CN103792711A - 一种触控显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种触控显示面板及其制备方法,涉及触控显示技术领域,可降低触控电极的阻值,从而改善信号的延迟现象,同时提高触控精度;所述触控显示面板包括对盒成型的阵列基板和彩膜基板;还包括设置在所述阵列基板或所述彩膜基板上的一组相互平行的第一电极线;设置在所述阵列基板或所述彩膜基板上、且与所述第一电极线交叉排列的一组相互平行的第二电极线;所述第一电极线与所述第二电极线之间无电连接;其中,所述第一电极线和/或所述第二电极线与所述彩膜基板的黑矩阵位置对应,且与所述黑矩阵位置对应的所述第一电极线和/或所述第二电极线为金属电极线;用于触控显示装置的制造。
Description
技术领域
本发明涉及触控显示技术领域,尤其涉及一种触控显示面板及其制备方法。
背景技术
随着显示技术的不断发展,将触控面板功能与液晶显示面板进行一体化整合的研究日趋流行。
目前,内嵌式触控显示屏的一体化整合技术研发路线主要包括面板上(on-cell)触控和面板内(in-cell)触控两大类。两者的差异在于:on-cell触控是将触控面板功能嵌入到彩膜基板与偏光板之间的触控技术,具体来说,是将触控面板中的触控感应组件层制作在衬底基板上,并与彩色滤光片贴合,从而内嵌至液晶像素中;in-cell触控是将触控面板功能嵌入到液晶像素中的触控技术,具体来说,是将触控面板功能整合于彩膜基板中,从而内嵌至液晶像素中。相比于on-cell触控面板,in-cell触控面板更具薄型化和轻量化的优势,减小面板厚度的同时还可降低制造成本。
为了使触控显示屏具有更轻薄的显示面板,已经出现了将触控电极制作在液晶显示面板内部的电容式内嵌触控显示屏;其中,所述触控电极包括触控扫描线和触控感应线。例如,在现有的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)阵列基板上直接增加触控扫描线和触控感应线,便可实现触控功能;即,在TFT阵列基板的表面制作两层异面相交且非电连接的条状透明氧化铟锡(Indium Tin Oxides,简称ITO)电极,这两层ITO电极分别作为触控显示屏的触控扫描线和触控感应线,并在该两层ITO电极的异面相交处形成感应电容。该电容式内嵌触控显示屏的工作原理为:在对触控扫描线加载触控扫描信号时,检测触控感应线通过感应电容耦合出的电压信号;在此过程中,若人体接触该触控显示屏,人体电场就会作用在感应电容上,使感应电容的电容值发生变化,进而改变触控感应线耦合出的电压信号,根据电压信号的变化便可确定触点位置。
随着产品分辨率的提升,对于触控精度的要求也越来越高。为了获得较高的触控精度,需要减小触控扫描线和触控感应线的线宽,但这会引起所述触控扫描线和所述触控感应线的阻值增大,从而导到信号的延迟;为了降低所述触控扫描线和所述触控感应线的阻值,选用低电阻的材料显得尤其重要。
发明内容
本发明的实施例提供一种触控显示面板及其制备方法,可降低触控电极的阻值,从而改善信号的延迟现象,同时提高触控精度。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供一种触控显示面板,包括对盒成型的阵列基板和彩膜基板;还包括设置在所述阵列基板或所述彩膜基板上的一组相互平行的第一电极线;设置在所述阵列基板或所述彩膜基板上、且与所述第一电极线交叉排列的一组相互平行的第二电极线;所述第一电极线与所述第二电极线之间无电连接;其中,所述第一电极线和/或所述第二电极线与所述彩膜基板的黑矩阵位置对应,且与所述黑矩阵位置对应的所述第一电极线和/或所述第二电极线为金属电极线。
可选的,所述第一电极线和所述第二电极线均与所述黑矩阵位置对应;所述第一电极线和所述第二电极线均为金属电极线。
可选的,所述第一电极线与所述黑矩阵位置对应,所述第二电极线位于所述显示面板的透光区;所述第一电极线为金属电极线,所述第二电极线为透明ITO电极线。
进一步节选的,所述第一电极线和所述第二电极线均设置在所述彩膜基板上或均设置在所述阵列基板上;其中,所述第一电极线和所述第二电极线之间还包括绝缘层;或者,所述第一电极线设置在所述彩膜基板上,所述第二电极线设置在所述阵列基板上。
进一步的,在所述第一电极线和/或所述第二电极线设置在所述彩膜基板上的情况下,所述第一电极线和/或所述第二电极线设置在所述彩膜基板的黑矩阵靠近所述阵列基板的一侧。
可选的,所述黑矩阵在所述彩膜基板上的投影覆盖与所述黑矩阵位置对应的所述第一电极线和/或所述第二电极线在所述彩膜基板上的投影。
可选的,所述第一电极线为触控扫描线,所述第二电极线为触控感应线;或者,所述第一电极线为触控感应线,所述第二电极线为触控扫描线。
进一步可选的,所述触控显示面板还包括与所述触控扫描线连接的信号输入线以及与所述触控感应线连接的信号采集线。
优选的,所述金属电极线的材质包括钼、铜、银、铝金属材质或铝钕、铝银合金材质中的至少一种。
进一步优选的,所述金属电极线的厚度为100~400nm。
另一方面,提供一种上述触控显示面板的制备方法,所述方法包括:在形成与黑矩阵位置对应的第一电极线和/或第二电极线时,通过低温沉积工艺形成金属层,再对所述金属层进行掩膜工艺形成金属电极线。
优选的,在20℃~50℃的气氛下,通过磁控溅射工艺形成厚度为100~400nm所述金属层。
本发明实施例提供一种触控显示面板,包括对盒成型的阵列基板和彩膜基板;还包括设置在所述阵列基板或所述彩膜基板上的一组相互平行的第一电极线;设置在所述阵列基板或所述彩膜基板上、且与所述第一电极线交叉排列的一组相互平行的第二电极线;所述第一电极线与所述第二电极线之间无电连接;其中,所述第一电极线和/或所述第二电极线与所述彩膜基板的黑矩阵位置对应,且与所述黑矩阵位置对应的所述第一电极线和/或所述第二电极线为金属电极线。
这里,所述第一电极线和所述第二电极线可以分别作为所述触控显示面板的触控扫描线和触控感应线,通过将所述第一电极线和/或所述第二电极线设置为金属电极线,相比于现有技术中使用ITO电极线作为所述触控扫描线和所述触控感应线,可以有效地降低所述触控扫描线和/或所述触控感应线的阻值,从而改善信号的延迟现象;在此基础上,由于在相同阻值的情况下,金属电极线的线宽相比于ITO电极线的线宽要窄,因此,选用金属电极线作为所述第一电极线和/或所述第二电极线,还可以提高所述触控显示面板的触控精度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图一;
图2为本发明实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图二;
图3为本发明实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图三;
图4为本发明实施例提供的一种触控电极的制备流程图;
图5(a)~图5(c)为本发明实施例提供的一种触控电极的制备过程示意图。
附图说明:
10-阵列基板;20-彩膜基板;200-黑矩阵;30-触控电极;301-第一电极线;302-第二电极线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种触控显示面板,如图1至图3所示,包括对盒成型的阵列基板10和彩膜基板20;还包括设置在所述阵列基板10或所述彩膜基板20上的一组相互平行的第一电极线301;设置在所述阵列基板10或所述彩膜基板20上、且与所述第一电极线301交叉排列的一组相互平行的第二电极线302;所述第一电极线301与所述第二电极线302之间无电连接;其中,所述第一电极线301和/或所述第二电极线302与所述彩膜基板20的黑矩阵200位置对应,且与所述黑矩阵200位置对应的所述第一电极线301和/或所述第二电极线302为金属电极线。
对于所述触控显示面板而言,所述第一电极线301和所述第二电极线302共同构成触控电极30。本发明实施例仅对所述触控电极30的功能进行限定,但对所述第一电极线301和所述第二电极线302各自的作用不做具体限定;也就是说,所述第一电极线301可以为触控扫描线,所述第二电极线302可以为触控感应线;或者,所述第一电极线301可以为触控感应线,所述第二电极线302可以为触控扫描线。
为了实现触控功能,所述触控显示面板还应包括与上述的触控扫描线和触控感应线相连接的驱动电路。该驱动电路一般设置在独立的印制电路板(Printed Circuit Board,简称PCB)上,通过粘接将该PCB上的相关电路部分与所述触控扫描线和所述触控感应线进行电连接。进一步的,考虑到电路布局以及其他方面的因素,在形成所述触控扫描线和所述触控感应线的同时,还应形成分别与每一根所述触控扫描线和每一根所述触控感应线电连接的引线(图中未示出);在此基础上,所述PCB上的相关电路部分通过上述的引线与所述触控扫描线和所述触控感应线实现电连接。
基于此,可选的,所述触控显示面板还可以包括与所述触控扫描线电连接的信号输入线(图中未示出)以及与所述触控感应线电连接的信号采集线(图中未示出)。这里,所述信号输入线和所述信号采集线可以均设置在所述PCB上,通过分别与所述触控扫描线和所述触控感应线电连接的引线与所述触控扫描线和所述触控感应线之间实现电相连。
其中,上述的引线通常为金属材质。在此基础上,当所述第一电极线301和所述第二电极线302均为金属电极线时,所述第一电极线301的引线和所述第二电极线302的引线可以分别与其一起形成;当其中一组电极线为金属电极线,另一组电极线为ITO电极线时,所述金属电极线的引线可以与该金属电极线一起形成,而为了减少构图工艺次数,所述ITO电极线的引线可以与其它金属材质的图案一起形成,例如可以与所述金属电极线的引线一起形成。
需要说明的是,第一,本发明实施例对所述第一电极线301和所述第二电极线302的具体设置位置不做限定;其可以同时设置在所述阵列基板10上或同时设置在所述彩膜基板20上,也可以其中一组电极线设置在所述阵列基板10上,另一组电极线设置在所述彩膜基板20上,具体以所述触控显示面板的实际结构为准。
第二,所述第一电极线301和所述第二电极线302相互交叉排列、且二者之间无电连接,这样,在所述第一电极线301和所述第二电极线302的相交位置处便可形成感应电容;所述触控显示面板在工作时可以通过该感应电容的电容值的变化来确定触点的位置。
其中,由于在相同阻值下,金属电极线的线宽相比于ITO电极线的线宽要窄,其排布也可以相对更加紧密,因此本发明实施例中可以根据所述触控显示面板的触控精度需求,来调节相邻所述第一电极线301之间的间距和相邻所述第二电极线302之间的间距。
第三,在现有技术中,当触控显示面板应用于显示装置时,需要保证所述触控扫描线和所述触控感应线的设置位置不影响所述显示装置的透光率,故所述第一电极线301和所述第二电极线302均采用ITO电极线;但ITO材质的电极线具有阻值较大的缺陷,采用ITO电极线作为所述触控扫描线和所述触控感应线,可能会引起信号的延迟现象。
因此,在本发明实施例中,为了降低所述第一电极线301和/或所述第二电极线302的阻值,所述第一电极线301和/或所述第二电极线302优选采用金属电极线,且将该金属材质的电极线设置在与所述彩膜基板20的黑矩阵200位置相对应的区域,从而可以避免因金属材质的不透明性而可能引起的所述显示装置的透光率问题。
其中,所述第一电极线301和所述第二电极线302可以均为金属电极线,且与所述黑矩阵200位置相对应;也可以仅一组电极线采用金属电极线,与所述黑矩阵200位置对应,另一组电极线采用ITO电极线。
在此基础上,所述金属电极线的材质可以包括钼、铜、银、铝等金属材质或铝钕、铝银等合金材质中的至少一种;当然,所述金属电极线还可以采用其它金属或合金材质,只要是有利于降低所述第一电极线301和/或所述第二电极线302的阻值的金属材料均可;其中,所述金属电极线的厚度优选为100~400nm。
第四,所述第一电极线301和/或所述第二电极线302与所述彩膜基板20的黑矩阵200位置对应是指,所述黑矩阵200在所述彩膜基板20上的投影可以完全覆盖与所述黑矩阵200位置对应的所述第一电极线301和/或所述第二电极线302在所述彩膜基板20上的投影。
本发明实施例提供一种触控显示面板,包括对盒成型的阵列基板10和彩膜基板20;还包括设置在所述阵列基板10或所述彩膜基板20上的一组相互平行的第一电极线301;设置在所述阵列基板10或所述彩膜基板20上、且与所述第一电极线301交叉排列的一组相互平行的第二电极线302;所述第一电极线301与所述第二电极线302之间无电连接;其中,所述第一电极线301和/或所述第二电极线302与所述彩膜基板20的黑矩阵200位置对应,且与所述黑矩阵200位置对应的所述第一电极线301和/或所述第二电极线302为金属电极线。
这里,所述第一电极线301和所述第二电极线302可以分别作为所述触控显示面板的触控扫描线和触控感应线,通过将所述第一电极线301和/或所述第二电极线302设置为金属电极线,相比于现有技术中使用ITO电极线作为所述触控扫描线和所述触控感应线,可以有效地降低所述触控扫描线和/或所述触控感应线的阻值,从而改善信号的延迟现象;在此基础上,由于在相同阻值的情况下,金属电极线的线宽相比于ITO电极线的线宽要窄,因此,选用金属电极线作为所述第一电极线301和/或所述第二电极线302,还可以提高所述触控显示面板的触控精度。
基于上述描述,可选的,所述第一电极线301可以与所述黑矩阵200位置对应,所述第二电极线302可以位于所述显示面板的透光区;其中,所述第一电极线301为金属电极线,所述第二电极线302为透明ITO电极线。当然,也可以是所述第一电极线301位于所述显示面板的透光区,所述第二电极线302与所述黑矩阵200位置对应;其中,所述第一电极线301为透明ITO电极线,所述第二电极线302为金属电极线。这里,所述第一电极线301和所述第二电极线302的相对位置可以互换,在此不做限定。
由于所述金属电极线的阻值相比于所述ITO电极线的阻值较小,通过将所述第一电极线301或所述第二电极线302设置为金属电极线,便可以在一定程度上降低所述第一电极线301或所述第二电极线302的阻值,从而使所述触控显示面板的信号延迟现象有所改善。
在此基础上,参考图1至图3所示,进一步优选的,所述第一电极线301和所述第二电极线302可以均与所述黑矩阵200位置对应,且所述第一电极线301和所述第二电极线302均为金属电极线。
这样,通过将所述第一电极线301和所述第二电极线302均设置为金属电极线,可以大大地降低所述第一电极线301和所述第二电极线302的阻值,从而改善所述触控显示面板的信号延迟现象。此外,通过将所述第一电极线301和所述第二电极线302设置为金属电极线,还可以减小所述第一电极线301和所述第二电极线302的线宽,从而提高触控灵敏度。
基于此,参考图2所示,所述第一电极线301和所述第二电极线302可以均设置在所述彩膜基板20上;或者,参考图3所示,所述第一电极线301和所述第二电极线302可以均设置在所述阵列基板10上。在此情况下,由于所述第一电极线301和所述第二电极线302之间无电连接,因此,所述第一电极线301和所述第二电极线302之间还应包括绝缘层。或者,可选的,参考图1所示,所述第一电极线301可以设置在所述阵列基板10上,所述第二电极线302可以设置在所述彩膜基板20上。
这样,在所述第一电极线301和所述第二电极线302的相交位置处便可以形成感应电容,当所述触控显示面板处于工作状态时,便可以通过该感应电容的电容值的变化来确定触点的实际位置。
由于所述第一电极线301和/或所述第二电极线302需与外部的驱动电路之间实现电连接,因此,需将所述第一电极线301和/或所述第二电极线302的引线部分露出,以便于进行连接。基于上述考虑,进一步的,在所述第一电极线301和/或所述第二电极线302设置在所述彩膜基板20上的情况下,所述第一电极线301和/或所述第二电极线302优选设置在所述彩膜基板20的黑矩阵200靠近所述阵列基板10的一侧。
具体的,在所述彩膜基板20的颜色光阻位于所述黑矩阵200靠近所述阵列基板10一侧的情况下,所述第一电极线301和/或所述第二电极线302可以设置在所述黑矩阵200与所述颜色光阻之间,或者设置在所述颜色光阻靠近所述阵列基板10的一侧;在所述彩膜基板20的颜色光阻位于所述黑矩阵200背离所述阵列基板10一侧的情况下,所述第一电极线301和/或所述第二电极线302可以设置在所述黑矩阵200靠近所述阵列基板10的一侧。
这里,所述第一电极线301和/或所述第二电极线302的具体位置在此不做限定,只要便于在所述第一电极线301和/或所述第二电极线302与驱动电路之间进行电连接即可。
基于上述描述可知,当所述第一电极线301和/或所述第二电极线302采用金属电极线时,考虑到触控显示面板的透光率问题,可以使所述金属电极线与所述黑矩阵200位置相对应。在此基础上,为了保证所述金属电极线对所述触控显示面板的透光率完全无影响,进一步可选的,所述黑矩阵200在所述彩膜基板20上的投影可以覆盖与所述黑矩阵200位置对应的所述第一电极线301和/或所述第二电极线302在所述彩膜基板20上的投影,这样便可以保证所述金属电极线不会对所述触控显示面板的透光率产生影响。
本发明实施例还提供一种上述触控显示面板的制备方法,所述方法包括:在形成与黑矩阵200位置对应的第一电极线301和/或第二电极线302时,可以通过低温沉积工艺形成金属层,再对所述金属层进行掩膜工艺形成金属电极线。
其中,所述低温沉积工艺可以是利用低温磁控溅射法进行的沉积工艺;在此基础上,优选的,可以在20℃~50℃的气氛下,通过磁控溅射工艺形成厚度为100~400nm所述金属层。
在此基础上,参考图2和图3所示,所述第一电极线301和所述第二电极线302可以均形成在所述彩膜基板20上或均形成在所述阵列基板10上;其中,所述第一电极线301和所述第二电极线302之间还应包括绝缘层。或者,参考图1所示,所述第一电极线301可以形成在所述阵列基板10上,所述第二电极线302可以形成在所述彩膜基板20上。
其中,所述第一电极线301和所述第二电极线302可以均为金属电极线,也可以其中一组电极线为金属电极线、另一组电极线为ITO电极线。在此基础上,所述金属电极线的形成位置需与所述黑矩阵200位置对应,所述ITO电极线可以形成在所述显示面板的透光区。
下面将提供一具体的实施例对所述触控电极30的形成过程进行说明。其中,所述第一电极线301和所述第二电极线302均形成在彩膜基板20上、且均为金属电极线,所述彩膜基板20包括依次形成在衬底基板上的黑矩阵200、颜色光阻、位于所述颜色光阻上方的保护层,以及形成在所述黑矩阵200和所述颜色光阻之间的一组相互平行的第一电极线301、绝缘层、一组相互平行的第二电极线302;其中,所述第一电极线301和所述第二电极线302相互交叉排列。
在此情况下,如图4所示,所述触控电极30的形成过程具体可以包括如下步骤:
S101、如图5(a)所示,通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成所述黑矩阵200。
其中,所述黑矩阵200的宽度可以为8μm。
S102、如图5(b)所示,在形成所述黑矩阵200之后对反应腔室进行降温操作,待所述反应腔室的温度稳定在预定温度后,在形成有所述黑矩阵200的基板上采用低温磁控溅射工艺沉积一层钼金属层,然后依次通过曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺形成一组相互平行的第一电极线301。
其中,所述第一电极线301与所述黑矩阵200位置对应。
这里,所述低温磁控溅射工艺的实际温度可以为室温25℃;所述钼金属层的实际厚度可以为100~400nm;所述第一电极线301的宽度可以为7μm。
S103、如图5(c)所示,在形成有所述第一电极线301的基板上形成绝缘层。
其中,所述绝缘层用于实现所述第一电极线301和所述第二电极线302之间的电绝缘。
S104、参考图5(c)所示,在形成所述绝缘层之后对反应腔室进行降温操作,待所述反应腔室的温度稳定在预定温度后,在形成有所述绝缘层的基板上采用低温磁控溅射工艺沉积一层钼金属层,然后依次通过曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺形成一组相互平行的第二电极线302。
其中,所述第二电极线302与所述黑矩阵200位置对应。
这里,所述低温磁控溅射工艺的实际温度可以为室温25℃;所述钼金属层的实际厚度可以为100~400nm;所述第二电极线302的宽度可以为7μm。
S105、在形成有所述第二电极线302的基板上形成所述颜色光阻,并在所述颜色光阻的上方形成所述保护层。
通过上述步骤S101-S105,便形成了具有触控功能的所述彩膜基板20;其中,所述第一电极线301和所述第二电极线302采用金属电极线,这样可以有效地改善因阻值较大而引起的信号延迟现象,同时提高了所述触控显示面板的触控精度。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种触控显示面板,包括对盒成型的阵列基板和彩膜基板;其特征在于,还包括:
设置在所述阵列基板或所述彩膜基板上的一组相互平行的第一电极线;
设置在所述阵列基板或所述彩膜基板上、且与所述第一电极线交叉排列的一组相互平行的第二电极线;
所述第一电极线与所述第二电极线之间无电连接;
其中,所述第一电极线和/或所述第二电极线与所述彩膜基板的黑矩阵位置对应,且与所述黑矩阵位置对应的所述第一电极线和/或所述第二电极线为金属电极线。
2.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述第一电极线和所述第二电极线均与所述黑矩阵位置对应;
所述第一电极线和所述第二电极线均为金属电极线。
3.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述第一电极线与所述黑矩阵位置对应,所述第二电极线位于所述显示面板的透光区;
所述第一电极线为金属电极线,所述第二电极线为透明氧化铟锡ITO电极线。
4.根据权利要求2或3所述的触控显示面板,其特征在于,所述第一电极线和所述第二电极线均设置在所述彩膜基板上或均设置在所述阵列基板上;其中,所述第一电极线和所述第二电极线之间还包括绝缘层;
或者,所述第一电极线设置在所述彩膜基板上,所述第二电极线设置在所述阵列基板上。
5.根据权利要求4所述的触控显示面板,其特征在于,在所述第一电极线和/或所述第二电极线设置在所述彩膜基板上的情况下,所述第一电极线和/或所述第二电极线设置在所述彩膜基板的黑矩阵靠近所述阵列基板的一侧。
6.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述黑矩阵在所述彩膜基板上的投影覆盖与所述黑矩阵位置对应的所述第一电极线和/或所述第二电极线在所述彩膜基板上的投影。
7.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述第一电极线为触控扫描线,所述第二电极线为触控感应线;或者,
所述第一电极线为触控感应线,所述第二电极线为触控扫描线。
8.根据权利要求7所述的触控显示面板,其特征在于,所述触控显示面板还包括与所述触控扫描线连接的信号输入线以及与所述触控感应线连接的信号采集线。
9.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述金属电极线的材质包括钼、铜、银、铝金属材质或铝钕、铝银合金材质中的至少一种。
10.根据权利要求9所述的触控显示面板,其特征在于,所述金属电极线的厚度为100~400nm。
11.一种如权利要求1至10任一项所述的触控显示面板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
在形成与黑矩阵位置对应的第一电极线和/或第二电极线时,通过低温沉积工艺形成金属层,再对所述金属层进行掩膜工艺形成金属电极线。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述通过低温沉积工艺形成金属层包括:
在20℃~50℃的气氛下,通过磁控溅射工艺形成厚度为100~400nm所述金属层。
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