KR20140010848A - 터치 스크린 패널 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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KR20140010848A
KR20140010848A KR1020120103353A KR20120103353A KR20140010848A KR 20140010848 A KR20140010848 A KR 20140010848A KR 1020120103353 A KR1020120103353 A KR 1020120103353A KR 20120103353 A KR20120103353 A KR 20120103353A KR 20140010848 A KR20140010848 A KR 20140010848A
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touch screen
axis
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신재헌
김경현
정우석
박래만
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한국전자통신연구원
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법은 셀 영역 및 상기 셀 영역 둘레에 배선영역을 포함하는 기판을 준비하는 것, 상기 기판 상에 제 1 버퍼층과 상기 제 1 버퍼층보다 굴절율이 낮은 제 2 버퍼층을 차례로 형성하는 것; 및 상기 제 2 버퍼층 상에 투명전극을 형성하는 것을 포함하되, 상기 제 2 버퍼층은 SiOC물질로 이루어진 것을 포함한다.

Description

터치 스크린 패널 및 그의 제조 방법{Touch screen panel and method of fabricating the same}
본 발명은 터치 스크린 패널 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 투과도가 향상된 터치 스크린 패널 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 컴퓨터, 휴대용 이동통신 단말기 등의 전자 장치들이 보편화 되면서, 터치 스크린은 데이터를 입력하기 위한 수단으로써 널리 사용되고 있다. 터치 스크린은 저항막 방식, 정전용량 방식, 초음파 방식, 및 적외선 방식으로 분류된다.
저항막 방식 터치 스크린은 손가락 또는 펜을 이용하여 기판을 터치하면 상하부 기판의 투명전극이 서로 접촉하면서 전기적 신호가 발생하며, 상기 발생된 전기적 신호로 위치를 파악하여 데이터를 입력하는 장치이다. 상기 저항막 방식은 가격이 저렴하고 높은 빛 투과성, 멀티터치, 및 반응속도가 빨라 소형화에 유리하여 PDA, PMP, 네이게이션, 및 해드셋 등에 주로 적용된다.
정전용량 방식 터치 스크린은 투명 전극을 포함하는 기판을 손가락으로 터치하여 도전체가 닿을 경우 손가락에서 발생하는 정전기에 의해서 절연층에 일정한 정전용량이 형성된다. 상기 정전용량이 형성된 부분을 통해 신호가 전달되어 상기 신호의 크기를 계산하여 위치를 파악한다.
초음파 방식(SAW) 터치 스크린은 방출된 초음파가 장애물을 만나 파동의 크기가 줄어든 것을 감지하는 기술을 이용한다. 이 방식의 장점은 빛의 투과성이 높고, 정확성과 선명도가 높아 외부 장소에 설치된 무인 정보단말기 등에 사용된다. 이 방식의 단점은 센서의 오염과 액체에 약한 단점이 있다.
본 발명의 해결하고자 하는 과제는 투과도가 향상된 터치 스크린 패널의 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 해결하고자 하는 과제는 투과도가 향상된 터치 스크린 패널을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법은 셀 영역 및 상기 셀 영역 둘레에 배선영역을 포함하는 기판을 준비하는 것, 상기 기판 상에 제 1 버퍼층과 상기 제 1 버퍼층보다 굴절율이 낮은 제 2 버퍼층을 차례로 형성하는 것, 및 상기 제 2 버퍼층 상에 투명전극을 형성하는 것을 포함하되, 상기 제 2 버퍼층은 SiOC물질로 이루어진 터치 스크린 패널의 제조 방법을 포함한다.
상기 제 2 버퍼층을 형성하는 것은, 1% 내지 40%의 산소 분압에서 SiC 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링 공정을 수행하는 것을 포함할 수 있다.
상기 투명전극은 ITO(Indum Tin Oxide) 물질로 이루어질 수 있다.
상기 투명전극의 두께는 10nm 내지 100nm일 수 있다.
상기 제 1 버퍼층은 TiO2, Nb2O5, ZrO2, Ta2O5, 또는 HfO2 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제 1 버퍼층의 두께는 3nm 내지 100nm일 수 있다.
상기 제 1 버퍼층의 굴절률은 1.6 내지 2.7일 수 있다.
상기 제 2 버퍼층의 두께는 5nm 내지 100nm일 수 있다.
상기 제 2 버퍼층의 굴절률은 1.4 내지 1.48일 수 있다.
상기 제 1 버퍼층, 상기 제 2 버퍼층, 및 상기 투명 전극은 연속 증착 방법에 의하여 형성될 수 있다.
상기 투명전극은 상기 제 2 버퍼층 상에 패터닝되어 상기 제 2 버퍼층의 일부분을 노출시키며, 상기 투명전극에 반사되는 빛의 반사도와 노출된 상기 제 2 버퍼층에 반사되는 빛의 반사도 차이가 1% 미만일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 기판 상에 차례로 적층된 제 1 버퍼층 및 제 2 버퍼층, 상기 제 2 버퍼층 상에 배치되며, 상기 제 2 버퍼층의 가장자리를 노출시키는 X축 연결 전극, 상기 제 2 버퍼층의 가장자리 상에 상기 X축 연결 전극과 이격되어 배치되는 Y축 전극 셀들, 상기 X축 연결 전극을 완전히 덮는 절연 패턴, 및 상기 절연 패턴 상에 배치되며 상기 Y축 전극 셀들 상면에 연장되는 브릿지 전극을 포함하되, 상기 제 2 버퍼층은 SiOC 물질로 이루어질 수 있다.
상기 X축 전극들 및 상기 Y축 전극 셀들은 ITO(Indum Tin Oxide) 물질로 이루어질 수 있다.
상기 X축 전극들 및 상기 Y축 전극 셀들의 두께는 10nm 내지 100nm일 수 있다.
상기 제 1 버퍼층은 TiO2, Nb2O5, ZrO2, Ta2O5, 또는 HfO2 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제 1 버퍼층의 두께는 3nm 내지 100nm일 수 있다.
상기 제 1 버퍼층의 굴절률은 1.6 내지 2.7일 수 있다.
상기 제 2 버퍼층의 두께는 5nm 내지 100nm일 수 있다.
상기 제 2 버퍼층의 굴절률은 1.4 내지 1.48일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 터치 스크린 패널을 구성하는 제 2 버퍼층을 SiOC 물질로 형성할 수 있다. 상기 SiOC 물질을 사용함으로써, 연속 증착 공정으로 터치 스크린 패널을 형성할 때 발생되는 터치 패널의 오염 문제 및 반응물질에 의한 챔버의 오염 문제를 해결할 수 있다. 따라서, 인덱스 매칭 및 투과도가 향상된 상기 터치 스크린 패널을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널을 나타낸 평면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널에서 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' Ⅱ-Ⅱ' 및 Ⅲ-Ⅲ'방향으로 절단한 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에서 산소 분압에 따른 SiOC의 투과도를 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 SiOC가 포함된 터치 패널에서 ITO가 포함된 영역과 ITO가 포함되지 않은 영역의 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널에서 ITO의 두께에 따른 최적의 투과도 및 인덱스 매칭 값을 갖기 위한 SiOC 두께 및 고유전율 물질의 두께 및 굴절률을 나타낸 표이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널을 나타낸 평면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널에서 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' Ⅱ-Ⅱ' 및 Ⅲ-Ⅲ' 방향으로 절단한 단면도들이다.
도 1 및 도 2a 내지 도 2b를 참조하면, 기판(10) 상에 제 1 버퍼층(13) 및 제 2 버퍼층(15)이 차례로 형성될 수 있다.
상기 기판(10)은 셀 영역(A) 및 상기 셀 영역(A) 둘레의 배선영역(B)을 포함할 수 있다. 상기 기판(10)은 화학적으로 강화 처리된 강화유리 기판, 강화된 플라스틱 기판, 강화필름이 코팅된 PC(polycarbonate) 기판, 및 P.E.T(Polyethylene terphthalate) 기판일 수 있다. 상기 기판(10)의 두께는 약 약 3nm 내지 약 90nm일 수 있다.
상기 제 1 버퍼층(13)은 고 굴절률의 절연체 물질일 수 있다. 상기 제 1 버퍼층(13)은 약 550nm 파장에서 약 1.6 내지 약 2.7의 굴절률을 가진 투명 절연체 물질일 수 있다. 상기 제 1 버퍼층(13)은 TiO2, Nb2O5, ZrO2, Ta2O5, 또는 HfO2 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 1 버퍼층(13)의 두께는 약 3nm 내지 약 100nm로 형성될 수 있다. 상기 제 1 버퍼층(13)은 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition), 화학 기상 증착법(Cheminal Vapor Depositon), 및 원자 층 증착법(Atomic Layer Deposition) 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성될 수 있다.
상기 제 2 버퍼층(15)은 저 굴절률의 절연체 물질일 수 있다. 상기 제 2 버퍼층(15)은 SiOC 물질로 이루어질 수 있다. 상기 제 2 버퍼층(15)의 두께는 5nm 내지 100nm일 수 있다. 상기 제 2 버퍼층(15)의 굴절률은 약 1.40 내지 약 1.48일 수 있다. 상기 제 2 버퍼층(15)은 플라즈마 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방법 또는 반응성 스퍼터링(Reactive Sputtering) 방법에 의하여 형성될 수 있다. 상기 반응성 스퍼터링(Reactive Sputtering) 방법으로 상기 제 2 버퍼층(15)을 형성 할 경우, 반응성 스퍼터링 장치에 부착되는 타겟은 SiC물질일 수 있으며, 산소 분압은 약 1% 내지 약 40%일 수 있다.
상기 제 2 버퍼층(15) 상에 투명 전도막(미도시)가 형성될 수 있다. 상기 투명 전도막(미도시)는 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition), 화학 기상 증착법(Cheminal Vapor Depositon), 및 원자 층 증착법(Atomic Layer Deposition) 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성될 수 있다.
상기 터치 패널의 상기 기판(10)이 대면적인 글라스나 필름일 경우, 연속 증착 공정으로 터치 패널을 제조할 수 있다. 상기 연속 증착 공정은 기판이 한 방향으로 이동되면서 기판 상에 증착하고자 하는 물질들을 순차적이며 연속적으로 증착하는 공정을 말한다. 상기 연속 증착 공정은 예를 들어, 인라인 공정(in-line-process) 또는 롤투롤 공정(roll-to-roll)일 수 있다. 상기 연속 증착 공정에 의하여 상기 기판(10) 상에 상기 제 1 및 제 2 버퍼층들(13,15)과 상기 투명 전극막(미도시)이 연속적으로 형성될 수 있다. 상기 연속 증착 공정으로 터치 패널을 제조할 경우, 저 비용, 공정시간 단축 및 단순한 제조 공정이 가능할 수 있다. 하지만, 상기 연속 증착 공정은 한번의 연속 공정으로 상기 기판(10) 상에 서로 다른 다수의 물질들을 증착 하여야 하기 때문에, 상기 각각의 물질들을 증착하기 위한 스퍼터링 챔버들이 연속적으로 연결되어 있다. 이에 따라, 상기 물질들에 의하여 각 챔버들이 오염될 수 있다.
구체적으로, 상기 제 2 버퍼층(15)의 물질로 사용되고 있는 플루오르화 마그네슘(MgF2) 및 산화규소(SiO2)는 상기 연속 증착 공정에서 문제점을 가지고 있다. 상기 플루오르화 마그네슘(MgF2)은 스퍼터링 증착 시, F2 가스를 사용하거나 또는 고진공 상태에서 증착공정을 수행하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 연속 증착 공정에서 사용되는 상기 챔버들이 상기 F2 가스에 의해 오염될 수 있다. 그 결과, 상기 투명 전극막(미도시)의 품질이 저하될 수 있다. 그리고, 상기 산화규소(SiO2)을 상기 기판(10) 상에 스퍼터링 방법에 의해 증착 시, 증착속도가 느리기 때문에 10% 이상의 산소유량을 사용하여 산화규소(SiO2)막을 형성할 수 있다. 하지만 10% 이상의 산소유량을 사용함으로써, 상기 연속 증착 공정에서 사용되는 상기 챔버들이 오염될 수 있다. 따라서, 상기 투명 전극막(미도시)의 품질이 저하될 수 있다.
하지만, 상기 연속 증착 공정시 상기 제 2 버퍼층(15)을 실리콘 옥시 카바이드(SiOC) 물질로 형성 할 경우, 낮은 산소 유량(약 10% 이하)을 사용하고, 오염을 야기시키는 가스(예를 들어, F2)를 사용하지 않아 챔버들의 오염 없이 상기 기판(10) 상에 증착이 가능할 수 있다. 상기 실리콘 옥시 카바이드(SiOC)는 약 1.45 내지 약 1.5의 굴절률을 갖는 산화규소(SiO2)보다 낮은 굴절률을 가지고 있다. 따라서, 투과도가 향상된 터치 패널을 형성할 수 있다.
상기 연속 증착 공정으로 상기 제 1 버퍼층(13), 상기 제 2 버퍼층(15), 및 상기 투명 전극막(미도시)을 형성한 후에, 상기 투명 전극막(미도시)를 패터닝하여 투명 전극(17)을 형성할 수 있다.
상기 투명 전극(17)은 X축 전극들(18)과 Y축 전극들(19)을 포함할 수 있다. 상기 X축 전극들(18)과 상기 Y축 전극들(19)은 상기 셀 영역(A) 상에 형성될 수 있다. 상기 투명 전극(17)의 두께는 약 10nm 내지 약 100nm일 수 있다. 상기 투명 전극(17)은 ITO(Indium Tin Oxide) 물질로 이루어질 수 있다.
상기 X축 전극들(18)은 상기 제 2 버퍼층(15) 상에 제 1 방향(x축 방향)으로 나열되도록 형성될 수 있다. 상기 X축 전극들(18)은 X축 전극셀들(18a)과 X축 연결 전극들(18b)를 포함할 수 있다. 상기 X축 전극 셀들(18a)은 마름모형 모양으로 형성될 수 있다. Y축 방향으로 마주보며 형성된 상기 X축 전극 셀들(18a)은 서로 이격될 수 있다. X축 방향으로 마주보며 형성된 상기 X축 전극 셀들(18a)은 상기 X축 연결 전극들(18b)에 의해 연결될 수 있다. 상기 X축 전극 셀들(18a)의 패턴은 마름모형, 직사각형, 정사각형, 및 다각형 모양으로 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 상기 X축 전극셀들(18a)의 패턴은 마름모형, 직사각형, 정사각형, 및 다각형 모양으로 형성될 수 있다.
상기 Y축 전극들(19)은 상기 제 2 버퍼층(15)에 상기 제 1 방향에 수직인 제 2 방향(y축 방향)으로 나열되도록 형성될 수 있다. 상기 제 2 방향으로 형성된 상기 Y축 전극들(19) 사이에 상기 X축 연결 전극들(18b)이 배치될 수 있다. 상기 Y축 전극들(19)은 상기 X축 전극들(18)과 이격되게 형성될 수 있다. 상기 Y축 전극들(19)은 마름모형 모양으로 형성된다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 상기 Y축 전극 들(19)의 패턴은 마름모형, 직사각형, 정사각형, 및 다각형 모양으로 형성될 수 있다.
상기 X축 전극들(18)과 상기 Y축 전극들(19)은 서로 이격되어 상기 제 2 버퍼층(15)의 일부분이 노출될 수 있다. 도 2c에서 상기 투명 전극(17)에서 반사되는 빛(C)과 노출된 상기 제 2 버퍼층(15)에서 반사되는 빛(D)의 반사율 차이를 인덱스 매칭(Index maching)이라 한다. 상기 인덱스 매칭(Index maching)이 1% 이내 일 경우, 상기 투명 전극(17)이 육안으로 보이지 않아 터치 패널이 투명하게 보일 수 있다.
상기 X축 연결 전극들(18b) 상에 상기 X축 연결 전극들(18b)과 Y축 전극 셀들(19) 사이에 노출된 상기 제 2 버퍼층(15)을 덮는 절연 패턴들(21)이 형성될 수 있다. 상기 절연 패턴들(21)은 상기 X축 전극들(18) 및 상기 Y축 전극 셀들(19)이 형성된 상기 기판(10) 상에 절연막(미도시)을 형성하고, 상기 절연막(미도시)을 패터닝하여 형성될 수 있다. 상기 절연막(미도시)은 스크린 프린팅 방법(Screen printing), 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition), 화학 기상 증착법(Cheminal Vapor Depositon), 및 원자 층 증착법(Atomic Layer Deposition) 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성될 수 있다. 상기 절연막(미도시)은 포토레지스트 공정, 습식 공정, 및 건식 공정을 이용하여 패터닝될 수 있다. 상기 절연 패턴들(21)은 상기 X축 연결 전극들(18b)의 양 옆에 일정 간격 이격되어 있는 상기 Y축 전극 셀들(19)의 상면 일부분을 덮을 수 있다.
상기 절연 패턴들(21)의 상면은 볼록한 돔 형태 또는 볼록한 요철 형태일 수 있다. 상기 절연 패턴들(21)의 두께는 터치 스크린 패널의 정전용량 변화값에 의하여 달라질 수 있다. 상기 절연 패턴들(21)은 SiOx SiNx, MgF2, SiOxNy, 및 유기물 중 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
브릿지 전극들(23)은 상기 절연 패턴들(21) 양 옆에 서로 이웃하고 있는 상기 Y축 전극 셀들(19)의 상면들로 연장될 수 있다. 따라서, 상기 브릿지 전극들(23)은 서로 이격되어 있는 상기 Y축 전극 셀들(19)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 브릿지 전극들(23)은 Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti/Cu, Ti/Ag, Cr/Ag, Cr/Cu, Al/Cu, 및 Mo/Al/Mo 중 어느 하나의 물질로 이루어진 단층 및/또 다층의 금속층일 수 있다.
상기 배선들(25)은 상기 기판(10)의 배선영역(B)에 형성될 수 있다. 상기 배선들(25)은 상기 X축 전극셀들(18)과 연결되는 드라이빙 라인(Driving Line) 금속 배선들(25a) 및, Y축 전극셀들(19)과 연결되는 센싱 라인(Sensing Line) 금속 배선들(25b)을 포함할 수 있다. 상기 배선들(25)은 상기 금속 배선들(25a, 25b) 간의 일정한 간격을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 금속 배선들(15)은 Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti/Cu, Ti/Ag, Cr/Ag, Cr/Cu, Al/Cu, 및 Mo/Al/Mo 중 어느 하나의 물질로 이루어진 단층 및/또는 다층의 금속층일 수 있다. 상기 배선들(25)을 통해 상기 투명 전극(17)에 전압이 인가될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에서 산소 분압에 따른 SiOC 박막의 투과도를 나타낸 그래프이다.
도 3을 참조하면, 플라즈마 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방법으로 SiOC 박막을 형성하기 위하여 RF 플라즈마 파워와, 3.5mT의 압력을 고정적으로 주었고, 산소 분압을 2% 내지 5%로 변화시켰다. 상기 조건들에 의하여 약55nm의 두께를 갖고, 약 1.42 내지 약 1.44의 굴절률을 갖는 SiOC 박막을 형성하였다.
상기 Ar/O2의 분압이 4% 및 5%(c, d)일 때 형성된 SiOC 박막의 투과도가 약 93%임을 확인할 수 있다. 상기 SiOC 박막의 투과도는 유리의 투과도인 92% 보다 약 1% 높다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 SiOC가 포함된 터치 패널에서 ITO가 포함된 영역과 ITO가 포함되지 않은 영역의 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 4를 참조하면, 고유전율 물질의 굴절률 및 두께는 1.66/30nm 이다. SiOC의 굴절률 및 두께는 1.44/61nm 이다. ITO의 굴절률 및 두께는 1.98/30nm 이다.
약 550nm 파장대에서 상기 ITO가 포함된 영역(a)의 투과도는 90.4%이며, 상기 ITO가 포함된 영역(a)(도 2c에서 (C)참조)과 ITO가 포함되지 않은 영역(b)(도 2c에서 (D)참조)의 인덱스 매칭은 0.5%이다. 또한, 상기 ITO가 포함된 영역(a)의 투과도와 상기 ITO가 포함되지 않은 영역(b)의 투과도는 전 파장 영역에서 약 90%의 투과도를 유지하며 균일한 값을 가진다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 패널에서 ITO의 두께에 따른 최적의 투과도 및 인덱스 매칭 값을 갖기 위한 SiOC 두께 및 고유전율 물질의 두께 및 굴절률을 나타낸 표이다.
도 5를 참조하면, ITO의 두께가 20nm일 경우, SiOC의 두께가 30nm 내지 90nm, 고유전율 물질의 굴절률 범위가 1.6 내지 2.7, 및 고유전율 물질의 두께 범위가 3nm 내지 90nm일 때 터치 패널은 90% 이상의 높은 투과도와 0.8% 이하의 인덱스 매칭 값을 가질 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 기판
13: 제 1 버퍼층
15: 제 2 버퍼층
17: 투명전극
21: 절연 패턴들
23: 브릿지 전극
25: 배선들

Claims (19)

  1. 셀 영역 및 상기 셀 영역 둘레에 배선영역을 포함하는 기판을 준비하는 것;
    상기 기판 상에 제 1 버퍼층과 상기 제 1 버퍼층보다 굴절율이 낮은 제 2 버퍼층을 차례로 형성하는 것; 및
    상기 제 2 버퍼층 상에 투명전극을 형성하는 것을 포함하되,
    상기 제 2 버퍼층은 SiOC물질로 이루어진 터치 스크린 패널의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 버퍼층을 형성하는 것은, 1% 내지 40%의 산소 분압에서 SiC 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링 공정을 수행하는 것을 포함하는 터치 스크린 패널 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명전극은 ITO(Indum Tin Oxide) 물질로 이루어진 터치 스크린 패널 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 투명전극의 두께는 10nm 내지 100nm인 터치 스크린 패널의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 버퍼층은 TiO2, Nb2O5, ZrO2, Ta2O5, 또는 HfO2 물질로 이루어진 터치 스크린 패널의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 버퍼층의 두께는 3nm 내지 100nm인 터치 스크린 패널의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 버퍼층의 굴절률은 1.6 내지 2.7인 터치 스크린 패널의 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 버퍼층의 두께는 5nm 내지 100nm인 터치 스크린 패널의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 버퍼층의 굴절률은 1.4 내지 1.48인 터치 스크린 패널의 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 버퍼층, 상기 제 2 버퍼층, 및 상기 투명 전극은 연속 증착 방법에 의하여 형성되는 터치 스크린 패널의 제조 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명전극은 상기 제 2 버퍼층 상에 패터닝되어 상기 제 2 버퍼층의 일부분을 노출시키며, 상기 투명전극에 반사되는 빛의 반사도와 노출된 상기 제 2 버퍼층에 반사되는 빛의 반사도 차이가 1% 미만인 터치 스크린 패널의 제조 방법
  12. 기판 상에 차례로 적층된 제 1 버퍼층 및 제 2 버퍼층;
    상기 제 2 버퍼층 상에 X축 방향으로 나열하여 배치되는 X축 전극들;
    상기 X축 전극들과 이격 되며 상기 제 2 버퍼층 상에 Y축 방향으로 나열하여 배치되는 Y축 전극 셀들;
    상기 Y축 전극 셀들 사이에 위치하는 상기 X축 전극들을 덮는 절연 패턴들; 및
    상기 절연 패턴 상에 배치되며 상기 Y축 전극 셀들을 연결하는 브릿지 전극을 포함하되,
    상기 제 2 버퍼층은 SiOC 물질로 이루어진 터치 스크린 패널.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 X축 전극들 및 상기 Y축 전극 셀들은 ITO(Indum Tin Oxide) 물질로 이루어진 터치 스크린 패널.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 X축 전극들 및 상기 Y축 전극 셀들의 두께는 10nm 내지 100nm인 터치 스크린 패널.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 버퍼층은 TiO2, Nb2O5, ZrO2, Ta2O5, 또는 HfO2 물질로 이루어진 터치 스크린 패널.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 버퍼층의 두께는 3nm 내지 100nm인 터치 스크린 패널.
  17. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 버퍼층의 굴절률은 1.6 내지 2.7인 터치 스크린 패널.
  18. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 2 버퍼층의 두께는 5nm 내지 100nm인 터치 스크린 패널.
  19. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 2 버퍼층의 굴절률은 1.4 내지 1.48인 터치 스크린 패널.
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