CN111273799B - 触控显示装置及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种触控显示装置，包括第一基板、第二基板、像素元件层以及触控元件层。第一基板与第二基板彼此相对设置。像素元件层设置于第二基板表面，并位于第二基板与第一基板之间。触控元件层设置于第一基板相反于第二基板的表面上，其中包括图案化第一透明导电层与图案化第二透明导电层。图案化第一透明导电层的结晶度与图案化第二透明导电层的结晶度不同。

Description

触控显示装置及其制作方法

技术领域

本发明涉及一种触控显示装置及其制作方法，特别是涉及一种具有优异的光学特性、高机械强度、低阻抗以及低制作成本的触控显示装置及其制作方法。

背景技术

触控显示装置已广泛使用在各式电子产品中，藉此让使用者可直接与电子产品沟通而取代键盘与鼠标等传统输入装置。并且，还可缩减电子产品的体积并以提升人机在沟通上的便利性。在现有的触控显示装置中，由于后制作出的组件的工艺温度需低于先制作出的组件可承受的工艺温度，导致制作出的触控显示装置的产品特性表现不佳。为了提升产品特性表现，如何制作具有优异光学特性、高硬度、低阻抗，同时维持较低制作成本的触控显示装置一直是值得深入研究的问题。

图1为现有的一种触控显示装置的制作方法流程图。如图1所示，先进行显示面板工艺SA1，其包括分开制作彩色滤光基板与薄膜晶体管基板(步骤SA10与SA12)，然后将液晶设置在薄膜晶体管基板与彩色滤光基板间并将两基板组立成显示面板(步骤SA14)。接下来进行低温触控感测组件工艺SA2，其包括于显示面板上制作触控感测组件，以形成触控显示面板，其中触控感测组件包括图案化透明导电层与图案化绝缘层。因为液晶可承受的温度小于150℃，因此制作触控感测组件的工艺需采低温工艺，也就是小于150℃的工艺，以避免造成液晶特性变异。但透明导电层的材料例如氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)在高温例如大于或等于150℃时才会进行相转变由非晶(amorphous)的状态转变为具有良好的结晶状态，因此低温触控感测组件工艺所形成的图案化透明导电层为非晶的状态，其阻抗、光学特性与机械特性(例如硬度)较差。

图2为现有的另一种触控显示装置的制作方法流程图。如图2所示，先进行高温触控感测组件工艺SB1，其包括于一基板的一表面上制作触控感测组件(步骤SB10)，其中触控感测组件包括图案化透明导电层与图案化绝缘层。接下来进行显示面板工艺SB2，其包括反转基板以于上述基板的另一表面上制作彩色滤光层与遮蔽层，以形成彩色滤光基板(步骤SB12)，以及形成与彩色滤光基板分开制作的薄膜晶体管基板(步骤SB14)，并且在完成彩色滤光基板与薄膜晶体管基板的制作后，再将液晶设置在薄膜晶体管基板与彩色滤光基板间并将两基板组立成触控显示面板(步骤SB16)。因为触控感测组件是在组立两基板前进行，因此制作触控感测组件的工艺可采高温工艺。但因为制作彩色滤光层与遮蔽层时，设置触控感测组件的表面需朝下将基板设置于传动机构上，触控感测组件会与传动机构接触，使得触控感测组件容易受到刮伤造成良率过低，因此现有技术会采用无机绝缘层(例如SiO₂)，藉以增加硬度以减少刮伤。但一般无机绝缘层皆采化学沉积镀膜(例如化学气相沉积CVD)，且无机绝缘层的图案化需采光刻工艺与蚀刻工艺，因此会增加成本与增加工艺步骤。此外，触控感测组件包括图案化透明导电层与图案化绝缘层，也就是触控感测组件的表面具有图案化的凹凸区域，因此图案化区域的高度断差会与传动机构磨擦而造成触控感测组件刮伤。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是在制作触控显示装置时，无法制作出具有优异光学特性、高硬度、低阻抗以及低制作成本的触控显示装置的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种触控显示装置，包括第一基板、第二基板、像素组件层以及触控组件层。第一基板与第二基板彼此相对设置。像素组件层设置于第二基板表面，并位于第二基板与第一基板之间。触控组件层设置于第一基板相反于第二基板的表面上，其中包括图案化第一透明导电层与图案化第二透明导电层。图案化第一透明导电层的结晶度与图案化第二透明导电层的结晶度不同。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种触控显示装置的制作方法，包括以下步骤。首先，提供一第一基板，接着在第一基板的第一表面形成第一透明导电层。在形成第一透明导电层后，在第一基板的第二表面形成彩色滤光层，第二表面相对于所述第一表面。接着，提供第二基板，在第二基板的第一表面形成像素组件层，以第一基板的第二表面面对第二基板的第一表面的方式，组合第一基板与第二基板。接着，对第一透明导电层进行图案化工艺，以形成图案化第一透明导电层。接着，在第一基板的第一表面上形成第二透明导电层，其中形成第一透明导电层的温度高于形成第二透明导电层的温度。然后，对第二透明导电层进行图案化工艺，以形成图案化第二透明导电层。

附图说明

图1为现有的一种触控显示装置的制作方法流程图。

图2为现有的另一种触控显示装置的制作方法流程图。

图3所示为本发明触控显示装置的制作方法流程图。

图4所示为于第一基板上形成第一透明导电层与彩色滤光层的示意图。

图5所示为本发明于第二基板上形成像素组件层与形成显示面板的示意图。

图6所示为本发明第一实施例形成图案化第一透明导电层的俯视示意图。

图7所示为沿图6中A-A'剖线的剖视示意图。

图8所示为本发明第一实施例形成第一绝缘层的部分剖视示意图。

图9所示为本发明第一实施例形成图案化第一绝缘层的部分剖视示意图。

图10所示为本发明第一实施例形成第二透明导电层的部分剖视示意图。

图11所示为本发明第一实施例形成图案化第二透明导电层的部分剖视示意图。

图12所示为本发明第一实施例形成第二绝缘层的部分剖视示意图。

图13所示为本发明第一实施例形成图案化第二绝缘层的俯视示意图。

图14所示为本发明第二实施例形成图案化第一透明导电层的俯视示意图。

图15所示为沿图14中B-B’剖线的剖视示意图。

图16所示为本发明第二实施例形成图案化第一绝缘层与至少一周边走线的俯视示意图。

图17所示为本发明第二实施例形成图案化第二透明导电层的俯视示意图。

图18所示为本发明第二实施例形成图案化第二绝缘层的俯视示意图。

图19所示为沿图18中C-C’剖线的剖视示意图。

其中，附图标记说明如下：

10、20 触控显示装置

100 第一基板

100a 第一表面

100b 第二表面

106a 第三表面

102 第一透明导电层

1021、2161 第一感测电极

1022、2162 第二感测电极

1023、2163 连接线

1024、2164 焊垫

102A、216A 第一感测电极串

102B、216B 第二感测电极串

116L、202L 桥接线

102P、202P 图案化第一透明导电层

104 彩色滤光层

106 第二基板

108 像素组件层

110 液晶材料层

112、212 周边走线

114 第一绝缘层

114a、118a 通孔

214B 绝缘块

114P、214P 图案化第一绝缘层

116 第二透明导电层

116P、216P 图案化第二透明导电层

118 第二绝缘层

118P、218P 图案化第二绝缘层

D1 第一方向

D2 第二方向

DS 显示面板

TS 触控组件层

SA1、SA2、SA10～SA16、SB1、SB2、SB10～SB16、S1～S3、S10～S26

步骤

具体实施方式

为使本领域技术人员能更进一步了解本发明，以下特列举本发明的优选实施例，并配合附图详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。须注意的是，附图均为简化的示意图，因此，仅显示与本发明有关的组件与组合关系，以对本发明的基本架构或实施方法提供更清楚的描述，而实际的组件与布局可能更为复杂。另外，为了方便说明，本发明的各附图中所示的组件并非以实际实施的数目、形状、尺寸做等比例绘制，其详细的比例可依照设计的需求进行调整。

请参考图3到图13，图3所示为本发明触控显示装置的制作方法流程图，图4所示为本发明于第一基板上形成第一透明导电层与彩色滤光层的示意图，图5所示为本发明于第二基板上形成像素组件层与形成显示面板的示意图，图6所示为形成图案化第一透明导电层的俯视示意图，图7为沿图6中A-A'剖线的剖视示意图，图8所示为形成第一绝缘层的部分剖视示意图，图9所示为形成图案化第一绝缘层的部分剖视示意图，图10所示为形成第二透明导电层的部分剖视示意图，图11所示为形成图案化第二透明导电层的部分剖视示意图，图12所示为形成第二绝缘层的部分剖视示意图，图13所示为形成图案化第二绝缘层的俯视示意图，其中图13为本发明第一实施例触控显示装置的俯视示意图。如图3所示，本实施例的触控显示装置10的制作方法可包括依序进行步骤S10至S26，具体说明如下文。于一些实施例中，制作方法还可以在任何所述的工艺步骤之前、之后或之间进行其他步骤。

如图3与图4所示，首先进行高温触控感测组件工艺S1，以形成第一透明导电层102。本实施例的高温触控感测组件工艺S1包括步骤S10。在步骤S10中，首先提供一第一基板100，然后在第一基板100的第一表面100a上形成第一透明导电层102。第一基板100可为硬质基板或可挠基板，例如玻璃基板，石英基板，蓝宝石基板，塑料基板或聚亚酰胺(polyimide,PI)，但不以此为限。在本实施例中，形成第一透明导电层102的步骤可包含高温工艺，例如温度大于或等于150℃的工艺，并且第一透明导电层102包括透明导电材料，例如氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,IZO)或氧化铝锌(Aluminum Zinc Oxide,AZO)，但不以此为限。上述形成第一透明导电层102的步骤可包含设置第一透明导电层102于第一基板100上以及对第一透明导电层102进行退火，但不以此为限。举例来说，可先沉积第一透明导电层102于第一基板100上，然后对第一透明导电层102进行退火，其中退火工艺的温度大于沉积温度，但不以此为限。值得注意的是，相较于以形成温度小于150℃的透明导电层，高温工艺使得第一透明导电层102可充分地进行相转变，也就是由非晶(amorphous)或未结晶的状态转变为具有良好的结晶状态，进而具有较低的阻值以及优异的光学穿透度。此外，利用高温工艺(例如温度大于230℃的沉积工艺)所制作的第一透明导电层102的硬度较利用低温工艺所制作的透明导电层的硬度大，例如可大于或等于莫氏硬度7H，使得第一透明导电层102不易刮伤，因此可提高生产良率。再者，利用高温工艺所制作的第一透明导电层102还可具有良好的抗蚀性，能够承受后续制作其他膜层时所使用侵蚀性较强的蚀刻液或蚀刻气体，使得后续制作触控组件层的步骤中能够选择更多不同种类的材料来进行镀膜工艺与图案化工艺。

在形成第一透明导电层102的步骤S10之后，进行显示面板DS工艺S2，其中显示面板DS工艺S2包括依序进行步骤S12到步骤S16，并说明如下。在步骤S12中，在第一基板100相对于第一表面100a的第二表面100b上形成彩色滤光层104。具体来说，在形成第一透明导电层102的步骤之后，可先将第一表面100a与第二表面100b上下翻转，并以第一表面100a面对传动机构的情况下将第一基板100设置于传动机构上，使第一透明导电层102位于传动机构与第一基板100之间。在一些实施例中，还可形成遮蔽层(也称作黑色矩阵层)、配向层或上述的组合，但不以此为限。如上所述，本实施例利用高温工艺所制作的第一透明导电层102的硬度较大，使得第一透明导电层102不易刮伤，因此在形成第一透明导电层102后将第一基板100反转置于传动机构上(此时第一透明导电层102位于第一基板100的下方并接触传动机构)以进行后续制作显示面板DS的步骤(例如形成彩色滤光层、遮蔽层、配向层或上述的组合于第一基板100的第二表面100b)时，因第一透明导电层102与传动机构直接接触而产生刮伤的机率降低，因此可提高生产良率。此外，值得注意的是，在进行步骤S12时，第一透明导电层102尚未图案化，也就是第一透明导电层102具有平整的表面，不具有图案化的凹凸区域，因此可避免图案化区域的高度断差与传动机构磨擦而造成第一透明导电层102刮伤。

如图3与图5所示，在步骤S14中，提供一第二基板106，并在第二基板106的第三表面106a上形成像素组件层108。第二基板106的材料可类似于第一基板100，不再赘述。像素组件层108为多层结构并且可包括例如薄膜晶体管，栅极线，数据线，像素电极，配向层以及其他适合的组件，但不以此为限。

如图3与图5所示，在步骤S16中，以第一基板100的第二表面100b面对第二基板106的第三表面106a的方式，组合第一基板100与第二基板106，且将液晶材料层110设置于第一基板100与第二基板106之间，以形成显示面板DS。举例来说，液晶材料层110也可先设置在第二基板的第三表面106a上，然后才将第一基板100与第二基板106接合。或者，液晶材料层110可在接合第一基板100与第二基板106之后注入于第一基板100与第二基板106之间。本发明不限于此。于一些实施例中，由于形成彩色滤光层104的步骤S12与形成像素组件层108的步骤S14彼此独立，因此不限定步骤S12与步骤S14的顺序。于本实施例中，所形成的显示面板DS可包括第一基板100、第二基板106、彩色滤光层104、液晶材料层110与像素组件层108，但不以此为限。

值得一提的是，一般来说液晶材料层100中的液晶材料可承受的工艺温度小于150℃。对此，本实施例在设置液晶材料层100的步骤之前，可进行温度大于或等于150℃的高温工艺，以使第一透明导电层102具有良好的结晶度，在设置液晶材料层110的步骤之后，则进行温度小于150℃的工艺，以避免影响液晶材料的特性。接下来将说明在步骤S16后，也就是在形成具有液晶材料层110的显示面板DS之后，本实施例的后续工艺步骤。

如图3、图6与图7所示，在形成显示面板DS的步骤后，进行低温触控感测组件工艺S3，其中低温触控感测组件工艺S3包括依序进行步骤S18到步骤S26，并说明如下。在步骤S18中，对第一透明导电层102进行第一图案化工艺，以形成图案化第一透明导电层102P。第一图案化工艺可包括光刻工艺与蚀刻工艺，但不以此为限。举例来说，可先利用光刻胶层的感光属性对其进行一光刻工艺以形成一图案化光刻胶层，然后利用图案化光刻胶层作为掩模对第一透明导电层进行一蚀刻工艺以形成图案化第一透明导电层。在本实施例中，图案化第一透明导电层102P可包括多个第一感测电极1021、多个第二感测电极1022与多个连接线1023。具体来说，第一基板100定义有一主动区R1与一周边区R2，周边区R2位于主动区R1之至少一侧。在一实施例中，周边区R2环绕主动区R1，但不以此为限。第一感测电极1021、多个第二感测电极1022与多个连接线1023均位于主动区R1中，但不以此为限。两相邻的第一感测电极1021是由多个连接线1023的其中至少一个所连接，以形成多个第一感测电极串102A，也就是说第一感测电极串102A由同一图案化第一透明导电层102P所形成。两相邻的第二感测电极1022可由后续所形成的桥接线(图未示)的其中至少一个所连接，以形成多个第二感测电极串102B，也就是说第二感测电极串102B由不同透明导电层所形成。关于形成桥接线的方法将在后续说明。于本实施例中，各第一感测电极串102A沿第一方向D1延伸，且各第二感测电极串102B是沿第二方向D2延伸，第一方向D1不平行于第二方向D2。举例来说，第一方向D1可垂直第二方向D2，但不以此为限。

此外，在本实施例中，形成图案化第一透明导电层102P的步骤S18还包括在周边区R2内形成多个焊垫1024，但不以此为限。换言之，第一感测电极1021、第二感测电极1022、连接线1023和焊垫1024的材料相同，皆为透明导电材料，但不以此为限。

如图3与图6所示，在形成图案化第一透明导电层102P的步骤S18之后，进行步骤S20，在第一基板100的第一表面100a上形成图案化导体层，其包括至少一周边走线112。在本实施例中，多个周边走线112设置在周边区R2内，且每一个周边走线112的一端和焊垫1024的其中一个连接。每一个周边走线112的另一端可与其中一个第一感测电极串102A连接或是与其中一个第二感测电极串102B连接。藉此，第一感测电极串102A和第二感测电极串102B可通过焊垫1024与控制组件(例如集成电路(integrated circuit，IC)芯片)电连接，但不以此为限。形成图案化导体层的工艺步骤S20可包括形成一导体层后，对导体层进行第二图案化工艺，以形成包括周边走线112的图案化导体层。上述图案化工艺可包括光刻工艺与蚀刻工艺。举例来说，可先对光刻胶层进行一光刻工艺以形成一图案化光刻胶层，然后利用图案化光刻胶层作为掩模对导体层进行一蚀刻工艺以形成图案化导体层。因图案化光刻胶层仅遮蔽预定形成例如周边走线112的区域，因此在进行蚀刻工艺时，图案化第一透明导电层102P需不被蚀刻液或蚀刻气体侵蚀。本实施例中，第一透明导电层102是利用高温工艺所制作，使得其具有优异的抗蚀性，能够承受侵蚀性较强的蚀刻液或蚀刻气体，因此周边走线112的材料可有较多的选择性。举例来说，蚀刻液可包括磷酸、硝酸或醋酸，但不以此为限。周边走线112的材料包括金属材料，例如为钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)或钼/铝/钼所形成的多层结构，但不以此为限。周边走线112的材料可根据所需的阻抗匹配或其他特性的设计需求而定。

如图3、图8与图9所示，进行步骤S22，于图案化第一透明导电层102P与第一基板100的第一表面100a上形成一第一绝缘层114，且第一绝缘层114至少覆盖主动区R1。在本实施例中，第一绝缘层114的材料可包括有机感光材料，例如任何可以低温(小于150℃)形成的保护层(overcoat)，或是任何适合的绝缘材料，但不以此为限。接着对第一绝缘层114进行第三图案化工艺以形成图案化第一绝缘层114P。在本实施例中，第一绝缘层114的材料包括有机感光材料。举例来说，第一绝缘层114可为有机光阻。第三图案化工艺可例如对第一绝缘层114进行光刻工艺，其包括曝光与显影工艺，也就是对第一绝缘层114照光与显影后移除部分第一绝缘层114，以形成图案化第一绝缘层114P，但不限于此。相较于现有技术采用无机绝缘层，且无机绝缘层的图案化需采光刻工艺与蚀刻工艺，本发明可降低成本。于本实施例中，图案化第一绝缘层114P覆盖部分的图案化第一透明导电层102P，其包括多个通孔114a，分别暴露出图案化第一透明导电层102P的一部分，例如第二感测电极1022的其中一个的一部分。

如图3、图10与图11所示，进行步骤S24，在第一基板100的第一表面100a上形成第二透明导电层116。在本实施例中，形成第二透明导电层116的温度可小于形成第一透明导电层102的温度，并且其温度范围可小于150℃，例如为从室温到小于150℃。因此，第二透明导电层116的结晶度与第一透明导电层102的结晶度不同。例如，第一透明导电层102的结晶度大于第二透明导电层116的结晶度。举例来说，第二透明导电层116为非晶(amorphous)状态，而第一透明导电层102为结晶状态例如复晶(poly-crystalline)或单晶(single-crystalline)；或是第一透明导电层102与第二透明导电层116皆为结晶状态，但第一透明导电层102的晶粒尺寸(grain size)大于第二透明导电层116的晶粒尺寸。对所属技术领域的技术人员来说，可使用扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)、穿透式电子显微镜(Transmission Electron Microscope，TEM)或X光绕射(X-rayDiffraction，XRD)来判别结晶度的不同，但判别结晶度的仪器及方法不以上述为限。在一些实施例中，第二透明导电层116可为非晶型态，而第一透明导电层102为结晶型态。因此，第一透明导电层102的硬度可大于第二透明导电层116的硬度。第二透明导电层116的材料可包括透明导电材料，例如氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)、氧化铟锌(Indium ZincOxide,IZO)或氧化铝锌(Aluminum Zinc Oxide,AZO)，但不以此为限，且第二透明导电层116的材料可相同或不同于第一透明导电层102的材料。于本实施例中，形成第一绝缘层114的步骤是在形成图案化第一透明导电层102P的步骤之后以及在第一基板100的第一表面100a上形成第二透明导电层116的步骤之前。例如，形成第一绝缘层114的步骤可以在形成周边走线112的步骤之后以及形成第二透明导电层116的步骤之前进行，但不以此为限。接着对第二透明导电层116进行第四图案化工艺，以形成图案化第二透明导电层116P，藉此制作出位于第一基板100的第一表面100a上的触控组件层TS。第四图案化工艺可包括光刻工艺与蚀刻工艺，但不以此为限。本实施例中，图案化第二透明导电层116P可包括多个桥接线116L，其延伸方向平行于第二感测电极串102B的延伸方向(第二方向D2)，但不以此为限。桥接线116L通过图案化第一绝缘层114P的多个通孔114a而电连接两相邻的第二感测电极1022。也就是说，两相邻的第二感测电极1022可由至少一个桥接线116L电连接，形成第二感测电极串102B的一部分。因此，图案化第一透明导电层102P中的第一感测电极1021、第二感测电极1022与连接线1023以及图案化第二透明导电层116P中的桥接线116L可构成触控组件层TS，并且触控组件层TS直接设置于显示面板DS的第一基板100相对于液晶材料层110的第一表面100a上。于其他实施例中，第一感测电极1021与连接线1023可由图案化第一透明导电层102P所形成，而第二感测电极1022与桥接线116L可由图案化第二透明导电层116P所形成。或者，桥接线116L可由图案化第一透明导电层102P所形成，而第一感测电极1021、连接线1023与第二感测电极1022可由图案化第二透明导电层116P所形成。也就是说，本发明的第一感测电极1021、第二感测电极1022、连接线1023与桥接线116L可主要由图案化第一透明导电层102P与图案化第二透明导电层116P所形成。于其他实施例中，触控组件层TS也可具有其他设计的电极图案，其中电极图案中的任一电极或连接线段可由图案化第一透明导电层所形成，其他电极或连接线段可由图案化第二透明导电层所形成。

如图3、图12与图13所示，在形成图案化第二透明导电层116P的步骤之后，进行步骤S26，在图案化第二透明导电层116P与图案化第一绝缘层114P上形成第二绝缘层118，其至少覆盖主动区R1。在本实施例中，第二绝缘层118覆盖主动区R1与周边区R2。第二绝缘层118的材料可包括有机感光材料，例如任何可以低温(小于150℃)形成的保护层(overcoat)，或是任何适合的绝缘材料，但不以此为限。第二绝缘层118的材料可相同或不同于第一绝缘层114。接着对第二绝缘层118进行第五图案化工艺以形成图案化第二绝缘层118P。在本实施例中，第二绝缘层118的材料包括有机感光材料。举例来说，第二绝缘层118可为有机光阻。第五图案化工艺可例如对第二绝缘层118进行曝光与显影工艺，也就是对第二绝缘层118照光与显影后移除部分第二绝缘层118，以形成图案化第二绝缘层118P。相较于现有技术采用无机绝缘层，且无机绝缘层的图案化需采光刻工艺与蚀刻工艺，本发明可降低成本。藉此，可完成本实施例触控显示装置10的制作。如图13所示，本实施例的触控显示装置10为表嵌式(On-Cell)触控显示装置，也就是彩色滤光层与触控组件层分别直接形成在同一基板的相对表面上。在本实施例中，图案化第二绝缘层118P覆盖第一感测电极1021、第二感测电极1022、连接线1023、桥接线116L与图案化第一绝缘层114P，但不以此为限。在一些实施例中，当图案化第一绝缘层114P未覆盖焊垫1024时，形成图案化第二绝缘层118P的步骤S26可包括移除覆盖焊垫1024的部分第二绝缘层118，以暴露出焊垫1024，使得IC芯片可电连接至焊垫1024，但不以此为限。举例来说，图案化第二绝缘层118P可包括一或多个通孔118a，暴露出焊垫1024。在一些实施例中，当图案化第一绝缘层114P覆盖焊垫1024时，形成触控显示装置10的方法可另包括于形成图案化第二绝缘层118P的步骤进一步移除覆盖焊垫1024的部分图案化第一绝缘层114P，以暴露出焊垫1024。在本实施例中，通过本实施例的制作方法所制作出的触控显示装置10的光学穿透度可例如至少为86％，但不以此为限。

值得注意的是，于本实施例中，形成包括周边走线112的图案化导体层的步骤S20可在形成第一绝缘层114之前进行，但不以此为限。于其它实施例中，形成包括周边走线112的图案化导体层的步骤S20可在形成图案化第一绝缘层114P的步骤S22与后续进行的形成第二绝缘层的步骤S26之间进行。举例来说，形成包括周边走线112的图案化导体层的步骤S20可在形成图案化第二透明导电层116P的步骤S24与后续进行的形成第二绝缘层的步骤S26之间进行，但不以此为限。此外，在本实施例中，形成图案化第一透明导电层102P的步骤包括在周边区R2内形成多个焊垫1024，但不以此为限。在其它实施例中，焊垫1024可由图案化导体层与图案化第二透明导电层116P中的至少一者和图案化第一透明导电层102P堆叠形成；或是图案化第一透明导电层102P不包括焊垫1024，焊垫1024可由后续形成的图案化导体层与图案化第二透明导电层116P中的至少一者形成。

于本实施例中，图案化第一绝缘层114P为具有多个通孔114a的绝缘层，但不以此为限。于其它实施例中，图案化第一绝缘层114P可包括多个绝缘块，其中每一个绝缘块对应连接线1023的其中一个设置，且至少部分覆盖对应的连接线1023。每一个桥接线116L跨过对应的一个绝缘块而电连接两相邻的第二感测电极1022，且绝缘块设置在桥接线116L与连接线1023间以使交错的桥接线116L与连接线1023彼此电绝缘。

在本发明第一实施例的一变化实施例中，触控显示装置的制作方法可省略步骤S26，也就是触控显示装置的制作方法包括图3中的步骤S10-S24，但不包括步骤S26，以节省制作成本。换句话说，通过本变化实施例的制作方法所制作出的触控显示装置不包括图案化第二绝缘层118P，也就是图案化第二透明导电层116P与图案化第一绝缘层114P上不具有图案化第二绝缘层118P。在本变化实施例中，图案化第二透明导电层116P除了包括位在主动区R1的桥接线116L外，还可包括位在周边区R2中的冗置图案(Dummy Pattern)，设置在图案化第一绝缘层114P上，以保护图案化第一绝缘层114P。冗置图案与桥接线116L彼此电性绝缘。本发明不限定冗置图案的形状。举例来说，冗置图案可为位在周边区R2中的至少一块状结构，设置在图案化第一绝缘层114P上，但不以此为限。

本发明的触控显示装置及其制作方法并不以上述实施例为限。下文将继续揭示本发明的其它实施例或变化形，然为了简化说明并突显各实施例或变化形之间的差异，下文中使用相同标号标注相同组件，并不再对重复部分作赘述。

请参考图14到图19，并搭配图3，图14到图19为本发明第二实施例触控显示装置的制作方法示意图，其中图14所示为形成图案化第一透明导电层的俯视示意图，图15所示为沿图14中B-B’剖线的剖视示意图，图16所示为形成图案化第一绝缘层与至少一周边走线的俯视示意图，图17所示为形成图案化第二透明导电层的俯视示意图，图18所示为形成图案化第二绝缘层的俯视示意图且也为本发明第二实施例触控显示装置的俯视示意图，图19所示为沿图18中C-C’剖线的剖视示意图。本实施例与第一实施例不同之处在于，本实施例的桥接线202L由图案化第一透明导电层202P所形成，且第一感测电极2161、第二感测电极2162与连接线2163由图案化第二透明导电层216P所形成。具体说明如下文。本实施例中形成第一透明导电层(图未示)的步骤与形成显示面板DS的步骤相同于图1所示的步骤S1到S2，因此不再赘述。如图14与图15所示，在形成第一透明导电层的步骤以及形成显示面板DS的步骤之后，对第一透明导电层进行第一图案化工艺，例如光刻工艺与蚀刻工艺，以形成图案化第一透明导电层202P。本实施例的第一图案化工艺可类似第一实施例的第一图案化工艺，其差异仅在于所形成的图案化第一透明导电层202P的图案不同。具体来说，本实施例的图案化第一透明导电层202P包括多个桥接线202L，并且桥接线202L是直接设置在第一基板100的第一表面100a上。

接着，如图16所示，在第一基板100的第一表面100a上形成导体层(图未示)，然后对导体层进行第二图案化工艺，以形成图案化导体层，其包括至少一周边走线212。本实施例的第二图案化工艺可类似第一实施例的第二图案化工艺，且导体层的材料可类似于第一实施例，因此不再赘述。接下来形成第一绝缘层(图未示)。本实施例形成第一绝缘层的步骤可与第一实施例的步骤S22相同，且第一绝缘层的材料可类似于第一实施例，因此不再赘述。然后对第一绝缘层进行第三图案化工艺，以形成图案化第一绝缘层214P。本实施例的第三图案化工艺可类似第一实施例的第三图案化工艺，其差异仅在于所形成的图案化第一绝缘层214P的图案不同。具体来说，本实施例的图案化第一绝缘层214P包括多个绝缘块214B，其中每一个绝缘块214B对应桥接线202L的其中一个设置。绝缘块214B部分覆盖对应的桥接线202L，并暴露出对应的桥接线202L的两端。

接着，在第一基板100的第一表面100a上形成第二透明导电层(图未示)，其中形成第二透明导电层的温度可小于形成第一透明导电层的温度，并且其温度范围可例如为从室温到150℃。本实施例形成第二透明导电层的步骤可与图1所示的步骤S24相同，因此不再赘述。然后，如图17所示，对第二透明导电层进行第四图案化工艺，以形成图案化第二透明导电层216P。本实施例的第四图案化工艺可类似第一实施例的第四图案化工艺，其差异仅在于所形成的图案化第二透明导电层216P的图案不同。具体来说，本实施例的图案化第二透明导电层216P在主动区R1中包括多个第一感测电极2161、多个第二感测电极2162与多个连接线2163，其中两相邻的第一感测电极2161可由多个连接线2163的其中至少一个所连接，以形成多个第一感测电极串216A，而两相邻的第二感测电极2162是由桥接线202L的其中至少一个所连接，以形成多个第二感测电极串216B。在本实施例中，各第一感测电极串216A沿第一方向D1延伸，各第二感测电极216B是沿第二方向D2延伸，但不以此为限。在本实施例中，形成图案化第二透明导电层216P的步骤还可包括在周边区R2内形成多个焊垫2164。换言之，本实施例的第一感测电极2161、第二感测电极2162、连接线2163和焊垫2164的材料相同，皆为透明导电材料，但不以此为限。在其它实施例中，焊垫2164为图案化第一透明导电层202P的一部分，且在步骤S18中形成。如图17所示，主动区R1中的每一个第一感测电极串216A与第二感测电极串216B可与周边走线212的其中一个的一端连接。每一个焊垫2164可分别和周边走线212的其中一个的另一端连接。藉此，第一感测电极串216A和第二感测电极串216B可通过焊垫2164与IC芯片电连接，但不以此为限。

在形成图案化第二透明导电层216P的步骤之后，形成第二绝缘层(图未示)。本实施例形成第二绝缘层的步骤与第一实施例的步骤S26相同，因此不再赘述。第二绝缘层至少覆盖主动区R1中的图案化第二透明导电层216P、图案化第一绝缘层214P与图案化第一透明导电层202P。在本实施例中，第二绝缘层覆盖主动区R1与周边区R2。第二绝缘层的材料可类似于前述的第一绝缘层，不再赘述。接着，如图18与图19所示，对第二绝缘层进行第五图案化工艺以形成图案化第二绝缘层218P。本实施例第五图案化工艺可类似第一实施例的第五图案化工艺。具体来说，本实施例的图案化第二绝缘层218P覆盖第一感测电极2161、第二感测电极2162、连接线2163、桥接线202L与图案化第一绝缘层214P，但不以此为限。并且，形成图案化第二绝缘层218P的步骤包括移除覆盖焊垫2164的部分第二绝缘层，以暴露出焊垫2164，使得IC芯片可电连接至焊垫2164，但不以此为限。藉此，制作出本实施例的触控显示装置20。

类似地，于本实施例中，形成包括周边走线212的图案化导体层的步骤S20可在形成第一绝缘层之前进行，但不以此为限。于其它实施例中，形成包括周边走线212的图案化导体层的步骤可在形成图案化第一绝缘层214P的步骤S22与后续进行的形成第二绝缘层的步骤S26之间进行。举例来说，形成包括周边走线212的图案化导体层的步骤可在形成图案化第二透明导电层216P的步骤S24与后续进行的形成第二绝缘层的步骤S26之间进行，但不以此为限。

此外，与第一实施例的变化实施例类似，在本发明第二实施例的一变化实施例中，触控显示装置的制作方法可省略形成图案化第二绝缘层218P的步骤，也就是触控显示装置的制作方法在形成图案化第二透明导电层216P后，不再形成第二绝缘层与图案化第二绝缘层218P。换句话说，通过本变化实施例的制作方法所制作出的触控显示装置不包括图案化第二绝缘层218P，也就是图案化第二透明导电层216P与图案化第一绝缘层214P上不具有图案化第二绝缘层218P。在本变化实施例中，图案化第二透明导电层216P除了包括位在主动区R1的第一感测电极2161、第二感测电极2162与连接线2163外，还可包括位在周边区R2中的冗置图案(Dummy Pattern)，设置在图案化第一绝缘层214P上以保护图案化第一绝缘层214P。冗置图案与位在主动区R1的第一感测电极2161、第二感测电极2162与连接线2163彼此电性绝缘。本发明不限定冗置图案的形状。举例来说，冗置图案可为位在周边区R2中的至少一块状结构，设置在图案化第一绝缘层214P上，但不以此为限。

综上所述，本发明触控显示装置的制作方法通过高温工艺先在第一基板的第一表面形成第一透明导电层，然后在形成液晶材料层之后以较低温的工艺来进行后续步骤，以此确保(图案化)第一透明导电层具有较佳的结晶性，使得其具有优异光学特性、高硬度、低阻抗的特性，还确保液晶材料层的质量不会受到破坏。另一方面，本发明触控显示装置的制作方法是使用低温工艺来形成有机感光材料，用以作为第一绝缘层和/或第二绝缘层，可以有效降低制作成本。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种触控显示装置，其特征在于，包括：

一第一基板与一第二基板，彼此组合且彼此相对设置，所述第一基板具有一第一表面与一第二表面，所述第二表面相对于所述第一表面，所述第二基板具有一第三表面与一第四表面，且所述第二表面面对所述第三表面；

一像素元件层，设置于所述第二基板的所述第三表面上，并位于所述第二基板与所述第一基板之间；

一彩色滤光层，设置于所述第一基板的所述第二表面上，并位于所述第二基板与所述第一基板之间；以及

一触控元件层，设置于所述第一基板相反于所述第二基板的所述第一表面上，其中包括：

一图案化第一透明导电层与一图案化第二透明导电层，所述图案化第一透明导电层的结晶度大于所述图案化第二透明导电层的结晶度，

其中所述图案化第一透明导电层是对一第一透明导电层进行一第一图案化工艺形成，所述图案化第二透明导电层是对一第二透明导电层进行一第二图案化工艺形成，

其中所述第一透明导电层是在形成所述彩色滤光层前以及组合所述第一基板与所述第二基板前形成于所述第一基板的所述第一表面上，所述第二透明导电层是在形成所述彩色滤光层后以及组合所述第一基板与所述第二基板后形成于所述第一基板的所述第一表面上，形成所述第一透明导电层的温度大于形成所述第二透明导电层的温度，且所述图案化第一透明导电层是在形成所述彩色滤光层后以及组合所述第一基板与所述第二基板后对所述第一透明导电层进行所述第一图案化工艺形成。

2.如权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述图案化第一透明导电层包括多个第一感测电极、多个第二感测电极与多个连接线，所述图案化第二透明导电层包括多个桥接线，其中两相邻的所述第一感测电极是由所述多个连接线的其中至少一个所连接，以形成多个第一感测电极串，两相邻的所述第二感测电极是由所述多个桥接线的其中至少一个所连接，以形成多个第二感测电极串。

3.如权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述图案化第一透明导电层包括多个桥接线，所述图案化第二透明导电层包括多个第一感测电极、多个第二感测电极与多个连接线，其中两相邻的所述第一感测电极是由所述多个连接线的其中至少一个所连接，以形成多个第一感测电极串，两相邻的所述第二感测电极是由所述多个桥接线的其中至少一个所连接，以形成多个第二感测电极串。

4.如权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述图案化第一透明导电层的硬度大于所述图案化第二透明导电层的硬度。

5.如权利要求2或3所述的触控显示装置，其特征在于，还包括一图案化第一绝缘层，覆盖部分的所述图案化第一透明导电层。

6.如权利要求5所述的触控显示装置，其特征在于，还包括一图案化第二绝缘层，覆盖所述多个第一感测电极、所述多个第二感测电极、所述多个连接线、所述多个桥接线与所述图案化第一绝缘层。

7.如权利要求6所述的触控显示装置，其特征在于，所述图案化第一绝缘层与所述图案化第二绝缘层包括有机感光材料。

8.一种触控显示装置的制作方法，其特征在于，包括：

提供一第一基板；

在所述第一基板的一第一表面形成一第一透明导电层；

在形成所述第一透明导电层后，在所述第一基板的一第二表面形成一彩色滤光层，所述第二表面相对于所述第一表面；

提供一第二基板，在所述第二基板的一第三表面形成一像素元件层；

在形成所述第一透明导电层后、形成所述彩色滤光层后以及形成所述像素元件层后，以所述第一基板的所述第二表面面对所述第二基板的所述第三表面的方式，组合所述第一基板与所述第二基板；

在组合所述第一基板与所述第二基板后，对所述第一透明导电层进行一第一图案化工艺，以形成一图案化第一透明导电层；

在形成所述图案化第一透明导电层后，在所述第一基板的所述第一表面上形成一第二透明导电层，其中形成所述第一透明导电层的温度大于形成所述第二透明导电层的温度；以及

对所述第二透明导电层进行一第二图案化工艺，以形成一图案化第二透明导电层。

9.如权利要求8所述的触控显示装置的制作方法，其特征在于，形成所述第一透明导电层的工艺包含温度大于或等于150℃的工艺步骤。

10.如权利要求8所述的触控显示装置的制作方法，其特征在于，所述第一透明导电层的结晶度大于所述第二透明导电层的结晶度。

11.如权利要求8所述的触控显示装置的制作方法，其特征在于，还包括在形成所述图案化第一透明导电层之后，以及在所述第一基板的所述第一表面上形成所述第二透明导电层之前，形成一第一绝缘层，以及对所述第一绝缘层进行一第三图案化工艺以形成一图案化第一绝缘层，覆盖部分的所述图案化第一透明导电层。

12.如权利要求11所述的触控显示装置的制作方法，其特征在于，还包括在形成所述图案化第二透明导电层之后，形成一第二绝缘层，以及对所述第二绝缘层进行一第四图案化工艺以形成一图案化第二绝缘层。

13.如权利要求12所述的触控显示装置的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层包括有机感光材料。

14.如权利要求12所述的触控显示装置的制作方法，其特征在于，还包括在形成所述图案化第一透明导电层之后，以及在形成所述第二绝缘层之前，在所述第一基板的所述第一表面上形成至少一周边走线。