KR101907944B1 - 터치 스크린 및 그의 제조방법 - Google Patents

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KR101907944B1
KR101907944B1 KR1020120134652A KR20120134652A KR101907944B1 KR 101907944 B1 KR101907944 B1 KR 101907944B1 KR 1020120134652 A KR1020120134652 A KR 1020120134652A KR 20120134652 A KR20120134652 A KR 20120134652A KR 101907944 B1 KR101907944 B1 KR 101907944B1
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Abstract

본 발명은 터치 스크린 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 스크린은, 기판과, 상기 기판 상에 제 1 방향으로 연장되는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상의 층간 절연막과, 상기 층간 절연막 상에 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 연장되는 제 2 전극을 포함한다. 상기 층간 절연막은 산탄화 실리콘(SiOC)을 포함할 수 있다.

Description

터치 스크린 및 그의 제조방법{touch screen and manufacturing method of the same}
본 발명은 터치 스크린 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 정전용량 방식의 터치 스크린 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
최근 스마트 폰의 등장으로 터치 스크린 시장은 디스플레이 시장을 능가할 만큼 급속도로 성장하고 있다. 터치 스크린은 표시장치에서 화면의 터치를 인식하는 입력장치이다. 터치 스크린은 크게 저항막 방식과 정전용량 방식으로 구분될 수 있다.
저항막 방식의 터치 스크린은 복수개의 전극들 간의 접촉 저항을 감지할 수 있다. 전극들은 일정한 거리로 이격된다. 손가락 또는 펜의 터치에 의해 전극들이 서로 가까워지면, 상기 전극들 사이의 저항이 감소된다. 저항막 방식의 터치 스크린은 반응 속도가 빠르고 투과성이 우수하다. 저항막 방식의 터치 스크린은 PDA, PMP, 네비게이션, 및 해드셋 등에 주로 적용되고 있다. 그러나, 저항막 방식의 터치 스크린은 정전용량 방식에 비해 반응 속도가 느리고 내구성이 떨어지는 단점이 있다.
정전용량 방식 터치 스크린은 손가락의 정전기를 감지할 수 있다. 정전기는 복수개의 전극들 사이의 정전 용량을 변화시킬 수 있다. 전극들 사이에는 절연막이 배치된다. 정전 용량 방식 터치 스크린은 저항막 방식의 터치 스크린에 비해 멀티 터치가 용이하고, 시인성(visibility)이 우수하다.
본 발명의 목적은 라인 전극 및 브릿지 전극의 형성 시에 대면적 증착이 용이하고, 성막 속도가 빠르며 시인성 확보를 위한 굴절률 변화가 가능하며 공정시 투명전극 및 금속 전극간의 식각 선택비가 높은 층간 절연막을 갖는 터치 스크린 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린은, 기판; 상기 기판 상에 제 1 방향으로 연장되는 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상의 층간 절연막; 및 상기 층간 절연막 상에 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 연장되는 제 2 전극을 포함한다. 여기서, 상기 층간 절연막은 산탄화 실리콘(SiOC)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제 1 전극과 상기 기판 사이의 제 1 버퍼 층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 제 1 버퍼 층은 산화 티타늄, 산화 네오븀, 산화 지르코늄, 산화 탄탈륨 또는 산화 하프늄을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제 1 버퍼 층과 상기 제 1 전극 사이의 제 2 버퍼 층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 제 2 버퍼 층은 산탄화 실리콘을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극은 투명 금속을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 투명 금속은 인듐주석 산화물 또는 인듐아연 산화물 및 갈륨아연 산화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제 2 전극은, 상기 제 1 전극들로부터 상기 제 2 방향으로 분리되어 상기 기판 상에 형성된 분리 전극; 및 상기 분리 전극과 연결되며 상기 층간 절연막 상에 형성된 브릿지 전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 브릿지 전극은 몰리브데늄, 크롬(Cr)/은(Ag), 또는 니켈(Ni)/은(Ag)을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 터치 스크린의 제조방법은, 기판 상에 제 1 방향으로 제 1 전극과, 상기 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향으로 상기 제 1 전극에 의해 분리된 분리 전극들을 형성하는 단계; 상기 분리 전극들 사이의 상기 제 1 전극 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 층간 절연막 상에서 상기 분리 전극들 사이를 연결하는 브릿지 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 층간 절연막은 반응성 스퍼터링 방법으로 형성된 산탄화 실리콘을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제 1 전극과 상기 분리 전극들은 상기 산탄화 실리콘 대비 제 1 식각 선택비를 갖는 제 1 식각 용액에 의해 식각될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 제 1 식각 용액은 완충 산화막 식각액(Buffered oxide etchant)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 완충 산화막 식각액은 불화 암모니와 불산의 제 1 혼합 용액을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 브릿지 전극은 상기 산탄화 실리콘 대비 제 2 식각 선택비를 갖는 제 2 식각 용액에 의해 식각될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제 2 식각 용액은 인산과 질산과 초산을 주성분으로 하는 화합물에 염소계, 인산염계, 리튬계, 질화염계 화합물을 소량 포함하는 제 2 혼합 용액을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 층간 절연막은, 리프트 오프 방법으로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린은 기판, 제 1 버퍼 층, 제 2 버퍼 층, 라인 전극, 분리 전극, 층간 절연막, 브릿지 전극을 포함할 수 있다. 제 1 버퍼 층 및 제 2 버퍼 층은 기판 상의 전면에 적층될 수 있다. 라인 전극은 제 1 방향으로 연장될 수 있다. 분리 전극은 라인 전극에 의해 제 2 방향으로 이격될 수 있다. 라인 전극 및 분리 전극은 ITO 또는 IZO와 같은 투명 금속을 포함할 수 있다. 층간 절연막은 라인 전극 및 제 2 버퍼 층을 덮을 수 있다. 브릿지 전극은 층간 절연막 상에 배치될 수 있다. 브릿지 전극은 분리 전극들을 연결할 수 있다. 브릿지 전극은 몰리브덴과 같은 도전성 금속을 포함할 수 있다.
또한, 층간 절연막은 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 및 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. 증착 공정은 산탄화 실리콘의 반응성 스퍼터링 방법을 포함할 수 있다. 반응성 스퍼터링 방법은 층간 절연막의 대면적 증착을 용이하게 하고, 상기 층간 절연막의 증착 속도를 빠르게 할 수 있다. 산탄화 실리콘은 시인성 확보를 위한 굴절률의 변화를 가능하게 할 수 있다. 층간 절연막의 식각 공정 시에 산탄화 실리콘은 투명 전극 대비 높은 식각 선택비를 가질 수 있다. 브릿지 전극은 금속 증착 공정, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. 금속 증착 공정은 스퍼터링 방법을 포함할 수 있다. 산탄화 실리콘은 브릿지 전극의 식각 공정 시에 도전성 금속 대비 높은 식각 선택비를 가질 수 있다. 따라서, 발명의 실시 예들에 따른 터치 스크린의 제조방법은 생산성 및 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1의 II-II'선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 4 내지 도 7은 도 2를 근거로 하여 본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린의 제조방법을 나타내는 공정 단면도들이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 형성 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 형성 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 여기에 설명되고 예시되는 실시예들은 그것의 상보적인 실시예들도 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소는 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 터치 스크린을 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1의 I-I' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다. 도 3은 도 1의 II-II' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조 하면, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린은 기판(10)과, 제 1 버퍼 층(20), 제 2 버퍼 층(30), 라인 전극(40), 분리 전극(50), 층간 절연막(60), 및 브릿지 전극(70)을 포함할 수 있다.
기판(10)은 투명 기판 또는 유연 기판을 포함할 수 있다. 투명 기판은 글래스 기판일 수 있다. 유연 기판은 플라스틱 기판일 수 있다. 플라스틱 기판은 PMMA(PolyMethylMethAcrylate), 또는 PET(Ployethylene terephthalate) 을 포함할 수 있다.
제 1 버퍼 층(20)은 약 1.8 내지 약 2.9의 굴절률을 갖는 고 굴절률(high index of refraction) 절연체일 수 있다. 고 굴절률 절연체는 산화 티타늄(TiO2), 산화 네오븀(Nb2O5), 산화 지르코늄(ZrO5), 산화 탄탈륨(Ta2O5), 산화 하프늄(HfO2)을 포함할 수 있다. 제 1 버퍼 층(20)은 약 2nm 내지 약 20nm정도의 두께를 가질 수 있다. 제 2 버퍼 층(30)은 약 1.3 내지 약 1.8 정도의 굴절률을 갖는 저 굴절률 절연체일 수 있다. 저 굴절률 절연체는 산탄화 실리콘을 포함할 수 있다. 제 2 버퍼 층(30)은 약 20nm 내지 약 100nm정도의 두께를 가질 수 있다.
라인 전극(40) 및 분리 전극(50)은 투명 전극일 수 있다. 투명 전극은 인듐주석산화물(이하, ITO), 인듐아연산화물(이하, IZO), 갈륨아연산화물(이하, GZO)을 포함할 수 있다. 라인 전극(40)은 제 1 방향으로 연장될 수 있다. 분리 전극(50)은 제 2 방향으로 이격될 수 있다. 여기서, 제 1 방향은 X축 방향이고, 제 2 방향은 Y축 방향일 수 있다. 라인 전극(40)은 분리 전극(50) 사이에 연결될 수 있다. 라인 전극(40)과 분리 전극(50)은 기판(10) 상의 동일 레벨에 배치될 수 있다.
층간 절연막(60)은 제 2 버퍼 층(30) 및 라인 전극(40)을 덮는다. 층간 절연막(60)은 산탄화 실리콘과 같은 유전체를 포함할 수 있다. 산탄화 실리콘은 가시광에 대해 약 93%이상의 고 투과율과, 약 1.3 내지 약 1.8 정도의 저 굴절률을 갖는다. 산탄화 실리콘은 시인성 확보를 위한 굴절률의 변화를 가능하게 할 수 있다.
브릿지 전극들(70)은 층간 절연막(60)과 분리 전극들(50) 상에 배치될 수 있다. 브릿지 전극들(70)은 분리 전극들(50)을 연결한다. 브릿지 전극들(80)은 몰리브데늄(Mo)를 포함할 수 있다. 라인 전극(40)은 제 1 전극이 되고, 브릿지 전극들(70)과 분리 전극들(50)은 제 2 전극이 될 수 있다.
라인 전극(40)의 제 1 전극과, 분리 전극(50) 및 브릿지 전극(70)의 제 2 전극 중 어느 하나에 제 1 전하가 인가되면, 나머지 하나에 제 2 전하가 유도될 수 있다. 이는 층간 절연막(60)의 유전체가 유전 분극(dielectric polarization)을 갖기 때문이다. 제 1 전하와 제 2 전하는 서로 반대되는 극성을 갖는다. 따라서, 본 발명의 제 1 실시 에에 따른 터치 스크린은 정전 용량 방식으로 구동될 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 4 내지 도 7은 도 2를 근거로 하여 본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린의 제조방법을 나타내는 공정 단면도들이다.
도 4를 참조하면, 기판(10) 상에 제 1 버퍼 층(20) 및 제 2 버퍼 층(30)을 형성한다. 제 1 버퍼 층(20)은 스퍼터링 방법으로 형성된 금속 산화막을 포함할 수 있다. 제 2 버퍼 층(30)은 스퍼터링 방법으로 형성된 산탄화 실리콘을 포함할 수 있다.
도 5를 참조하면, 제 2 버퍼 층(30) 상에 라인 전극(40) 및 분리 전극(50)을 형성한다. 라인 전극(40) 및 분리 전극(50)은 ITO 또는 IZO를 포함할 수 있다. 라인 전극(40) 및 분리 전극(50)은 증착 공정, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. 증착 공정은 스퍼터링 공정을 포함할 수 있다.
도 6을 참조하면, 라인 전극(40) 및 제 2 버퍼 층(30) 상에 층간 절연막(60)을 형성한다. 층간 절연막(60)은 반응성 스퍼터링 방법으로 형성된 산탄화 실리콘을 포함할 수 있다. 층간 절연막(60)은 증착 공정, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로부터 형성될 수 있다. 산탄화 실리콘은 탄화 실리콘(SiC) 또는 산탄화 실리콘(SiOC)의 타겟을 사용한 반응성 스퍼터링 방법에 의해 형성될 수 있다. 반응성 스퍼터링 방법은 층간 절연막의 대면적 증착을 용이하게 하고, 상기 층간 절연막의 증착 속도를 빠르게 할 수 있다. 산탄화 실리콘은 식각 공정의 제 1 식각 용액에 대해 라인 전극(40) 및 분리 전극(50)으로부터 우수한 제 1 식각 선택비를 가질 수 있다. 제 1 식각 용액은 완충 산화막 식각액(Buffered oxide etchant (BOE))을 포함할 수 있다. 완충 산화막 식각액은 불화 암모늄(NH4F)과 불산(HF)의 혼합 용액을 포함할 수 있다. 예를 들어, 산탄화 실리콘은 ITO 대비 약 30 내지 60배 이상의 제 1식각 선택비를 가질 수 있다. 층간 절연막(60)은 리프트 오프 공정에 의해 형성될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 먼저 분리 전극들(50) 사이의 라인 전극(40)과 제 2 버퍼 층(30)을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 다음, 라인 전극(40) 및 제 2 버퍼 층(30)의 일부와, 포토레지스트 패턴의 전면에 산탄화 실리콘을 형성한다. 그 다음, 포토레지스트 패턴을 제거하여 층간 절연막(60)을 형성할 수 있다.
도 7을 참조하면, 층간 절연막(60) 및 분리 전극들(50) 상에 브릿지 전극(70)을 형성한다. 브릿지 전극(70)은 증착 공정, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. 증착 공정은 스퍼터링 공정을 포함할 수 있다. 브릿지 전극(70)은 몰리브데늄, 크롬(Cr)/은(Ag), 니켈(Ni)/은(Ag)과 같은 전도성 금속을 포함할 수 있다. 전도성 금속은 산성의 제 2 식각 용액에 의해 식각될 수 있다. 제 2 식각 용액은 인산과 질산과 초산을 주성분으로 하는 화합물에 염소계, 인산염계, 리튬계, 질화염계 화합물을 소량 포함하는 혼합 용액을 포함할 수 있다. 전도성 금속의 제거 시, 층간 절연막(60) 및 제 2 버퍼 층(30)의 산탄화 실리콘은 전도성 금속보다 약 2배 내지 4배 정도의 제 2 식각 선택비로 기판(10) 상에 잔존할 수 있다. 산탄화 실리콘은 저 유전율 물질로서 라인 전극(40)과 브릿지 전극(70) 사이의 절연체로 사용되고, 층간 절연막(60)의 투과율 향상시킬 수 있다. 또한, 산탄화 실리콘은 층간 절연막(60) 및 제 2 버퍼 층(30)에 공통으로 사용되어 공정 단순화와 제조 비용 감소를 실현 시킬 수 있는 재료이다.
따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린 제조방법은 생산성 및 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시 예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시 예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 기판 20: 제 1 버퍼 층
30: 제 2 버퍼 층 40: 라인 전극
50: 분리 전극 60: 층간 절연막
70: 브릿지 전극

Claims (16)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되고 산화 티타늄, 산화 네오븀, 산화 지르코늄, 산화 탄탈륨 또는 산화 하프늄 중 적어도 하나인 고 굴절률의 금속 산화물을 포함하는 제 1 버퍼 층;
    상기 제 1 버퍼 층 상에 배치되고 상기 제 1 버퍼 층의 굴절률보다 낮은 저굴절률의 산탄화 실리콘을 포함하는 제 2 버퍼 층;
    상기 제 2 버퍼 층 상에 배치되고, 제 1 방향으로 연장하는 제 1 전극들;
    상기 제 1 전극들 각각의 일부 상에 배치되는 층간 절연막; 및
    상기 층간 절연막에 인접하는 상기 제 1 전극들 사이의 상기 제 2 버퍼 층 상에 배치된 분리 전극들과, 상기 분리 전극들의 일부와 상기 층간 절연막 상에 배치되어 상기 분리 전극들을 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연결하는 브릿지 전극들을 포함하는 제 2 전극들을 포함하되,
    상기 층간 절연막은 상기 제 2 버퍼 층과 동일한 상기 산탄화 실리콘을 포함하는 터치 스크린.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극들 및 제 2 전극들의 각각은 투명 금속을 포함하는 터치 스크린.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 투명 금속은 인듐주석 산화물 또는 인듐아연 산화물 또는 갈륨아연 산화물을 포함하는 터치 스크린.
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 브릿지 전극들은 몰리브데늄, 크롬(Cr)/은(Ag), 또는 니켈(Ni)/은(Ag)을 포함하는 터치 스크린.
  10. 스퍼터링 방법을 사용하여 기판 상에 금속 산화물을 포함하는 제 1 버퍼 층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 버퍼 층 상에 상기 스퍼터링 방법을 사용하여 산탄화 실리콘을 포함하는 제 2 버퍼 층을 형성하는 단계;
    상기 스퍼터링 방법을 사용하여 상기 제 2 버퍼 층 상에 제 1 방향의 제 1 전극들과, 상기 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향으로 상기 제 1 전극들에 의해 분리된 분리 전극들을 형성하는 단계;
    상기 분리 전극들 사이의 상기 제 1 전극들의 일부 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; 및
    상기 스퍼터링 방법을 사용하여 상기 분리 전극들 사이를 연결하는 브릿지 전극을 상기 층간 절연막 상에 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 층간 절연막은 상기 제 1 및 제 2 버퍼 층들, 상기 제 1 전극들, 상기 분리 전극들 및 상기 브릿지 전극과 동일한 방법의 상기 스퍼터링 방법으로 형성된 산탄화 실리콘을 포함하는 터치 스크린의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 산탄화 실리콘은 상기 제 1 전극들과 상기 분리 전극들 대비 30배 내지 60배 이상으로 제거하는 제 1 식각 선택비를 갖는 제 1 식각 용액에 의해 식각되는 터치 스크린의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 식각 용액은 완충 산화막 식각액(Buffered oxide etchant)을 포함하는 터치 스크린의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 완충 산화막 식각액은 불화 암모니와 불산의 제 1 혼합 용액을 포함하는 터치 스크린의 제조방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 산탄화 실리콘은 상기 브릿지 전극 대비 2배 내지 4배로 잔존시키는 제 2 식각 선택비를 갖는 제 2 식각 용액에 의해 식각되는 터치 스크린의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 2 식각 용액은 인산과 질산과 초산을 주성분으로 하는 화합물에 염소계, 인산염계, 리튬계, 질화염계 화합물을 소량 포함하는 제 2 혼합 용액을 포함하는 터치 스크린의 제조방법.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 층간 절연막은, 리프트 오프 방법으로 형성되는 터치 스크린의 제조방법.
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