KR102088769B1 - 터치 스크린 패널 제작 방법 및 터치 스크린 패널 - Google Patents

터치 스크린 패널 제작 방법 및 터치 스크린 패널 Download PDF

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Abstract

터치 스크린 패널 제작 방법 및 터치 스크린 패널이 개시되어 있다. 정전 용량 방식의 윈도우 일체형 터치 스크린 패널 제작 방법은 강화 처리된 기판 위에 OMO(oxide metal oxide) 하이브리드 전극을 형성하는 단계와 OMO 하이브리드 전극을 식각하여 패턴을 형성하고, 패턴에 패턴 삽입 계층을 형성하는 단계를 포함할 수 있되, OMO 하이브리드 전극은 강화 처리된 기판 위에 하위 계층, 금속 계층 및 상위 계층을 적층하여 형성되고, 패턴 삽입 계층은 일정한 범위의 굴절율을 가지는 산화물을 기반으로 형성될 수 있다.

Description

터치 스크린 패널 제작 방법 및 터치 스크린 패널{METHOD FOR MANUFACTURING TOUCH SCREEN PANEL AND TOUCH SCREEN PANEL}
본 발명은 터치 스크린에 관한 것으로써 보다 상세하게는 터치스크린 패널을 제작하는 방법 및 터치 스크린 패널에 관한 것이다.
터치 스크린은 구현 기술에 따라 크게 정전 용량 방식, 저항막 방식, 적외선 방식 및 초음파 방식으로 분류될 수 있다.
저항막(정압식) 방식은 손가락 또는 펜에 의해 기판이 터치되면 상하부 기판의 투명 전극이 서로 접촉하면서 전기적 신호가 발생하고 전기적 신호를 파악해 위치를 판단할 수 있다. 저항막 방식은 가격이 저렴하고 정확도가 높아 소형화에 유리하여 PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 핸드셋 등에 주로 채택될 수 있다.
정전 용량 방식은 기판 위 투명 전극 상에 손가락의 터치 등 도전체가 닿을 경우 절연층에 일정한 정전 용량층이 형성되고, 이 부분을 통해 신호가 전달되어 그 신호의 크기를 계산하고 위치를 검출하는 방식이다.
저항막 방식은 원가 측면에서 장점을 가지고 있고, 정전 용량식은 저항막 방식에 비해 원가는 비싸나, 높은 빛 투과성, 멀티 터치, 반응 속도 측면에서는 정전 용량 방식이 사용자에게 좀 더 선호되고 있어 향후 휴대용 단말 터치 패널의 주류로 자리잡을 것으로 전망되고 있다.
초음파 방식(surface acoustic wave, SAW)은 방출된 초음파가 장애물을 만나 파동의 크기가 줄어든 것을 감지하는 방식이다. 초음파 방식은 빛 투과성이 높으며 정확성과 선명도가 높아 외부 장소에 설치된 무인 정보 단말기 등에 주로 적용되며, 대형 패널에 적용 가능하지만 센서의 오염과 액체에 약한 단점이 있다.
적외선 방식(infrared ray, IR)은 적외선이 사람의 눈에 보이지 않으나 직진성이 있어 장애물이 있으면 차단되는 특성을 이용한 방식으로 디스플레이 전면에 ITO(indium tin oxide) 필름이나 유리판이 필요 없이 글라스 한 장으로도 구현이 가능하여 투과율이 가장 우수한 방식이다.
감성 터치의 기본인 멀티 터치가 가능하면서 고투과 센서를 제작할 수 있는 경우는 정전 용량 방식 TSP(touch screen panel)가 유일하다. 대면적 디스플레이에 적용 가능한 감성터치 기능을 가지는 대면적·슬림 터치 센서 기술이 향후 10 년 내에 터치 센서 기술의 중심이 될 것으로 예상된다.
본 발명의 제1 목적은 터치 스크린 패널 제작 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제2 목적은 터치 스크린 패널을 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 정전 용량 방식의 윈도우 일체형 터치 스크린 패널 제작 방법은 강화 처리된 기판 위에 OMO(oxide metal oxide) 하이브리드 전극을 형성하는 단계와 상기 OMO 하이브리드 전극을 식각하여 패턴을 형성하고, 상기 패턴에 패턴 삽입 계층을 형성하는 단계를 포함할 수 있되, 상기 OMO 하이브리드 전극은 상기 강화 처리된 기판 위에 하위 계층, 금속 계층 및 상위 계층을 적층하여 형성되고, 상기 패턴 삽입 계층은 일정한 범위의 굴절율 가지는 산화물을 기반으로 형성될 수 있다. 상기 정전 용량 방식의 윈도우 일체형 터치 스크린 패널 제작 방법은 상기 상위 계층 및 상기 패턴 삽입 계층의 상단에 전극 간 절연층을 형성하는 단계와 상기 전극 간 절연층의 상단에 브릿지를 형성하고 상기 OMO 하이브리드 전극에 금속 배선을 연결하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 전극 간 절연층은 무기물 및 유기물 소재로 구현되고, 상기 무기물 및 상기 유기물 소재는 SiOx, SiNx, MgF2, SiOxNy(여기서, x, y는 자연수) 중 적어도 하나이고, 상기 브릿지 및 상기 금속 배선은 동시에 구현되고, 상기 브릿지 및 상기 금속 배선은 동일한 두께의 금속으로 구현되고, 상기 금속은 단층 및 다층 금속층으로써 Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti/Cu, Ti/Ag, Cr/Ag, Cr/Cu, Al/Ag, Al/Cu, Mo/Al/Mo 중 적어도 하나일 수 있다. 상기 패턴 삽입 계층의 상기 굴절율은 1.6이상 2.0 이하의 값을 가지고, 상기 패턴 삽입 계층의 두께는 60nm 이상 120nm 이하의 값이고, 상기 패턴 삽입 계층의 상기 산화물은 MgO, Ta2O3 및 SiON 중 하나일 수 있다. 상기 상위 계층의 굴절률은 1.8 이상 2.2 이하이고, 상기 상위 계층의 두께는 30nm 이상 70nm 이하이고, 상기 상위 계층은 ITO(indium tin oxide), IZO (indium-zinc oxide), AZO(Al-doped ZnO), GZO(Ga-doped ZnO), ITZO(indium-tin-zinc oxide), ZTO(zinc-tin oxide), IGO(indium-gallium oxide), SnO2 및 ZnO 중 하나로 형성될 수 있다. 상기 금속 계층의 두께는 5nm 이상 10nm 이하이고, 상기 금속 계층은 Ag 또는 Ag 합금으로 구현되고, 상기 Ag 합금은 Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd 및 Ag-Au-Cu 중 적어도 하나일 수 있다. 상기 하위 계층의 굴절률은 2.0 이상 2.7 이하 이고, 상기 하위 계층의 두께는 20nm 이상 60nm 이하이고, 상기 하위 계층은 TiO2, Nb2O5, ZnO, ZrO2, HfO2 중 적어도 하나일 수 있다.
상술한 본 발명의 제2 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 정전 용량 방식의 윈도우 일체형 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 정전 용량 방식의 윈도우 일체형 터치 스크린 패널은 강화 처리된 기판 위에 적층된 OMO(oxide metal oxide) 하이브리드 전극, 상기 OMO 하이브리드 전극을 식각하여 생성된 패턴을 기반으로 형성된 패턴 삽입 계층을 포함할 수 있되, 상기 OMO 하이브리드 전극은 상기 강화 처리된 기판 위에 하위 계층, 금속 계층 및 상위 계층을 적층하여 형성되고, 상기 패턴 삽입 계층은 일정한 범위의 굴절율 가지는 산화물을 기반으로 형성될 수 있다. 상기 정전 용량 방식의 윈도우 일체형 터치 스크린 패널은 상기 상위 계층 및 상기 패턴 삽입 계층의 상단에 형성된 전극 간 절연층, 상기 전극 간 절연층의 상단에 형성된 브릿지와 상기 OMO 하이브리드 전극에 연결된 금속 배선을 더 포함할 수 있다. 상기 전극 간 절연층은 무기물 및 유기물 소재로 구현되고, 상기 무기물 및 상기 유기물 소재는 SiOx, SiNx, MgF2, SiOxNy(여기서, x, y는 자연수) 중 적어도 하나이고, 상기 브릿지 및 상기 금속 배선은 동시에 구현되고, 상기 브릿지 및 상기 금속 배선은 동일한 두께의 금속으로 구현되고, 상기 금속은 단층 및 다층 금속층으로써 Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti/Cu, Ti/Ag, Cr/Ag, Cr/Cu, Al/Ag, Al/Cu, Mo/Al/Mo 중 적어도 하나일 수 있다. 상기 패턴 삽입 계층의 상기 굴절율은 1.6이상 2.0 이하의 값을 가지고, 상기 패턴 삽입 계층의 두께는 60nm 이상 120nm 이하의 값이고, 상기 패턴 삽입 계층의 상기 산화물은 MgO, Ta2O3 및 SiON 중 하나일 수 있다. 상기 상위 계층의 굴절률은 1.8 이상 2.2 이하이고, 상기 상위 계층의 두께는 30nm 이상 70nm 이하이고, 상기 상위 계층은 ITO(indium tin oxide), IZO (indium-zinc oxide), AZO(Al-doped ZnO), GZO(Ga-doped ZnO), ITZO(indium-tin-zinc oxide), ZTO(zinc-tin oxide), IGO(indium-gallium oxide), SnO2 및 ZnO 중 하나로 형성될 수 있다. 상기 금속 계층의 두께는 5nm 이상 10nm 이하이고, 상기 금속 계층은 Ag 또는 Ag 합금으로 구현되고, 상기 Ag 합금은 Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd 및 Ag-Au-Cu 중 적어도 하나일 수 있다. 상기 하위 계층의 굴절률은 2.0 이상 2.7 이하 이고, 상기 하위 계층의 두께는 20nm 이상 60nm 이하이고, 상기 하위 계층은 TiO2, Nb2O5, ZnO, ZrO2, HfO2 중 적어도 하나일 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린 패널 제작 방법 및 터치 스크린 패널은 강화 처리된 기판을 사용한 일체형으로 하이브리드 전극(예를 들어, OMO(oxide-metal-oxide))를 적용하여 저저항 고투과를 실현하면서도 광학적으로 패턴 시인성 확보할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 하이브리드 전극을 사용하여 기존의 정전 용량 방식 TSP(touch screen panel)의 크기보다 30배 이상 넒은 면적에서 TSP 멀티 터치 기능을 실현시킬 수 있다. 예를 들어, 일 계층 TSP(One layer TSP)에 적용할 경우, 20인치까지 멀티 터치가 가능하며, 이 계층 TSP(Two layers TSP)에 적용시에는 ~100인치까지 대면적 TSP 에 적용 가능하다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린 패널에서는 하이브리드 전극에서의 문제점이었던 패턴 시인성 문제를 해결할 수 있어 고분해능 디스플레이로 구현될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 메트릭스-스위칭 패턴의 TSP를 나타낸 개념도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 뮤추얼 타입 TSP를 나타낸 개념도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 터치스크린 패널에서 패턴을 형성하는 방법을 나타낸 개념도이다.
도 4는 기존의 TSP 제조 방법을 적용하였을 경우의 광학적 특성을 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 터치스크린 패널에서 패턴을 형성하는 방법을 사용한 경우의 개념도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 정전 용량 방식 터치스크린 패널(TSP) 평면의 구성도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 정전 용량 방식의 터치스크린 패널을 나타낸 개념도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 정전 용량 방식 터치스크린 패널을 나타낸 개념도이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린 패널을 생성하는 방법을 나타낸 순서도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어"있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어"있다거나 "직접 접속되어"있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 이하, 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
정전 용량 방식 TSP(touch screen panel)는 ITO(indium tin oxide, In2O3-SnO2) 전극을 1개 사용한 경우와 2개 이상 사용한 경우로 구분될 수 있다. 한편, 내구성을 강화시키고 패널 제작을 단순화시키기 위해 정전 용량 방식 TSP의 윈도우는 강화 유리나 강화된 플라스틱(PMMA)를 사용할 수 있다. 정전 용량 방식을 나타내는 1-계층(One-layer) 또는 2-계층(Two-layer) 패턴 구조는 패턴 방식과 센싱 방식에 따라 기술 방식이 구분될 수 있다.
정전 용량 방식 TSP에서 멀티 터치를 구현하기 위해서는 정전 용량 방식 TSP에서 사용하는 전극의 개수를 1개 또는 2개로 구현할 수 있다. 전극을 1개 사용한 경우는 메트릭스-스위칭(Matrix-Switching) 방식으로 구현되고, 전극을 2개 사용한 경우는 뮤추얼(Mutual) 방식으로 구현될 수 있다.
정전 용량 방식 TSP 에서는 2개의 전극으로 뮤추얼 저항(mutual capacitance 의 변화를 측정하는 방식이 일반적이며, 사용된 투명 전극의 면 저항이 낮을수록 큰 크기의 TSP 제작이 가능하다.
예를 들면, 10 인치 크기의 정전 용량 방식 TSP 에서 요구되는 면 저항이 150Ω/sqm 이라면, 9배 넓이의 30 인치 크기의 TSP에서 같은 터치 속도와 감도를 느끼게 하기 위해서는 약 1/9의 면 저항인 20~30Ω/sqm이 필요하다. 10 인치 크기의 TSP에서는 기존의 ITO 전극으로 가능하지만, 30 인치 이상에서는 기존의 ITO 전극으로는 낮은 면 저항을 확보하기 어려울 수 있다.
ITO 투명 전극 대신에 산화물층/금속 계층/산화물층(oxide/metal/oxide, OMO)으로 구성된 하이브리드 투명 전극은 투과도 90% (Air 기준) 이상과, 10Ω/sqm 이하의 매우 낮은 면 저항을 확보할 수 있어, 정전 용량 방식 대면적 TSP 제작에 적합할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린 패널 제작 방법 및 터치 스크린 패널에서는 강화된 기판(강화 유리, 플라스틱) 위에 일체형으로 터치 센서를 제작하는 방법에 대해 게시한다. 본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 정전 용량 방식을 기반으로 구현될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 정전 용량 방식의 터치 스크린 패널은 기존의 ITO 투명 전극으로 형성하였던 전극 패턴을 OMO 하이브리드 전극으로 대체해서 대면적의 TSP 를 제작할 수 있다.
OMO 하이브리드 전극을 적용한 대면적 TSP 제작에서 가장 큰 문제는 광학적으로 인덱스 매칭 조건을 확보하는 것이다. 식각된 전극과 남은 전극 사이의 투과율 또는 반사율 차이가 1% 이하가 되어야 사람의 눈으로 패턴이 보이지 않게 된다.
*만약, 대면적 TSP에서 OMO 전극 구조를 식각한다면 광학적으로 우수한 시인성(Index-Matching)을 확보하기 어려울 수 있다. 왜냐하면, 대부분의 OMO 조합은 식각된 전극과 남은 전극 사이의 투과율 또는 반사율 차이가 3~4% 정도의 값을 가지기 때문이다.
이와 같이 OMO 하이브리드 전극을 활용하여 대면적 TSP 를 적용할 경우 문제점인 광학적 시인성 확보를 위해 본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린 패널에서는 식각된 OMO 패턴 사이에 층간 계층(Inter-Layer, IL)을 삽입하여, 인덱스 매칭 조건을 확보할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에서는 기존의 정전 용량 방식 TSP에서 사용되어 왔던 ITO 투명 전극 대신에 산화물층/금속 계층/산화물층(oxide/metal/oxide, OMO)으로 구성된 OMO 하이브리드 전극(또는 하이브리드 투명 전극)을 사용하여 고투과 저저항 TSP 패턴을 구현할 수 있다. 이러한 방법을 사용함으로써 2-계층(Two-Layer) 전극 구조를 기반으로 구현되는 뮤추얼 타입 TSP(mutual type TSP)는 광학적인 패턴 시인성 문제를 해결한 30~100 인치 이상 크기의 대면적으로 구현될 수 있다. 또한, 1-계층(One-Layer) 전극 구조를 기반으로 구현되는 매트릭스-스위칭 타입 TSP(matrix-Switching type TSP)는 광학적인 패턴 시인성 문제를 해결한 20 인치 이하의 멀티 터치가 가능한 TSP로 구현될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 메트릭스-스위칭 패턴의 TSP를 나타낸 개념도이다.
도 1에서는 광학적인 패턴 시인성 문제를 해결하기 위한 1-계층 메트릭스-스위칭 패턴의 TSP에 대해 게시한다.
도 1을 참조하면, 1-계층 메트릭스-스위칭 패턴의 TSP 에서는 하이브리드 투명 전극(100)과 하이브리드 투명 전극을 식각한 부분(110)으로 구현될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 뮤추얼 타입 TSP를 나타낸 개념도이다.
도 2에서는 광학적인 패턴 시인성 문제를 해결하기 위한 2-계층 뮤추얼 타입 TSP에 대해 게시한다. 2-계층 뮤추얼 타입 TSP는 다이아몬드 모양의 패턴에 브리지(bridge) 전극을 사용하여 구현될 수 있다.
도 2를 참조하면, 2-계층 뮤추얼 타입 TSP는 Y-축 방향 하이브리드 투명 전극(200), X-축 방향 하이브리드 투명 전극(210) 및 식각된 하이브리드 투명 전극으로 구현될 수 있다.
도 1 및 도 2과 같은 TSP를 제조하기 위해서는 상위 계층/금속 계층/하위 계층(Top-Layer/Metal/Bottom-Layer, TL/M/BL)로 구성된 하이브리드 투명 전극(OMO)이 사용될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 투명 전극은 강화 처리 기판(예를 들어, 유리, PMMA, PC, PET) 위에 하위 계층을 형성시키고. 그 이후 금속 계층 및 상위 계층을 적층하여 구현할 수 있다.
하이브리드 투명 전극을 사용하는 정전 용량 방식의 TSP의 패턴(220)은 상위 계층/금속 계층/하위 계층을 동시에 식각하여 형성될 수 있다. 이후에 일체형 TSP 구조를 완성하고, OCA(optical clean adhesive) 필름을 적용하여 디스플레이 패널과 합착시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 터치스크린 패널에서 패턴을 형성하는 방법을 나타낸 개념도이다.
도 3을 참조하면, 정전 용량 방식의 TSP 는 하위 계층(330), 금속 계층(320), 상위 계층(310)을 차례로 적층시킬 수 있다. 터치스크린 패널의 패턴은 하위 계층(330), 금속 계층(320), 상위 계층(310)을 적층한 이후, 상위 계층(310)/금속 계층(320)/하위 계층(330)을 동시에 식각하여 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 식각하여 형성된 패턴에 광학적으로 인덱스 매칭을 하기 위한 패턴 삽입층(350)을 형성할 수 있다. 패턴 삽입층(350)은 층간 산화물(Inter-layer(IL) 산화물)을 기반으로 형성될 수 있다. 패턴 삽입층(350)을 사용함으로써 광학적으로 평균 1% 내외로 반사율 및 투과율 차이를 가지는 터치 스크린 패널을 구현할 수 있다.
구체적으로 정전 용량 방식의 TSP는 상위 계층(310)/금속 계층(320)/하위 계층(330)을 동시에 식각하여 패턴을 형성한 이후, 패턴에 패턴 삽입층(350)으로써 층간 산화물(Inter-layer(IL))을 적층할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 정전 용량 방식의 TSP에서 하이브리드 전극(상위 계층(310)/금속 계층(320)/하위 계층(330)) 및 패턴 삽입층(350)은 아래와 같은 조건을 가질 수 있다.
상위 계층(310)은 굴절률 1.8~2.2를 갖는 산화물(TCO(transparent conducting oxide) 포함)을 30~70nm 범위의 두께를 가지도록 금속 계층(320)의 상단에 적층될 수 있다. 상위 계층(310)에서는 산화물로 ITO, IZO(indium-zinc oxide), AZO(Al-doped ZnO), GZO(Ga-doped ZnO), ITZO(indium-tin-zinc oxide), ZTO(zinc-tin oxide), IGO(indium-gallium oxide), SnO2, ZnO 등을 사용할 수 있다.
금속 계층(320)은 두께 5~10nm 로 매우 얇은 두께의 Ag 또는 Ag 합금(alloy) 등으로 형성될 수 있다. Ag 합금에는 Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd, Ag-Au-Cu 등의 2 원계 및 3 원계 금속으로 구성될 수 있다.
하위 계층(330)은 굴절률 2.0~2.7을 갖는 산화물이고 두께 20~60nm 범위에서 강화 기판(340)의 상단에 적층되어 형성될 수 있다.
하위 계층(330)에 해당하는 산화물은 TiO2, Nb2O5, ZnO, ZrO2, HfO2 등 높은 굴절률을 갖는 소재로 강화 기판(예를 들어, 강화유리, 고경도 플라스틱)(340)의 상단에 적층될 수 있다.
패턴 삽입층(350)은 굴절률 1.6~2.0을 갖는 산화물로 두께 60~120nm 범위로 형성될 수 있다. 패턴 삽입층(350)은 MgO, Ta2O3, SiON 등 상대적으로 낮은 굴절률을 보유한 산화물을 기반으로 구현될 수 있다.
도 4는 기존의 TSP 제조 방법을 적용하였을 경우의 광학적 특성을 나타낸 그래프이다.
도 4에서는 기존의 OMO 전극 패터닝 방법을 적용하였을 경우의 광학적 특성을 나타낸다.
도 4를 참조하면, 투명 전극이 식각된 부분과 남은 부분의 반사율 차이가 ΔR=R1(430)-R0(420)=0.8~2.6%이고 투명 전극이 식각된 부분과 남은 부분의 투과율 차이가 ΔT=T1(410)-T0(400)=3.0~ 4.1%인 매우 큰 값을 가지는 것을 확인할 수 있다.
반사율의 차이와 투과율의 차이가 이러한 값을 가지는 경우, 사람의 눈으로 OMO 전극의 패턴을 인식하게 된다. 본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린 패널에서 패턴을 형성하는 방법을 사용하는 경우 이러한 광학적 시인성의 문제를 해결할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 터치스크린 패널에서 패턴을 형성하는 방법을 사용한 경우의 개념도이다.
하이브리드 투명 전극이 식각된 부분에 광학적으로 인덱스 매칭을 위해 패턴 삽입층을 형성할 수 있다.
도 5를 참조하면, 이러한 방법을 사용하는 경우, 투명 전극이 식각된 부분과 남은 부분의 반사율 차이가 ΔR=R2(500)-R0(510)=0.0~1.4%이고, 투과율 차이가 ΔT=T2(520)-T0(530)=0.7~1.5%로 매우 낮은 값을 가지는 것을 볼 수 있다.
이와 같이 평균 1% 내외로 반사율 및 투과율 차이를 조정할 수 있으므로 사람의 눈으로 패턴을 식별하기 어렵게 되어 기존의 OMO 전극 패터닝 방법을 사용한 터치 스크린의 터치 광학적인 시인성 문제를 해결할 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 정전 용량 방식 터치스크린 패널(TSP) 평면의 구성도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 정전 용량 방식 터치스크린 패널은 평면은 전술한 바와 같이 X 축, Y 축으로 구성될 수 있다. 전정전 용량 방식 터치스크린 패널은 패터닝된 Y축 전극 및 패터닝된 X축 전극을 포함할 수 있다.
도 6의 절연막(600)은 SiOx, SiNx, MgF2, SiOxNy 및 유기물 절연막으로 구현될 수 있다. 브릿지 전극(620)은 금속 또는 투명 전극 등으로 구성될 수 있다. 브릿지 전극(620)이 금속일 경우는 폭이 2~20um 으로 사람이 육안으로 식별이 어려운 두께일 수 있다. 브릿지 전극(620)과 금속 배선(620, 660)은 두께가 같게 구현될 수 있다. 브릿지 전극(620) 및/또는 금속 배선(620, 660)은 Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti/Cu, Ti/Ag, Cr/Ag, Cr/Cu, Al/Cu, Mo/Al/Mo, 등의 단층 및 다층 금속으로 구현될 수 잇다.
도 6에서 브릿지 전극(620)으로 투명 전극(TCO)을 사용할 경우, ITO, IZO, IZTO 등의 소재가 적용될 수도 있다.
도 7 및 도 8에서는 본 발명의 실시예에 따른 정전 용량 방식 터치스크린패널을 A 방향 및 B 방향에서 본 개념도에 대해 게시한다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 정전 용량 방식의 터치스크린 패널을 나타낸 개념도이다.
도 7은 도 6에서 게시한 정전 용량 방식 터치스크린 패널의 A 방향 단면도이다.
도 7을 참조하면, 하위 계층, 금속 계층, 상위 계층을 차례로 적층한 이후, 상위 계층/금속 계층/하위 계층을 동시에 식각하여 패턴을 형성시킬 수 있다. 또한, 식각하여 형성된 패턴에 광학적으로 인덱스 매칭을 위한 패턴 삽입 계층으로 층간 계층(inter-layer) 산화물을 형성 시킬 수 있다.
절연막(700)은 패턴 삽입 계층 및 상위 계층의 상단에 형성될 수 있고, 절연막의 상단에 브릿지가 구현될 수 있다. 브릿지가 A 방향으로 형성되어 절연층(700) 위에 브릿지 전극(750)이 상단과 하단을 잇고 있는 것을 확인할 수 있다.
도 8는 도 6에서 게시한 정전 용량 방식 터치스크린 패널의 B 방향 단면도이다.
마찬가지로 절연막(800)은 패턴 삽입 계층 및 상위 계층의 상단에 형성될 수 있고, 절연막의 상단에 브릿지(850)가 구현될 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 정전 용량 방식 터치스크린 패널을 나타낸 개념도이다.
도 9의 좌측은 전술한 도 6에서 브릿지 전극을 세라믹 소재로 한 경우, 구체적으로 세라믹 소재의 투명 전극(900)을 적용했을 경우의 실시예이다.
도 9의 우측은 도 6에서 브릿지 전극(950)을 금속 소재로 적용했을 때의 실시예이다.
전술한 바와 같은 방법으로 생성된 터치스크린 패널은 강화 처리된 기판을 사용한 일체형으로 하이브리드 투명 전극(예를 들어, OMO(oxide-metal-oxide))를 적용하여 저저항 고투과를 실현하면서 광학적으로 패턴 시인성 확보를 통해, 대면적, 멀티 터치, 감성 터치를 실현할 수 있다.
본 발명의 실시예에 다른 하이브리드 투명 전극을 사용하는 경우, 기존의 정전 용량 방식 TSP(touch screen panel)의 크기보다 30배 이상 넒은 면적에서 TSP 멀티 터치 기능을 실현시킬 수 있다. 또한, 하이브리드 전극에서의 문제점이었던 패턴 시인성 문제를 해결할 수 있게 되어 고분해능 디스플레이에 적용 가능하다. 이뿐만 아니라, 일 계층 TSP(One layer TSP)에 적용할 경우, 20인치까지 멀티 터치가 가능하며, 이 계층 TSP(Two layers TSP)에 적용시에는 ~100인치까지 대면적 TSP 에 적용 가능하다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린 패널을 생성하는 방법을 나타낸 순서도이다.
도 10을 참조하면, 강화 처리된 기판 위에 OMO 하이브리드 전극을 형성한다(단계 S1000).
예를 들어, 강화 처리된 기판은 화학적으로 강화 처리된 강화 유리, 강화된 PMMA, 강화필름이 코팅된 PC, PET 등일 수 있다. 강화 처리된 기판의 터치 센서의 두께가 3mm 이하의 값을 가지고 투과도가 80% 이상의 값을 가지도록 구현될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 OMO 하이브리드 투명 전극은 상위 계층/금속 계층/하위 계층 및 패턴 삽입 계층으로 구현될 수 있다. 이러한 전극 구조는 1-계층(one-layer) 구조인 매트릭스-스위칭 타입(matrix-switching type)인 TSP 와 2-계층 구조(two-layers) 구조인 뮤추얼 타입 TSP에서 사용될 수 있다. 이러한 OMO 하이브리드 투명 전극을 사용함으로써 TSP는 대면적 멀티 터치가 가능하도록 구현될 수 있다.
전술한 바와 같이 상위 계층은 굴절률 1.8~2.2을 가지는 산화물(TCO 포함)을 기반으로 두께 30~70nm 범위에서 형성될 수 있다. 상위 계층을 형성하기 위해 사용되는 산화물은 ITO, IZO(indium-zinc oxide), AZO(Al-doped ZnO), GZO(Ga-doped ZnO), ITZO(indium-tin-zinc oxide), ZTO(zinc-tin oxide), IGO(indium-gallium oxide), SnO2, ZnO 등을 포함할 수 있다.
금속 계층은 두께 5~10nm 로 매우 얇으며, Ag 또는 Ag 합금(alloy) 등에 의해 형성될 수 있다. Ag 합금은 Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd, Ag-Au-Cu 등의 2 원계 금속 및 3 원계 금속을 포함할 수 있다.
하위 계층은 굴절률 2.0~2.7을 갖는 산화물이고 두께 20~60nm 범위에서 형성될 수 있다. 하위 계층은 TiO2, Nb2O5, ZnO, ZrO2, HfO2 등 높은 굴절률을 갖는 산화물에 의해 형성될 수 있다.
패턴 삽입 계층을 형성한다(단계 S1010).
본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린 패널에서는 인덱스 매칭 최적화를 위해 패턴 삽입 계층을 형성시킬 수 있다. 패턴 삽입층은 층간 계층으로써 굴절률 1.6~2.0을 갖는 산화물로 두께 60~120nm 범위로 형성될 수 있다. 층간 계층은 MgO, Ta2O3, SiON 등 비교적 낮은 굴절률을 가진 산화물에 의해 형성될 수 있다.
전극 간 절연층을 형성시킨다(단계 S1020).
2-계층 구조(two-layers) 구조인 뮤추얼 타입 TSP인 경우, 전극 간 절연층을 형성시킬 수 있다. 전극간 절연층은 SiOx, SiNx, MgF2, SiOxNy 등과 같은 무기물 및 유기물 소재를 기반으로 형성될 수 있다.
브릿지 전극과 금속 배선을 형성한다(단계 S1030).
2-계층 구조(two layers) 구조인 뮤추얼 타입 TSP인 경우, 브릿지 전극을 형성시킬 수 있다. 브릿지 전극의 폭은 2~20um 로 형성될 수 있다. 브릿지 전극과 금속 배선은 동시에 형성될 수도 있고 브릿지 전극과 금속 배선이 동시에 형성되는 경우, 브릿지 전극과 금속 배선은 두께가 같을 수 있다. 금속의 재료는 Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti/Cu, Ti/Ag, Cr/Ag, Cr/Cu, Al/Ag, Al/Cu, Mo/Al/Mo, 등의 단층 및 다층 금속층일 수 있다.
광 접착층 및 편광 필름을 형성시킨다(단계 S1040).
*단계 S1000 내지 단계 S1030을 기반으로 패터닝된 터치스크린 패널과 광 접착층인 OCA(optically Clear Adhesive) 필름, 편광 필름 및 LCD(liquid-crystal display)(또는 AMOLED(active-matrix organic light-emitting diode))가 형성될 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (14)

  1. 정전 용량 방식의 윈도우 일체형 터치 스크린 패널 제작 방법에 있어서,
    강화 처리된 기판 위에 OMO(oxide metal oxide) 하이브리드 전극을 형성하는 단계;
    상기 OMO 하이브리드 전극의 일부를 식각하는 단계; 및
    상기 OMO 하이브리드 전극이 식각된 부분에 패턴 삽입 계층을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 패턴 삽입 계층은 산화물을 기반으로 형성되고,
    상기 OMO 하이브리드 전극은 상기 강화 처리된 기판 위에 하위 계층, 금속 계층 및 상위 계층을 적층하여 형성되는 터치 스크린 패널 제작 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 상위 계층 및 상기 패턴 삽입 계층의 상단에 전극 간 절연층을 형성하는 단계; 및
    상기 전극 간 절연층의 상단에 브릿지를 형성하고 상기 OMO 하이브리드 전극에 금속 배선을 연결하는 단계를 더 포함하는 터치 스크린 패널 제작 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 전극 간 절연층은 무기물 및 유기물 소재로 구현되고,
    상기 무기물 및 상기 유기물 소재는 SiOx, SiNx, MgF2, SiOxNy(여기서, x, y는 자연수) 중 적어도 하나이고,
    상기 브릿지 및 상기 금속 배선은 동시에 구현되고,
    상기 브릿지 및 상기 금속 배선은 동일한 두께의 금속으로 구현되고,
    상기 금속은 단층 및 다층 금속층으로써 Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti/Cu, Ti/Ag, Cr/Ag, Cr/Cu, Al/Ag, Al/Cu, Mo/Al/Mo 중 적어도 하나인 터치 스크린 패널 제작 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 패턴 삽입 계층의 굴절률은 1.6이상 2.0 이하의 값을 가지고,
    상기 패턴 삽입 계층의 두께는 60nm 이상 120nm 이하의 값이고,
    상기 패턴 삽입 계층의 상기 산화물은 MgO, Ta2O3 및 SiON 중 하나인 터치 스크린 패널 제작 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 상위 계층의 굴절률은 1.8 이상 2.2 이하이고,
    상기 상위 계층의 두께는 30nm 이상 70nm 이하이고,
    상기 상위 계층은 ITO(indium tin oxide), IZO (indium-zinc oxide), AZO(Al-doped ZnO), GZO(Ga-doped ZnO), ITZO(indium-tin-zinc oxide), ZTO(zinc-tin oxide), IGO(indium-gallium oxide), SnO2 및 ZnO 중 하나로 형성되는 터치 스크린 패널 제작 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 금속 계층의 두께는 5nm 이상 10nm 이하이고,
    상기 금속 계층은 Ag 또는 Ag 합금으로 구현되고,
    상기 Ag 합금은 Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd 및 Ag-Au-Cu 중 적어도 하나인 터치 스크린 패널 제작 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 하위 계층의 굴절률은 2.0 이상 2.7 이하 이고,
    상기 하위 계층의 두께는 20nm 이상 60nm 이하이고,
    상기 하위 계층은 TiO2, Nb2O5, ZnO, ZrO2, HfO2 중 적어도 하나인 터치 스크린 패널 제작 방법.
  8. 정전 용량 방식의 윈도우 일체형 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 정전 용량 방식의 윈도우 일체형 터치 스크린 패널은,
    강화 처리된 기판;
    상기 기판 위에서 서로 이격되도록 형성된 복수의 OMO(oxide metal oxide) 하이브리드 전극들; 및
    상기 OMO 하이브리드 전극들이 이격되는 사이에서 상기 기판의 상면과 접하도록 형성된 패턴 삽입 계층을 포함하되,
    상기 패턴 삽입 계층은 산화물을 포함하고,
    상기 OMO 하이브리드 전극들 각각은 상기 기판 위에 차례로 적층된 하위 계층, 금속 계층 및 상위 계층을 포함하는 터치 스크린 패널.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 상위 계층 및 상기 패턴 삽입 계층의 상단에 형성된 전극 간 절연층;
    상기 전극 간 절연층의 상단에 형성된 브릿지; 및
    상기 OMO 하이브리드 전극에 연결된 금속 배선을 더 포함하는 터치 스크린 패널.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 전극 간 절연층은 무기물 및 유기물 소재로 구현되고,
    상기 무기물 및 상기 유기물 소재는 SiOx, SiNx, MgF2, SiOxNy(여기서, x, y는 자연수) 중 적어도 하나이고,
    상기 브릿지 및 상기 금속 배선은 동시에 구현되고,
    상기 브릿지 및 상기 금속 배선은 동일한 두께의 금속으로 구현되고,
    상기 금속은 단층 및 다층 금속층으로써 Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti/Cu, Ti/Ag, Cr/Ag, Cr/Cu, Al/Ag, Al/Cu, Mo/Al/Mo 중 적어도 하나인 터치 스크린 패널.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 패턴 삽입 계층의 굴절률은 1.6이상 2.0 이하의 값을 가지고,
    상기 패턴 삽입 계층의 두께는 60nm 이상 120nm 이하의 값이고,
    상기 패턴 삽입 계층의 상기 산화물은 MgO, Ta2O3 및 SiON 중 하나인 터치 스크린 패널.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 상위 계층의 굴절률은 1.8 이상 2.2 이하이고,
    상기 상위 계층의 두께는 30nm 이상 70nm 이하이고,
    상기 상위 계층은 ITO(indium tin oxide), IZO (indium-zinc oxide), AZO(Al-doped ZnO), GZO(Ga-doped ZnO), ITZO(indium-tin-zinc oxide), ZTO(zinc-tin oxide), IGO(indium-gallium oxide), SnO2 및 ZnO 중 하나로 형성되는 터치 스크린 패널.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 금속 계층의 두께는 5nm 이상 10nm 이하이고,
    상기 금속 계층은 Ag 또는 Ag 합금으로 구현되고,
    상기 Ag 합금은 Ag-Al, Ag-Mo, Ag-Au, Ag-Pd, Ag-Ti, Ag-Cu, Ag-Au-Pd 및 Ag-Au-Cu 중 적어도 하나인 터치 스크린 패널.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 하위 계층의 굴절률은 2.0 이상 2.7 이하 이고,
    상기 하위 계층의 두께는 20nm 이상 60nm 이하이고,
    상기 하위 계층은 TiO2, Nb2O5, ZnO, ZrO2, HfO2 중 적어도 하나인 터치 스크린 패널.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI563429B (en) * 2015-05-08 2016-12-21 Innolux Corp Touch pannel and applications thereof
TWI563434B (en) * 2015-11-25 2016-12-21 Henghao Technology Co Ltd Touch panel
US10572080B2 (en) * 2016-06-13 2020-02-25 Samsung Display Co., Ltd. Optical touch film, display device including the same, and manufacturing method thereof
CN106775167B (zh) * 2017-01-13 2020-12-18 京东方科技集团股份有限公司 触控基板及其制备方法、显示装置
TWI748063B (zh) * 2017-03-06 2021-12-01 南韓商東友精細化工有限公司 電極連接結構、觸控感測器和影像顯示裝置
KR102452606B1 (ko) 2017-09-19 2022-10-07 삼성전자주식회사 모아레 시인 방지용 패턴 구조체 및 이를 이용한 디스플레이 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110298750A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Wen-Chun Wang Touch-sensitive device and fabrication method thereof and touch-sensitive display device

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4605788B2 (ja) * 2006-04-27 2011-01-05 日東電工株式会社 タッチパネル
JP5116004B2 (ja) * 2006-08-03 2013-01-09 日東電工株式会社 透明導電性積層体及びそれを備えたタッチパネル
KR20080054318A (ko) 2006-12-12 2008-06-17 주식회사 탑 엔지니어링 정전용량식 고저항 터치패널의 투명전도막 및 그 제조방법
KR101414042B1 (ko) 2007-12-07 2014-08-06 삼성디스플레이 주식회사 터치패널 액정표시장치
JP2009259203A (ja) 2008-03-25 2009-11-05 Epson Imaging Devices Corp 静電容量型入力装置、入力機能付き表示装置および電子機器
JP4888589B2 (ja) 2008-03-25 2012-02-29 ソニー株式会社 静電容量型入力装置、入力機能付き表示装置および電子機器
KR20100051292A (ko) 2008-11-07 2010-05-17 아이티엠 주식회사 투명 도전막 패턴 기판과 윈도우를 단차 가공된 하나의 투명 기판에 합체한 정전 용량 방식 터치 스크린 및 그 제조 방법
KR20100065486A (ko) 2008-12-08 2010-06-17 주식회사 엔에이치케이플러스 정전용량 방식의 터치 패널 구조
KR101534109B1 (ko) 2008-12-23 2015-07-07 삼성전자주식회사 정전용량형 터치 패널 및 이를 포함하는 정전용량형 터치 시스템
KR101066111B1 (ko) 2009-01-09 2011-09-20 전자부품연구원 정전용량방식 터치패널 및 그 제조방법
KR101025023B1 (ko) 2009-02-23 2011-03-25 (주)이엔에이치 정전용량 방식의 터치스크린 패널
JP2010211647A (ja) 2009-03-11 2010-09-24 Seiko Epson Corp タッチパネル装置、電気光学装置および電子機器
JP5182164B2 (ja) * 2009-03-12 2013-04-10 セイコーエプソン株式会社 タッチパネルの製造方法及び表示装置製造方法並びに電子機器製造方法
TWI517185B (zh) * 2009-03-31 2016-01-11 Teijin Ltd Transparent conductive laminates and transparent touch panels
KR101099031B1 (ko) 2009-06-05 2011-12-26 한화엘앤씨 주식회사 터치 패널용 투명 도전성 필름 및 그 제조방법
KR101076236B1 (ko) 2009-06-29 2011-10-26 주식회사 포인칩스 정전용량식 터치 패널
KR20110038517A (ko) * 2009-10-08 2011-04-14 엘지이노텍 주식회사 터치 패널용 면상 부재 및 그 제조방법
US20130063393A1 (en) * 2010-03-04 2013-03-14 Susumu Kurishima Functional laminated plate, and transparent electrically conductive laminated plate for touch panel and touch panel produced using same
JP4882016B2 (ja) 2010-05-20 2012-02-22 Ｓｍｋ株式会社 タッチセンサ
EP2402481A1 (en) * 2010-06-29 2012-01-04 Applied Materials, Inc. Method and system for manufacturing a transparent body for use in a touch panel
KR20110000722A (ko) 2010-12-16 2011-01-05 (주)맥스필름 반사율이 향상된 정전용량방식의 터치 패널 및 그 제조방법
KR20120103023A (ko) 2011-03-09 2012-09-19 삼성전기주식회사 터치스크린 패널
US20130005139A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Guardian Industries Corp. Techniques for manufacturing planar patterned transparent contact and/or electronic devices including same
KR101830611B1 (ko) 2011-09-20 2018-02-22 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 및 이를 적용한 표시 장치
WO2013069162A1 (ja) * 2011-11-11 2013-05-16 株式会社カネカ 透明電極付き基板およびその製造方法、ならびにタッチパネル
KR20130114820A (ko) * 2012-04-10 2013-10-21 한국전자통신연구원 터치 스크린 패널 제조 방법
KR101964945B1 (ko) * 2012-05-17 2019-04-02 가부시키가이샤 가네카 투명 전극 부착 기판 및 그 제조 방법, 및 터치 패널
KR102105485B1 (ko) * 2012-11-23 2020-04-29 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR20140132800A (ko) * 2013-05-06 2014-11-19 한국전자통신연구원 터치 스크린 패널 및 터치 스크린 패널을 포함하는 디스플레이
KR102167618B1 (ko) * 2013-11-27 2020-10-19 삼성전자주식회사 배선 형성 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110298750A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Wen-Chun Wang Touch-sensitive device and fabrication method thereof and touch-sensitive display device

Also Published As

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