CN106933416A - 一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，通过在的栅极和栅线所在膜层设置导线，其中导线与栅极和栅线电性绝缘，且与触控走线并联连接，以在触控走线上并联导线的方式降低信号传输过程中的电阻，降低不同公共电极块在接收信号时产生的延迟，从而提升触摸屏的触控和显示效果；同时，通过将像素电极与漏极在不通过过孔的情况下直接电性连接，无需通过掩膜版的构图工艺来进行孔刻，减少一次掩膜版构图工艺，从而，能够简化阵列基板的制作过程，降低工艺流程复杂程度，减少掩膜版使用数量，生产成本低。

Description

一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置

【技术领域】

本发明涉及触控技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置。

【背景技术】

随着触控技术领域的发展，具有触控功能的显示面板已经越来越成为主流显示产品。现有的显示面板和触控面板的集成方式一般分为in-cell(内嵌式)和on-cell(盒外式)两种方式，in-cell触摸屏相较于on-cell触摸屏来说更为轻薄。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：

随着触摸屏的尺寸日益增大，阵列基板上触控金属层的触控走线电阻也变得很大，不同公共电极块在接收信号时会产生不同程度的延迟，从而影响触摸屏的触控和显示效果。

【发明内容】

有鉴于此，本发明实施例提供了一种，用以解决现有技术的问题。

一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板,位于所述衬底基板上的栅极和栅线，位于所述栅极和栅线所在膜层上的有源层，位于所述有源层上的漏极、源极和数据线，位于所述漏极、源极和数据线所在膜层上方的公共电极层，所述公共电极层包括多个以阵列方式设置的公共电极块，所述公共电极块复用为触控电极；

所述阵列基板还包括：

触控走线，位于所述漏极、源极和数据线所在膜层；所述触控走线与所述漏极、源极和数据线电性绝缘，且通过第一过孔与所述公共电极层的公共电极块电性连接；

导线，位于所述栅极和栅线所在膜层；所述导线与所述栅极和栅线电性绝缘，且与所述触控走线并联连接。

具体地，所述阵列基板还包括：

第二绝缘层，位于所述公共电极层所在膜层和所述漏极、源极、数据线和触控走线所在膜层之间；所述第二绝缘层上设有所述第一过孔。

具体地，所述阵列基板还包括：

第一绝缘层，位于所述栅极和栅线所在膜层和所述有源层所在膜层之间；所述第一绝缘层上设有第二过孔，所述导线通过所述第二过孔与所述触控走线并联连接。

具体地，所述阵列基板还包括：贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第三过孔。

具体地，所述导线包括第一导线和第二导线，所述第一导线通过所述第二过孔与所述触控走线电性连接，所述第二导线通过所述第三过孔与所述公共电极层的公共电极块电性连接。

具体地，所述第一导线在所述衬底基板上的正投影位于所述触控走线在所述衬底基板上的正投影内；所述第二导线在所述衬底基板上的正投影平行于所述栅线在所述衬底基板上的正投影。

具体地，还包括：

位于所述栅极和栅线所在膜层上的像素电极，所述像素电极与所述漏极电性连接。

另一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：上述的阵列基板。

另一方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括：上述的显示面板。

另一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成栅极、栅线和导线；

在所述栅极和栅线所在膜层上形成有源层；

在所述有源层上形成漏极、源极、数据线和触控走线，所述触控走线与所述漏极、源极和数据线电性绝缘；

在所述漏极、源极和数据线所在膜层上形成公共电极层，所述公共电极层包括多个以阵列方式设置的公共电极块，所述公共电极块复用为触控电极，所述公共电极块通过第一过孔与所述触控走线电性连接；

其中，所述导线与所述栅极和栅线电性绝缘，且与所述触控走线并联连接。

具体地，所述方法还包括：

在所述公共电极层所在膜层和所述漏极、源极、数据线和触控走线所在膜层之间形成第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层上设有所述第一过孔。

具体地，所述方法还包括：

在所述栅极和栅线所在膜层和所述有源层所在膜层之间形成第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层上设有第二过孔，所述导线通过所述第二过孔与所述触控走线并联连接。

具体地，所述方法还包括：

形成贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第三过孔。

具体地，所述导线包括第一导线和第二导线，所述第一导线通过所述第二过孔与所述触控走线电性连接，所述第二导线通过所述第三过孔与所述公共电极层的公共电极块电性连接。

具体地，所述第一导线在所述衬底基板上的正投影位于所述触控走线在所述衬底基板上的正投影内；所述第二导线在所述衬底基板上的正投影平行于所述栅线在所述衬底基板上的正投影。

具体地，所述方法还包括：

在所述栅极和栅线所在膜层上形成像素电极，其中，所述像素电极与所述漏极电性连接。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果：

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，通过在栅极和栅线所在膜层设置导线，其中导线与栅极和栅线电性绝缘，且与触控走线并联连接，以在触控走线上并联导线的方式降低信号传输过程中的电阻，降低不同公共电极块在接收信号时产生的延迟，从而提升触摸屏的触控和显示效果。

【附图说明】

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本发明实施例所提供的一种阵列基板上像素单元的结构示意图；

图2为图1中AA’向的剖面结构示意图；

图3为本发明实施例所提供的一种阵列基板上像素单元的部分结构示意图；

图4为本发明实施例所提供的另一种阵列基板上像素单元的结构示意图；

图5为图1中BB’向的剖面结构示意图；

图6为本发明实施例所提供的另一种阵列基板上像素单元的部分结构示意图；

图7为本发明实施例所提供的一种阵列基板的制备方法的步骤示意图；

图8为本发明实施例所提供的一种显示面板的结构示意图；

图9为本发明实施例所提供的一种显示装置的结构示意图。

【具体实施方式】

为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。

应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

应当理解，尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述过孔，但这些过孔限于这些术语。这些术语仅用来将过孔区分开。例如，在不脱离本发明实施例范围的情况下，第一过孔也可以被称为第二过孔，类似地，第二过孔也可以被称为第一过孔。

如图1、图2和图3所示，图1为本发明实施例所提供的一种阵列基板上像素单元的结构示意图、图2为图1中AA’向的剖面结构示意图、图3为本发明实施例所提供的一种阵列基板上像素单元的部分结构示意图，可以理解的是，为了防止阵列基板的其他层结构被遮挡，图3中的最上层的公共电极层并未在图上体现出来，其结构可以参考图1中的相关结构。本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板1,位于衬底基板1上的栅极21和栅线22，位于栅极21和栅线22所在膜层上的有源层3，位于栅极21和栅线22所在膜层上的像素电极4，位于有源层3上的漏极51、源极52和数据线53，位于漏极51、源极52和数据线53所在膜层上方的公共电极层6，公共电极层6包括多个以阵列方式设置的公共电极块，公共电极块复用为触控电极；阵列基板还包括：触控走线54，位于漏极51、源极52和数据线53所在膜层；触控走线54与漏极51、源极52和数据线53电性绝缘，且通过第一过孔71与公共电极层6的公共电极块电性连接；第一导线23，位于栅极21和栅线22所在膜层；第一导线23与栅极21和栅线22电性绝缘，且与触控走线54并联连接。其中，阵列基板包括由多行栅线22和多列数据线53交叉限定的多个子像素单元，在每个子像素单元中，源极52和漏极51分别位于有源层3的两侧，栅极21与有源层3的沟道区域相对设置，源极52、漏极51、有源层3和栅极21形成阵列基板中的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。

需要说明的是，触控走线所并联的导线数量越多，信号传输过程中的电阻会越小，不同公共电极块在接收信号时产生的延迟也会越小，但是导线数量过多的话会势必占用大量阵列基板的空间，导致开口率降低，进而会影响屏幕的显示效果，所以选择合适数量的导线，以及在阵列基板合适的位置处进行布设，可以在不影响开口率的前提下，降低信号传输过程中的电阻。

如图1-图3给出了一种触控走线并联导线的方式，具体地，为了说明第一导线的设置，在图3中，省略了位于第一导线上触控走线。上述导线为第一导线23，第一导线23在衬底基板上1的正投影位于触控走线54在衬底基板1上的正投影内，虽然第一导线23和触控走线54位于不同膜层，但第一导线23在衬底基板1上的正投影位于触控走线54在衬底基板1上的正投影内，所以此时第一导线23对显示透过率的影响基本可以忽略不计。在本发明的其他实施例中，还可以是第一导线在衬底基板上的正投影与触控走线在衬底基板上的正投影完全重叠。上述阵列基板还包括：第一绝缘层7，位于栅极21和栅线22所在膜层和所述有源层3所在膜层之间；第一绝缘层7上设有第二过孔71，第一导线23通过第二过孔71与触控走线54并联连接。第一导线23和触控走线54需要电性连接，故在第一绝缘层7需要设置第二过孔71来连接第一导线23和触控走线54，第一绝缘层7需要通过一次掩膜版的构图工艺来进行孔刻以形成第二过孔71。在每个由栅线22和数据线53交叉围成的像素单元内，第一导线23都是独立的金属导线段，通过多个第二过孔71，多个第一导线23和触控走线53实现并联。

如图1-图3所示，上述阵列基板还包括：第二绝缘层8，位于公共电极层6所在膜层和漏极51、源极52、数据线53和触控走线54所在膜层之间；第二绝缘层8上设有第一过孔81。触控走线54需要连接公共电极层6的公共电极块，故在第二绝缘层8上设置第一过孔81，第二绝缘层8需要通过一次掩膜版的构图工艺来进行孔刻以形成第一过孔81。

可选地，如图1-图3所示，上述阵列基板还包括：位于栅极和栅线所在膜层上的像素电极4，像素电极4与漏极51电性连接。其中，漏极51与像素电极4直接电性连接，像素电极4位于栅极21和栅线22所在膜层的上方，像素电极4与漏极之51间通过搭接方式直接电性连接，而无需通过另设过孔的方式以导线连接，能够简化阵列基板的制作过程，降低工艺流程复杂程度。

如图4、图5和图6所示，图4为本发明实施例所提供的另一种阵列基板上像素单元的结构示意图、图5为图1中BB’向的剖面结构示意图、图6为本发明实施例所提供的另一种阵列基板上像素单元的部分结构示意图，可以理解的是，为了防止阵列基板的其他层结构被遮挡，图4和图6中的最上层的公共电极层并未在图上体现出来，其结构可参看图1中所示。本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板1,位于衬底基板1上的栅极21和栅线22，位于栅极21和栅线22所在膜层上的有源层3，位于有源层3上的漏极51、源极52和数据线53，位于漏极51、源极52和数据线53所在膜层上方的公共电极层6，公共电极层6包括多个以阵列方式设置的公共电极块，公共电极块复用为触控电极；阵列基板还包括：触控走线54，位于漏极51、源极52和数据线53所在膜层；触控走线54与漏极51、源极52和数据线53电性绝缘，且通过第一过孔81与公共电极层6的公共电极块电性连接；第二导线23，位于栅极21和栅线22所在膜层；第二导线24与栅极21和栅线22电性绝缘，且与触控走线54并联连接。其中，阵列基板包括由多行栅线22和多列数据线53交叉限定的多个子像素单元，在每个子像素单元中，源极52和漏极51分别位于有源层3的两侧，栅极21与有源层3的沟道区域相对设置，源极52、漏极51、有源层3和栅极21形成阵列基板中的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)。

图4-图6给出了另一种触控走线并联导线的方式，上述导线为第二导线24，第二导线24通过第三过孔与公共电极层的公共电极块电性连接，因为触控走线也与公共电极层的公共电极块电性连接，故第二导线和触控走线之间形成并联连接。其中，第二导线在衬底基板上的正投影平行于栅线在衬底基板上的正投影，可以在阵列基板的对置基板上形成同时覆盖栅极和第二导线的遮光结构，将第二导线对显示透过率的影响降至最小。

如图4-图6所示，上述阵列基板还包括：第一绝缘层7，位于栅极21和栅线22所在膜层和所述有源层3所在膜层之间；因为此时第一绝缘层7无需设置过孔，所以不需要通过一次掩膜版的构图工艺来进行孔刻。

如图1-图3所示，上述阵列基板还包括：第二绝缘层8，位于公共电极层6所在膜层和漏极51、源极52、数据线53和触控走线54所在膜层之间；第二绝缘层8上设有第一过孔81。触控走线54需要连接公共电极层6的公共电极块，故在第二绝缘层8上设置第一过孔81，第二绝缘层8需要通过一次掩膜版的构图工艺来进行孔刻以形成第一过孔81。同时，阵列基板还包括贯穿第一绝缘层7和第二绝缘层8的第三过孔82，第二导线24通过第三过孔80与公共电极层6的公共电极块电性连接，第三过孔82在形成时，从第二绝缘层8开始刻蚀直到第一绝缘层9的金属导线层停止，所以第三过孔82和第一过孔81的形成过程使用同一道掩膜版工艺即可，从而，能够简化阵列基板的制作过程，降低工艺流程复杂程度，减少掩膜版使用数量，生产成本低。需要说明的是，在本发明的其他实施例中，也可以是通过仅贯穿第一绝缘层7的第二过孔实现第二导线24和触控走线54的电性连接。在本实施例中，相邻的两条触控走线54通过第二导线24和公共电极6实现电连接，相比仅采用一条触控走线，采用两条触控走线，可以进一步降低信号传递电阻，有利于提高触摸检测灵敏度。

可选地，如图1-图3所示，上述阵列基板还包括：位于栅极和栅线所在膜层上的像素电极4，像素电极4与漏极51电性连接。其中，漏极51与像素电极4直接电性连接，像素电极4位于栅极21和栅线22所在膜层的上方，像素电极4与漏极之51间通过搭接方式直接电性连接，而无需通过另设过孔的方式以导线连接，能够简化阵列基板的制作过程，降低工艺流程复杂程度。

需要说明的是，上述实施例中的触控走线54与数据线53相邻设置且相互平行，同时二者位于同一膜层，简化了制作阵列基板工艺的复杂度。并且由于两者平行设置，可以在阵列基板的对置基板上形成同时覆盖数据线和触控走线的遮光结构，将触控走线对显示透过率的影响降至最小。

需要说明的是，上述实施例仅是示意性说明，在实际实施过程中，在一个阵列基板中，可以包括呈m*n的矩阵排列的块状公共电极，其中m>2，n>2，且m、n均为自然数，且该块状公共电极优选为矩形。每个块状公共电极可以对应覆盖i*j个子像素区域，其中i>2，j>2，且i、j均为自然数。由于在显示阶段，每个公共电极需要和像素电极之间形成电场，因此，每个公共电极需要覆盖各个子像素的开口区域，即，相邻两个公共电极之间形成的狭缝，在垂直于阵列基板所在平面的方向上，与扫描线或者数据线重叠。每个公共电极块通过一条或者多条触控走线连接到驱动芯片，在显示阶段，驱动芯片向每个公共电极输入公共电极信号，以此和各个像素电极之间形成电场。在触控阶段，驱动芯片向各个公共电极同时或者分时输入触控信号，通过检测每个公共电极，也即触控电极上的自电容变化，来检测触控位置。由于各个公共电极呈矩阵排列，且每个公共电极分别通过对应的触控走线连接到驱动芯片，可以同时检测各个公共电极上的自电容变化，以此实现多点触控检测。

需要说明的是，第一绝缘层和/或第二绝缘层的材料为氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)中的任意一种。

上述实施例提供的阵列基板，通过在栅极和栅线所在膜层设置导线，导线与栅极和栅线电性绝缘，且与触控走线并联连接，以在触控走线上并联导线的方式降低信号传输过程中的电阻，降低不同公共电极块在接收信号时产生的延迟，从而提升触摸屏的触控和显示效果；同时，通过将像素电极与漏极在不通过过孔的情况下直接电性连接，无需通过掩膜版的构图工艺来进行孔刻，减少一次掩膜版构图工艺，从而，能够简化阵列基板的制作过程，降低工艺流程复杂程度，减少掩膜版使用数量，生产成本低。

另一方面，如图7所示，基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

步骤710、在衬底基板上形成栅极、栅线和导线。

需要说明的是，在栅极和栅线所在膜层和有源层所在膜层之间形成第一绝缘层，其中，第一绝缘层上设有第二过孔，导线通过所述第二过孔与触控走线并联连接。

步骤720、在栅极和栅线所在膜层上形成有源层。

步骤730、在有源层上形成漏极、源极、数据线和触控走线，触控走线与漏极、源极和数据线电性绝缘。

在公共电极层所在膜层和漏极、源极、数据线和触控走线所在膜层之间形成第二绝缘层，其中，第二绝缘层上设有所述第一过孔，还设有贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第三过孔。

步骤740、在漏极、源极和数据线所在膜层上形成公共电极层，公共电极层包括多个以阵列方式设置的公共电极块，公共电极块复用为触控电极，公共电极块通过第一过孔与所述触控走线电性连接。

另外，在栅极和栅线所在膜层上形成像素电极，像素电极与漏极直接电性连接。

需要说明的是，导线与栅极和栅线电性绝缘，且与触控走线并联连接，导线包括第一导线和第二导线，第一导线通过第二过孔与所述触控走线电性连接，第二导线通过所述第三过孔与所述公共电极层的公共电极块电性连接。其中，第一导线在衬底基板上的正投影位于触控走线在衬底基板上的正投影内；第二导线在衬底基板上的正投影平行于栅线在衬底基板上的正投影。

在基于上述阵列基板的制备方法的基础上，下面对阵列基板的制备方法进行详细说明。上述制备方法的详细步骤具体如下：

步骤1、在衬底基板上形成栅极、栅线和导线。

具体地，步骤1通过第一次掩膜版构图工艺在衬底基板上形成栅极、栅线和导线。其中，通过第一道掩膜版构图工艺，在衬底基板上形成栅极、栅线和导线，栅极和栅线电性连接。形成栅极、栅线和导线的工艺可以是先在衬底基板上沉积一层金属材料层，金属材料层的沉积方法可以是溅射等方法，可以和现有技术中沉积金属层的方法相同，在此不再赘述。然后在金属材料层上涂覆光刻胶，采用第一道掩膜版对光刻胶进行曝光。在曝光结束后，进行显影过程，显影过程中，曝光部分的光刻胶被洗去，未曝光部分的光刻胶仍旧保留在金属材料层上方。显影后对暴露出的金属材料层进行湿法刻蚀，未被刻蚀的部分即为被光刻胶保护的部分，该部分图案为栅极、栅线和导线。最后进行光刻胶剥离，栅极、栅线和导线的构图过程即结束。

可选地，导线包括第一导线和第二导线，第一导线通过第二过孔与触控走线电性连接，第二导线通过第三过孔与公共电极层的公共电极块电性连接。第一导线在衬底基板上的正投影位于触控走线在衬底基板上的正投影内；第二导线在衬底基板上的正投影平行于栅线在衬底基板上的正投影。在实际生产过程中，可根据设计需求，选择将第一导线和第二导线可以同时设置于衬底基板上，或者二者选其一设置于衬底基板上。

步骤2、在栅极和栅线所在膜层上覆盖第一绝缘层，并在第一绝缘层上形成第二过孔。

具体地，步骤2通过第二次掩膜版构图工艺在第一绝缘层进行孔刻蚀，以形成第二过孔，第二过孔位于触控走线和第一导线之间，第一绝缘层位于栅极和栅线所在膜层和有源层所在膜层之间，保证栅极和源漏极之间电性绝缘。其中，第一绝缘层的形成也需要经过涂覆半导体材料层，如图光刻胶，光刻胶曝光显影，刻蚀，剥离光刻胶等过程。与形成栅极、栅线和导线所在膜层不同的是，半导体材料层的刻蚀一般采用干法刻蚀。其刻蚀工艺和刻蚀用材料和现有技术相同，在此不再赘述。相应地，若导线不包括第一导线，则此步骤2在覆盖完第一绝缘层后，无需通过第二次掩膜版构图工艺在第一绝缘层进行孔刻蚀。

步骤3、在栅极和栅线所在膜层上形成有源层。

具体地，步骤3通过第三次掩膜版构图工艺在栅极和栅线所在膜层上形成有源层，有源层即半导体层，其位于栅极和栅线所在膜层上，同时亦位于第一绝缘层上，有源层基于对应栅极电压的大小选择导通或者断开源漏极。其中，有源层的形成方法和第一绝缘层的形成方法相同，在此不再赘述。

步骤4、在栅极和栅线所在膜层上形成像素电极。

具体地，步骤4通过第四次掩膜版构图工艺在栅极和栅线所在膜层上形成像素电极，像素电极位于第一绝缘层上。其中，通过第四道掩膜版构图工艺，在在栅极和栅线所在膜层上形成像素电极。像素电极和有源层均位于第一绝缘的上方，像素电极的形成过程和栅极和栅线所在膜层的形成过程类似，在此不再赘述。

步骤5、在有源层上形成漏极、源极、数据线和触控走线，触控走线与漏极、源极和数据线电性绝缘。

具体地，步骤5通过第五次掩膜版构图工艺，在有源层和像素电极上形成漏极、源极、数据线和触控走线，触控走线与数据线相邻设置，且触控走线与数据线平行，漏极、源极、数据线和触控走线同层设置，可以减少一次掩膜版使用次数；漏极与像素电极之间通过搭接方式直接电性连接，从而又减少了一次掩膜版使用次数。漏极、源极、数据线和触控走线的形成过程和栅极和栅线所在膜层的形成过程类似，在此不再赘述。

步骤6、形成覆盖漏极、源极、数据线和触控走线的第二绝缘层，并在第二绝缘层上形成第一过孔和第三过孔。

具体地，步骤6通过第六次掩膜版构图工艺在第二绝缘层上进行孔刻蚀，以形成第一过孔和第三过孔，其中第三过孔贯穿第一绝缘层和第二绝缘层。触控走线通过第一过孔与公共电极层的公共电极块电性连接，第二导线通过第三过孔与公共电极层的公共电极块电性连接，第三过孔的刻蚀过程中，从第二绝缘层开始刻蚀直到第一绝缘层的金属导线层停止，所以第三过孔和第一过孔的形成过程使用同一道掩膜版工艺即可，从而，能够简化阵列基板的制作过程。第二绝缘层的形成方法和第一绝缘层的形成方法相同，在此不再赘述。相应地，若导线不包括第二导线，则此步骤6在覆盖完第一绝缘层后，只需在第二绝缘层形成第一过孔即可。

步骤7、在漏极、源极和数据线所在膜层上形成公共电极层，公共电极层包括多个以阵列方式设置的公共电极块，公共电极块复用为触控电极，公共电极块通过第一过孔与触控走线电性连接。

具体地，步骤7通过第七次掩膜版构图工艺在漏极、源极和数据线所在膜层上形成公共电极层。

综上，在本发明实施例中阵列基板的制备方法中，只需使用6-7次掩膜版构图工艺，和现有技术制备方法中需要8-10次掩膜版构图工艺相比，减少了掩膜版使用数量，简化了阵列基板的制作过程，降低了工艺流程复杂程度。

如图8所示，本发明实施例还提供一种显示面板，包括上述的阵列基板810、彩膜基板820和液晶层830。

其中，阵列基板810的具体结构和原理与上述实施例相同，在此不再赘述。

本发明实施例提供的显示面板，通过在阵列基板的栅极和栅线所在膜层设置导线，导线与栅极和栅线电性绝缘，且与触控走线并联连接，以在触控走线上并联导线的方式降低信号传输过程中的电阻，降低不同公共电极块在接收信号时产生的延迟，从而提升触摸屏的触控和显示效果；同时，通过将阵列基板的像素电极与漏极在不通过过孔的情况下直接电性连接，无需通过掩膜版的构图工艺来进行孔刻，减少一次掩膜版构图工艺，从而，能够简化阵列基板的制作过程，降低工艺流程复杂程度，减少掩膜版使用数量，生产成本低。

如图9所示，本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示面板900。

其中，显示面板900的具体结构和原理与上述实施例相同，在此不再赘述。显示装置可以是例如触摸显示屏、手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有液晶显示功能的电子设备。

本发明实施例提供的显示装置，通过在阵列基板的栅极和栅线所在膜层设置导线，导线与栅极和栅线电性绝缘，且与触控走线并联连接，以在触控走线上并联导线的方式降低信号传输过程中的电阻，降低不同公共电极块在接收信号时产生的延迟，从而提升触摸屏的触控和显示效果；同时，通过将阵列基板的像素电极与漏极在不通过过孔的情况下直接电性连接，无需通过掩膜版的构图工艺来进行孔刻，减少一次掩膜版构图工艺，从而，能够简化阵列基板的制作过程，降低工艺流程复杂程度，减少掩膜版使用数量，生产成本低。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。

Claims (16)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板,位于所述衬底基板上的栅极和栅线，位于所述栅极和栅线所在膜层上的有源层，位于所述有源层上的漏极、源极和数据线，位于所述漏极、源极和数据线所在膜层上方的公共电极层，所述公共电极层包括多个以阵列方式设置的公共电极块，所述公共电极块复用为触控电极；

所述阵列基板还包括：

触控走线，位于所述漏极、源极和数据线所在膜层；所述触控走线与所述漏极、源极和数据线电性绝缘，且通过第一过孔与所述公共电极层的公共电极块电性连接；

导线，位于所述栅极和栅线所在膜层；所述导线与所述栅极和栅线电性绝缘，且与所述触控走线并联连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

第二绝缘层，位于所述公共电极层所在膜层和所述漏极、源极、数据线和触控走线所在膜层之间；所述第二绝缘层上设有所述第一过孔。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

第一绝缘层，位于所述栅极和栅线所在膜层和所述有源层所在膜层之间；所述第一绝缘层上设有第二过孔，所述导线通过所述第二过孔与所述触控走线并联连接。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第三过孔。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述导线包括第一导线和第二导线，所述第一导线通过所述第二过孔与所述触控走线电性连接，所述第二导线通过所述第三过孔与所述公共电极层的公共电极块电性连接。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导线在所述衬底基板上的正投影位于所述触控走线在所述衬底基板上的正投影内；所述第二导线在所述衬底基板上的正投影平行于所述栅线在所述衬底基板上的正投影。

7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

位于所述栅极和栅线所在膜层上的像素电极，所述像素电极与所述漏极电性连接。

8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～7任一项所述的阵列基板。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的显示面板。

10.一种如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成栅极、栅线和导线；

在所述栅极和栅线所在膜层上形成有源层；

在所述有源层上形成漏极、源极、数据线和触控走线，所述触控走线与所述漏极、源极和数据线电性绝缘；

在所述漏极、源极和数据线所在膜层上形成公共电极层，所述公共电极层包括多个以阵列方式设置的公共电极块，所述公共电极块复用为触控电极，所述公共电极块通过第一过孔与所述触控走线电性连接；

其中，所述导线与所述栅极和栅线电性绝缘，且与所述触控走线并联连接。

11.如权利要求10所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述公共电极层所在膜层和所述漏极、源极、数据线和触控走线所在膜层之间形成第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层上设有所述第一过孔。

12.如权利要求11所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述栅极和栅线所在膜层和所述有源层所在膜层之间形成第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层上设有第二过孔，所述导线通过所述第二过孔与所述触控走线并联连接。

13.如权利要求12所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第三过孔。

14.如权利要求13所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述导线包括第一导线和第二导线，所述第一导线通过所述第二过孔与所述触控走线电性连接，所述第二导线通过所述第三过孔与所述公共电极层的公共电极块电性连接。

15.如权利要求14所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一导线在所述衬底基板上的正投影位于所述触控走线在所述衬底基板上的正投影内；所述第二导线在所述衬底基板上的正投影平行于所述栅线在所述衬底基板上的正投影。

16.如权利要求10所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述栅极和栅线所在膜层上形成像素电极，其中，所述像素电极与所述漏极电性连接。