CN104699285A - 触控感测结构及其形成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及触控技术领域，提供了一种触控感测结构，包含第一导电层、第二导电层、复数绝缘隔点以及中间导电层，其中第一导电层包含复数个第一导电单元、连接线及第二导电单元，每一连接线连接两个第一导电单元，第二导电层包含复数个跨接线，每一跨接线电性连接两个第二导电单元，绝缘隔点设置于连接线与跨接线之间，中间导电层至少设置于跨接线与第二导电单元之间的搭接处，以隔离第一导电层与第二导电层的直接接触，并且中间导电层还可电性连接每一跨接线与对应之第二导电单元。此外，本发明揭示之实施例还提供触控感测结构的形成方法。

Description

触控感测结构及其形成方法
技术领域
本发明有关于触控技术，特别有关于触控感测结构及其形成方法。 
背景技术
近年来，触控面板逐渐成为最主要的输入界面，被广泛应用在各种电子产品中，例如手机、个人数字助理(PDA)或掌上型个人计算机等。触控面板的触控感测结构通常由第一氧化铟锡(indium tin oxide；ITO)层和第二氧化铟锡层组成，其中第一氧化铟锡层可形成复数个排列成行且互相连接的感测电极图案，以及复数个排列成列且互相分开的感测电极图案，而第二氧化铟锡层则形成电性连接该些排列成列且互相分开的感测电极图案之跨接线。 
第二氧化铟锡层的跨接线通常藉由蚀刻制程形成，然而，若第一氧化铟锡层与第二氧化铟锡层采用相同材料制成，蚀刻第二氧化铟锡层的蚀刻液会破坏第一氧化铟锡层，因此需要采用结晶型氧化铟锡镀膜作为第一氧化铟锡层，非晶型氧化铟锡镀膜作为第二氧化铟锡层的材料，再以只能蚀刻非晶型氧化铟锡而对结晶型氧化铟锡无作用的蚀刻液蚀刻非晶型氧化铟锡镀膜，以避免损伤第一氧化铟锡层。 
但是，在传统的触控面板中，使用非晶型氧化铟锡镀膜制成的第二氧化铟锡层在制程中与结晶型氧化铟锡接触容易产生结晶化现象，使得蚀刻液无法完全蚀刻出第二氧化铟锡层需要的图案，造成触控感测结构的感测电极图案之间发生短路或断路问题，导致触控功能失效或不良。 
发明内容
有鉴于习知技术存在的上述问题，本发明于是提供一种触控感测结构及其 形成方法，藉由在触控感测的第一导电层与第二导电层之间设置中间导电层，使得第二导电层不会结晶化，进而避免第二导电层蚀刻不完全的问题发生。 
依据本发明的一些实施例，提供触控感测结构，包括：第一导电层包含复数个沿第一轴向排列的第一导电单元、复数个连接线及复数个沿第二轴向排列的第二导电单元，其中在每一连接线的两侧配置有对应的第二导电单元，而在每一连接线的两端会连接两个相邻的第一导电单元；第二导电层包含复数个跨接线，每一跨接线的两端分别电性连接配置在每一连接线两侧的第二导电单元；复数绝缘隔点分别设置于对应之各连接线与各跨接线之间，以电性绝缘该些第一导电单元与第二导电单元；以及中间导电层至少设置于跨接线与第二导电单元之间的搭接处，以隔离第一导电层与第二导电层的直接接触，中间导电层具备导电性，以电性连接每一跨接线与对应之第二导电单元。 
在一些实施例中，触控感测结构更包含基板，第一导电层设置于基板上，其中第一导电层的材料为结晶型氧化铟锡，且第二导电层的材料为非结晶型氧化铟锡。 
在一实施例中，中间导电层更设置于第一导电单元、连接线与第二导电单元上，且中间导电层与第一导电单元、连接线及第二导电单元的图案对应。 
在一实施例中，第一导电层包含第一区域与第二区域，第一区域为第一导电层与绝缘隔点重叠之区域，第二区域为第一导电层未与绝缘隔点重叠之区域，中间导电层更设置于第一导电层的第二区域内，并与第一导电层直接接触，中间导电层与位于第二区域内的第一导电层的图案对应且相互重叠。 
在一实施例中，中间导电层更设置于彼此对应之各跨接线与各绝缘隔点之间，且中间导电层与跨接线的图案对应。 
在一些实施例中，触控感测结构更包含基板，第二导电层设置于基板上， 其中第二导电层的材料为结晶型氧化铟锡，且第一导电层的材料为非结晶型氧化铟锡。 
在一实施例中，中间导电层设置于跨接线与第二导电单元之间的搭接处，并包覆于跨接线的外缘。 
在一实施例中，中间导电层更设置于彼此对应之各连接线与各绝缘隔点之间，以及第一导电单元和第二导电单元与基板之间，且中间导电层与第一导电单元、连接线及第二导电单元的图案对应。 
在一些实施例中，中间导电层由透明导电材料组成，透明导电材料系选自于由氧化锡、氧化锌、铝掺杂氧化锌、氧化锌镓、氧化铟锌、铟镓锌氧化物及铟钨锌氧化物所组成的群组。 
依据本发明的一些实施例，提供触控感测结构的形成方法，包括以下步骤：形成第一导电层，第一导电层包含复数个沿第一轴向排列的第一导电单元、复数个连接线及复数个沿第二轴向排列的第二导电单元，其中在每一连接线的两侧配置有对应的第二导电单元，而在每一连接线的两端会连接两个相邻的第一导电单元；形成第二导电层，第二导电层包含复数个跨接线，每一跨接线的两端分别电性连接配置在每一连接线两侧的第二导电单元；形成复数绝缘隔点，该些绝缘隔点分别设置于对应之各连接线与各跨接线之间，以电性绝缘该些第一导电单元与第二导电单元；在形成该些绝缘隔点之前，形成中间导电材料层全面覆盖第一导电层或第二导电层，以隔离第一导电层与第二导电层的直接接触；以及图形化中间导电材料层成为中间导电层，中间导电层至少位于跨接线与第二导电单元之间的搭接处，并且中间导电层具备导电性，以电性连接每一跨接线与对应之第二导电单元。 
依据本发明的一些实施例，提供触控感测结构的形成方法，包括以下步骤： 形成第一导电层，第一导电层包含复数个沿第一轴向排列的第一导电单元、复数个连接线及复数个沿第二轴向排列的第二导电单元，其中在每一连接线的两侧配置有对应的第二导电单元，而在每一连接线的两端会连接两个相邻的第一导电单元；形成第二导电层，第二导电层包含复数个跨接线，每一跨接线的两端分别电性连接配置在每一连接线两侧的第二导电单元；形成复数绝缘隔点，该些绝缘隔点分别形成于对应之各连接线与各跨接线之间，以电性绝缘该些第一导电单元与第二导电单元；在形成该些绝缘隔点之后，形成中间导电材料层部分覆盖第一导电层或第二导电层，中间导电材料层与该些绝缘隔点的形成面积足以隔离第一导电层与第二导电层的直接接触；以及图形化中间导电材料层成为中间导电层，中间导电层至少位于跨接线与第二导电单元之间的搭接处，并且中间导电层具备导电性，以电性连接每一跨接线与对应之第二导电单元。 
在一些实施例中，第一导电层是直接形成于基板上，且中间导电材料层覆盖第一导电层，其中第一导电层的材料为结晶型氧化铟锡，且第二导电层的材料为非结晶型氧化铟锡。 
在一实施例中，形成第二导电层的步骤包含图形化第二导电材料层形成第二导电层，而图形化第二导电材料层的步骤与图形化中间导电材料层的步骤是于同一制程步骤中完成。 
在一些实施例中，第二导电层是直接形成于基板上，且中间导电材料层覆盖第二导电层，其中第二导电层的材料为结晶型氧化铟锡，且第一导电层的材料为非结晶型氧化铟锡。 
在一实施例中，形成第一导电层的步骤包含图形化第一导电材料层形成第一导电层，而图形化第一导电材料层的步骤与图形化中间导电材料层的步骤是于同一制程步骤中完成。 
依据本发明之实施例，可以避免触控感测结构的第二导电层受到第一导电层的影响而结晶化，进而避免第二导电层发生蚀刻不良，以防止触控感测结构的短路问题，并确保触控功能不会失效，因此可提升触控面板的产品良率。 
附图说明
图1显示依据本发明之一实施例的触控感测结构的局部平面示意图； 
图2、4、6、8、10和12显示依据本发明之各实施例的触控感测结构的剖面示意图； 
图3A至3C显示依据本发明之一实施例，形成图2的触控感测结构之中间阶段的剖面示意图； 
图5A至5C显示依据本发明之一实施例，形成图4的触控感测结构之中间阶段的剖面示意图； 
图7A至7C显示依据本发明之一实施例，形成图6的触控感测结构之中间阶段的剖面示意图； 
图9A至9D显示依据本发明之一实施例，形成图8的触控感测结构之中间阶段的剖面示意图； 
图11A至11D显示依据本发明之一实施例，形成图10的触控感测结构之中间阶段的剖面示意图；以及 
图13A至13C显示依据本发明之一实施例，形成图12的触控感测结构之中间阶段的剖面示意图。 
具体实施方式
在以下所说明的本发明的各种实施例中，所称的方位“上”及“下”，仅是用来表示相对的位置关系，并非用来限制本发明。 
在全部图式中，系以基板在下的方位说明各种实施例之触控感测结构及其 形成方法，然而，在实际的应用上，触控感测结构亦可以基板在上的方位提供操作者使用。 
参阅图1，其显示依据本发明之一实施例，触控面板的触控感测结构10之局部平面示意图，触控感测结构10包括第一导电层110、第二导电层120、复数个绝缘隔点104以及中间导电层106。 
其中第一导电层110包含复数个沿着第一轴向排列的第一导电单元112、复数个连接线116，以及复数个沿着第二轴向排列的第二导电单元114，在每一个连接线116的两侧配置有对应的两个第二导电单元114，在每一个连接线116的两端则会连接两个相邻的第一导电单元112。 
第二导电层120包含复数个跨接线108，每一个跨接线108的两端分别电性连接配置在每一个连接线116两侧的第二导电单元114。 
该些第一导电单元112和连接线116组成复数条第一轴向电极100Y，而该些第二导电单元114和跨接线108则组成复数条第二轴向电极100X。 
绝缘隔点104分别设置在各连接线116与各跨接线108之间，以电性绝缘该些第一导电单元112与该些第二导电单元114，避免第一轴向电极100Y和第二轴向电极100X的交错处发生短路。其中绝缘隔点由透明绝缘材料形成，其可以是无机材料例如氮化硅(silicon nitride)、氧化硅(silicon oxide)与氮氧化硅(silicon oxynitride)、有机材料例如丙烯酸类树脂(acrylic resin)或其它适合之材料。 
中间导电层106至少设置于该些跨接线108与该些第二导电单元114之间的搭接处118以隔离第一导电层110与第二导电层120的直接接触，中间导电层106具备导电性以电性连接每一该些跨接线108与对应之该些第二导电单元114。中间导电层106可由透明导电材料形成，透明导电材料可以是氧化锡、氧 化锌、铝掺杂氧化锌、氧化锌镓、氧化铟锌、铟镓锌氧化物及铟钨锌氧化物的其中一种或前述二种以上的组合物。 
其中触控感测结构之各种实施例请参阅图2-13C所示之剖面示意图，后续将会详细介绍中间导电层106在不同实施例中的具体位置。 
在图2、图4、图6的触控感测结构实施例中，触控感测结构更包括基板100，基板100可以是仅用于承载的基板，值得注意的是，基板100亦可以是作为触控面板的保护盖板，其可以是强化玻璃基板或塑料基板。第一导电层110是设置于基板100上，且第一导电层110的材料可以是结晶型氧化铟锡，第二导电层120的材料可以是非结晶型氧化铟锡。 
参阅图2，其显示依据本发明一实施例的触控感测结构的剖面示意图。 
第一导电层110包含如图1所示之组成第一轴向电极100Y的复数个第一导电单元112和复数个连接线116以及第二轴向电极100X的复数个第二导电单元114，其连接关系与作用已于前述说明，在此不再赘述。 
中间导电层106的连接关系与作用也可参前述图1的说明，而在此实施例中，中间导电层106特别设置于第一导电层110的第一导电单元112、连接线116和第二导电单元114上，并且中间导电层106与该些第一导电单元112、连接线116和第二导电单元114的图案对应，在另一实施例中，中间导电层106的图案与该些第一导电单元112、连接线116和第二导电单元114的图案形状对应相同。 
绝缘隔点104的连接关系与作用也可参前述图1的说明，而在此实施例中，绝缘隔点104特别设置于各连接线116与各跨接线108之间的中间导电层106上。 
第二导电层120包含复数个跨接线108，其连接关系与作用也可参前述图1 的说明，而在此实施例中，第二导电层120进一步地设置于绝缘隔点104上以分别电性连接配置在每一该些连接线116两侧的该些第二导电单元114。 
此外，关于各组件的连接关系、作用、使用材料与制法也可参前述图1的说明，在此即不再赘述。 
参阅图3A-3C，其显示依据本发明之一实施例，形成图2的触控感测结构之中间阶段的剖面示意图。如图3A所示，在基板100上先形成第一导电材料层101，第一导电材料层101的材料为结晶型氧化铟锡，再形成中间导电材料层105以全面覆盖于第一导电材料层101上(由于第一导电材料层101隐含后续图形化的第一导电层110，因此在此也可称中间导电材料层105是全面覆盖于第一导电层110上)，中间导电材料层105的材料可以是氧化锡、氧化锌、铝掺杂氧化锌、氧化锌镓、氧化铟锌、铟镓锌氧化物及铟钨锌氧化物的其中一种或其二者以上的组合物，可采用但不限定于沉积制程形成第一导电材料层101和中间导电材料层105。 
接着，在同一制程步骤中完成图形化第一导电材料层101和图形化中间导电材料层105的步骤，形成如图3B所示之第一导电层110和中间导电层106的图案(所形成的第一导电层110和中间导电层106的具体结构与连接关系等内容可参图2及其相关说明)，并使中间导电层106的图案与第一导电层110的第一导电单元112、连接线116和第二导电单元114的图案对应，甚或相同，本实施例中采用但不限定于微影与蚀刻制程完成第一导电材料层101和中间导电材料层105的图形化步骤。值得注意的是，于本发明的其他实施例中，第一导电层110与中间导电层106可分步形成，即先形成图形化的第一导电层110，再形成中间导电材料层105于第一导电层110之上，最后通过图形化中间导电材料层105得到中间导电层106，其中所形成的中间导电层106的图案与第一导电层110 的图案相对应，甚或相同。 
如图3C所示，在对应于第一导电层110的连接线处且位于中间导电层106上形成如图2所述的绝缘隔点104，可采用涂布、微影和蚀刻制程，或采用印刷制程形成绝缘隔点104。 
接着，在绝缘隔点104上形成第二导电材料层，然后图形化第二导电材料层成包含复数跨接线108的第二导电层120。第二导电层120的材料为非结晶型氧化铟锡，可先采用但不限定于低温沉积制程沉积第二导电材料层，然后以微影和蚀刻制程但不限定于此以图形化第二导电材料层成图2所述之包含跨接线108的第二导电层120，其中蚀刻制程可使用草酸液进行以形成跨接线108，至此完成图2的触控感测结构的主体架构。 
在此实施例中，于形成绝缘隔点104之前，形成的中间导电材料层105，甚或后来图形化的中间导电层106，皆会全面覆盖第一导电层110，以隔离第一导电层110与后续形成的第二导电层120的直接接触，致使第一导电层110与后续形成的第二导电层120之间不会产生结晶化现象。 
参阅图4，其显示依据本发明一实施例之触控感测结构的剖面示意图。 
第一导电层110包含如图1所示之组成第一轴向电极100Y的复数个第一导电单元112和复数个连接线116以及第二轴向电极100X的复数个第二导电单元114，其连接关系与作用已于前述说明，在此不再赘述。但本实施例的第一导电层110划分为第一区域A和第二区域B，其中第一区域A为第一导电层110与绝缘隔点104重叠的区域，第二区域B为第一导电层110未与绝缘隔点104重叠的区域，在此实施例中，中间导电层106并未设置在第一区域A内，而仅设置于第一导电层110的第二区域B内并与第一导电层110直接接触，并且中间导电层106与第二区域B内的第一导电层110的图案对应且相互重叠，在另一实 施例中，中间导电层106的图案与第二区域B内的第一导电层110的图案形状对应相同。 
绝缘隔点104的连接关系与作用也可参前述图1的说明，而在此实施例中，绝缘隔点104特别设置于各连接线116上。 
第二导电层120包含复数个跨接线108，其连接关系与作用也可参前述图1的说明，而在此实施例中，第二导电层120进一步地设置于绝缘隔点104上以分别电性连接配置在每一该些连接线116两侧的该些第二导电单元114。 
此外，关于各组件的连接关系、作用、使用材料与制法也可参前述图1的说明，在此即不再赘述。 
参阅图5A-5C，其显示依据本发明之一实施例，形成图4的触控感测结构之中间阶段的剖面示意图。如图5A所示，先在基板100上形成图4所述之第一导电层110的图案，可采用沉积、微影和蚀刻制程形成第一导电层110，第一导电层110的材料为结晶型氧化铟锡。在形成第一导电层110之前，可先沉积第一导电材料层，之后再以微影和蚀刻等步骤图案化该第一导电材料层成第一导电层110，当然亦可利用其他方式一次性完成第一导电层110的图案，例如印刷制程等。 
如图5B所示，之后在第一导电层110的连接线处上方形成图4所述之绝缘隔点104，可采用涂布、微影和蚀刻制程，或采用印刷制程形成绝缘隔点104。 
如图5C所示，在形成绝缘隔点104之后，可采用但不限定于沉积制程来形成覆盖于部份第一导电层110的中间导电材料层105，中间导电材料层105的材料如前述，在此不再重复，以简化说明。接着可采用但不限定于微影与蚀刻制程图形化中间导电材料层105，形成如图4所示之中间导电层106。在此实施例中，中间导电层106形成于第一导电层110未与绝缘隔点104重叠的第二区域B 上，在第二区域B内，中间导电层106与第一导电层110直接接触，并且中间导电层106与第二区域B内的第一导电层110的图案对应且相互重叠。中间导电材料层105(甚或图形化的中间导电层106)与绝缘隔点104的形成面积足以隔离第一导电层110与后续形成的第二导电层120的直接接触，而降低结晶现象的发生机率。 
接着，在绝缘隔点104上形成第二导电材料层，然后图形化第二导电材料层成包含复数跨接线108的第二导电层120。第二导电层120的材料为非结晶型氧化铟锡，可采用但不限定于低温沉积制程沉积第二导电材料层，然后可采用但不限定于微影和蚀刻制程图形化第二导电材料层成图4所述之包含跨接线108的第二导电层120，其中蚀刻制程可使用草酸液进行以形成跨接线108，至此完成图4的触控感测结构的主体架构。 
参阅图6，其显示依据本发明一实施例之触控感测结构的剖面示意图。 
第一导电层110包含如图1所示之组成第一轴向电极100Y的复数个第一导电单元112和复数个连接线116以及第二轴向电极100X的复数个第二导电单元114，其连接关系与作用已于前述说明，在此不再赘述。 
中间导电层106的连接关系与作用也可参前述图1的说明，本实施例的中间导电层106更进一步设置于彼此对应的各跨接线108与各绝缘隔点104之间，并且中间导电层106与跨接线108的图案对应，甚或相同。 
绝缘隔点104的连接关系与作用也可参前述图1的说明，而在此实施例中，绝缘隔点104特别设置于各连接线116上但不全面覆盖连接线116，以使各连接线116仍保有两端可与两个相邻的第一导电单元连接。 
第二导电层120包含复数个跨接线108，其连接关系与作用也可参前述图1的说明，而在此实施例中，第二导电层120进一步地设置于中间导电层106上 以分别电性连接配置在每一该些连接线116两侧的该些第二导电单元114。 
此外，关于各组件的连接关系、作用、使用材料与制法也可参前述图1的说明，在此即不再赘述。 
参阅图7A-7C，其显示依据本发明之一实施例，形成图6的触控感测结构之中间阶段的剖面示意图。如图7A所示，在基板100上形成图6所述之第一导电层110的图案，可采用但不限定于沉积、微影和蚀刻制程形成第一导电层110，第一导电层110的材料为结晶型氧化铟锡。在形成第一导电层110之前，可先沉积第一导电材料层，之后再以微影和蚀刻等步骤图案化该第一导电材料层成第一导电层110，当然亦可利用其他方式一次性完成第一导电层110的图案，例如印刷制程等。 
如图7B所示，之后在第一导电层110的连接线处上方形成图6所述之绝缘隔点104，可采用涂布、微影和蚀刻制程，或采用印刷制程形成绝缘隔点104。 
如图7C所示，在形成绝缘隔点104之后，可采用但不限定于沉积制程形成中间导电材料层105以覆盖部分的第一导电层110和全部的绝缘隔点104，中间导电材料层105的材料如前述，在此不再重复，以简化说明。接着，在中间导电材料层105上形成第二导电材料层107，第二导电材料层107的材料为非结晶型氧化铟锡，可采用但不限定于低温沉积制程沉积第二导电材料层，中间导电材料层105足以隔离第一导电层110与后续形成的第二导电层120的直接接触，避免第二导电层120受到第一导电层110的影响而结晶化，进而可防止第二导电层120发生蚀刻不良问题。 
接着，可采用但不限定于微影与蚀刻制程，可在同一或先后制程步骤中，完成图形化第二导电材料层107和中间导电材料层105的步骤，以各别形成图6所述之包含跨接线108的第二导电层120和中间导电层106，使得中间导电层 106与后续形成的跨接线108的图案对应，甚或相同，并且中间导电层106形成于彼此对应之各跨接线108与各绝缘隔点104之间，其中蚀刻制程可使用草酸液进行以形成跨接线108，至此完成图6的触控感测结构的主体架构。 
在图8、图10、图12的触控感测结构实施例中，触控感测结构更包括基板100，基板100可以是仅用于承载的基板，值得注意的是，基板100亦可以是作为触控面板的保护盖板，其可以是强化玻璃基板或塑料基板。第二导电层120是设置于基板100上，且第一导电层110的材料可以是非结晶型氧化铟锡，第二导电层120的材料可以是结晶型氧化铟锡。 
参阅图8，其显示依据本发明一实施例之触控感测结构的剖面示意图。 
第二导电层120包含如图1所示之复数跨接线108，其连接关系与作用已于前述说明，在此不再赘述。 
中间导电层106的连接关系与作用可参前述图1的说明，而在此实施例中，中间导电层106则设置于彼此对应之各绝缘隔点104与跨接线108之间，并且中间导电层106与跨接线108的图案对应，甚或相同。 
绝缘隔点104的连接关系与作用也可参前述图1的说明，而在此实施例中，绝缘隔点104特别设置于各连接线116与各跨接线108之间的中间导电层106上。 
第一导电层110包含如图1所示之第一导电单元112与连接线116组成的第一轴向电极100Y以及第二导电单元114。在本实施例中，部分的第一导电层110(例如第一导电单元112与第二导电单元114)设置于基板100上，部分未设置于基板100上的第一导电层110(例如连接线116)则设置于绝缘隔点104上，第一导电层110其他的详细结构与连接关系可参考图1的说明。 
此外，关于各组件的连接关系、作用、使用材料与制法也可参前述图1的 说明，在此即不再赘述。 
参阅图9A-9D，其显示依据本发明之一实施例，形成图8的触控感测结构之中间阶段的剖面示意图。如图9A所示，在基板100上先形成第二导电材料层107，第二导电材料层107的材料为结晶型氧化铟锡，可采用但不限定于沉积制程形成第二导电材料层107，接着形成中间导电材料层105全面覆盖第二导电材料层107(由于第二导电材料层107隐含后续图形化的第二导电层120，因此在此也可称中间导电材料层105是全面覆盖于第二导电层120上)，中间导电材料层105的材料如前述，在此不再重复，可采用但不限定于沉积制程沉积中间导电材料层105。 
如图9B所示，之后可采用微影与蚀刻制程，在同一制程步骤中完成图形化第二导电材料层107和中间导电材料层105，形成第二导电层120的跨接线108和中间导电层106(所形成的第二导电层120和中间导电层106的具体结构与连接关系等内容可参图8及其相关说明)，使得中间导电层106与跨接线108的图案对应，甚或相同，本实施例中采用但不限定于微影与蚀刻制程完成第一导电材料层101和中间导电材料层105的图形化步骤。值得注意的是，于本发明的其他实施例中，第二导电层120与中间导电层106可分步形成，即先形成图形化的第二导电层120，再形成中间导电材料层105于第二导电层120之上，最后通过图形化中间导电材料层105得到中间导电层106，其中所形成的中间导电层106的图案与第二导电层120的图案相对应，甚或相同。 
如图9C所示，在中间导电层106上形成图8所述之绝缘隔点104，可采用涂布、微影和蚀刻制程，或采用印刷制程形成绝缘隔点104。 
如图9D所示，接着在形成绝缘隔点104之后形成第一导电材料层101，第一导电材料层101为非结晶型氧化铟锡，可采用但不限定于低温沉积制程沉积 第一导电材料层101，接着可采用但不限定于微影与蚀刻制程将第一导电材料层101图形化成图8所述之第一导电层110的图案，其中蚀刻制程可使用草酸液进行，至此完成图8的触控感测结构的主体架构。 
在此实施例中，于形成绝缘隔点104之前，形成的中间导电材料层105，甚或后来图形化的中间导电层106，足以隔离第二导电层120与后续形成的第一导电层110的大面积直接接触，致使第一导电层110与后续形成的第二导电层120之间降低结晶化的现象发生。 
参阅图10，其显示依据本发明一实施例之触控感测结构的剖面示意图。 
第二导电层120包含如图1所示之复数跨接线108，其连接关系与作用已于前述说明，在此不再赘述。 
中间导电层106的连接关系与作用可参前述图1的说明，而在此实施例中，中间导电层106设置于跨接线108与第二导电单元114之间的搭接处118，并且中间导电层106包覆于跨接线108的外缘。 
绝缘隔点104的连接关系与作用也可参前述图1的说明，而在此实施例中，绝缘隔点104特别设置于各跨接线108上，因此中间导电层106包覆的范围会是排除绝缘隔点104设置处的跨接线108外缘。 
第一导电层110包含如图1所示之第一导电单元112与连接线116组成的第一轴向电极100Y以及第二导电单元114。在本实施例中，部分的第一导电层110(例如第一导电单元112与第二导电单元114)设置于基板100上且与第二导电层120完全隔离但电性导通，部分未设置于基板100上的第一导电层110(例如连接线116)则设置于绝缘隔点104上，第一导电层110其他的详细结构与连接关系可参考图1的说明。 
此外，关于各组件的连接关系、作用、使用材料与制法也可参前述图1的 说明，在此即不再赘述。 
参阅图11A-11D，其显示依据本发明之一实施例，形成图10的触控感测结构之中间阶段的剖面示意图。如图11A所示，可采用沉积、微影与蚀刻制程，在基底100上形成第二导电层120之跨接线108，第二导电层120的材料为结晶型氧化铟锡。在形成第二导电层120之前，可先沉积第二导电材料层，之后再以微影和蚀刻等步骤图案化该第二导电材料层成第二导电层120，当然亦可利用其他方式一次性完成第二导电层120的图案，例如印刷制程等。 
如图11B所示，之后在第二导电层120之跨接线108上形成如图10所述之绝缘隔点104，可采用涂布、微影和蚀刻制程，或采用印刷制程形成绝缘隔点104。 
如图11C所示，在形成绝缘隔点104之后，可采用但不限定于沉积制程形成覆盖于部分第二导电层120的中间导电材料层105，中间导电材料层105的材料如前述，在此不再重复，以简化说明。然后可采用但不限定于微影与蚀刻制程图形化中间导电材料层105，形成如图10所示之中间导电层106。在此实施例中，中间导电层106位于跨接线108与后续形成的第一导电层110的第二导电单元114之间的搭接处，并且中间导电层106包覆跨接线108的外缘。在此实施例中，中间导电材料层105与绝缘隔点104的形成面积足以隔离第二导电层120与后续形成的第一导电层110的直接接触。 
如图11D所示，接着在形成绝缘隔点104之后形成第一导电材料层101，第一导电材料层101的材料为非结晶型氧化铟锡，可采用但不限定于低温沉积制程沉积而成，接着可采用但不限定于微影与蚀刻制程图形化第一导电材料层101，以形成图10所述的第一导电层110的结构，其中蚀刻制程可使用草酸液进行，至此完成图10的触控感测结构的主体架构。 
参阅图12，其显示依据本发明一实施例之触控感测结构的剖面示意图。 
第二导电层120包含如图1所示之复数跨接线108，其连接关系与作用已于前述说明，在此不再赘述。 
中间导电层106的连接关系与作用可参前述图1的说明，而在此实施例中，中间导电层106更设置于彼此对应之各连接线116与各绝缘隔点104之间，并且中间导电层106还设置于第一导电单元112与基板100之间及第二导电单元114与基板100之间，中间导电层106与第一导电单元112、连接线116及第二导电单元114的图案对应，甚或相同。 
参阅图13A-13C，其显示依据本发明之一实施例，形成图12的触控感测结构之中间阶段的剖面示意图。如图13A所示，可采用但不限定于沉积、微影与蚀刻制程，在基板100上形成第二导电层120之跨接线108，第二导电层120的材料为结晶型氧化铟锡。在形成第二导电层120之前，可先沉积第二导电材料层，之后再以微影和蚀刻等步骤图案化该第二导电材料层成第二导电层120，当然亦可利用其他方式一次性完成第二导电层120的图案，例如印刷制程等。 
如图13B所示，之后在第二导电层120之跨接线108上形成图12所述之绝缘隔点104，可采用涂布、微影和蚀刻制程，或采用印刷制程形成绝缘隔点104。 
如图13C所示，在形成绝缘隔点104之后，可采用但不限定于沉积制程形成中间导电材料层105，中间导电材料层105的材料如前述，在此不再赘述，且中间导电材料层105的覆盖面积至少会全面覆盖第二导电层120，在此实施例中，甚或全面覆盖绝缘隔点104或部分的基板100。接着，在中间导电材料层105上形成第一导电材料层101，第一导电材料层101的材料为非结晶型氧化铟锡，可采用但不限定于低温沉积制程沉积而成。中间导电材料层105足以隔离第一导电层110与后续形成的第二导电层120的直接接触，避免第二导电层120受到 第一导电层110的影响而结晶化，进而可防止第二导电层120发生蚀刻不良问题。 
然后，可采用但不限定于微影与蚀刻制程，在同一或先后制程步骤中，完成图形化第一导电材料层101和图形化中间导电材料层105的步骤，以各别形成图12所述之第一导电层110和中间导电层106的图案，使得中间导电层106与图12所示的第一导电单元114、连接线116及第二导电单元114的图案对应，甚或相同，并且中间导电层106除了形成在前述的搭接处118外，还形成于彼此对应之各连接线116与各绝缘隔点104之间、第一导电单元112与基板100之间、第二导电单元114与基板100之间，其中蚀刻制程可使用草酸液进行以形成第一导电层110和中间导电层106，至此完成图12的触控感测结构的主体架构。 
综上所述，依据本发明的各种实施例，在形成触控感测结构的中间阶段以及所完成的触控感测结构中，中间导电材料层105或中间导电层106可隔离非结晶型氧化铟锡（第一导电层110或第二导电层120）与结晶型氧化铟锡（第二导电层120或第一导电层110）的(大面积)直接接触，使得在整个制程过程中，非结晶型氧化铟锡（第一导电层110或第二导电层120）不会或较少受到结晶型氧化铟锡（第二导电层120或第一导电层110）的影响而发生结晶化，以避免发生蚀刻不良，进而避免触控感测结构因为蚀刻残留而导致短路，以确保触控功能不会失效，藉此可提升触控面板的产品良率。 
虽然本发明已揭露较佳实施例如上，然其并非用以限定本发明，在此技术领域中具有通常知识者当可了解，在不脱离本发明之精神和范围内，当可做些许更动与润饰。因此，本发明之保护范围当视权利要求所界定为准。 

Claims (31)

1.一种触控感测结构，其特征在于，包括：
一第一导电层，包含复数个沿第一轴向排列的第一导电单元、复数个连接线及复数个沿第二轴向排列的第二导电单元，其中，在每一该些连接线的两侧配置有对应的该些第二导电单元，而在每一该些连接线的两端会连接两个相邻的该些第一导电单元；
一第二导电层，包含复数个跨接线，每一该些跨接线的两端分别电性连接配置在每一该些连接线两侧的该些第二导电单元；
复数绝缘隔点，分别设置于对应之各该些连接线与各该些跨接线之间，以电性绝缘该些第一导电单元与该些第二导电单元；以及
一中间导电层，至少设置于该些跨接线与该些第二导电单元之间的搭接处以隔离该第一导电层与该第二导电层的直接接触，该中间导电层具备导电性以电性连接每一该些跨接线与对应之该些第二导电单元。
2.如权利要求1所述的触控感测结构，其特征在于，更包含一基板，其中该第一导电层设置于该基板上。
3.如权利要求2所述的触控感测结构，其特征在于，该中间导电层更设置于该些第一导电单元、该些连接线与该些第二导电单元上，且该中间导电层与该些第一导电单元、该些连接线及该些第二导电单元的图案对应。
4.如权利要求2所述的触控感测结构，其特征在于，该第一导电层包含一第一区域与一第二区域，该第一区域为该第一导电层与该些绝缘隔点重叠之区域，该第二区域为该第一导电层未与该些绝缘隔点重叠之区域；该中间导电层更设置于该第一导电层之第二区域内并与该第一导电层直接接触，该中间导电层与位于该第二区域内的该第一导电层的图案对应且相互重叠。
5.如权利要求2所述的触控感测结构，其特征在于，该中间导电层更设置于彼此对应之各该些跨接线与各该些绝缘隔点之间，且该中间导电层与该些跨接线的图案对应。
6.如权利要求2所述的触控感测结构，其特征在于，该第一导电层的材料为结晶型氧化铟锡，且该第二导电层的材料为非结晶型氧化铟锡。
7.如权利要求1所述的触控感测结构，其特征在于，更包含一基板，其中该第二导电层设置于该基板上。
8.如权利要求7所述的触控感测结构，其特征在于，该中间导电层更设置于彼此对应之各该些绝缘隔点与各该些跨接线之间，且该中间导电层与该些跨接线的图案对应。
9.如权利要求7所述的触控感测结构，其特征在于，该中间导电层在该些搭接处并包覆于该些跨接线的外缘。
10.如权利要求7所述的触控感测结构，其特征在于，该中间导电层更设置于彼此对应之各该些连接线与各该些绝缘隔点之间、该些第一导电单元与该基板之间以及该些第二导电单元与该基板之间，且该中间导电层与该些第一导电单元、该些连接线及该些第二导电单元的图案对应。
11.如权利要求7所述的触控感测结构，其特征在于，该第二导电层的材料为结晶型氧化铟锡，且该第一导电层的材料为非结晶型氧化铟锡。
12.如权利要求1所述的触控感测结构，其特征在于，该中间导电层由透明导电材料组成。
13.如权利要求12所述的触控感测结构，其特征在于，该中间导电层的材料为氧化锡、氧化锌、铝掺杂氧化锌、氧化锌镓、氧化铟锌、铟镓锌氧化物及铟钨锌氧化物的其中一种或前述材料两种以上的组合。
14.一种触控感测结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：
形成一第一导电层，该第一导电层包含复数个沿第一轴向排列的第一导电单元、复数个连接线及复数个沿第二轴向排列的第二导电单元，其中，在每一该些连接线的两侧配置有对应的该些第二导电单元，而在每一该些连接线的两端会连接两个相邻的该些第一导电单元；
形成一第二导电层，该第二导电层包含复数个跨接线，每一该些跨接线的两端分别电性连接配置在每一该些连接线两侧的该些第二导电单元；
形成复数绝缘隔点，该些绝缘隔点分别设置于对应之各该些第一连接线与各该些跨接线之间以电性绝缘该些第一导电单元与该些第二导电单元；
在形成该些绝缘隔点之前，形成一中间导电材料层全面覆盖该第一导电层或该第二导电层，以隔离该第一导电层与该第二导电层的直接接触；以及
图形化该中间导电材料层成一中间导电层，其中该中间导电层至少位于该些跨接线与该些第二导电单元之间的搭接处，该中间导电层具备导电性以电性连接每一该些跨接线与对应之该些第二导电单元。
15.如权利要求14所述的触控感测结构的形成方法，其特征在于，该第一导电层是直接形成于一基板上，该中间导电材料层覆盖该第一导电层。
16.如权利要求15所述的触控感测结构的形成方法，其特征在于，该中间导电层更位于该些第一导电单元、该些连接线与该些第二导电单元上，且该中间导电层与该些第一导电单元、该些连接线及该些第二导电单元的图案对应。
17.如权利要求15所述的触控感测结构的形成方法，其特征在于，该第一导电层的材料为结晶型氧化铟锡，且该第二导电层的材料为非结晶型氧化铟锡。
18.如权利要求14所述的触控感测结构的形成方法，其特征在于，该第二导电层是直接形成于一基板上，且该中间导电材料层覆盖该第二导电层。
19.如权利要求18所述的触控感测结构的形成方法，其特征在于，该中间导电层更位于彼此对应之各该些绝缘隔点与各该些跨接线之间，且该中间导电层与该些跨接线的图案相应。
20.如权利要求18所述的触控感测结构的形成方法，其特征在于，该第二导电层的材料为结晶型氧化铟锡，且该第一导电层的材料为非结晶型氧化铟锡。
21.一种触控感测结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：
形成一第一导电层，该第一导电层包含复数个沿第一轴向排列的第一导电单元、复数个连接线及复数个沿第二轴向排列的第二导电单元，其中，在每一该些连接线的两侧配置有对应的该些第二导电单元，而在每一该些连接线的两端会连接两个相邻的该些第一导电单元；
形成一第二导电层，该第二导电层包含复数个跨接线，每一该些跨接线的两端分别电性连接配置在每一该些连接线两侧的该些第二导电单元；
形成复数绝缘隔点，该些绝缘隔点分别形成于对应之各该些第一连接线与各该些跨接线之间以电性绝缘该些第一导电单元与该些第二导电单元；
在形成该些绝缘隔点之后，形成一中间导电材料层部分覆盖该第一导电层或该第二导电层，其中该中间导电材料层与该些绝缘隔点的形成面积足以隔离该第一导电层与该第二导电层的直接接触；以及
图形化该中间导电材料层成一中间导电层，其中该中间导电层至少位于该些跨接线与该些第二导电单元之间的搭接处，该中间导电层具备导电性以电性连接每一该些跨接线与对应之该些第二导电单元。
22.如权利要求21所述的触控感测结构的形成方法，其特征在于，该第一导电层是直接形成于一基板上，该中间导电材料层部份覆盖该第一导电层。
23.如权利要求22所述的触控感测结构的形成方法，其特征在于，该第一导电层包含一第一区域与一第二区域，该第一区域为该第一导电层与该些绝缘隔点重叠之区域，该第二区域为该第一导电层未与该些绝缘隔点重叠之区域；该中间导电层更置于该第一导电层之第二区域内并与该第一导电层直接接触，该中间导电层与位于该第二区域内的该第一导电层的图案对应且相互重叠。
24.如权利要求22所述的触控感测结构的形成方法，其特征在于，形成该第二导电层的步骤包含图形化一第二导电材料层成该第二导电层，而图形化该第二导电材料层的步骤与图形化该中间导电材料层的步骤是于同一制程步骤中完成。
25.如权利要求24所述的触控感测结构的形成方法，其特征在于，该中间导电层更形成于彼此对应之各该些跨接线与各该些绝缘隔点之间，且该中间导电层与该些跨接线的图案对应。
26.如权利要求22所述的触控感测结构的形成方法，其特征在于，该第一导电层的材料为结晶型氧化铟锡，且该第二导电层的材料为非结晶型氧化铟锡。
27.如权利要求21所述的触控感测结构的形成方法，其特征在于，该第二导电层是直接形成于一基板上，该中间导电材料层部份覆盖该第二导电层。
28.如权利要求27所述的触控感测结构的形成方法，其特征在于，该中间导电层更形成在该些搭接处并包覆于该些跨接线的外缘。
29.如权利要求27所述的触控感测结构的形成方法，其特征在于，形成该第一导电层的步骤包含图形化一第一导电材料层成该第一导电层，而图形化该第一导电材料层的步骤与图形化该中间导电材料层的步骤是于同一制程步骤中完成。
30.如权利要求29所述的触控感测结构的形成方法，其特征在于，该中间导电层更设置于彼此对应之各该些连接线与各该些绝缘隔点之间、该些第一导电单元与该基板之间以及该些第二导电单元与该基板之间，且该中间导电层与该些第一导电单元、该些连接线及该些第二导电单元的图案对应。
31.如权利要求27所述的触控感测结构的形成方法，其特征在于，该第二导电层的材料为结晶型氧化铟锡，且该第一导电层的材料为非结晶型氧化铟锡。
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