KR101865685B1 - 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널 - Google Patents

투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널 Download PDF

Info

Publication number
KR101865685B1
KR101865685B1 KR1020130058363A KR20130058363A KR101865685B1 KR 101865685 B1 KR101865685 B1 KR 101865685B1 KR 1020130058363 A KR1020130058363 A KR 1020130058363A KR 20130058363 A KR20130058363 A KR 20130058363A KR 101865685 B1 KR101865685 B1 KR 101865685B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transparent electrode
layer
transparent
electrode layer
thickness
Prior art date
Application number
KR1020130058363A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140137631A (ko
Inventor
안기환
하경수
이유성
한용선
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Priority to KR1020130058363A priority Critical patent/KR101865685B1/ko
Priority to PCT/KR2014/002826 priority patent/WO2014189204A1/ko
Priority to TW103113315A priority patent/TWI631488B/zh
Publication of KR20140137631A publication Critical patent/KR20140137631A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101865685B1 publication Critical patent/KR101865685B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0445—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)

Abstract

본 발명은 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 투명 유전층을 구비한 투명 기판; 상기 투명 유전층 상에 서로 연결된 제1 패턴 및 서로 분리된 제2 패턴으로 형성되는 제1 투명전극층; 상기 제1 투명전극층 상에 형성된 절연층; 및 상기 절연층에 형성된 콘택홀을 통해 상기 제2 패턴을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극인 제2 투명전극층;을 포함하며, 상기 제1 투명전극층은 두께가 20 내지 200nm이고, 상기 제1 투명전극층이 20nm 이상 내지 120nm 미만의 경우에는 (제1 투명전극층 두께)/(제2 투명전극층 두께) = 0.15 내지 0.375이며, 상기 제1 투명전극층이 120nm 이상 내지 200nm 이하인 경우에는 (제2 투명전극층 두께)/(제1 투명전극층 두께) = 0.60 내지 1.50임으로써, 각 위치별 반사율 차이를 현저하게 줄일 수 있는 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널에 관한 것이다.

Description

투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널{TRANSPARENT ELECTRODE PATTERN STRUCTURE AND TOUCH SCREEN PANEL HAVING THE SAME}
본 발명은 투명 전극 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널에 관한 것이며, 보다 상세하게는 사용자에게 시인성이 낮은 투명 전극 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널에 관한 것이다.
통상적으로 터치 스크린 패널은 손으로 접촉(touch)하면 그 위치를 입력 받도록 하는 특수한 입력장치를 장착한 스크린 패널이다. 이러한 터치 스크린 패널은 키보드를 사용하지 않고 스크린에 나타난 문자나 특정 위치에 사람의 손 또는 물체가 닿으면, 그 위치를 파악하여 저장된 소프트웨어에 의해 특정 처리를 할 수 있도록, 화면에서 직접 입력자료를 받을 수 있게 한 것으로 다층으로 적층되어 구성된다.
스크린에 표시되는 영상의 시인성을 저하시키지 않으면서 터치된 부분을 인식하기 위해서는 투명 전극의 사용이 필수적이며, 통상적으로 소정의 패턴으로 형성된 투명 전극이 사용된다.
터치 스크린 패널에 사용되는 투명 전극 구조에는 여러가지가 소개되어 있으며, 예를 들면, GFF(Glass-ITO film-ITO film), G1F(Glass-ITO film), G2(Glass only) 구조 등을 들 수 있다.
GFF는 가장 일반적인 구조로, X, Y축을 구현하는데 필요한 투명 전극(ITO)를 2장의 필름을 이용하여 구성하는 것이며, G1F는 유리 뒷면에 ITO를 박막 증착하고, 제2 ITO는 기존 방식과 마찬가지로 필름을 사용한다. G2는 한 장의 강화유리를 사용하여, 뒷면에 X축용 ITO를 박막 증착하고 패턴화한 후, 그 위에 절연층을 형성하고 다시 Y축용 ITO를 패턴화하여 형성하는 방식이다. GFF->G1F->G2로 갈수록 투과율은 상승하고 소비전력은 감소하게 되어 G2 구조에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다.
하지만, 패턴화된 투명 전극을 사용하는 G2 구조의 경우에는, 투명 전극의 패턴부와 비패턴부(패턴 개구부)가 시각적으로 구분이 될 수 있는데, 패턴부과 비패턴부의 반사율 차이가 커질수록 그 차이가 분명해지므로 표시 소자로서의 외관의 시인성이 저하되는 문제가 있다. 특히, 정전 용량 방식의 터치 패널에 있어서는 패턴화된 투명 전극층이 디스플레이 표시부의 전체 면에 형성되어 있으므로 투명 전극층을 패턴화한 경우에도 표시 소자로서 외관이 양호한 것이 요구되고 있다.
이러한 문제점을 개선하기 위해서, 예를 들어, 특허문헌 1의 일본 공개특허공보 제2008-98169호에는 투명 기재와 투명 도전층 사이에 굴절률이 상이한 2 개의 층으로 이루어지는 언더코트층을 형성한 투명 도전성 필름이 제안되어 있다. 또한 그 실시예로서 투명 기재 상에 고굴절률층으로서 굴절률 1.7의 실리콘 주석 산화물층(두께 10nm 이상), 저굴절률층으로서 굴절률 1.43의 산화규소층(두께 30nm) 및 투명 도전층으로서 굴절률 1.95의 ITO 막(두께 15nm)을 이 순서대로 형성한 투명 도전성 필름이 기재되어 있다.
그러나 특허 문헌 1에 기재된 투명 도전성 필름에서는 패턴부와 패턴 개구부의 차이가 명확하게 드러나는 문제가 존재하여 외관을 개선하기에는 여전히 불충분하다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 제2008-98169호
본 발명은 패턴의 각 위치별 반사율 차이가 적어 시인성이 적은 투명 전극 적층체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 투명 전극 적층체를 구비한 터치 스크린 패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
1. 투명 유전층을 구비한 투명 기판; 상기 투명 유전층 상에 서로 연결된 제1 패턴 및 서로 분리된 제2 패턴으로 형성되는 제1 투명전극층; 상기 제1 투명전극층 상에 형성된 절연층; 및 상기 절연층에 형성된 콘택홀을 통해 상기 제2 패턴을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극인 제2 투명전극층;을 포함하며, 상기 제1 투명전극층이 20nm 이상 내지 120nm 미만의 경우에는 (제1 투명전극층 두께)/(제2 투명전극층 두께) = 0.15 내지 0.375이며, 상기 제1 투명전극층이 120nm 이상 내지 200nm 이하인 경우에는 (제2 투명전극층 두께)/(제1 투명전극층 두께) = 0.60 내지 1.50인 투명 전극 적층체.
2. 위 1에 있어서, 상기 제1 투명전극층 및 제2 투명전극층은 각각 굴절률이 1.8 내지 2.2인 투명 전극 적층체.
3. 위 1에 있어서, 상기 절연층은 굴절률이 1.4 내지 1.6인 투명 전극 적층체.
4. 위 1에 있어서, 상기 투명 기판은 두께가 0.1 내지 0.7mm인 투명 전극 적층체.
5. 위 1에 있어서, 상기 투명 기판은 굴절률이 1.4 내지 1.6인 투명 전극 적층체.
6. 위 1에 있어서, 상기 투명 유전층은 복수의 층으로 형성된 투명 전극 적층체.
7. 위 1에 있어서, 상기 투명 유전층은 굴절률이 1.4 내지 2.5인 투명 전극 적층체.
8. 위 6에 있어서, 상기 투명 유전층의 각 층의 굴절률이 1.4 내지 2.5인 투명 전극 적층체.
9. 위 1에 있어서, 상기 투명 유전층은 전체 두께가 50 내지 80nm인 투명 전극 적층체.
10. 위 1에 있어서, 상기 절연층은 그 두께가 1,000 내지 2,000nm인 투명 전극 적층체.
11. 위 1에 있어서, 상기 투명 유전층 상에 상기 제2 투명전극층이 형성되고 상기 제2 투명전극층 상에 절연층이 형성되며, 상기 절연층 상에 상기 제1 투명전극층이 형성되는 투명 전극 적층체.
12. 위 1에 있어서, 투명 전극 적층체를 기준으로 상기 투명 기판의 반대쪽 면 측에 패시베이션층을 더 구비하는 투명 전극 적층체.
13. 위 12에 있어서, 상기 패시베이션층은 두께가 2,000nm 이하인 투명 전극 적층체.
14. 위 12에 있어서, 상기 패시베이션층은 굴절률이 1.4 내지 1.6인 투명 전극 적층체.
15. 위 1 내지 14 중 어느 한 항의 투명 전극 적층체를 구비한 터치 스크린 패널.
본 발명의 투명 전극 적층체는 적층체를 구성하는 각 층별의 두께를 특정한 범위로 조절하여, 패턴화된 투명 전극 구조에 의해 발생되는 위치별 반사율 차이를 최소화함으로써, 사용자에게 시인도를 감소시킴으로써 높은 투명도를 나타낸다.
이러한 측면에서, 본 발명의 투명 전극 적층체는 G2 구조의 터치 스크린 패널에 적용되면 높은 투과율과 낮은 반사율을 나타냄으로써 매우 유용하게 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 투명 전극 적층체의 일 실시예의 개략적인 평면도이다.
도 2는 본 발명의 투명 전극 적층체의 일 실시예에서 단위 구조의 개략적인 평편도이다.
도 3은 본 발명의 투명 전극 적층체의 각 위치별 적층 구조를 나타내는 개략적인 단면도이다.
본 발명은 투명 유전층을 구비한 투명 기판; 상기 투명 유전층 상에 서로 연결된 제1 패턴 및 서로 분리된 제2 패턴으로 형성되는 제1 투명전극층; 상기 제1 투명전극층 상에 형성된 절연층; 및 상기 절연층에 형성된 콘택홀을 통해 상기 제2 패턴을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극인 제2 투명전극층;을 포함하며, 상기 제1 투명전극층은 두께가 20 내지 200nm이고, 상기 제1 투명전극층이 20nm 이상 내지 120nm 미만의 경우에는 (제1 투명전극층 두께)/(제2 투명전극층 두께) = 0.15 내지 0.375이며, 상기 제1 투명전극층이 120nm 이상 내지 200nm 이하인 경우에는 (제2 투명전극층 두께)/(제1 투명전극층 두께) = 0.60 내지 1.50임으로써, 각 위치별 반사율 차이를 현저하게 줄일 수 있는 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널에 관한 것이다.
이하, 도면을 참고하여 본 발명을 상세하게 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 본 발명의 투명 전극 적층체의 일 실시예의 개략적인 평면도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 투명 전극 적층체는 제1 투명전극층(100), 제2 투명전극층(200), 절연층(300), 콘택홀(400)을 포함할 수 있다. 아울러 본 발명의 투명 전극 적층체는 투명 기판(미도시) 상에 형성될 수 있으며, 패시베이션층(미도시)이 투명 기판의 반대쪽 면 측에 더 구비될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 투명 전극 적층체는 미리 정해진 패턴으로 형성된다. 제1 투명전극층(100)과 제2 투명전극층(200)은 터치되는 지점의 위치 정보를 제공하며, 절연층(300)은 상기 제1 투명전극층(100)과 제2 투명전극층(200) 사이에 개재되어 두 층을 전기적으로 분리시키며, 콘택홀(400)은 절연층(300)에 형성되어 제1 투명전극층(100)과 제2 투명전극층(200)이 전기적으로 연결될 수 있도록 한다.
이와 같이, 투명 전극 적층체의 각 구성은 소정의 패턴으로 형성되는 바, 이러한 패턴 구조에 의해 투명 전극 적층체는 그 위치에 따라 다른 적층 구조를 구비하게 된다. 투명 전극 적층체의 단위 구조를 나타낸 도 2를 참조하면, 투명 전극 적층체는 위치에 따라 ① 내지 ⑤ 까지의 5 종류의 적층 구조를 가질 수 있다. 도 3에는 상기 ① 내지 ⑤ 위치에서의 적층 구조를 개략적으로 나타나있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 투명 전극 적층체는 다양한 층 구조를 가지게 되는데, 이러한 위치에 따른 다양한 층 구조로 인해 위치별로 반사율, 휘도, 색차 등에 차이가 발생하고 그에 따라 패턴에 대한 시인성이 높아져 투명 전극으로서의 기능에 한계가 발생하게 된다.
이에 본 발명은 투명 전극층 및 절연층이 특정한 두께 범위를 갖게 함으로써 반사율 차이가 최소화시켜 상기와 같은 문제점을 해결한다. 이하 본 발명을 보다 상세하게 설명하도록 한다.
<투명 전극층>
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명은 제1 투명전극층과 제2 투명전극층을 구비한다.
제1 투명전극층(100)은 제1 패턴(110)과 제2 패턴(120)으로 형성될 수 있다. 제1 패턴(110)과 제2 패턴(120)은 각각 동일한 행 또는 열 방향으로 배치되어, 터치되는 지점의 X 좌표 및 Y 좌표에 대한 정보를 제공하게 된다. 구체적으로는, 사람의 손 또는 물체가 투명 기판에 접촉되면, 제1 패턴(110), 제2 패턴(120), 제2 투명전극층(200) 및 위치 검출라인을 경유하여 구동회로 측으로 접촉위치에 따른 정전용량의 변화가 전달된다. 그리고, X 및 Y 입력처리회로(미도시) 등에 의해 정전용량의 변화가 전기적 신호로 변환됨에 의해 접촉위치가 파악된다.
이와 관련하여, 제1 패턴(110) 및 제2 패턴(120)은 동일층(제1 투명전극층)에 형성되며, 터치되는 지점을 감지하기 위해서는 각각의 패턴들이 전기적으로 연결되어야 한다. 그런데, 제1 패턴(110)은 서로 연결된 형태이지만 제2 패턴(120)은 섬(island) 형태로 서로 분리된 구조로 되어 있으므로 제2 패턴(120)을 전기적으로 연결하기 위해서는 별도의 연결선이 필요하다.
하지만, 상기 연결선은 제1 패턴(110)과 전기적으로 연결되어서는 안되므로, 제1 투명전극층(100)과는 다른 층에 형성되어야 한다. 그에 따라, 제2 투명전극층(200)이 제2 패턴(120)을 전기적으로 연결하기 위해 제1 투명전극층(100)과는 다른 별도의 층에 형성된다. 즉, 제2 투명전극층(200)은 제1 투명전극층(100)과는 다른 층에 형성되되 후술하는 절연층(300)에 형성되는 콘택홀(400)을 통해 제1 투명전극층(100)의 제2 패턴(120)을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극이다.
따라서, 도 2 및 도 3에서 ①, ③ 및 ④ 위치는 터치된 부분을 감지하기 위해 미리 정해진 패턴으로 제1 투명전극층(100)이 형성된 부분이고, ③, ④ 및 ⑤ 위치는 섬 형태로 형성된 제2 패턴(120)을 전기적으로 연결하기 위해 형성된 제2 투명전극층(200)이 존재하는 부분이다.
이 때, 제2 투명전극층(200)은 제1 투명전극층(100) 중 제1 패턴(110)과는 전기적으로 차단되어야 하므로, 이를 위해 절연층(300) 및 콘택홀(400, 도 2의 ③)이 구비되는 바, 이에 대해서는 후술하도록 한다.
본 발명에 있어서, 제1 투명전극층(100)은 그 두께가 20 내지 200nm이고, 제1 투명전극층이 20nm 이상 내지 120nm 미만의 경우에는 (제1 투명전극층 두께)/(제2 투명전극층 두께) = 0.15 내지 0.375, 바람직하게는 0.17 내지 0.3, 보다 바람직하게는 0.17 내지 0.23이며, 상기 제1 투명전극층이 120nm 이상 내지 200nm 이하인 (제2 투명전극층 두께)/(제1 투명전극층 두께) = 0.60 내지 1.50, 바람직하게는 0.70 내지 1.20, 보다 바람직하게는 0.8 내지 1이다.
두께가 상기 범위를 벗어나면 위치별 반사율 차이가 커져 패턴의 반사시인성이 커지는 문제점이 있을 뿐만 아니라, 두께가 20nm 미만이면 저항이 커져서 터치센서의 민감도가 저하되고, 두께가 150nm 초과이면 투과율이 저하되는 문제점이 있다.
또한, 제1 투명전극층(100)과 제2 투명전극층(200)은 각각 굴절률이 1.8 내지 2.2인 것이 바람직하다. 상기 굴절률 범위에서 전술한 두께 범위를 갖는 경우의 반사율 저감 효과를 보다 강화할 수 있다.
본 발명에 따른 제1 투명전극층(100) 및 제2 투명전극층(200)은 당분야에 알려진 투명 전극 소재가 제한 없이 적용될 수 있다. 예를 들면, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT), 금속와이어 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 인듐주석산화물(ITO)이 사용될 수 있다. 금속와이어에 사용되는 금속은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 은(Ag), 금, 알루미늄, 구리, 철, 니켈, 티타늄, 텔레늄, 크롬 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
투명전극층(100, 200)은 물리적 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD), 화학적 증착법(Chemical VaporDeposition, CVD)등 다양한 박막 증착 기술에 의하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 물리적 증착법의 한 예인 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)에 의하여 형성될 수 있다.
또한, 투명 전극층(100, 200)은 인쇄 공정으로도 형성될 수 있다. 이러한 인쇄 공정 시, 그라비아 오프 셋(gravure off set), 리버스 오프 셋(reverse off set), 스크린 인쇄 및 그라비아(gravure) 인쇄 등 다양한 인쇄 방법이 이용될 수 있다. 특히, 인쇄 공정으로 투명 전극층(100, 200)을 형성할 경우 인쇄 가능한 페이스트 물질로 형성할 수 있다. 일례로, 탄소 나노 튜브(carbon nano tube, CNT), 전도성 폴리머 및 은 나노 와이어 잉크(Ag nano wire ink)로 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 제1 투명전극층(100)과 제2 투명전극층(200)의 적층 순서는 제한되지 않는다. 따라서, 본 발명의 다른 구현예에서는 도 3의 제1 투명전극층(100)과 제2 투명전극층(200)은 적층 순서가 바뀔 수도 있다. 예를 들면, 투명기판 상에 제1 투명전극층 대신 제2 투명전극층이 먼저 형성되고, 그 위에 절연층이 형성된 후, 절연층 상에 제1 투명전극층이 형성될 수도 있다.
<절연층 및 콘택홀>
절연층(300)은 제1 투명전극층(100)과 제2 투명전극층(200)의 전기적 연결을 방지하기 위해서 제1 투명전극층(100)과 제2 투명전극층(200) 사이에 형성된다. 다만, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 투명전극층(200)이 인접한 제1 투명전극층(100)의 제2 패턴(120)을 전기적으로 연결하는 경우에는 제1 투명전극층(100)과 전기적으로 연결되어야 하므로, 절연층(300)이 형성되지 않은 부분이 필요하다. 이와 같이, 절연층(300) 영역에서 절연층(300)이 형성되지 않은 부분을 콘택홀(400, 도 2의 ③)에는 절연층(300)이라 한다. 따라서, 콘택홀(400)에서는 제1 투명전극층(제2 패턴)과 제2 투명전극층의 전기적 접속이 이루어진다.
본 발명에 있어서, 절연층(300)은 두께가 1,000 내지 2,000nm이다. 두께가 상기 범위를 벗어나면 위치별 반사율 차이가 커져 패턴의 반사시인성이 커지는 문제점이 있다. 두께가 1,000nm 미만이면 전극 사이에 생성되는 커패시턴스(Capacitance)가 낮아져서 터치센서의 민감도가 저하되고, 2,000nm 초과이면 더 이상의 두께 증가 효과가 발현되지 못한다.
절연층(300)은 굴절률이 1.4 내지 1.6인 것이 바람직하다. 상기 굴절률 범위에서 전술한 두께 범위를 갖는 경우의 반사율 저감 효과를 보다 강화할 수 있다.
본 발명에 따른 절연층(300)은 당분야에 알려진 투명 전극 소재가 제한 없이 적용될 수 있다. 예를 들면 실리콘 산화물과 같은 금속 산화물이나 아크릴계 수지를 포함하는 투명한 감광성 수지 조성물을 사용하여 필요한 패턴으로 형성될 수 있다.
절연층(300)은 제1 투명전극층(100) 상에 증착이나 인쇄 등의 방법으로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 콘택홀(400)은 절연층을 전체적으로 형성한 후에 홀(hole)을 형성하는 방식으로 형성될 수도 있으며(홀 방식), 절연층을 제1 투명전극층과 제2 투명전극층이 전기적으로 접속되는 부분만 제외하고 형성하는 방식으로 형성될 수도 있다(섬(island) 방식).
<투명 기판>
투명 기판은 터치 스크린 패널의 최외면을 형성하며, 사람의 손 또는 물체가 직접 접촉하게 되는 부분이다. 사람의 손 또는 물체가 직접 접촉하게 되는 반대면 측에는 본 발명의 투명 전극 적층체가 접합된다.
투명 기판은 터치 스크린 패널을 외력으로부터 충분히 보호할 수 있도록 내구성이 크고, 사용자가 디스플레이를 잘 볼 수 있도록 하는 물질이라면 특별히 한정되지 않으며, 당분야에서 사용되는 소재가 특별한 제한 없이 사용될 수 있다. 예를 들면, 유리, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethyelene terepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate,CAP) 등이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 유리가 사용될 수 있고, 보다 바람직하게는 강화처리된 유리가 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 투명 기판은 적절한 두께를 가질 수 있으며, 예를 들면 0.1 내지 0.7mm일 수 있다. 상기 범위에서 본 발명에 따른 투명 전극 적층체의 반사율 저감 효과를 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 투명 기판은 굴절률이 1.4 내지 1.6인 것이 바람직하다. 상기 굴절률 범위에서 전술한 두께 범위를 갖는 경우의 반사율 저감 효과를 보다 강화할 수 있다.
<투명 유전층>
투명 유전층은 투명 기판과 제1 투명전극층 사이에 형성되어 터치 스크린 패널의 광학적 균일도를 개선한다. 즉, 투명 전극의 패턴 구조에 따른 위치별 구조적 차이에 의한 광학적 특성의 차이를 감소시키는 기능을 한다.
투명 유전층은 산화 니오븀, 산화 규소, 산화 세륨, 산화 인듐 등을 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 형성할 수 있다. 형성 방법은 진공증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅 법 등을 사용할 수 있으며, 상기와 같은 방법을 통해 박막 형태로 용이하게 제조될 수 있다.
본 발명에 있어서, 필요에 따라, 투명 유전층은 복수의 층으로 형성될 수 있다. 이 경우 각 층은 서로 다른 소재로 형성될 수 있으며, 서로 다른 굴절률 및 두께를 가질 수 있다.
투명 유전층의 굴절률은 투명 전극 적층체의 반사율 저감을 위해 1.4 내지 2.5인 것이 바람직하며, 만약 복수의 층으로 형성되는 경우에는 각 층의 굴절률이 1.8 내지 2.2인 것이 바람직하다. 동일한 측면에서, 투명 유전층의 두께는 50 내지 80nm인 것이 바람직한데, 복수의 층으로 형성되는 경우에는 전체 두께가 상기 두께 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 각 층의 두께를 채택할 수 있다.
<패시베이션층>
본 발명의 투명 전극 적층체는 필요에 따라, 투명전극층(100, 200)이 외부환경(수분, 공기 등)에 의해 오염되는 것을 방지하기 위해서, 투명 전극 적층체를 기준으로 투명 기판이 접합된 면의 반대면 측에 패시베이션층을 더 구비할 수도 있다.
패시베이션층은 상기 절연층(300)에서 사용가능한 재료를 채택하여 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 패시베이션층은 적절한 두께를 가질 수 있으며, 예를 들면 2,000nm이하일 수 있다. 따라서, 예를 들면 0 내지 2,000nm일 수 있다. 상기 범위에서 본 발명에 따른 투명 전극 적층체의 반사율 저감 효과를 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 패시베이션층은 굴절률이 1.4 내지 1.6인 것이 바람직하다. 상기 굴절률 범위에서 전술한 두께 범위를 갖는 경우의 반사율 저감 효과를 보다 강화할 수 있다.
<접착층>
접착층은 본 발명의 투명 전극 적층체를 디스플레이 패널부와 접합시킨다. 접착층은 투명한 경화성 수지 조성물을 도포한 후 경화하여 형성되거나(OCR), 이미 필름 형태로 된 것을 압착하여 형성될 수도 있다(OCA).
접착층도 투명 전극 적층체의 반사율에 영향을 미칠 수 있으며, 그에 따라 투명 전극 적층체의 반사율 저감을 위해 적절한 두께 및 굴절률을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 두께는 0 내지 250㎛이고 굴절률은 1 내지 1.6일 수 있다. 상기 두께가 0㎛인 경우는 접착층이 투명 전극 적층체의 테두리 부분에만 형성되는 경우에는 실제 영상이 표시되는 안쪽 부분에는 접착층이 형성되지 않으므로 이러한 경우를 의미하는 것이며, 이러한 경우에는 투명 전극 적층체와 디스플레이 패널부 사이에는 공기층만 존재하게 된다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 투명 전극 적층체는 투명전극층과 절연층이 특정한 두께 범위를 가짐으로써 위치에 따른 반사율 차이를 최소화할 수 있으며, 그에 따라 투명도를 현저하게 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 투명 전극 적층체는 디스 플레이 패널부와 접합되면 투명도가 우수한 터치 스크린 패널로 제조될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실시예 1-9 및 비교예 1-13
하기 표 1에 기재된 두께로 투명 전극 적층체를 제조하여, 각 위치별 평균 반사율 및 상기 평균 반사율의 최대값과 최소값의 차이를 기재하였다. 상기 평균반사율은 400nm~700nm에서의 반사율의 평균을 의미한다.
투명 기판으로는 유리(굴절률: 1.51, 소멸계수: 0),
투명 유전층으로는 Nb2O5층(굴절률: 2.32, 소멸계수: 0) 및 SiO2층(굴절률: 1.46, 소멸계수: 0)의 2중층
제1 투명전극층으로는 ITO(굴절률: 1.8, 소멸계수: 0.014),
제2 투명전극층으로는 ITO(굴절률: 1.8, 소멸계수: 0.014),
절연층 및 패시베이션층으로는 아크릴계 절연물질(굴절률: 1.51, 소멸계수: 0)를 사용하였으며, 상기 굴절률과 소멸계수는 550nm 파장의 광을 기준으로 기재하였다.
접착층이 air로 기재된 것은 베젤부만 접착되어 영상이 표시되는 영역은 접착층이 형성되지 않은 것을 의미한다.
투명 기판 투명 유전층 제1 투명
전극층		 절연층 제2 투명
전극층		 패시베이션층 접착층 평균
반사율(%)		 반사율
최대 차이(%)
실시예1 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 35nm 1,500nm 150nm 1,500nm Air ①: 7.98
②: 9.13
③: 8.31
④: 8.29
⑤: 9.58		 1.6
실시예2 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 120nm 1,500nm 120nm 1,500nm Air ①:9.45
②:9.13
③:8.40
④:9.60
⑤:10.31		 1.91
실시예3 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 150nm 1,500nm 150nm 1,500nm Air ①:8.45
②:9.23
③:8.79
④:9.11
⑤:9.93		 1.48
실시예4 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 200nm 1,500nm 200nm 1,500nm Air ①:8.33
②:9.13
③:7.97
④:9.30
⑤:9.46		 1.49
실시예5 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 35nm 1,500nm 200nm 1,500nm Air ①:7.98
②:9.13
③:8.36
④:9.30
⑤:9.46		 1.48
실시예6 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 150nm 1,500nm 125nm 1,500nm Air ①:8.45
②:9.13
③:8.80
④:9.31
⑤:10.19		 1.74
실시예7 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 150nm 1,500nm 200nm 1,500nm Air ①:8.45
②:9.13
③:7.76
④:9.04
⑤:9.46		 1.71
실시예8 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 50nm 1,500nm 200nm 1,500nm Air ①:8.37
②:9.13
③:8.50
④:9.85
⑤:9.46		 1.48
실시예9 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 100nm 1,500nm 350nm 1,500nm Air ①:9.85
②:9.13
③:8.07
④:9.70
⑤:9.11		 1.78
비교예1 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 35nm 1,500nm 55nm 1,500nm Air ①:7.98
②:9.13
③:9.82
④:10.64
⑤:10.79		 2.81
비교예2 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 35nm 1,750nm 55nm 1,500nm Air ①:8.73
②:8.53
③:9.65
④:10.04
⑤:11.42		 2.88
비교예3 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 10nm 1,500nm 50nm 1,500nm Air ①:8.59
②:9.13
③:8.81
④:10.22
⑤:10.62		 2.03
비교예4 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 200nm 1,500nm 50nm 1,500nm Air ①:8.33
②:9.13
③:8.50
④:10.63
⑤:10.62		 2.30
비교예5 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 50nm 500nm 50nm 1,500nm Air ①:9.07
②:9.26
③:9.15
④:10.47
⑤:11.15		 2.09
비교예6 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 50nm 2,500nm 50nm 1,500nm Air ①:8.73
②:8.83
③:9.21
④:10.58
⑤:11.00		 2.27
비교예7 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 50nm 1,500nm 10nm 1,500nm Air ①:8.37
②:9.13
③:8.81
④:8.54
⑤:9.14		 0.78
비교예8 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 55nm 1,500nm 55nm 1,500nm Air ①:8.58
②:9.13
③:9.72
④:11.48
⑤:10.79		 2.90
비교예9 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 100nm 500nm 100nm 1,500nm Air ①:9.85
②:9.13
③:8.33
④:9.97
⑤:10.75		 2.42
비교예10 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 35nm 2,500nm 55nm 1,500nm Air ①:7.98
②:9.13
③:9.82
④:10.64
⑤:10.79		 2.81
비교예11 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 35nm 1,500nm 250nm 1,500nm Air ①:7.98
②:9.13
③:8.85
④:9.17
⑤:10.11		 2.13
비교예12 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 150nm 1,500nm 55nm 1,500nm Air ①:8.45
②:9.13
③:8.33
④:9.97
⑤:10.79		 2.46
비교예13 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 150nm 1,500nm 250nm 1,500nm Air ①:8.45
②:9.13
③:7.97
④:9.01
⑤:10.11		 2.14
실시예 10-22 및 비교예 14-20
하기 표 2에 기재된 두께로 투명 전극 적층체를 제조하여, 각 위치별 평균 반사율 및 상기 평균 반사율의 최대값과 최소값의 차이를 기재하였다. 상기 평균반사율은 400nm~700nm에서의 반사율의 평균을 의미한다.
투명 기판으로는 유리(굴절률: 1.51, 소멸계수: 0),
투명 유전층으로는 Nb2O5층(굴절률: 2.32, 소멸계수: 0) 및 SiO2층(굴절률: 1.46, 소멸계수: 0)의 2중층
제1 투명전극층으로는 ITO(굴절률: 1.975, 소멸계수: 0.014),
제2 투명전극층으로는 ITO(굴절률: 1.8, 소멸계수: 0.014),
절연층 및 패시베이션층으로는 아크릴계 절연물질(굴절률: 1.51, 소멸계수: 0)을 사용하였으며, 상기 굴절률과 소멸계수는 550nm 파장의 광을 기준으로 기재하였다.
접착층이 air로 기재된 것은 베젤부만 접착되어 영상이 표시되는 영역은 접착층이 형성되지 않은 것을 의미한다.
투명 기판 투명 유전층 제1 투명
전극층		 절연층 제2 투명
전극층		 패시베이션층 접착층 평균
반사율(%)		 반사율
최대 차이(%)
실시예10 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 35nm 1,500nm 150nm 1,500nm Air ①:8.98
②:9.13
③:8.65
④:9.30
⑤:9.58		 0.92
실시예11 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 120nm 1,500nm 120nm 1,500nm Air ①:9.63
②:9.13
③:9.08
④:10.05
⑤:10.31		 1.23
실시예12 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 150nm 1,500nm 150nm 1,500nm Air ①:8.95
②:9.13
③:9.10
④:9.88
⑤:9.58		 0.93
실시예13 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 200nm 1,500nm 200nm 1,500nm Air ①:9.43
②:9.13
③:8.63
④:10.22
⑤:9.46		 1.58
실시예14 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 35nm 1,500nm 125nm 1,500nm Air ①:8.98
②:9.13
③:8.40
④:9.35
⑤:10.19		 1.79
실시예15 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 35nm 1,500nm 150nm 1,500nm Air ①:8.98
②:9.13
③:8.65
④:9.30
⑤:9.58		 0.92
실시예16 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 35nm 1,500nm 200nm 1,500nm Air ①:8.98
②:9.13
③:8.64
④:10.34
⑤:9.46		 1.70
실시예17 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 150nm 1,500nm 100nm 1,500nm Air ①:8.95
②:9.13
③:8.94
④:10.08
⑤:9.70		 1.86
실시예18 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 150nm 1,500nm 125nm 1,500nm Air ①:8.95
②:9.13
③:9.43
④:10.05
⑤:9.35		 1.10
실시예19 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 150nm 1,500nm 150nm 1,500nm Air ①:8.95
②:9.13
③:9.10
④:9.88
⑤:9.58		 0.93
실시예20 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 40nm 1,500nm 200nm 1,500nm Air ①:9.41
②:9.13
③:8.86
④:10.83
⑤:9.46		 1.97
실시예21 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 110nm 1,500nm 370nm 1,500nm Air ①:10.3
②:9.13
③:8.73
④:10.14
⑤:9.13		 1.57
실시예22 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 45nm 1,500nm 120nm 1,500nm Air ①:9.88
②:9.13
③:8.67
④:10.22
⑤:10.31		 1.64
비교예14 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 35nm 1,500nm 55nm 1,500nm Air ①:8.98
②:9.13
③:9.79
④:11.68
⑤:10.79		 2.69
비교예15 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 35nm 1,750nm 55nm 1,500nm Air ①:9.77
②:8.53
③:9.49
④:10.95
⑤:11.42		 2.88
비교예16 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 10nm 1,500nm 50nm 1,500nm Air ①:8.48
②:9.13
③:8.86
④:10.13
⑤:10.87		 2.39
비교예17 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 200nm 1,500nm 50nm 1,500nm Air ①:9.43
②:9.13
③:9.03
④:11.25
⑤:10.62		 2.22
비교예18 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 50nm 500nm 50nm 1,500nm Air ①:10.62
②:9.26
③:9.37
④:12.51
⑤:11.15		 3.25
비교예19 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 50nm 2,500nm 50nm 1,500nm Air ①:10.63
②:8.83
③:9.27
④:12.17
⑤:11.00		 3.34
비교예20 0.7mm Nb2O5:
8.5nm
SiO2:
50nm		 50nm 1,500nm 10nm 1,500nm Air ①:10.36
②:9.13
③:10.80
④:10.55
⑤:10.62		 1.67
상기 표 1 내지 표 2를 참고하면, 실시예들의 경우에는 평균 반사율의 최대값과 최소값의 차이가 2%이하로서 위치별 반사율의 편차가 크지 않아 시인성이 매우 낮다.
하지만, 비교예들의 경우에는 평균 반사율의 최대값과 최소값의 차이가 2%를 초과하여 위치별 반사율의 편차가 커서 시인성이 실시예보다 매우 높은 것을 확인할 수 있었다.
그리고, 비교예 중에서도 비교예 7 및 20은 제1 투명전극층과 제2 투명전극층의 두께 비가 본 발명의 범위를 벗어나지만 평균 반사율 차이가 2%이하이나, 상기 비교예들은 제1 투명 전극층 및/또는 제2 투명 전극층의 두께가 10nm이하인 경우이다. 투명 전극층의 두께가 10nm 이하이면 전기 전도성이 저하되어, 전극으로서의 기본적 기능을 충족하지 못하였다.
이와 관련하여, 50*50*0.7mm 유리 기판에에 120℃에서 ITO를 다양한 두께로 증착한 후, 중앙 1점에서 전기저항을 측정하고, 그 결과를 하기 표 3에 기재하였다.
ITO두께[nm] 150 100 55 35 10
Rs[Ω/□] 17.9 27.0 82.6 127.8 270.2
표 3을 참고하면, 전극 두께가 10nm 이하가 되면 전기 저항이 현저하게 증가되어 터치 전극으로서의 기본적인 성능 발현이 되지 않음을 확인할 수 있다.
100: 제1 투명전극층, 110: 제1 패턴, 120: 제2 패턴
200: 제2 투명전극층, 300: 절연층, 400: 콘택홀

Claims (15)

  1. 투명 유전층을 구비한 투명 기판;
    상기 투명 유전층 상에 서로 연결된 제1 패턴 및 서로 분리된 제2 패턴으로 형성되는 제1 투명전극층;
    상기 제1 투명전극층 상에 형성된 절연층; 및
    상기 절연층에 형성된 콘택홀을 통해 상기 제2 패턴을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극인 제2 투명전극층;을 포함하며,
    상기 제1 투명전극층은 두께가 20 내지 200nm이고, 상기 제2 투명전극층은 두께가 100 내지 350nm이며,
    상기 제1 투명전극층이 20nm 이상 내지 120nm 미만의 경우에는 (제1 투명전극층 두께)/(제2 투명전극층 두께) = 0.15 내지 0.375이며,
    상기 제1 투명전극층이 120nm 이상 내지 200nm 이하인 경우에는 (제2 투명전극층 두께)/(제1 투명전극층 두께) = 0.60 내지 1.50인 투명 전극 적층체.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 투명전극층 및 제2 투명전극층은 각각 굴절률이 1.8 내지 2.2인 투명 전극 적층체.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 절연층은 굴절률이 1.4 내지 1.6인 투명 전극 적층체.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 기판은 두께가 0.1 내지 0.7mm인 투명 전극 적층체.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 기판은 굴절률이 1.4 내지 1.6인 투명 전극 적층체.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 유전층은 복수의 층으로 형성된 투명 전극 적층체.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 유전층은 굴절률이 1.4 내지 2.5인 투명 전극 적층체.
  8. 청구항 6에 있어서, 상기 투명 유전층의 각 층의 굴절률이 1.4 내지 2.5인 투명 전극 적층체.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 유전층은 전체 두께가 50 내지 80nm인 투명 전극 적층체.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 절연층은 그 두께가 1,000 내지 2,000nm인 투명 전극 적층체.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 유전층 상에 상기 제2 투명전극층이 형성되고 상기 제2 투명전극층 상에 절연층이 형성되며, 상기 절연층 상에 상기 제1 투명전극층이 형성되는 투명 전극 적층체.
  12. 청구항 1에 있어서, 투명 전극 적층체를 기준으로 상기 투명 기판의 반대쪽 면 측에 패시베이션층을 더 구비하는 투명 전극 적층체.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 패시베이션층은 두께가 2,000nm 이하인 투명 전극 적층체.
  14. 청구항 12에 있어서, 상기 패시베이션층은 굴절률이 1.4 내지 1.6인 투명 전극 적층체.
  15. 청구항 1 내지 14 중 어느 한 항의 투명 전극 적층체를 구비한 터치 스크린 패널.
KR1020130058363A 2013-05-23 2013-05-23 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널 KR101865685B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130058363A KR101865685B1 (ko) 2013-05-23 2013-05-23 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널
PCT/KR2014/002826 WO2014189204A1 (ko) 2013-05-23 2014-04-02 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널
TW103113315A TWI631488B (zh) 2013-05-23 2014-04-10 透明電極圖型層板及含此之觸控螢幕面板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130058363A KR101865685B1 (ko) 2013-05-23 2013-05-23 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140137631A KR20140137631A (ko) 2014-12-03
KR101865685B1 true KR101865685B1 (ko) 2018-06-08

Family

ID=51933733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130058363A KR101865685B1 (ko) 2013-05-23 2013-05-23 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101865685B1 (ko)
TW (1) TWI631488B (ko)
WO (1) WO2014189204A1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11216131B2 (en) 2014-11-20 2022-01-04 Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. Film touch sensor and manufacturing method therefor
KR101942294B1 (ko) * 2014-12-09 2019-01-25 동우 화인켐 주식회사 터치 스크린 패널 및 이를 구비하는 화상표시장치
KR20160071735A (ko) 2014-12-12 2016-06-22 동우 화인켐 주식회사 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법
KR102276210B1 (ko) * 2015-01-26 2021-07-12 동우 화인켐 주식회사 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법
KR102374644B1 (ko) * 2015-03-24 2022-03-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102332579B1 (ko) * 2016-03-31 2021-11-29 동우 화인켐 주식회사 터치 센서
KR102430032B1 (ko) * 2017-08-16 2022-08-04 동우 화인켐 주식회사 투명 전극 적층체 및 이의 제조 방법
CN113140162A (zh) * 2020-01-17 2021-07-20 群创光电股份有限公司 拼接透明显示装置及用于拼接的透明显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008310551A (ja) * 2007-06-14 2008-12-25 Epson Imaging Devices Corp 静電容量型入力装置
JP2012081663A (ja) * 2010-10-12 2012-04-26 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電基材及びタッチパネル
WO2012111519A1 (ja) * 2011-02-15 2012-08-23 シャープ株式会社 タッチパネル及び該タッチパネルを備えた表示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006126604A1 (ja) 2005-05-26 2006-11-30 Gunze Limited 透明面状体及び透明タッチスイッチ
JP4419146B2 (ja) * 2005-06-13 2010-02-24 日東電工株式会社 透明導電性積層体
TWI355105B (en) * 2007-12-31 2011-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Touchable control device
JP2011076932A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Nitto Denko Corp 透明導電性フィルム及びタッチパネル
US9563315B2 (en) * 2010-11-09 2017-02-07 Tpk Touch Solutions Inc. Capacitive touch panel and method for producing the same
KR101427768B1 (ko) * 2010-12-27 2014-08-13 전자부품연구원 금속박막을 이용한 터치패널 및 그 제조방법
WO2012169864A2 (ko) * 2011-06-10 2012-12-13 (주)삼원에스티 터치패널센서
KR101363151B1 (ko) * 2011-09-06 2014-02-14 삼성전자주식회사 터치스크린용 투명 회로 기판, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 터치스크린

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008310551A (ja) * 2007-06-14 2008-12-25 Epson Imaging Devices Corp 静電容量型入力装置
JP2012081663A (ja) * 2010-10-12 2012-04-26 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電基材及びタッチパネル
WO2012111519A1 (ja) * 2011-02-15 2012-08-23 シャープ株式会社 タッチパネル及び該タッチパネルを備えた表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140137631A (ko) 2014-12-03
TWI631488B (zh) 2018-08-01
TW201445394A (zh) 2014-12-01
WO2014189204A1 (ko) 2014-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101865685B1 (ko) 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널
KR101879220B1 (ko) 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널
JP5997146B2 (ja) タッチパネル
US8603611B2 (en) Transparent planar body and transparent touch switch
JP4874145B2 (ja) 透明面状体及び透明タッチスイッチ
TWI725216B (zh) Oled一體型觸控感測器及包括其的oled影像顯示裝置
US9489914B2 (en) Transparent electrode laminate and touch screen panel including the same
KR102077548B1 (ko) 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널
KR20120134955A (ko) 시인성이 향상된 터치 패널 및 그 제조방법
US20130098663A1 (en) Touch panel sensor
KR101181056B1 (ko) 터치 패널
CN105468184B (zh) 透明电极层压体和包括该透明电极层压体的触摸屏面板
KR101942294B1 (ko) 터치 스크린 패널 및 이를 구비하는 화상표시장치
KR101114028B1 (ko) 터치 패널
JP6446209B2 (ja) 透明電極パターン積層体及びこれを備えたタッチスクリーンパネル
KR101199047B1 (ko) 터치 패널 및 이의 제조 방법
KR101427995B1 (ko) 터치 감지 전극
TWI623873B (zh) 透明電極層板及含此之觸控螢幕面板
TW201516819A (zh) 觸控螢幕面板
KR20130073529A (ko) 투명 도전성 필름 및 이를 구비한 터치 패널

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right