KR20150072492A - 정전용량방식 터치스크린패널 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 정전용량방식 터치스크린패널 및 그의 제조방법에 관한 것으로 본 발명에 따른 정전용량방식 터치스크린패널은 제1 전극들; 상기 제1 전극들에 인접하여 배치되는 제2 전극들; 상기 제1 전극들과 상기 제 2 전극들 사이에 배치되고, CdOS, ZnOS 또는 이들의 조합물를 포함하는 절연층; 및 상기 제1 전극들에 접속하는 배선들을 포함하며, 절연층을 CdOS, ZnOS 또는 이들의 조합물를 절연층으로 사용함으로써 낮은 증착 속도에 따른 공정 속도 향상과 고투과 저저항 TSP 패턴을 제작함으로써 3 ~ 100인치 이상 크기의 대면적 터치센서를 구현할 수 있다.

Description

정전용량방식 터치스크린패널 및 그의 제조방법{Method for Preparing Insulating Layer for Large-Scaled Touch Screen Panel}
본 발명은 정전용량방식 터치스크린패널 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 정전용량방식 터치스크린패널 구조에서 전극간 절연체로 CdOS 또는 ZnOS를 사용한 정전용량방식 터치스크린패널 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
터치 스크린 패널(TSP=Touch Screen Panel)은 컴퓨터 시스템의 입력장치로서, 사용자의 화면 터치를 인식하는 입력 장치이다. 터치 스크린은 사용자의 손가락, 스타일러스 등에 의한 터치의 위치를 인식하고, 이를 해석한 후 그 동작을 수행한다. 터치 스크린은 개인용 휴대기기, 노트북 등 컴퓨터 시스템, 키오스크(Kiosk)와 같은 정보기기 등 다양한 분야에 적용되고 있다.
터치 스크린은 적용 기술에 따라 저항막 방식, 정전용량 방식, 초음파 방식, 및 적외선 방식으로 분류된다.
상기 저항막(정압식) 방식은 손가락 또는 펜에 의해 기판이 터치되면 상하부 기판의 투명전극이 서로 접촉하면서 전기적 신호가 발생하고 이를 이용해 위치를 파악하는 방식이 있다. 상기 방법은 가격이 저렴하고 정확도가 높아 소형화에 유리하여 PDA, PMP, 네비게이션 등에 주로 사용되고 있지만, 정전용량 방식에 비해서 반응속도가 느리고 내구성이 상대적으로 떨어지는 단점이 있다.
그리고, 대형 TSP 방식으로 많이 사용되는 초음파 방식 (SAW)은 방출된 초음파가 장애물을 만나 파동의 크기가 줄어든 것을 감지하는 방식으로 빛 투과성이 높으며 정확성과 선명도가 높아 외부 장소에 설치된 무인 정보단말기 등에 주로 적용되지만, 센서의 오염과 액체에 약한 단점이 있는 것으로 보고되고 있다.
역시, 대형 TSP에 사용되는 기술인 적외선 방식(IR)은 적외선이 사람의 눈에는 보이지 않으나 직진성이 있어 장애물이 있으면 차단되는 특성을 이용한 방식으로 디스플레이 전면에 ITO 필름이나 유리판이 필요 없이 글라스 한 장으로도 구현이 가능하여 투과율이 가장 우수한 방식이나 멀티터치가 불가능 것으로 초기에는 보고되었으나, 최근에는 신호 처리 방식이 발달되고, 다수의 신호 처리 칩을 사용함으로써 이러한 단점을 극복한 터치 패널을 보고 하고 있다.
그러나, 여전히 다수의 칩과 신호 처리에 소용되는 비용이 상당한 고가의 패널 기술임을 극복하지는 못 했다. 이에 반해 정전용량 방식은 기판 위 투명 전극 상에 손가락이 닿을 경우 절연층에 형성되어 있던 일정한 정전용량의 변화가 발생되고 그 차이로 접촉 신호로 인식하여 그 신호의 크기를 계산하고 위치를 검출하는 방식으로 높은 빛 투과성, 멀티터치, 반응속도 측면에서 사용자에게 좀 더 선호되고 있어 현재 휴대 단말기용 터치 패널의 주류를 이루고 있다. 또한, 정전용량방식 TSP는 ITO전극을 1개 사용한 경우와 2개 이상 사용한 경우로 나눌 수 있으며, 내구성을 향상시키고 패널 제작을 단순화시키기 위해 윈도우는 강화유리나 강화된 플라스틱 기판을 사용한다.
정전용량 방식으로 유리나 플라스틱 기판을 사용하며, 2-층 패턴 구조를 사용하는 G2 방식의 TSP 구조에서는 X축 전극(ITO)과 Y축 전극(ITO) 사이의 절연층으로 사용하는 SiO2, SiNx, MgF2, SiOxNy 등의 절연체의 경우, SiO2는 현재 소형 패널에 PECVD 방법으로 증착한 경우에 한해서 패널 공정 수행이 가능하나 대형 TSP 제작에는 어려움이 있고, 스퍼터 공정을 수행한 경우에는 대형 TSP 공정은 가능하나 습식 식각 공정에 어려움과 낮은 증착 속도로 인해서 TSP후속 공정 수행이 어렵다. 또한, SiNx, SiOxNy의 경우에도 PECVD 방법을 사용하는 경우에는 TSP 사이즈의 제한의 문제가 있고, 스퍼터 공정 역시 식각 공정과 낮은 증착 속도로 인해서 TSP후속 공정 수행이 어렵다. MgF2 의 경우도 유사한 문제점이 발생되고 있다.
이에 본 발명자들은 종래의 문제점을 해결하기 위해 예의 연구한 결과, G2 방식의 TSP 구조에 전극간 절연체로 CdOS와 ZnOS를 사용하는 경우, 낮은 증착 속도에 따른 공정 속도 향상과 고투과 저저항 TSP 패턴을 제작함으로써 3 내지 100인치 이상 크기의 대면적 터치센서를 구현할 수 있음을 밝혀 본 발명을 완성하였다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 고투과 저저항을 갖는 3 내지 100인치 이상 크기의 대면적 터치스크린패널을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 고투과 저저항성을 갖는 3 내지 100인치 이상 크기의 대면적 터치스크린패널의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은
제1 전극들;
상기 제1 전극들에 인접하여 배치되는 제2 전극들;
상기 제1 전극들과 상기 제 2 전극들 사이에 배치되고, CdOS, ZnOS 또는 이들의 조합물을 포함하는 절연층; 및
상기 제1 전극들에 접속하는 배선들을 포함하는 터치스크린패널을 제공한다.
본 발명에 따른 터치스크린패널에서, 상기 제1 전극들은 투명전극이고, 제2 전극들은 금속전극이거나 또는 상기 제1 전극들 및 제2 전극들 모두 투명전극인 것이 바람직하다.
본 발명은 또한, 제1 전극들, 상기 제1 전극들에 인접하여 배치되는 제2 전극들, 상기 제1 전극들과 상기 제 2 전극들 사이에 배치되는 절연층; 및 상기 제1 전극들에 접속하는 배선들을 포함하는 터치스크린패널의 제조방법에 있어서, 상기 절연층이 제1 전극이 형성된 터치스크린패널 평면 위에 CdOS, ZnOS 또는 이들의 조합물을 이용하여 반응성 스퍼터링법으로 형성된 후, 포토공정을 수행한 후, 반응성 이온 식각 또는 레이저를 이용한 건식식각을 통해 절연층 패턴을 형성하는 것인 터치스크린패널의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 제1 전극들, 상기 제1 전극들에 인접하여 배치되는 제2 전극들, 상기 제1 전극들과 상기 제 2 전극들 사이에 배치되는 절연층; 및 상기 제1 전극들에 접속하는 배선들을 포함하는 터치스크린패널의 제조방법에 있어서, 제1 전극이 형성된 터치스크린패널 평면 위에 포토레지스트로 절연층 패턴 위치를 오픈하고, 상기 절연층을 CdOS, ZnOS 또는 이들의 조합물을 이용하여 반응성 스퍼터링 방법으로 평면 전체에 형성한 후, 리프트오프 방법으로 포토 레지스트를 제거하여 절연층 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치스크린패널의 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따른 터치스크린패널의 제조방법에서, 상기 반응성 스퍼터링 방법 수행시 Ar/O2 가스를 이용하는 것이 바람직하다.
상기 반응성 이온 식각으로는 RIE (Reactive Ion Etcher) 또는 ICP(Induction coupled plasma) RIE로 식각되는 것이 바람직하다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명은 정전용량방식을 적용한 대면적 터치스크린패널 제조 방법에 대한 것으로, 강화처리된 기판을 사용한 일체형으로 투명전극 패턴과 CdOS또는 ZnOS 절연층 패턴을 사용하여, 낮은 증착 속도에 따른 공정 속도 향상과 고투과 저저항 TSP 패턴을 제작함으로써 3 ~ 100인치 이상 크기의 대면적 터치센서를 구현할 수 있으며, 또한 다음과 같은 효과를 나타낼 수 있다.
첫째, 반응성 스퍼터링을 이용하여 CdOS 또는 ZnOS 절연층을 형성하여 포토공정을 수행하여 RIE (Reactive Ion Etcher)나 ICP(Induction coupled plasma) RIE통해서 패터닝 하거나, 레이저 패터닝이 가능한 레이저 패터닝용 마스크 (일명 patterned optical mirror, POM)와 레이저를 이용하여 건식 식각을 통해서 우수한 CdOS 또는 ZnOS 절연층을 확보하여 용이한 공정수행성과 대면적 TSP 제작이 가능하다.
둘째, CdS 타겟 또는 CdOS 타겟이나 ZnS 타겟 또는 ZnOS 타겟과 Ar/O2를 이용한 반응성 스퍼터링 방법으로 인한, Ar/O2의 분압 비율과 증착 압력등을 제어하여 다양한 굴절율을 가지는 CdOS 또는 ZnOS 층을 증착함으로써 광학적 완충층(buffer layer)에도 적용할 수 있어, 광학적 완충층 공정에 대한 추가적인 설비 투자를 축소할 수 있고, 추가적인 재료구매와 공정등이 필요없어, 생산 단가의 하락에 기여할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 것으로 X축, Y축으로 구성된 정전용량방식 터치스크린패널(TSP) 평면 구성도이다.
도 2은 도 1의 A 방향을 따라 절단한 단면을 나타낸 단면도이다.
도 3는 도 1의 B 방향을 따라 절단한 단면을 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 1의 정전용량방식 터치스크린패널(TSO)위에 제1전극이 형성된 것을 나타낸 평면 구성도이다.
도 5는 도 1의 정전용량방식 터치스크린패널(TSP)위에 절연층이 패터닝된 것을 나타낸 평면 구성도이다.
도 6는 CdOS 또는 ZnOS 절연층을 사용하여 실제 제작한 도 1 의 터치스크린 패널의 투명전극 접점 부분을 나타낸 광학사진이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 것으로 X축, Y축으로 구성된 정전용량방식 터치스크린패널(TSP) 평면 구성도이다.
도 8은 도 7의 C 방향을 따라 절단한 단면을 나타낸 단면도이다.
도 9는 도 7의 D 방향을 따라 절단한 단면을 나타낸 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전용량 방식 터치스크린패널의 특성을 나타내는 그래프이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공 되는 것이다. 첨부된 도면에서 구성 요소들은 설명의 편의를 위하여 그 크기가 실제보다 확대하여 도시한 것이며, 각 구성 요소의 비율은 과장되거나 축소될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 X축 및 Y축으로 구성된 정전용량 방식 터치스크린패널(Touch Screen Panel, TSP)의 평면도이다. 도 2는 도 1의 A방향에 따라 절단한 단면을 도시한다. 도 3은 도 1의 B방향에 따라 절단한 단면을 도시한다. 도 4는 도 1의 정전용량방식 터치스크린패턴(TSP)위에 제1 전극이 형성된 것을 나타낸 평면 구성도이다. 도 5는 도 1의 정전용량방식 터치스크린패널(TSP)위에 절연층이 패터닝된 것을 나타낸 평면 구성도이다.
도 1 내지 5을 참조하면, 본 발명에 따른 정전용량방식 터치스크린 패널은 기판(10), 기판(10) 상의 완충층들(20,30), 완충층들(20,30) 상의 제1 전극들(100,110), 제1 전극들(100,110)에 인접하여 배치된 제2 전극들(300), 제1 전극들(100,110)과 제2 전극들(300) 사이에 배치된 절연층(200), 및 제1 전극들(100,110)에 접속하는 배선들(400,500)을 포함할 수 있다.
기판(10)은 강화유리, 강화 PMMA(Polymethyl methacrylate), 강화필름이 코팅된 PC(polycarbonate), 및 PET(Ployethylene terephthalate) 등 일 수 있다.
완충층들(20,30)은 기판(10) 상에 제공될 수 있다. 완충층들(20,30)은 기판(10) 상의 제1 완충층(20), 및 제1완충층(20) 상의 제2 완충층(30)을 포함할 수 있다. 제1 완충층(20)은 고굴절률의 투명 절연체일 수 있다. 고굴절률의 투명 절연체는 TiO2, Nb2O5, ZrO2, Ta2O5, HfO2에서 선택된 어느 하나일 수 있다. 고굴절률의 투명 절연체는 약 1.8 내지 2.9의 굴절률을 가질 수 있다. 제1완충층(20)은 약 2 내지 20nm의 두께를 가질 수 있다.
제2 완충층(30)은 저굴절률의 투명 절연체일 수 있다. 저굴절률의 투명 절연체는 CdOS 또는 ZnOS에서 선택된 어느 하나일 수 있다. 저굴절률의 투명 절연체는 약 1.3 내지 1.8의 굴절률을 가질 수 있다. 제2 완충층(30)은 약 20 내지 100nm의 두께를 가질 수 있다.
제1 전극들(100,110)은 각 전극 셀들이 연결되어 있는 X축 전극들(100)과, X축 전극들(100)에 수직한 방향으로 배열되고 각 전극 셀들이 고립되어 있는 Y축 전극들(110)을 포함할 수 있다.
X축 전극들(100)의 좁은 폭(d1)은 약 20 내지 2000 μm일 수 있다. X축 전극들(100)간의 간격(d3)은 약 10 내지 1000 μm일 수 있다. Y축 전극들(110)간의 간격(d2)는 약 20 내지 2000 μm일 수 있다. 서로 인접하는 X축 전극들(100)과 Y축 전극들(110)의 간격(d4)은 약 20 내지 2000 μm일 수 있다.
제1 전극들(100,1110)은 투명 전극일 수 있다. 투명 전극은 ITO 전극 또는 하이브리드 전극일 수 있다.
ITO 전극은 주석 함량이 약 2 내지 10 wt%(weight percent)인 ITO(Indium Tin Oxide) 일 수 있다. ITO 전극은 Ti, Ta, W, Zr, Hf, Al, 및 Mo 중에서 선택된 어느 하나가 약 5wt% 미만으로 도핑된 ITO이거나, Zn 함량이 약 5wt%이상인 IZTO 일 수 있다. ITO 전극은 약 15nm 내지 150nm 두께를 가질 수 있고, 약 85% 이상의 투과도를 가질 수 있다.
하이브리드 전극은 하부 산화막, 금속 전극층, 및 상부 산화막을 포함할 수 있다. 하부 산화막은 ZnO, ZITO(ZnO, In2O3, SnO2), SnO2, SiO2, ZTO, TiO2, AZO(Al doped ZnO), GZO(Ga doped ZnO), SiNx, ITO, 및 IZO(ZnO, In2O3)중에서 선택된 어느 하나이거나 이들의 화합물일 수 있다. 하부 산화막은 약 40 내지 60nm의 두께를 가질 수 있다. 금속 전극층은 Ag 또는 Ag 합금을 포함할 수 있다. Ag 합금은 Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd, 및 Ag-Au-Cu 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다. 금속 전극층은 약 5 내지 15nm 두께를 가질 수 있다. 상부 산화막은 투명전극으로 기능한다. 상부 산화막은 ITO, IZTO, IZO, AZO, 및 GZO 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다. 상부 산화막은 약 40 내지 60nm의 두께를 가질 수 있다.
제1 전극들(100,110) 상에 절연층(200)이 제공될 수 있다. 서로 이격된 제1 전극들(100,110) 사이에 절연층(200)이 제공될 수 있다. 절연층(200)은 X축 전극들(100)과 Y축 전극들(110)의 접점에 배치될 수 있다. 절연층(200)은 약 30μm 내지 3000μm의 폭(d5)을 가질 수 있다.
상기 절연층(200)을 구성하는 물질로는 CdOS, ZnOS 또는 이들의 조합물일 수 있다.
상기 CdOS, ZnOS 또는 이들의 조합물로 된 절연층(200)은 도 4와 같이 제1 전극이 형성된 터치스크린패널 평면위에 CdS 타겟 또는 CdOS 타겟이나 ZnS 타겟 또는 ZnOS 타겟에 Ar/O2를 이용하여 대면적 증착이 가능한 반응성 스퍼터링 방법으로 TSP 평면 전체에 형성한 후, 포토공정을 수행한 후, RIE (Reactive Ion Etcher)나 ICP(Induction coupled plasma) RIE 통해서 패터닝 하거나, 레이저 패터닝이 가능한 레이저 패터닝용 마스크(일명 patterned optical mirror, POM)와 레이저를 이용하여 건식 식각을 통해서 도 4에 나타난 바와 같이 절연층 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 상기 절연층(200)은 도 4 같이 전극이 형성된 TSP 평면위에 포토 레지스트로 절연층 패턴 위치를 오픈하여 역시 동일한 반응성 스퍼터링 방법으로 TSP 평면 전체에 형성한 후 포토 레지스트를 제거하는 리프트오프 방법을 통해서 도 4에 나타난 바와 같이 절연층 패턴을 형성될 수도 있다.
제2 전극들(300)이 절연층(200) 상에 제공될 수 있다. 제2 전극들(300)은 서로 이격된 Y축 전극들 상으로 연장하며 Y축 전극들(110)을 연결할 수 있는 브릿지 전극이다.
제2 전극들(300)은 Y축 전극들(110)의 인접하는 전극 셀 간을 연결할 수 있다. 제2 전극들(300)은 Mo 또는 Mo/Al/Mo등과 같은 금속이 사용될 수 있으며, 제1 전극들과 마찬가지로 투명 전극일 수 있고, 투명 전극은, 제1 전극들(100,110)과 같은, ITO 전극 또는 하이브리드 전극일 수 있다. 제2 전극들(300)은 약 70μm 내지 1000μm의 폭(d6)을 가질 수 있다.
상기 제1 전극들(100,110)에 배선들(400,500)이 접속될 수 있다. 배선들(400,500)은 드라이빙 라인(Driving Line, 400)과 센싱 라인(Sensing Line, 500)을 포함할 수 있다. 드라이빙 라인(Driving Line, 400)은 제1 전극들(100,110)에 전류를 흐르게 할 수 있다. 센싱 라인(Sensing Line, 500)은 전류가 흐르는 터치스크린패널상으로 손가락 등과 같은 도전체가 닿을 경우, 정전용량 변화량을 감지할 수 있다. 드라이빙 라인(Driving Line, 400)은 X축 전극들(100)에 접속하고, 센싱 라인(Sensing Line, 500)은 Y축 전극들(110)에 접속할 수 있다.
배선들(400,500)은 금속배선일 수 있다. 금속배선은 단층 또는 다층의 금속층을 포함할 수 있다. 금속층은 Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti/Cu, Ti/Ag, Cr/Ag, Cr/Cu, Al/Cu, 및 Mo/Al/Mo 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다. 배선들(400,500)은 약 50 내지 500nm 의 두께를 가질 수 있다. 배선들(400,500)은 약 20 내지 2000μm 의 폭(d7)을 가질 수 있다. 배선 간의 간격(d8)은 약 20 내지 2000μm일 수 있다.
상기 도 1 내지 5에 나타난 바와 같은 CdOS, ZnOS 또는 이들의 조합물로 된 절연층은 ITO 전극이 먼저 식각된 후에 진공 증착되어, 건식 식각이나 선택적 레이저 패터닝등을 사용하기 때문에 대면적 절연층 패턴 형성이 가능하다. 또한, Ar/O2의 분압 비율과 증착 압력, RF 파워 등을 제어하여 다양한 굴절율을 가지는 CdOS, ZnOS 또는 이들의 조합물로 된 절연층을 증착하므로써 광학적 완충층(buffer layer)에도 적용할 수 있다.
도 6는 CdOS, ZnOS 또는 이들의 조합물로 된 절연층을 사용하여 실제 제작한 도 1과 같은 구조의 터치스크린 패널의 투명전극 접점 부분을 나타낸 광학사진이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 정전용량 방식 터치스크린패널(Touch Screen Panel, TSP)의 평면도이다. 도 8는 도 7의 C 방향에 따라 절단한 단면을 도시한다. 도 9은 도 7의 D의 방향에 따라 절단한 단면을 도시한다.
도 7 내지 도 9을 참조하면, 정전용량 방식 터치스크린패널은 기판(10), 기판(10) 상의 완충층들(20,30), 완충층들(20,30) 상의 제2 전극들(300), 제2 전극들(300)에 인접하여 배치된 제1 전극들(100, 110), 제1 전극들(100, 110)과 제2 전극들(300) 사이에 배치된 절연층(200), 및 제1 전극들(100, 110)에 접속하는 배선들(500, 600)을 포함할 수 있다.
다른 기술적 특징들은 도 1 내지 도 5에서 설명한 바와 같고, 차이점을 상세하게 설명한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 정전용량 방식 터치스크린패널은 제2 전극들(300)이 기판(10) 상에 제공될 수 있다. 제2 전극들(300)과 기판(10) 사이에 완충층들(20,30)이 제공될 수 있다.
상기 제2 전극들(300)은 기판(10) 상에서 수평 방향 및 수직 방향으로 일정한 간격을 두고 배열될 수 있다. 제2 전극들(300)은 투명 전극일 수 있다. 투명 전극은 ITO 전극 또는 하이브리드 전극일 수 있다.
상기 제2 전극들(300) 상에 절연층(200)이 제공될 수 있다. 절연층(200)은 제2 전극들(300)을 덮을 수 있다. 절연층(200)은 제2 전극들(300)에 대응하여 수평 방향 및 수직 방향으로 일정한 간격을 두고 배열될 수 있다. 상기 절연층(200)을 구성하는 물질로는 CdOS, ZnOS 또는 이들의 조합물일 수 있다.
상기 CdOS, ZnOS 또는 이들의 조합물로 된 절연층(200)은 도 5와 같이 패턴이 형성된 터치스크린패널 평면위에 CdS 타겟 또는 CdOS 타겟이나 ZnS 타겟 또는 ZnOS 타겟에 Ar/O2를 이용하여 대면적 증착이 가능한 반응성 스퍼터링 방법으로 TSP 평면 전체에 형성한 후, 포토공정을 수행한 후, RIE (Reactive Ion Etcher)나 ICP(Induction coupled plasma) RIE 통해서 패터닝 하거나, 레이저 패터닝이 가능한 레이저 패터닝용 마스크(일명 patterned optical mirror, POM)와 레이저를 이용하여 건식 식각을 통해서 절연층 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 상기 절연층(200)은 도 6과 같이 패턴이 형성된 TSP 평면위에 포토 레지스트로 절연층 패턴 위치를 오픈하여 역시 동일한 반응성 스퍼터링 방법으로 TSP 평면 전체에 형성한 후 포토 레지스트를 제거하는 리프트오프 방법을 통해서 절연층 패턴을 형성될 수도 있다.
이어서, 제1 전극들(100, 110)이 절연층(200) 상에 제공될 수 있다. 제1 전극들(100, 110)은 절연층(200) 상에서 서로 이격될 수 있다. 제1 전극들(100,110)은 절연층(200) 상에서 연장되어 완충층들(20, 30)을 덮을 수 있다. X축 전극들(100)과 Y축 전극들(110)의 접점은 절연층(200) 상에 배치될 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전용량 방식 터치스크린패널의 특성을 나타내는 그래프이다. 여기서, X축은 파장(nm)을 나타내고, Y축은 투명도(%)를 나타낸다. 또한, 그래프는 CdOS 절연층을 사용한 터치스크린 패널의 투명도와 ZnOS 절연층을 사용한 터치스크린 패널의 투명도를 각각 나타내었다. 도 10을 통해, CdOS 절연층을 사용하여 제조된 대면적 터치스크린이 약 70% 이상의 고투과도를 갖고, ZnOS 절연층을 사용하여 제조된 대면적 터치스크린이 약 80% 이상의 고투과도를 가짐을 확인할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 이상에서 기술한 실시예들은 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10 기판
20 고굴절률 완충층
30 저굴절률 완충층 (Buffer layer)
100 제1전극(X축 방향)
110 제1전극(Y축 방향)
200 절연층
300 제2전극

Claims (7)

  1. 제1 전극들;
    상기 제1 전극들에 인접하여 배치되는 제2 전극들;
    상기 제1 전극들과 상기 제 2 전극들 사이에 배치되고, CdOS, ZnOS 또는 이들의 조합물을 포함하는 절연층; 및
    상기 제1 전극들에 접속하는 배선들을 포함하는 터치스크린패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극들은 투명전극이고, 제2 전극들은 금속전극인 터치스크린패널.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극들 및 제2 전극들 모두 투명전극인 터치스크린패널.
  4. 제1 전극들, 상기 제1 전극들에 인접하여 배치되는 제2 전극들, 상기 제1 전극들과 상기 제 2 전극들 사이에 배치되는 절연층; 및 상기 제1 전극들에 접속하는 배선들을 포함하는 터치스크린패널의 제조방법에 있어서,
    상기 절연층은 제1 전극이 형성된 터치스크린패널 평면 전체를 CdOS, ZnOS 또는 이들의 조합물을 이용하여 반응성 스퍼터링법으로 형성한 후, 포토공정을 수행한 후, 반응성 이온 식각 또는 레이저를 이용한 건식식각을 통해 절연층 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치스크린패널의 제조방법.
  5. 제1 전극들, 상기 제1 전극들에 인접하여 배치되는 제2 전극들, 상기 제1 전극들과 상기 제 2 전극들 사이에 배치되는 절연층; 및 상기 제1 전극들에 접속하는 배선들을 포함하는 터치스크린패널의 제조방법에 있어서,
    제1 전극이 형성된 터치스크린패널 평면위에 포토레지스트로 절연층 패턴 위치를 오픈하고, 상기 절연층을 CdOS, ZnOS 또는 이들의 조합물을 이용하여 반응성 스퍼터링 방법으로 평면 전체에 형성한 후, 리프트오프 방법으로 포토 레지스트를 제거하여 절연층 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치스크린패널의 제조방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 반응성 스퍼터링 방법에서 Ar/O2 가스를 이용하는 것인 터치스크린패널의 제조방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 반응성 이온 식각으로는 RIE (Reactive Ion Etcher) 또는 ICP(Induction coupled plasma) RIE로 식각되는 것인 터치스크린패널의 제조방법.
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