KR20120127984A - 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널 및 그 공정방법 - Google Patents

다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널 및 그 공정방법 Download PDF

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김윤택
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에이스하임 주식회사
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Abstract

본 발명은 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널 및 그 공정방법에 관한 것으로서, 투명기판의 한쪽 면에 형성되는 굴절률정합층; 상기 굴절률정합층 위에 복층으로 형성되는 투명도전층; 및 상기 복층으로 형성되는 투명도전층 사이에 형성되는 절연층;을 포함하되, 상기 복층으로 형성되는 투명도전층은, 일측 방향으로 나열되는 제1전극패턴이 형성되어 있는 제1전극패턴층; 및 상기 제1전극패턴의 나열방향과 수직인 방향으로 나열되는 제2전극패턴이 형성되어 있는 제2전극패턴층을 포함하고, 상기 제1전극패턴층 및 제2전극패턴층이 상기 투명기판의 한쪽 면에 복층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널 및 그 공정방법{CAPACITIVE TOUCH SCREEN PANEL USING MULTI-LAYER THIN FILM AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF}
본 발명은 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널 및 그 공정방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 서로 수직을 이루는 복수 개의 투명전극패턴층이 투명기판의 한쪽 면에 형성되어 있고, 층간의 굴절률 변화가 적은 터치스크린 패널에 관한 것이다.
최근 휴대폰 시장은 스마트폰이 대세를 이루고 있으며, 스마트폰의 사용이 증가함에 따라, 휴대폰의 입력장치는 기존의 키패드에서 터치스크린으로 대체되고 있다.
터치스크린(touch-screen)이란, 키보드를 사용하지 않고 화면에 닿는 사람의 손끝 또는 기타 물체에 의해 입력을 받는 화면을 의미하며, 크게 저항막 방식(resistive overlay)의 터치스크린과 정전용량 방식(capacitive overlay)의 터치스크린으로 종류를 나눌 수 있다.
먼저 저항막 방식은, 2장의 유리나 투명한 플라스틱판 위에 저항성분의 물질을 코팅하고 합지한 형태로, 두 면이 서로 닿지 않도록 일정한 간격으로 스페이서(spacer)가 설치되어 있는데, 손으로 접촉 시 이 두면이 서로 접촉하게 되고, 이에 따라 저항값과 전압이 변화하게 되어, 이러한 전압의 변화 정도로 터치포인트(touch point)를 인식하는 방식이다.
다음으로 정전용량 방식은, 직교하는 두 축 방향(X축, Y축)을 인식할 수 있는 투명한 특수 전도성 전극을 코팅하여, 손가락 접촉시 변화된 전계에 의한 정잔용량의 차이를 컨트롤러에서 분석하여 터치 포인트를 인식하는 방식이다.
이러한 두 가지 터치스크린은 디스플레이 영역의 전반에서 적용되고 있으나, 최근에는 저항 막 방식보다 정전용량 방식의 터치스크린의 적용이 늘어나는 추세이다. 정전용량 방식의 터치스크린이 멀티 터치 기능을 가능하게 하기 때문이다. 따라서 정전용량 방식의 터치스크린의 수요가 점점 더 증가하고 있으며, 정전용량 방식의 터치스크린에 관한 기술의 개발이 점점 더 요구되고 있다.
정전용량 방식의 터치스크린을 좀 더 자세히 살펴보면, 종래에는 정전용량 방식의 터치스크린 패널을 형성하는 방식으로 다음과 같은 세 가지 기술이 사용되고 있었다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 터치스크린 패널에 관한 세 가지 종래기술을 살펴본다.
먼저, 도 1은 필름으로 구성되는 두 장의 투명기판 위에 서로 수직을 이루며 형성되는 투명전극패턴층을 각각 형성하고, 상기 두 장의 투명기판을 OCA(Optical Clear Adhesive) 혹은 UV도료로 합지하여 터치스크린 패널을 형성하는 종래기술을 나타낸다. (이하, 종래기술 1)
또한, 도 2는 유리(glass)로 이루어진 투명기판 양면에 서로 수직을 이루며 형성되는 투명전극패턴층을 형성하는 종래기술을 나타낸다. (이하, 종래기술 2)
그리고, 도 3은 유리(glass)로 이루어진 투명기판의 한쪽 면만을 사용하면서, 서로 수직을 이루며 형성되는 투명전극패턴층을 형성하는 종래기술을 나타낸다. (이하, 종래기술 3)
이러한 종래기술들을 검토하면, 종래기술 1은 OCA와 같은 접착제를 이용한 합지공정이 필요하여 광학적으로 불리하다는 문제점이 있었다.
또한, 종래기술 2는 휴대폰 적용시 상부 윈도우인 강화글라스와 디스플레이 소자인 LCD 사이에 설치해야 하므로, 상 하부에 OCA와 같은 접착제를 이용한 합지공정이 필요하여 광학적으로 불리하다는 문제점이 있었다.
그리고, 종래기술 3은, X, Y 패턴이 같은 층에 있어 패턴 간의 절연 유지를 위한 공간이 많이 필요하고, 같은 층에 형성되는 X, Y 패턴 중 한 패턴을 전기적으로 고립된 상태로 형성하므로 고립된 전극의 연결을 위한 절연물 및 연결선의 구성이 공정을 복잡하게 한다는 문제점이 있었다.
따라서, 이러한 종래기술과 달리, 광학적인 성질을 불리하게 하는 합지공정을 줄일 수 있는 터치스크린 패널의 개발이 요구되고 있으며, 전극 연결을 위한 절연물 및 연결선의 구성이 복잡하지 않아 공정을 단순하게 할 수 있는 터치스크린 패널의 개발도 요구되고 있다.
본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널 및 그 공정방법은, 서로 수직을 이루는 복수 개의 투명전극패턴층을 투명기판의 한쪽 면에 구성함으로써, 강화글라스 혹은 디스플레이 전면에 수직인 투명전극패턴층을 구성할 수 있게 하는 것을 해결과제로 한다.
또한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널 및 그 공정방법은, 정전용량 방식의 터치스크린 패널의 구성과 관련하여 접합층의 구성을 줄이는 것을 해결과제로 한다.
또한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널 및 그 공정방법은, 투명기판의 한쪽 면에서 서로 수직을 이루며 형성되는 투명전극패턴층을 복층으로 구성하는 것을 해결과제로 한다.
또한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널 및 그 공정방법은, 투명기판에 서로 수직을 이루며 형성되는 투명전극패턴들의 연결을 위한 연결선과 이들을 절연시키기 위한 절연층의 구성을 단순화시키는 것을 해결과제로 한다.
그리고, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널 및 그 공정방법은, 층간의 급격한 굴절률의 변화를 줄여 터치스크린 패널의 광투과율과 시인성을 개선하는 것을 해결과제로 한다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널은, 투명기판의 한쪽 면에 형성되는 굴절률정합층; 상기 굴절률정합층 위에 복층으로 형성되는 투명도전층; 및 상기 복층으로 형성되는 투명도전층 사이에 형성되는 절연층; 을 포함하되, 상기 복층으로 형성되는 투명도전층은, 일측 방향으로 나열되는 제1전극패턴이 형성되어 있는 제1전극패턴층; 및 상기 제1전극패턴의 나열방향과 수직인 방향으로 나열되는 제2전극패턴이 형성되어 있는 제2전극패턴층을 포함하고, 상기 제1전극패턴층 및 제2전극패턴층이 상기 투명기판의 한쪽 면에 복층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널은 상기 제1전극패턴층과 전기적으로 연결되는 제1배선전극; 및 상기 제2전극패턴층과 전기적으로 연결되는 제2배선전극을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 상기 제1배선전극 및 제2배선전극의 재질은 금속인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 상기 투명기판의 재질은 유리(glass)이고, 상기 투명도전층의 재질은 ITO(Indium Tin Oxide)인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 상기 굴절률정합층은, 이산화규소(SiO2)로부터 시작하여 질화규소(Si3N4)로 연속적으로 변화하는 연속적인 산질화규소(SiOxNy)층을 포함하고, 상기 연속적인 산질화규소(SiOxNy)층은, 이산화규소(SiO2)층에 가까이 갈수록 산소의 비율이 증가하여 이산화규소(SiO2)에 가까운 산질화규소(SiOxNy)가 되고, 질화규소(Si3N4)층에 가까이 갈수록 질소의 비율이 증가하여 질화규소(Si3N4)에 가까운 산질화규소(SiOxNy)가 되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 상기 절연층의 성분은 질화규소(Si3N4)인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 상기 제1전극패턴 및 제2전극패턴은, 각각의 패턴이 나열되는 방향과 수직인 방향으로 연결되는 복수의 마름모 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기와 같은 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정방법은, 투명기판의 한쪽 면에 굴절률정합층을 형성하는 단계; 상기 굴절률정합층 위에 투명도전층을 증착하고, 상기 투명도전층을 식각하여 일측 방향으로 나열되는 제1전극패턴층을 형성하는 단계; 상기 제1전극패턴층 위에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 위에 투명도전층을 증착하고, 상기 투명도전층 식각하여 상기 제1전극패턴층의 나열방향과 수직인 방향으로 나열되는 제2전극패턴층을 형성하는 단계; 상기 제1전극패턴층의 외곽부분에 증착된 절연층을 식각하여 제거하고, 제거된 부분에 상기 제1전극패턴층과 전기적으로 연결되는 제1배선전극을 형성하는 단계; 및 상기 제2전극패턴층의 외곽에 상기 제2전극패턴층과 전기적으로 연결되는 제2배선전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 투명도전층으로 형성된 제1전극패턴층 및 제2전극층패턴을 상기 투명기판의 한쪽 면에 복층으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정방법은, 상기 제1전극패턴층 및 제2전극패턴층이 포토리소그래피(Photolithography) 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정방법은, 상기 제1배선전극 및 제2배선전극이, 금속을 증착하는 공정 또는 은(Ag)을 인쇄하는 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정방법은, 상기 제1전극패턴층 및 제2전극패턴층이, 각각의 패턴의 나열방향과 수직인 방향으로 연결되는 복수의 마름모 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정방법은, 상기 투명기판의 재질로 유리(glass)를 사용하고, 상기 투명도전층의 재질로 ITO(Indium Tin Oxide)를 사용하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정방법은, 상기 굴절률정합층이, 이산화규소(SiO2)로부터 시작하여 질화규소(Si3N4)로 연속적으로 변화하는 연속적인 산질화규소(SiOxNy)층을 포함하고, 상기 연속적인 산질화규소(SiOxNy)층이, 이산화규소(SiO2)층에 가까이 갈수록 산소의 비율이 증가하여 이산화규소(SiO2)에 가까운 산질화규소(SiOxNy)가 되고, 질화규소(Si3N4)층에 가까이 갈수록 질소의 비율이 증가하여 질화규소(Si3N4)에 가까운 산질화규소(SiOxNy)가 되도록 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정방법은, 상기 절연층의 성분을 질화규소(Si3N4)로 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널 및 그 공정방법은, 서로 수직을 이루는 복수 개의 투명전극패턴층을 투명기판의 한쪽 면에 구성할 수 있다. 따라서 강화글라스 혹은 디스플레이의 전면만을 이용하여, 수직으로 형성되는 투명전극패턴층을 구성할 수 있게 한다.
또한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널 및 그 공정방법은, 정전용량 방식의 터치스크린 패널의 구성과 관련하여 OCA와 같은 접합층을 줄일 수 있다. 따라서, 접착성분으로 이루어지는 접합층에 의해 광학적 성질이 저하되는 것을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널 및 그 공정방법은, 투명기판의 한쪽 면에서 서로 수직을 이루며 형성되는 투명전극패턴층을 복층으로 구성할 수 있게 한다. 따라서 각각의 투명전극패턴을 연결하기 위한 연결선과 투명전극패턴 사이의 절연을 위한 절연물의 구성을 단순화시킬 수 있게 한다.
그리고, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널 및 그 공정방법은, 굴절률정합층을 연속적인 형태로 구성하고, 투명전극패턴층과 유사한 굴절률을 갖는 절연체를 사용하여 층간의 급격한 굴절률의 변화를 줄일 수 있게 한다. 따라서 터치스크린 패널의 광투과율과 시인성을 개선할 수 있게 된다.
도 1은, 종래기술 1에 따른 터치스크린 패널의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2는, 종래기술 2에 따른 터치스크린 패널의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3은, 종래기술 3에 따른 터치스크린 패널의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 5는, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 굴절률정합층의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 6은, 질화규소, 이산화규소 및 ITO의 파장에 따른 굴절률을 나타내는 그래프이다.
도 7은, 본 발명의 일 실시예에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 제1전극패턴층과 제2전극패턴층의 형상을 나타내는 평면도이다.
도 8은, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정과정 중에서, 투명기판의 한쪽 면에 굴절률정합층과 투명도전층이 형성된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 9는, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정과정 중에서, 도 4의 투명도전층을 식각하여 제1전극패턴층을 형성한 상태를 나타내는 단면도이다.
도 10은, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정과정 중에서, 제1전극패턴층 위에 절연층과 투명도전층이 형성된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 11은, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정과정 중에서, 도 4의 투명도전층을 식각하여 제2전극패턴층을 형성한 상태를 나타내는 단면도이다.
도 12는, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정과정 중에서, 제1전극패턴층과 제1배선전극의 연결을 위해 절연층의 일부를 식각하는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 13은, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정과정 중에서, 제1배선전극과 제2배선전극을 형성하는 과정을 나타내는 단면도이다.
도 14는, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정방법에 관한 흐름도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널 및 그 공정방법을 설명한다. 설명하는 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 당업자가 용이하게 이해할 수 있도록 제공되는 것으로 이에 의해 본 발명이 한정되지 않는다. 또한, 첨부된 도면에 표현된 사항들은 본 발명의 실시 예들을 쉽게 설명하기 위해 도식화된 도면으로 실제로 구현되는 형태와 상이할 수 있다.
이하, 도 4 내지 도 7를 참조하여 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널을 상세하게 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 구성을 나타내는 단면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 굴절률정합층(200)의 일 실시예를 나타내는 단면도이며, 도 6은, 질화규소, 이산화규소 및 ITO의 파장에 따른 굴절률을 나타내는 그래프이다. 또한 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 제1전극패턴층(310)과 제2전극패턴층(320)의 형상을 나타내는 평면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널은, 투명기판(100), 투명기판(100)의 한쪽 면에 형성되어 있는 굴절률정합층(200), 상기 굴절률정합층(200) 위에 형성되는 제1전극패턴층(310), 상기 제1전극패턴층(310) 위에 형성되는 절연층(400), 상기 절연층(400) 위에 형성되며 상기 제1전극패턴층(310)과는 수직을 이루는 제2전극패턴층(320), 상기 제1전극패턴층(310)과 전기적으로 연결되는 제1배선전극(510), 및 상기 제2전극 패턴층과 전기적으로 연결되는 제2배선전극(520)을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 투명기판(100)은 터치스크린에 사용되는 투명한 기판을 의미하며, 흔히 글래스(glass)나 필름(film) 등의 용어로도 지칭되는 기판을 의미한다. 이러한 상기 투명기판(100)은 유리(glass), PET(Poly Ethylene Terephthalate), PC(Poly Carbonate), PMMA(Poly Methyl Methacrylate) 등으로 구성될 수 있는데, 바람직하게는 유리(glass)로 구성될 수 있다. 유리 자체의 광학적 성질이 우수하고, 사용온도의 제한이 없어 저저항의 투명도전층(300)의 구현이 가능하기 때문이다.
상기 굴절률정합층(200)은, 상기 투명기판(100)과 상기 제1전극패턴층(310) 사이의 굴절률(index of refraction)을 정합(matching)시키는 역할을 하는 구성으로, 투명기판(100)과 제1전극패턴층(310) 사이의 굴절률 차이에 의해 상기 제1전극패턴층(310)의 패턴이 가시화되어서 화질이 저하되는 것을 방지하는 역할을 한다.
이러한 굴절률 정합층은, 오산화니오븀(Nb2O5)과 같은 고굴절률을 갖는 물질과 이산화규소(SiO2)와 같은 저굴절률을 갖는 물질을 다층막으로 구성하여 형성할 수 있지만, 연속적인 막의 형태로 굴절률정합층(200)을 형성하는 것이 더욱 바람직하다.
이러한 연속적인 막의 형태로 굴절률정합층(200)을 구성하면, 굴절률의 변화도 연속적으로 일어나므로 정확하게 굴절률을 정합시킬 수 있고, 층간의 굴절률의 변화를 줄여 광투과율과 시인성을 개선할 수 있기 때문이다.
구체적으로 살펴보면, 상기 연속적인 막의 형태로 형성된 굴절률정합층(200)은, 도 5와 같이, 이산화규소(SiO2)로부터 시작하여 질화규소(Si3N4)로 연속적으로 변화하는 연속적인 산질화규소(SiOxNy)층을 포함하며, 여기서 상기 연속적인 산질화규소(SiOxNy)층은, 이산화규소(SiO2)층에 가까이 갈수록 산소의 비율이 증가하여 이산화규소(SiO2)에 가까운 산질화규소(SiOxNy)가 되고, 질화규소(Si3N4)층에 가까이 갈수록 질소의 비율이 증가하여 질화규소(Si3N4)에 가까운 산질화규소(SiOxNy)가 되도록 형성할 수 있다.
이러한 상기 연속적인 굴절률정합층(200)은, 상기 투명기판(100)의 재질로 주로 사용되는 유리(glass)와 상기 제1전극패턴층(310)의 재질로 주로 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide)사이에 형성되어 보다 정확한 굴절률정합을 가능하게 하는데, 도 6에서 확인할 수 있듯이 질화규소(Si3N4)의 굴절률이 ITO와 비슷하고 투명기판(100)의 굴절률이 이산화규소(SiO2)와 유사하기 때문이다. 따라서 상기 연속적인 굴절률정합층(200)은, 상기 투명기판(100)과 상기 제1전극패턴층(310)에 굴절률이 유사한 막을 형성하고, 굴절률정합층(200) 내부에서는 굴절률을 연속적으로 변화시키므로, 보다 정확한 굴절률정합을 이룰 수 있게 한다.
상기 제1전극패턴층(310)은, 상기 굴절률정합층(200) 위에 증착되는 투명도전층(300)을 식각하여 형성되는 구성으로써, 일측 방향으로 일정하게 나열되는 제1전극패턴을 포함하는 구성이다.
이러한 제1전극패턴층(310)은 터치스크린에 터치가 있을 때의 전하량의 변화를 감지하게 되는데, 이러한 감지를 통해 터치 되는 일측 방향의 위치를 인식하게 된다.
여기서 상기 투명도전층(300)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aldoped ZnO), CNT(Carbon Nano Tube), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 투명잉크 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있는데, 상기 제1전극패턴층(310)도 이러한 투명도전층(300)을 식각하여 형성되므로 마찬가지의 성분으로 구성될 수 있다. 특히, 상기 제1전극패턴층(310)은 바람직하게는 ITO를 재질로 하여 구성할 수 있는데, 이러한 ITO의 투명성과 도전성이 우수하기 때문이다.
한편, 상기 제1전극패턴이 나열되는 방향은, 직사각형 형상으로 구성되는 터치스크린 패널의 모서리와 수직을 이루는 방향으로 구성되는 것이 바람직하고, 상기 제1전극패턴의 형상은, 평면에서 바라볼 때 원형, 타원형, 다각형 등 다양한 모양으로 형성될 수 있지만, 도 7과 같이 상기 나열되는 방향과 수직인 방향으로 연결되는 복수의 마름모 형태로 구성되는 것이 바람직하다.
상기 절연층(400)은, 도전성 물질로 이루어진 상기 제1전극패턴층(310)과 상기 제2전극패턴층(320)을 전기적으로 절연시키는 구성이다.
이러한 절연층(400)의 재질은 투광성을 나타내는 절연물질로 구성되어야 하는데, 바람직하게는 질화규소(Si3N4)를 성분으로 하여 구성될 수 있다. 상기 투명도전층(300)의 재질로써 주로 ITO가 사용이 되는데, 상기 질화규소(Si3N4)와 ITO의 굴절률이 비슷하여 박막계면에서 발생할 수 있는 빛의 반사를 최소화시킬 수 있기 때문이다.
따라서, 이러한 질화규소(Si3N4)로 절연층(400)을 구성하여, 층간의 급격한 굴절률의 변화를 줄일 수 있고, 터치스크린 패널의 광투과율과 시인성을 개선할 수 있게 된다.
상기 제2전극패턴층(320)은, 상기 절연층(400) 위에 증착되는 투명도전층(300)을 식각하여 형성되는 구성으로써, 상기 제1전극패턴이 나열되는 방향과 수직을 이루는 방향으로 일정하게 나열되는 제2전극패턴을 포함하는 구성이다.
이러한 제2전극패턴층(320)은 터치스크린에 터치가 있을 때의 전하량의 변화를 감지하게 되는데, 이러한 감지를 통해 상기 제1전극패턴층(310)이 인식하는 방향과 수직을 이루는 방향의 위치를 인식하게 된다.
여기서 상기 투명도전층(300)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aldoped ZnO), CNT(Carbon Nano Tube), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 투명잉크 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있는데, 상기 제2전극패턴층(320)도 이러한 투명도전층(300)을 식각하여 형성되므로 마찬가지의 성분으로 구성될 수 있다. 특히, 상기 제2전극패턴층(320)은 바람직하게는 ITO를 재질로 하여 구성할 수 있는데, 이러한 ITO의 투명성과 도전성이 우수하기 때문이다.
한편, 상기 제2전극패턴이 나열되는 방향은, 상기 제1전극패턴이 나열되는 방향과 수직을 이루는 방향으로 구성되는 것이 바람직하고, 상기 제2전극패턴의 형상은, 평면에서 바라볼 때 원형, 타원형, 다각형 등 다양한 모양으로 형성될 수 있지만, 도 7과 같이 상기 나열되는 방향과 수직인 방향으로 연결되어 있는 복수의 마름모 형태로 구성되는 것이 바람직하다.
상기 제1배선전극(510)은, 상기 제1전극패턴층(310)과 전기적으로 연결되는 구성으로써, 상기 제1전극패턴층(310)과 외부의 제어수단 혹은 인쇄회로기판(PCB)을 전기적으로 연결시키는 역할을 하는 구성이다.
이러한 상기 제1배선전극(510)은, 바람직하게는 금속전극의 형태로 구성될 수 있는데, 구체적으로, 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 은(Ag) 또는 금(Au) 중 어느 하나의 물질을 이용하여 구성될 수 있다.
한편, 상기 제1배선전극(510)은 상기 제1전극패턴층(310) 위에 형성되어야 하므로, 상기 제1전극패턴층(310) 위에 형성된 절연층(400)의 일부를 식각한 후에 형성하게 된다.
상기 제2배선전극(520)은, 상기 제2전극패턴층(320)과 전기적으로 연결되는 구성으로써, 상기 제2전극패턴층(320)과 외부의 제어수단 혹은 인쇄회로기판(PCB)을 전기적으로 연결시키는 역할을 하는 구성이다.
이러한 상기 제2배선전극(520)은, 바람직하게는 금속전극의 형태로 구성될 수 있는데, 구체적으로, 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 은(Ag) 또는 금(Au) 중 어느 하나의 물질을 이용하여 구성될 수 있다.
이상에서 살핀 본 발명에 따른 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널은, 상기 투명기판(100)의 한쪽 면에 상기 제1전극패턴층(310)과 제2전극패턴층(320)이 복층을 이루어 형성이 된다. 또한, 상기 투명기판(100)의 재질은 바람직하게는 유리(glass)로 형성이 된다.
따라서, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널은, 서로 수직을 이루는 복수 개의 투명전극패턴층을 투명기판(100)의 한쪽 면에 구성하므로, 강화글라스 혹은 디스플레이의 전면만을 이용하여 상기 제1전극패턴층(310)과 제2전극패턴층(320)을 모두 구성할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널은, 투명기판(100)의 한쪽 면에서 상기 제1전극패턴층(310)과 제2전극패턴층(320)을 복층으로 구성하므로, 각각의 전극패턴을 연결하기 위한 연결선과 전극패턴층 사이의 절연을 위한 절연층(400)의 구성을 단순화시킬 수 있게 한다.
그리고, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널은, 정전용량 방식의 터치스크린 패널의 구성과 관련하여 OCA와 같은 접합층을 줄이므로, 접착층에 의해 광학적 성질이 저하되는 것을 줄일 수 있다.
이하, 도 8 내지 도 14를 참조하여 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정방법을 상세히 설명한다.
도 8은 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정과정 중에서, 투명기판(100)의 한쪽 면에 굴절률정합층(200)과 투명도전층(300)이 형성된 상태를 나타내는 단면도이고, 도 9는 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정과정 중에서, 도 4의 투명도전층(300)을 식각하여 제1전극패턴층(310)을 형성한 상태를 나타내는 단면도이다.
또한, 도 10은 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정과정 중에서, 제1전극패턴층(310) 위에 절연층(400)과 투명도전층(300)이 형성된 상태를 나타내는 단면도이고, 도 11은 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정과정 중에서, 도 4의 투명도전층(300)을 식각하여 제2전극패턴층(320)을 형성한 상태를 나타내는 단면도이다.
그리고, 도 12는 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정과정 중에서, 제1전극패턴층(310)과 제1배선전극(510)의 연결을 위해 절연층(400)의 일부를 식각하는 상태를 나타내는 단면도이고, 도 13은 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정과정 중에서, 제1배선전극(510)과 제2배선전극(520)을 형성하는 과정을 나타내는 단면도이다.
마지막으로, 도 14는 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정방법에 관한 흐름도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정방법, 먼저 투명기판(100)의 한쪽 면에 굴절률정합층(200)을 형성하는 단계를 포함한다.(S10)
구체적으로, 상기 굴절률정합층(200)의 형성은 상기 투명기판(100)의 한쪽 면 위에 굴절률정합층(200)을 증착시키는 방식으로 이루어지며, 상기 증착은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)등의 화학기상증착(CVP, Chemical Vapor Deposition)이나 스퍼터링(Sputtering)등의 물리기상증착(PVD, Physical Vapor Deposition) 방식에 의해 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 투명기판(100)은 유리(glass), PET(Poly Ethylene Terephthalate), PC(Poly Carbonate), PMMA(Poly Methyl Methacrylate) 등으로 형성될 수 있는데, 바람직하게는 유리(glass)로 형성될 수 있다. 유리 자체의 광학적 성질이 우수하고, 사용온도의 제한이 없어 저저항의 투명도전층(300)의 구현이 가능하기 때문이다.
또한, 상기 굴절률 정합층은, 오산화니오븀(Nb2O5)과 같은 고굴절률을 갖는 물질과 이산화규소(SiO2)와 같은 저굴절률을 갖는 물질을 다층막으로 구성하여 형성할 수 있지만, 연속적인 막의 형태로 굴절률정합층(200)을 형성하는 것이 더욱 바람직하다. 연속적인 막의 형태로 굴절률정합층(200)을 구성해야, 굴절률의 변화도 연속적으로 일어나므로 정확하게 굴절률을 정합시킬 수 있고, 층간의 굴절률의 변화를 줄여 광투과율과 시인성을 개선할 수 있기 때문이다.
구체적으로 살펴보면, 상기 연속적인 막의 형태로 형성된 굴절률정합층(200)은, 도 5와 같이, 이산화규소(SiO2)로부터 시작하여 질화규소(Si3N4)로 연속적으로 변화하는 연속적인 산질화규소(SiOxNy)층을 포함하며, 여기서 상기 연속적인 산질화규소(SiOxNy)층은, 이산화규소(SiO2)층에 가까이 갈수록 산소의 비율이 증가하여 이산화규소(SiO2)에 가까운 산질화규소(SiOxNy)가 되고, 질화규소(Si3N4)층에 가까이 갈수록 질소의 비율이 증가하여 질화규소(Si3N4)에 가까운 산질화규소(SiOxNy)가 되도록 형성할 수 있다.
이러한 상기 연속적인 굴절률정합층(200)은, 상기 투명기판(100)의 재질로 주로 사용되는 유리(glass)와 상기 제1전극패턴층(310)의 재질로 주로 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide)사이에 형성되어 보다 정확한 굴절률정합을 가능하게 하는데, 도 6에서 확인할 수 있듯이 질화규소(Si3N4)의 굴절률이 ITO와 비슷하고 투명기판(100)의 굴절률이 이산화규소(SiO2)와 유사하기 때문이다. 따라서 상기 연속적인 굴절률정합층(200)은, 상기 투명기판(100)과 상기 제1전극패턴층(310)에 굴절률이 유사한 막을 맞닿게 하고, 굴절률정합층(200) 내부에서는 굴절률을 연속적으로 변화시키므로, 보다 정확한 굴절률정합을 이룰 수 있게 된다.
상기 S10단계에 의해 투명기판(100)에 상기 굴절률정합층(200)을 형성시킨 이후에는, 도 9와 같이 상기 굴절률정합층(200) 위에 투명도전층(300)을 증착하고, 상기 투명도전층(300)을 식각하여 일측 방향으로 나열되는 제1전극패턴층(310)을 형성한다.(S11)
여기서 투명도전층(300)의 증착은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)등의 화학기상증착(CVP, Chemical Vapor Deposition)이나 스퍼터링(Sputtering)등의 물리기상증착(PVD, Physical Vapor Deposition) 방식으로 이루어질 수 있으며, 재질은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aldoped ZnO), CNT(Carbon Nano Tube), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 투명잉크 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 상기 투명도전층(300)의 식각(Etching)은, 바람직하게는 포토리소그래피(Photolithography) 공정에 의해 식각마스크를 형성한 후에 이루어지며, 습식식각(Wet Etching) 방식에 의하거나, 건식식각(Dry Etching)방식에 의할 수 있다.
그리고 상기 제1전극패턴층(310)이 식각되어 나열되는 방향은, 직사각형 형상으로 구성되는 터치스크린 패널의 모서리와 수직을 이루는 방향으로 구성되는 것이 바람직하며, 상기 제1전극패턴층(310)의 형상은, 평면에서 바라볼 때 원형, 타원형, 다각형 등 다양한 모양으로 식각될 수 있지만, 도 7과 같이 상기 나열되는 방향과 수직인 방향으로 연결되는 복수의 마름모 형태로 구성되는 것이 바람직하다.
상기 S11단계에 의해서 제1전극패턴층(310)이 형성이 되면, 도 10과 같이 제1전극패턴층(310) 위에 절연층(400)을 형성하게 된다.(S12)
이러한 절연층(400)의 형성은, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)등의 화학기상증착(CVP, Chemical Vapor Deposition)이나 스퍼터링(Sputtering)등의 물리기상증착(PVD, Physical Vapor Deposition) 방식으로 이루어질 수 있으며, 재질은 투광성을 나타내는 절연물질로 구성되어야 하는데, 바람직하게는 질화규소(Si3N4)를 성분으로 하여 구성될 수 있다.
이러한 상기 투명도전층(300)의 재질로써 주로 ITO가 사용이 되는데, 상기 질화규소(Si3N4)와 ITO의 굴절률이 비슷하여 박막계면에서 발생할 수 있는 빛의 반사를 최소화시킬 수 있기 때문이다.
따라서, 이러한 질화규소(Si3N4)로 절연층(400)을 구성하여, 층간의 급격한 굴절률의 변화를 줄일 수 있고, 터치스크린 패널의 광투과율과 시인성을 개선할 수 있게 된다.
상기 S12단계에 의해 절연층(400)을 형성한 이후에는, 도 10과 같이 상기 절연층(400)에 투명도전층(300)을 증착하고, 도 11과 같이 상기 투명도전층(300)을 식각하여 제1전극패턴층(310)과 직교하는 방향으로 배열되는 제2전극패턴층(320)을 형성한다. (S13)
여기서 투명도전층(300)의 증착은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)등의 화학기상증착(CVP, Chemical Vapor Deposition)이나 스퍼터링(Sputtering)등의 물리기상증착(PVD, Physical Vapor Deposition) 방식으로 이루어질 수 있으며, 재질은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aldoped ZnO), CNT(Carbon Nano Tube), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 투명잉크 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 상기 투명도전층(300)의 식각(Etching)은, 바람직하게는 포토리소그래피(Photolithography) 공정에 의해 식각마스크를 형성한 후에 이루어지며, 습식식각(Wet Etching) 방식에 의하거나, 건식식각(Dry Etching)방식에 의할 수 있다.
그리고, 상기 제2전극패턴층(320)이 나열되는 방향은, 상기 제1전극패턴층(310)이 나열되는 방향과 수직을 이루는 방향으로 구성되는 것이 바람직하며, 상기 제2전극패턴층(320)의 형상은, 평면에서 바라볼 때 원형, 타원형, 다각형 등 다양한 모양으로 형성될 수 있지만, 도 7과 같이 상기 나열되는 방향과 수직인 방향으로 연결되어 있는 복수의 마름모 형태로 구성되는 것이 바람직하다.
상기 S13단계에 의해 제2전극패턴층(320)이 형성된 이후에는, 도 12와 같이 제1전극패턴층(310)의 외곽부분에 증착된 절연층(400)을 식각하여 제거하고, 도 13과 같이 상기 제1전극패턴층(310)과 전기적으로 연결되는 제1배선전극(510)을 형성한다.(S14)
여기서 절연층(400)의 식각은, 바람직하게는 포토리소그래피(Photolithography) 공정에 의해 식각마스크를 형성한 후에 이루어지며, 습식식각(Wet Etching) 방식에 의하거나, 건식식각(Dry Etching)방식에 의할 수 있다.
또한, 상기 제1배선전극(510)은, 상기 절연층(400)이 식각되어 제거된 위치에 형성이 되며, 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 금(Au) 등의 금속을 증착시키거나 은(Ag)을 인쇄하는 공정에 의해 형성이 될 수 있다.
상기 S14단계 이후에는, 마찬가지로 제2전극패턴층(320)에 배선전극을 형성하는 공정이 진행이 되며, 도 13과 같이 상기 제2전극패턴층(320)의 외곽에 제2전극패턴층(320)과 전기적으로 연결되는 제2배선전극(520)을 형성하는 공정이 진행이 된다.(S15)
여기서, 상기 제2배선전극(520)은, 제2전극패턴층(320)의 외곽에 형성이 되며, 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 금(Au) 등의 금속을 증착시키거나 은(Ag)을 인쇄하는 공정에 의해 형성이 될 수 있다.
이상에서 살핀 본 발명에 따른 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정방법은, 상기 투명기판(100)의 한쪽 면에 상기 제1전극패턴층(310)과 제2전극패턴층(320)이 복층을 이루어 형성이 되는 터치스크린 패널을 제작할 수 있게 한다.
따라서, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정방법은, 서로 수직을 이루는 복수 개의 투명전극패턴층을 투명기판(100)의 한쪽 면에 구성할 수 있어, 강화글라스 혹은 디스플레이의 전면만을 이용하여 상기 제1전극패턴층(310)과 제2전극패턴층(320)을 모두 구성할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정방법은, 투명기판(100)의 한쪽 면에서 상기 제1전극패턴층(310)과 제2전극패턴층(320)을 복층으로 구성할 수 있으므로, 각각의 전극패턴을 연결하기 위한 연결선과 전극패턴층 사이의 절연을 위한 절연층(400)의 구성을 단순화시킬 수 있게 한다.
그리고, 본 발명에 따른 다층박막 방식의 정전용량 터치스크린 패널의 공정방법은, 정전용량 방식의 터치스크린 패널의 구성과 관련하여 OCA와 같은 접합층을 줄이므로, 접착층에 의해 광학적 성질이 저하되는 것을 줄일 수 있다.
위에서 설명된 본 발명의 실시 예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 본 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
100 : 투명기판 200 : 굴절률정합층
300 : 투명도전층 310 : 제1전극패턴층
320 : 제2전극패턴층 400 : 절연층
510 : 제1배선전극 520 : 제2배선전극
600 : 접착제

Claims (14)

  1. 투명기판의 한쪽 면에 형성되는 굴절률정합층;
    상기 굴절률정합층 위에 복층으로 형성되는 투명도전층; 및
    상기 복층으로 형성되는 투명도전층 사이에 형성되는 절연층;
    을 포함하되,
    상기 복층으로 형성되는 투명도전층은,
    일측 방향으로 나열되는 제1전극패턴이 형성되어 있는 제1전극패턴층; 및
    상기 제1전극패턴의 나열방향과 수직인 방향으로 나열되는 제2전극패턴이 형성되어 있는 제2전극패턴층을 포함하고,
    상기 제1전극패턴층 및 제2전극패턴층이 상기 투명기판의 한쪽 면에 복층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1전극패턴층과 전기적으로 연결되는 제1배선전극; 및
    상기 제2전극패턴층과 전기적으로 연결되는 제2배선전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1배선전극 및 제2배선전극의 재질은 금속인 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명기판의 재질은 유리(glass)이고, 상기 투명도전층의 재질은 ITO(Indium Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 굴절률정합층은,
    이산화규소(SiO2)로부터 시작하여 질화규소(Si3N4)로 연속적으로 변화하는 연속적인 산질화규소(SiOxNy)층을 포함하고, 상기 연속적인 산질화규소(SiOxNy)층은, 이산화규소(SiO2)층에 가까이 갈수록 산소의 비율이 증가하여 이산화규소(SiO2)에 가까운 산질화규소(SiOxNy)가 되고, 질화규소(Si3N4)층에 가까이 갈수록 질소의 비율이 증가하여 질화규소(Si3N4)에 가까운 산질화규소(SiOxNy)가 되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 절연층의 성분은 질화규소(Si3N4)인 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1전극패턴 및 제2전극패턴은, 각각의 패턴이 나열되는 방향과 수직인 방향으로 연결되는 복수의 마름모 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널.
  8. 투명기판의 한쪽 면에 굴절률정합층을 형성하는 단계;
    상기 굴절률정합층 위에 투명도전층을 증착하고, 상기 투명도전층을 식각하여 일측 방향으로 나열되는 제1전극패턴층을 형성하는 단계;
    상기 제1전극패턴층 위에 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층 위에 투명도전층을 증착하고, 상기 투명도전층 식각하여 상기 제1전극패턴층의 나열방향과 수직인 방향으로 나열되는 제2전극패턴층을 형성하는 단계;
    상기 제1전극패턴층의 외곽부분에 증착된 절연층을 식각하여 제거하고, 제거된 부분에 상기 제1전극패턴층과 전기적으로 연결되는 제1배선전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제2전극패턴층의 외곽에 상기 제2전극패턴층과 전기적으로 연결되는 제2배선전극을 형성하는 단계;
    를 포함하고,
    상기 투명도전층으로 형성된 제1전극패턴층 및 제2전극층패턴을 상기 투명기판의 한쪽 면에 복층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 공정방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1전극패턴층 및 제2전극패턴층은, 포토리소그래피(Photolithography) 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 공정방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1배선전극 및 제2배선전극은,
    금속을 증착하는 공정 또는 은(Ag)을 인쇄하는 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 공정방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 투명기판의 재질로 유리(glass)를 사용하고, 상기 투명도전층의 재질로 ITO(Indium Tin Oxide)를 사용하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 공정방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 굴절률정합층은, 이산화규소(SiO2)로부터 시작하여 질화규소(Si3N4)로 연속적으로 변화하는 연속적인 산질화규소(SiOxNy)층을 포함하고,
    상기 연속적인 산질화규소(SiOxNy)층은, 이산화규소(SiO2)층에 가까이 갈수록 산소의 비율이 증가하여 이산화규소(SiO2)에 가까운 산질화규소(SiOxNy)가 되고, 질화규소(Si3N4)층에 가까이 갈수록 질소의 비율이 증가하여 질화규소(Si3N4)에 가까운 산질화규소(SiOxNy)가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 공정방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 절연층의 성분을 질화규소(Si3N4)로 하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 공정방법.

  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1전극패턴층 및 제2전극패턴층은, 각각의 패턴이 나열되는 방향과 수직인 방향으로 연결되는 복수의 마름모 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 공정방법.
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