CN102915140A - 触控感测结构及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的触控感测结构包括有：透明基材、第一透明导电层、绝缘层以及第二透明导电层，第一透明导电层设于透明基材上，其设有复数第一感测垫、复数第二感测垫和复数第一桥接线，复数第一感测垫和复数第二感测垫相互交错阵列排列，复数第一桥接线则沿第一方向电性连接复数第一感测垫，绝缘层则设有复数绝缘垫，各绝缘垫相对位于各第一桥接线上，第二透明导电层设有复数第二桥接线，各第二桥接线设于绝缘垫上，并于第二方向电性连接各第二感测垫，其中第一透明导电层的蚀刻速率小于第二透明导电层的蚀刻速率。
Description
技术领域
本发明为一种触控感测结构及其制造方法，提供一种可改善习有利用金属材质制作成桥接线，容易形成亮点的缺失，并可利用其透明的特性改善习知金属桥接线严重影响触控面板穿透率的缺点。
背景技术
目前坊间的触控面板(Touch Panel)的触控输入方式，包括有电阻式、电容式、光学式、电磁感应式、音波感应式等；其中，电阻式及电容式是藉由使用者以手指或感应笔对面板表面进行触碰，而于受触碰位置的面板内部产生电容值的变化，据以侦测出面板表面所接受触碰的位置，以达到触控感测的目的。
且知，为了要侦测出使用者以手指或感应笔触碰于触控板上的位置，业者研发出各种不同的电容式触碰感测结构。例如单层架桥式触控结构，其中架桥导线为金属材质制成，金属架桥导线容易形成反光，使桥接点目视下有明显亮点，对于触控面板所追求的外观性将无法符合需求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种触控面板的架桥结构及其制造方法，提供一种可改善习有利用金属材质制作成桥接线，容易形成反光的缺失，利用透明导电材质透明的特性改善习知金属桥接线外观亮点缺陷，以及提升触控面板生产良率。
为达成上述的目的，本发明的触控面板包括有：透明基材、第一透明导电层、绝缘层以及第二透明导电层，第一透明导电层设于透明基材上，其设有复数第一感测垫、第二感测垫和复数第一桥接线，复数第一感测垫和复数第二感测垫分别沿第一、第二方向阵列排列，复数第一桥接线则沿第一方向电性连接复数第一感测垫，绝缘层设有复数绝缘垫，各绝缘垫相对位于各第一桥接线上，第二透明导电层设有复数第二桥接线，各第二桥接线设于绝缘垫上，并于第二方向电性连接各第二感测垫，其中第一透明导电层的蚀刻速率小于第二透明导电层的蚀刻速率。
为达成上述的目的，本发明的触控感测结构包括有：透明基材；第一透明导电层，第一透明导电层位于透明基材之上，设有复数第二桥接线；绝缘层于第一透明导电层之上；图案化绝缘层，设有复数个绝缘垫，各绝缘垫相对位于各第二桥接线上；以及第二透明导电层，设有复数第一感测垫、复数第二感测垫和复数第一桥接线，其中复数第一感测垫和复数第二感测垫相互交错阵列排列，各第一桥接线设于绝缘垫上，复数第一桥接线则沿第一方向电性连接复数第一感测垫，复数第二桥接线沿第二方向电性连接复数第二感测垫，其中第二透明导电层的蚀刻速率大于第一透明导电层的蚀刻速率。
为达成上述的目的，本发明的触控面板的架桥结构及其制造方法，其中第一透明导电层的材质为结晶型透明导电材质、多晶型透明导电材质或半结晶型透明导电材质其中之一，第二透明导电层为非晶型透明导电材质。
为达成上述的目的，本发明的触控面板的架桥结构及其制造方法，其中第一透明导电层为结晶型铟锡氧化物、多晶型铟锡氧化物或半结晶型铟锡氧化物其中之一，第二透明导电层为非晶型铟锡氧化物。
为达成上述的目的，本发明的触控面板的架桥结构及其制造方法，其中透明基材为可绕卷曲的材质。
为达成上述的目的，本发明的触控面板的架桥结构及其制造方法，其中触控面板架桥结构的制造方法，包括有：提供透明基材；形成第一透明导电层于该透明基材之上；图案化第一透明导电层，形成复数第一感测垫、复数第二感测垫和复数第一桥接线，其中复数第一感测垫和复数第二感测垫相互交错阵列排列，复数第一桥接线则沿第一方向电性连接复数第一感测垫；形成绝缘层于第一透明导电层之上；图案化绝缘层，形成复数个绝缘垫，各绝缘垫相对位于各第一桥接线上；形成第二透明导电层于绝缘层之上，其中第二透明导电层之蚀刻速率大于第一透明导电层之蚀刻速率；以及形成第二图案化光阻层于第二透明导电层之上，图案化第二透明导电层，形成复数第二桥接线，各第二桥接线设于绝缘垫上，并于第二方向电性连接各第二感测垫，形成感测结构。
为达成上述的目的，本发明的触控面板的架桥结构及其制造方法，其中触控面板架桥结构的制造方法，包括有：提供透明基材；形成第一透明导电层于透明基材；图案化第一透明导电层，形成复数第二桥接线；形成绝缘层于第一透明导电层之上；图案化绝缘层，形成复数个绝缘垫，各绝缘垫分别设于各第二桥接线上；形成第二透明导电层于绝缘层之上，第二透明导电层的蚀刻速率大于第一透明导电层的蚀刻速率；形成第二图案化光阻层于第二透明导电层之上，图案化第二透明导电层，形成复数第一感测垫、复数第二感测垫和复数第一桥接线，其中复数第一感测垫和复数第二感测垫相互交错阵列排列，各第一桥接线设于绝缘垫上，复数第一桥接线则沿第一方向电性连接复数第一感测垫，复数第二桥接线沿第二方向电性连接复数第二感测垫，形成感测结构。
为达成上述的目的，本发明的触控面板的架桥结构及其制造方法，其中第一透明导电层可以为结晶型透明导电材质、多晶型透明导电材质或半结晶型透明导电材质，第二透明导电层可以为非晶型透明导电材质。
为达成上述的目的，本发明的触控面板的架桥结构及其制造方法，其中更包括：形成金属层于透明基材之上；形成第三图案化光阻层于金属层之上；以及图案化金属层形成复数端子线路，复数端子线路与感测结构电性连接。
为达成上述的目的，本发明的触控面板的架桥结构及其制造方法，其中图案化该金属层之后，更包括同时剥除第二图案化光阻层和第三图案化光阻层。
为达成上述的目的，本发明的触控面板的架桥结构及其制造方法，其中透明基材为可绕曲的材质，并以卷对卷技术进行每一道制程。
附图说明
图1所示为本发明触控感测结构的结构示意图。
图2所示为本发明触控感测结构的结构剖视图。
图3a至图3i所示为本发明的一实施例中触控感测结构的制造方法的示意图。
图4a至图4c所示为本发明另一实施例中触控感测结构的制造方法的示意图。
图5a至图5c所示为本发明再一实施例中触控感测结构的制造方法的示意图。
图号说明：
第一方向X
第二方向Y
触控面板1
透明基材10
感测结构200
第一透明导电层20
第一感测垫21
第二感测垫22
第一桥接线23
第二桥接线24
绝缘层30
绝缘垫31
第二透明导电层40
第二桥接线41
第一感测垫42
第二感测垫43
第一桥接线44
第一图案化光阻层51
第二图案化光阻层52
金属层60
端子线路61
第三图案化光阻层53。
具体实施方式
如图1本发明触控面板的架桥结构的示意图、图2本发明触控面板的架桥结构的剖视图所示，本发明的触控面板1包括有：透明基材10、第一透明导电层20、绝缘层30以及第二透明导电层40，其中透明基材10为可绕卷曲的材质所构成，可以卷曲成滚筒状。透明基材10的材质例如可为PEN、PET、PES、可绕式玻璃、PMMA、PC或PI之一，也可为上述材质的多层复合材料，而前述材质之上亦可形成有多层的透明堆叠结构的基材，多层的透明堆叠结构例如可为抗反射层或抗眩光层。或者透明基材10亦为强化玻璃、玻璃或塑料等。
第一透明导电层20设于透明基材10上，其设有复数第一感测垫21、第二感测垫22和复数第一桥接线23，其中复数第一感测垫21和复数第二感测垫22相互交错阵列排列，复数第一桥接线23沿第一方向X电性连接复数第一感测垫21。
绝缘层30设有复数绝缘垫31，各绝缘垫31相对位于各第一桥接线23上。绝缘垫31为绝缘材质，例如可为干膜光阻、液态光阻、SiO2、SiONx、高分子聚合物或陶瓷。
第二透明导电层40设有复数第二桥接线41，各第二桥接线41设于绝缘垫31上，第二桥接线41与第一桥接线23电性绝缘，并于第二方向Y电性连接各第二感测垫22，其中第一、第二透明导电层20、40的材质例如可为铟锡氧化物、氧化铟、氧化锌、氧化铟锌、掺杂有铝的氧化锌、以及掺杂有锑的氧化锡中之一或其混合物，而第一透明导电层20的蚀刻速率小于第二透明导电层40的蚀刻速率，例如，第一透明导电层20的材质可为结晶型透明导电材质、多晶型透明导电材质或半结晶型透明导电材质其中之一，第二透明导电层40可为非晶型透明导电材质，半结晶型透明导电材质意指材料中部份具有结晶型透明导电材质或多晶型透明导电材质。而结晶型铟锡氧化物、多晶型铟锡氧化物和半结晶型铟锡氧化物，代表着在由X-ray绕射仪(XRD)量测出的2θ量测(2θscan)中具有(222)方向或是(400)方向的绕射峰，而其它透明导电材质的结晶型或多晶型亦由2θ量测，然根据不同材质而有不同的绕射位置图。半结晶型铟锡氧化物意指材料中部份具有结晶型铟锡氧化物或多晶型铟锡氧化物。
请参考图3a至图3i，为本发明的一实施例所提供如上述的触控感测结构的制造方法。如图3a所示，提供透明基材10，并形成第一透明导电层20于透明基材10之上，第一透明导电层20可以为结晶型透明导电材质、多晶型透明导电材质或半结晶型透明导电材质其中之一，如图所示，于第一透明导电层20上覆盖第一图案化光阻层51，并图案化第一透明导电层20，并去除第一图案化光阻层51，以形成复数第一感测垫21、复数第二感测垫22和复数第一桥接线23，其中复数第一感测垫21和复数第二感测垫22相互交错阵列排列，复数第一桥接线23则沿第一方向X电性连接复数第一感测垫22，如图3b、图3c所示。
形成绝缘层30于第一透明导电层之上，如图3d所示，图案化绝缘层30，形成复数个绝缘垫31，如图3e所示，各绝缘垫31相对位于各第一桥接线23上。绝缘垫31为绝缘材质，例如可为干膜光阻、液态光阻、SiO2、SiONx、高分子聚合物或陶瓷。
接着，形成第二透明导电层40于绝缘层30之上，如图3e所示，其中使用同一种蚀刻液蚀刻时，第二透明导电层40的蚀刻速率大于第一透明导电层20的蚀刻速率，而第二透明导电层40可以为非晶型透明导电材质；以及形成第二图案化光阻层52于第二透明导电层40之上，如图3g、3h、3i所示，图案化第二透明导电层40，形成复数第二桥接线41，各第二桥接线41设于绝缘垫31上，并于第二方向Y电性连接各第二感测垫22，形成感测结构200。于一实施例中，使用铟锡氧化物(ITO)蚀刻液蚀刻第二透明导电层40，由于第一透明导电层20为结晶型铟锡氧化物、多晶型铟锡氧化物或半结晶型铟锡氧化物其中之一，第二透明导电层40为非晶型铟锡氧化物，所以ITO蚀刻液对于第二透明导电层40的蚀刻速率大于或远大于第一透明导电层20的蚀刻速率。在蚀刻第二透明导电层40结束时，由于第一透明导电层20相对较耐ITO蚀刻液侵蚀，所以不会造成复数第一感测垫21、第二感测垫22和复数第一桥接线23的损伤，进而提升触控面板的良率。其中ITO蚀刻液例如可为氯化铁蚀刻液或盐酸，对于结晶型、多晶型或半结晶型铟锡氧化物的蚀刻时间例如可为30秒至90秒，而对于非晶型铟锡氧化物的蚀刻时间例如可为10秒至15秒，使得ITO蚀刻液对于不同结构的铟锡氧化物可达到选择性蚀刻的功效。
另外，请参考图4a至图4c，为本发明另一实施例所提供如上述的触控感测结构的制造方法。如图4a所示，提供透明基材10，并形成第一透明导电层20于透明基材10之上，第一透明导电层20可以为结晶型透明导电材质或多晶型透明导电材质，并图案化第一透明导电层20，以形成复数第二桥接线24；形成绝缘层(图未示)于第一透明导电层之上，图案化绝缘层，形成复数个绝缘垫31，各绝缘垫31分别设于各第二桥接线24上，如图4b所示；形成第二透明导电层(图未示)于绝缘层之上，第二透明导电层的蚀刻速率大于第一透明导电层的蚀刻速率，而第二透明导电层可以为非晶型透明导电材质；形成第二图案化光阻层(图未示)于第二透明导电层之上，图案化第二透明导电层，如图4c所示，形成复数第一感测垫42、复数第二感测垫43和复数第一桥接线44，其中复数第一感测垫42和复数第二感测垫43相互交错阵列排列，各第一桥接线44设于绝缘垫31上，复数第一桥接线44则沿第一方向X电性连接复数第一感测垫42，复数第二桥接线24沿第二方向Y电性连接复数第二感测垫43，形成感测结构200。
上述各实施例中，透明基材为可绕曲的结构，并以卷对卷技术进行每一制程；其中，第一透明导电层20采用结晶型透明导电材质、多晶型透明导电材质或半结晶型透明导电材质其中之一，第二透明导电层40则采用非晶型透明导电材质，使第二透明导电层40的蚀刻速率大于第一透明导电层20的蚀刻速率，故进行图案化第二透明导电层40时，不会伤害第一透明导电层20，亦可利用透明导电层透明的特性改善习知金属桥接线影响触控面板穿透率和外观亮点的缺点。
再者，本发明制造方法更包括：形成金属层60于透明基材10之上，如图5a所示以第一实施例为例；形成第三图案化光阻层53于金属层60之上；以及图案化金属层60形成复数端子线路61，复数端子线路61与感测结构200电性连接，如如图5b、5c所示，其中图案化金属层60之后，更包括同时移除第二图案化光阻层52和第三图案化光阻层53，形成触控感测结构。
如上述各实施例中，其中透明基材10为可绕曲的材质，并且以卷对卷技术进行每一道制程，以达到最大量产效率。
Claims (12)
1.一种触控感测结构，其特征在于，包括有：
一透明基材；
一第一透明导电层，该第一透明导电层位于该透明基材之上，设有复数第一感测垫、复数第二感测垫和复数第一桥接线，其中该些第一感测垫和该些第二感测垫相互交错阵列排列，该些第一桥接线沿一第一方向电性连接该些第一感测垫；
一绝缘层，设有复数绝缘垫，各绝缘垫相对位于各第一桥接线上；以及
一第二透明导电层，设有复数第二桥接线，各第二桥接线设于该绝缘垫上，并于一第二方向电性连接各第二感测垫，其中该第二透明导电层的蚀刻速率大于该第一透明导电层的蚀刻速率。
2.一种触控感测结构，其特征在于，包括有：
一透明基材；
一第一透明导电层，该第一透明导电层位于该透明基材之上，设有复数第二桥接线；
一绝缘层，设有复数个绝缘垫，各绝缘垫相对位于各第二桥接线上；以及
一第二透明导电层，设有复数第一感测垫、复数第二感测垫和复数第一桥接线，其中该些第一感测垫和该些第二感测垫相互交错阵列排列，各第一桥接线设于该绝缘垫上，该些第一桥接线则沿一第一方向电性连接该些第一感测垫，该些第二桥接线沿一第二方向电性连接该些第二感测垫，其中该第二透明导电层的蚀刻速率大于该第一透明导电层的蚀刻速率。
3.如权利要求1或2所述的触控感测结构，其特征在于，该第一透明导电层的材质为结晶型透明导电材质、多晶型透明导电材质或半结晶型透明导电材质其中之一，该第二透明导电层为非晶型透明导电材质。
4.如权利要求1或2所述的触控感测结构，其特征在于，该第一透明导电层为结晶型铟锡氧化物、多晶型铟锡氧化物或半结晶型铟锡氧化物，该第二透明导电层为非晶型铟锡氧化物。
5.如权利要求1或2所述的触控感测结构，其特征在于，该透明基材为可绕卷曲的材质。
6.一种触控感测结构的制造方法，其特征在于，包括有：
提供一透明基材；
形成一第一透明导电层于该透明基材之上；
图案化该第一透明导电层，形成复数第一感测垫、复数第二感测垫和复数第一桥接线，其中该些第一感测垫和该些第二感测垫相互交错阵列排列，该些第一桥接线则沿一第一方向电性连接该些第一感测垫；
形成一绝缘层；
图案化该绝缘层，形成复数个绝缘垫，各绝缘垫相对位于各第一桥接线上；
形成一第二透明导电层于该绝缘层之上，其中该第二透明导电层的蚀刻速率大于该第一透明导电层的蚀刻速率；以及
形成一第二图案化光阻层于该第二透明导电层之上，图案化该第二透明导电层，形成复数第二桥接线，各第二桥接线设于该绝缘垫上，并于一第二方向电性连接各第二感测垫，形成一感测结构。
7.一种触控感测结构的制造方法，其特征在于，包括有：
提供一透明基材；
形成一第一透明导电层于该透明基材；
图案化该第一透明导电层，形成复数第二桥接线；
形成一绝缘层；
图案化该绝缘层，形成复数个绝缘垫，各绝缘垫分别设于各第二桥接线上；
形成一第二透明导电层于该绝缘层之上，该第二透明导电层的蚀刻速率大于该第一透明导电层的蚀刻速率；
形成一第二图案化光阻层于该第二透明导电层之上，图案化该第二透明导电层，形成复数第一感测垫、复数第二感测垫和复数第一桥接线，其中该些第一感测垫和该些第二感测垫相互交错阵列排列，各第一桥接线设于该绝缘垫上，该些第一桥接线则沿一第一方向电性连接该些第一感测垫，该些第二桥接线沿一第二方向电性连接该些第二感测垫，形成一感测结构。
8.如权利要求6或7所述触控感测结构的制造方法，其特征在于，该第一透明导电层为结晶型透明导电材质、多晶型透明导电材质或半结晶型透明导电材质其中之一，该第二透明导电层为非晶型透明导电材质。
9.如权利要求6或7所述的触控感测结构的制造方法，其特征在于，该第一透明导电层为结晶型铟锡氧化物、多晶型铟锡氧化物或半结晶型铟锡氧化物其中之一，该第二透明导电层为非晶型铟锡氧化物。
10.如权利要求6或7所述的触控感测结构的制造方法，其特征在于，更包括：
形成一金属层于该透明基材之上；
形成一第三图案化光阻层于该金属层之上；以及
图案化该金属层形成复数端子线路，该些端子线路与该感测结构电性连接。
11.如权利要求10所述的触控感测结构的制造方法，其特征在于，图案化该金属层之后，更包括同时剥除该第二图案化光阻层和该第三图案化光阻层。
12.如权利要求6或7所述的触控感测结构的制造方法，其特征在于，该透明基材为可绕曲的材质，并以卷对卷技术进行每一道制程。
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