ）に示したよ
うな層構成を有する基板を作成した。このようにして作
成したパターンは通常のテープテストによる密着テスト
において、パターン剥離などは生じなかった。

【００４８】また、不要な非結晶性ＩＴＯ膜のエッチン
グによる除去の際、保護レジストによる保護を行わなく
ても、積層されたパターン、および、印刷・焼成パター
ンはダメージを受けなかった。［実施例２］非結晶性ＩＴＯ膜上に積層するメッキ層と
してパラジウム・リンメッキ膜を用いた以外は、実施例
１と同様にして、図１の（ａ），（ｂ），（ｃ）に示し
たような層構成を有するパターンを作成した。

【００４９】ここで、使用した無電解パラジウム・リン
めっき液は、奥野製薬製の商品名：ムデンノーブルＰＤ
であり、ｐＨ６．２の溶液を５５℃に加温したものに、
基板を３分間浸漬してパラジウム・リンメッキ層３を
０．１５μｍ積層した。

【００５０】無電解パラジウム・リンめっき液として
は、上記のもの以外にも、メルテックス社製のパラマー
スＳＭＴなども好適に使用することが可能である。

【００５１】このようにして作成したパターンは通常の
テープテストによる密着テストにおいて、パターン剥離
などは生じなかった。

【００５２】また、不要な非結晶性ＩＴＯ膜のエッチン
グによる除去の際、保護レジストによる保護を行わなく
ても、積層されたパターン、および、印刷・焼成パター
ンはダメージを受けなかった。［実施例３］実施例２においてレジストを除去する前
に、パラジウム・リンメッキ層３の上に銀メッキ層４ａ
を１０μｍ積層し、後の工程は実施例２と同様に行い、
図３の（ａ）に示したような層構成を有する基板を作成
した。

【００５３】銀メッキ層４ａの積層は、電気メッキ法に
より行ったものであり、使用したメッキ液は、Ｎ．Ｅ．
ケムキャット社製の商品名Ｓ−９００、メッキ条件は、
浴温６０℃、電流密度０．２（Ａ／ｃｍ²）で行った。

【００５４】この銀メッキ層積層後は、実施例２と同様
にして基板を作成した。

【００５５】このようにして作成したパターンは通常の
テープテストによる密着テストにおいて、パターン剥離
などは生じなかった。

【００５６】また、不要な非結晶性ＩＴＯ膜のエッチン
グによる除去の際、保護レジストによる保護を行わなく
ても、積層されたパターン、および、印刷・焼成パター
ンはダメージを受けなかった。［実施例４］実施例１において、ニッケル・リンメッキ
層３を積層後に、引き続いて、リンを含まないパラジウ
ムメッキ層４ａを０．１μｍ積層し、さらに、実施例１
と同じメッキ液を用いて、銀メッキ層４ｂを１０μｍ積
層した。

【００５７】このパラジウムメッキ層の積層は、無電解
めっき法により行ったものであり、使用したメッキ液
は、小島化学薬品製の商品名パレット（建浴時のパラジ
ウム濃度１ｇ／Ｌ）で、メッキ条件は、浴温７５℃、メ
ッキ時間２分で行った。

【００５８】その後、実施例１と同様にして保護レジス
トの剥離と露出した非結晶性ＩＴＯ膜の剥離を行い、図
３（ｂ）に示したような層構成を有する基板を作成し
た。

【００５９】この様にして作成された基板は、通常のテ
ープテストによる密着テストにおいて、パターン剥離な
どは生じなかった。

【００６０】また、不要な非結晶性ＩＴＯ膜のエッチン
グによる除去の際、保護レジストによる保護を行わなく
ても、積層されたパターン、および、印刷・焼成パター
ンはダメージを受けなかった。［実施例５］実施例４において銀メッキ層を積層する代
りに、銀メッキ層の積層を行った。

【００６１】ここで使用した銅メッキ条件は、以下に示
したものを用いており、その他の条件は実施例４と同一
にて行い、図３（ｂ）に示したような層構成を有する基
板を作成した。銅メッキ条件硫酸銅９０ｇ／Ｌ、硫酸１９０ｇ／Ｌ、塩素イオン５０ｐｐｍ、日本リーロナール社製の商品名：カパーグリームＪＨＴ−Ａ２ｍｌ／Ｌ、：カパーグリームＪＨＴ−Ｃ５ｍｌ／Ｌ、浴温２５℃、電流密度１Ａ／ｄｍ²、この様にして作成された基板は、通常のテープテストに
よる密着テストにおいて、パターン剥離などは生じなか
った。

【００６２】また、不要な非結晶性ＩＴＯ膜のエッチン
グによる除去の際、保護レジストによる保護を行わなく
ても、積層されたパターン、および、印刷・焼成パター
ンはダメージを受けなかった。

【００６３】また、改めて実施例としての記載は行わな
いが、前述したパラジウムメッキ層の上には、下記のメ
ッキ液による金や白金の積層も容易に行うことができ
る。無電解金メッキシアン化金カリウム３ｇ／Ｌ、日本リーロナール社製の商品名：オウロレクトロレスＵＰ１５０ｍｌ／Ｌ、浴温８０℃、または、大和化成社製の商品名：ダインゴールド浴温７０℃ 無電解白金メッキエヌ・イー・ケムキャット社製の商品名：ＥＬ−ＰｔＡ剤１０ｍｌ：ＥＬ−ＰｔＢ剤１Ｌ浴温７０℃ ［比較例１］本発明の非結晶性ＩＴＯ膜の代りに、結晶
性のＩＴＯ膜９を用いて実施例１と同様のプロセスを行
ったところ、不要な部分のＩＴＯ膜の剥離・除去を、実
施例１で用いた蓚酸水溶液で行えなかった。

【００６４】また、積層膜の保護を行わないで、このＩ
ＴＯ膜を溶解除去するのに十分な濃度を有する塩酸を使
用したところ、積層膜は塩酸によるアタックを受けて一
部が剥離してしまった。

【００６５】この状態の模式図を図４に示す。

【００６６】以上、説明した実施例は、本発明を基に製
作された表示デバイス用基板の、代表的な製造方法を示
したに過ぎず、本発明は、前記の特定の実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の技術範囲において、数々の
変形・応用が可能であることは勿論である。

【００６７】

【発明の効果】本発明は、以上、詳述したような製造方
法を採用することで、形成したパターンがパタニング時
に受けるダメージを最小限に抑えることができるばかり
か、新たな保護レジストの形成を行うこと無しに、メッ
キのための下地層の不要部分を除去することが可能であ
り、メッキ配線を有する表示デバイス用の基板を作成す
る際に、品質の向上と、製造コストの引き下げが大いに
期待できる。

【００６８】すなわち、本発明によれば、基材上に、メ
ッキ膜のための下地層として、非加熱スパッタ成膜法に
よりＩＴＯ膜を形成することで、メッキによるパターン
形成後に不要となる下地層を、新たな保護レジストパタ
ーンの形成なしに、除去することができる。

【００６９】本発明は、この様にプロセスを短縮できる
という効果があるばかりか、既存のパターンに、印刷・
焼成法を用いて製造された部分がある場合でも、これら
印刷パターンにダメージを与えること無く、密着性に優
れたメッキパターンの積層を行うことができるというメ
リットがある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１、２の製造方法により作成さ
れた基板の層構成を示す模式図である。

【図２】本発明の代表的な積層プロセスの模式図であ
る。

【図３】（ａ）は本発明の実施例３の製造方法により作
成された基板の層構成を示す模式図、（ｂ）は本発明の
実施例４、５の製造方法により作成された基板の層構成
を示す模式図である。

【図４】本発明の比較例１の膜状態を示す模式図であ
る。

【符号の説明】

１基材２非結晶性ＩＴＯ膜３，４，４ａ，４ｂ積層されたメッキ膜５ａ，５ｂ電極６配線７絶縁層８保護レジスト９結晶性ＩＴＯ膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H090 JB02 LA01 2H092 MA05 MA10 MA11 MA18 NA17 4M104 AA10 BB06 DD37 DD42 DD52 DD53 DD64 GG20 HH08 5C094 AA42 AA43 AA44 BA27 BA31 BA43 BA52 DA13 DB01 DB04 EA05 EA10 FA01 FA02 GB10 JA01 JA20 5E343 AA26 BB25 BB44 BB49 BB59 BB72 CC33 DD02 DD03 DD25 DD33 DD43 EE52 ER18 GG02 GG11 GG20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】印刷・焼成法により形成されたパターン
を有している基板に、湿式のメッキ法によりメッキパタ
ーンを形成するとき、このメッキパターンの下地層とし
て、ＩＴＯ膜を非加熱スパッタ成膜法により形成するこ
とを特徴とする、表示デバイス用基板の製造方法。
【請求項２】請求項１に記載の表示デバイス用基板の
製造方法において、前記ＩＴＯ膜を非加熱スパッタ成膜
法により形成するにあたり、成膜時の基板温度を２００
℃以下とすることを特徴とする、表示デバイス用基板の
製造方法。
【請求項３】請求項１に記載の表示デバイス用基板の
製造方法において、前記ＩＴＯ膜の剥離を、５％以下の
蓚酸水溶液により行うことを特徴とする、表示デバイス
用基板の製造方法。
【請求項４】請求項３に記載の表示デバイス用基板の
製造方法において、前記ＩＴＯ膜の剥離を、３．５％以
下の蓚酸水溶液により行うことを特徴とする、表示デバ
イス用基板の製造方法。
【請求項５】ＩＴＯ膜を非加熱スパッタ成膜法により
形成後に、レジストによる保護パターンを形成し、露出
する該ＩＴＯ膜の上に、湿式のメッキ法によりパターン
メッキを行った後、該レジストを除去し、蓚酸水溶液に
より、露出した前記ＩＴＯ膜の溶解・除去を行うことを
特徴とする、表示デバイス用基板の製造方法。
【請求項６】請求項１〜５のいずれかの請求項に記載
の製造方法により作製された表示デバイス用基板。