CN204440369U - 高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，包括一第一及一第二基板、一薄膜晶体管层、一感应电极及走线层、及一感应电极层。薄膜晶体管层具有多条栅极驱动线及源极驱动线。感应电极及走线层具有沿着一第一方向排列的M条第一导体区块线及N条连接线，每一条第一导体区块线是由多个第一导体区块组成。感应电极层具有沿着一第二方向排列的N条第二导体区块线，每一条第二导体区块线是由多个第二导体区块组成，第一导体区块与第二导体区块的位置是依据多条栅极驱动线及源极驱动线的位置相对应设置、且以差排方式叠置。
Description
技术领域
本实用新型是关于一种具有触摸板的结构，尤指一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构。
背景技术
现代消费性电子装置多配备触摸板做为其输入设备之一。触摸板根据感测原理的不同可分为电阻式、电容式、音波式、及光学式等多种。
触控面板的技术原理是当手指或其他介质接触到屏幕时，依据不同感应方式，侦测电压、电流、声波或红外线等，以此测出触压点的坐标位置。例如电阻式即为利用上、下电极间的电位差，计算施压点位置检测出触控点所在。电容式触控面板是利用排列的透明电极与人体之间的静电结合所产生的电容变化，从所产生的电流或电压来检测其坐标。
随着智能型手机的普及，多点触控的技术需求与日俱增。目前，多点触控主要是通过投射电容式(Projected Capacitive)触控技术来实现。
投射电容式技术主要是通过双层氧化铟锡材质(Indium Tin Oxide，ITO)形成行列交错感测单元矩阵，以侦测得到精确的触控位置。投射电容式触控技术的基本原理是以电容感应为主，利用设计多个蚀刻后的氧化铟锡材质电极，增加阵列存在不同平面、同时又相互垂直的透明导线，形成类似X、Y轴驱动线。这些导线皆由控制器所控制，其是依序扫瞄侦测电容值变化馈至控制器。
图1是已知互感应电容(Mutual capacitance)感测的示意图。已知互感应电容(Cm)感测的触控面板结构100上的感应导体线110、120是依沿着第一方向(X)及第二方向(Y)排列。第一方向(X)排列的感应导体线110与第二方向(Y)排列的感应导体线120之间有一互感应电容(Cm)160，互感应电容(Cm)160并非实体电容，其是沿着第一方向(X)排列的感应导体线110与第二方向(Y)排列的感应导体线120之间的互感应电容(Cm)。
当要执行触控感应时，一软性电路板130上的控制电路131的内部驱动器(图未示)于第一时间周期T1，对第一方向(X)排列的感应导体线110驱动，其使用电压Vy_1对互感应电容(Cm)160充电，于第一时间周期T1，控制电路131的内部所有传感器(图未示)感测所有第二方向(Y)排列的感应导体线120上的电压(Vo_1，Vo_2，…，Vo_n)，用以获得n个资料，亦即经过m个驱动周期后，即可获得m×n个资料。
此种互感应电容(Cm)的感测主要是利用在显示面板上形成以双层氧化铟锡材质(Indium Tin Oxide，ITO)的行列交错感测单元矩阵，以侦测得到精确的触控位置。因此会增加制造程序及成本。同时，感应导体线120执行触控感应时要将感测到的信号传输至一软性电路板130上的控制电路131时，需经由面板140的侧边150走线方能连接至该软性电路板130。此种设计将增加触控面板边框的宽度，并不适合窄边框设计的趋势。
针对上述问题，In-Cell Touch技术则是将触控元件整合于显示面板的内，使得显示面板本身就具备触控功能，因此不需要另外进行与触控面板贴合或是组装的工艺。In-Cell Touch技术是在显示面板的上玻璃基板或下玻璃基板设置ITO透明感应电极层或光学感应元件。然而，如此不仅增加成本，亦增加工艺程序，容易导致工艺良率降低及工艺成本飙升，以及开口率下降而须要更强的背光，也会增加耗电。因此，已知平面显示触控结构仍有改善的空间。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是在提供一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，仅需于单边设置连接线路，可增加导体区块之间的感应电容变化量，以便使用较小的电压即能驱动导体区块线，同时可提升接触点侦测的准确度。
依据本实用新型的一特色，本实用新型提供一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，包括一第一基板、一第二基板、一薄膜晶体管层、一感应电极及走线层、及一感应电极层。该第一基板及该第二基板以平行成对的配置将一显示层夹置于二基板之间。该薄膜晶体管层位于该第二基板的面向该显示层一侧的表面，该薄膜晶体管层具有K条栅极驱动线及L条源极驱动线，该K条栅极驱动线及L条源极驱动线设置于一第一方向及一第二方向，以形成多个像素区块，每一个像素区块具有对应的一像素晶体管及一像素电容，依据一显示像素信号及一显示驱动信号，以驱动对应的该像素晶体管及该像素电容，进而执行显示操作，其中，K、L为正整数。该感应电极及走线层位于该薄膜晶体管层的面向该显示层的一侧，并具有沿着一第一方向排列的M条第一导体区块线及N条连接线，其依据一触控驱动信号而感应是否有一外部对象接近，其中，M、N为正整数，该M条第一导体区块线的每一条第一导体区块线是由多个第一导体区块所组成。该感应电极层位于该薄膜晶体管层的面向该显示层的一侧，其是介于该感应电极及走线层及该薄膜晶体管层之间，并具有沿着一第二方向排列的N条第二导体区块线，其执行触控感应时，接受该触控驱动信号，每一第二导体区块线以一对应的第i条连接线延伸至该高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构的一侧边，i为正整数且1≤i≤N，该N条第二导体区块线的每一条第二导体区块线是由多个第二导体区块所组成；其中，该多个第一导体区块、该N条连接线、及该多个第二导体区块的位置是依据与该薄膜晶体管层的K条栅极驱动线及该L条源极驱动线的位置相对应而设置。
其中，该第一导体区块与该第二导体区块叠置时，是以差排方式叠置。
其中，该多个像素区块的每一像素区块的长度与宽度分别为一第一距离及一第二距离。
其中，该第一导体区块与该第二导体区块以差排方式叠置时，该第一导体区块的中心位置与该第二导体区块的中心位置在该第二方向上相差该第一距离的一第一倍数，在该第一方向上相差该第二距离的一第二倍数，其中，该第一倍数及该第二倍数为正整数。
其中，该多个第一导体区块的每一第一导体区块的长度与宽度分别为一第三距离及一第四距离，该多个第二导体区块的每一第二导体区块的长度与宽度分别为一第五距离及一第六距离，当中，该第三距离为该第一距离的一第三倍数的两倍，该第四距离为该第二距离的一第四倍数的两倍，该第五距离为该第一距离的一第五倍数的两倍，该第六距离为该第二距离的一第六倍数的两倍，其中，该第三倍数、该第四倍数、该第五倍数、及该第六倍数为正整数。
其中，该第一倍数小于或等于该第三倍数或该第五倍数中较小者，该第二倍数小于或等于该第四倍数或该第六倍数中较小者，h≤min(h1，h2)，w≤min(w1，w2)，当中，h为该第一倍数，w为该第二倍数，h1为该第三倍数，w1为该第四倍数，h2为该第五倍数，w2为该第六倍数。
其中，每一第一导体区块线是分别以对应的金属走线延伸至该第一基板的同一侧边，以进一步连接至一软性电路板。
其中，该N条连接线、多个第一导体区块、及多个第二导体区块是由金属导电材料所制成。
其中，该M条第一导体区块线的每一条第一导体区块线的多个第一导体区块是形成一个四边型区域，且电气连接在一起，该M条第一导体区块线的每一条第一导体区块线之间并未连接，该N条第二导体区块线的每一条第二导体区块线的多个第二导体区块是形成一个四边型区域，且电气连接在一起，该N条第二导体区块线的每一条第二导体区块线之间并未连接。
其中，该第一方向垂直第二方向。
其中，该N条连接线的每一条连接线排列于两条第一导体区块线之间。
其中，该第一导体区块及该第二导体区块所形成的该四边型区域为下列形状其中之一：长方形、正方形。
其还包含：
一遮光层，位于该第一基板的面向该显示层的一侧的表面，该遮光层由多条遮光线条所构成，该多条遮光线条设置于该第一方向及该第二方向，以形成多个遮光区块；
一彩色滤光层，位于该遮光层的面向该显示层一侧的表面上；
一第一偏光层，位于该第一基板的背向该显示层一侧的表面；以及
一第二偏光层，位于该第二基板的背向该显示层一侧的表面。
其中，该显示层为一液晶层。
其中，该显示层为一有机发光二极管层。
依据本实用新型的另一特色，本实用新型提供一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，包括一第一基板、一第二基板、一薄膜晶体管层、一感应电极层、及一感应电极及走线层。该第一基板及该第二基板以平行成对的配置将一显示层夹置于二基板之间。该薄膜晶体管层位于该第二基板的面向该显示层一侧的表面，该薄膜晶体管层具有K条栅极驱动线及L条源极驱动线，该K条栅极驱动线及L条源极驱动线设置于一第一方向及一第二方向，以形成多个像素区块，每一个像素区块具有对应的一像素晶体管及一像素电容，依据一显示像素信号及一显示驱动信号，以驱动对应的该像素晶体管及该像素电容，进而执行显示操作，其中，K、L为正整数。该感应电极层位于该薄膜晶体管层的面向该显示层的一侧，并具有沿着一第二方向排列的N条第二导体区块线，其执行触控感应时，接受一触控驱动信号。该感应电极及走线层位于该感应电极层的面向该显示层的一侧，并具有沿着一第一方向排列的M条第一导体区块线及N条连接线，其依据一触控驱动信号而感应是否有一外部对象接近，其中，M、N为正整数，该M条第一导体区块线的每一条第一导体区块线是由多个第一导体区块所组成。其中，该多个第一导体区块、该N条连接线、及该多个第二导体区块的位置是依据与该薄膜晶体管层的K条栅极驱动线及该L条源极驱动线的位置相对应而设置，且该第一导体区块与该第二导体区块叠置时，是以差排方式叠置。
其中，该第一方向垂直第二方向。
本实用新型的有益效果是，仅需于单边设置连接线路，可增加导体区块之间的感应电容变化量，以便使用较小的电压即能驱动导体区块线，同时可提升接触点侦测的准确度。
附图说明
为进一步说明本实用新型的技术内容，以下结合实施例及附图详细说明如后，其中：
图1是已知互感应电容感测的示意图。
图2是本实用新型的一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构的叠层示意图。
图3是遮光层的示意图。
图4是本实用新型感应电极及走线层与感应电极层的示意图。
图5是本实用新型第一导体区块线及第二导体区块线的示意图。
图6是本实用新型第一导体区块线及第二导体区块线的另一示意图。
图7A及图7B是本实用新型第一导体区块及第二导体区块的互感应电容的一示意图
图8是本实用新型图4中A-A’处的剖面图。
图9是本实用新型第一导体区块线及第二导体区块线的又一示意图。
图10是本实用新型的一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构的另一示意图。
图11是本实用新型第一导体区块线的示意图。
图12是本实用新型的一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构的另一叠层示意图。
图13是本实用新型的一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构的又一叠层示意图。
具体实施方式
本实用新型是关于一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构。图2是本实用新型的一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构200的叠层示意图，如图2所示，该高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构200包括有第一基板210、一第二基板220、一显示层230、一薄膜晶体管层240、一感应电极及走线层250、一感应电极层260、一遮光层(blackmatrix)270、一彩色滤光层(color filter)280、一第一偏光层(upperpolarizer)300、一第二偏光层(lower polarizer)310、一第一绝缘层320、一第二绝缘层330、及一第三绝缘层340。该显示层230于本实施例中较佳为一液晶层。
该第一基板210及该第二基板220较佳为玻璃基板，该第一基板210及该第二基板220以平行成对的配置将该显示层230夹置于二基板210，220之间。该第二基板220一般称为薄膜晶体管基板(thin filmtransistor substrate，TFT substrate)，当作开关用的薄膜晶体管一般设置于薄膜晶体管基板(TFT substrate)上。
该遮光层(black matrix)270是位于该第一基板210的面向显示层230一侧的表面，该遮光层270是由多条遮光线条所构成，该多条遮光线条271设置于一第一方向(X)及一第二方向(Y)，以形成多个包含遮光栅格与透光区的遮光区块273。
图3是遮光层270的示意图，其是相同于一般已知液晶显示器的遮光层。如图3所示，遮光层270是由不透光的黑色绝缘材质的线条构成多条遮光线条271，所述黑色绝缘材质的多条遮光线条271是互相垂直分布于该已知遮光层270，故该遮光层270又称为黑矩阵(black matrix)。而本实用新型具有如此的遮光层270，且彩色滤光层(color filter)280则分布在所述黑色绝缘材质的线条之间的遮光区块273。
本实用新型是在薄膜晶体管层240的面向该显示层230一侧设置感应电极及走线层250及感应电极层260，并在其上布植感应触控图型结构。
该薄膜晶体管层240位于该第二基板220的面向该显示层230一侧的表面，该薄膜晶体管层240具有K条栅极驱动线及L条源极驱动线，该K条栅极驱动线及L条源极驱动线设置于该第一方向(X)及该第二方向(Y)，以形成多个像素区块。每一个像素区块具有对应的一像素晶体管及一像素电容，依据一显示像素信号及一显示驱动信号，以驱动对应的该像素晶体管及该像素电容，进而执行显示操作，其中，K、L为正整数。薄膜晶体管层240具有薄膜晶体管291及透明电极293。该透明电极293与一共通电极层(Vcom，图未示)形成前述的像素电容。
图4是本实用新型感应电极及走线层与感应电极层的示意图。该感应电极及走线层250位于该薄膜晶体管层240的面向该显示层230的一侧，并具有沿着一第一方向(X)排列的M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M及N条连接线41-1，41-2，…，41-N，其依据一触控驱动信号而感应是否有一外部对象接近，其中，M、N为正整数。该M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M的每一条第一导体区块线是由多个第一导体区块400所组成。其中，该M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M及该N条连接线41-1，41-2，…，41-N是由金属导电材料所制成，于本实施例，该N条连接线41-1，41-2，…，41-N的长度相同。
该感应电极层260位于该薄膜晶体管层240的面向该显示层230一侧的表面上，其是介于该感应电极及走线层250及该薄膜晶体管层240之间，并具有沿着一第二方向(Y)排列的N条第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N，其执行触控感应时，接受该触控驱动信号，每一第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N以一对应的第i条连接线41-1，41-2，…，41-N延伸至该高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构的一侧边201，i为正整数且1≤i≤N。该N条第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N的每一条第二导体区块线是由多个第二导体区块500所组成。其中，该第一方向是垂直第二方向。该多个第一导体区块400、该N条连接线41-1，41-2，…，41-N、及该多个第二导体区块500的位置是依据与该薄膜晶体管层240的K条栅极驱动线及该L条源极驱动线的位置相对应而设置。
如图4所示，该M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M及该N条第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N的每一导体区块线是分别由该多个第一导体区块400及该多个第二导体区块500所构成。
该M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M的每一条第一导体区块线的多个第一导体区块400是形成一个四边型区域，且电气连接在一起，该M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M的每一条第一导体区块线之间并未电气连接。同样地，该N条第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N的每一条第二导体区块线的多个第二导体区块500是形成一个四边型区域，且电气连接在一起，该N条第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N的每一条第二导体区块线之间并未连接。其中，该N条连接线的每一条连接线是排列于两条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M之间。
该M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M及该N条第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N并未电气连接。其可在该感应电极及走线层250及该感应电极层260之间设置一第一绝缘层320。亦可仅在该M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M及该N条第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N交叉处设置绝缘区块。
该多个第一导体区块400及该多个第二导体区块500是形成一个四边型区域且由金属导电材料所制成，其中，该四边型区域是为下列形状其中之一：长方形、正方形。该金属导电材料是为下列其中之一：钼、钡、铝、银、铜、钛、镍、钽、钴、钨、镁(Mg)、钙(Ca)、钾(K)、锂(Li)、铟(In)、合金、氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氧化锂(Li0)。
该N条连接线41-1，41-2，…，41-N的每一条连接线是设置于两条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M之间。
图5是本实用新型第一导体区块线、第二导体区块线、栅极驱动线及源极驱动线的示意图。该多个第一导体区块400、该N条连接线41-1，41-2，…，41-N、及该多个第二导体区块500的位置是依据与该薄膜晶体管层240的该K条栅极驱动线241及L条源极驱动线243的位置相对应而设置。
于图5中，栅极驱动线241是沿着第二方向(Y)排列，源极驱动线243是沿着第一方向(X)排列。于其他实施例中，栅极驱动线241可沿着第一方向(X)排列，源极驱动线243可沿着第二方向(Y)排列。如图4所示，该薄膜晶体管层240的该K条栅极驱动线241与该薄膜晶体管层240的该L条源极驱动线243形成多个像素区块245。每一像素区块245的长度与宽度分别为一第一距离d1及一第二距离d2。
如图5所示，该第一导体区块线与该第二导体区块线叠置时，是以差排方式(dislocation)叠置。该第一导体区块400的中心位置与该第二导体区块500的中心位置在该第二方向(Y)上相差一第一距离d1的一第一倍数h，在该第一方向(X)上相差一第二距离d2的一第二倍数w，其中，h、w为正整数。
该多个像素区块245的每一像素区块的长度与宽度分别为该第一距离d1及该第二距离d2。该多个第一导体区块的每一第一导体区块400的长度与宽度分别为一第三距离及一第四距离，该多个第二导体区块的每一第二导体区块500的长度与宽度分别为该第五距离及该第六距离，当中，该第三距离为第一距离d1的第三倍数h1的两倍(＝2h1×d1)，该第四距离为第二距离d2的第四倍数w1的两倍(2w1×d2)，该第五距离为第一距离d1的一第五倍数h2的两倍(＝2h2×d1)，该第六距离为第二距离d2的一第六倍数w2的两倍(2w2×d2)，其中，h1、w1、h2、w2为正整数。
如图5所示，该多个像素区块245的每一像素区块的长度与宽度分别为该第一距离d1及该第二距离d2、且第三倍数h1为1、第四倍数w1为1、第五倍数h2为1、第六倍数w2为1时，该多个第一导体区块400的每一第一导体区块的长度与宽度分别为一第三距离及一第四距离，该多个第二导体区块500的每一第二导体区块的长度与宽度分别为该第五距离及该第六距离。亦即，因为第三倍数h1为1、第四倍数w1为1、第五倍数h2为1、及第六倍数w2为1，故该第三距离为第一距离d1的两倍(＝2h1×d1-2×d1)，该第四距离为第二距离d2的两倍(2w1×d2＝2×d2)，该第五距离为第一距离d1的两倍(＝2h2×d1＝2×d1)，该第六距离为第二距离d2的两倍(2w2×d2＝2×d2)。也就是说，每一第一导体区块400及每一第二导体区块500的大小是为4个像素区块245的大小。
如图5所示，该第一导体区块400与该第二导体区块500以差排方式(dislocation)叠置时，该第一导体区块400的中心位置X1与该第二导体区块500的中心位置X2在该第二方向(Y)上相差一h倍第一距离d1(＝hxd1＝d1)，在该第一方向(X)上相差一w倍第二距离d2(＝wxd2＝d2)。亦即，当该第一导体区块400的顶点P与像素区块245-1的顶点O1对齐时，该第二导体区块500的顶点Q与该第一导体区块400的顶点P在该第二方向(Y)上相差一个第一距离d1，在该第一方向(X)上相差一个第二距离d2。当该第一导体区块400的顶点P与像素区块245-1的顶点01对齐时，该第二导体区块500的顶点Q与像素区块245-2的顶点O2对齐。或是说，该第一导体区块400的中心点X1与像素区块245-2的顶点O2对齐，该第二导体区块500的中心点X2与像素区块245-3的顶点O3对齐。
该第一导体区块400与该第二导体区块500的间隔距离、线宽与栅极驱动线241的间隔距离、线宽及源极驱动线243的间隔距离、线宽相同、且薄膜晶体管层240一定会设置栅极驱动线241及源极驱动线243，以形成像素区块245。因此本案的该第一导体区块400与该第二导体区块500并不影响透光率。
图6是本实用新型第一导体区块线及第二导体区块线的另一示意图。该第一导体区块400的中心位置与与该第二导体区块500的中心位置在该第二方向(Y)上相差一第一距离d1的一第一倍数h，在该第一方向(X)上相差一第二距离d2的一第二倍数w，其中，h、w为正整数。该多个像素区块245的每一像素区块的长度与宽度分别为该第一距离d1及该第二距离d2。该多个第一导体区块的每一第一导体区块400的长度与宽度分别为一第三距离及一第四距离，该多个第二导体区块的每一第二导体区块500的长度与宽度分别为该第五距离及该第六距离，当中，该第三距离为第一距离d1的第三倍数h1的两倍(＝2h1×d1)，该第四距离为第二距离d2的第四倍数w1的两倍(2w1×d2)，该第五距离为该第一距离的第五倍数h2的两倍(＝2h2×d1)，该第六距离为该第二距离的第六倍数w2的两倍(2w2×d2)。
如图6所示，该多个像素区块的每一像素区块245的长度与宽度分别为该第一距离d1及该第二距离d2，且第三倍数h1为2、第四倍数w1为2、第五倍数h2为2、第六倍数w2为2时，该第三距离为第一距离d1的四倍(＝2h1×d1＝4×d1)，该第四距离为第二距离d2的四倍(2w1×d2＝4×d2)，该第五距离为第一距离d1的四倍(＝2h2×d1＝4×d1)，该第六距离为第二距离d2的四倍(2w2×d2＝4×d2)。也就是说，每一第一导体区块400及每一第二导体区块500的大小是为16个像素区块245的大小。
该第一导体区块400与该第二导体区块500以差排方式(dislocation)叠置时，该第一导体区块400的中心位置与X1该第二导体区块500的中心位置X2在该第二方向(Y)上相差第一倍数h倍第一距离，第一倍数h为2(h×d1＝2d1)，在该第一方向(X)上相差一第二倍数w倍第二距离，第二倍数h为2(wxd2＝2d2)。亦即，该第二导体区块500的顶点Q与该第一导体区块400的顶点P在该第二方向(Y)上相差一2倍第一距离(h×d1＝2d1)，在该第一方向(X)上相差一2倍第二距离(wxd2＝2d2)。当该第一导体区块400的顶点P与像素区块245-1的顶点O1对齐时，该第二导体区块500的顶点Q与像素区块245-3的顶点O3对齐。或是说，该第一导体区块400的中心点X1与像素区块245-3的顶点O3对齐，该第二导体区块500的中心点X2与像素区块2455的顶点O5对齐。
由图5、图6及相关描述，当第三倍数h1为2及第四倍数w1为3、第五倍数h2为2、第六倍数w2为3、或是其他数值时，熟于该技术者可依据本实用新型的说明而得知该第一导体区块线400与该第二导体区块线500以差排方式(dislocation)叠置的情形，在此不再赘述。
图7A及图7B是本实用新型第一导体区块及第二导体区块的互感应电容(Mutual capacitance)的一示意图。如图7A所示，第一导体区块线40-1在椭圆V2处与第二导体区块线50-N在椭圆V1及椭圆V3处互相平行，同理，第二导体区块线50-N在椭圆V3处与第一导体区块线40-1在椭圆V2及椭圆V4处互相平行，因此可增加第一导体区块线401与第二导体区块线50-N之间的感应电容。同样地，如图7B所示，第二导体区块线50-N在椭圆H2处与第一导体区块线40-1在椭圆H1及椭圆H3处互相平行，因此可增加第一导体区块线40-1与第二导体区块线50-N之间的感应电容。同理，第一导体区块线40-1在椭圆H3处与第二导体区块线50-N在椭圆H2及椭圆H4处互相平行。本实用新型通过将该第一导体区块线与该第二导体区块线以差排方式(dislocation)叠置，可增加该第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M与该第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N之间的感应电容。故控制电路的内部驱动器(图未示)可以使用较小的电压，以驱动第一导体区块线，而获得与已知技术相同的感应电容变化量，可较已知技术节省电力消耗，因此，本实用新型尤其适合手持式装置。同时，由于该第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M与该第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N之间的感应电容变化量变大，控制电路的传感器(图未示)更能准确地侦测该第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N上的电压，而可提升触碰的准确度。
如图4所示，该每一第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N在虚线椭圆处与对应的连接线41-1，41-2，…，41-N电气连接，而该N条连接线41-1，41-2，…，41-N的每一条连接线亦分别以对应的金属走线延伸至该高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构200的同一侧边201，以进一步连接至一软性电路板600。每一第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M是分别以对应的金属走线延伸至该面板的同一侧边201，以进一步连接至一软性电路板600。
该高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构200的表面是用以接收至少一个触控点。其还包含有一控制电路610，其是经由该软性电路板600电性连接至该M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M及该N条第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N。
该M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M及该N条第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N是根据一手指或一外部对象触碰该高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构200的至少一触控点的位置而对应地产生一感应信号。一控制电路610是经由该软性电路板600电性连接至该M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M及该N条第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N，并依据感应信号计算该至少一触控点的坐标。
图8是本实用新型图4中A-A’处的剖面图。如图8所示，该第二导体区块线50-N与该连接线41-1在图4中的B椭圆处电气连接。如图2及图8所示，在该感应电极及走线层250及该感应电极层260之间设有该第一绝缘层320，该第二导体区块线50-N经由贯孔(via)52穿过该第一绝缘层320而与该连接线41-1电气连接，亦即，经由该连接线41-1，该第二导体区块线50-N可将其感测到的信号传输至该控制电路610。
于图5及图6的实施例中，该第三距离为该第一距离d1的该第三倍数h1的两倍(＝2h1×d1)，该第四距离为该第二距离d2的该第四倍数w1的两倍(2w1×d2)，该第五距离为该第一距离d1的该第五倍数h2的两倍(＝2h2×d1)，该第六距离为该第二距离d2的该第六倍数w2的两倍(2w2×d2)。而于其他实施例中，该第三距离只要大于或等于该第一距离d1的两倍、该第四距离只要大于或等于该第二距离d2的两倍、该第五距离只要大于或等于该第一距离d1的两倍、该第六距离只要大于或等于该第二距离d2的两倍即可。
图9是本实用新型第一导体区块线及第二导体区块线的又一示意图。如图9所示，该第三距离为该第一距离d1的两倍，该第四距离为该第二距离d2的三倍，该第五距离为该第一距离d1的两倍，该第六距离为该第二距离d2的三倍。此时，该第一导体区块400的中心位置与X1该第二导体区块500的中心位置X2在该第二方向(Y)上相差一第一距离(d1)，在该第一方向(X)上相差一第二距离(d2)。亦即，当该第一导体区块400的顶点P与像素区块2451的顶点O1对齐时，该第二导体区块500的顶点Q与该第一导体区块400的顶点P在该第二方向(Y)上相差一第一距离(d1)，在该第一方向(X)上相差一第二距离(d2)。当该第一导体区块400的顶点P与像素区块2451的顶点O1对齐时，该第二导体区块500的顶点Q与像素区块2452的顶点O2对齐。或是说，该第一导体区块400的中心点X1与像素区块2452的一点S1对齐，该第二导体区块500的中心点X2与像素区块2453的一点S2对齐。
由图5、图6及图9可知，于本实用新型中，该第一倍数h小于或等于该第三倍数h1或该第五倍数h2中较小者，该第二倍数w小于或等于该第四倍数w1或该第六倍数w2中较小者。其可用数学式表示：h≤min(h1，h2)，w≤min(w1，w2)，当中，h为该第一倍数，w为该第二倍数，h1为该第三倍数，w1为该第四倍数，h2为该第五倍数，w2为该第六倍数。
图10是本实用新型的一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构200的另一示意图。其与图4主要差别在于该N条连接线41-1，41-2，…，41-N的长度并非一致，而是逐渐减小。
图11是本实用新型第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M的示意图，如图11所示，该第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M是由在第二方向上的24列(row)的该第一导体区块400、及在第一方向上的2行(cloumn)的该第一导体区块400所构成的长方形。于其他实施例，该第一导体区块400的数目可依需要而改变。
线段L1及线段L2的宽度较佳与栅极驱动线241的宽度或源极驱动线243的宽度相同或稍小。该M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M、该N条连接线41-1，41-2，…，41-N、及该N条第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N的位置是依据与该薄膜晶体管层240的该多条栅极驱动线241及源极驱动线243的位置相对应而设置。而该多条遮光线条271主要目的是遮住栅极驱动线241及源极驱动线243。亦即，由该第一基板210往该第二基板220方向看过去，该M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M、该N条连接线41-1，41-2，…，41-N、及该N条第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N是设置在该多条遮光线条271的位置的下方，因此会被该多条遮光线条271遮住，使用者则看不到该M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M、该N条连接线41-1，41-2，…，41-N、及该N条第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N，因此并不影响透光率。
在感应电极及走线层250及该感应电极层260之间有一第一绝缘层320。该感应电极层260与该薄膜晶体管层240之间可设置第二绝缘层330。该彩色滤光层280位于该遮光层270的面向该显示层230一侧的表面上。在该彩色滤光层280与该显示层230之间有一第三绝缘层340。该第一偏光层300是位于该第一基板210的背向该显示层230一侧的表面。该第二偏光层310是位于该下基220板的背向该显示层230一侧的表面。
图12是本实用新型的一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构1200的另一叠层示意图，如图12所示，该高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构1200包括有第一基板210、一第二基板220、一薄膜晶体管层240、一感应电极及走线层250、一感应电极层260、一遮光层(blackmatrix)270、一彩色滤光层(color filter)280、一第一绝缘层320、一第二绝缘层330、一阴极层1210、一显示层1220、及一阳极层1230。该显示层1220于本实施例中较佳为一有机发光二极管层1290。其与图2主要差别在于使用有机发光二极管层1290替代液晶层，因此亦新增该阴极层1210及该阳极层1230。
本实施例是本实用新型是在薄膜晶体管层240的面向该显示层1220一侧设置感应电极及走线层250及感应电极层260，并在其上布植感应触控图型结构。在感应电极及走线层250设置的M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M及N条连接线41-1，41-2，…，41-N、及在感应电极层260设置的N条第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N的详细情形如第一实施例、及图3至图11所揭露，为熟于该技术者基于本发明第一实施例所揭露所能完成，故不再赘述。
该有机发光二极管层1290包含一电洞传输子层(hole transportinglayer，HTL)1221、一发光层(emitting layer)1223、及一电子传输子层(electron transporting layer，HTL)1225。
该薄膜晶体管层240位于该第二基板220面对于该有机发光二极管层1290一侧的表面，该薄膜晶体管层240具有多条栅极驱动线(图未示)、多条源极驱动线(图未示)、及多个像素驱动电路247，每一个像素驱动电路247是对应至一像素，依据一显示像素信号及一显示驱动信号，用以驱动对应的像素驱动电路247，进而执行显示操作。
依像素驱动电路247设计的不同，例如2T1C是由2薄膜晶体管与1储存电容设计而成像素驱动电路247，6T2C是由6薄膜晶体管与2储存电容设计而成像素驱动电路247。像素驱动电路247中最少有一薄膜晶体管的栅极2471连接至一条栅极驱动线(图未示)，依驱动电路设计的不同，控制电路中最少有一薄膜晶体管的漏极/源极2473连接至一条源极驱动线(图未示)，像素驱动电路247中最少有一薄膜晶体管的漏极/源极2475连接至该阳极层1230中的一个对应的阳极像素电极1231。
该阳极层1230位于该薄膜晶体管层240面向该有机发光二极管层1290的一侧。该阳极层1230具有多个阳极像素电极1231。该多个阳极像素电极1231的每一个阳极像素电极是与该薄膜晶体管层240的该像素驱动电路247的一个像素驱动晶体管对应，亦即该多个阳极像素电极的每一个阳极像素电极是与对应的该像素驱动电路247的该像素驱动晶体管的源极/漏极连接，以形成一特定颜色的像素电极，例如红色像素电极、绿色像素电极、或蓝色像素电极。
该阴极层1210位于该第一基板210面对该有机发光二极管层1290一侧的表面。同时，该阴极层1210位于该第一基板210与该有机发光二极管层1290之间。该阴极层1210是由金属导电材料所形成。较佳地，该阴极层1210是由厚度小于50奈米(nm)的金属材料所形成，该金属材料是选自下列群组其中之一：铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、钙(Ca)、钾(K)、锂(Li)、铟(In)，上述材料的合金或使用氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氧化锂(LiO)与Al组合而成。由于该阴极层1210的厚度小于50nm，因此有机发光二极管层1290所产生的光仍可穿透阴极层1210，以于第一基板210上显示影像。该阴极层1210是整片电气连接着，因此可作为屏蔽(shielding)的用。同时，该阴极层1210亦接收由阳极像素电极1231来的电流。
图13是本实用新型的一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构1300的又一叠层示意图，如图13所示，其与图2主要差别在于该感应电极及走线层250及该感应电极层260的位置互换。亦即，一感应电极及走线层250(图2的感应电极及走线层250)位于该薄膜晶体管层240的面向该显示层230一侧的表面上，并具有沿着一第一方向(X)排列的M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M及N条连接线41-1，41-2，…，41-N，其依据一触控驱动信号而感应是否有一外部对象接近，其中，M、N为正整数。该M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M的每一条第一导体区块线是由多个第一导体区块400所组成。其中，该M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M及该N条连接线41-1，41-2，…，41-N是由金属导电材料所制成。一感应电极层260(图2的感应电极层260)位于该感应电极及走线层250(图2的感应电极及走线层250)的面向该显示层230一侧，亦即该感应电极层260是介于该感应电极及走线层250与该显示层230之间，或是说该感应电极及走线层250是介于该感应电极层260与该薄膜晶体管层240之间。该感应电极层260具有沿着一第二方向(Y)排列的N条第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N，其执行触控感应时，接受该触控驱动信号，每一第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N以一对应的第i条连接线41-1，41-2，…，41-N延伸至该高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构的一侧边201，i为正整数且1≤i≤N。该N条第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N的每一条第二导体区块线是由多个第二导体区块500所组成。该多个第一导体区块400、该N条连接线41-1，41-2，…，41-N、及该多个第二导体区块500的位置是依据与该薄膜晶体管层240的K条栅极驱动线及该L条源极驱动线的位置相对应而设置，且该第一导体区块400与该第二导体区块500叠置时，是以差排方式(dislocation)叠置。
已知氧化铟锡材质(ITO)所做的电极点其平均透光率仅约为90％，而本实用新型的该M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M、该N条连接线41-1，41-2，…，41-N、及该N条第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N是设置在K条栅极驱动线及该L条源极驱动线的位置的上方，因此并不影响透光率，故本实用新型的平均透光率远较已知技术为佳。当本实用新型的窄边框的触控面板结构与液晶显示面板结合时，可使液晶显示面板的亮度较已知技术更亮。或是在相同的亮度下，减低液晶显示面板的背光能量消耗。
由前述说明可知，图1已知技术的设计将增加触控面板边框的宽度，并不适合窄边框设计的趋势。同时，当采用氧化铟锡材质当作跨桥结构以连接两个氧化铟锡材质的电极点时，由于氧化铟锡材质不像金属具有良好的延展性，容易在跨桥处产生断点或是电气信号不良等现象。若使用金属当作跨桥结构以连接两个氧化铟锡材质的电极点时，由于金属与氧化铟锡为异质材质，容易在跨桥处产生电气信号不良现象，而影响侦测触碰点的正确性。
而本实用新型不论是M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M及N条第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N或是走线均为金属材质，可较已知技术有较佳的传导性，而容易将导体线的感应信号传输至该控制电路，而使该控制电路计算出的坐标更准确。较已知技术有较佳的透光率，且可避免使用昂贵的氧化铟锡材质，据此降低成本。且较已知技术更适合设计在窄边框的触控面板，同时使用金属做为触控感应电极具有高延展性，适用于软性显示器。
同时，本实用新型通过将该第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M与该第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N以差排方式(dislocation)叠置，可增加该第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M与该第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N之间的感应电容。故控制电路的内部驱动器(图未示)可以使用较小的电压，以驱动第一导体区块线，而获得与已知技术相同的感应电容变化量，可较已知技术节省电力消耗。因此，本实用新型尤其适合手持式装置。同时，由于该第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M与该第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N之间的感应电容变化量变大，控制电路的传感器(图未示)更能准确地侦测该第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N上的电压，相较已知技术更可提升触碰的准确度。
上述实施例仅是为了方便说明而举例而已，本实用新型所主张的权利范围自应以权利要求范围所述为准，而非仅限于上述实施例。
Claims (17)
1.一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，其特征在于，包括：
一第一基板；
一第二基板，该第一基板及该第二基板以平行成对的配置将一显示层夹置于二基板之间；
一薄膜晶体管层，位于该第二基板的面向该显示层一侧的表面，该薄膜晶体管层具有K条栅极驱动线及L条源极驱动线，该K条栅极驱动线及L条源极驱动线设置于一第一方向及一第二方向，以形成多个像素区块，每一个像素区块具有对应的一像素晶体管及一像素电容，依据一显示像素信号及一显示驱动信号，以驱动对应的该像素晶体管及该像素电容，进而执行显示操作，其中，K、L为正整数；
一感应电极及走线层，位于该薄膜晶体管层的面向该显示层的一侧，并具有沿着一第一方向排列的M条第一导体区块线及N条连接线，其依据一触控驱动信号而感应是否有一外部对象接近，其中，M、N为正整数，该M条第一导体区块线的每一条第一导体区块线是由多个第一导体区块所组成；以及
一感应电极层，位于该薄膜晶体管层的面向该显示层的一侧，该感应电极层介于该感应电极及走线层及该薄膜晶体管层之间，其具有沿着一第二方向排列的N条第二导体区块线，其执行触控感应时，接受该触控驱动信号，每一第二导体区块线以一对应的第i条连接线延伸至该高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构的一侧边，i为正整数且1≤i≤N，该N条第二导体区块线的每一条第二导体区块线由多个第二导体区块所组成；
其中，该多个第一导体区块、该N条连接线、及该多个第二导体区块的位置依据与该薄膜晶体管层的K条栅极驱动线及该L条源极驱动线的位置相对应而设置。
2.如权利要求1所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，其特征在于，其中，该第一导体区块与该第二导体区块叠置时，是以差排方式叠置。
3.如权利要求2所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，其特征在于，其中，该多个像素区块的每一像素区块的长度与宽度分别为一第一距离及一第二距离。
4.如权利要求3所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，其特征在于，其中，该第一导体区块与该第二导体区块以差排方式叠置时，该第一导体区块的中心位置与该第二导体区块的中心位置在该第二方向上相差该第一距离的一第一倍数，在该第一方向上相差该第二距离的一第二倍数，其中，该第一倍数及该第二倍数为正整数。
5.如权利要求4所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，其特征在于，其中，该多个第一导体区块的每一第一导体区块的长度与宽度分别为一第三距离及一第四距离，该多个第二导体区块的每一第二导体区块的长度与宽度分别为一第五距离及一第六距离，当中，该第三距离为该第一距离的一第三倍数的两倍，该第四距离为该第二距离的一第四倍数的两倍，该第五距离为该第一距离的一第五倍数的两倍，该第六距离为该第二距离的一第六倍数的两倍，其中，该第三倍数、该第四倍数、该第五倍数、及该第六倍数为正整数。
6.如权利要求5所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，其特征在于，其中，该第一倍数小于或等于该第三倍数或该第五倍数中较小者，该第二倍数小于或等于该第四倍数或该第六倍数中较小者，h≤min(h1，h2)，w≤min(w1，w2)，当中，h为该第一倍数，w为该第二倍数，h1为该第三倍数，w1为该第四倍数，h2为该第五倍数，w2为该第六倍数。
7.如权利要求1所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，其特征在于，其中，每一第一导体区块线是分别以对应的金属走线延伸至该第一基板的同一侧边，以进一步连接至一软性电路板。
8.如权利要求7所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，其特征在于，其中，该N条连接线、多个第一导体区块、及多个第二导体区块是由金属导电材料所制成。
9.如权利要求8所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，其特征在于，其中，该M条第一导体区块线的每一条第一导体区块线的多个第一导体区块是形成一个四边型区域，且电气连接在一起，该M条第一导体区块线的每一条第一导体区块线之间并未连接，该N条第二导体区块线的每一条第二导体区块线的多个第二导体区块是形成一个四边型区域，且电气连接在一起，该N条第二导体区块线的每一条第二导体区块线之间并未连接。
10.如权利要求1所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，其特征在于，其中，该第一方向垂直第二方向。
11.如权利要求1所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，其特征在于，其中，该N条连接线的每一条连接线排列于两条第一导体区块线之间。
12.如权利要求9所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，其特征在于，其中，该第一导体区块及该第二导体区块所形成的该四边型区域为下列形状其中之一：长方形、正方形。
13.如权利要求1所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，其特征在于，其还包含：
一遮光层，位于该第一基板的面向该显示层的一侧的表面，该遮光层由多条遮光线条所构成，该多条遮光线条设置于该第一方向及该第二方向，以形成多个遮光区块；
一彩色滤光层，位于该遮光层的面向该显示层一侧的表面上；
一第一偏光层，位于该第一基板的背向该显示层一侧的表面；以及
一第二偏光层，位于该第二基板的背向该显示层一侧的表面。
14.如权利要求1所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，其特征在于，其中，该显示层为一液晶层。
15.如权利要求1所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，其特征在于，其中，该显示层为一有机发光二极管层。
16.一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，其特征在于，包括：
一第一基板；
一第二基板，该第一基板及该第二基板以平行成对的配置将一显示层夹置于二基板之间；
一薄膜晶体管层，位于该第二基板的面向该显示层一侧的表面，该薄膜晶体管层具有K条栅极驱动线及L条源极驱动线，该K条栅极驱动线及L条源极驱动线设置于一第一方向及一第二方向，以形成多个像素区块，每一个像素区块具有对应的一像素晶体管及一像素电容，依据一显示像素信号及一显示驱动信号，以驱动对应的该像素晶体管及该像素电容，进而执行显示操作，其中，K、L为正整数；
一感应电极层，位于该薄膜晶体管层的面向该显示层的一侧，并具有沿着一第二方向排列的N条第二导体区块线，其执行触控感应时，接受一触控驱动信号；以及
一感应电极及走线层，位于该感应电极层的面向该显示层的一侧，并具有沿着一第一方向排列的M条第一导体区块线及N条连接线，其依据一触控驱动信号而感应是否有一外部对象接近，其中，M、N为正整数，该M条第一导体区块线的每一条第一导体区块线由多个第一导体区块所组成；
其中，该多个第一导体区块、该N条连接线、及该多个第二导体区块的位置依据与该薄膜晶体管层的K条栅极驱动线及该L条源极驱动线的位置相对应而设置，且该第一导体区块与该第二导体区块叠置时，以差排方式叠置。
17.如权利要求16所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构，其特征在于，其中，该第一方向垂直第二方向。
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