TW201523372A - 觸控感測結構及其形成方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭示之實施例提供觸控感測結構，包含第一導電層、第二導電層、複數絕緣隔點以及中間導電層，其中第一導電層包含複數個第一導電單元、連接線及第二導電單元，每一連接線連接兩個第一導電單元，第二導電層包含複數個跨接線，每一跨接線電性連接兩個第二導電單元，絕緣隔點設置於連接線與跨接線之間，中間導電層至少設置於跨接線與第二導電單元之間的搭接處，以隔離第一導電層與第二導電層的直接接觸，並且中間導電層還可電性連接每一跨接線與對應之第二導電單元。此外，本發明揭示之實施例還提供觸控感測結構的形成方法。

Description

觸控感測結構及其形成方法

本發明係有關於觸控技術，特別有關於觸控感測結構及其形成方法。

近年來，觸控面板逐漸成為最主要的輸入介面，被廣泛應用在各種電子產品中，例如手機、個人數位助理(PDA)或掌上型個人電腦等。觸控面板的觸控感測結構通常由第一氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)層和第二氧化銦錫層組成，其中第一氧化銦錫層可形成複數個排列成行且互相連接的感測電極圖案，以及複數個排列成列且互相分開的感測電極圖案，而第二氧化銦錫層則形成電性連接這些排列成列且互相分開的感測電極圖案之跨接線。

第二氧化銦錫層的跨接線通常藉由蝕刻製程形成，然而，若第一氧化銦錫層與第二氧化銦錫層採用相同材料製成，蝕刻第二氧化銦錫層的蝕刻液會破壞第一氧化銦錫層，因此需要採用結晶型氧化銦錫鍍膜作為第一氧化銦錫層，非晶型氧化銦錫鍍膜作為第二氧化銦錫層的材料，再以只能蝕刻非晶型氧化銦錫而對結晶型氧化銦錫無作用的蝕刻液蝕刻非晶型氧化銦錫鍍膜，以避免損傷第一 氧化銦錫層。

但是，在傳統的觸控面板中，使用非晶型氧化銦錫鍍膜製成的第二氧化銦錫層在製程中與結晶型氧化銦錫接觸容易產生結晶化現象，使得蝕刻液無法完全蝕刻出第二氧化銦錫層需要的圖案，造成觸控感測結構的感測電極圖案之間發生短路或斷路問題，導致觸控功能失效或不良。

有鑒於習知技術存在的上述問題，本發明於是提供一種觸控感測結構及其形成方法，藉由在觸控感測的第一導電層與第二導電層之間設置中間導電層，使得第二導電層不會結晶化，進而避免第二導電層蝕刻不完全的問題發生。

依據本發明的一些實施例，提供觸控感測結構，包括：第一導電層包含複數個沿第一軸向排列的第一導電單元、複數個連接線及複數個沿第二軸向排列的第二導電單元，其中在每一連接線的兩側配置有對應的第二導電單元，而在每一連接線的兩端會連接兩個相鄰的第一導電單元；第二導電層包含複數個跨接線，每一跨接線的兩端分別電性連接配置在每一連接線兩側的第二導電單元；複數絕緣隔點分別設置於對應之各連接線與各跨接線之間，以電性絕緣這些第一導電單元與第二導電單元；以及中間導電層至少設置於跨接線與第二導電單元之間的搭接處，以隔離第一導電層與第二導電層的直接接觸，中間導 電層具備導電性，以電性連接每一跨接線與對應之第二導電單元。

在一些實施例中，觸控感測結構更包含基板，第一導電層設置於基板上，其中第一導電層的材料為結晶型氧化銦錫，且第二導電層的材料為非結晶型氧化銦錫。

在一實施例中，中間導電層更設置於第一導電單元、連接線與第二導電單元上，且中間導電層與第一導電單元、連接線及第二導電單元的圖案對應。

在一實施例中，第一導電層包含第一區域與第二區域，第一區域為第一導電層與絕緣隔點重疊之區域，第二區域為第一導電層未與絕緣隔點重疊之區域，中間導電層更設置於第一導電層的第二區域內，並與第一導電層直接接觸，中間導電層與位於第二區域內的第一導電層的圖案對應且相互重疊。

在一實施例中，中間導電層更設置於彼此對應之各跨接線與各絕緣隔點之間，且中間導電層與跨接線的圖案對應。

在一些實施例中，觸控感測結構更包含基板，第二導電層設置於基板上，其中第二導電層的材料為結晶型氧化銦錫，且第一導電層的材料為非結晶型氧化銦錫。

在一實施例中，中間導電層設置於跨接線與第二導電單元之間的搭接處，並包覆於跨接線的外緣。

在一實施例中，中間導電層更設置於彼此對應之各連接線與各絕緣隔點之間，以及第一導電單元和第二 導電單元與基板之間，且中間導電層與第一導電單元、連接線及第二導電單元的圖案對應。

在一些實施例中，中間導電層由透明導電材料組成，透明導電材料係選自於由氧化錫、氧化鋅、鋁摻雜氧化鋅、氧化鋅鎵、氧化銦鋅、銦鎵鋅氧化物及銦鎢鋅氧化物所組成的群組。

依據本發明的一些實施例，提供觸控感測結構的形成方法，包括以下步驟：形成第一導電層，第一導電層包含複數個沿第一軸向排列的第一導電單元、複數個連接線及複數個沿第二軸向排列的第二導電單元，其中在每一連接線的兩側配置有對應的第二導電單元，而在每一連接線的兩端會連接兩個相鄰的第一導電單元；形成第二導電層，第二導電層包含複數個跨接線，每一跨接線的兩端分別電性連接配置在每一連接線兩側的第二導電單元；形成複數絕緣隔點，這些絕緣隔點分別設置於對應之各連接線與各跨接線之間，以電性絕緣這些第一導電單元與第二導電單元；在形成這些絕緣隔點之前，形成中間導電材料層全面覆蓋第一導電層或第二導電層，以隔離第一導電層與第二導電層的直接接觸；以及圖形化中間導電材料層成為中間導電層，中間導電層至少位於跨接線與第二導電單元之間的搭接處，並且中間導電層具備導電性，以電性連接每一跨接線與對應之第二導電單元。

依據本發明的一些實施例，提供觸控感測結構的形成方法，包括以下步驟：形成第一導電層，第一導電 層包含複數個沿第一軸向排列的第一導電單元、複數個連接線及複數個沿第二軸向排列的第二導電單元，其中在每一連接線的兩側配置有對應的第二導電單元，而在每一連接線的兩端會連接兩個相鄰的第一導電單元；形成第二導電層，第二導電層包含複數個跨接線，每一跨接線的兩端分別電性連接配置在每一連接線兩側的第二導電單元；形成複數絕緣隔點，這些絕緣隔點分別形成於對應之各連接線與各跨接線之間，以電性絕緣這些第一導電單元與第二導電單元；在形成這些絕緣隔點之後，形成中間導電材料層部分覆蓋第一導電層或第二導電層，中間導電材料層與這些絕緣隔點的形成面積足以隔離第一導電層與第二導電層的直接接觸；以及圖形化中間導電材料層成為中間導電層，中間導電層至少位於跨接線與第二導電單元之間的搭接處，並且中間導電層具備導電性，以電性連接每一跨接線與對應之第二導電單元。

在一些實施例中，第一導電層是直接形成於基板上，且中間導電材料層覆蓋第一導電層，其中第一導電層的材料為結晶型氧化銦錫，且第二導電層的材料為非結晶型氧化銦錫。

在一實施例中，形成第二導電層的步驟包含圖形化第二導電材料層形成第二導電層，而圖形化第二導電材料層的步驟與圖形化中間導電材料層的步驟是於同一製程步驟中完成。

在一些實施例中，第二導電層是直接形成於基 板上，且中間導電材料層覆蓋第二導電層，其中第二導電層的材料為結晶型氧化銦錫，且第一導電層的材料為非結晶型氧化銦錫。

在一實施例中，形成第一導電層的步驟包含圖形化第一導電材料層形成第一導電層，而圖形化第一導電材料層的步驟與圖形化中間導電材料層的步驟是於同一製程步驟中完成。

依據本發明之實施例，可以避免觸控感測結構的第二導電層受到第一導電層的影響而結晶化，進而避免第二導電層發生蝕刻不良，以防止觸控感測結構的短路問題，並確保觸控功能不會失效，因此可提升觸控面板的產品良率。

10‧‧‧觸控感測結構

100‧‧‧基板

100X‧‧‧第二軸向電極

100Y‧‧‧第一軸向電極

101‧‧‧第一導電材料層

104‧‧‧絕緣隔點

105‧‧‧中間導電材料層

106‧‧‧中間導電層

107‧‧‧第二導電材料層

108‧‧‧跨接線

110‧‧‧第一導電層

112‧‧‧第一導電單元

114‧‧‧第二導電單元

116‧‧‧連接線

118‧‧‧搭接處

120‧‧‧第二導電層

A‧‧‧第一區域

B‧‧‧第二區域

為了讓本揭示之目的、特徵、及優點能更明顯易懂，以下配合所附圖式作詳細說明如下：第1圖顯示依據本發明之一實施例的觸控感測結構的局部平面示意圖；第2、4、6、8、10和12圖顯示依據本發明之各實施例的觸控感測結構的剖面示意圖；第3A至3C圖顯示依據本發明之一實施例，形成第2圖的觸控感測結構之中間階段的剖面示意圖；第5A至5C圖顯示依據本發明之一實施例，形成第4圖的觸控感測結構之中間階段的剖面示意圖； 第7A至7C圖顯示依據本發明之一實施例，形成第6圖的觸控感測結構之中間階段的剖面示意圖；第9A至9D圖顯示依據本發明之一實施例，形成第8圖的觸控感測結構之中間階段的剖面示意圖；第11A至11D圖顯示依據本發明之一實施例，形成第10圖的觸控感測結構之中間階段的剖面示意圖；以及第13A至13C圖顯示依據本發明之一實施例，形成第12圖的觸控感測結構之中間階段的剖面示意圖。

在以下所說明的本發明的各種實施例中，所稱的方位“上”及“下”，僅是用來表示相對的位置關係，並非用來限制本發明。

在全部圖式中，係以基板在下的方位說明各種實施例之觸控感測結構及其形成方法，然而，在實際的應用上，觸控感測結構亦可以基板在上的方位提供操作者使用。

參閱第1圖，其顯示依據本發明之一實施例，觸控面板的觸控感測結構10之局部平面示意圖，觸控感測結構10包括第一導電層110、第二導電層120、複數個絕緣隔點104以及中間導電層106。

其中第一導電層110包含複數個沿著第一軸向排列的第一導電單元112、複數個連接線116，以及複數個沿著第二軸向排列的第二導電單元114，在每一個連接線116的兩側配置有對應的兩個第二導電單元114，在每一個 連接線116的兩端則會連接兩個相鄰的第一導電單元112。

第二導電層120包含複數個跨接線108，每一個跨接線108的兩端分別電性連接配置在每一個連接線116兩側的第二導電單元114。

這些第一導電單元112和連接線116組成複數條第一軸向電極100Y，而這些第二導電單元114和跨接線108則組成複數條第二軸向電極100X。

絕緣隔點104分別設置在各連接線116與各跨接線108之間，以電性絕緣這些第一導電單元112與這些第二導電單元114，避免第一軸向電極100Y和第二軸向電極100X的交錯處發生短路。其中絕緣隔點由透明絕緣材料形成，其可以是無機材料例如氮化矽(silicon nitride)、氧化矽(silicon oxide)與氮氧化矽(silicon oxynitride)、有機材料例如丙烯酸類樹脂(acrylic resin)或其它適合之材料。

中間導電層106至少設置於該些跨接線108與該些第二導電單元114之間的搭接處118以隔離第一導電層110與第二導電層120的直接接觸，中間導電層106具備導電性以電性連接每一該些跨接線108與對應之該些第二導電單元114。中間導電層106可由透明導電材料形成，透明導電材料可以是氧化錫、氧化鋅、鋁摻雜氧化鋅、氧化鋅鎵、氧化銦鋅、銦鎵鋅氧化物及銦鎢鋅氧化物的其中一種或前述二種以上的組合物。

其中觸控感測結構之各種實施例請參閱第2-13C圖所示之剖面示意圖，後續將會詳細介紹中間導電層 106在不同實施例中的具體位置。

在第2圖、第4圖、第6圖的觸控感測結構實施例中，觸控感測結構更包括基板100，基板100可以是僅用於承載的基板，值得注意的是，基板100亦可以是作為觸控面板的保護蓋板，其可以是強化玻璃基板或塑膠基板。第一導電層110是設置於基板100上，且第一導電層110的材料可以是結晶型氧化銦錫，第二導電層120的材料可以是非結晶型氧化銦錫。

參閱第2圖，其顯示依據本發明一實施例的觸控感測結構的剖面示意圖。

第一導電層110包含如第1圖所示之組成第一軸向電極100Y的複數個第一導電單元112和複數個連接線116以及第二軸向電極100X的複數個第二導電單元114，其連接關係與作用已於前述說明，在此不再贅述。

中間導電層106的連接關係與作用也可參前述第1圖的說明，而在此實施例中，中間導電層106特別設置於第一導電層110的第一導電單元112、連接線116和第二導電單元114上，並且中間導電層106與這些第一導電單元112、連接線116和第二導電單元114的圖案對應，在另一實施例中，中間導電層106的圖案與這些第一導電單元112、連接線116和第二導電單元114的圖案形狀對應相同。

絕緣隔點104的連接關係與作用也可參前述第1圖的說明，而在此實施例中，絕緣隔點104特別設置於各連接線116與各跨接線108之間的中間導電層106上。

第二導電層120包含複數個跨接線108，其連接關係與作用也可參前述第1圖的說明，而在此實施例中，第二導電層120進一步地設置於絕緣隔點104上以分別電性連接配置在每一該些連接線116兩側的該些第二導電單元114。

此外，關於各元件的連接關係、作用、使用材料與製法也可參前述第1圖的說明，在此即不再贅述。

參閱第3A-3C圖，其顯示依據本發明之一實施例，形成第2圖的觸控感測結構之中間階段的剖面示意圖。如第3A圖所示，在基板100上先形成第一導電材料層101，第一導電材料層101的材料為結晶型氧化銦錫，再形成中間導電材料層105以全面覆蓋於第一導電材料層101上(由於第一導電材料層101隱含後續圖形化的第一導電層110，因此在此也可稱中間導電材料層105是全面覆蓋於第一導電層110上)，中間導電材料層105的材料可以是氧化錫、氧化鋅、鋁摻雜氧化鋅、氧化鋅鎵、氧化銦鋅、銦鎵鋅氧化物及銦鎢鋅氧化物的其中一種或其二者以上的組合物，可採用但不限定於沉積製程形成第一導電材料層101和中間導電材料層105。

接著，在同一製程步驟中完成圖形化第一導電材料層101和圖形化中間導電材料層105的步驟，形成如第3B圖所示之第一導電層110和中間導電層106的圖案(所形成的第一導電層110和中間導電層106的具體結構與連接關係等內容可參第2圖及其相關說明)，並使中間導電層106的 圖案與第一導電層110的第一導電單元112、連接線116和第二導電單元114的圖案對應，甚或相同，本實施例中採用但不限定於微影與蝕刻製程完成第一導電材料層101和中間導電材料層105的圖形化步驟。值得注意的是，於本發明的其他實施例中，第一導電層110與中間導電層106可分步形成，即先形成圖形化的第一導電層110，再形成中間導電材料層105於第一導電層110之上，最後通過圖形化中間導電材料層105得到中間導電層106，其中所形成的中間導電層106的圖案與第一導電層110的圖案相對應，甚或相同。

如第3C圖所示，在對應於第一導電層110的連接線處且位於中間導電層106上形成如第2圖所述的絕緣隔點104，可採用塗佈、微影和蝕刻製程，或採用印刷製程形成絕緣隔點104。

接著，在絕緣隔點104上形成第二導電材料層，然後圖形化第二導電材料層成包含複數跨接線108的第二導電層120。第二導電層120的材料為非結晶型氧化銦錫，可先採用但不限定於低溫沈積製程沈積第二導電材料層，然後以微影和蝕刻製程但不限定於此以圖形化第二導電材料層成第2圖所述之包含跨接線108的第二導電層120，其中蝕刻製程可使用草酸液進行以形成跨接線108，至此完成第2圖的觸控感測結構的主體架構。

在此實施例中，於形成絕緣隔點104之前，形成的中間導電材料層105，甚或後來圖形化的中間導電層106，皆會全面覆蓋第一導電層110，以隔離第一導電層110 與後續形成的第二導電層120的直接接觸，致使第一導電層110與後續形成的第二導電層120之間不會產生結晶化現象。

參閱第4圖，其顯示依據本發明一實施例之觸控感測結構的剖面示意圖。

第一導電層110包含如第1圖所示之組成第一軸向電極100Y的複數個第一導電單元112和複數個連接線116以及第二軸向電極100X的複數個第二導電單元114，其連接關係與作用已於前述說明，在此不再贅述。但本實施例的第一導電層110劃分為第一區域A和第二區域B，其中第一區域A為第一導電層110與絕緣隔點104重疊的區域，第二區域B為第一導電層110未與絕緣隔點104重疊的區域，在此實施例中，中間導電層106並未設置在第一區域A內，而僅設置於第一導電層110的第二區域B內並與第一導電層110直接接觸，並且中間導電層106與第二區域B內的第一導電層110的圖案對應且相互重疊，在另一實施例中，中間導電層106的圖案與第二區域B內的第一導電層110的圖案形狀對應相同。

絕緣隔點104的連接關係與作用也可參前述第1圖的說明，而在此實施例中，絕緣隔點104特別設置於各連接線116上。

第二導電層120包含複數個跨接線108，其連接關係與作用也可參前述第1圖的說明，而在此實施例中，第二導電層120進一步地設置於絕緣隔點104上以分別電性連 接配置在每一該些連接線116兩側的該些第二導電單元114。

此外，關於各元件的連接關係、作用、使用材料與製法也可參前述第1圖的說明，在此即不再贅述。

參閱第5A-5C圖，其顯示依據本發明之一實施例，形成第4圖的觸控感測結構之中間階段的剖面示意圖。如第5A圖所示，先在基板100上形成第4圖所述之第一導電層110的圖案，可採用沉積、微影和蝕刻製程形成第一導電層110，第一導電層110的材料為結晶型氧化銦錫。在形成第一導電層110之前，可先沉積第一導電材料層，之後再以微影和蝕刻等步驟圖案化該第一導電材料層成第一導電層110，當然亦可利用其他方式一次性完成第一導電層110的圖案，例如印刷製程等。

如第5B圖所示，之後在第一導電層110的連接線處上方形成第4圖所述之絕緣隔點104，可採用塗佈、微影和蝕刻製程，或採用印刷製程形成絕緣隔點104。

如第5C圖所示，在形成絕緣隔點104之後，可採用但不限定於沉積製程來形成覆蓋於部份第一導電層110的中間導電材料層105，中間導電材料層105的材料如前述，在此不再重複，以簡化說明。接著可採用但不限定於微影與蝕刻製程圖形化中間導電材料層105，形成如第4圖所示之中間導電層106。在此實施例中，中間導電層106形成於第一導電層110未與絕緣隔點104重疊的第二區域B上，在第二區域B內，中間導電層106與第一導電層110直接 接觸，並且中間導電層106與第二區域B內的第一導電層110的圖案對應且相互重疊。中間導電材料層105(甚或圖形化的中間導電層106)與絕緣隔點104的形成面積足以隔離第一導電層110與後續形成的第二導電層120的直接接觸，而降低結晶現象的發生機率。

接著，在絕緣隔點104上形成第二導電材料層，然後圖形化第二導電材料層成包含複數跨接線108的第二導電層120。第二導電層120的材料為非結晶型氧化銦錫，可採用但不限定於低溫沈積製程沈積第二導電材料層，然後可採用但不限定於微影和蝕刻製程圖形化第二導電材料層成第4圖所述之包含跨接線108的第二導電層120，其中蝕刻製程可使用草酸液進行以形成跨接線108，至此完成第4圖的觸控感測結構的主體架構。

參閱第6圖，其顯示依據本發明一實施例之觸控感測結構的剖面示意圖。

第一導電層110包含如第1圖所示之組成第一軸向電極100Y的複數個第一導電單元112和複數個連接線116以及第二軸向電極100X的複數個第二導電單元114，其連接關係與作用已於前述說明，在此不再贅述。

中間導電層106的連接關係與作用也可參前述第1圖的說明，本實施例的中間導電層106更進一步設置於彼此對應的各跨接線108與各絕緣隔點104之間，並且中間導電層106與跨接線108的圖案對應，甚或相同。

絕緣隔點104的連接關係與作用也可參前述第 1圖的說明，而在此實施例中，絕緣隔點104特別設置於各連接線116上但不全面覆蓋連接線116，以使各連接線116仍保有兩端可與兩個相鄰的第一導電單元連接。

第二導電層120包含複數個跨接線108，其連接關係與作用也可參前述第1圖的說明，而在此實施例中，第二導電層120進一步地設置於中間導電層106上以分別電性連接配置在每一該些連接線116兩側的該些第二導電單元114。

此外，關於各元件的連接關係、作用、使用材料與製法也可參前述第1圖的說明，在此即不再贅述。

參閱第7A-7C圖，其顯示依據本發明之一實施例，形成第6圖的觸控感測結構之中間階段的剖面示意圖。如第7A圖所示，在基板100上形成第6圖所述之第一導電層110的圖案，可採用但不限定於沉積、微影和蝕刻製程形成第一導電層110，第一導電層110的材料為結晶型氧化銦錫。在形成第一導電層110之前，可先沉積第一導電材料層，之後再以微影和蝕刻等步驟圖案化該第一導電材料層成第一導電層110，當然亦可利用其他方式一次性完成第一導電層110的圖案，例如印刷製程等。

如第7B圖所示，之後在第一導電層110的連接線處上方形成第6圖所述之絕緣隔點104，可採用塗佈、微影和蝕刻製程，或採用印刷製程形成絕緣隔點104。

如第7C圖所示，在形成絕緣隔點104之後，可採用但不限定於沉積製程形成中間導電材料層105以覆蓋 部分的第一導電層110和全部的絕緣隔點104，中間導電材料層105的材料如前述，在此不再重複，以簡化說明。接著，在中間導電材料層105上形成第二導電材料層107，第二導電材料層107的材料為非結晶型氧化銦錫，可採用但不限定於低溫沈積製程沈積第二導電材料層，中間導電材料層105足以隔離第一導電層110與後續形成的第二導電層120的直接接觸，避免第二導電層120受到第一導電層110的影響而結晶化，進而可防止第二導電層120發生蝕刻不良問題。

接著，可採用但不限定於微影與蝕刻製程，可在同一或先後製程步驟中，完成圖形化第二導電材料層107和中間導電材料層105的步驟，以各別形成第6圖所述之包含跨接線108的第二導電層120和中間導電層106，使得中間導電層106與後續形成的跨接線108的圖案對應，甚或相同，並且中間導電層106形成於彼此對應之各跨接線108與各絕緣隔點104之間，其中蝕刻製程可使用草酸液進行以形成跨接線108，至此完成第6圖的觸控感測結構的主體架構。

在第8圖、第10圖、第12圖的觸控感測結構實施例中，觸控感測結構更包括基板100，基板100可以是僅用於承載的基板，值得注意的是，基板100亦可以是作為觸控面板的保護蓋板，其可以是強化玻璃基板或塑膠基板。第二導電層120是設置於基板100上，且第一導電層110的材料可以是非結晶型氧化銦錫，第二導電層120的材料可以是結晶型氧化銦錫。

參閱第8圖，其顯示依據本發明一實施例之觸 控感測結構的剖面示意圖。

第二導電層120包含如第1圖所示之複數跨接線108，其連接關係與作用已於前述說明，在此不再贅述。

中間導電層106的連接關係與作用可參前述第1圖的說明，而在此實施例中，中間導電層106則設置於彼此對應之各絕緣隔點104與跨接線108之間，並且中間導電層106與跨接線108的圖案對應，甚或相同。

絕緣隔點104的連接關係與作用也可參前述第1圖的說明，而在此實施例中，絕緣隔點104特別設置於各連接線116與各跨接線108之間的中間導電層106上。

第一導電層110包含如第1圖所示之第一導電單元112與連接線116組成的第一軸向電極100Y以及第二導電單元114。在本實施例中，部分的第一導電層110(例如第一導電單元112與第二導電單元114)設置於基板100上，部分未設置於基板100上的第一導電層110(例如連接線116)則設置於絕緣隔點104上，第一導電層110其他的詳細結構與連接關係可參考第1圖的說明。

此外，關於各元件的連接關係、作用、使用材料與製法也可參前述第1圖的說明，在此即不再贅述。

參閱第9A-9D圖，其顯示依據本發明之一實施例，形成第8圖的觸控感測結構之中間階段的剖面示意圖。如第9A圖所示，在基板100上先形成第二導電材料層107，第二導電材料層107的材料為結晶型氧化銦錫，可採用但不限定於沉積製程形成第二導電材料層107，接著形成中間導 電材料層105全面覆蓋第二導電材料層107(由於第二導電材料層107隱含後續圖形化的第二導電層120，因此在此也可稱中間導電材料層105是全面覆蓋於第二導電層120上)，中間導電材料層105的材料如前述，在此不再重複，可採用但不限定於沉積製程沈積中間導電材料層105。

如第9B圖所示，之後可採用微影與蝕刻製程，在同一製程步驟中完成圖形化第二導電材料層107和中間導電材料層105，形成第二導電層120的跨接線108和中間導電層106(所形成的第二導電層120和中間導電層106的具體結構與連接關係等內容可參第8圖及其相關說明)，使得中間導電層106與跨接線108的圖案對應，甚或相同，本實施例中採用但不限定於微影與蝕刻製程完成第一導電材料層101和中間導電材料層105的圖形化步驟。值得注意的是，於本發明的其他實施例中，第二導電層120與中間導電層106可分步形成，即先形成圖形化的第二導電層120，再形成中間導電材料層105於第二導電層120之上，最後通過圖形化中間導電材料層105得到中間導電層106，其中所形成的中間導電層106的圖案與第二導電層120的圖案相對應，甚或相同。

如第9C圖所示，在中間導電層106上形成第8圖所述之絕緣隔點104，可採用塗佈、微影和蝕刻製程，或採用印刷製程形成絕緣隔點104。

如第9D圖所示，接著在形成絕緣隔點104之後形成第一導電材料層101，第一導電材料層101為非結晶型 氧化銦錫，可採用但不限定於低溫沈積製程沈積第一導電材料層101，接著可採用但不限定於微影與蝕刻製程將第一導電材料層101圖形化成第8圖所述之第一導電層110的圖案，其中蝕刻製程可使用草酸液進行，至此完成第8圖的觸控感測結構的主體架構。

在此實施例中，於形成絕緣隔點104之前，形成的中間導電材料層105，甚或後來圖形化的中間導電層106，足以隔離第二導電層120與後續形成的第一導電層110的大面積直接接觸，致使第一導電層110與後續形成的第二導電層120之間降低結晶化的現象發生。

參閱第10圖，其顯示依據本發明一實施例之觸控感測結構的剖面示意圖。

第二導電層120包含如第1圖所示之複數跨接線108，其連接關係與作用已於前述說明，在此不再贅述。

中間導電層106的連接關係與作用可參前述第1圖的說明，而在此實施例中，中間導電層106設置於跨接線108與第二導電單元114之間的搭接處118，並且中間導電層106包覆於跨接線108的外緣。

絕緣隔點104的連接關係與作用也可參前述第1圖的說明，而在此實施例中，絕緣隔點104特別設置於各跨接線108上，因此中間導電層106包覆的範圍會是排除絕緣隔點104設置處的跨接線108外緣。

第一導電層110包含如第1圖所示之第一導電單元112與連接線116組成的第一軸向電極100Y以及第二導 電單元114。在本實施例中，部分的第一導電層110(例如第一導電單元112與第二導電單元114)設置於基板100上且與第二導電層120完全隔離但電性導通，部分未設置於基板100上的第一導電層110(例如連接線116)則設置於絕緣隔點104上，第一導電層110其他的詳細結構與連接關係可參考第1圖的說明。

此外，關於各元件的連接關係、作用、使用材料與製法也可參前述第1圖的說明，在此即不再贅述。

參閱第11A-11D圖，其顯示依據本發明之一實施例，形成第10圖的觸控感測結構之中間階段的剖面示意圖。如第11A圖所示，可採用沉積、微影與蝕刻製程，在基底100上形成第二導電層120之跨接線108，第二導電層120的材料為結晶型氧化銦錫。在形成第二導電層120之前，可先沉積第二導電材料層，之後再以微影和蝕刻等步驟圖案化該第二導電材料層成第二導電層120，當然亦可利用其他方式一次性完成第二導電層120的圖案，例如印刷製程等。

如第11B圖所示，之後在第二導電層120之跨接線108上形成如第10圖所述之絕緣隔點104，可採用塗佈、微影和蝕刻製程，或採用印刷製程形成絕緣隔點104。

如第11C圖所示，在形成絕緣隔點104之後，可採用但不限定於沉積製程形成覆蓋於部分第二導電層120的中間導電材料層105，中間導電材料層105的材料如前述，在此不再重複，以簡化說明。然後可採用但不限定於微影與蝕刻製程圖形化中間導電材料層105，形成如第10 圖所示之中間導電層106。在此實施例中，中間導電層106位於跨接線108與後續形成的第一導電層110的第二導電單元114之間的搭接處，並且中間導電層106包覆跨接線108的外緣。在此實施例中，中間導電材料層105與絕緣隔點104的形成面積足以隔離第二導電層120與後續形成的第一導電層110的直接接觸。

如第11D圖所示，接著在形成絕緣隔點104之後形成第一導電材料層101，第一導電材料層101的材料為非結晶型氧化銦錫，可採用但不限定於低溫沉積製程沈積而成，接著可採用但不限定於微影與蝕刻製程圖形化第一導電材料層101，以形成第10圖所述的第一導電層110的結構，其中蝕刻製程可使用草酸液進行，至此完成第10圖的觸控感測結構的主體架構。

參閱第12圖，其顯示依據本發明一實施例之觸控感測結構的剖面示意圖。

第二導電層120包含如第1圖所示之複數跨接線108，其連接關係與作用已於前述說明，在此不再贅述。

中間導電層106的連接關係與作用可參前述第1圖的說明，而在此實施例中，中間導電層106更設置於彼此對應之各連接線116與各絕緣隔點104之間，並且中間導電層106還設置於第一導電單元112與基板100之間及第二導電單元114與基板100之間，中間導電層106與第一導電單元112、連接線116及第二導電單元114的圖案對應，甚或相同。

參閱第13A-13C圖，其顯示依據本發明之一實施例，形成第12圖的觸控感測結構之中間階段的剖面示意圖。如第13A圖所示，可採用但不限定於沉積、微影與蝕刻製程，在基板100上形成第二導電層120之跨接線108，第二導電層120的材料為結晶型氧化銦錫。在形成第二導電層120之前，可先沉積第二導電材料層，之後再以微影和蝕刻等步驟圖案化該第二導電材料層成第二導電層120，當然亦可利用其他方式一次性完成第二導電層120的圖案，例如印刷製程等。

如第13B圖所示，之後在第二導電層120之跨接線108上形成第12圖所述之絕緣隔點104，可採用塗佈、微影和蝕刻製程，或採用印刷製程形成絕緣隔點104。

如第13C圖所示，在形成絕緣隔點104之後，可採用但不限定於沉積製程形成中間導電材料層105，中間導電材料層105的材料如前述，在此不再贅述，且中間導電材料層105的覆蓋面積至少會全面覆蓋第二導電層120，在此實施例中，甚或全面覆蓋絕緣隔點104或部分的基板100。接著，在中間導電材料層105上形成第一導電材料層101，第一導電材料層101的材料為非結晶型氧化銦錫，可採用但不限定於低溫沉積製程沈積而成。中間導電材料層105足以隔離第一導電層110與後續形成的第二導電層120的直接接觸，避免第二導電層120受到第一導電層110的影響而結晶化，進而可防止第二導電層120發生蝕刻不良問題。

然後，可採用但不限定於微影與蝕刻製程，在 同一或先後製程步驟中，完成圖形化第一導電材料層101和圖形化中間導電材料層105的步驟，以各別形成第12圖所述之第一導電層110和中間導電層106的圖案，使得中間導電層106與第12圖所示的第一導電單元114、連接線116及第二導電單元114的圖案對應，甚或相同，並且中間導電層106除了形成在前述的搭接處118外，還形成於彼此對應之各連接線116與各絕緣隔點104之間、第一導電單元112與基板100之間、第二導電單元114與基板100之間，其中蝕刻製程可使用草酸液進行以形成第一導電層110和中間導電層106，至此完成第12圖的觸控感測結構的主體架構。

綜上所述，依據本發明的各種實施例，在形成觸控感測結構的中間階段以及所完成的觸控感測結構中，中間導電材料層105或中間導電層106可隔離非結晶型氧化銦錫(第一導電層110或第二導電層120)與結晶型氧化銦錫(第二導電層120或第一導電層110)的(大面積)直接接觸，使得在整個製程過程中，非結晶型氧化銦錫(第一導電層110或第二導電層120)不會或較少受到結晶型氧化銦錫(第二導電層120或第一導電層110)的影響而發生結晶化，以避免發生蝕刻不良，進而避免觸控感測結構因為蝕刻殘留而導致短路，以確保觸控功能不會失效，藉此可提升觸控面板的產品良率。

雖然本發明已揭露較佳實施例如上，然其並非用以限定本發明，在此技術領域中具有通常知識者當可瞭解，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許更動與 潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定為準。

100‧‧‧基板

100Y‧‧‧第一軸向電極

104‧‧‧絕緣隔點

106‧‧‧中間導電層

108‧‧‧跨接線

110‧‧‧第一導電層

114‧‧‧第二導電單元

118‧‧‧搭接處

120‧‧‧第二導電層

Claims (31)

1. 一種觸控感測結構，包括：一第一導電層，包含複數個沿第一軸向排列的第一導電單元、複數個連接線及複數個沿第二軸向排列的第二導電單元，其中，在每一該些連接線的兩側配置有對應的該些第二導電單元，而在每一該些連接線的兩端會連接兩個相鄰的該些第一導電單元；一第二導電層，包含複數個跨接線，每一該些跨接線的兩端分別電性連接配置在每一該些連接線兩側的該些第二導電單元；複數絕緣隔點，分別設置於對應之各該些連接線與各該些跨接線之間，以電性絕緣該些第一導電單元與該些第二導電單元；以及一中間導電層，至少設置於該些跨接線與該些第二導電單元之間的搭接處以隔離該第一導電層與該第二導電層的直接接觸，該中間導電層具備導電性以電性連接每一該些跨接線與對應之該些第二導電單元。
2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控感測結構，更包含一基板，其中該第一導電層設置於該基板上。
3. 如申請專利範圍第2項所述之觸控感測結構，其中該中間導電層更設置於該些第一導電單元、該些連接線與該些第二導電單元上，且該中間導電層與該些第一導電單元、該些連接線及該些第二導電單元的圖案對應。
4. 如申請專利範圍第2項所述之觸控感測結構，其中該 第一導電層包含一第一區域與一第二區域，該第一區域為該第一導電層與該些絕緣隔點重疊之區域，該第二區域為該第一導電層未與該些絕緣隔點重疊之區域；該中間導電層更設置於該第一導電層之第二區域內並與該第一導電層直接接觸，該中間導電層與位於該第二區域內的該第一導電層的圖案對應且相互重疊。
5. 如申請專利範圍第2項所述之觸控感測結構，其中該中間導電層更設置於彼此對應之各該些跨接線與各該些絕緣隔點之間，且該中間導電層與該些跨接線的圖案對應。
6. 如申請專利範圍第2項所述之觸控感測結構，其中該第一導電層的材料為結晶型氧化銦錫，且該第二導電層的材料為非結晶型氧化銦錫。
7. 如申請專利範圍第1項所述之觸控感測結構，更包含一基板，其中該第二導電層設置於該基板上。
8. 如申請專利範圍第7項所述之觸控感測結構，其中該中間導電層更設置於彼此對應之各該些絕緣隔點與各該些跨接線之間，且該中間導電層與該些跨接線的圖案對應。
9. 如申請專利範圍第7項所述之觸控感測結構，其中該中間導電層在該些搭接處並包覆於該些跨接線的外緣。
10. 如申請專利範圍第7項所述之觸控感測結構，其中該中間導電層更設置於彼此對應之各該些連接線與各該些絕緣隔點之間、該些第一導電單元與該基板之間以及該些第二導電單元與該基板之間，且該中間導電層與該些第一導電單元、該些連接線及該些第二導電單元的圖案對應。
11. 如申請專利範圍第7項所述之觸控感測結構，其中該第二導電層的材料為結晶型氧化銦錫，且該第一導電層的材料為非結晶型氧化銦錫。
12. 如申請專利範圍第1項所述之觸控感測結構，其中該中間導電層由透明導電材料組成。
13. 如申請專利範圍第12項所述之觸控感測結構，其中該中間導電層的材料為氧化錫、氧化鋅、鋁摻雜氧化鋅、氧化鋅鎵、氧化銦鋅、銦鎵鋅氧化物及銦鎢鋅氧化物的其中一種或前述材料兩種以上的組合。
14. 一種觸控感測結構的形成方法，包括步驟：形成一第一導電層，該第一導電層包含複數個沿第一軸向排列的第一導電單元、複數個連接線及複數個沿第二軸向排列的第二導電單元，其中，在每一該些連接線的兩側配置有對應的該些第二導電單元，而在每一該些連接線的兩端會連接兩個相鄰的該些第一導電單元；形成一第二導電層，該第二導電層包含複數個跨接線，每一該些跨接線的兩端分別電性連接配置在每一該些連接線兩側的該些第二導電單元；形成複數絕緣隔點，該些絕緣隔點分別設置於對應之各該些第一連接線與各該些跨接線之間以電性絕緣該些第一導電單元與該些第二導電單元；在形成該些絕緣隔點之前，形成一中間導電材料層全面覆蓋該第一導電層或該第二導電層，以隔離該第一導電層與該第二導電層的直接接觸；以及 圖形化該中間導電材料層成一中間導電層，其中該中間導電層至少位於該些跨接線與該些第二導電單元之間的搭接處，該中間導電層具備導電性以電性連接每一該些跨接線與對應之該些第二導電單元。
15. 如申請專利範圍第14項所述之觸控感測結構的形成方法，其中該第一導電層是直接形成於一基板上，該中間導電材料層覆蓋該第一導電層。
16. 如申請專利範圍第15項所述之觸控感測結構的形成方法，其中該中間導電層更位於該些第一導電單元、該些連接線與該些第二導電單元上，且該中間導電層與該些第一導電單元、該些連接線及該些第二導電單元的圖案對應。
17. 如申請專利範圍第15項所述之觸控感測結構的形成方法，其中該第一導電層的材料為結晶型氧化銦錫，且該第二導電層的材料為非結晶型氧化銦錫。
18. 如申請專利範圍第14項所述之觸控感測結構的形成方法，其中該第二導電層是直接形成於一基板上，且該中間導電材料層覆蓋該第二導電層。
19. 如申請專利範圍第18項所述之觸控感測結構的形成方法，其中該中間導電層更位於彼此對應之各該些絕緣隔點與各該些跨接線之間，且該中間導電層與該些跨接線的圖案相應。
20. 如申請專利範圍第18項所述之觸控感測結構的形成方法，其中該第二導電層的材料為結晶型氧化銦錫，且 該第一導電層的材料為非結晶型氧化銦錫。
21. 一種觸控感測結構的形成方法，包括步驟：形成一第一導電層，該第一導電層包含複數個沿第一軸向排列的第一導電單元、複數個連接線及複數個沿第二軸向排列的第二導電單元，其中，在每一該些連接線的兩側配置有對應的該些第二導電單元，而在每一該些連接線的兩端會連接兩個相鄰的該些第一導電單元；形成一第二導電層，該第二導電層包含複數個跨接線，每一該些跨接線的兩端分別電性連接配置在每一該些連接線兩側的該些第二導電單元；形成複數絕緣隔點，該些絕緣隔點分別形成於對應之各該些第一連接線與各該些跨接線之間以電性絕緣該些第一導電單元與該些第二導電單元；在形成該些絕緣隔點之後，形成一中間導電材料層部分覆蓋該第一導電層或該第二導電層，其中該中間導電材料層與該些絕緣隔點的形成面積足以隔離該第一導電層與該第二導電層的直接接觸；以及圖形化該中間導電材料層成一中間導電層，其中該中間導電層至少位於該些跨接線與該些第二導電單元之間的搭接處，該中間導電層具備導電性以電性連接每一該些跨接線與對應之該些第二導電單元。
22. 如申請專利範圍第21項所述之觸控感測結構的形成方法，其中該第一導電層是直接形成於一基板上，該中間導電材料層部份覆蓋該第一導電層。
23. 如申請專利範圍第22項所述之觸控感測結構的形成方法，其中該第一導電層包含一第一區域與一第二區域，該第一區域為該第一導電層與該些絕緣隔點重疊之區域，該第二區域為該第一導電層未與該些絕緣隔點重疊之區域；該中間導電層更置於該第一導電層之第二區域內並與該第一導電層直接接觸，該中間導電層與位於該第二區域內的該第一導電層的圖案對應且相互重疊。
24. 如申請專利範圍第22項所述之觸控感測結構的形成方法，其中形成該第二導電層的步驟包含圖形化一第二導電材料層成該第二導電層，而圖形化該第二導電材料層的步驟與圖形化該中間導電材料層的步驟是於同一製程步驟中完成。
25. 如申請專利範圍第24項所述之觸控感測結構的形成方法，其中該中間導電層更形成於彼此對應之各該些跨接線與各該些絕緣隔點之間，且該中間導電層與該些跨接線的圖案對應。
26. 如申請專利範圍第22項所述之觸控感測結構的形成方法，其中該第一導電層的材料為結晶型氧化銦錫，且該第二導電層的材料為非結晶型氧化銦錫。
27. 如申請專利範圍第21項所述之觸控感測結構的形成方法，其中該第二導電層是直接形成於一基板上，該中間導電材料層部份覆蓋該第二導電層。
28. 如申請專利範圍第27項所述之觸控感測結構的形成方法，其中該中間導電層更形成在該些搭接處並包覆於 該些跨接線的外緣。
29. 如申請專利範圍第27項所述之觸控感測結構的形成方法，其中形成該第一導電層的步驟包含圖形化一第一導電材料層成該第一導電層，而圖形化該第一導電材料層的步驟與圖形化該中間導電材料層的步驟是於同一制程步驟中完成。
30. 如申請專利範圍第29項所述之觸控感測結構的形成方法，其中該中間導電層更設置於彼此對應之各該些連接線與各該些絕緣隔點之間、該些第一導電單元與該基板之間以及該些第二導電單元與該基板之間，且該中間導電層與該些第一導電單元、該些連接線及該些第二導電單元的圖案對應。
31. 如申請專利範圍第27項所述之觸控感測結構的形成方法，其中該第二導電層的材料為結晶型氧化銦錫，且該第一導電層的材料為非結晶型氧化銦錫。