KR20120084206A - 터치 패널 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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KR20120084206A
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Abstract

실시예에 따른 터치 패널은, 기판; 상기 기판에 제1 방향으로 형성되는 제1 센서부 및 상기 제1 센서부를 전기적으로 연결하는 제1 전극 연결부를 포함하는 제1 투명 전극; 및 상기 제1 투명 전극과 전기적으로 절연되며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 형성되는 제2 센서부 및 상기 제2 센서부를 전기적으로 연결하는 제2 전극 연결부를 포함하는 제2 투명 전극을 포함하고, 상기 제2 전극 연결부가 메쉬(mesh) 형상이다.

Description

터치 패널 및 이의 제조 방법{TOUCH PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 기재는 터치 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 다양한 전자 제품에서 디스플레이 장치에 표시된 화상에 손가락 또는 스타일러스(stylus) 등의 입력 장치를 접촉하는 방식으로 입력을 하는 터치 패널이 적용되고 있다.
터치 패널은 크게 저항막 방식의 터치 패널과 정전 용량 방식의 터치 패널로 구분될 수 있다. 저항막 방식의 터치 패널은 입력 장치의 압력에 의하여 유리와 전극이 단락되어 위치가 검출된다. 정전 용량 방식의 터치 패널은 손가락이 접촉했을 때 전극 사이의 정전 용량이 변화하는 것을 감지하여 위치가 검출된다.
이러한 터치 패널에서 두께를 줄이고 광 특성을 향상하기 위해 연결(bridge) 전극을 활용한 1층(1 layer) 터치 패널이 각광받고 있다. 그러나 유효 영역에서 연결 전극의 크기에 따라 연결 전극의 패턴이 보이는 문제가 있다.
실시예에서는 신뢰성 및 특성을 향상할 수 있는 터치 패널 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 터치 패널은, 기판; 상기 기판에 제1 방향으로 형성되는 제1 센서부 및 상기 제1 센서부를 전기적으로 연결하는 제1 전극 연결부를 포함하는 제1 투명 전극; 및 상기 제1 투명 전극과 전기적으로 절연되며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 형성되는 제2 센서부 및 상기 제2 센서부를 전기적으로 연결하는 제2 전극 연결부를 포함하는 제2 투명 전극을 포함하고, 상기 제2 전극 연결부가 메쉬(mesh) 형상이다.
실시예에 따른 터치 패널의 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에 메쉬 형상의 제2 전극 연결부를 형성하는 단계; 및 상기 제2 전극 연결부에 투명 전도성 물질로 제1 센서부, 제2 센서부 및 상기 제2 전극 연결부와 전기적으로 절연되는 제1 전극 연결부를 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 터치 패널은, 연결 전극을 메쉬 형상으로 형성함으로써 유효 영역 상에서 연결 전극의 패턴이 보이지 않게 할 수 있다.
한편, 실시예에 따른 터치 패널에서는, 기판과 투명 전극 사이에 인덱스 매칭을 할 수 있는 중간층을 개재하여, 투과율, 반사율 및 색차(b*, yellowish) 특성을 향상하면서도 투명 전극을 중간층 상에 직접 형성할 수 있다. 따라서 투과율을 향상하면서도 제조 비용을 절감할 수 있다. 더욱이, 인덱스 매칭에 의하여 투명 전도성 물질로 형성된 투명 전극을 보이지 않도록(invisible) 할 수 있다. 이에 의하여 터치 패널이 적용된 디스플레이의 시인성을 향상할 수 있다.
실시예에 따른 터치 패널의 제조 방법은, 상술한 효과를 가지는 터치 패널을 제조할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 터치 패널의 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선을 따라 잘라서 본 단면도이다.
도 3은 제2 실시예에 따른 터치 패널의 단면도이다.
도 4는 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 잘라서 본 단면도이다.
도 5는 제2 실시예에 따른 터치 패널의 단면도이다.
도 6은 제3 실시예에 따른 터치 패널의 단면도이다.
도 7 내지 도 9는 터치 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도 및 단면도들이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1 내지 도 5를 참조하여 실시예에 따른 터치 패널을 상세하게 설명한다. 도 1은 실시예에 따른 터치 패널의 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선을 따라 잘라서 본 단면도이다. 도 3은 제2 실시예에 따른 터치 패널의 단면도이고, 도 4는 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 잘라서 본 단면도이며, 도 5는 제2 실시예에 따른 터치 패널의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 터치 패널에는, 입력 장치의 위치를 감지하는 유효 영역(AA)과, 이 유효 영역(AA)의 외곽으로 위치하는 더미 영역(DA)이 정의된다.
여기서, 유효 영역(AA)에는 입력 장치를 감지할 수 있도록 투명 전극(20)이 형성될 수 있다. 그리고 더미 영역(DA)에는 투명 전극(20)에 연결되는 배선(40) 및 이 배선(40)을 외부 회로(도시하지 않음, 이하 동일)에 연결하는 인쇄 회로 기판(도시하지 않음, 이하 동일) 등이 위치할 수 있다. 이러한 터치 패널을 좀더 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 2를 참조하면, 제1 실시예에 따른 터치 패널(100)은, 서로 반대되는 제1 면(10a) 및 제2 면(10b)을 포함하는 기판(10), 이 기판의 제1 면(10a)에 형성되는 중간층(60), 투명 전극(도 1의 참조부호 20, 이하 동일) 및 반사 방지층(70) 등을 포함할 수 있다.
기판(10)은 이 위에 형성되는 중간층(60), 투명 전극(20) 등을 지지할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 이러한 기판(10)은 일례로 유리 기판 또는 플라스틱 기판으로 이루어질 수 있다.
이 기판(10)의 제1 면(이하 “상면”)(10a)에 투명 전극(20)이 형성된다.
이러한 투명 전극(20)은 제1 전극(22) 및 제2 전극(24)을 포함할 수 있다. 그리고 제1 전극(22)은 제1 센서부(22a) 및 제1 전극 연결부(22b)을 포함하고, 제2 전극(24)은 제2 센서부(24a) 및 제2 전극 연결부(24b)을 포함한다.
이와 같은 터치 패널에 손가락 등의 입력 장치가 접촉되면, 입력 장치가 접촉된 부분에서 정전 용량의 차이가 발생되고, 이 차이가 발생된 부분을 접촉 위치로 검출할 수 있다.
구체적으로, 제1 전극(22)은 손가락 등의 입력 장치가 접촉되었는지 감지하는 제1 센서부(22a)와 이러한 제1 센서부(22a)를 연결하는 제1 전극 연결부(22b)을 포함한다. 제1 센서부(22a)는 제1 방향(도면의 X축 방향, 이하 동일)으로 형성될 수 있고, 제1 전극 연결부(22b)은 이러한 제1 센서부(22a)을 제1 방향으로 연결한다. 제1 전극 연결부(22b)은 제1 센서부(22a)와 일체로 형성될 수 있다.
이와 유사하게, 제2 전극(24)은 손가락 등의 입력 장치가 접촉되었는지 감지하는 제2 센서부(24a)와 이러한 제2 센서부(24a)를 연결하는 제2 전극 연결부(24b)을 포함한다. 손가락 등의 입력 장치가 접촉되었는지 감지하는 제2 센서부(24a)는 제1 방향과 교차하는 제2 방향(도면의 Y축 방향, 이하 동일)으로 형성될 수 있다. 제2 전극 연결부(24b)은 이러한 제2 센서부(24a)를 제2 방향으로 연결한다. 이러한 제2 전극 연결부(24b)에 대해서는 뒤에서 상세하게 설명하기로 한다.
도면에서는 제1 및 제2 센서부(22a, 24a)가 마름모 형상을 가지는 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 및 제2 센서부(22a, 24a)는 손가락 등의 입력 장치가 접촉되었는지를 감지할 수 있는 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 일례로, 사각형, 오각형 등의 다각형, 원형 또는 타원형 등의 형상을 가질 수 있다.
이러한 제1 센서부(22a), 제1 전극 연결부(22b) 및 제2 센서부(24a)는 광의 투과를 방해하지 않으면서 전기가 흐를 수 있도록 투명 전도성 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 인듐 틴 산화물(indium tin oxide), 인듐 징크 산화물(indium zinc oxide), 탄소 나노 튜브(carbon nano tube, CNT), 전도성 폴리머 및 은 나노 와이어 잉크(Ag nano wire ink) 등의 물질을 포함할 수 있다.
이어서, 위의 제2 센서부(24a)을 연결하기 위한 제2 전극 연결부(24b)은 메쉬(mesh) 형상을 가진다.
이러한 제2 전극 연결부(24b)의 선폭이 1 nm 내지 5 um 일 수 있다. 1 nm 이하의 선폭을 갖는 제2 전극 연결부(24b)은 공정 상 불가능하고, 선폭이 5um 보다 클 경우, 이러한 제2 전극 연결부(24b)의 메쉬 형상이 눈에 보일 수 있다. 이러한 선폭을 갖는 경우, 메쉬의 형상에 관계없이 육안으로 확인되지 않기 때문에 다양한 형상을 가질 수 있다.
이러한 제2 전극 연결부(24b)은 전기 전도도가 우수한 금속을 포함할 수 있다. 일례로, 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 몰리브덴(Mo) 및 이들의 합금으로 형성될 수 있다.
그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니므로 제2 전극 연결부(24b)은 투명 전도성 물질을 포함할 수 있다. 일례로, 제2 전극 연결부(24b)은 인듐 틴 산화물(indium tin oxide), 인듐 징크 산화물(indium zinc oxide), 탄소 나노 튜브(carbon nano tube, CNT), 전도성 폴리머 및 은 나노 와이어 잉크(Ag nano wire ink) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
또한, 메쉬 형상이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 이는 제2 전극 연결부(24b)을 형성하는 물질에 따라 유연성(flexibility) 또는 접착력(adhesion)이 달라지는데, 이러한 성질에 따라 다층으로 형성되어 더욱 유리한 성질을 가지도록 할 수 있다.
이러한 제2 전극 연결부(24b)에 컨택홀(60a)을 구비하는 중간층(60)이 형성될 수 있다.
이 중간층(60)은 금속 산화물 또는 금속 불화물을 포함할 수 있는데, 일례로, 마그네슘 불화물, 규소 산화물, 알루미늄 산화물, 세륨 불화물, 인듐 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 납 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 및 니오븀 산화물 등을 포함할 수 있다. 중간층(60)은 특정한 굴절률을 가지도록 하여 인덱스 매칭(index matching)이 되도록 할 수 있다.
중간층(60)은 특정한 굴절률을 가질 수 있도록 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 일례로, 중간층(60)이 고굴절률의 제1 층과 저굴절률의 제2 층을 기판(10) 상에 차례로 형성하여 유효 영역(AA)에서 터치 패널의 투과율을 향상시킬 수 있다.
일례로, 제1 층은 굴절률이 높은 탄탈륨 산화물, 티타늄 산화물, 니오븀 산화물, 지르코늄 산화물 또는 납 산화물을 포함할 수 있으며, 제2 층은 굴절률이 낮은 규소 산화물을 포함할 수 있다. 일례로, 티타늄 산화물의 굴절률이 2.2, 니오븀 산화물의 굴절률이 2.4, 규소 산화물의 굴절률이 1.4 일 수 있다. 이 경우 터치 패널의 투과율을 90% 이상, 바람직하게는 92% 이상, 최대로는 99%까지 향상할 수 있다. 또한, 복수의 제1 층과 제2 층이 교대로 적층될 수도 있다.
한편, 기판(10)의 더미 영역(DA)으로 투명 전극(20)에 연결되는 배선(40) 및 이 배선(40)에 연결되는 인쇄 회로 기판이 형성된다. 이러한 배선(40)은 더미 영역(DA)에 위치하므로 전기 전도성이 우수한 금속으로 이루어질 수 있다. 인쇄 회로 기판으로는 다양한 형태의 인쇄 회로 기판이 적용될 수 있는데, 일례로 플렉서블 인쇄 회로 기판(flexible printed circuit board, FPCB) 등이 적용될 수 있다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 기판(10)의 제2 면(이하, “하면”)(10b) 및 투명 전극(20) 중 적어도 어느 한 면에 반사 방지층(70)이 형성될 수 있다. 도면에서는 투명 전극(20)에 반사 방지층(70)이 형성되는 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 기판(10)의 하면(10b)에만 반사 방지층(70)이 형성될 수 있고, 반사 방지층(70)의 효과를 극대화하기 위해 기판(10)의 하면(10b) 및 투명 전극(20)의 양면에 형성될 수 있다.
반사 방지층(70)은 반사에 의한 눈부심이나 화면이 보이지 않는 현상을 막기 위해 가시광 영역의 빛의 반사율을 낮추는 역할을 한다. 즉, 반사 방지층(70)은 반사의 악영향을 효과적으로 감소시켜 우수한 해상도를 제공할 수 있고 시인성을 향상할 수 있다. 또한, 터치 패널의 투과율을 90% 이상, 바람직하게는 92% 이상, 최대로는 99%까지 향상하는 역할을 할 수 있다.
이러한 반사 방지층(70)은 굴절률이 1.35 내지 2.7인 산화물 또는 불화물을 포함할 수 있다. 이러한 굴절률은 반사 방지에 적합한 범위로 결정된 것이며, 이러한 반사 방지층(70)은 서로 다른 굴절률을 가지는 물질을 한 층 이상 적층하여 형성될 수 있다.
상술한 산화물 또는 불화물로는, 마그네슘 불화물, 규소 산화물, 알루미늄 산화물, 세륨 불화물, 인듐 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 납 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 및 니오븀 산화물 등이 사용될 수 있다.
이때, 반사 방지층(70)은, 스퍼터링(sputtering)이나 롤투롤(roll to roll)공정 에 의해 형성될 수 있다. 스퍼터링은 이온화된 원자를 전기장에 의해 가속시켜 박막 재료(source material)에 충돌시키고, 이 충돌에 의해 박막 재료의 원자들이 증착되는 방법이다. 롤투롤 공정은 종이나 필름 같은 소재를 롤에 감아 그대로 가공하는 공정을 말한다.
도 3 및 도 5를 참조하면, 제2 실시예에 따른 터치 패널(200)에서는, 투명 전극(20)에 보호층(80)이 형성될 수 있다. 이러한 보호층(80)은 투명 전극(20)의 손상을 방지하는 보호막 역할을 할 수 있다.
보호층(80)은 고굴절률을 가지는 티타늄 산화물, 니오븀 산화물, 탄탈륨 산화물, 지르코늄 산화물, 납 산화물 등을 포함할 수 있다. 이러한 고굴절률의 보호층(80)을 다층으로 적층하여 투과율을 좀더 향상할 수 있다. 또한 이러한 보호층(80)을 하드 코팅(hard coating)층으로 형성하여 긁힘을 방지할 수 있다.
이하, 도 6을 참조하여, 제3 실시예에 따른 터치 패널을 설명한다. 도 6은 제3 실시예에 따른 터치 패널의 단면도이다.
제3 실시예에 따른 터치 패널(300)에서는, 중간층(60) 상에 제1 전극 연결부(22b)와 제2 전극 연결부(24b)를 절연할 수 있는 투명 절연층(90)이 더 형성될 수 있다.
앞서 설명한 제1 실시예 및 제2 실시예에 따른 터치 패널(100, 200)에서는, 중간층(60)을 통해 제1 전극 연결부(22b)와 제2 전극 연결부(24b)의 절연이 가능하다. 그러나, 제3 실시예에 따른 터치 패널(300)에서는 중간층(60)상에 투명 절연층(90)을 더 형성하여, 전기적 단락을 방지하기 위한 특성을 더욱 향상할 수 있다.
투명 절연층(90)은 마그네슘 불화물, 규소 산화물, 알루미늄 산화물, 세륨 불화물, 인듐 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 납 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 및 니오븀 산화물 등을 포함할 수 있다.
또한, 도면에 도시하지 않았으나, 제2 전극 연결부(24b) 상에 부분적으로 투명 절연층(90)만이 형성될 수 있다. 이러한 투명 절연층(90)을 통해 제1 전극 연결부(22b)와 제2 전극 연결부(24b)를 전기적으로 절연할 수 있다.
이하, 도 7 내지 도 9를 참조하여, 실시예에 따른 터치 패널의 제조 방법을 상세하게 설명한다. 명확하고 간략한 설명을 위하여 앞서 설명한 내용과 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략하고 서로 다른 부분에 대해서 상세하게 설명한다.
도 7 내지 도 9는 터치 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도 및 단면도들이다. 여기서, (a)에는 도 1의 A 영역을 기준으로 도시한 평면도를, (b)에는 (a)의 B-B선을 기준으로 한 단면도를 도시하였다.
먼저 도 7을 참조하면, 기판(10)에 메쉬 형상의 제2 전극 연결부(24b)을 형성한다.
제2 전극 연결부(24b)을 메쉬 형상으로 형성하기 위해서, 전극 물질을 도포한 후 포토레지스트 공정(photoresist)으로 에칭하여 형성할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니므로 메쉬 형상을 형성할 수 있는 다양한 공정을 이용할 수 있다.
이어서, 도 8을 참조하면, 제2 전극 연결부(24b)에 컨택홀(60a)을 구비하는 중간층(60)이 형성된다. 구체적으로, 컨택홀(60a)은 제2 전극 연결부(24b)의 일부를 노출하는데, 컨택홀(60a)은 추후에 형성되는 제2 센서부(도 8의 참조부호 24a)가 연결되도록 하는 역할을 할 수 있다.
이러한 중간층(60)은 코팅 또는 증착 등에 의하여 형성될 수 있다. 일례로, 중간층(60)은 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)에 의해 형성될 수 있다. 즉, 금속 증착원과 증착 타켓을 위한 스퍼터 장치 내에 비활성 기체(Ar, Ne)와 함께 산소(O2) 및/또는 질소(N2)를 추가하여, 금속 증착원이 산화되면서 증착 타켓에 증착되도록 할 수 있다.
이어서, 도 9를 참조하면, 중간층(60)에 투명 전도성 물질로 제1 센서부(22a), 제1 전극 연결부(22b) 및 제2 센서부(24a)가 형성된다. 이때, 제2 센서부(24a)가 컨택홀(60a)을 통해 제2 전극 연결부(24b)과 연결될 수 있도록 얼라인(align)된다.
이러한 제1 센서부(22a), 제1 전극 연결부(22b) 및 제2 센서부(24a)는 물리적 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD), 화학적 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD) 등 다양한 박막 증착 기술에 의하여 형성될 수 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 제1 센서부(22a), 제1 전극 연결부(22b) 및 제2 센서부(24a) 형성 후, 반사 방지층 또는 보호막 등이 더 형성될 수 있다.
또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 중간층(60)을 형성하는 단계와 제1 센서부(22a), 제2 센서부(24a) 및 제1 전극 연결부(22b)를 형성하는 단계 사이에 투명 절연층(도 6의 참조부호 90)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 기판
20: 투명 전극
22a: 제1 전극
22b: 제1 전극 연결부
24a: 제2 전극
24b: 제2 전극 연결부
60: 중간층
60a: 컨택홀
70: 반사 방지층
80: 보호층
90: 투명 절연층

Claims (22)

  1. 기판;
    상기 기판에 제1 방향으로 형성되는 제1 센서부 및 상기 제1 센서부를 전기적으로 연결하는 제1 전극 연결부를 포함하는 제1 투명 전극; 및
    상기 제1 투명 전극과 전기적으로 절연되며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 형성되는 제2 센서부 및 상기 제2 센서부를 전기적으로 연결하는 제2 전극 연결부를 포함하는 제2 투명 전극을 포함하고,
    상기 제2 전극 연결부가 메쉬(mesh) 형상인 터치 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극 연결부 상에 위치하고, 상기 기판에 전면적으로 형성되는 중간층을 포함하는 터치 패널.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 중간층은 컨택홀을 포함하여 상기 제2 전극 및 상기 제2 전극 연결부를 전기적으로 연결하는 터치 패널.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극 연결부 상에 부분적으로 형성되는 투명 절연층을 포함하는 터치 패널.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극 연결부 상에 위치하고, 상기 기판에 전면적으로 형성되는 중간층 및 상기 제2 전극 연결부 상에 부분적으로 형성되는 투명 절연층을 포함하는 터치 패널.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 투명 전극과 상기 제2 투명 전극의 적어도 일부가 동일한 층에 위치하는 터치 패널.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 중간층 및 상기 투명 절연층은 마그네슘 불화물, 규소 산화물, 알루미늄 산화물, 세륨 불화물, 인듐 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 납 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 및 니오븀 산화물로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함하는 터치 패널.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 중간층이 한 층 이상으로 이루어지는 터치 패널.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극 연결부의 선폭이 1 nm 내지 5 um 인 터치 패널.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극 연결부는 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag) 및 몰리브덴(Mo)의 금속 및 이를 포함하는 합금으로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함하는 터치 패널.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극 연결부는 인듐 틴 산화물(indium tin oxide), 인듐 징크 산화물(indium zinc oxide), 탄소 나노 튜브(carbon nano tube, CNT), 전도성 폴리머, 및 은 나노 와이어 잉크(Ag nano wire ink)로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함하는 터치 패널.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 메쉬 형상이 한 층 이상으로 이루어지는 터치 패널.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 제2 면 및 상기 투명 전극 중 적어도 어느 한 쪽에 반사 방지층이 형성되는 터치 패널.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 반사 방지층은 마그네슘 불화물, 규소 산화물, 알루미늄 산화물, 세륨 불화물, 인듐 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 납 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 및 니오븀 산화물로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함하는 터치 패널.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 투명 전극에 보호층이 형성되는 터치 패널.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 보호층은 마그네슘 불화물, 규소 산화물, 알루미늄 산화물, 세륨 불화물, 인듐 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 납 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 및 니오븀 산화물로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함하는 터치 패널.
  17. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판에 메쉬 형상의 제2 전극 연결부를 형성하는 단계; 및
    상기 제2 전극 연결부에 투명 전도성 물질로 제1 센서부, 제2 센서부 및 상기 제2 전극 연결부와 전기적으로 절연되는 제1 전극 연결부를 형성하는 단계를 포함하는 터치 패널의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제2 전극 연결부를 형성하는 단계 후,
    상기 제2 전극 연결부의 일부를 노출하는 컨택홀을 구비하는 중간층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제2 센서부는 상기 제2 전극 연결부와 상기 컨택홀을 통해 연결되는 터치 패널의 제조 방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 제2 전극 열결부를 형성하는 단계 후,
    상기 제2 전극 연결부 상에 투명 절연층이 부분적으로 형성되는 단계를 더 포함하는 터치 패널의 제조 방법.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 제2 전극 열결부를 형성하는 단계 후,
    상기 제2 전극 연결부의 일부를 노출하는 컨택홀을 구비하는 중간층 및 상기 제2 전극 연결부 상에 투명 절연층을 부분적으로 형성하는 단계를 더 포함하는 터치 패널의 제조 방법.
  21. 제17항에 있어서,
    상기 제2 전극 연결부의 선폭이 1 nm 내지 5 um 인 터치 패널의 제조 방법.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 중간층 및 상기 투명 절연층은 마그네슘 불화물, 규소 산화물, 알루미늄 산화물, 세륨 불화물, 인듐 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 납 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 및 니오븀 산화물로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함하는 터치 패널의 제조 방법.
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