TWI544265B - 顯示面板及其製作方法 - Google Patents

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TWI544265B TW104112059A TW104112059A TWI544265B TW I544265 B TWI544265 B TW I544265B TW 104112059 A TW104112059 A TW 104112059A TW 104112059 A TW104112059 A TW 104112059A TW I544265 B TWI544265 B TW I544265B
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梁廣恆
蔡淑芬
曾耀德
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元太科技工業股份有限公司
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Description

顯示面板及其製作方法
本發明是有關於一種顯示面板及其製作方法，且特別是有關於一種具有較高可靠度的顯示面板及其製作方法。
在現有的面板佈局(layout)設計中，顯示面板的陣列基板在端子側的扇出(fan-out)區域大都使用單層(single layer)的線路結構。因此，若覆蓋扇出導線的保護層因製程變異而產生破洞時，最鄰近此保護層的扇出導線會暴露於大氣中，進而被氧化或腐蝕，而影響整體顯示面板的結構可靠度。
本發明提供一種顯示面板及其製作方法，具有較佳的結構可靠度。
本發明的顯示面板，其包括一陣列基板、多個透明導電氧化圖案以及一顯示介質。陣列基板包括一基板以及依序疊於基板上的一第一金屬層、一第一絕緣層、一半導體層、一第二金屬 層以及一第二絕緣層。基板具有一主動區以及一位於主動區周圍的接線區。第一金屬層及第二金屬層由主動區延伸至接線區，而分別定義出多個第一接線以及多個第二接線。透明導電氧化圖案配置於第二絕緣層上且位於接線區，其中透明導電氧化圖案分別對應第二接線，且每一透明導電氧化圖案於基板上的正投影重疊於對應的第二接線於基板上的正投影。顯示介質配置於陣列基板上。
在本發明的一實施例中，上述的透明導電氧化圖案彼此不相連。
在本發明的一實施例中，上述的透明導電氧化圖案的材質為銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
在本發明的一實施例中，上述的每一透明導電氧化圖案的延伸方向與對應的第二接線的延伸方向相同。
在本發明的一實施例中，上述的每一透明導電氧化圖案於基板上的正投影的寬度大於對應的第二接線的線寬。
在本發明的一實施例中，上述的透明導電氧化圖案的厚度介於0.042微米至0.08微米之間。
在本發明的一實施例中，上述的位於接線區的透明導電氧化圖案與主動區的邊緣相隔一第一間距。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括：至少一驅動電路，配置於陣列基板的一週邊電路區，其中接線區位於主動區與週邊電路區之間，而第一接線與第二接線連接至驅動電 路，且透明導電氧化圖案與驅動電路之間相隔一第二間距。
在本發明的一實施例中，上述的第一接線與第二接線呈等間距排列。
在本發明的一實施例中，上述的顯示介質包括一電泳顯示薄膜或一電濕潤顯示薄膜。
本發明的顯示面板的製作方法，其包括以下步驟。形成一陣列基板包括提供一基板以及依序於基板上形成一第一金屬層、一第一絕緣層、一半導體層、一第二金屬層以及一第二絕緣層，其中基板具有一主動區以及一位於主動區周圍的接線區，第一金屬層及第二金屬層由主動區延伸至接線區，而分別定義出多個第一接線以及多個第二接線。形成多個透明導電氧化圖案於第二絕緣層上且位於接線區，其中透明導電氧化圖案分別對應第二接線，且每一透明導電氧化圖案於基板上的正投影重疊於對應的第二接線於基板上的正投影。配置一顯示介質於陣列基板上。
在本發明的一實施例中，上述的透明導電氧化圖案彼此不相連。
在本發明的一實施例中，上述的透明導電氧化圖案的材質為銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
在本發明的一實施例中，上述的每一透明導電氧化圖案的延伸方向與對應的第二接線的延伸方向相同。
在本發明的一實施例中，上述的每一透明導電氧化圖案於基板上的正投影的寬度大於對應的第二接線的線寬。
在本發明的一實施例中，上述的透明導電氧化圖案的厚度介於0.042微米至0.08微米之間。
在本發明的一實施例中，上述的位於接線區的透明導電氧化圖案與主動區的邊緣相隔一第一間距。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製作方法更包括：配置至少一驅動電路於陣列基板的一週邊電路區，其中接線區位於主動區與週邊電路區之間，而第一接線與第二接線連接至驅動電路，且透明導電氧化圖案與驅動電路之間相隔一第二間距。
在本發明的一實施例中，上述的第一接線與第二接線呈等間距排列。
在本發明的一實施例中，上述的顯示介質包括一電泳顯示薄膜或一電濕潤顯示薄膜。
基於上述，由於本發明的顯示面板具有對應配置於第二接線上的透明導電氧化圖案，因此相較於習知絕緣層因製程變異而產生破洞，進而將接線暴露於大氣中而導致導線氧化或腐蝕而言，本發明透明導電氧化圖案的設置可有效預防及阻絕第二接線直接暴露於大氣中的情況，可有效提高顯示面板的結構可靠度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100‧‧‧顯示面板
110‧‧‧陣列基板
110a‧‧‧主動區
110b‧‧‧接線區
110c‧‧‧週邊電路區
111‧‧‧基板
112‧‧‧第一金屬層
114‧‧‧第一絕緣層
115‧‧‧半導體層
116‧‧‧第二金屬層
118‧‧‧第二絕緣層
120‧‧‧透明導電氧化圖案
130‧‧‧顯示介質
140‧‧‧驅動電路
D1‧‧‧第一間距
D2‧‧‧第二間距
F1‧‧‧第一接線
F2‧‧‧第二接線
圖1A繪示為本發明的一實施例的一種顯示面板的局部俯視示意圖。
圖1B繪示為圖1A的顯示面板的局部剖面示意圖。
圖1A繪示為本發明的一實施例的一種顯示面板的局部俯視示意圖。圖1B繪示為圖1A的顯示面板的局部剖面示意圖。請同時參考圖1A與圖1B，在本實施例中，顯示面板100包括一陣列基板110、多個透明導電氧化圖案120以及一顯示介質130。陣列基板110包括一基板111以及依序疊於基板111上的一第一金屬層112、一第一絕緣層114、一半導體層115、一第二金屬層116以及一第二絕緣層118。基板111具有一主動區110a以及一位於主動區110a周圍的接線區110b。第一金屬層112及第二金屬層116由主動區110a延伸至接線區110b，而分別定義出多個第一接線F1以及多個第二接線F2。透明導電氧化圖案120配置於第二絕緣層118上且位於接線區110b，其中透明導電氧化圖案120分別對應第二接線F2，且每一透明導電氧化圖案120於基板111上的正投影重疊於對應的第二接線F2於基板111上的正投影。顯示介質130配置於陣列基板110上。
詳細來說，陣列基板110例如是一主動元件陣列基板， 其中位於主動區110a內的第一金屬層112(可視為閘極)、第一絕緣層114(可視為閘絕緣層)、半導體層115、第二金屬層116(可視為源極與汲極)以及第二絕緣層118可定義出至少一薄膜電晶體。由主動區110a往接線區110b延伸的第一金屬層112於接線區110b內定義為第一接線F1，而由主動區110a往接線區110b延伸的第二金屬層116於接線區110b內定義為第二接線F2。第一接線F1彼此分離，而第二接線F2彼此分離，且第一接線F1與第二接線F2呈等間距排列。
再者，本實施例的透明導電氧化圖案120分別對應第二接線F2配置，透明導電氧化圖案120於基板111上的正投影重疊於對應的第二接線F2於基板111上的正投影。也就是說，透明導電氧化圖案120在基板111上的正投影完全不重疊於第一接線F1於基板111上的正投影。本實施例的顯示面板100設置透明導電氧化圖案120的目的在於：第一接線F1由圖1B可得知，其上覆蓋有第一絕緣層114以及第二絕緣層118的兩層結構層，然而，第二接線F2其上僅覆蓋一層第二絕緣層118。因此，當遇到製程變異時而導致第二絕緣層118產生破洞時(如前製程的化學氣相沉積所產生的洞或後製程的切割程序所造成的破裂)，位於鄰近此第二絕緣層118的第二接線F2就會暴露於大氣中。因此，本實施例於第二接線F2的上方配置透明導電圖案120即可多一層防護，可有效避免因製程變異而將第二接線F2暴露於大氣中的情形產生，進而可提高顯示面板100的結構可靠度。
更進一步來說，本實施例的透明導電氧化圖案120彼此不相連，意即，單一透明導電氧化圖案120對應設置於單一第二接線F2上。如圖1A所示，透明導電氧化圖案120的延伸方向與對應的第二接線F2的延伸方向實質上相同，但並不以此為限。透明導電氧化圖案120於基板111上的正投影的寬度實質上略大於對應的第二接線F2的線寬，可有效覆蓋第二接線F2。較佳地，透明導電氧化圖案120的厚度介於0.042微米至0.08微米之間。透明導電氧化圖案120的材質例如為銦錫氧化物或銦鋅氧化物，但並不以為限。其中，上述的材質與顯示面板100製程中的最後一道需使用光罩步驟的膜層(如畫素電極)的材質相同，因此在製程上可不需要額外再增加光罩的使用數目，可不增加產品的製作成本。
此外，如圖1A所示，本實施例的顯示面板100可更包括至少一驅動電路140，配置於陣列基板110的一週邊電路區110c，其中接線區110b位於主動區110a與週邊電路區110c之間，而第一接線F1與第二接線F2連接至驅動電路140。此處，位於接線區110b的透明導電氧化圖案120與主動區110a的邊緣相隔一第一間距D1，且透明導電氧化圖案120與驅動電路140之間相隔一第二間距D2。換言之，透明導電氧化圖案120僅位於接線區110b內且與主動區110a以及週邊電路區110c分別相隔一距離，如此一來，可以避免透明導電氧化圖案120與主動區110a內的元件以及驅動電路140產生電性連而導致訊號短路的情形。
另外，本實施例的顯示介質130例如是一電泳顯示薄膜或一電濕潤顯示薄膜。換言之，本實施例的顯示面板100例如是一電泳顯示面板或一電濕潤顯示面板。當然，於其他為繪示的實施例中，顯示介質亦可為液晶層或其他適當的顯示介質，於此並不加以限制。
在製程上，請再參考圖1A與圖1B，首先，形成陣列基板110包括提供基板111以及依序於基板111上形成第一金屬層112、第一絕緣層114、半導體層115、第二金屬層116以及第二絕緣層118，其中基板111具有主動區110a以及位於主動區110a周圍的接線區110b，第一金屬層112及第二金屬層116由主動區110a延伸至接線區110b，而分別定義出第一接線F1以及第二接線F2。接著，形成透明導電氧化圖案120於第二絕緣層118上且位於接線區110b，其中透明導電氧化圖案120分別對應第二接線F2，且每一透明導電氧化圖案120於基板111上的正投影重疊於對應的第二接線F2於基板111上的正投影。此處，位於接線區110b的透明導電氧化圖案120與主動區110a的邊緣相隔一第一間距D1。最後，再配置顯示介質130於陣列基板110上。需說明的是，本實施例的顯示面板100的製作方法亦可更包括配置至少一驅動電路140於陣列基板110的一週邊電路區110c，其中接線區110b位於主動區110a與週邊電路區110c之間，而第一接線F1與第二接線F2連接至驅動電路140，且透明導電氧化圖案120與驅動電路140之間相隔第二間距D2。也就是說，本實施例的透明導電氧 化圖案120僅位於接線區110b內且與主動區110a以及週邊電路區110c分別相隔一距離，如此一來，可以避免透明導電氧化圖案120與主動區110a內的元件以及驅動電路140產生電性連而導致訊號短路的情形。至此，已完成顯示面板100的製作。
綜上所述，由於本發明的顯示面板具有對應配置於第二接線上的透明導電氧化圖案，因此相較於習知絕緣層因製程變異而產生破洞，進而將接線暴露於大氣中而導致導線氧化或腐蝕而言，本發明透明導電氧化圖案的設置可有效預防及阻絕第二接線直接暴露於大氣中的情況，可有效提高顯示面板的結構可靠度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
110‧‧‧陣列基板
110a‧‧‧主動區
110b‧‧‧接線區
111‧‧‧基板
112‧‧‧第一金屬層
114‧‧‧第一絕緣層
115‧‧‧半導體層
116‧‧‧第二金屬層
118‧‧‧第二絕緣層
120‧‧‧透明導電氧化圖案
F1‧‧‧第一接線
F2‧‧‧第二接線

Claims (20)

  1. 一種顯示面板，包括：一陣列基板，包括一基板以及依序疊於該基板上的一第一金屬層、一第一絕緣層、一半導體層、一第二金屬層以及一第二絕緣層，其中該基板具有一主動區以及一位於該主動區周圍的接線區，該第一金屬層及該第二金屬層由該主動區延伸至該接線區，而分別定義出多個第一接線以及多個第二接線；多個透明導電氧化圖案，配置於該第二絕緣層上且位於該接線區，其中該些透明導電氧化圖案分別對應該些第二接線，且各該透明導電氧化圖案於該基板上的正投影重疊於對應的該第二接線於該基板上的正投影；以及一顯示介質，配置於該陣列基板上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該些透明導電氧化圖案彼此不相連。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該些透明導電氧化圖案的材質為銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中各該透明導電氧化圖案的延伸方向與對應的該第二接線的延伸方向相同。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的顯示面板，其中各該透明導電氧化圖案於該基板上的正投影的寬度大於對應的該第二接線的線寬。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中各該透明導 電氧化圖案的厚度介於0.042微米至0.08微米之間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中位於該接線區的該些透明導電氧化圖案與該主動區的邊緣相隔一第一間距。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的顯示面板，更包括：至少一驅動電路，配置於該陣列基板的一週邊電路區，其中該接線區位於該主動區與該週邊電路區之間，而該些第一接線與該些第二接線連接至該驅動電路，且該些透明導電氧化圖案與該驅動電路之間相隔一第二間距。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該些第一接線與該些第二接線呈等間距排列。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該顯示介質包括一電泳顯示薄膜或一電濕潤顯示薄膜。
  11. 一種顯示面板的製作方法，包括：形成一陣列基板，包括：提供一基板以及依序於該基板上形成一第一金屬層、一第一絕緣層、一半導體層、一第二金屬層以及一第二絕緣層，其中該基板具有一主動區以及一位於該主動區周圍的接線區，該第一金屬層及該第二金屬層由該主動區延伸至該接線區，而分別定義出多個第一接線以及多個第二接線；形成多個透明導電氧化圖案於該第二絕緣層上且位於該接線區，其中該些透明導電氧化圖案分別對應該些第二接線，且各該透明導電氧化圖案於該基板上的正投影重疊於對應的該第二接線於該基板上的正投影；以及 配置一顯示介質於該陣列基板上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的顯示面板的製作方法，其中該些透明導電氧化圖案彼此不相連。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的顯示面板的製作方法，其中該些透明導電氧化圖案的材質為銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
  14. 如申請專利範圍第11項所述的顯示面板的製作方法，其中各該透明導電氧化圖案的延伸方向與對應的該第二接線的延伸方向相同。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的顯示面板的製作方法，其中各該透明導電氧化圖案於該基板上的正投影的寬度大於對應的該第二接線的線寬。
  16. 如申請專利範圍第11項所述的顯示面板的製作方法，其中各該透明導電氧化圖案的厚度介於0.042微米至0.08微米之間。
  17. 如申請專利範圍第11項所述的顯示面板的製作方法，其中位於該接線區的該些透明導電氧化圖案與該主動區的邊緣相隔一第一間距。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的顯示面板的製作方法，更包括：配置至少一驅動電路於該陣列基板的一週邊電路區，其中該接線區位於該主動區與該週邊電路區之間，而該些第一接線與該些第二接線連接至該驅動電路，且該些透明導電氧化圖案與該驅動電路之間相隔一第二間距。
  19. 如申請專利範圍第11項所述的顯示面板的製作方法，其中該些第一接線與該些第二接線呈等間距排列。
  20. 如申請專利範圍第11項所述的顯示面板的製作方法，其中該顯示介質包括一電泳顯示薄膜或一電濕潤顯示薄膜。
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