KR20210000437A - 터치 스크린 패널 제조 방법 - Google Patents

터치 스크린 패널 제조 방법 Download PDF

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KR20210000437A
KR20210000437A KR1020190075514A KR20190075514A KR20210000437A KR 20210000437 A KR20210000437 A KR 20210000437A KR 1020190075514 A KR1020190075514 A KR 1020190075514A KR 20190075514 A KR20190075514 A KR 20190075514A KR 20210000437 A KR20210000437 A KR 20210000437A
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정우석
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Abstract

본 발명에 따른 터치 스크린 패널 제조 방법은 셀 영역 및 상기 셀 영역 둘레의 배선 영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계, 상기 기판의 상기 셀 영역 상에 제1 방향으로 배열된 X축 전극 셀들과 상기 X축 전극 셀들을 연결하는 X축 연결 전극들을 포함하는 X축 전극들 및 상기 X축 전극들과 이격되되, 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 배열되며 상기 X축 연결 전극들 사이에 위치하는 Y축 전극 셀들을 형성하는 단계, 상기 X축 전극들 및 상기 Y축 전극 셀들 상에 제공되는 메시 패턴들 및 상기 기판의 상기 배선 영역 상에 제공되는 배선들을 동시에 형성하는 단계, 및 상기 X축 연결 전극들 상면에 절연 패턴들 및 브릿지 전극들을 차례로 형성하는 단계를 포함하되, 상기 X축 전극들 및 상기 Y축 전극 셀들은 제1 산화막, 중간 금속막 및 제2 산화막을 포함하고, 상기 메시 패턴들은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 기울어진 방향들로 연장된다.

Description

터치 스크린 패널 제조 방법{Method of manufacturing touch screen panel}
본 발명은 터치 스크린 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 컴퓨터, 휴대용 이동통신 단말기 등의 전자 장치들이 보편화 되면서, 터치 스크린은 데이터를 입력하기 위한 수단으로써 널리 사용되고 있다. 터치 스크린은 저항막 방식, 정전용량 방식, 초음파 방식 및 적외선 방식으로 분류된다.
저항막 방식 터치 스크린은 손가락 또는 펜을 이용하여 기판을 터치하면 상하부 기판의 투명전극이 서로 접촉하면서 전기적 신호가 발생하며, 발생된 전기적 신호로 위치를 파악하여 데이터를 입력하는 장치이다. 저항막 방식 터치 스크린은 가격이 저렴하고, 빛 투과성이 높으며, 멀티터치가 가능하다. 또한, 저항막 방식 터치 스크린은 반응속도가 빨라 소형화에 유리하여 PDA, PMP, 네비게이션 및 헤드셋 등에 주로 적용된다.
정전용량 방식 터치 스크린은 투명 전극을 포함하는 기판을 손가락 등으로 터치하는 경우 손가락에서 발생하는 정전기에 의해서 절연층에 일정한 정전용량이 형성되는 점을 이용한다. 정전용량이 형성된 부분을 통해 신호가 전달되며 신호의 크기를 계산하여 위치를 파악한다. 정전용량 방식 터치 스크린은 멀티터치가 가능하며, 투과도가 높다. 이에 따라, 정전용량 방식 터치 스크린은 면적이 넓고 및 두께가 얇은 디스플레이에 적용이 가능하다.
초음파 방식(SAW) 터치 스크린은 방출된 초음파가 장애물을 만나 파동의 크기가 줄어든 것을 감지하는 기술을 이용한다. 초음파 방식 터치 스크린은 투과성, 정확성 및 선명도가 높아 외부 장소에 설치된 무인 정보단말기 등에 사용된다. 다만, 액체 등으로 인한 센서의 오염에 약하다.
적외선 방식(IR) 터치 스크린은 직진성으로 인해 장애물이 있으면 차단되는 적외선의 특성을 이용한다. 적외선 방식 터치 스크린은 디스플레이 전면에 ITO(Indium Tin Oxide) 필름이나 유리기판이 필요 없고 유리 한 장으로 구현이 가능하여 투과율이 가장 우수하다.
본 발명은 간소화된 터치 스크린 패널의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 멀티 터치가 가능하고, 대면적이며, 시인성이 확보되는 터치 스크린 패널의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 셀 영역 및 상기 셀 영역 둘레의 배선 영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계, 상기 기판의 상기 셀 영역 상에 제1 방향으로 배열된 X축 전극 셀들과 상기 X축 전극 셀들을 연결하는 X축 연결 전극들을 포함하는 X축 전극들 및 상기 X축 전극들과 이격되되, 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 배열되며 상기 X축 연결 전극들 사이에 위치하는 Y축 전극 셀들을 형성하는 단계, 상기 X축 전극들 및 상기 Y축 전극 셀들 상에 제공되는 메시 패턴들 및 상기 기판의 상기 배선 영역 상에 제공되는 배선들을 동시에 형성하는 단계, 및 상기 X축 연결 전극들 상면에 절연 패턴들 및 브릿지 전극들을 차례로 형성하는 단계를 포함하되, 상기 X축 전극들 및 상기 Y축 전극 셀들은 제1 산화막, 중간 금속막 및 제2 산화막을 포함하고, 상기 메시 패턴들은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 기울어진 방향들로 연장되는 터치 스크린 패널 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널 제조 방법은 메시 패턴들과 배선들을 동시에 형성할 수 있어 패터닝 공정을 줄일 수 있다. 또한 별도의 브릿지 전극들을 형성하기 위한 콘택홀 공정을 생략할 수 있다. 따라서, 터치 스크린 패널의 제조 공정이 간소화될 수 있고 터치 스크린 패널의 제조 비용을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널 제조 방법에 따르면 멀티 터치가 가능하고, 대면적이며, 시인성이 확보되는 터치 스크린 패널을 제조할 수 있다.
도 1a 내지 도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널 제조 방법을 단계별로 나타내는 평면도들이다.
도 1b 내지 도 3b는 도 1a 내지 도 3a의 Ⅰ-Ⅰ' 선을 따라 절단한 단면도들이다.
도 1c 내지 도 3c는 도 1a 내지 도 3a의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절단한 단면도들이다.
본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 수정 및 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예의 설명을 통해 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 구성 요소들은 설명의 편의를 위하여 그 크기가 실제보다 확대하여 도시한 것이며, 각 구성 요소의 비율은 과장되거나 축소될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예를 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 또한 본 명세서에서 사용되는 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다.
본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 ‘포함한다(comprises)’ 및/또는 ‘포함하는(comprising)’은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
본 명세서에서 어떤 층이 다른 층 '상(上)에' 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 상면에 직접 형성되거나 그들 사이에 제3 의 층이 개재될 수도 있다.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 영역, 층 등을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 영역, 층이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 소정 영역 또는 층을 다른 영역 또는 층과 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시예에서 제1 부분으로 언급된 부분이 다른 실시예에서는 제2 부분으로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 실시예는 그것의 상보적인 실시예도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
이하, 도 1a 내지 도 3c를 참조하여 본 발명에 따른 터치 스크린 패널 제조 방법의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
도 1a 내지 도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널 제조 방법을 단계별로 나타내는 평면도들이다. 도 1b 내지 도 3b는 도 1a 내지 도 3a의 Ⅰ-Ⅰ' 선을 따라 절단한 단면도들이다. 도 1c 내지 도 3c는 도 1a 내지 도 3a의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절단한 단면도들이다.
도 1a 내지 도 1c를 참조하면, 제1 완충층(101) 및 제2 완충층(102)이 차례로 형성된 기판(100) 상에 X축 전극들(200) 및 Y축 전극 셀들(300)이 형성될 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 도시된 바와 달리, 제1 완충층(101) 및 제2 완충층(102)은 생략될 수 있다. X축의 방향은 제1 방향(D1)과 나란할 수 있다. Y축의 방향은 제2 방향(D2)과 나란할 수 있다.
기판(100)은 셀 영역(A) 및 셀 영역(A) 둘레의 배선 영역(B)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(100)은 화학적으로 강화 처리된 강화 유리 기판, 강화된 플라스틱 기판, 강화 필름이 코팅된 PC(Personal Computer) 기판 또는 PET(PolyEthylene Terphthalate) 기판일 수 있다.
제1 완충층(101)은 기판(100)의 상부면에 형성될 수 있다. 제1 완충층(101)의 두께는, 예를 들어, 약 2nm 내지 20nm일 수 있다. 제1 완충층(101)은 스크린 프린팅 방법(Screen printing), 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD), 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD) 및 원자 층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD) 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성될 수 있다. 제1 완충층(101)은 굴절률이 높은 절연체 물질로 형성될 수 있다. 제1 완충층(101)은 약 1.8 내지 2.9 사이의 굴절률을 가진 투명 절연체 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 완충층(101)은 투명 절연체 물질인 TiO2, Nb2O5, ZrO2, Ta2O5 및 HfO2 중 적어도 어느 하나의 물질로 형성될 수 있다.
제2 완충층(102)은 제1 완충층(101)의 상부면에 형성될 수 있다. 제2 완충층(102)의 두께는, 예를 들어, 약 20nm 내지 100nm일 수 있다. 제2 완충층(102)은 스크린 프린팅 방법(Screen printing), 물리 기상 증착법(PVD), 화학 기상 증착법(CVD) 및 원자 층 증착법(ALD) 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성될 수 있다. 제2 완충층(102)은 굴절률이 낮은 절연체 물질로 형성될 수 있다. 제2 완충층(102)은 약 1.3 내지 1.8 사이의 굴절률을 가지는 투명 절연체 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 완충층(102)은 투명 절연체 물질인 SiO2, SiNx, MgF2 및 SiOxNy 중 적어도 어느 하나의 물질로 형성될 수 있다.
X축 전극들(200) 및 Y축 전극 셀들(300)은 하이브리드(hybrid) 전극들일 수 있다. 즉, X축 전극들(200) 및 Y축 전극 셀들(300)은 각각 제1 산화막(110), 중간 금속막(120) 및 제2 산화막(130)을 포함할 수 있다. 제1 산화막(110)의 두께는, 예를 들어, 약 20nm 내지 60nm일 수 있다. 예를 들어, 제1 산화막(110)은 ZnO, ZITO(ZnO+In2O3+SnO2), SiO2, ZTO, TiO2, AZO(Al-doped ZnO), GZO(Ga-doped ZnO), SiNx, ITO, IZO(In2O3+ZnO) 및 이들의 화합물 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 중간 금속막(120)의 두께는, 예를 들어, 약 5nm 내지 20nm일 수 있다. 예를 들어, 중간 금속막(120)은 Ag 또는 Ag 합금으로 형성될 수 있다. Ag 합금은 Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd 및 Ag-Au-Cu 등의 이원계 및 삼원계 금속을 포함할 수 있다. 제2 산화막(130)의 두께는, 예를 들어, 약 20nm 내지 60nm일 수 있다. 예를 들어, 제2 산화막(130)은 TIO, IZTO, IZO, AZO 및 GZO 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
X축 전극들(200)은 제2 완충층(102) 상면에 제1 방향(D1)으로 나열되도록 형성될 수 있다. X축 전극들(200) 각각은 X축 전극 셀들(200a)과 X축 전극 셀들(200a)을 연결하는 X축 연결 전극들(200b)을 포함할 수 있다. X축 전극 셀들(200a)은 마름모 모양으로 형성될 수 있다. 이에 따라, X축 전극 셀들(200a)은 각각의 꼭지점 부분이 상하좌우로 이웃하여 서로 마주보도록 형성될 수 있다. X축 연결 전극들(200b)은 제1 방향(D1)으로 서로 이웃하고 있는 X축 전극 셀들(200a)의 꼭지점 부분을 연결하도록 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, X축 전극 셀들(200a)의 패턴은 마름모, 직사각형, 정사각형 및 다각형 모양으로 형성될 수 있다.
Y축 전극 셀들(300)은 제2 완충층(102) 상면에 제2 방향(D2)으로 나열되도록 형성될 수 있다. 제2 방향(D2)은 제1 방향(D1)과 수직할 수 있다. Y축 전극 셀들(300)은 X축 전극들(200)과 이격되도록 형성될 수 있다. Y축 전극 셀들(300)은 X축 전극들(200)과 접하지 않도록 서로 이웃하는 X축 연결 전극들(200b) 사이에 위치하도록 형성될 수 있다. Y축 전극 셀들(300)은 마름모 모양으로 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, Y축 전극 셀들(300)의 패턴은 마름모, 직사각형, 정사각형 및 다각형 모양으로 형성될 수 있다.
X축 전극들(200)과 Y축 전극 셀들(300)을 형성할 때, X축 연결 전극들(200b)의 제2 방향(D2)으로의 폭(d1) 및 Y축 전극 셀들(300) 사이의 제1 방향(D1)으로 이격된 폭(d2)은, 예를 들어, 약 20㎛ 내지 2000㎛일 수 있다. Y축 전극 셀들(300) 사이의 제1 방향(D1)으로 이격된 폭(d2)은 X축 연결 전극들(200b)의 제2 방향(D2)으로의 폭(d1)과 같거나 더 넓을 수 있다. 서로 이웃하고 있는 X축 전극 셀들(200a)과 Y축 전극 셀들(300) 사이의 폭(d3)은, 예를 들어, 약 20㎛ 내지 2000㎛일 수 있다. 제2 방향(D2)으로 서로 이웃하고 있는 X축 전극 셀들(200a)의 꼭지점들 간의 폭(d4)은, 예를 들어, 약 10㎛ 내지 1000㎛일 수 있다.
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 메시 패턴들(401) 및 배선들(402, 403)이 동시에 형성될 수 있다.
메시 패턴들(401)은 셀 영역(A) 상에 형성될 수 있다. 메시 패턴들(401)은 X축 전극들(200) 및 Y축 전극 셀들(300) 상에 형성될 수 있다. 메시 패턴들(401)은 제2 산화막(130)의 일부를 패터닝하여 식각한 이후, 제2 산화막(130)이 식각되어 외부로 노출된 중간 금속막(120) 상에 전기 도금 공정을 통해 형성될 수 있다. 제2 산화막(130)은 포토 레지스트 공정, 습식 식각 공정 및 건식 식각 공정 중 적어도 어느 하나의 공정을 통해 패터닝될 수 있다. 메시 패턴들(401)은 제3 방향(D3) 및 제4 방향(D4)으로 연장되는 직선들을 포함할 수 있다. 제3 방향(D3)과 제4 방향(D4)은 서로 수직할 수 있다. 제3 방향(D3)으로 연장되는 메시 패턴들(401)의 제4 방향(D4)으로의 폭은 X축 연결 전극들(200b)의 제2 방향(D2)으로의 폭(d1)보다 작을 수 있다. 제4 방향(D4)으로 연장되는 메시 패턴들(401)의 제3 방향(D3)으로의 폭은 제3 방향(D3)으로 연장되는 메시 패턴들(401)의 제4 방향(D4)으로의 폭과 실질적으로 동일할 수 있다. 제3 방향(D3)으로 연장되는 메시 패턴들(401)의 제4 방향(D4)으로의 폭 및 제4 방향(D4)으로 연장되는 메시 패턴들(401)의 제3 방향(D3)으로의 폭은, 예를 들어, 약 1㎛ 내지 20㎛일 수 있다. 제3 방향(D3)은 제1 방향(D1)으로부터 기울어진 방향일 수 있다. 제3 방향(D3)이 제1 방향(D1)으로부터 기울어진 각도(θ)는 약 5도 내지 45도, 보다 상세하게는 약 20도 내지 30도일 수 있다. 제4 방향(D4)이 제2 방향(D2)으로부터 기울어진 각도는 제3 방향(D3)이 제1 방향(D1)으로부터 기울어진 각도(θ)와 실질적으로 동일할 수 있다. 메시 패턴들(401)은 Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti/Cu, Ti/Ag, Cr/Ag, Cr/Cu, Al/Cu 및 Mo/Al/Mo 중 어느 하나의 물질로 이루어진 단층 및/또는 다층의 금속으로 형성될 수 있다. 메시 패턴들(401)의 빛 투과도는 약 85% 이상일 수 있다. 메시 패턴들(401)이 X축 전극들(200)이 나열되는 제1 방향(D1) 및 Y축 전극 셀들(300)이 나열되는 제2 방향(D2)으로부터 기울어진 방향으로 형성됨으로 인해, 터치 스크린 패널은 모아레(moire) 현상을 회피할 수 있다. 이를 통해, 터치 스크린 패널의 시인성이 확보될 수 있다.
배선들(402, 403)은 배선 영역(B) 상에 형성될 수 있다. 배선들(402, 403)은 사이에 일정한 간격을 가지도록 형성될 수 있다. 배선들(402, 403)은 X축 전극 셀들(200a)과 연결되는 구동(driving) 배선들(402) 및, Y축 전극 셀들(300)과 연결되는 감지(sensing) 배선들(403)을 포함할 수 있다. 구동 배선들(402) 사이의 간격과 감지 배선들(403) 사이의 간격은, 예를 들어, 약 20㎛ 내지 2000㎛일 수 있다. 구동 배선들(402) 사이의 간격과 감지 배선들(403) 사이의 간격은 실질적으로 동일할 수 있다. 배선들(402, 403)의 제1 방향(D1) 또는 제2 방향(D2)으로의 폭은, 예를 들어, 약 1㎛ 내지 20㎛일 수 있다. 배선들(402, 403)의 제1 방향(D1) 또는 제2 방향(D2)으로의 폭은 터치 스크린 패널의 크기와 배선들(402, 403)의 저항 값에 의해 달라질 수 있다. 배선들(402, 403)은 Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti/Cu, Ti/Ag, Cr/Ag, Cr/Cu, Al/Cu 및 Mo/Al/Mo 중 어느 하나의 물질로 이루어진 단층 및/또는 다층의 금속으로 형성될 수 있다. 배선들(402, 403)은 메시 패턴들(401)과 실질적으로 동일한 물질로 형성될 수 있다. 배선들(402, 403)이 메시 패턴들(401)과 동시에 형성됨으로 인해, 터치 스크린 패널 제조 방법이 간소화될 수 있다. 보다 구체적으로, 터치 스크린 패널 제조 과정에서 마스크 작업이 1회 이상 줄어들 수 있다.
도 3a 내지 도 3c를 참조하면, X축 연결 전극들(200b) 상에 절연 패턴들(500) 및 브릿지 전극들(600)이 차례로 형성될 수 있다.
절연 패턴들(500)은 X축 전극들(200) 및 Y축 전극 셀들(300)이 형성된 기판(100) 상에 절연막(미도시)을 형성하고, 절연막(미도시)을 패터닝하여 형성될 수 있다. 절연막(미도시)은 스크린 프린팅 방법(Screen printing), 물리 기상 증착법(PVD), 화학 기상 증착법(CVD) 및 원자 층 증착법(ALD) 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성될 수 있다. 절연막(미도시)은 포토 레지스트 공정, 습식 식각 공정 및 건식 식각 공정 중 적어도 어느 하나의 공정을 통해 패터닝될 수 있다. 절연 패턴들(500)의 폭은 X축 연결 전극들(200b)의 제2 방향(D2)으로의 폭(d1)보다 약 2배 정도 더 클 수 있다. 따라서, 절연 패턴들(500)은 X축 연결 전극들(200b)과 Y축 전극 셀들(300) 사이에 노출된 제2 완충층(102)을 완전히 덮을 수 있다. 또한 절연 패턴들(500)은 X축 연결 전극들(200b)의 양 옆에 제2 방향(D2)으로 일정 간격 이격된 Y축 전극 셀들(300)의 상면 일부분을 덮을 수 있다.
절연 패턴들(500)의 상부면은 볼록한 돔 형태 또는 볼록한 요철 형태일 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 절연 패턴들(500)은 다양한 형태를 가질 수 있다. 절연 패턴들(500)의 두께는, 예를 들어, 약 0.1㎛ 내지 10㎛일 수 있다. 절연 패턴들(500)의 두께는 터치 스크린 패널의 정전용량 변화 값에 의하여 달라질 수 있다. 절연 패턴들(500)은 SiOx, SiNx, MgF2, SiOxNy 및 유기물 중 어느 하나의 물질로 형성될 수 있다.
브릿지 전극들(600)은 절연 패턴들(500) 상에 형성될 수 있다. 브릿지 전극들(600)은 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다. 보다 구체적으로, 브릿지 전극들(600)은 제2 방향(D2)으로 연장되어, 절연 패턴들(500) 양 옆에 서로 이웃하고 있는 메시 패턴들(401) 및 Y축 전극 셀들(300) 상에 형성될 수 있다. 따라서, 브릿지 전극들(600)은 서로 이격된 Y축 전극 셀들(300)을 전기적으로 연결할 수 있다. 브릿지 전극들(600)의 제1 방향(D1)으로의 폭은, 예를 들어, 약 1㎛ 내지 20㎛일 수 있다. 브릿지 전극들(600)은, 예를 들어, ITO와 같은 세라믹 전극, X축 전극들(200) 및 Y축 전극 셀들(300)과 같은 하이브리드 전극 및 실버 페이스트 전극 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 또는, 브릿지 전극들(600)은 단층 및/또는 다층의 금속으로 형성될 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 도시된 바와 달리, 하나의 절연 패턴(500) 상에 복수 개의 브릿지 전극들(600)이 형성될 수 있다. 하나의 절연 패턴(500) 상에 복수 개의 브릿지 전극들(600)이 형성될 경우, 브릿지 공정의 수율을 높일 수 있다.
절연 패턴들(500)에 홀을 형성하고, 홀에 투명 전극 물질을 채우는 것을 통해, 서로 이격된 Y축 전극 셀들(300)을 전기적으로 연결할 수 있다. 하지만, 절연 패턴들(500) 내부에 홀을 형성하기 위해서 식각 공정 및 패터닝 공정이 요구될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 절연 패턴들(500) 내에 홀을 형성하지 않고 절연 패턴들(500) 상면에 브릿지 전극들(600)을 형성할 수 있다. 따라서, 홀을 형성하기 위한 패터닝 공정을 줄일 수 있어, 터치 스크린 패널의 제조 공정이 간소화될 수 있고 터치 스크린 패널의 제조 비용을 줄일 수 있다.
절연 패턴들(500) 및 브릿지 전극들(600)이 형성된 후, 기판(100) 하부에 광 접착층(미도시), 편광필름(미도시) 및 액정 디스플레이 장치(미도시)를 더 형성하여 일체형 터치 스크린 패널을 제조할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 기판
101, 102: 완충층
110, 130: 산화막
120: 중간 금속막
200: X축 전극들
300: Y축 전극 셀들
401: 메시 패턴들
402, 403: 배선들
500: 절연 패턴들
600: 브릿지 전극들

Claims (1)

  1. 셀 영역 및 상기 셀 영역 둘레의 배선 영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판의 상기 셀 영역 상에 제1 방향으로 배열된 X축 전극 셀들과 상기 X축 전극 셀들을 연결하는 X축 연결 전극들을 포함하는 X축 전극들 및 상기 X축 전극들과 이격되되, 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 배열되며 상기 X축 연결 전극들 사이에 위치하는 Y축 전극 셀들을 형성하는 단계;
    상기 X축 전극들 및 상기 Y축 전극 셀들 상에 제공되는 메시 패턴들 및 상기 기판의 상기 배선 영역 상에 제공되는 배선들을 동시에 형성하는 단계; 및
    상기 X축 연결 전극들 상면에 절연 패턴들 및 브릿지 전극들을 차례로 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 X축 전극들 및 상기 Y축 전극 셀들은 제1 산화막, 중간 금속막 및 제2 산화막을 포함하고,
    상기 메시 패턴들은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 기울어진 방향들로 연장되는 터치 스크린 패널 제조 방법.
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