TWM480723U - 高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構 - Google Patents

Description

高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構

本創作係關於一種觸控面板的結構，尤指一種高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構。

現代消費性電子裝置多配備觸控板做為其輸入裝置之一。觸控板根據感測原理的不同可分為電阻式、電容式、音波式、及光學式等多種。

觸控面板的技術原理是當手指或其他介質接觸到螢幕時，依據不同感應方式，偵測電壓、電流、聲波或紅外線等，以此測出觸壓點的座標位置。例如電阻式即為利用上、下電極間的電位差，計算施壓點位置檢測出觸控點所在。電容式觸控面板是利用排列之透明電極與人體之間的靜電結合所產生之電容變化，從所產生之電流或電壓來檢測其座標。

隨著智慧型手機的普及，多點觸控的技術需求與日俱增。目前，多點觸控主要是透過投射電容式(Projected Capacitive)觸控技術來實現。

投射電容式技術主要是透過雙層氧化銦錫材質(Indium Tin Oxide,ITO)形成行列交錯感測單元矩陣，以偵測得到精確的觸控位置。投射電容式觸控技術的基本原理是以電容感應為主，利用設計多個蝕刻後的氧化銦錫材質電極，增加數組存在不同平面、同時又相互垂直的透明導線，形成類似X、Y軸驅動線。這些導線皆由控制器所控制，其係依序掃瞄偵測電容值變化饋至控制器。

圖1係習知互感應電容(Mutual capacitance)感測之示意圖。習知互感應電容(Cm)感測之觸控面板結構100上的感應導體線110,120係沿著第一方向(X)及第二方向(Y)排列。沿著第一方向(X)排列的感應導體線110與沿著第二方向(Y)排列的感應導體線120之間有一互感應電容(Cm)160，互感應電容(Cm)160並非實體電容，其係沿著第一方向(X)排列的感應導體線110與沿著第二方向(Y)排列的感應導體線120之間的互感應電容(Cm)。

當要執行觸控感應時，一軟性電路板130上的控制電路131的內部驅動器(圖未示)於第一時間週期T1，對沿著第一方向(X)排列的感應導體線110驅動，其使用電壓Vy_1對互感應電容(Cm)160充電，於第一時間週期T1時，控制電路131的內部所有感測器(圖未示)感測所有沿著第二方向(Y)排列的感應導體線120上的電壓(Vo_1,Vo_2,…,Vo_n)，用以獲得n個資料，亦即經過m個驅動週期後，即可獲得m×n個資料。

此種互感應電容(Cm)的感測主要是利用在顯示面板上形成以雙層氧化銦錫材質(Indium Tin Oxide,ITO)的行列交錯感測單元矩陣，以偵測得到精確的觸控位置。因此會增加製造程序及成本。同時，感應導體線120執行觸控感應時要將感測到的訊號傳輸至一軟性電路板130上的控制電路131時，需經由面板140的側邊150走線方能連接至該軟性電路板130。此種設計將增加觸控面板邊框的寬度，並不適合窄邊框設計的趨勢。

針對上述問題，In-Cell Touch技術則是將觸控元件整合於顯示面板之內，使得顯示面板本身就具備觸控功能，因此不需要另外進行與觸控面板貼合或是組裝的製程。先前之In-Cell Touch技術係在顯示面板的上玻璃基板或下玻璃基板設置ITO透明感應電極層或光學感應元件。然而，如此不僅增加成本，亦增加製程程序，容易導致製程良率降低及製程成本飆昇，以及開口率下降而須要更強的背光，也會增加耗電。因此，習知平面顯示觸控結構仍有改善的空間。

本創作之主要目的係在提供一種高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，僅需於單邊設置連接線路，可增加導體區塊之間的感應電容變化量，俾使用較小的電壓，以驅動導體區塊線，同時可提昇接觸點偵測的準確度。

依據本創作之一目的，本創作提供一種高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，包括一第一基板、一第二基板、一感應電極及走線層、一感應電極層、及一薄膜電晶體層。該第一基板及該第二基板以平行成對之配置將一有機發光二極體層夾置於二基板之間。該感應電極及走線層位於該第二基板之面向該有機發光二極體層之一側，並具有沿著一第一方向排列的M條第一導體區塊線及N條連接線，其依據一觸控驅動訊號而感應是否有一外部物件接近，其中，M、N為正整數，該M條第一導體區塊線的每一條第一導體區塊線係由複數個第一導體區塊所組成。該感應電極層位於該感應電極及走線層之面向該有機發光二極體層之一側的表面上，並具有沿著一第二方向排列的N條第二導體區塊線，其執行觸控感應時，接受該觸控驅動訊號，每一第二導體區塊線以一對應之第i條連接線延伸至該高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構之一側邊，i為正整數且1≦i≦N，該N條第二導體區塊線的每一條第二導體區塊線係由複數個第二導體區塊所組成，薄膜電晶體層位於該感應電極層之面向該有機發光二極體層之一側的表面，該薄膜電晶體層具有K條閘極驅動線及L條源極驅動線，依據一顯示驅動訊號及一顯示像素訊號，以驅動對應之畫素驅動電路之畫素驅動電晶體及畫素電容，進而執行顯示操作，當中，K、L為正整數；其中，該複數個第一導體區塊、該N條連接線、及該複數個第二導體區塊的位置係依據與 該薄膜電晶體層之該K條閘極驅動線及L條源極驅動線的位置相對應而設置。

依據本創作之另一目的，本創作提供一種高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，包括一第一基板、一第二基板、一感應電極層、及一感應電極及走線層。該第一基板及該第二基板以平行成對之配置將一有機發光二極體層夾置於二基板之間。該感應電極層位於該第二基板之面向該有機發光二極體層之一側的表面上，並具有沿著一第二方向排列的N條第二導體區塊線，其執行觸控感應時，接受該觸控驅動訊號。該感應電極及走線層位於該感應電極層之面向該有機發光二極體層之同一側，並具有沿著一第一方向排列的M條第一導體區塊線及N條連接線，其依據一觸控驅動訊號而感應是否有一外部物件接近，其中，M、N為正整數，該M條第一導體區塊線的每一條第一導體區塊線係由複數個第一導體區塊所組成；其中，每一第二導體區塊線以一對應之第i條連接線延伸至該高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構之一側邊，i為正整數且1≦i≦N，該N條第二導體區塊線的每一條第二導體區塊線係由複數個第二導體區塊所組成，該第一導體區塊與該第二導體區塊疊置時，係以差排方式疊置。

100‧‧‧互感應電容感測之觸控面板結構

110,120‧‧‧感應導體線

160‧‧‧互感應電容

130‧‧‧軟性電路板

131‧‧‧控制電路

140‧‧‧面板

150‧‧‧側邊

200‧‧‧高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構

210‧‧‧第一基板

220‧‧‧第二基板

230‧‧‧有機發光二極體層

240‧‧‧感應電極及走線層

250‧‧‧感應電極層

260‧‧‧第一絕緣層

270‧‧‧第二絕緣層

280‧‧‧陰極層

290‧‧‧陽極層

300‧‧‧薄膜電晶體層

301‧‧‧畫素驅動電路

3011‧‧‧閘極

3013‧‧‧源/汲極

3015‧‧‧源/汲極

291‧‧‧陽極畫素電極

231‧‧‧電洞傳輸子層

233‧‧‧發光層

235‧‧‧電子傳輸子層

40-1,40-2,...,40-M‧‧‧第一導體區塊線

41-1,41-2,...,41-N‧‧‧連接線

50-1,50-2,...,50-N‧‧‧第二導體區塊線

201‧‧‧側邊

600‧‧‧軟性電路板

610‧‧‧控制電路

400‧‧‧第一導體區塊

500‧‧‧第二導體區塊

310‧‧‧閘極驅動線

320‧‧‧源極驅動線

330,330-1,330-2,330-3,330-4,330-5‧‧‧畫素區塊

Q‧‧‧頂點

P‧‧‧頂點

O1,O2,O3,O4,O5‧‧‧頂點

X1,X2‧‧‧中心

V1~V5‧‧‧橢圓

H1~H6‧‧‧橢圓

52‧‧‧貫孔

L1‧‧‧線段

L2‧‧‧線段

1000‧‧‧高準確度之窄邊框內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構

1010‧‧‧陰極層

1020‧‧‧陽極層

1030‧‧‧有機發光二極體層

1011‧‧‧陰極畫素電極

1035‧‧‧電子傳輸子層

1031‧‧‧電洞傳輸子層

1100‧‧‧高準確度之窄邊框內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構

圖1係習知互感應電容感測之示意圖。

圖2係本創作之一種高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構的疊層示意圖。

圖3係本創作感應電極及走線層與感應電極層之示意圖。

圖4係本創作第一導體區塊線及第二導體區塊線之示意圖。

圖5係本創作第一導體區塊線及第二導體區塊線之另一示意圖。

圖6A及圖6B係本創作第一導體區塊及第二導體區塊之互感應電容的一示意圖

圖7係本創作圖4中A-A'處的剖面圖。

圖8係本創作第一導體區塊線及第二導體區塊線之又一示意圖。

圖9係本創作之一種高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構的另一示意圖。

圖10係本創作第一導體區塊線的示意圖。

圖11係本創作之一種高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構的另一疊層示意圖。

圖12係本創作之一種高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構的又一疊層示意圖。

本創作是關於一種高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構。圖2係本創作之一種高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控 結構200的疊層示意圖，如圖2所示，該高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構200包括有第一基板210、一第二基板220、一有機發光二極體層230、一感應電極及走線層240、一感應電極層250、一第一絕緣層260、一第二絕緣層270、一陰極層280、一陽極層290、及一薄膜電晶體層300。

該第一基板210及該第二基板220較佳為玻璃基板，該第一基板210及該第二基板220以平行成對之配置將該有機發光二極體層230夾置於二基板210,220之間。該第二基板220一般稱為薄膜電晶體基板(thin film transistor substrate,TFT substrate)，當作開關用的薄膜電晶體一般設置於薄膜電晶體基板(TFT substrate)上。本創作係下部發光型，因此一使用者手指係觸碰於該第二基板220，而非習知的該第一基板210。

圖3係本創作感應電極及走線層與感應電極層之示意圖。該感應電極及走線層240位於該第二基板220之面向該有機發光二極體層230之同一側，並具有沿著一第一方向(X)排列的M條第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M及N條連接線41-1,41-2,...,41-N，其依據一觸控驅動訊號而感應是否有一外部物件接近，其中，M、N為正整數，該M條第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M的每一條第一導體區塊線係由複數個第一導體區塊400所組成。其中，該M條第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M及該N條連接線41-1,41-2,...,41-N係由金屬導電材料所製成，於本實施例，該N條連接線41-1, 41-2,...,41-N的長度相同。

該感應電極層250位於該感應電極及走線層240之面向該有機發光二極體層230之一側的表面上，並具有沿著一第二方向(Y)排列的N條第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N，其執行觸控感應時，接受該觸控驅動訊號。每一第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N以一對應之第i條連接線41-1,41-2,...,41-N延伸至該高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構200之一側邊201，i為正整數且1≦i≦N。該N條第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N的每一條第二導體區塊線係由複數個第二導體區塊500所組成。其中，該第一方向係垂直第二方向。該第一導體區塊400與該第二導體區塊500疊置時，係以差排方式(dislocation)疊置。

該薄膜電晶體層300位於該感應電極層250之面向該有機發光二極體層230之一側的表面，該薄膜電晶體層300具有K條閘極驅動線及L條源極驅動線，依據一顯示驅動訊號及一顯示像素訊號，以驅動對應之畫素驅動電路之畫素驅動電晶體及畫素電容，進而執行顯示操作，當中，K、L為正整數。

可設置一第二絕緣層270於該薄膜電晶體層300與該感應電極層250之間。

該複數個第一導體區塊400、該N條連接線41-1,41-2,...,41-N、及該複數個第二導體區塊500的位置係依據與該薄膜電晶體層300之該K條閘極驅動線及L條源極驅動線的位置相對應而設置。如圖3所示，該第一導體區塊線與該 第二導體區塊線疊置時，係以差排方式(dislocation)疊置。

如圖3所示，該M條第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M的每一條第一導體區塊線之複數個第一導體區塊400係形成一個四邊型區域，且電氣連接在一起，該M條第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M的每一條第一導體區塊線之間並未電氣連接。該N條第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N的每一條第二導體區塊線之複數個第二導體區塊500係形成一個四邊型區域，且電氣連接在一起，該N條第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N的每一條第二導體區塊線之間並未連接。其中，該N條連接線41-1,41-2,...,41-N的每一條連接線係排列於兩條第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M之間。

該M條第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N並未電氣連接。其可在該感應電極及走線層240及該感應電極層250之間設置一第一絕緣層260。亦可僅在該M條第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N交叉處設置絕緣區塊。

該複數個第一導體區塊400及該複數個第二導體區塊500係形成一個四邊型區域且由金屬導電材料所製成，其中，該四邊型區域係為下列形狀其中之一：長方形、正方形。該金屬導電材料係為下列其中之一：鉬、鋇、鋁、銀、銅、鈦、鎳、鉭、鈷、鎢、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鉀(K)、鋰(Li)、銦(In)、合金、氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF2)、氧化鋰(LiO)。

該N條連接線41-1,41-2,...,41-N的每一條連接 線係設置於兩條第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M之間。

圖4係本創作第一導體區塊線、第二導體區塊線、閘極驅動線及源極驅動線之示意圖。該複數個第一導體區塊400、該N條連接線41-1,41-2,...,41-N、及該複數個第二導體區塊500的位置係依據與該薄膜電晶體層300之該K條閘極驅動線310及L條源極驅動線320的位置相對應而設置。

於圖4中，閘極驅動線310係沿著第二方向(Y)排列，源極驅動線320係沿著第一方向(X)排列。於其他實施例中，閘極驅動線310可沿著第一方向(X)排列，源極驅動線320可沿著第二方向(Y)排列。如圖4所示，該薄膜電晶體層300之該K條閘極驅動線310與該薄膜電晶體層300之該L條源極驅動線320形成複數個畫素區塊330。每一畫素區塊330的長度與寬度分別為一第一長度d1及一第二長度d2。

如圖4所示，該第一導體區塊線與該第二導體區塊線疊置時，係以差排方式(dislocation)疊置。該第一導體區塊400的中心位置與與該第二導體區塊500的中心位置在該第二方向(Y)上相差一第一長度d1之一第一倍數h(亦即，h×d1)，在該第一方向(X)上相差一第二長度d2之一第二倍數w(亦即，w×d2)，其中，h、w為正整數。

該複數個畫素區塊330的每一畫素區塊的長度與寬度分別為該第一長度d1及該第二長度d2。該複數個第一導體區塊的每一第一導體區塊400的長度與寬度分別為一第三長度及一第四長度，該複數個第二導體區塊的每一第二導體區塊500的長度與寬度分別為一第五長度及一第六長 度，當中，該第三長度為第一長度d1的一第三倍數h1的兩倍(亦即，2h1×d1)，該第四長度為第二長度d2的一第四倍數w1的兩倍(亦即，2w1×d2)，該第五長度為第一長度d1的一第五倍數h2的兩倍(=2h2×d1)，該第六長度為第二長度d2的一第六倍數w2的兩倍(2w2×d2)，其中，h1、w1、h2、w2為正整數。。

如圖4所示，該複數個畫素區塊330的每一畫素區塊的長度與寬度分別為該第一長度d1及該第二長度d2、且第三倍數h1為1、第四倍數w1為1、第五倍數h2為1、第六倍數w2為1時，該複數個第一導體區塊400的每一第一導體區塊的長度與寬度分別為一第三長度及一第四長度，該複數個第二導體區塊500的每一第二導體區塊的長度與寬度分別為該第五長度及該第六長度，當中，該第三長度為第一長度d1的第三倍數h1的兩倍(亦即，2h1×d1)，該第四長度為第二長度d2的第四倍數w1的兩倍(亦即，2w1×d2)。第五倍數h2為1及第六倍數w2為1，故該第五長度為第一長度d1的兩倍(=2h2×d1=2×d1)，該第六長度為第二長度d2的兩倍(2w2×d2=2×d2)。換言之，因為第三倍數h1、第四倍數w1、第五倍數h2及第六倍數w2為1，故該第三長度為第一長度d1的兩倍(亦即，2h1×d1=2×d1)，該第四長度為第二長度d2的兩倍(亦即，2w1×d2=2×d2)，該第五長度為第一長度d1的兩倍(亦即，2h2×d1=2×d1)，該第六長度為第二長度d2的兩倍(亦即，2w2×d2=2×d2)。也就是說，每一第一導體區塊400及每一第二導體區塊500的大小係為4個畫素區塊330的大小。

該第一導體區塊400與該第二導體區塊500以差排方式(dislocation)疊置時，該第一導體區塊400的中心位置X1與該第二導體區塊500的中心位置X2在該第二方向(Y)上相差一h倍之第一長度d1(亦即，h×d1)，在該第一方向(X)上相差一w倍之第二長度d2(亦即，wxd2)。換言之，h等於1，w等於1時，當該第一導體區塊400的頂點P與畫素區塊330-1的頂點O1對齊時，該第二導體區塊500的頂點Q與該第一導體區塊400的頂點P在該第二方向(Y)上相差一個第一長度d1，在該第一方向(X)上相差一個第二長度d2。當該第一導體區塊400的頂點P與畫素區塊330-1的頂點O1對齊時，該第二導體區塊500的頂點Q與畫素區塊330-2的頂點O2對齊。或是說，該第一導體區塊400的中心點X1與畫素區塊330-2的頂點O2對齊，該第二導體區塊500的中心點X2與畫素區塊330-3的頂點O3對齊。

該第一導體區塊400與該第二導體區塊500的線寬與閘極驅動線310的間隔距離及源極驅動線320的間隔距離相同、且薄膜電晶體層300一定會設置閘極驅動線310及源極驅動線320，以形成畫素區塊330。因此本案的該第一導體區塊400與該第二導體區塊500並不影響透光率。

圖5係本創作第一導體區塊線及第二導體區塊線之另一示意圖。該第一導體區塊400的中心位置與該第二導體區塊500的中心位置在該第二方向(Y)上相差一第一長度d1之一第一倍數h，在該第一方向(X)上相差一第二長度d2之一第二倍數w，其中，h、w為正整數。該複數個畫素區塊 330的每一畫素區塊的長度與寬度分別為該第一長度d1及該第二長度d2。該複數個第一導體區塊的每一第一導體區塊400的長度與寬度分別為一第三長度及一第四長度，該複數個第二導體區塊的每一第二導體區塊500的長度與寬度分別為該第五長度及該第六長度，當中，該第三長度為第一長度d1的第三倍數h1的兩倍(亦即，2h1×d1)，該第四長度為第二長度d2的第四倍數w1的兩倍(亦即，2w1×d2)，該第五長度為該第一長度的第五倍數h2的兩倍(=2h2×d1)，該第六長度為該第二長度的第六倍數w2的兩倍(2w2×d2)。

如圖5所示，該複數個畫素區塊330的每一畫素區塊的長度與寬度分別為該第一長度d1及該第二長度d2、且第三倍數h1為2、第四倍數w1為2、第五倍數h2為2、第六倍數w2為2時，該複數個第一導體區塊的每一第一導體區塊400的長度與寬度分別為一第三長度及一第四長度，該複數個第二導體區塊的每一第二導體區塊500的長度與寬度分別為該第五長度及該第六長度，當中，該第三長度為第一長度d1的第三倍數h1的兩倍(亦即，2h1×d1=4xd1)，該第四長度為第二長度d2的第四倍數w1的兩倍(亦即，2w1×d2=4xd2)，因為第五倍數h2為2及第六倍數w2為2，故該第五長度為第一長度d1的四倍(=2h2×d1=4×d1)，該第六長度為第二長度d2的四倍(=2w2×d2=4×d2)。換言之，因為第三倍數h1為2、第四倍數w1為2、第五倍數h2為2、第六倍數w2為2，故該第三長度為第一長度d1的四倍(亦即，2h1×d1=4×d1)，該第四長度為第二長度d2的四倍(亦即，2w1×d2=4×d2)，該第五 長度為第一長度d1的四倍(亦即，2h2×d1=4×d1)，該第六長度為第二長度d2的四倍(亦即，2w2×d2=4×d2)。也就是說，每一第一導體區塊400及每一第二導體區塊500的大小係為16個畫素區塊330的大小。

該第一導體區塊400與該第二導體區塊500以差排方式(dislocation)疊置時，該第一導體區塊400的中心位置與X1該第二導體區塊500的中心位置X2在該第二方向(Y)上相差一h倍之第一長度(亦即，h×d1=2d1)，在該第一方向(X)上相差一w倍之第二長度(亦即，wxd2=2d2)。換言之，當該第一導體區塊400的頂點P與遮光區塊243-1的頂點O1對齊時，當h等於2，w等於2時，該第二導體區塊500的頂點Q與該第一導體區塊400的頂點P在該第二方向(Y)上相差一h倍之第一長度(亦即，h×d1=2xd1)，在該第一方向(X)上相差一w倍之第二長度(亦即，wxd2=2xd2)。當該第一導體區塊400的頂點P與畫素區塊330-1的頂點O1對齊時，該第二導體區塊500的頂點Q與畫素區塊330-3的頂點O3對齊。或是說，該第一導體區塊400的中心點X1與畫素區塊330-3的頂點O3對齊，該第二導體區塊500的中心點X2與畫素區塊330-5的頂點O5對齊。

由圖4、圖5及相關描述可知，當第三倍數h1為2、第四倍數w1為3、第五倍數h2為2、第六倍數w2為3、或是其他數值時，熟於該技術者可依據本創作之說明而得知該第一導體區塊線400與該第二導體區塊線500以差排方式(dislocation)疊置的情形，在此不再贅述。

圖6A及圖6B係本創作第一導體區塊及第二導體區塊之互感應電容(Mutual capacitance)的一示意圖。如圖6A所示，第一導體區塊線40-1在橢圓V2處與第二導體區塊線50-N在橢圓V1及橢圓V3處互相平行，同理，第二導體區塊線50-N在橢圓V3處與第一導體區塊線40-1在橢圓V2及橢圓V4處互相平行，因此可增加第一導體區塊線40-1與第二導體區塊線50-N之間的感應電容。同樣地，如圖6B所示，第二導體區塊線50-N在橢圓H2處與第一導體區塊線40-1在橢圓H1及橢圓H3處互相平行，因此可增加第一導體區塊線40-1與第二導體區塊線50-N之間的感應電容。同理，第一導體區塊線40-1在橢圓H3處與第二導體區塊線50-N在橢圓H2及橢圓H4處互相平行。本創作藉由將該第一導體區塊線與該第二導體區塊線以差排方式(dislocation)疊置，可增加該第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M與該第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N之間的感應電容。故控制電路的內部驅動器(圖未示)可以使用較小的電壓，以驅動第一導體區塊線，而獲得與習知技術相同的感應電容變化量，可較習知技術節省電力消耗，因此，本創作尤其適合手持式裝置。同時，由於該第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M與該第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N之間的感應電容變化量變大，控制電路的感測器(圖未示)更能準確地偵測該第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N上的電壓，而可提昇偵測觸碰位置的準確度。

如圖3所示，該每一第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N在圖示B,C,D,E虛線橢圓處與對應之連接線41-1, 41-2,...,41-N電氣連接，而該N條連接線41-1,41-2,...,41-N的每一條連接線亦分別以對應之金屬走線延伸至該高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構200之同一側邊201，以進一步連接至一軟性電路板600。每一第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M係分別以對應之金屬走線延伸至該面板之同一側邊201，以進一步連接至一軟性電路板600。

該高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構200之表面係用以接收至少一個觸控點。其更包含有一控制電路610，其係經由該軟性電路板600電性連接至該M條第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N。

該M條第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N係根據一手指或一外部物件觸碰該高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構200的至少一觸控點之位置而對應地產生一感應訊號。一控制電路610係經由該軟性電路板600電性連接至該M條第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N，並依據感應訊號計算該至少一觸控點的座標。

圖7係本創作圖3中A-A'處的剖面圖。如圖7所示，該第二導體區塊線50-N與該連接線41-1在圖3中的B橢圓處電氣連接。如圖2及圖7所示，在該感應電極及走線層240與該感應電極層250之間設有該第一絕緣層260，該第 二導體區塊線50-N經由貫孔(via)52穿過該第一絕緣層260而與該連接線41-1電氣連接，亦即，經由該連接線41-1，該第二導體區塊線50-N可將其感測到的訊號傳輸至該控制電路610。

圖8係本創作第一導體區塊線及第二導體區塊線之又一示意圖。於圖4及圖5的實施例中，該第三長度為該第一長度d1的該第三倍數h1的兩倍(=2h1×d1)，該第四長度為該第二長度d2的該第四倍數w1的兩倍(2w1×d2)，該第五長度為該第一長度d1的該第五倍數h2的兩倍(=2h2×d1)，該第六長度為該第二長度d2的該第六倍數w2的兩倍(2w2×d2)。而於其他實施例中，該第三長度只要大於或等於該第一長度d1的兩倍、該第四長度只要大於或等於該第二長度d2的兩倍、該第五長度只要大於或等於該第一長度d1的兩倍、該第六長度只要大於或等於該第二長度d2的兩倍即可。如圖8所示，該第三長度為該第一長度d1的兩倍，該第四長度為該第二長度d2的三倍，該第五長度為該第一長度d1的兩倍，該第六長度為該第二長度d2的三倍。此時，該第一導體區塊400的中心位置X1與該第二導體區塊500的中心位置X2在該第二方向(Y)上相差一第一長度(d1)，在該第一方向(X)上相差一第二長度(d2)。亦即，當該第一導體區塊400的頂點P與畫素區塊330-1的頂點O1對齊時，該第二導體區塊500的頂點Q與該第一導體區塊400的頂點P在該第二方向(Y)上相差一第一長度(d1)，在該第一方向(X)上相差一第二長度(d2)。當該第一導體區塊400的頂點P與畫素區塊330-1的頂點O1 對齊時，該第二導體區塊500的頂點Q與畫素區塊330-2的頂點O2對齊。或是說，該第一導體區塊400的中心點X1與畫素區塊330-2的一點S1對齊，該第二導體區塊500的中心點X2與畫素區塊330-3的一點S2對齊。

由圖4、圖5及圖8可知，於本創作中，該第一倍數h小於或等於該第三倍數h1或該第五倍數h2中較小者，該第二倍數w小於或等於該第四倍數w1或該第六倍數w2中較小者。其可用數學式表示：h≦min(h1,h2)，w≦min(w1,w2)，當中，h為該第一倍數，w為該第二倍數，h1為該第三倍數，w1為該第四倍數，h2為該第五倍數，w2為該第六倍數。

圖9係本創作之一種高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構200的另一示意圖。其與圖3主要差別在於該N條連接線41-1,41-2,...,41-N的長度並非一致，而是逐漸減小。

圖10係本創作第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M的示意圖，如圖10所示，該第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M係由在第二方向上的24列(row)之該第一導體區塊400及在第一方向上的2行(cloumn)之該第一導體區塊400所構成之長方形。於其他實施例，該第一導體區塊400的數目可依需要而改變。

線段L1及線段L2的寬度較佳分別與閘極驅動線310的間隔距離及源極驅動線320的間隔距離相同。該M條第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M、該N條連接線41-1, 41-2,...,41-N、及該N條第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N的位置係依據閘極驅動線310及源極驅動線320的位置相對應而設置，因此並不影響透光率。

再請參照圖2，在感應電極及走線層240及該感應電極層250之間有一第一絕緣層260。在該感應電極層250與該薄膜電晶體層300之間有一第二絕緣層270。

薄膜電晶體層(TFT)300位於該第二基板220之面向於有機發光二極體層230之一側的表面。該薄膜電晶體層300具有K條閘極驅動線310及L條源極驅動線320，依據一顯示像素訊號及一顯示驅動訊號，以驅動對應之畫素電晶體及畫素電容，進而執行顯示操作，其中，K、L為正整數。該薄膜電晶體層300除具有複數條閘極驅動線310及複數條源極驅動線320外，更包含多數個畫素驅動電路301。該薄膜電晶體層300依據一顯示像素訊號及一顯示驅動訊號，用以驅動對應之畫素驅動電路301，進而執行顯示操作。

依畫素驅動電路301設計的不同，例如2T1C係由2個薄膜電晶體與1個儲存電容設計而成畫素驅動電路301，6T2C係由6個薄膜電晶體與2個儲存電容設計而成畫素驅動電路301。畫素驅動電路301中最少有一薄膜電晶體的閘極3011連接至一條閘極驅動線(圖未示)，依驅動電路設計的不同，控制電路中最少有一薄膜電晶體的源/汲極3013連接至一條源極驅動線(圖未示)，畫素驅動電路301中最少有一薄膜電晶體的源/汲極3015連接至該陽極層290中的一個對應的陽極畫素電極291。

該陰極層280位於該第一基板210之面向該有機發光二極體層230之一側。同時，該陰極層280位於該第一基板210與該有機發光二極體層230之間。該陰極層280係由金屬導電材料所形成。較佳地，該陰極層280係由金屬材料所形成，該金屬材料係選自下列群組其中之一：鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鉀(K)、鋰(Li)、銦(In)，及其合金或使用氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF2)、氧化鋰(LiO)與Al組合而成。由於該陰極層280由於為金屬材料，因此會將光線反射，因此大部分光源均朝向該第二基板220，而形成下部發光的顯示器型式。

該有機發光二極體層230所產生的光經反射，而可於該第二基板220上顯示影像。該陰極層280係整片電氣連接著，因此可作為遮罩(shielding)之用。同時，該陰極層280亦接收由陽極畫素電極291來的電流。

該陽極層290位於該薄膜電晶體層300之面向該有機發光二極體層230之一側。該陽極層290具有複數個陽極畫素電極291。每一個陽極畫素電極291係與該薄膜電晶體層300的該畫素驅動電路301之一個畫素電晶體對應，亦即該複數個陽極畫素電極的每一個陽極畫素電極係與對應的該畫素驅動電路301之該畫素電晶體之源/汲極3015連接，以形成一特定顏色的畫素電極，例如紅色畫素電極、綠色畫素電極、或藍色畫素電極。

該有機發光二極體層230包含一電洞傳輸子層(hole transporting layer,HTL)231、一發光層(emitting layer)233、及一電子傳輸子層(electron transporting layer,HTL)235。該有機發光二極體層230較佳產生紅、藍、綠三原色光，因此無需使用習知的彩色濾光層(color filter)過濾，即可產生紅、藍、綠三原色。

圖11係本創作之一種窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構1000的另一疊層示意圖。其與圖2的主要區別在於該陰極層1010與該陽極層1020的位置對調。該陰極層1010具有複數個陰極畫素電極1011。每一個陰極畫素電極1011係與該薄膜電晶體層300的該畫素驅動電路301之一個畫素驅動電晶體對應，亦即該複數個陰極畫素電極的每一個陰極畫素電極311係與對應的該畫素驅動電路301之該畫素驅動電晶體之源/汲極3015連接，以形成一特定顏色的畫素電極，例如紅色畫素電極、綠色畫素電極、或藍色畫素電極。

圖11的該陰極層1010與該陽極層1020的位置對調，同時為了配合該陰極層1010與該陽極層1020，該有機發光二極體層1030的電洞傳輸子層(hole transporting layer,HTL)1031與電子傳輸子層(electron transporting layer,HTL)1035的位置亦對調。該陰極層100具有複數個陰極畫素電極1011，該複數個陰極畫素電極1011的每一個陰極畫素電極係與對應的該畫素驅動電路301之畫素驅動電晶體之源極或汲極連接。

圖12係本創作之一種高準確度之窄邊框內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構1100的另一疊層示意圖。 其與圖2的主要區別在於該感應電極及走線層240與該感應電極層250的位置對調。亦即，該感應電極層250係位於該第二基板220之面向該有機發光二極體層230之一側。較佳地，該感應電極層250係設置於該第二基板220之面對該有機發光二極體層230的表面。該感應電極及走線層240位於該感應電極層250之面對該有機發光二極體層230之一側的表面上。

感應電極層250並具有沿著一第二方向(Y)排列的N條第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N，其執行觸控感應時，接受該觸控驅動訊號。每一第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N以一對應之第i條連接線41-1,41-2,...,41-N延伸至該高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構200之一側邊201，i為正整數且1≦i≦N，該N條第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N的每一條第二導體區塊線係由複數個第二導體區塊500所組成。感應電極及走線層240位於該感應電極層250之面向於該有機發光二極體層230之一側，並具有沿著一第一方向(X)排列的M條第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M及N條連接線41-1,41-2,...,41-N，其依據一觸控驅動訊號而感應是否有一外部物件接近，其中，M、N為正整數，該M條第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M的每一條第一導體區塊線係由複數個第一導體區塊400所組成。該第一導體區塊400與該第二導體區塊500疊置時，係以差排方式(dislocation)疊置。

習知氧化銦錫材質(ITO)所做的電極點其平均透 光率僅約為90%，而本創作的該M條第一導體線40-1,40-2,...,40-M、該N條連接線41-1,41-2,...,41-N、及該N條第二導體線50-1,50-2,...,50-N係設置在該薄膜電晶體層300之該K條閘極驅動線及L條源極驅動線的位置的上方，因此並不影響透光率，故本創作的平均透光率遠較習知技術為佳。當本創作的技術與有機發光二極體顯示面板結合時，可使有機發光二極體顯示面板的亮度較習知技術更亮。

由前述說明可知，圖1習知技術的設計將增加觸控面板邊框的寬度，並不適合窄邊框設計的趨勢。

同時，當採用氧化銦錫材質當作跨橋結構以連接兩個氧化銦錫材質的電極點時，由於氧化銦錫材質不像金屬具有良好的延展性，容易在跨橋處產生斷點或是電氣訊號不良等現象。若使用金屬當作跨橋結構以連接兩個氧化銦錫材質的電極點時，由於金屬與氧化銦錫為異質材質，容易在跨橋處產生電氣訊號不良現象，而影響偵測觸碰點的正確性。

而本創作不論是M條第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M及N條第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N或是走線均為金屬材質，可較習知技術有較佳的傳導性與延展性，而容易將導體線的感應訊號傳輸至該控制電路，而使該控制電路計算出的座標更準確。較習知技術有較佳的透光率，且可避免使用昂貴的氧化銦錫材質，據此降低成本。且較習知技術更適合設計在窄邊框的觸控面板，同時使用金屬做為觸控感應電極具有高延展性，適用於軟性顯示器。

同時，本創作藉由將該第一導體區塊線40-1, 40-2,...,40-M與該第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N以差排方式(dislocation)疊置，可增加該第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M與該第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N之間的感應電容。故控制電路的內部驅動器可以使用較小的電壓驅動第一導體區塊線，而可獲得與習知技術相同的感應電容變化量，可較習知技術節省電力消耗。因此，本創作尤其適合手持式裝置。同時，由於該第一導體區塊線40-1,40-2,...,40-M與該第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N之間的感應電容變化量變大，控制電路的感測器更能準確地偵測該第二導體區塊線50-1,50-2,...,50-N上的電壓，相較習知技術更可提昇偵測觸碰位置的準確度。

上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本創作所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。

200‧‧‧高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構

240‧‧‧感應電極及走線層

250‧‧‧感應電極層

40-1,40-2,...,40-M‧‧‧第一導體區塊線

41-1,41-2,...,41-N‧‧‧連接線

400‧‧‧第一導體區塊

50-1,50-2,...,50-N‧‧‧第二導體區塊線

201‧‧‧側邊

500‧‧‧第二導體區塊

600‧‧‧軟性電路板

610‧‧‧控制電路

Claims (15)

1. 一種高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，包括：一第一基板；一第二基板，該第一基板及該第二基板以平行成對之配置將一有機發光二極體層夾置於二基板之間；一感應電極及走線層，位於該第二基板之面向該有機發光二極體層之一側，並具有沿著一第一方向排列的M條第一導體區塊線及N條連接線，其依據一觸控驅動訊號而感應是否有一外部物件接近，其中，M、N為正整數，該M條第一導體區塊線的每一條第一導體區塊線係由複數個第一導體區塊所組成；一感應電極層，位於該感應電極及走線層之面向該有機發光二極體層之一側的表面上，並具有沿著一第二方向排列的N條第二導體區塊線，其執行觸控感應時，接受該觸控驅動訊號，每一第二導體區塊線以一對應之第i條連接線延伸至該高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構之一側邊，i為正整數且1≦i≦N，該N條第二導體區塊線的每一條第二導體區塊線係由複數個第二導體區塊所組成；以及一薄膜電晶體層，位於該感應電極層之面向該有機發光二極體層之一側的表面，該薄膜電晶體層具有K條閘極驅動線及L條源極驅動線，依據一顯示驅動訊號及一顯示像素訊號，以驅動對應之畫素驅動電路之畫素驅動電晶體及畫素電容，進而執行顯示操作，當中，K、L為正整數；其中，該複數個第一導體區塊、該N條連接線、及該複數個第二導體區塊的位置係依據與該薄膜電晶體層之該K條閘極驅動線及L條源極驅動線的位置相對應而設置。
2. 如申請專利範圍第1項所述之高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該第一導體區塊與該第二導體區塊疊置時，係以差排方式疊置。
3. 如申請專利範圍第2項所述之高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該薄膜電晶體層之該K條閘極驅動線及L條源極驅動線形成複數個畫素區塊，每一畫素區塊的長度與寬度分別為一第一長度及一第二長度。
4. 如申請專利範圍第3項所述之高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該第一導體區塊與該第二導體區塊以差排方式疊置時，該第一導體區塊的中心位置與該第二導體區塊的中心位置在該第二方向上相差該第一長度的一第一倍數，在該第一方向上相差該第二長度的一第二倍數，其中，該第一倍數、及該第二倍數為正整數。
5. 如申請專利範圍第4項所述之高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該複數個第一導體區塊線的每一第一導體區塊的長度與寬度分別為一第三長度及一第四長度，該複數個第二導體區塊線的每一第二導體區塊的長度與寬度分別為一第五長度及一第六長度，當中，該第三長度為第一長度的一第三倍數的兩倍，該第四長度為第二長度的一第四倍數的兩倍，該第五長度為該第一長度的一第五倍數的兩倍，該第六長度為該第二長度的一第六倍數的兩倍，其中，該第三倍數、該第四倍數、該第五倍數、及該第六倍數為正整數。
6. 如申請專利範圍第5項所述之高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該第一倍數小於或等於該第三倍數或該第五倍數中較小者，該第二倍數小 於或等於該第四倍數或該第六倍數中較小者，h≦min(h1,h2)，w≦min(w1,w2)，當中，h為該第一倍數，w為該第二倍數，h1為該第三倍數，w1為該第四倍數，h2為該第五倍數，w2為該第六倍數。
7. 如申請專利範圍第1項所述之高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，每一第一導體區塊線係分別以對應之金屬走線延伸至該第一基板之同一側邊，以進一步連接至一軟性電路板。
8. 如申請專利範圍第7項所述之高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該N條連接線、複數個第一導體區塊、及複數個第二導體區塊係由金屬導電材料所製成。
9. 如申請專利範圍第8項所述之高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該M條第一導體區塊線的每一條第一導體區塊線之複數個第一導體區塊係形成一個四邊型區域，且電氣連接在一起，該M條第一導體區塊線的每一條第一導體區塊線之間並未連接，該N條第二導體區塊線的每一條第二導體區塊線之複數個第二導體區塊係形成一個四邊型區域，且電氣連接在一起，該N條第二導體區塊線的每一條第二導體區塊線之間並未連接。
10. 如申請專利範圍第9項所述之高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該四邊型區域係為下列形狀其中之一：長方形、正方形。
11. 如申請專利範圍第9項所述之高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該金屬導電材料係為下列其中之一：鉬、鋇、鋁、銀、銅、鈦、鎳、鉭、 鈷、鎢、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鉀(K)、鋰(Li)、銦(In)、合金、氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF2)、氧化鋰(LiO)。
12. 如申請專利範圍第1項所述之高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該第一方向係垂直第二方向。
13. 如申請專利範圍第1項所述之高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該N條連接線的每一條連接線係設置於兩條第一導體區塊線之間。
14. 一種高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，包括：一第一基板；一第二基板，該第一基板及該第二基板以平行成對之配置將一有機發光二極體層夾置於二基板之間；一感應電極層，位於該第二基板之面向該有機發光二極體層之一側的表面上，並具有延著一第二方向排列的N條第二導體區塊線，其執行觸控感應時，接受該觸控驅動訊號；以及一感應電極及走線層，位於該感應電極層之面向該有機發光二極體層之一側，並具有沿著一第一方向排列的M條第一導體區塊線及N條連接線，其依據一觸控驅動訊號而感應是否有一外部物件接近，其中，M、N為正整數，該M條第一導體區塊線的每一條第一導體區塊線係由複數個第一導體區塊所組成；其中，每一第二導體區塊線以一對應之第i條連接線延伸至該高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構之一側邊，i為正整數且1≦i≦N，該N條第二導體區塊線的每一條第二導體區塊線係由複數個第二導體區塊所組成，該第一導體區塊與該第二導體區塊疊置時，係以差排方式疊置。
15. 如申請專利範圍第14項所述之高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構，其中，該第一方向係垂直第二方向。