TWM473556U - 窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構 - Google Patents

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TWM473556U
TWM473556U TW102213481U TW102213481U TWM473556U TW M473556 U TWM473556 U TW M473556U TW 102213481 U TW102213481 U TW 102213481U TW 102213481 U TW102213481 U TW 102213481U TW M473556 U TWM473556 U TW M473556U
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Description

窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構
本創作係關於一種具有觸控板的顯示螢幕之結構，尤指一種窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構。
現代消費性電子裝置多配備觸控板做為其輸入裝置之一。觸控板根據感測原理的不同可分為電阻式、電容式、音波式、及光學式等多種。
觸控面板的技術原理是當手指或其他介質接觸到螢幕時，依據不同感應方式，偵測電壓、電流、聲波或紅外線等，以此測出觸壓點的座標位置。例如電阻式即為利用上、下電極間的電位差，計算施壓點位置檢測出觸控點所在。電容式觸控面板是利用排列之透明電極與人體間的靜電結合所產生之電容變化，轉化為電流或電壓來檢測其座標。
隨著智慧型手機的普及，多點觸控的技術需求與日俱增。目前，多點觸控主要是透過投射電容式(Projected Capacitive)觸控技術來實現。
投射電容式技術主要是透過雙層氧化銦錫材 質(Indium Tin Oxide,ITO)形成行列交錯感測單元矩陣，以偵測得到精確的觸控位置。投射電容式觸控技術的基本原理是以電容感應為主，利用設計多個蝕刻後的氧化銦錫材質電極，配置數組存在不同平面、且又相互垂直的透明導線，形成類似X、Y軸的驅動線與感應線。這些導線皆由控制器依序輪流掃瞄以偵測其電容值變化。
圖1係習知之觸控面板結構100的示意圖。習知之觸控面板結構100上的感應導體線120、110係依第一方向(Y)及第二方向(X)設置。當感應導體線120執行觸控感應時要將感測到的訊號傳輸至一軟性電路板130上的控制電路131時，需經由面板140的側邊走線方能連接至該軟性電路板130。此種設計將增加觸控面板邊框的寬度，並不適合窄邊框設計的趨勢。因此，習知平面顯示觸控結構仍有改善的空間。
本創作之主要目的在提供一種窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，不僅大幅增加透光度，更可大幅節省材料成本及加工成本，且較習知技術更適合設計在窄邊框的內嵌顯示觸控面板。
依據本創作特色之一，本創作提出一種窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，包括有一上基板、一下基板、一薄膜電晶體層、及一感應電極層。該上基板及該下基板以平行成對之配置將一液晶層夾置於二基板之間。該薄膜 電晶體層位於該下基板面對該液晶層側的表面，該薄膜電晶體層具有複數條閘極驅動線、複數條源極驅動線、依據一顯示像素訊號及一顯示驅動訊號，而驅動對應之畫素驅動電晶體，另有一組沿著第一方向設置的N條第一導體區塊，N為正整數。該感應電極層位於該薄膜電晶體層面對該液晶層之一側，並具有一組沿著第二方向設置的M條第二導體區塊與N條連接線，M為正整數，這兩組導體區塊依據一觸控驅動訊號而感應是否有一外部物件接近或碰觸；其中，每一第一導體區塊以一對應之第i條連接線延伸至該窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構之一側邊，i為正整數且1≦i≦N。該N條第一導體區塊、M條第二導體區塊、及N條連接線的位置係相對應於該複數條閘極驅動線及複數條源極驅動線的位置而設置。
依據本創作之另一特色，本創作提出一種窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，包括有一上基板、一下基板、一薄膜電晶體層、一感應電極層、一陰極層、及一陽極層。該上基板及該下基板以平行成對之配置將一有機發光二極體層夾置於二基板之間。該薄膜電晶體層位於該下基板面對該有機發光二極體層一側的表面，該薄膜電晶體層具有複數條閘極驅動線、複數條源極驅動線、及一組沿著第一方向設置的N條第一導體區塊，依據一顯示像素訊號及一顯示驅動訊號，而驅動對應之畫素驅動電路，N為正整數。該感應電極層，位於該薄膜電晶體層面對於該有機發光二極體層之一側，並具有一組沿著第二方向設置的M 條第二導體區塊及N條連接線，M為正整數。這兩組導體區塊依據一觸控驅動訊號而感應是否有一外部物件接近或碰觸，該陰極層位於該上基板之面對該有機發光二極體層一側的表面，該陰極層係由金屬材料形成。該陽極層，位於該薄膜電晶體層面對於該有機發光二極體層之一側，該陽極層具有複數個陽極畫素電極，每一個陽極畫素電極係與相對應的一畫素驅動電晶體之源極/汲極連接；其中，每一第一導體區塊以一對應之第i條連接線延伸至該窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構之一側邊，i為正整數且1≦i≦N，該N條第一導體區塊、M條第二導體區塊、及N條連接線的位置係相對應於該複數條閘極驅動線及複數條源極驅動線的位置而設置。
100‧‧‧觸控面板結構
110,120‧‧‧感應導體線
130‧‧‧軟性電路板
131‧‧‧控制電路
140‧‧‧面板
200‧‧‧窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構
210‧‧‧上基板
220‧‧‧下基板
230‧‧‧液晶層
240‧‧‧薄膜電晶體層
250‧‧‧感應電極層
260‧‧‧遮光層
270‧‧‧彩色濾光層
280‧‧‧保護層
290‧‧‧共通電極層
300‧‧‧第一偏光層
310‧‧‧第二偏光層
320‧‧‧絕緣層
241‧‧‧薄膜電晶體
243‧‧‧透明電極
50-1、50-2、...、50-N‧‧‧第一導體區塊
40-1、40-2、...、40-M‧‧‧第二導體區塊
41-1、41-2、...、41-N‧‧‧連接線
201‧‧‧側邊
60-1、60-2、...、60-M‧‧‧金屬走線
600‧‧‧軟性電路板
610‧‧‧控制電路
401-M、402-M、403-M、404-M、405-M‧‧‧金屬感應線
501-N、502-N、503-N、504-N、505-N‧‧‧金屬感應線
52‧‧‧貫孔
700‧‧‧閘極驅動線子層
710‧‧‧閘極驅動線
720‧‧‧走線線段
721‧‧‧第一延伸部
723‧‧‧第二延伸部
800‧‧‧源極驅動線子層
810‧‧‧源極驅動線
820‧‧‧走線線段
821‧‧‧第一延伸部
823‧‧‧第二延伸部
1010‧‧‧絕緣層
910‧‧‧貫孔
261‧‧‧遮光線條
263‧‧‧區域
1200‧‧‧窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構
1210‧‧‧上基板
1220‧‧‧下基板
1230‧‧‧感應電極層
1240‧‧‧有機發光二極體(OLED)層
1250‧‧‧薄膜電晶體層
1260‧‧‧陰極層
1270‧‧‧陽極層
1280‧‧‧絕緣層
1251‧‧‧畫素驅動電路
1271‧‧‧陽極畫素電極
1241‧‧‧電洞傳輸子層
1243‧‧‧發光層
1245‧‧‧電子傳輸子層
圖1係習知之觸控面板結構的示意圖。
圖2係本創作之一種窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構的第一實施例的立體示意圖。
圖3係本創作薄膜電晶體層及感應電極層之示意圖。
圖4係本創作圖3中A-A'處的剖面圖。
圖5係本創作之一種窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構的另一示意圖。
圖6係本創作第二導體區塊40-M的示意圖。
圖7係本創作閘極驅動線子層的示意圖。
圖8係本創作源極驅動線子層的示意圖。
圖9係本創作該第一方向之複數條走線線段及該第二方向之複數條走線線段電氣連接的示意圖。
圖10A及圖10B係分別為本創作圖9中C-C’及D-D’處的剖面圖。
圖11係一般習知遮光層260的示意圖。
圖12係本創作之另一實施例之的立體示意圖。
本創作是關於一種窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構。圖2係本創作之一種窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構的第一實施例之立體示意圖，如圖所示，該窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構200包括有一上基板210、一下基板220、一液晶層230、一薄膜電晶體層240、一感應電極層250、一遮光層(black matrix)260、一彩色濾光層(color filter)270、一保護層(over coat)280、一共通電極層(Vcom)290、一第一偏光層(upper polarizer)300、一第二偏光層(lower polarizer)310、及絕緣層320。
該上基板210及該下基板220較佳為玻璃基板，該上基板210及該下基板220以平行成對之配置將該液晶層230夾置於二基板210,220之間。
本創作係在該薄膜電晶體層240面對於該液晶層230之一側設置該感應電極層250，並在該薄膜電晶體層240上設置第一方向(X)的N條第一導體區塊50-1、50-2、...、 50-N、在該感應電極層250上設置第二方向(Y)的M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M及N條連接線41-1、41-2、...、41-N，以形成感應觸控結構(一併參照圖3)。
圖3係本創作薄膜電晶體層240及感應電極層250之示意圖。如圖3所示，該薄膜電晶體層240位於該下基板220之面對於該液晶層230之一側的表面，該薄膜電晶體層240具有複數條閘極驅動線(圖未示)、複數條源極驅動線(圖未示)、及一組沿著第一方向(X)設置的N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N，依據一顯示像素訊號及一顯示驅動訊號，而驅動對應之畫素驅動電晶體，N為正整數。薄膜電晶體層240更具有薄膜電晶體241及透明電極243。
該感應電極層250位於該薄膜電晶體層240面對於該液晶層230之一側，並具有一組沿著第二方向(Y)設置的M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M及N條連接線41-1、41-2、...、41-N，其依據一觸控驅動訊號而感應是否有一外部物件接近或碰觸，其中，M為正整數。其中，該M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M及該N條連接線41-1、41-2、...、41-N係由金屬導電材料所製成。
每一第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N以一對應之第i條連接線41-1、41-2、...、41-N延伸至該窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構200之一側邊201，i為正整數且1≦i≦N。每一第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M係分別以對應之金屬走線60-1、60-2、...、60-M延伸至該至該窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構200之同一側邊201，以進一步連接 至一軟性電路板600。
該N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N、M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M、及N條連接線41-1、41-2、...、41-N的位置係相對應於該複數條閘極驅動線及複數條源極驅動線的位置而設置。
如圖3所示，該M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M及該N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N的每一導體區塊係由複數條細長狀之金屬感應線所構成。例如，第二導體區塊40-M由3條細長狀之金屬感應線401-M、402-M、403-M沿著第二方向(Y)設置，該3條細長狀之金屬感應線401-M、402-M、403-M的兩端以金屬感應線404-M、405-M連接。第一導體區塊50-N由3條細長狀之金屬感應線501-N、502-N、503-N沿著第一方向(X)設置，該3條細長狀之金屬感應線501-N、502-N、503-N的兩端以金屬感應線504-N、505-N連接。於圖3中，第一導體區塊50-N的3條細長狀之金屬感應線在實作(implement)時，係由多個線段所構成，其詳細情形可參閱後面圖9的說明。
該M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M及該N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N並未電氣連接。其可在該薄膜電晶體層240及該感應電極層250之間設置一絕緣層320。亦可僅在該M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M及該N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N交叉處設置絕緣走線或絕緣區塊。
該M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M及 該N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N的每一導體區塊的該複數條細長狀之金屬感應線形成一個四邊型區域，在每一個四邊型區域中的細長狀之金屬感應線係電氣連接在一起，而任兩個四邊型區域之間並未連接。其中，該四邊型區域係為長方形，該第一方向係垂直第二方向。
該N條連接線41-1、41-2、...、41-N的每一條連接線係設置於兩條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M的兩兩之間。
該M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M及該N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N的每一導體區塊的該複數條金屬感應線所形成的每一個四邊型區域中的細長狀之金屬感應線係由導電之金屬材料或合金材料所製成。其中，該導電之金屬材料係為下列其中之一：鉻、鋇、鋁、銀、銅、鈦、鎳、鉭、鈷、鎢、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鉀(K)、鋰(Li)、銦(In)、合金、氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF2)、氧化鋰(LiO)、或合金或矽化物。
如圖3所示，該每第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N在虛線橢圓處與對應之連接線41-1、41-2、...、41-N電氣連接，而該N條連接線41-1、41-2、...、41-N的每一條連接線亦分別以對應之金屬走線延伸至該窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構200之同一側邊201，以進一步連接至一軟性電路板600。每一第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M係分別以對應之金屬走線60-1、60-2、...、60-M延伸至該面板之同一側邊201，以進一步連接至一軟性電路板600。
該窄邊框之內嵌顯示觸控結構200之表面係用以接收至少一個觸控點。其更包含有一控制電路610，其係經由該軟性電路板600電性連接至該M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M及該N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N。
該M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M及該N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N係根據一手指或一外部物件接近或觸碰該窄邊框之內嵌顯示觸控結構200的至少一觸控點之位置而對應地產生一感應訊號。一控制電路610係經由該軟性電路板600電性連接至該M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M及該N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N，並依據感應訊號計算該至少一觸控點的座標。
圖4係本創作圖3中A-A'處的剖面圖。如圖3所示，該第一導體區塊50-N與該連接線41-1在圖3中的B橢圓處電氣連接。如圖2及圖4所示，在該薄膜電晶體層240與該感應電極層250之間設有該絕緣層320，該第一導體區塊50-N經由貫孔(via)52穿過該絕緣層320而與該連接線41-1電氣連接，亦即，經由該連接線41-1，該第一導體區塊50-N可將其感測到的訊號傳輸至該控制電路610。
圖5係本創作之一種窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構200的另一實施例之示意圖。其與圖3主要差別在於該N條連接線41-1、41-2、...、41-N的長度並非一致，而是逐漸減小。
圖6係本創作第二導體區塊40-M的示意圖，如圖6所示，該四邊型區域係由在第一方向(X)上的3條細長狀之複數條金屬感應線L2所構成一長方形，並以第二方向(Y)上的2條金屬感應線L1將3條細長狀之複數條金屬感應線L2電氣連接。於其他實施例，該金屬感應線的數目可依需要而改變。
本創作之該N個第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N係設置於該薄膜電晶體層(TFT)240。該薄膜電晶體層240具有一閘極驅動線子層及一源極驅動線子層。圖7係本創作閘極驅動線子層700的示意圖。該閘極驅動線子層700具有複數條閘極驅動線710及複數條走線線段720，該複數條閘極驅動線710係沿著第一方向(X)設置，該複數條走線線段720係依據該第二方向(Y)設置，該第二方向之複數條走線線段720係被該複數條閘極驅動線710所分隔。其中，該複數條走線線段720分別具有第一方向的一第一延伸部721及一第二延伸部723。圖7中該沿著第二方向佈植之複數條走線線段720係表示其所有可能設置的位置，在進行實際走線佈植時，可在部份該等位置設置所需要的走線，並不是圖7中該所有的複數條走線線段720均設置走線，故以虛線表示。
圖8係本創作源極驅動線子層800的示意圖。該源極驅動線子層800位於該閘極驅動線子層700之面對該液晶層230一側的表面，其具有複數條源極驅動線810及複數條走線線段820，該複數條源極驅動線810係沿著該第二 方向(Y)設置，該複數條走線線段820係沿著該第一方向(X)設置，該第一方向之複數條走線線段820係被該複數條源極驅動線810所分隔。其中，該複數條走線線段820分別具有第二方向(Y)的一第一延伸部821及一第二延伸部823。
如圖7及圖8所示，沿著第一方向佈植之複數條走線線段820與複數條閘極驅動線710兩者的線寬相同，沿著第二方向佈植之複數條走線線段720與複數條源極驅動線810兩者的線寬相同。於其他實施例中，該複數條走線線段820的線寬可較該複數條閘極驅動線710的線寬小，該複數條走線線段720的線寬可較該複數條源極驅動線810的線寬小。
本創作中，沿著第二方向佈植之複數條走線線段720的位置與複數條源極驅動線810的位置相同，只是在不同層。同樣地，沿著第一方向佈植之複數條走線線段820的位置與複數條閘極驅動線710的位置相同，只是在不同層。本創作則將該複數條走線線段720及該複數條走線線段820設置於該複數條閘極驅動線710及該複數條源極驅動線810的對應處。
圖9係本創作之該複數條走線線段820及該複數條走線線段720電氣連接的一示意圖。部分該等延伸部721、723、821、823藉由重疊處電氣連接，而讓沿著第二方向佈植之複數條走線線段720及沿著第一方向佈植之複數條走線線段820形成位於該薄膜電晶體層240的該N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N。如圖9所示，其係形成第一 導體區塊50-N的3條細長狀之金屬感應線501-N、502-N、503-N。同時，亦形成該3條細長狀之金屬感應線501-N、502-N、503-N之間的連線504-N。
由前述說明可知，該沿著第二方向佈植之複數條走線線段720及該沿著第一方向佈植之複數條走線線段820可組合拼接以分別形成該N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N。亦即，部分該等延伸部721、723、821、823藉由重疊處電氣連接，該複數條走線線段720及該複數條走線線段820可形成一條細長狀之金屬感應線，進而形成該N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N。如圖4所示，該N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N可經由貫孔(via)52穿過該絕緣層320而與該連接線41-1電氣連接，藉此形成第一方向(X)的感應導體線。
圖10A及圖10B係分別為圖9中C-C'及D-D'處的剖面圖。如圖10A所示，在該第一延伸部721與該源極驅動線810之間有一絕緣層1010。走線線段720的第一延伸部721與走線線段820的第一延伸部821及第二延伸部823係經由貫孔(via)910完成電氣連接。如圖10B所示，在閘極驅動線710與源極驅動線810之間有一絕緣層1010。源極驅動線810與第二方向(X)的第一延伸部821及第二延伸部823由於有絕緣層1010，故源極驅動線810與第二方向(Y)的第一延伸部821及第二延伸部823並未電氣連接。
該遮光層(black matrix)260係位於該上基板210面對液晶層230一側的表面，該遮光層260係由複數條遮光 線條所構成。圖11係一般習知遮光層260的示意圖。如圖11所示，一般遮光層260係由不透光的黑色絕緣材質之線條構成複數條遮光線條261，該等黑色絕緣材質之複數條遮光線條261係互相垂直分佈於該習知遮光層260，故該習知遮光層260又稱為黑矩陣(black matrix)。在該等黑色絕緣材質之線條之間的區域263則分佈有彩色濾光層(color filter)。
於本創作中，該複數條遮光線條261的位置係依據該複數條閘極驅動線710及複數條源極驅動線810的位置相對應而設置。
線段L1及線段L2的寬度較佳與薄膜電晶體層240的閘極驅動線或源極驅動線的寬度相同、或稍小於閘極驅動線710或源極驅動線810的寬度。該M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M、該N條連接線41-1、41-2、...、41-N、及該N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N的位置係依據與該薄膜電晶體層240的閘極驅動線710或源極驅動線810的位置相對應而設置。
亦即，由該上基板210往該下基板220方向看過去，該M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M、該N條連接線41-1、41-2、...、41-N、及該N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N係設置在該複數條遮光線條261的位置的下方，因此會被該複數條遮光線條261遮住，使用者則看不到該M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M、該N條連接線41-1、41-2、...、41-N、及該N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N，因此並不影響透光率。
該彩色濾光層270位於該遮光層260面對該液晶層230一側的表面上。該共通電極層290位於該上基板210與下基板220之間。該保護層(over coat)280位於該彩色濾光層270面對該液晶層230一側的表面上。該第一偏光層300係位於該上基板210背對該液晶層230一側的表面。該第二偏光層310係位於該下基板220背對該液晶層230一側的表面。
圖12係本創作之另一實施例之的立體示意圖，其係一種窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構1200的立體示意圖。如圖所示，該窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構1200包括有一上基板1210、一下基板1220、一感應電極層1230、一有機發光二極體(OLED)層1240、一薄膜電晶體層1250、一陰極層1260、一陽極層1270、及一絕緣層1280。
該上基板1210及該下基板1220較佳為玻璃基板或塑膠基板，該上基板1210及該下基板1220並以平行成對之配置將該有機發光二極體層1240夾置於二基板1210,1220之間。
本實施例係在該薄膜電晶體層1250上沿著第一方向(X)佈植的N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N、在該感應電極層1230上沿著第二方向(Y)佈植的M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M及N條連接線41-1、41-2、...、41-N，以形成感應觸控結構。N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N、M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M及N條連接線41-1、41-2、...、41-N的詳細情形如第一實施例、及圖3 至圖10所揭露，為熟於該技術者基於本發明第一實施例所揭露，而能完成，不再贅述。
該有機發光二極體層1240包含一電洞傳輸子層(hole transporting layer,HTL)1241、一發光層(emitting layer)1243、及一電子傳輸子層(electron transporting layer,HTL)1245。
該薄膜電晶體層1250位於該下基板1220面對於該有機發光二極體層1240一側的表面，該薄膜電晶體層1250具有複數條閘極驅動線(圖未示)、複數條源極驅動線(圖未示)、一沿著第一方向(Y)設置的N條第一導體區塊、及複數個畫素驅動電路1251，依據一顯示像素訊號及一顯示驅動訊號，而驅動對應之畫素驅動電路，N為正整數。每一個個畫素驅動電路1251係對應至一畫素，依據一顯示像素訊號及一顯示驅動訊號，用以驅動對應之畫素驅動電路1251，進而執行顯示操作。
依畫素驅動電路1251設計的不同，例如2T1C係由2薄膜電晶體與1儲存電容設計而成畫素驅動電路1251，6T2C係由6薄膜電晶體與2儲存電容設計而成畫素驅動電路1251。畫素驅動電路中最少有一薄膜電晶體的閘極連接至一條閘極驅動線(圖未示)，依驅動電路設計的不同，控制電路中最少有一薄膜電晶體的汲極/源極連接至一條源極驅動線(圖未示)，畫素驅動電路1251中最少有一薄膜電晶體的汲極/源極連接至該陽極層1270中的一個對應的陽極畫素電極1271。
該感應電極層1230位於該薄膜電晶體層1250面對該有機發光二極體層1240之一側，並具有位於一第二方向(Y)設置的M條第二導體區塊及N條連接線，其依據一觸控驅動訊號而感應是否有一外部物件接近或碰觸，M為正整數。該感應電極層1230與該薄膜電晶體層1250之間有一絕緣層1280。
每一第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N以一對應之第i條連接線41-1、41-2、...、41-N延伸至該窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構之一側邊(圖未示)，i為正整數且1≦i≦N，該N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N、M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M、及N條連接線41-1、41-2、...、41-N的位置係依據與該複數條閘極驅動線(圖未示)及複數條源極驅動線(圖未示)的位置相對應而設置。
該陽極層1270位於該薄膜電晶體層1250面對於該有機發光二極體層1240之一側。該陽極層1270具有複數個陽極畫素電極1271。該複數個陽極畫素電極1271的每一個陽極畫素電極係與該薄膜電晶體層1250的該畫素驅動電路1251之一個畫素驅動電晶體對應，亦即該複數個陽極畫素電極的每一個陽極畫素電極係與對應的該畫素驅動電路1251之該畫素驅動電晶體之源極/汲極連接，以形成一特定顏色的畫素電極，例如紅色畫素電極、綠色畫素電極、或藍色畫素電極。
該陰極層1260位於該上基板1210面對該有機發光二極體層1240一側的表面。同時，該陰極層1260位於 該上基板1210與該有機發光二極體層1240之間。該陰極層1260係由金屬導電材料所形成。較佳地，該陰極層1260係由厚度小於50奈米(nm)的金屬材料所形成，該金屬材料係選自下列群組其中之一：鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鉀(K)、鋰(Li)、銦(In)的合金或使用氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF2)、氧化鋰(LiO)與Al組合而成。由於該陰極層1260的厚度小於50nm，因此該有機發光二極體層1240所產生的光仍可穿透陰極層1260，於上基板1210上顯示影像。該陰極層1260係整片電氣連接著，因此可作為遮罩(shielding)之用。同時，該陰極層1260亦接收由陽極畫素電極1271來的電流。
習知氧化銦錫材質(ITO)所做的電極點其平均透光率僅約為90%，而本創作的該M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M、該N條連接線41-1、41-2、...、41-N、及該N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N係設置在閘極驅動線710或源極驅動線810的相對位置，因此並不影響透光率，故本創作的平均透光率遠較習知技術為佳。當本創作的窄邊框之觸控面板結構與有機發光二極體顯示面板結合時，可使有機發光二極體顯示面板的亮度較習知技術更亮。
由前述說明可知，圖1習知技術的設計將增加觸控面板邊框的寬度，並不適合窄邊框設計的趨勢。當本創作的窄邊框之觸控面板結構與液晶顯示面板結合時，可使液晶顯示面板的亮度較習知技術更亮。或是在相同的亮度下，減低液晶顯示面板的背光能量消耗。
同時，當採用氧化銦錫材質當作跨橋結構以連接兩個氧化銦錫材質的電極點時，由於氧化銦錫材質不像金屬具有良好的延展性，容易在跨橋處產生斷點或是電氣訊號不良等現象。若使用金屬當作跨橋結構以連接兩個氧化銦錫材質的電極點時，由於金屬與氧化銦錫材質為異質材質，容易在跨橋處產生電氣訊號不良現象，而影響觸碰點的正確性。
而本創作不論是M條第二導體區塊40-1、40-2、...、40-M及N條第一導體區塊50-1、50-2、...、50-N或是走線均為金屬材質，可較習知技術有較佳的傳導性，而容易將導體區塊的感應訊號傳輸至該控制電路610，而使該控制電路計算出的座標更準確。同時，較習知技術有較佳的透光率，並可避免使用昂貴的氧化銦錫材質，據此降低成本。且較習知技術更適合設計在窄邊框的觸控面板。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本創作所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。
200‧‧‧窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構
240‧‧‧薄膜電晶體層
250‧‧‧感應電極層
50-1、50-2、...、50-N‧‧‧第一導體區塊
40-1、40-2、...、40-M‧‧‧第二導體區塊
41-1、41-2、...、41-N‧‧‧連接線
201‧‧‧側邊
60-1、60-2、...、60-M‧‧‧金屬走線
600‧‧‧軟性電路板
610‧‧‧控制電路
401-M、402-M、403-M、404-M、405-M‧‧‧金屬感應線
501-N、502-N、503-N、504-N、505-N‧‧‧金屬感應線

Claims (25)

  1. 一種窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，包括有：一上基板；一下基板，該上基板及該下基板以平行成對之配置將一液晶層夾置於二基板之間；一薄膜電晶體層，位於該下基板面對該液晶層之一側的表面，該薄膜電晶體層具有複數條閘極驅動線、複數條源極驅動線、及一組沿著第一方向設置的N條第一導體區塊，N為正整數，依據一顯示像素訊號及一顯示驅動訊號，而驅動對應之畫素驅動電晶體；以及一感應電極層，位於該薄膜電晶體層面對該液晶層之一側，並具有一組沿著第二方向設置的M條第二導體區塊及N條連接線，其依據一觸控驅動訊號而感應是否有一外部物件接近或碰觸，M為正整數；其中，每一第一導體區塊以一對應之第i條連接線延伸至該窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構之一側邊，i為正整數且1≦i≦N，該N條第一導體區塊、M條第二導體區塊、及N條連接線的位置係相對應於該複數條閘極驅動線及複數條源極驅動線的位置而設置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，每一第二導體區塊係分別以對應之金屬走線延伸至該下基板之同一側邊，以進一步連接至一軟性電路板。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，該N條連接線係由金屬導電材料所製成。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，該N條第一導體區塊及該M條第二導體區塊的每一導體區塊係由複數條細長狀之金屬感應線所構成。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，該N條第一導體區塊及該M條第二導體區塊的每一導體區塊的該細長狀之複數條金屬感應線形成一個四邊型區域，在每一個四邊型區域中的細長狀之金屬感應線係電氣連接在一起。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，該第一方向係垂直第二方向。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，該N條連接線的每一條連接線係設置於兩條第二導體區塊之間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，該四邊型區域係為長方形。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，該M條第二導體區塊及該N條第一導體區塊的每一導體區塊之該複數條金屬感應線所形成的每一個四邊型區域中的金屬感應線係由導電之金屬材料或合金材料所製成。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，該導電之金屬材料係為下列其中之一：鉻、鋇、鋁、銀、銅、鈦、鎳、鉭、鈷、鎢、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鉀(K)、鋰(Li)、銦(In)、合金、氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF2)、氧化鋰(LiO)。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，該薄膜電晶體層具有： 一閘極驅動線子層，其具有複數條該閘極驅動線及複數條走線線段，該複數條閘極驅動線係沿著該第一方向設置，該複數條走線線段係沿著該第二方向設置，該複數條走線線段係被該複數條閘極驅動線所分隔；以及一源極驅動線子層，位於該閘極驅動線子層面對該液晶層一側的表面，其具有複數條源極驅動線及複數條走線線段，該複數條源極驅動線係沿著該第二方向設置，該複數條走線線段係沿著該第一方向設置，該複數條走線線段係被該複數條源極驅動線所分隔。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，該第二方向之複數條走線線段及該第一方向之複數條走線線段設置於該複數條源極驅動線及該複數條閘極驅動線的對應處。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，該第二方向之複數條走線線段分別具有第一方向的一第一延伸部及一第二延伸部，該第一方向之複數條走線線段分別具有第二方向的一第一延伸部及一第二延伸部，該等延伸部係有部分區域重疊。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，部分該等延伸部藉由重疊處電氣連接，該第二方向之複數條走線線段及該第一方向之複數條走線線段係組合拼接以形成該薄膜電晶體層的該N條第一導體區塊。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其更包含：一遮光層，位於該上基板之面對於該液晶層之同一側的表面，該遮光層係由複數條遮光線條所構成； 一彩色濾光層，位於該遮光層之面對於該液晶層之同一側的表面上；一共通電極層，位於該上基板與下基板之間；一第一偏光層，係位於該上基板之面對於該液晶層之另一側的表面；以及一第二偏光層，係位於該下基板之面對於該液晶層之另一側的表面。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，該遮光層之該複數條遮光線條的位置係依據與該複數條閘極驅動線及該複數條源極驅動線的位置相對應而設置。
  17. 一種窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，包括有：一上基板；一下基板，該上基板及該下基板並以平行成對之配置將一有機發光二極體層夾置於二基板之間；一薄膜電晶體層，位於該下基板之面對於該有機發光二極體層之同一側的表面，該薄膜電晶體層具有複數條閘極驅動線、複數條源極驅動線、及位於一組沿著第一方向設置的N條第一導體區塊，依據一顯示像素訊號及一顯示驅動訊號，而驅動對應之畫素驅動電路，N為正整數；一感應電極層，位於該薄膜電晶體層之面對於該有機發光二極體層之同一側，並具有位於一組沿著第二方向設置的M條第二導體區塊及N條連接線，其依據一觸控驅動訊號而感應是否有一外部物件接近或碰觸，M為正整數；一陰極層，位於該上基板之面對於該有機發光二極體層之同一側的表面，該陰極層係由金屬材料形成；以及 一陽極層，位於該薄膜電晶體層之面對於該有機發光二極體層之同一側，該陽極層具有複數個陽極畫素電極，該複數個陽極畫素電極的每一個陽極畫素電極係與對應的該畫素驅動電路之一畫素驅動電晶體之源極或汲極連接；其中，每一第一導體區塊以一對應之第i條連接線延伸至該窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構之一側邊，i為正整數且1≦i≦N，該N條第一導體區塊、M條第二導體區塊、及N條連接線的位置係依據與該複數條閘極驅動線及複數條源極驅動線的位置相對應而設置。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，每一第二導體區塊係分別以對應之金屬走線延伸至該下上基板之同一側邊，以進一步連接至一軟性電路板。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，該N條第一導體區塊及該M條第二導體區塊的每一導體區塊係由複數條細長狀之金屬感應線所構成。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，該N條第一導體區塊及該M條第二導體區塊的每一導體區塊的該細長狀之複數條金屬感應線形成一個四邊型區域，在每一個四邊型區域中的細長狀之金屬感應線係電氣連接在一起，該N條連接線的每一條連接線係設置於兩條第二導體區塊之間，該第一方向係垂直第二方向。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，該四邊型區域係為長方形。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，該薄膜電晶體層具有： 一閘極驅動線子層，其具有複數條該閘極驅動線及複數條走線線段，該複數條閘極驅動線係沿著依據該第一方向設置，該複數條走線線段係沿著依據該第二方向設置，且該第二方向之複數條走線線段係被該複數條閘極驅動線所分隔；以及一源極驅動線子層，位於該閘極驅動線子層之面對於該液晶層之同一側的表面，其具有複數條源極驅動線及複數條走線線段，該複數條源極驅動線係依據該第二方向設置，該複數條走線線段係依據該第一方向設置，且該第一方向之複數條走線線段係被該複數條源極驅動線所分隔。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，該第二方向之複數條走線線段及該第一方向之複數條走線線段設置於該複數條源極驅動線及該複數條閘極驅動線的對應處。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，該複數條第二方向之複數條走線線段分別具有第一方向的一第一延伸部及一第二延伸部，該複數條第一方向之複數條走線線段分別具有第二方向的一第一延伸部及一第二延伸部，該等延伸部係有部分區域重疊。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之窄邊框高正確性內嵌顯示觸控結構，其中，部分該等延伸部藉由重疊處電氣連接，該第二方向之複數條走線線段及該第一方向之複數條走線線段係組合拼接以形成該薄膜電晶體層的該N條第一導體區塊。
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