TWM477622U - 窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構 - Google Patents

Description

窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構

本創作係關於一種具有觸控板的結構，尤指一種窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構。

現代消費性電子裝置多配備觸控板做為其輸入裝置之一。觸控板根據感測原理的不同可分為電阻式、電容式、音波式及光學式等多種形式。

觸控面板的技術原理是當手指或其他介質接觸到螢幕時，依據不同感應方式，偵測電壓、電流、聲波或紅外線等，以此測出觸摸點的座標位置。例如電阻式即為利用上、下電極之間的電位差，計算施壓點位置，以檢測出觸摸點所在。電容式觸控面板是利用排列之透明電極與人體之間的靜電結合所產生之電容變化，從所產生之電流或電壓來檢測其座標。

隨著智慧型手機的普及化，多點觸控的技術需求與日俱增。目前，多點觸控主要是透過投射電容式(Projected Capacitive)觸控技術來實現。

投射電容式技術主要是透過雙層氧化銦錫材 質(Indium Tin Oxide,ITO)形成行列交錯感測單元矩陣，以偵測得到精確的觸控位置。投射電容式觸控技術的基本原理是以電容感應為主，利用設計多個蝕刻後的氧化銦錫材質電極，增加數組存在不同平面、同時又相互垂直的透明導線，形成類似X、Y軸驅動線。這些導線皆由控制器所控制，其係依序掃瞄偵測電容值變化饋送至控制器。

圖1係習知之有機發光二極體顯示觸控面板結構100的示意圖。習知之有機發光二極體顯示觸控面板結構100上的感應導體線110,120係依第一方向(Y)及第二方向(X)設置。當感應導體線120執行觸控感應時要將感測到的訊號傳輸至一軟性電路板130上的控制電路131時，需經由面板140的側邊走線150方能連接至該軟性電路板130。此種設計將增加觸控面板邊框的寬度，並不適合窄邊框設計的趨勢。因此，習知的有機發光二極體顯示觸控結構仍有改善的空間。

本創作之主要目的係在提供一種窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，僅需於單邊設置連接線路，另外三邊不需配置。由此，另外三邊可採無框設計，以簡化觸控面板之配置，同時可提昇接觸點偵測的準確度。

依據本創作之一特色，本創作提出一種窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，包括一 第一基板、一第二基板、一第一感應電極層、一第二感應電極層、及一薄膜電晶體層。該第一基板及該第二基板以平行成對之配置將一有機發光二極體層夾置於二基板之間。該第一感應電極層位於該第二基板之面對該有機發光二極體層之一側，並具有位於一第一方向設置的M條第一導體塊及N條連接線，以用於感應觸控，其中，M、N為正整數。該第二感應電極層位於該第一感應電極層之面對該有機發光二極體層之一側的表面上，並具有位於一第二方向設置的N條第二導體塊，以用於感應觸控，每一第二導體塊以一對應之第i條連接線延伸至該窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構之一側邊，i為正整數且1≦i≦N。該薄膜電晶體層位於該第二感應電極層之面對該有機發光二極體層之一側的表面，該薄膜電晶體層具有K條閘極驅動線及L條源極驅動線，依據一顯示驅動訊號及一顯示像素訊號，以驅動對應之畫素驅動電路之畫素驅動電晶體及畫素電容，進而執行顯示操作，當中，K、L為正整數；其中，該M條第一導體塊、該N條連接線、及該N條第二導體塊的位置係依據與該薄膜電晶體層之該K條閘極驅動線及L條源極驅動線的位置相對應而設置。

依據本創作之另一特色，本創作提出一種窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，包括一第一基板、一第二基板、一第二感應電極層、一第一感應電極層、及一薄膜電晶體層。該第一基板及該第二基板以平行成對之配置將一有機發光二極體層夾置於二基板之 間。該第二感應電極層位於該第二基板之面對該有機發光二極體層之一側，並具有位於一第二方向設置的N條第二導體塊，以用於感應觸控，每一第二導體塊以一對應之一第i條連接線延伸至該窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構之一側邊，i為正整數且1≦i≦N。該第一感應電極層位於該第二感應電極層之面對該有機發光二極體層之一側的表面上，並具有位於一第一方向設置的M條第一導體塊及N條連接線，以用於感應觸控，其中，M、N為正整數。該薄膜電晶體層位於該第一感應電極層之面對該有機發光二極體層之一側的表面，該薄膜電晶體層具有K條閘極驅動線及L條源極驅動線，依據一顯示驅動訊號及一顯示像素訊號，以驅動對應之畫素驅動電路之畫素驅動電晶體及畫素電容，進而執行顯示操作，當中，K、L為正整數；其中，該M條第一導體塊、該N條連接線、及該N條第二導體塊的位置係依據與該薄膜電晶體層之該K條閘極驅動線及L條源極驅動線的位置相對應而設置。

100‧‧‧有機發光二極體顯示觸控面板結構

110,120‧‧‧感應導體線

130‧‧‧軟性電路板

131‧‧‧控制電路

140‧‧‧面板

150‧‧‧側邊走線

200‧‧‧窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構

210‧‧‧第一基板

220‧‧‧第二基板

230‧‧‧有機發光二極體層

240‧‧‧第一感應電極層

250‧‧‧第二感應電極層

260‧‧‧第一絕緣層

270‧‧‧第二絕緣層

280‧‧‧陰極層

290‧‧‧陽極層

300‧‧‧薄膜電晶體層

301‧‧‧畫素驅動電路

3011‧‧‧閘極

3013‧‧‧源/汲極

3015‧‧‧源/汲極

291‧‧‧陽極畫素電極

231‧‧‧電洞傳輸子層

233‧‧‧發光層

235‧‧‧電子傳輸子層

40-1,40-2,...,40-M‧‧‧第一導體塊

41-1,41-2,...,41-N‧‧‧連接線

50-1,50-2,...,50-N‧‧‧第二導體塊

201‧‧‧側邊

600‧‧‧軟性電路板

610‧‧‧控制電路

52‧‧‧貫孔

L1‧‧‧線段

L2‧‧‧線段

700‧‧‧窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構

710‧‧‧陰極層

720‧‧‧陽極層

711‧‧‧陰極畫素電極

731‧‧‧電洞傳輸子層

735‧‧‧電子傳輸子層

圖1係一習知有機發光二極體顯示觸控面板結構的示意圖。

圖2係本創作之一種窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構的疊層示意圖。

圖3係本創作之一種窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構的導體塊及連線的一示意圖。

圖4係係本創作圖3中A-A'處的剖面圖。

圖5係本創作之一種窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構的導體塊的另一示意圖。

圖6係本創作第一導體塊的示意圖。

圖7係本創作之一種窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構的另一疊層示意圖。

圖8係本創作之一種窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構的又一疊層示意圖。

本創作是關於一種窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構。圖2係本創作之一種窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構200的疊層示意圖，如圖所示，該窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構200包括有一第一基板210、一第二基板220、一有機發光二極體層230一第一感應電極層240、一第二感應電極層250、一第一絕緣層260、一第二絕緣層270、一陰極層280、一陽極層290、及一薄膜電晶體層300。

該第一基板210及該第二基板220較佳為玻璃基板，該第一基板210及該第二基板220以平行成對之配置將該有機發光二極體層230夾置於二基板210,220之間。該第二基板220一般稱為薄膜電晶體基板(thin film transistor substrate,TFT substrate)，當開關用的薄膜電晶體一般設置於薄膜電晶體基板上。本創作係下部發光型，因此一使用者手 指係觸碰於該第二基板220，而非習知的該第一基板210。

由於使用者手指係觸碰於該第二基板220，因此感應電極層係靠近該第二基板220，以獲得較強的觸碰感應訊號。

該第一感應電極層240位於該第二基板220之面對該有機發光二極體層230之一側，並具有位於一第一方向(Y)設置的M條第一導體塊40-1,40-2,...,40-M及N條連接線41-1,41-2,...,41-N，以用於感應觸控，其中，M、N為正整數。於本實施例，該M條第一導體塊40-1,40-2,...,40-M及該N條連接線41-1,41-2,...,41-N係由金屬導電材料所製成。

該第二感應電極層250位於該第一感應電極層240之面對該有機發光二極體層230之一側的表面上，並具有位於一第二方向(X)設置的N條第二導體塊50-1,50-2,...,50-N，以用於感應觸控，每一第二導體塊50-1,50-2,...,50-N以一對應之第i條連接線41-1,41-2,...,41-N延伸至該窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構200之一側邊201，i為正整數且1≦i≦N。其中，該第一方向係垂直第二方向。

該薄膜電晶體層300位於該第二感應電極層250之面對該有機發光二極體層230之一側的表面，該薄膜電晶體層300具有K條閘極驅動線及L條源極驅動線，依據一顯示驅動訊號及一顯示像素訊號，以驅動對應之畫素驅動電路之畫素驅動電晶體及畫素電容，進而執行顯示操作，當中，K、L為正整數其中，該M條第一導體塊40-1,40-2,..., 40-M、該N條連接線41-1,41-2,...,41-N、及該N條第二導體塊50-1,50-2,...,50-N的位置係依據與該薄膜電晶體層300之該K條閘極驅動線及L條源極驅動線的位置相對應而設置。

可設置一第二絕緣層270於該薄膜電晶體層300與該第二感應電極層250之間。

圖3係本創作之一種窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構的導體塊及連線的一示意圖。如圖3所示，該M條第一導體塊40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體塊50-1,50-2,...,50-N的每一導體線係由複數條金屬感應線所構成。該M條第一導體塊40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體塊50-1,50-2,...,50-N之間並未電氣連接。其可在該第一感應電極層240及該第二感應電極層250之間設置一第一絕緣層260。亦可僅在該M條第一導體塊40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體塊50-1,50-2,...,50-N交叉處設置絕緣墊。

該M條第一導體塊40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體塊50-1,50-2,...,50-N的每一導體塊的該複數條金屬感應線形成一個四邊型區域，在每一個四邊型區域中的金屬感應線係電氣連接在一起，而任兩個四邊型區域之間並未連接。其中，該四邊型區域係為下列形狀其中之一：矩形、正方形。

該N條連接線41-1,41-2,...,41-N的每一條連接線係設置於兩條第一導體塊40-1,40-2,...,40-M之間。

該M條第一導體塊40-1,40-2,...,40-M及該N條 第二導體塊50-1,50-2,...,50-N的每一導體塊的該複數條金屬感應線所形成的每一個四邊型區域中的金屬感應線係由導電之金屬材料或合金材料所製成。其中，該導電之金屬材料或合金材料係為下列其中之一：鉬、鋇、鋁、銀、銅、鈦、鎳、鉭、鈷、鎢、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鉀(K)、鋰(Li)、銦(In)、及其合金。

圖3係本創作之一種窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構的導體塊的一示意圖。如圖3所示，該每一第二導體塊50-1,50-2,...,50-N在虛線橢圓處與對應之連接線41-1,41-2,...,41-N電氣連接，而該N條連接線41-1,41-2,...,41-N的每一條連接線亦分別以對應之金屬走線延伸至該窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構200之同一側邊201，以進一步連接至一軟性電路板600。每一第一導體塊40-1,40-2,...,40-M係分別以對應之金屬走線延伸至該面板之同一側邊201，以進一步連接至一軟性電路板600。

該窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構200之表面係用以接收至少一個觸控點。其更包含有一控制電路610，其係經由該軟性電路板600電性連接至該M條第一導體塊40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體塊50-1,50-2,...,50-N。

該M條第一導體塊40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體塊50-1,50-2,...,50-N係根據一手指或一外部物件觸碰該窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結 構200的至少一觸控點之位置而對應地產生一感應訊號。一控制電路610係經由該軟性電路板600電性連接至該M條第一導體塊40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體塊50-1,50-2,...,50-N，並依據感應訊號計算該至少一個觸控點的座標。

圖4係本創作圖3中A-A'處的剖面圖。如圖4所示，該第二導體塊50-N與該連接線41-1在圖3中的B橢圓處電氣連接。如圖2及圖4所示，在該第一感應電極層240及該第二感應電極層250之間設有該第一絕緣層260，該第二導體塊50-N經由貫孔(via)52穿過該第一絕緣層260而與該連接線41-1電氣連接，亦即，經由該連接線41-1，該第二導體塊50-N可將其感測到的訊號傳輸至該控制電路610。

圖5係本創作之一種窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構的導體塊的另一示意圖。其與圖3主要差別在於該N條連接線41-1,41-2,...,41-N的長度並非一致，而是逐漸減小。

圖6係本創作任一第一導體塊40-1,40-2,...,40-M的示意圖，如圖6所示，該四邊型區域係由在第一方向上(Y)的3條金屬感應線L2及在第二方向上(X)的2條金屬感應線L1所構成之長方形。於其他實施例，該金屬感應線的數目可依需要而改變。

線段L1及線段L2的寬度較佳與該薄膜電晶體層300之閘極驅動線或源極驅動線的寬度相同或稍小於閘極驅動線或源極驅動線的寬度。該M條第一導體塊40-1,40-2,...,40-M、該N條連接線41-1,41-2,...,41-N、及該N條第二導體 塊50-1,50-2,...,50-N的位置係相對應於該薄膜電晶體層300之閘極驅動線或源極驅動線的位置而設置。亦即，由該第二基板220往該第一基板210方向看過去，該M條第一導體塊40-1,40-2,...,40-M、該N條連接線41-1,41-2,...,41-N、及該N條第二導體塊50-1,50-2,...,50-N係設置在該薄膜電晶體層300之該K條閘極驅動線及L條源極驅動線的位置正上方，因此不會遮到發光區域而降低開口率。

該第一絕緣層260位於該第一感應電極層240與該第二感應電極層250之間。

薄膜電晶體層(TFT)300位於該第二感應電極層250之面對有機發光二極體層230之一側的表面。該薄膜電晶體層300具有K條閘極驅動線及L條源極驅動線，依據一顯示驅動訊號及一顯示像素訊號，以驅動對應之畫素電晶體及畫素電容，進而執行顯示操作，其中，K、L為正整數。

該薄膜電晶體層300除具有複數條閘極驅動線及複數條源極驅動線外，更包含多數個畫素驅動電路301。該薄膜電晶體層300依據一顯示像素訊號及一顯示驅動訊號，用以驅動對應之畫素驅動電路301，進而執行顯示操作。

依畫素驅動電路301設計的不同，例如2T1C係由2薄膜電晶體與1儲存電容設計而成畫素驅動電路301，6T2C係由6薄膜電晶體與2儲存電容設計而成畫素驅動電路301。畫素驅動電路301中最少有一薄膜電晶體的閘極3011連接至一條閘極驅動線(圖未示)，依驅動電路設計的不同，控制電路中最少有一薄膜電晶體的源/汲極3013連 接至一條源極驅動線(圖未示)，畫素驅動電路301中最少有一薄膜電晶體的源/汲極3015連接至該陽極層290中的一個對應的陽極畫素電極291。

該陰極層280位於該第一基板210之面向該有機發光二極體層230之一側。同時，該陰極層280位於該第一基板210與該有機發光二極體層230之間。該陰極層280係由金屬導電材料所形成。較佳地，該陰極層280係由金屬材料所形成，該金屬材料係選自下列群組其中之一：鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鉀(K)、鋰(Li)、銦(In)，及其合金或使用氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF2)、氧化鋰(LiO)與Al組合而成。由於該陰極層280由於為金屬材料，因此會將光線反射，因此大部分光源均朝向該第二基板220，而形成下部發光的顯示器型式。

該有機發光二極體層230所產生的光經反射，而可於該第二基板220上顯示影像。該陰極層280係整片電氣連接著，因此可作為遮罩(shielding)之用。同時，該陰極層280亦接收由陽極畫素電極291來的電流。

該陽極層290位於該薄膜電晶體層300之面對該有機發光二極體層230之一側。該陽極層290具有複數個陽極畫素電極291。每一個陽極畫素電極291係與該薄膜電晶體層300的該畫素驅動電路301之一個畫素電晶體對應，亦即該複數個陽極畫素電極的每一個陽極畫素電極係與對應的該畫素驅動電路301之該畫素電晶體之源/汲極3015連接，以形成一特定顏色的畫素電極，例如紅色畫素電極、 綠色畫素電極、或藍色畫素電極。

該有機發光二極體層230包含一電洞傳輸子層(hole transporting layer,HTL)231、一發光層(emitting layer)233、及一電子傳輸子層(electron transporting layer,HTL)235。該有機發光二極體層230較佳產生紅、藍、綠三原色光，因此無需使用習知的彩色濾光層(color filter)過濾，即可產生紅、藍、綠三原色。

圖7係本創作之一種窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構700的另一疊層示意圖。其與圖2的主要區別在於該陰極層710與該陽極層720的位置對調。該陰極層710具有複數個陰極畫素電極711。每一個陰極畫素電極711係與該薄膜電晶體層300的該畫素驅動電路301之一個畫素驅動電晶體對應，亦即該複數個陰極畫素電極的每一個陰極畫素電極係與對應的該畫素驅動電路301之該畫素驅動電晶體之源/汲極3015連接，以形成一特定顏色的畫素電極，例如紅色畫素電極、綠色畫素電極、或藍色畫素電極。

圖7的該陰極層710與該陽極層720的位置對調，同時為了配合該陰極層710與該陽極層720，該有機發光二極體層730的電洞傳輸子層(hole transporting layer,HTL)731與電子傳輸子層(electron transporting layer,HTL)735的位置亦對調。該陰極層710具有複數個陰極畫素電極711，該複數個陰極畫素電極711的每一個陰極畫素電極係與對應的該畫素驅動電路之畫素驅動電晶體之源極或汲極連接。

圖8係本創作之一種窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構800的另一疊層示意圖。其與圖2的主要區別在於該第一感應電極層240與該第二感應電極層250的位置對調。亦即，該第二感應電極層250係位於該第二基板220之面對該有機發光二極體層230之一側。較佳地，該第二感應電極層250係設置於該第二基板220之面對該有機發光二極體層230的表面。該第一感應電極層240位於該第二感應電極層250之面對該有機發光二極體層230之一側的表面上。

習知氧化銦錫材質(ITO)所做的電極點其平均透光率僅約為90%，而本創作的該M條第一導體塊40-1,40-2,...,40-M、該N條連接線41-1,41-2,...,41-N、及該N條第二導體塊50-1,50-2,...,50-N係設置在該薄膜電晶體層300之該K條閘極驅動線及L條源極驅動線的位置的上方，因此並不影響透光率，故本創作的平均透光率遠較習知技術為佳。當本創作的技術與有機發光二極體顯示面板結合時，可使有機發光二極體顯示面板的亮度較習知技術更亮。

由前述說明可知，圖1習知技術的設計將增加觸控面板邊框的寬度，並不適合窄邊框設計的趨勢。當本創作的窄邊框之觸控面板結構與有機發光二極體顯示面板結合時，可使有機發光二極體顯示面板的亮度較習知技術更亮。

而本創作不論是M條第一導體塊40-1,40-2,...,40-M、N條第二導體塊50-1,50-2,...,50-N、或是走線均為金屬 材質，較習知技術之透明導電材料有較佳的較高的傳導性，容易將導體線的感應訊號傳輸至該控制電路，使該控制電路計算出的座標更準確。本創作不但較習知技術有較佳的透光率，又可避免使用昂貴的氧化銦錫材質，據此降低成本，且較習知技術更適合設計在窄邊框的觸控面板。

上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本創作所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。

200‧‧‧窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構

210‧‧‧第一基板

220‧‧‧第二基板

230‧‧‧有機發光二極體層

240‧‧‧第一感應電極層

250‧‧‧第二感應電極層

260‧‧‧第一絕緣層

270‧‧‧第二絕緣層

280‧‧‧陰極層

290‧‧‧陽極層

300‧‧‧薄膜電晶體層

301‧‧‧畫素驅動電路

3011‧‧‧閘極

3013‧‧‧源/汲極

3015‧‧‧源/汲極

291‧‧‧陽極畫素電極

231‧‧‧電洞傳輸子層

233‧‧‧發光層

235‧‧‧電子傳輸子層

Claims (11)

1. 一種窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，包括：一第一基板；一第二基板，該第一基板及該第二基板以平行成對之配置將一有機發光二極體層夾置於二基板之間；一第一感應電極層，位於該第二基板之面對該有機發光二極體層之一側，並具有位於一第一方向設置的M條第一導體塊及N條連接線，以用於感應觸控，其中，M、N為正整數；一第二感應電極層，位於該第一感應電極層之面對該有機發光二極體層之一側的表面上，並具有位於一第二方向設置的N條第二導體塊，以用於感應觸控，每一第二導體塊以一對應之第i條連接線延伸至該窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構之一側邊，i為正整數且1≦i≦N；以及一薄膜電晶體層，位於該第二感應電極層之面對該有機發光二極體層之一側的表面，該薄膜電晶體層具有K條閘極驅動線及L條源極驅動線，依據一顯示驅動訊號及一顯示像素訊號，以驅動對應的畫素驅動電路之畫素驅動電晶體及畫素電容，進而執行顯示操作，當中，K、L為正整數；其中，該M條第一導體塊、該N條連接線、及該N條第二導體塊的位置係依據與該薄膜電晶體層之該K條閘極驅動線及L條源極驅動線的位置相對應而設置。
2. 如申請專利範圍第1項所述之窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，每一第一導體塊係分別以對應之金屬走線延伸至該第二基板之同一側邊，以進一步連接至一軟性電路板。
3. 如申請專利範圍第2項所述之窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該N條連接線係由金屬導電材料所製成。
4. 如申請專利範圍第3項所述之窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該M條第一導體塊及該N條第二導體塊的每一導體塊係由複數條金屬感應線所構成。
5. 如申請專利範圍第4項所述之窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該M條第一導體塊及該N條第二導體塊的每一導體塊的該複數條金屬感應線形成一個四邊型區域，在每一個四邊型區域中的金屬感應線係電氣連接在一起，而任兩個四邊型區域之間並未連接。
6. 如申請專利範圍第5項所述之窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該第一方向係垂直第二方向。
7. 如申請專利範圍第6項所述之窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該N條連接線的每一條連接線係設置於兩條第一導體塊之間。
8. 如申請專利範圍第7項所述之窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該四邊型區域係為下列形狀其中之一：矩形、正方形。
9. 如申請專利範圍第8項所述之窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該M條第一導體塊及該N條第二導體塊的每一導體塊係由複數條金屬感應線所形成，且該複數條金屬感應線係由導電之金屬材料或合金材料所製成。
10. 如申請專利範圍第9項所述之窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該導電之金屬材料或合金材料係為下列其中之一：鉬、鋇、鋁、銀、銅、鈦、鎳、鉭、鈷、鎢、鎂、鈣、鉀、鋰、銦。
11. 一種窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，包括：一第一基板；一第二基板，該第一基板及該第二基板以平行成對之配置將一有機發光二極體層夾置於二基板之間；一第二感應電極層，位於該第二基板之面對該有機發光二極體層之一側，並具有位於一第二方向設置的N條第二導體塊，以用於感應觸控，每一第二導體塊以一對應之一第i條連接線延伸至該窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構之一側邊，i為正整數且1≦i≦N；一第一感應電極層，位於該第二感應電極層之面對該有機發光二極體層之一側的表面上，並具有位於一第一方向設置的M條第一導體塊及N條連接線，以用於感應觸控，其中，M、N為正整數；以及一薄膜電晶體層，位於該第一感應電極層之面對該有機發光二極體層之一側的表面，該薄膜電晶體層具有K條閘極驅動線及L條源極驅動線，依據一顯示驅動訊號及一顯示像素訊號，以驅動對應的畫素驅動電路之畫素驅動電晶體及畫素電容，進而執行顯示操作，當中，K、L為正整數；其中，該M條第一導體塊、該N條連接線、及該N條第二導體塊的位置係依據與該薄膜電晶體層之該K條閘極驅動線及L條源極驅動線的位置相對應而設置。