CN106598317A - 一种触控面板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种触控面板及其制作方法，属于平板显示技术领域。本发明包括一基板，其至少具有第一表面，第一表面至少包括第一区域和第二区域，第二区域位于第一区域的至少一侧；第一电极层，其形成于第一区域所在的第一表面上，第一电极层包括至少一条第一电极串列，第一电极串列沿第一方向排列；第二电极层，其形成于第一电极层上，第二电极层包括至少一条第二电极串列，第二电极串列沿第一方向排列，第二电极层还包括至少一条第三电极串列，第三电极串列沿第二方向排列；第一电极串列与第二电极串列重合，第一电极串列与第三电极串列交叉绝缘设置；本发明还包括该触控面板的制作方法。本发明电阻低，制作工序简便且节省成本，外观效果佳。

Description

一种触控面板及其制作方法

技术领域

本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种触控面板及其制作方法。

背景技术

G+G电容屏有主要是有下部的传感器玻璃层即触控面板和上部盖板两个部分组成。其上部盖板通常为钢化玻璃，表面非常坚硬，硬度可以达到8H以上，表面耐腐蚀，同时透光率高达91％以上，高透过率对显示画面影响小，且操控手感滑顺。

G+G电容屏下部的传感器玻璃层，即触控面板通常采用ITO架桥技术，一般为氧化铟锡在高温环境下两次真空溅射镀膜形成两层绝缘交叉的ITO(氧化铟锡)层作为触控电极层，在上述两层触控电极层之间光刻胶上光刻ITO架桥图案得到ITO层。上述传统工艺中使用的氧化铟锡，两次镀膜必须在高温条件下进行，生产条件要求高，且蚀刻触控电极图案的过程中，第二次镀膜的电极层中非电极串列的部分需全部蚀刻掉，因为在蚀刻在架桥层(第一绝缘层)上的ITO时易产生过刻问题，尤其在第二电极层氧化铟锡厚度较厚时(即电阻较低时)特别严重，从而可能导致产品良率低下。当前为满足驱动IC的要求，ITO电阻值应选用更小的电阻值。另外,过刻还导致ITO图形边缘过渡区变大(即ITO图形端面斜面坡角较小)，边缘过渡区大导致ITO图形虚边严重从而使得ITO图形外观明显。

因此，当前急需一种能制作电阻值更小、不使用高温镀膜、ITO图形边缘过渡区小、ITO图形外观更佳的触控面板及其制作方法。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种本发明提供一种能制作电阻值更小、不使用高温镀膜、ITO边缘过渡区小、ITO图形外观更佳的触控面板及其制作方法。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

根据本发明的一个方面，提供的一种触控面板，其至少包括：一基板，该基板至少具有第一表面，该第一表面至少包括第一区域和第二区域，第二区域位于第一区域的至少一侧；第一电极层，其形成于第一区域所在的第一表面上，第一电极层包括至少一条第一电极串列，第一电极串列沿第一方向排列；第二电极层，其形成于第一电极层上，第二电极层包括至少一条第二电极串列，第二电极串列沿第一方向排列，第二电极层还包括至少一条第三电极串列，第三电极串列沿第二方向排列；第一电极串列与第二电极串列重合，第一电极串列与第三电极串列交叉绝缘设置。

优选地，本发明提供的触控面板中，第一电极层由氧化铟锡在基片温度不小于200摄氏度条件下完成镀膜并蚀刻形成第一图案；第二电极层由非结晶态氧化铟锡室温在基片温度不大于100摄氏度条件下完成镀膜形成，再通过弱酸蚀刻液蚀刻第二电极层形成第二图案再后经在基片温度不小于200摄氏度条件下退火，形成第二电极串列与第三电极串列，形成的第二电极层是与第一电极层性能相同、相近的第二电极层电极图形，蚀刻液不改变第一图案镀膜形成第一电极层以及第二电极层所选用的导电材料均为低电阻导电材料，优选地，镀膜所选用的氧化铟锡以及非结晶态氧化铟锡的电阻值-方块电阻至多为20欧姆。

进一步的，本发明提供的触控面板中，第一电极层与第二电极层之间设置有第一绝缘层，第二电极层上形成有第二绝缘层；第一绝缘层包括至少一个绝缘块，第一电极串列与第三电极串列交叉处通过该绝缘块绝缘；第二电极层经蚀刻液蚀刻后，第二电极串列在绝缘块处断开连接并与第一电极串列重合。

进一步的，本发明提供的触控面板中，第一电极层与第一绝缘层之间还设置有第一引线层，第一引线层从第一电极串列上引出，并延伸至第二区域；第二电极层与第二绝缘层之间还设置有第二引线层，第二引线层从第三电极串列上引出，并延伸至第二区域。

优选地，本发明提供的触控面板中，基板的第一表面上方的第二绝缘层上设置一盖板，盖板覆盖基板。

进一步的，本发明提供的触控面板中，上述盖板与第二绝缘层之间设置有光学功能层，光学功能层由氮化硅、氮氧化硅和二氧化硅或其他的无机氧化物层中的至少一种沉积而成。

此外，本发明还有必要提供一种上述触控面板的制作方法，其至少包括以下步骤：提供一基板，基板至少具有第一表面，该第一表面至少包括第一区域和第二区域，第二区域位于第一区域的至少一侧；提供第一电极层，第一电极层由氧化铟锡在基片温度不小于200摄氏度条件下镀膜并蚀刻形成第一图案于第一区域所在的第一表面上，第一电极层包括至少一条第一电极串列，第一电极串列沿第一方向排列；提供第二电极层，第二电极层由非结晶态氧化铟锡在基片温度不大于100摄氏度条件下完成镀膜形成于第一电极层上，第二电极层通过蚀刻液蚀刻第二电极层形成第二图案再经在基片温度不小于200摄氏度条件下退火形成第二电极串列与第三电极串列，第二电极串列沿第一方向排列，第三电极串列沿第二方向排列，形成的第二电极层是与第一电极层性能相同、相近的第二电极层电极图形，蚀刻液不改变第一图案；使第一电极串列与第二电极串列重合，第一电极串列与第三电极串列交叉绝缘设置。

优选地，本发明提供的面板结构制作方法中，制作方法还包括：提供第一绝缘层，第一绝缘层设置于第一电极层与第二电极层之间；第一绝缘层包括至少一个绝缘块，第一电极串列与第三电极串列交叉处通过该绝缘块绝缘；第二电极层经蚀刻液蚀刻后，使得第二电极串列在绝缘块处断开连接并与第一电极串列重合；提供第二绝缘层，第二绝缘层形成于第二电极层上。

进一步的，本发明提供的面板结构制作方法中，制作方法还包括：提供第一引线层，其形成于第一电极层与第一绝缘层之间，将第一引线层从第一电极串列上引出，并延伸至第二区域；提供第二引线层，其形成于第二电极层与第二绝缘层之间，将第二引线层从第三电极串列上引出，并延伸至第二区域。

优选地，本发明提供的面板结构制作方法中，制作方法还包括：提供一光学功能层，使其沉积于第二电极层上，该光学功能层由氮化硅、氮氧化硅和二氧化硅或其他的无机氧化物层中的至少一种组成。

本发明提供的面板结构及其制作方法中，由于选用非结晶态氧化铟锡作为第二电极层的材料，在基片温度不大于100摄氏度条件下进行第二电极层的镀膜，其与第一电极串列重合的部分通过蚀刻液蚀刻后并不会因此蚀刻掉，而是与第一电极串列迭加，形成并联电阻，第一电极层与第二电极层都可选用低电阻材料，二者并联后的电阻更低，更符合驱动IC的运行要求，再经在基片温度不小于200摄氏度条件下退火固定，重合部分的第二电极串列不用被蚀刻掉，反而有更佳的效果，简化了制作工序，同时节约了生产成本。利用蚀刻液对非结晶态氧化铟锡在在基片温度不大于100摄氏度条件下形成的第三电极串列在绝缘块上的部分进行蚀刻效果干净，并可解决蚀刻速率过快导致ITO层上的导电图形残缺的问题，第二电极层经蚀刻后得到的图形边缘过渡区小，端面斜面坡度大，ITO外观不明显。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

图1为本发明提供的一优选实施例的触控面板的截面示意图；

图2为图1所示的优选实施例的触控面板的示意图；

图3为图2所示的优选实施例的触控面板的A处的放大后示意图；

图4为图1触控面板的制作方法的流程示意图。

具体实施方式

为说明本发明提供的触控面板及其制作方法，以下结合说明书附图及文字说明进行详细阐述。

参考图1与图2，图1为本发明提供的一优选实施例的触控面板的截面示意图，图2为图1所示的优选实施例的触控面板的示意图。本发明提供的触控面板至少包括一基板10，基板10可选用透明材料如玻璃、树脂制成，也可优选使用钢化玻璃。基板10至少具有第一表面100，该第一表面100为一连续且光滑的平面或者曲面，第一表面100至少包括第一区域101和第二区域102，第二区域102位于第一区域101的至少一侧。第一表面100的第一区域101用于触控操作，该第一表面100的第二区域102用于铺设引线以及设置与引线连接的驱动IC(图中未示出)。第一电极层110，其形成于第一区域101所在的第一表面100上，第一电极层110包括至少一条第一电极串列111，为得到更佳的技术效果，将第一电极串列111满面铺设于第一表面100的第一区域101上，第一电极串列111沿第一方向排列。第二电极层120，其形成于第一电极层110上，第二电极层120包括至少一条第二电极串列121，第二电极串列121沿第一方向排列，第二电极层120还包括至少一条第三电极串列122，第三电极串列122沿第二方向排列。第一电极串列111与第二电极串列121重合，为得到更佳的技术效果，将第二电极串列121相对于第一表面100的投影覆盖第一电极串列111相对第一表面100的投影。第一电极串列111与第三电极串列122交叉绝缘设置，第一电极串列111与第三电极串列122交叉产生的角度可以为90度或其他角度。第一电极层110与第二电极层120之间设置有第一绝缘层130，第二电极层120上形成有第二绝缘层140。第一绝缘层130与第二绝缘层140形成所用的材料为透明光学胶，该光学胶可选有机硅胶、丙烯酸型树脂及不饱和聚酯、聚氨酯、环氧树脂等胶粘剂中至少一种制成。第一绝缘层130包括至少一个绝缘块131，每一个第一电极串列111与第三电极串列122相交叉的位置点都在二者之间设置一个绝缘块131，第一电极串列111与第三电极串列122交叉处通过绝缘块131绝缘，第一电极串列111通过绝缘块131与第一表面100之间与第三电极串列122电性绝缘，第三电极串列122通过绝缘块131远离第一表面100的一侧与第一电极串列111电性绝缘。第二电极层120经蚀刻液蚀刻形成第二图案后，其中第二电极串列121在绝缘块131处断开，第二电极串列121未连成一体，于绝缘块131处隔断形成片段，彼此之间不能流通电流。绝缘块131投影以外的第二电极串列121部分以片段的形式与第一电极串列111重合。

第一电极层110由氧化铟锡在基片温度不小于200摄氏度条件下完成镀膜并蚀刻形成第一图案，第二电极层120由非结晶态氧化铟锡，即α-ITO在在基片温度不大于100摄氏度条件下完成镀膜形成第二图案，该种非结晶态氧化铟锡也具有电阻低且透明导电的特性，绝缘块131处的非结晶态氧化铟锡遇到蚀刻液溶液可被蚀刻掉，并可完整的保留所需的ITO层的导电图形，不会因为蚀刻过快导致ITO层上的导电图形残缺。非结晶态氧化铟锡与第一电极层110已镀膜的氧化铟锡直接接触部分会发生融合，不易分离，当用蚀刻液蚀刻时，该部分的非结晶态氧化铟锡不被蚀刻去除。再通过245摄氏度左右的温度条件下退火形成第二电极串列121与第三电极串列122。形成的第二电极层120是与第一电极层110性能相同、相近的第二电极层120电极图形，蚀刻液不改变第一图案。由于通过蚀刻液蚀刻非结晶态氧化铟锡，使得第二电极层120蚀刻后的导电图形边缘斜率远大于25度的要求，起到一定消影作用。

作为一种优选的实施例，第一电极层110的电阻值-方块电阻小于20欧姆；第二电极层120的电阻小于20欧姆。此时，非结晶态氧化铟锡与第一电极层110已镀膜的氧化铟锡直接接触发生融合的部分因二者并联，该区域的电阻值远小于第一电极层110以及第二电极层120的电阻值，因此得到电阻更低的触控电极。第一电极层110与第一绝缘层130之间还设置有第一引线层150，第一引线层150从第一电极串列111上引出，并延伸至第二区域102。第一引线层150布线于第二区域102并与驱动IC连接。第二电极层120与第二绝缘层140之间还设置有第二引线层160，第二引线层160从第三电极串列122上引出，并延伸至第二区域102。第二引线层160布线于第二区域102并与驱动IC连接。第二绝缘层140覆盖第二引线层160，具有隔水、隔绝空气，防腐蚀的作用。第一引线层150以及第二引线层160至少由金属或金属合金制成，还包括透明导电材料，透明导电材料可以是氧化铟锡或其化合物。

基板的第一表面上方的第二绝缘层上设置一盖板(图中未示出)，该盖板可选用钢化玻璃制成，该盖板覆盖其下方的基板起到保护触控面板的作用。上述盖板与第二绝缘层140之间设置有光学功能层170，光学功能层170由氮化硅、氮氧化硅和二氧化硅或其他的无机氧化物层中的至少一种沉积而成。通过铺设的光学功能层170达到降低非图案化区的透过率，提升其反光率，并提升图案化区的透过率，降低其反光率，使得非图案化区与图案化区的反射率差降至人眼无法识别区分的程度以下，达到消影的效果。

参考图3，图3为图2所示的优选实施例的触控面板的A处的放大后示意图。作为一种优选的实施例，第三电极串列122包括多个电极单元123。任一绝缘块131设置于第一电极串列111与第三电极串列122相交叉的位置点，该交叉点处的第一电极串列111位于绝缘块131下方，该交叉点处的第三电极串列122设置于绝缘块131的上方。第三电极串列122中任意两个相邻电极单元123在该绝缘块131上方蚀刻后保留的沿着绝缘块131表面延伸至相临两个电极单元123的非结晶态氧化铟锡线段为ITO桥124，该ITO桥124与该处相临的两个电极单元123连接形成通路。第一电极层110的电阻值小于20欧姆；第二电极层120的电阻值小于20欧姆。与第一电极串列111相重合且未被蚀刻液蚀刻去除的该部分第二电极层120形成第二电极串列121，该第二电极串列121与第一电极串列111融合为一个电流通路，且该通路的电阻值小于第一电极层110的电阻，也小于第二电极层120的电阻。因此，该第一电极层110、第二电极层120以及第一电极层110与第二电极层120重合并联后的电阻都能够满足驱动IC的运行要求。

上述触控面板的图案化区因铺设有低电阻的氧化铟锡或非结晶态氧化铟锡，该处的透过率较非图案化区低，其反射率较非图案化区高。第二绝缘层140上设置有光学功能层170，光学功能层170由氮化硅、氮氧化硅和二氧化硅或其他的无机氧化物层中的至少一种沉积而成，更佳的，在第二绝缘层140上沉积氮化硅作为光学功能层。在图3中，第一电极串列111区域、电极单元123区域以及ITO桥124的区域为图案化区，基板10的图案化区以外的区域为非图案化区。通过光学功能层170的折射作用，非图案化区，即玻璃材质的基板10处的透过率降低，反射率增加；图案化区的透过率增加，反射率降低，使得二者之间的反射率差得到有效调节，使人眼无法区分二者之间的视觉差别，达到消影的效果。

本发明得到电阻值更小的触控电极，简化了制作工序，同时节约了生产成本。解决了蚀刻速率过快导致ITO层上的导电图形残缺的问题。通过蚀刻液对非结晶态氧化铟锡进行蚀刻，导电图形边缘斜率大，起到消影作用。且该触控面板铺设有光学功能层170，通过该光学功能层170的折射作用有效调节该触控面板图案化区和非图案化区的反射率差至人眼无法识别区分的程度以下，得到不使用高温镀膜、ITO边缘过渡区小、ITO图形外观更佳的触控面板。

参考图4，图4为图1触控面板的制作方法的流程示意图。本实施例为上述触控面板的制作方法，其具体实现步骤为：

S01：提供一基板，该基板至少具有第一表面，该第一表面至少包括第一区域和第二区域，第二区域位于第一区域的至少一侧。

基板由透明玻璃材质制成，可优选使用钢化玻璃。第一表面的第一区域用于触控操作，铺设有触控电极，该第一表面的第二区域用于铺设引线以及设置驱动IC，引线与驱动IC连接。

S02：提供第一电极层，第一电极层由氧化铟锡在基片温度不小于200摄氏度条件下镀膜并蚀刻形成第一图案于第一区域所在的第一表面上，第一电极层包括至少一条第一电极串列，第一电极串列沿第一方向排列。

第一电极层由氧化铟锡在基片温度不小于200摄氏度条件下镀膜并蚀刻形成，所形成的第一电极层包括至少一条第一电极串列，第一电极串列沿第一方向排列。更佳的，可将第一电极串列满面铺设于第一表面的第一区域上。第一电极层的电阻范围为11-15欧姆。

S03：提供第一引线层，其形成于第一电极层上，将第一引线层从第一电极串列上引出，并延伸至第二区域。

第一引线层铺设于第一区域临近第二区域的位置，第一引线层从第一电极串列上引出，延伸至第二区域。第一引线层布线于第二区域并与驱动IC连接。

S04：提供第一绝缘层，第一绝缘层设置于第一电极层上且覆盖第一引线层。

第一绝缘层包括至少一个绝缘块，第一绝缘层与第二绝缘层形成所用的材料为透明光学胶，该光学胶可选有机硅胶、丙烯酸型树脂及不饱和聚酯、聚氨酯、环氧树脂等胶粘剂中至少一种制成。

S05：提供第二电极层，第二电极层由非结晶态氧化铟锡在基片温度不大于100摄氏度条件下镀膜形成于第一电极层上，第二电极层通过蚀刻液蚀刻形成第二图案再经在基片温度不小于200摄氏度条件下退火形成第二电极串列与第三电极串列。形成的第二电极层是与第一电极层性能相同、相近的第二电极层电极图形，蚀刻液不改变第一图案。

第二电极串列沿第一方向排列，第三电极串列沿第二方向排列；第一电极串列与第三电极串列交叉处通过绝缘块绝缘。第二电极层的电阻范围为14-18欧姆。第二电极层由非结晶态氧化铟锡，即α-ITO在在基片温度不大于100摄氏度条件下(基片温度不大于100度)镀膜形成，该种非结晶态氧化铟锡也具有低电阻以及透明导电的特性，绝缘块处的非结晶态氧化铟锡遇到蚀刻液可被蚀刻去除，并可完整的保留所需的ITO层的导电图形，不会因为蚀刻过快导致ITO层上的导电图形残缺。第二电极层经蚀刻液蚀刻后，使得第二电极串列在绝缘块处断开连接并与第一电极串列重合，非结晶态氧化铟锡与第一电极层已镀膜的氧化铟锡直接接触的部分会发生融合不易分离，当用蚀刻液蚀刻时，该部分的非结晶态氧化铟锡不能被蚀刻去除。非结晶态氧化铟锡与第一电极层已镀膜的氧化铟锡直接接触发生融合的部分，因二者并联，该区域的电阻范围为10-11欧姆，因此得到电阻更低的触控电极。

此时第一电极串列与第二电极串列重合，第一电极串列与第三电极串列交叉绝缘设置。

S06：提供第二引线层，其形成于第二电极层上，将第二引线层从第三电极串列上引出，并延伸至第二区域。

第二引线层铺设于第一区域临近第二区域的位置，第二引线层从第三电极串列上引出，延伸至第二区域。第二引线层布线于第二区域并与驱动IC连接。

S07：提供第二绝缘层，第二绝缘层形成于第二电极层上。

第二绝缘层形成所用的材料为透明光学胶，该光学胶可选有机硅胶、丙烯酸型树脂及不饱和聚酯、聚氨酯、环氧树脂等胶粘剂中至少一种制成。第二绝缘层覆盖第二引线层，具有隔水、隔绝空气，防腐蚀的作用。

提供一盖板，该盖板设置于基板的第一表面上方的第二绝缘层上，该盖板可选用钢化玻璃制成，该盖板覆盖其下方的基板起到保护触控面板的作用。

S08：提供一光学功能层，使其沉积于第二绝缘层上，光学功能层由氮化硅、氮氧化硅和二氧化硅或其他的无机氧化物层中的至少一种组成。

该光学功能层设置于上述盖板下方，第二绝缘层上方。通过铺设的光学功能层的折射作用，使得非图案化区，即玻璃材质的基板处的透过率降低，反射率增加；图案化区的透过率增加，反射率降低，使得二者之间的反射率差得到有效调节，使人眼无法区分二者之间的视觉差别，达到消影的效果。本发明通过选用非结晶态氧化铟锡作为第二电极层的材料，在在基片温度不大于100摄氏度条件下进行第二电极层的镀膜，其与第一电极串列重合的部分通过蚀刻液蚀刻后并不会因此蚀刻去除，而是与第一电极串列重合，形成并联电阻，第一电极层与第二电极层都可选用低电阻材料，二者并联后的电阻更低，更符合驱动IC的运行要求。重合部分的第二电极串列不用去除，与第一电极串列并联后反获得更低的电阻，得到更佳的效果，简化了制作工序，同时节约了生产成本。利用蚀刻液对非结晶态氧化铟锡在在基片温度不大于100摄氏度条件下形成的第三电极串列在绝缘块上的部分进行蚀刻效果干净，并可解决蚀刻速率过快导致ITO层上的导电图形残缺的问题。通过蚀刻液对非结晶态氧化铟锡进行蚀刻，第二电极层蚀刻后的导电图形边缘斜率大，起到一定的消影作用。加之第二绝缘层上铺设的光学功能层，得到更佳的消影效果。利用上述触控面板制作方法制作的触控面板所具有的电阻值更小、不使用高温镀膜、ITO边缘过渡区小、ITO图形外观更佳。

以上为本发明提供的触控面板及其制作方法的较佳实施方式，并不能理解为对本发明权利保护范围的限制，本领域的技术人员应该知晓，在不脱离本发明构思的前提下，还可做多种改进或替换，所有的该等改进或替换都应该在本发明的权利保护范围内，即本发明的权利保护范围应以权利要求为准。

Claims (10)

1.一种触控面板，其特征在于，所述触控面板至少包括：

一基板，所述基板至少具有第一表面，所述第一表面至少包括第一区域和第二区域，所述第二区域位于所述第一区域的至少一侧；

第一电极层，其形成于所述第一区域所在的所述第一表面上，所述第一电极层包括至少一条第一电极串列，所述第一电极串列沿第一方向排列；

第二电极层，其形成于所述第一电极层上，所述第二电极层包括至少一条第二电极串列，所述第二电极串列沿所述第一方向排列，所述第二电极层还包括至少一条第三电极串列，所述第三电极串列沿第二方向排列；

所述第一电极串列与所述第二电极串列重合，所述第一电极串列与所述第三电极串列交叉绝缘设置。

2.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述第一电极层由氧化铟锡在基片温度不小于200摄氏度条件下完成镀膜并蚀刻形成第一图案；

所述第二电极层由非结晶态氧化铟锡在基片温度不大于100摄氏度条件下完成镀膜，再通过蚀刻液蚀刻第二电极层形成第二图案再经在基片温度不小于200摄氏度条件下退火形成所述第二电极串列与所述第三电极串列，所述蚀刻液不改变所述第一图案。

3.如权利要求2所述的触控面板，其特征在于，所述第一电极层与所述第二电极层之间设置有第一绝缘层，所述第二电极层上形成有第二绝缘层；

所述第一绝缘层包括至少一个绝缘块，所述第一电极串列与所述第三电极串列交叉处通过所述绝缘块绝缘；

所述第二电极层经蚀刻液蚀刻后，所述第二电极串列在所述绝缘块处断开连接并与所述第一电极串列重合。

4.如权利要求3所述的触控面板，其特征在于，所述第一电极层与所述第一绝缘层之间还设置有第一引线层，所述第一引线层从所述第一电极串列上引出，并延伸至所述第二区域；

所述第二电极层与所述第二绝缘层之间还设置有第二引线层，所述第二引 线层从所述第三电极串列上引出，并延伸至所述第二区域。

5.如权利要求1至4任一项所述的触控面板，其特征在于，所述基板的所述第一表面上方的所述第二绝缘层上设置一盖板，所述盖板覆盖所述基板。

6.如权利要求5所述的触控面板，其特征在于，所述盖板与所述第二绝缘层之间设置有光学功能层，所述光学功能层由氮化硅、氮氧化硅和二氧化硅或其他的无机氧化物层中的至少一种沉积而成。

7.一种触控面板的制作方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：

提供一基板，所述基板至少具有第一表面，所述第一表面至少包括第一区域和第二区域，所述第二区域位于所述第一区域的至少一侧；

提供第一电极层，所述第一电极层由氧化铟锡在基片温度不小于200摄氏度条件下镀膜并蚀刻形成第一图案于所述第一区域所在的第一表面上，所述第一电极层包括至少一条第一电极串列，所述第一电极串列沿第一方向排列；

提供第二电极层，所述第二电极层由非结晶态氧化铟锡在基片温度不大于100摄氏度条件下完成镀膜形成于所述第一电极层上，所述第二电极层通过蚀刻液蚀刻第二电极层形成第二图案再经在基片温度不小于200摄氏度条件下退火形成第二电极串列与第三电极串列，所述第二电极串列沿所述第一方向排列，所述第三电极串列沿第二方向排列，所述蚀刻液不改变所述第一图案；

使所述第一电极串列与所述第二电极串列重合，所述第一电极串列与所述第三电极串列交叉绝缘设置。

8.如权利要求7所述的触控面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

提供第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述第一电极层与所述第二电极层之间；

所述第一绝缘层包括至少一个绝缘块，所述第一电极串列与所述第三电极串列交叉处通过所述绝缘块绝缘；

所述第二电极层经蚀刻液蚀刻后，使得所述第二电极串列在所述绝缘块处断开连接并与所述第一电极串列重合；

提供第二绝缘层，所述第二绝缘层形成于所述第二电极层上。

9.如权利要求8所述的触控面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

提供第一引线层，其形成于所述第一电极层与所述第一绝缘层之间，将所述第一引线层从所述第一电极串列上引出，并延伸至所述第二区域；

提供第二引线层，其形成于所述第二电极层与所述第一绝缘层之间，将所述第二引线层从所述第三电极串列上引出，并延伸至所述第二区域。

10.如权利要求7至9任一项所述的触控面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

提供一光学功能层，使其沉积于所述第二电极层上，所述光学功能层由氮化硅、氮氧化硅和二氧化硅或其他的无机氧化物层中的至少一种组成。